JPWO2019188901A1 - 半導体基板の製造方法および研磨用組成物セット等のセット - Google Patents
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Abstract
Description
ここに開示される半導体基板は、おもて面と裏面とを有しており、その裏面には加工歪層が存在する。また、当該裏面に存在する加工歪層の深さはおもて面の加工歪層の深さよりも大きいか、あるいは半導体基板のおもて面には加工歪層が存在しない。ここで、半導体基板のおもて面とは、通常、エピタキシャル膜、半導体素子等が形成される面であり、半導体基板の裏面とは、おもて面とは反対側に位置する面である。なお、半導体基板の形状は、特に限定されず、通常は、円盤状(上面からみて円形状)を有する。半導体基板は、上面からみたとき四角形等の多角形状を有するものであってもよい。
<加工対象物>
次に、ここに開示される半導体基板の製造方法について説明する。この製造方法では、まず加工対象物を用意する。特に限定するものではないが、加工対象物としては、半導体材料のインゴットをスライス等の手法により切り出し、ウェーハ状としたものが用いられる。加工対象物の構成材料としては、上述の半導体基板材料として例示したものを特に制限なく用いることができ、半導体基板材料の好適例が加工対象物の構成材料においても好適例となる。加工対象物の形状やサイズ(上面から見たときの形状やサイズ)は、製造される半導体基板と同様である。加工対象物の厚さは、製造される半導体基板の厚さが得られるよう適切に設定されるので、特定の範囲に限定されない。
ここに開示される半導体基板の製造方法は、ウェーハ状の加工対象物の裏面を加工する裏面加工工程を含むことによって特徴づけられる。ここで、上記加工対象物の裏面は、製造される半導体基板の裏面となる面である。ここに開示される裏面加工工程は、特定の工程に限定されず、公知の表面加工処理技術を適宜選択し、製造される半導体基板の裏面に加工歪層が存在するように実施される。また、上記半導体基板のおもて面に加工歪層が存在する場合には、半導体基板おもて面の加工歪層の深さよりも大きい深さを有する加工歪層が存在するように裏面加工工程は実施される。具体的には、裏面加工工程は、製造された半導体基板のおもて面に設けられるエピタキシャル膜等の形成膜の材質、構造、厚さ等を考慮して実施される。また、裏面加工工程後に裏面に存在する加工歪層の深さは、製造された半導体基板のおもて面に生じ得る圧縮応力に基づいて決定されることが好ましい。そのような圧縮応力は、例えば、おもて面に設けられるエピタキシャル膜等の形成膜の材質、構造、厚さ等によって決定され得る。
裏面加工工程は、典型的には砥粒を用いる工程(例えば研削工程やラッピング工程、CMP工程)を含む。裏面加工工程で用いられる砥粒ABFの材質や性状は、特に制限されない。例えば、砥粒ABFは無機粒子、有機粒子および有機無機複合粒子のいずれかであり得る。例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化鉄粒子等の酸化物粒子;窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子;炭化ケイ素粒子、緑色炭化ケイ素(GC)粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子;ダイヤモンド粒子;炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩;等のいずれかから実質的に構成される砥粒が挙げられる。砥粒ABFは1種を単独で用いてもよく2種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、加工歪層形成性の点でダイヤモンド粒子が好ましい。
なお、砥粒のビッカース硬度は、砥粒として用いられる材料につき、上記JIS R 1610:2003に基づいて測定した値とする。
なお、ここでいう砥粒ABFの粒子径PBFは、後述する各方法で測定することができる。砥粒ABFが一次および二次粒子径を有する場合は二次粒子径の値を粒子径PBFとする。
好ましい一態様に係る裏面加工工程は研削工程を含む。本明細書において「研削工程」とは、定盤に固定砥粒を配置し、該固定砥粒を加工対象物表面に押し当てて行う工程をいう。固定砥粒は、通常、砥粒粒子がビトリファイドやレジノイド等の結合材で固められた凝集体であり、研削用砥石とも称される。砥粒は通常、結合材中に分散固定されている。また、本工程で使用される定盤としては、公知ないし慣用のものを用いることができる。研削工程は、必要に応じて水溶液からなる加工液を供給しながら実施される。
好ましい一態様に係る裏面加工工程はラッピング工程を含む。本明細書において「ラッピング工程」とは、対向する研磨定盤間に研磨対象物を保持したキャリア(キャリアプレートともいう。)を配し、上記研磨定盤およびキャリアの少なくとも一方を回転させて行う加工工程をいう。上記研磨定盤および/またはキャリアの回転は、両者が相対的に回転移動するように行われる。ラッピング工程は、典型的には、研磨定盤と加工対象物との間に遊離砥粒(例えばダイヤモンド粒子)を供給して行われる。遊離砥粒は、通常、研磨スラリーと称される水等の溶媒を含む液状の組成物の形態で加工対象物に供給される。ラッピング工程では研磨パッドは使用しない。
好ましい一態様に係る裏面加工工程はCMP工程を含む。本明細書において「化学的機械研磨(CMP)工程」とは、研磨パッドを用いて当該研磨パッドと加工対象物との間に研磨スラリーを供給して行う研磨(ポリシング)工程をいう。CMP工程を採用することにより、高品質な裏面が得られやすい。
ここに開示される裏面研磨用組成物は、特定の組成に限定されず、裏面研磨用組成物を用いて実施する裏面加工工程を経た裏面に加工歪層を存在させ得る組成、あるいは、おもて面に加工歪層が存在する場合には、おもて面の加工歪層深さよりも大きい深さを有する加工歪層を裏面に存在させ得る組成が採用される。そのような裏面研磨用組成物は、例えば、砥粒ABFと、水等の溶媒と、を含み、さらに酸化剤等の研磨助剤CBFを含み得る。
ここに開示される半導体基板の製造方法は、典型的には、おもて面加工工程を含む。上記おもて面加工工程では、上記加工対象物のおもて面を加工する。ここで、加工対象物のおもて面は、製造される半導体基板のおもて面となる面である。おもて面加工工程は、典型的には、加工対象物のおもて面を平滑面とする工程であり、より具体的には、鏡面となるような高品質表面に仕上げる工程である。
おもて面加工工程は、通常、砥粒AFFを用いる工程を含む。砥粒AFFとしては、上記で例示した裏面加工用砥粒種の1種または2種以上が挙げられる。なかでも、シリカ粒子、アルミナ粒子が好ましい。
ここに開示されるおもて面研磨用組成物は、特定の組成に限定されず、おもて面に加工歪層が存在しないように、あるいは裏面の加工歪層深さよりも小さい深さを有する加工歪層とし得る組成が採用される。そのような研磨用組成物は、例えば、砥粒と、水等の溶媒と、を含み、さらに酸化剤等の研磨助剤CFFを含み得る。
なお、ラッピング用組成物や研磨用組成物の調製には、濃度調整(例えば希釈)、pH調整等の操作を加えてラッピング液や研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、上記ラッピング用組成物をそのままラッピング液として使用してもよく、上記研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。また、多剤型の研磨用組成物の場合、上記研磨液を調製することには、それらの剤を混合すること、該混合の前に1または複数の剤を希釈すること、該混合の後にその混合物を希釈すること、等が含まれ得る。
ここに開示される技術には、例えば、以下のような研磨用組成物セットの提供が含まれ得る。すなわち、ここに開示される技術によると、互いに分けて保管される組成物Q1および組成物Q2を含む研磨用組成物セットが提供される。上記組成物Q1は、ここに開示される裏面加工工程に用いられる裏面研磨用組成物(濃縮液を包含する。)であり得る。上記組成物Q2は、ここに開示されるおもて面加工工程に用いられるおもて面研磨用組成物(濃縮液を包含する。)であり得る。このような構成の研磨用組成物セットを用いて裏面加工工程およびおもて面加工工程を含む多段加工プロセスを実施すると、製造後における形状が高度に制御された半導体基板が好適に製造され得る。また、得られる半導体基板は、高い面品質を有するものであり得る。
ここに開示される技術には、例えば、以下のような組成物セットの提供が含まれ得る。すなわち、ここに開示される技術によると、互いに分けて保管される組成物Q3および組成物Q4を含む組成物セットが提供される。上記組成物Q3は、ここに開示される裏面加工工程に用いられるラッピング用組成物(濃縮液を包含する。)であり得る。上記組成物Q4は、ここに開示されるおもて面加工工程に用いられるおもて面研磨用組成物(濃縮液を包含する。)であり得る。このような構成の組成物セットを用いて裏面加工工程およびおもて面加工工程を含む多段加工プロセスを実施すると、製造後における形状が高度に制御された半導体基板が高い加工能率で製造され得る。また、得られる半導体基板は、高い面品質を有するものであり得る。
ここに開示される技術には、例えば、以下のような半導体基板製造用セットの提供が含まれ得る。すなわち、ここに開示される技術によると、互いに分けて保管される研削用砥粒および組成物Q5を含む半導体基板製造用セットが提供される。上記研削用砥粒は、ここに開示される裏面加工工程に用いられる研削用砥粒であり得る。上記組成物Q5は、ここに開示されるおもて面加工工程に用いられるおもて面研磨用組成物(濃縮液を包含する。)であり得る。このような構成のセットを用いて裏面加工工程およびおもて面加工工程を含む多段加工プロセスを実施すると、製造後における形状が高度に制御された半導体基板が高い加工能率で製造され得る。また、得られる半導体基板は、高い面品質を有するものであり得る。
(調製例1)
コロイダルシリカとメタバナジン酸ナトリウムと過酸化水素と脱イオン水とを混合して研磨用組成物Aを調製した。コロイダルシリカの含有量は23%、メタバナジン酸ナトリウムの含有量は1.9%、過酸化水素の含有量は1.2%とした。研磨用組成物のpHは、水酸化カリウム(KOH)を用いて6.5に調整した。なお、コロイダルシリカは、平均二次粒子径が97nmの球状のものを使用した。
アルミナ砥粒(α−アルミナ、平均二次粒子径:0.5μm)と研磨助剤としての過マンガン酸カリウム(KMnO4)と脱イオン水とを混合して研磨用組成物Bを調製した。アルミナ砥粒の含有量は6%、KMnO4の含有量は1.2%とした。研磨用組成物のpHは、KOHを用いて9.0に調整した。
表1に示す内容で加工対象物のおもて面および裏面に対して加工を実施した。加工条件は下記のとおりである。CMP工程では、研磨用組成物A、BをそれぞれスラリーA,Bとして用いた。GCは緑色炭化ケイ素粒子を砥粒として含むスラリーである。加工対象物としては、3インチのSiCウェーハ(伝導型:n型、結晶型4H 4°off)を使用した。
研磨装置:不二越機械工業社製の製品名「SPM−11」
研磨パッド:フジミインコーポレーテッド社製の「SURFIN 019‐3」
研磨圧力:300g/cm2
定盤回転数:60回転/分
ヘッド回転数:40回転/分(強制駆動)
研磨液の供給レート:≧20mL/分(掛け流し)
研磨液の温度:25℃
研磨時間:Raが一定になるまで
研磨装置:日本エンギス社製の片面研磨装置、型式「EJ−380IN」
研磨定盤:銅製
研磨圧力:300g/cm2
定盤回転数:70回転/分
ヘッド回転数:40回転/分(強制駆動)
研磨液中の砥粒濃度:10%
研磨液の供給レート:10mL/分(掛け流し)
研磨液の温度:25℃
研磨時間:Raが一定になるまで
研削装置:秀和工業社製の製品名「MHG−2000」
研削用砥石:ダイヤモンドホイール(結合材:ビドリファイド)
砥石回転数:2000回転/分
ワーク回転数:200回転/分
研削時間:Raが一定になるまで
加工物のおもて面および裏面における加工歪層の深さは、微分干渉顕微鏡(ニコン社製の商品名「OPTIPHOTO300」)による観察(観察倍率:10〜200倍)およびポリシングから測定した。具体的には、微分干渉顕微鏡によって加工傷を特定し、当該特定された加工傷をポリシングによって除去し、その除去までに要する研磨取り代に相当する深さを加工歪層の深さ[μm]とした。ポリシング条件および研磨取り代の算出方法を以下に示す。
[ポリシング条件]
研磨装置:日本エンギス社製の片面研磨装置、型式「EJ−380IN」
研磨パッド:ニッタ・ハース社製「SUBA800」
研磨圧力:300g/cm2
定盤回転数:80回転/分
研磨時間:加工傷が消えるまで
ヘッド回転数:40回転/分
研磨液の供給レート:20mL/分(掛け流し)
研磨液の温度:25℃
研磨液:コロイダルシリカ+バナジン酸塩+過酸化水素(pH8)
[研磨取り代]
研磨取り代[cm]=研磨前後のSiCウェーハの重量の差[g]/SiCの密度[g/cm3](=3.21g/cm3)/研磨対象面積[cm2](=19.62cm2)
測定結果を表1に示す。
各例に係る加工後の加工物表面につき、原子間力顕微鏡(AFM;商品名「D3100 Nano Scope V」、Veeco社製)を用いて、測定領域10μm×10μmの条件で表面粗さRa[nm]を測定した。結果を表1に示す。
各例に係る加工方法で製造した半導体基板の反り方(おもて面を基準としたときの凹凸)およびその程度[μm]をGBIRにて測定した。測定は、東京精密社製の表面形状測定機「SURFCOM 1500DX」を用いた。おもて面側が凸となる反りについては「+Xμm」と記載し、おもて面側が凹となる反りについては「−Xμm」と記載した。結果を表1に示す。
各例に係る加工方法で製造した半導体基板のおもて面にエピタキシャル膜を形成し、エピタキシャル膜形成後の半導体基板の形状をGBIRにて測定した。エピタキシャル膜として厚さ30μmのn-型SiC層を形成した。得られたGBIRの測定結果に基づき下記の基準で評価した。結果を表1に示す。
[評価基準]
◎:GBIR3μm以下
○:GBIR3μm超10μm以下
△:GBIR10μm超14μm以下
×:GBIR14μm超
Claims (19)
- ウェーハ状の加工対象物の裏面を加工する裏面加工工程を含む半導体基板の製造方法であって、
前記裏面加工工程を経た前記裏面には加工歪層が存在しており、
前記裏面に存在する加工歪層の深さは前記半導体基板のおもて面の加工歪層の深さよりも大きいか、あるいは前記おもて面には加工歪層が存在しない、半導体基板の製造方法。 - 前記裏面加工工程は、前記裏面の算術平均表面粗さRaを10nm以下とする工程である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記裏面に存在する加工歪層の深さは0.1μm以上である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記裏面加工工程は化学的機械研磨工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記裏面加工工程はラッピング工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記裏面加工工程は研削工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記加工対象物のおもて面を加工するおもて面加工工程を含み、
前記おもて面加工工程および前記裏面加工工程はともに砥粒を用いる工程を含み、
前記裏面加工工程で用いられる砥粒は、前記おもて面加工工程で用いられる砥粒よりも高硬度である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記加工対象物のおもて面を加工するおもて面加工工程を含み、
前記おもて面加工工程および前記裏面加工工程はともに砥粒を用いる工程を含み、
前記裏面加工工程で用いられる砥粒は、前記おもて面加工工程で用いられる砥粒よりも粒子径が大きい、請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記半導体基板は、炭化ケイ素から構成された半導体基板である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項7〜9のいずれか一項に記載の製造方法に用いられる研磨用組成物セットであって、
前記裏面加工工程に用いられる裏面研磨用組成物としての組成物Q1と、
前記おもて面加工工程に用いられるおもて面研磨用組成物としての組成物Q2と
を含み、
前記組成物Q1と前記組成物Q2とは互いに分けて保管されている、研磨用組成物セット。 - 前記裏面研磨用組成物は砥粒ABFを含有し、
前記おもて面研磨用組成物は砥粒AFFを含有し、
前記砥粒ABFはアルミナ粒子または緑色炭化ケイ素粒子であり、前記砥粒AFFはシリカ粒子またはアルミナ粒子である、請求項10に記載の研磨用組成物セット。 - 前記裏面研磨用組成物は研磨助剤CBFを含有し、
前記おもて面研磨用組成物は研磨助剤CFFを含有し、
前記研磨助剤CBFは過マンガン酸またはその塩であり、前記研磨助剤CFFは過酸化水素およびバナジン酸類である、請求項11に記載の研磨用組成物セット。 - 請求項7〜9のいずれか一項に記載の製造方法に用いられる組成物セットであって、
前記裏面加工工程に用いられるラッピング用組成物としての組成物Q3と、
前記おもて面加工工程に用いられるおもて面研磨用組成物としての組成物Q4と
を含み、
前記組成物Q3と前記組成物Q4とは互いに分けて保管されている、組成物セット。 - 前記ラッピング用組成物は砥粒ABFを含有し、
前記おもて面研磨用組成物は砥粒AFFを含有し、
前記砥粒ABFはダイヤモンド粒子であり、前記砥粒AFFはシリカ粒子またはアルミナ粒子である、請求項13に記載の組成物セット。 - 前記おもて面研磨用組成物は研磨助剤CFFを含有し、
前記研磨助剤CFFは過マンガン酸、過マンガン酸塩、過酸化水素およびバナジン酸類からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項14に記載の組成物セット。 - 請求項7〜9のいずれか一項に記載の製造方法に用いられる半導体基板製造用セットであって、
前記裏面加工工程に用いられる研削用砥粒と、
前記おもて面加工工程に用いられるおもて面研磨用組成物としての組成物Q5と
を含み、
前記研削用砥粒と前記組成物Q5とは互いに分けて保管されている、半導体基板製造用セット。 - 前記研削用砥粒はダイヤモンド粒子であり、前記砥粒AFFはシリカ粒子またはアルミナ粒子である、請求項16に記載の半導体基板製造用セット。
- 前記おもて面研磨用組成物は研磨助剤CFFを含有し、
前記研磨助剤CFFは過マンガン酸、過マンガン酸塩、過酸化水素およびバナジン酸類からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項17に記載の半導体基板製造用セット。 - おもて面と裏面とを有する半導体基板であって、
前記裏面には加工歪層が存在しており、
前記裏面に存在する加工歪層の深さは前記おもて面の加工歪層の深さよりも大きいか、あるいは前記おもて面には加工歪層が存在しない、半導体基板。
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