JPWO2019138453A1 - 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 - Google Patents

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Abstract

本発明は、比較的大きな面積の目標物に対し、各々が同じ流量及び濃度の複数の活性ガスを供給することができる活性ガス生成装置の構造を提供することを目的とする。そして、本発明において、高電圧側電極構成部（１）に設けられる複数のガス供給孔（１９）及び接地側電極構成部（２）に設けられる複数のガス噴出孔（２９）は、平面視して、複数のガス供給孔（１９）及び複数のガス噴出孔（２９）が互いに重複することなく配置され、複数のガス供給孔（１９）及び複数のガス噴出孔（２９）のいずれもが形成されない領域に放電空間ＤＳが設けられる第１の配置関係と、複数のガス噴出孔（２９）それぞれは、複数のガス供給孔（１９）のうち平面視して隣接する４つのガス供給孔（１９）を有し、隣接する４つのガス供給孔（１９）それぞれから対応するガス噴出孔（２９）に至る４つの距離は全て同一距離（Ｄ１）となる第２の配置関係とを満足する。

Description

この発明は、放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスを生成する活性ガス生成装置に関する。
従来の活性ガス生成装置の一つとして、各々が円盤状の高圧誘電体電極を有する高電圧側電極構成部と接地誘電体電極を有する接地側電極構成部とを平行に設置してなる、円盤状の電極群構成部を用いる構成がある。この構成では、電極群構成部の外周部から内部へと侵入した原料ガスが放電空間（放電場）を通過して活性ガス（ラジカルを含んだガス）となり、得られた活性ガスを下方の接地誘電体電極に１つだけ設けられたガス噴出孔から外部に噴き出している。
接地誘電体電極に設けるガス噴出孔が一つの場合、電極構成部の外周部から供給されるすべての原料ガスが同時間で放電空間を通りエネルギーを受けることが可能と考えられるが、ガス噴出孔を複数個にした場合、電極形状を工夫するなどの対策が必要になる。
誘電体バリア放電（無声放電または沿面放電）を用いて原料ガスにエネルギーを与え活性ガスを生成する場合、ガスの放電空間での滞在時間は原料ガス全てが一定なことが望ましい。その理由は、原料ガスの放電空間における滞在時間が一定でない場合、活性ガスの流量、濃度に差が出るため、ウェハ等の目標物（処理対象基板）に活性ガスを供給して目標物に膜を成膜する際、膜の成膜結果が一定にならない可能性があるからである。
そこで、現在、ガス噴出孔が１個の場合などは円盤状の電極構造や円筒型の電極構造を使用し、原料ガスの放電空間における滞在時間を一定にしている。
図１１は円盤状の電極構造を採用した従来の活性ガス生成装置の基本構成を模式的に示す説明図である。同図(a) が上部から斜め下方に視た概略を示す図、同図(b) が断面構造を示す断面図である。図１２は図１１で示したガス噴出孔９及びその周辺を拡大して示す説明図である。なお、図１１及び図１２に適宜ＸＹＺ直交座標系を示している。
これらの図に示すように、高電圧側電極構成部１Ｘと、高電圧側電極構成部１Ｘの下方に設けられる接地側電極構成部２Ｘとからなる電極群構成部を基本構成としている。高電圧側電極構成部１Ｘは、誘電体電極１１Ｘと、誘電体電極１１Ｘの上面上に設けられ中央に空間を有する平面視ドーナツ状の金属電極１０Ｘとにより構成される。接地側電極構成部２Ｘは、誘電体電極２１Ｘと誘電体電極２１Ｘの下面上に設けられ、中央に空間を有する平面視ドーナツ状の金属電極２０Ｘとにより構成される。
そして、誘電体電極２１Ｘの中央部（平面視して金属電極２０Ｘ及び１０Ｘが重複しない領域）の中心に一つのガス噴出孔９が設けられる。なお、高電圧側電極構成部１Ｘ及び接地側電極構成部２Ｘには図示しない高周波電源によって交流電圧が印加される。
さらに、高周波電源からの交流電圧の印加により誘電体電極１１Ｘ及び２１Ｘが対向する誘電体空間内において、金属電極１０Ｘ及び２０Ｘが平面視重複する領域が放電空間ＤＳＸ（放電場）として規定される。
このような構成において、交流電圧の印加により、高電圧側電極構成部１Ｘ及び接地側電極構成部２Ｘ間に放電空間ＤＳＸが形成され、この放電空間ＤＳＸにおけるガスの流れ８に沿って原料ガス６を供給すると、ラジカル化した窒素原子等の活性ガス７を得て、誘電体電極２１Ｘの中心に設けられたガス噴出孔９から下方（−Ｚ方向）の外部に活性ガス７を噴出することができる。
したがって、円盤状の電極構造を採用した従来の活性ガス生成装置は、図１２に示すように、放電空間におけるガスの流れ８はその供給方向に関係無く一定にすることができる。
また、接地側電極構成部２Ｘの下方において、ガス噴出孔９にシャワープレート等の分岐機構を接続して、この分岐機構の下部に設けられた、複数の分岐噴出孔から活性ガスを噴出する分岐機構付活性ガス生成装置が考えられる。
図１１及び図１２で示した構成は、上述した分岐機構付活性ガス生成装置に比べ、分岐機構を介することなく、直に活性ガスを目標物（処理対象基板）に対し噴出することができるため、活性ガスの搬送距離を短くすることができ、さらに、活性ガスが分岐機構内で分岐する際に活性ガスが減衰するような材料を用いた場合においても高濃度の活性ガスを目標物に供給できる優位性を有している。
図１３は円筒の電極構造を採用した従来の活性ガス生成装置の基本構成を模式的に示す説明図である。同図(a) が側面構造を示す図であり、同図(b) が表面構造を示す図である。なお、図１３に適宜ＸＹＺ直交座標系を示している。
これらの図に示すように、高電圧側電極構成部１Ｙと、高電圧側電極構成部１Ｙの内部に設けられる接地側電極構成部２Ｙとを基本構成としている。
接地側電極構成部２Ｙは、高電圧側電極構成部１ＹのＸＺ平面上における円の中心に設けられた、ＸＺ平面上の断面構造が円となる棒状の金属電極２０Ｙと金属電極２０Ｙの外周を覆って形成される誘電体電極２１Ｙとにより構成される。高電圧側電極構成部１Ｙは、内部に空間を有し断面構造が円となる中空の円筒状の誘電体電極１１Ｙと誘電体電極１１Ｙの外周を覆って形成される金属電極１０Ｙとにより構成される。
そして、誘電体電極１１Ｙと誘電体電極２１Ｙとの間に設けられる中空領域に放電空間ＤＳＹが設けられる。また、高電圧側電極構成部１Ｙ及び接地側電極構成部２Ｙには図示しない高周波電源によって交流電圧が印加される。
そして、高周波電源からの交流電圧の印加により誘電体電極１１Ｙ及び２１Ｙが対向する誘電体空間内において、金属電極１０Ｙの内周領域と及び金属電極２０Ｙの外周領域との間の空間が放電空間ＤＳＹとして規定される。
このような構成において、交流電圧の印加により、高電圧側電極構成部１Ｙ及び接地側電極構成部２Ｙ間に放電空間ＤＳＹが形成され、一方の端部から、放電空間ＤＳＹにおける円筒の高さ方向（Ｙ方向）に沿ったガスの流れ８を有する原料ガス６を供給すると、ラジカル化した窒素原子等の活性ガス７を得て、他方の端部から外部に活性ガス７を噴出することができる。
したがって、円筒の電極構造を採用した従来の活性ガス生成装置は、図１３に示すように、放電空間におけるガスの流れ８はその供給方向に関係無く一定にすることができる。
なお、図１１及び図１２で示した円盤状の電極構造を採用した活性ガス生成装置として、例えば特許文献１で開示されたプラズマ処理装置がある。また、上述した方式と異なる活性ガス生成装置として、大気圧プラズマを用いて活性ガスを生成して成膜等を行う大気圧プラズマ処理装置が例えば特許文献２に開示されている。
特開２０１１−１５４９７３号公報 特開２０１５−５７８０号公報
しかしながら、図１１及び図１２で示した従来のガス生成装置は、放電空間ＤＳＸでのガスの滞在時間を一定にして活性ガス７を供給できるが、ガス噴出孔９は一つであるため成膜できる範囲は広くない。
また、上記の構造のガス生成装置を複数個用いて成膜範囲の大面積化に対応させた場合、隣接配置された一対の活性ガス生成装置間におけるガス噴出孔９，９間の距離が少なくとも電極群構成部の直径（半径×２）分の比較的長い距離となるため、目標物に成膜される膜が波を打った膜となり均一な成膜ができないという問題点があった。
このように、特許文献１で開示された活性ガス生成装置等、誘電体バリア放電を利用する活性ガス生成装置を薄膜成膜に応用する場合、成膜される膜の均一性の観点から成膜対象となる広い面積を有する目標物（処理対象基板）に対応することができなかった。
このため、広い面積を有する目標物（処理対象基板）に対応させる場合、同じプラズマを使用し、目標物の直近でプラズマを発生し、ガスにエネルギーを与え活性ガスを生成して薄膜を成膜するプラズマ方式が採用されるが一般的であった。このようなプラズマ方式を採用したのが、特許文献２で開示されたプラズマＣＶＤ・ＡＬＤ装置である。
しかしながら、特許文献２で開示されたプラズマＣＶＤ・ＡＬＤ装置では供給中のガスにプラズマのエネルギーを与え高反応性のガスに変換し供給しているため、プラズマ発生源と目標物の被処理面とを近接配置する必要があり、目標物であるウェハ等の処理面が近接配置されることになる結果、目標物自体がプラズマの影響でダメージを受けてしまうという問題点があった。
本発明では、上記のような問題点を解決し、活性ガス供給対象となる大きな面積を有する目標物に対し、各々が同じ流量及び濃度の複数のガス噴出孔から活性ガスを供給することができる活性ガス生成装置の構造を提供することを目的とする。
この発明における活性ガス生成装置は、放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスを生成する活性ガス生成装置であって、第１の電極構成部と前記第１の電極構成部の下方に設けられる第２の電極構成部とを備え、前記第１及び第２の電極構成部に交流電圧が印加され、前記交流電圧の印加により、前記第１及び第２の電極構成部間に前記放電空間が形成され、前記第１の電極構成部は、第１の誘電体電極と前記第１の誘電体電極の上面上に形成される第１の金属電極とを有し、前記第２の電極構成部は、第２の誘電体電極と前記第２の誘電体電極の下面上に形成される第２の金属電極とを有し、前記交流電圧の印加により前記第１及び第２の誘電体電極が対向する誘電体空間内において、前記第１及び第２の金属電極が平面視重複する領域を前記放電空間として含み、前記第１の誘電体電極は、前記原料ガスを前記放電空間に導くための複数のガス供給孔を有し、前記第２の誘電体電極は、前記活性ガスを外部に噴出するための複数のガス噴出孔を有し、前記複数のガス供給孔及び前記複数のガス噴出孔は、前記複数のガス供給孔及び前記複数のガス噴出孔が平面視して互いに重複することなく配置され、平面視して前記複数のガス供給孔及び前記複数のガス噴出孔のいずれもが形成されない領域に前記放電空間が設けられる第１の配置関係と、前記複数のガス噴出孔それぞれは、前記複数のガス供給孔のうち平面視して隣接する少なくとも２つのガス供給孔を有し、前記少なくとも２つのガス供給孔それぞれから、前記複数のガス噴出孔のうち対応するガス噴出孔に至る少なくとも２つの距離は全て同一距離となる第２の配置関係とを、満足するように配置されることを特徴とする。
請求項１記載の本願発明における活性ガス生成装置において、複数のガス供給孔及び複数のガス噴出孔は上記第１及び第２の配置関係を共に満足し、複数のガス噴出孔から活性ガスを外部に噴出することができる。
このため、請求項１記載の本願発明の活性ガス生成装置は、活性ガス供給対象となる大きな形成面積の目標物に対し、各々が均一な濃度及び流量で複数のガス噴出孔から活性ガスを供給することができ、目標物に対し均一な膜を形成する成膜処理を行うことができる。
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
実施の形態１の活性ガス生成装置の構成を模式的に示した説明図である。 実施の形態１の活性ガス生成装置の平面構造を模式的に示した説明図である。 実施の形態１の活性ガス生成装置の構成の詳細を模式的に示した説明図である。 実施の形態１の活性ガス生成装置の平面構造の詳細を示した説明図である。 実施の形態１の活性ガス生成装置の電極構造の詳細を示した説明図である。 実施の形態１の活性ガス生成装置を用いて実現される成膜処理装置における断面構造を模式的に示す説明図である。 実施の形態２の活性ガス生成装置の平面構造を模式的に示した説明図である。 実施の形態２の活性ガス生成装置の平面構造の詳細を示した説明図である。 実施の形態３の活性ガス生成装置の平面構造を模式的に示した説明図である。 実施の形態３の活性ガス生成装置の平面構造の詳細を示した説明図である。 円盤状の電極構造を採用した従来の活性ガス生成装置の基本構成を模式的に示す説明図である。 図１１で示したガス噴出孔及びその周辺を拡大して示す説明図である。 円筒の電極構造を採用した従来の活性ガス生成装置の基本構成を模式的に示す説明図である。 図１１及び図１２で示した従来の活性ガス生成装置の改良構成を模式的に示す説明図である。
＜前提技術＞
図１４は、図１１及び図１２で示した円盤状の電極構造を採用した従来の活性ガス生成装置の改良構成を模式的に示す説明図である。
同図に示すように、高電圧側電極構成部１Ｚと、高電圧側電極構成部１Ｚの下方に設けられる接地側電極構成部２Ｚとからなる電極群構成部を基本構成としている。なお、図１４では、高電圧側電極構成部１Ｚ及び接地側電極構成部２Ｚそれぞれの金属電極の図示を省略しており、誘電体電極の構造を代表させて示している。
改良構成では、接地側電極構成部２Ｚ（の誘電体電極）に複数のガス噴出孔９を設けたことを特徴としている。
改良構成のように、大きな形成面積の目標物（処理対象基板）に対応させるべく、高電圧側電極構成部１Ｚに複数のガス噴出孔９を設けた場合、ガスの流れ８で示すように、電極群構成部の円周部より原料ガス６を供給する場合、複数のガス噴出孔９のうち、円周に近いガス噴出孔９と中心に近いガス噴出孔９との間で原料ガス６のガス噴出孔９に至るまでの供給距離に明確な差が生じる。
その結果、高電圧側電極構成部１Ｚ及び接地側電極構成部２間における放電空間における原料ガス６の滞在期間にも明確な差が生じるため、複数のガス噴出孔９からそれぞれ噴出される活性ガス７は流量及び濃度が均一にならない。以下、「複数のガス噴出孔からそれぞれ噴出される活性ガス」を「複数の活性ガス」と略記する場合がある。
また、複数の活性ガス７の流量の一定化を図るべく、高電圧側電極構成部１Ｚに、複数のガス噴出孔９に対応する複数のガス供給孔を設け、複数のガス供給孔から原料ガス６を供給する変形改良構成が考えられる。以下、「複数のガス供給孔から供給される原料ガス」を「複数の原料ガス」と略記する場合がある。
しかしながら、変形改良構成においても、複数のガス供給孔から供給される原料ガスそれぞれが、高電圧側電極構成部１Ｚ及び接地側電極構成部２Ｚ間に形成される放電空間を通過する通過時間は、複数のガス供給孔及び複数のガス噴出孔の配置の影響を受けるため、不均一になる可能性が非常に高い。
このため、変形改良構成は、複数のガス噴出孔から各々が均一な濃度で活性ガスを噴出させることが難しいという課題を解決することは極めて困難である。
このように、図１４で示す改良構成及び上述した変形改良構成は、均一な濃度及び流量で複数の活性ガス７を目標物に供給することができないという課題を有している。
どこで、この課題の解決を図ったのが、以下で述べる実施の形態１〜実施の形態３の活性ガス生成装置である。
＜実施の形態１＞
図１は、円盤状の電極構造を採用した実施の形態１の活性ガス生成装置の構成を模式的に示した説明図である。図２は実施の形態１の活性ガス生成装置の平面構造を模式的に示した説明図である。図３は実施の形態１の活性ガス生成装置の構成の詳細を模式的に示した説明図である。図４は実施の形態１の活性ガス生成装置の平面構造の詳細を示した説明図である。図５は実施の形態１の活性ガス生成装置の電極構造の詳細を示した説明図である。なお、図５は例えば図４のＢ−Ｂ断面に相当する。
なお、図１〜図３では、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２それぞれの金属電極の図示を省略しており、誘電体電極の構造を代表させて示している。また、図１〜図５にそれぞれＸＹＺ直交座標系を示している。
これらの図に示すように、実施の形態１の活性ガス生成装置は、第１の電極構成部である高電圧側電極構成部１と、高電圧側電極構成部１の下方に設けられる接地側電極構成部２（第２の電極構成部）とからなる電極群構成部１００（図６参照）を基本構成としている。
高電圧側電極構成部１は、第１の誘電体電極である誘電体電極１１と、誘電体電極１１の上面上に設けられ複数の隙間１８を離散して有する平面視円盤状の金属電極１０（図４，図５参照）とにより構成され、金属電極１０が第１の金属電極となる。
接地側電極構成部２は、第２の誘電体電極である誘電体電極２１と、誘電体電極２１の下面上に設けられ、金属電極１０と同様に、複数の隙間２８を離散して有する平面視円盤状の金属電極２０（図４，図５参照）とにより構成され、金属電極２０が第２の金属電極となる。
金属電極１０における複数の隙間１８及び金属電極２０における複数の隙間２８は、平面視して完全一致するように設けられる。
そして、誘電体電極１１において、平面視して金属電極１０及び２０が重複しない領域に離散して複数のガス供給孔１９が設けられ、誘電体電極２１において、平面視して金属電極２０及び１０が重複しない領域に離散して複数のガス供給孔２９が設けられる。複数のガス供給孔１９は原料ガス６を後述する放電空間ＤＳに導くために設けられ、複数のガス噴出孔２９は活性ガス７を外部に噴出するために設けられる。
図２に示すように、複数のガス供給孔１９はＸ方向及びＹ方向に沿って等間隔で配置され、複数のガス噴出孔２９もＸ方向及びＹ方向に沿って等間隔に配置され、複数のガス供給孔１９及び複数のガス噴出孔２９は平面視して互いに重複することなく配置され、Ｘ方向及びＹ方向に沿って交互に等間隔に配置される。さらに、Ｘ方向及びＹ方向における最外には必ずガス供給孔１９が位置するように配置される。
そして、図５に示すように、金属電極１０における複数の隙間１８はそれぞれガス供給孔１９あるいはガス噴出孔２９と平面視一致し、金属電極２０における複数の隙間２８はそれぞれガス供給孔１９あるいはガス噴出孔２９と平面視一致するように設けられる。
複数のガス供給孔１９はそれぞれ平面視円状の第１の孔径（直径）を有し、複数のガス噴出孔２９はそれぞれ平面視円状の第２の孔径を有し、第１の孔径と第２の孔径は同一に設定されている。
加えて、複数のガス供給孔１９及び複数のガス噴出孔２９は、以下の第１及び第２の配置関係を満足している。
第１の配置関係：複数のガス供給孔１９及び複数のガス噴出孔２９が平面視して互いに重複することなく配置され、平面視して複数のガス供給孔１９及び複数のガス噴出孔２９のいずれもが形成されない領域に放電空間ＤＳが設けられる。
第２の配置関係：複数のガス噴出孔２９それぞれは、複数のガス供給孔１９のうち平面視して隣接する４つ（少なくとも２つ）のガス供給孔１９を有し、隣接する４つのガス供給孔１９それぞれから、複数のガス噴出孔２９のうち対応するガス噴出孔２９に至る４つの距離は全て同一距離Ｄ１となる（図２参照）。
なお、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２には図示しない高周波電源によって交流電圧が印加される。
さらに、図５に示すように、高周波電源から交流電圧が印加されると、誘電体電極１１及び２１が対向する誘電体空間内において、金属電極１０及び２０が平面視重複する領域が放電空間ＤＳ（放電場）として規定される。
なお、図３に示すように、高電圧側電極構成部１（誘電体電極１１）及び接地側電極構成部２（誘電体電極２１）の外周部において円周方向に沿って側面スペーサ３０が設けられ、側面スペーサ３０が高電圧側電極構成部１を上面、接地側電極構成部２を底面とした円筒の側面を形成するように形成される。なお、図３では接地側電極構成部２を視覚認識可能にすべく、側面スペーサ３０を実際の形成位置をよりも下方（−Ｚ方向）に図示している。
さらに、図４に示すように、高電圧側電極構成部１（誘電体電極１１）及び接地側電極構成部２（誘電体電極２１）間において、離散的に複数の内部スペーサ３３を設けても良い。複数の内部スペーサ３３は複数のガス供給孔１９及び複数のガス噴出孔２９のＸ方向及びＹ方向が一致しない位置に配置され、各内部スペーサ３３は平面視円状であり、ガス供給孔１９及びガス噴出孔２９の第１及び第２の孔径より小さい第３の直径を有している。
上述した側面スペーサ３０及び複数の内部スペーサ３３を設けることにより、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２間の放電空間ＤＳにおけるギャップ長を規定することができる。
さらに、側面スペーサ３０によって、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２の外周部である円周側から流入するガスを側面スペーサ３０によって確実に防ぐことができる。
このような構成において、図５に示すように、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２間に複数の放電空間ＤＳが離散的に形成されている。
実施の形態１の活性ガス生成装置は、複数のガス供給孔１９から原料ガス６が供給されると、交流電圧の印加により、複数の原料ガス６は複数の放電空間ＤＳそれぞれにおけるガスの流れ８に沿って通過する際、各放電空間ＤＳにてラジカル化した窒素原子等の活性ガス７が得られる。そして、誘電体電極２１に設けられた複数のガス噴出孔２９から下方（−Ｚ方向）の外部に活性ガス７を噴出することができる。
図６は実施の形態１の活性ガス生成装置を用いて実現される成膜処理装置における断面構造を模式的に示す説明図である。なお、図６は、図４のＡ−Ａ断面の高電圧側電極構成部１，接地側電極構成部２間を模式的に図示している。また、図６において、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２における金属電極１０及び金属電極２０の図示を省略し、誘電体電極の構造を代表させて示す等、適宜簡略化を図っている。
これらの図を参照して、成膜処理装置の全体構成を説明する。成膜処理チャンバ６３は目標物となる処理対象基板であるウェハ６４を底面上に載置して収容しており、ウェハ６４を処理空間ＳＰ３３内に収容する基板収容部として機能している。
高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２からなる電極群構成部１００は実施の形態１の活性ガス生成装置の主要部であり、成膜処理チャンバ６３の上部に配置されている。
そして、電極群構成部１００は、複数の原料ガス６から複数の放電空間ＤＳそれぞれにおける放電現象を利用して複数の活性ガス７を得て、接地側電極構成部２（の誘電体電極２１）に離散的に形成された複数のガス噴出孔２９から活性ガス７を、成膜処理チャンバ６３の処理空間ＳＰ３３内に配置されたウェハ６４に向けて噴出する。
このように、図６で示した成膜処理装置における成膜処理チャンバ６３は、実施の形態１の活性ガス生成装置の複数のガス噴出孔２９から噴出される活性ガス７を直接受けるように配置されることを特徴としている。
すなわち、図６で示した成膜処理装置は、実施の形態１の活性ガス生成装置における電極群構成部１００の接地側電極構成部２の下方に配置され、内部のウェハ６４（処理対象基板）に複数の活性ガス７による成膜処理を行う成膜処理チャンバ６３とを備えている。
このため、成膜処理チャンバ６３の処理空間ＳＰ３３内のウェハ６４は、複数のガス噴出孔２９から噴出される活性ガス７を直接受けることができるため、成膜処理チャンバ６３はウェハ６４に対し、実施の形態１の活性ガス生成装置（電極群構成部１００）から直接受ける複数の活性ガス７を用いて、ウェハ６４の表面上に膜を形成する成膜処理を実行することができる。
実施の形態１の活性ガス生成装置において複数のガス供給孔１９及び複数のガス噴出孔２９は上記第１及び第２の配置関係を満足して複数のガス噴出孔２９から活性ガス７を外部に噴出することができる。
このため、例えば、実施の形態１の活性ガス生成装置を用いて図６で示す成膜処理装置を構成することにより、複数の活性ガス７を受ける大きな目標物であるウェハ６４に対し、各々が均一な流量及び濃度の複数の活性ガス７を噴出することができ、その結果、ウェハ６４の表面上に均一な膜を形成する成膜処理を実行することができる。この際、実施の形態１では、複数のガス噴出孔２９全てにおいて、各ガス噴出孔２９に隣接するガス供給孔１９の数は“４”となる。以下、この点を詳述する。
複数のガス噴出孔２９のうち任意な一のガス噴出孔２９に着目（以下、「着目ガス噴出孔２９」と略記）すると、平面視して着目ガス噴出孔２９に隣接する４つのガス供給孔１９が存在し、隣接する４つのガス供給孔１９それぞれから着目ガス噴出孔２９に至る４つの距離は全て同一距離Ｄ１となる（図２参照）。
したがって、図２，図４及び図５に示すように、着目ガス噴出孔２９に隣接する４つのガス供給孔１９から供給される４つの原料ガス６は、水平距離（Ｘ方向またはＹ方向）が距離Ｄ１となる放電空間ＤＳを通過して、１つの活性ガス７として着目ガス噴出孔２９から外部（下方）に噴出されるという、一定条件放電空間通過効果を有している。このように、着目ガス噴出孔２９は４つのガス供給孔１９から供給される原料ガス６それぞれに対して上記一定条件放電空間通過効果を有している。
なお、複数の内部スペーサ３３は、前述したように、複数のガス供給孔１９及び複数のガス噴出孔２９のＸ方向及びＹ方向が一致しない位置に配置されるため、複数の内部スペーサ３３の存在が上記一定条件放電空間通過効果に影響を与えることはない。
実施の形態１の活性ガス生成装置は上記第１及び第２の配置関係を満足することにより、複数のガス噴出孔２９は全て上記一定条件放電効果通過効果を有しているため、複数の原料ガス６は放電空間ＤＳを同条件（同一距離、同一時間）で通過された結果、各々の濃度及び濃度が同一となる複数の活性ガス７が得られ、これらの複数の活性ガス７が複数のガス噴出孔２９から噴出される。
したがって、上述したように、実施の形態１の活性ガス生成装置は、成膜処理チャンバ６３の底面と同程度の広い面積を有するウェハ６４の表面上に均一な膜を形成する成膜処理を行うことができる効果を奏する。
さらに、実施の形態１の活性ガス生成装置の直下に、図６に示すように成膜処理チャンバ６３を追加して成膜処理装置を構成することができる。すなわち、活性ガス生成装置自身が誘電体バリア放電を発生させる放電空間ＤＳを有し、放電空間ＤＳに直結している接地側電極構成部２の誘電体電極２１に設けられる複数のガス噴出孔２９は、下方の成膜処理チャンバ６３に複数の活性ガス７を噴出するためのガス噴出用ノズル機能を兼ねている。
このように、実施の形態１の活性ガス生成装置は、図６で示す成膜処理装置におけるガス噴出用ノズル機能を備えるため、複数のガス噴出孔２９で生成した活性ガス７を非常に短いミリ秒以下の短時間で、目標物（処理対象基板）であるウェハ６４に供給することができ、放電で生成した寿命が非常に短い活性ガス７であっても、減衰を最小限に抑えて、ウェハ６４への成膜時の成膜速度の向上を図ることができる。
＜実施の形態２＞
図７は実施の形態２の活性ガス生成装置の平面構造を模式的に示した説明図である。図８は実施の形態２の活性ガス生成装置の平面構造の詳細を示した説明図である。なお、図７では、高電圧側電極構成部１Ｂ及び接地側電極構成部２Ｂそれぞれの金属電極の図示を省略しており、誘電体電極の構造を代表させて示している。また、図７及び図８にそれぞれＸＹＺ直交座標系を示している。
これらの図に示すように、第１の電極構成部である高電圧側電極構成部１Ｂと、高電圧側電極構成部１Ｂの下方に設けられる接地側電極構成部２Ｂ（第２の電極構成部）とからなる電極群構成部を基本構成としている。
高電圧側電極構成部１Ｂは、第１の誘電体電極である誘電体電極１１Ｂと、誘電体電極１１Ｂの上面上に設けられ、複数の隙間を離散して有する平面視円盤状の金属電極１０Ｂとにより構成され、金属電極１０Ｂが第１の金属電極となる。
接地側電極構成部２Ｂは、第２の誘電体電極である誘電体電極２１Ｂと、誘電体電極２１Ｂの下面上に設けられ、金属電極１０Ｂと同様に、複数の隙間を離散して有する平面視円盤状の金属電極２０Ｂとにより構成され、金属電極２０が第２の金属電極となる。
金属電極１０Ｂにおける複数の隙間及び金属電極２０Ｂにおける複数の隙間は、実施の形態１と同様、平面視して完全一致するように設けられる。
そして、誘電体電極１１Ｂにおいて、平面視して金属電極１０Ｂ及び２０Ｂが重複しない領域に離散して複数のガス供給孔１９Ｂが設けられ、誘電体電極２１Ｂにおいて、平面視して金属電極２０Ｂ及び１０Ｂが重複しない領域に離散して複数のガス噴出孔２９Ｂが設けられる。複数のガス供給孔１９Ｂは原料ガス６を放電空間ＤＳに導くために設けられ、複数のガス噴出孔２９Ｂは複数の活性ガス７を外部に噴出するために設けられる。
図７に示すように、複数のガス供給孔１９ＢはＸ方向及びＹ方向に沿って等間隔で配置され、複数のガス噴出孔２９ＢもＸ方向及びＹ方向に沿って等間隔に配置され、複数のガス供給孔１９Ｂ及び複数のガス噴出孔２９Ｂは平面視して互いに重複することなく配置され。Ｘ方向及びＹ方向における最外には必ずガス供給孔１９Ｂが位置するように配置される。
さらに、図７及び図８では図示しないが、実施の形態１と同様、金属電極１０Ｂにおける複数の隙間はそれぞれガス供給孔１９Ｂあるいはガス噴出孔２９Ｂと平面視一致し、金属電極２０Ｂにおける複数の隙間はそれぞれガス供給孔１９Ｂあるいはガス噴出孔２９Ｂと平面視一致するように設けられる。
複数のガス供給孔１９Ｂはそれぞれ平面視円状の第１の孔径を有し、複数のガス噴出孔２９Ｂはそれぞれ平面視円状の第２の孔径を有し、第１の孔径と第２の孔径は同一に設定されている。
加えて、複数のガス供給孔１９Ｂ及び複数のガス噴出孔２９Ｂは、実施の形態１と同様、以下の第１及び第２の配置関係を満足している。
第１の配置関係：複数のガス供給孔１９Ｂ及び複数のガス噴出孔２９Ｂが平面視して互いに重複することなく配置され、平面視して複数のガス供給孔１９Ｂ及び複数のガス噴出孔２９Ｂのいずれもが形成されない領域に放電空間ＤＳが設けられる。
第２の配置関係：複数のガス噴出孔２９Ｂそれぞれは、複数のガス供給孔１９Ｂのうち平面視して隣接する３つ（少なくとも２つ）のガス供給孔１９Ｂを有し、隣接する３つのガス供給孔１９Ｂそれぞれから、複数のガス噴出孔２９Ｂのうち対応するガス噴出孔２９Ｂに至る３つの距離は全て同一距離Ｄ２となる（図７参照）。
なお、隣接する３つのガス供給孔１９Ｂは、対応するガス噴出孔２９Ｂを中心として、１２０゜間隔になるよう正三角形状に配置される。
なお、高電圧側電極構成部１Ｂ及び接地側電極構成部２Ｂには図示しない高周波電源によって交流電圧が印加される。
また、図８に示すように、高電圧側電極構成部１Ｂ（誘電体電極１１Ｂ）及び接地側電極構成部２Ｂ（誘電体電極２１Ｂ）間において、離散的に複数の内部スペーサ３３Ｂを設けても良い。複数の内部スペーサ３３Ｂは複数のガス供給孔１９Ｂ及び複数のガス噴出孔２９ＢのＸ方向及びＹ方向が一致しない位置に設けられ、各内部スペーサ３３Ｂは平面視円状であり、ガス供給孔１９Ｂ及びガス噴出孔２９Ｂの第１及び第２の孔径より小さい第３の直径を有している。
なお、図７及び図８で示していないが、図６のように成膜処理チャンバ６３を下方に配置して成膜処理装置が構成できること、側面スペーサ３０を有すること等を含む他の構成は、基本的に図１〜図６で示した実施の形態１の活性ガス生成装置と同様であるため、説明を適宜省略している。
このような構成において、実施の形態２の活性ガス生成装置は、実施の形態１と同様、複数のガス供給孔１９Ｂから複数の原料ガス６を供給すると、交流電圧の印加により、複数の原料ガス６が複数の放電空間を通過する際、各放電空間にてラジカル化した窒素原子等の活性ガス７を得ることができる。そして、誘電体電極２１Ｂに設けられた複数のガス噴出孔２９Ｂから下方（−Ｚ方向）の外部に向けて活性ガス７を噴出することができる。
実施の形態２の活性ガス生成装置において複数のガス供給孔１９Ｂ及び複数のガス噴出孔２９Ｂは上記第１及び第２の配置関係を満足して複数のガス噴出孔２９から活性ガス７を外部に噴出することができる。
このため、実施の形態２の活性ガス生成装置は、実施の形態１と同様、複数の活性ガス７を受ける大きな面積のウェハ６４（図６参照）等の目標物に対し、各々が均一な流量及び濃度の複数の活性ガス７を供給することができ、その結果、目標物の表面上に均一な膜を成膜する成膜処理を行うことができる。この際、実施の形態２では、一のガス噴出孔２９Ｂに隣接するガス供給孔１９Ｂの数は“３”である。
さらに、実施の形態２の活性ガス生成装置は、実施の形態１と同様、ガス噴出用ノズル機能を備えるため、複数のガス噴出孔２９Ｂから噴出される活性ガス７を非常に短いミリ秒以下の短時間で、ウェハ６４等の目標物に供給することができ、放電で生成した寿命の非常に短い活性ガス７であっても、減衰を最小限に抑えて、目標部への成膜時の成膜速度の向上を図ることができる。
＜実施の形態３＞
図９は実施の形態３の活性ガス生成装置の平面構造を模式的に示した説明図である。図１０は実施の形態３の活性ガス生成装置の平面構造の詳細を示した説明図である。なお、図９では、高電圧側電極構成部１Ｃ及び接地側電極構成部２Ｃそれぞれの金属電極の図示を省略しており、誘電体電極の構造を代表させて示している。また、図９及び図１０にそれぞれＸＹＺ直交座標系を示している。
これらの図に示すように、第１の電極構成部である高電圧側電極構成部１Ｃと、高電圧側電極構成部１Ｃの下方に設けられる接地側電極構成部２Ｃ（第２の電極構成部）とからなる電極群構成部を基本構成としている。
高電圧側電極構成部１Ｃは、第１の誘電体電極である誘電体電極１１Ｃと、誘電体電極１１Ｃの上面上に設けられ複数の隙間を離散して有する平面視円盤状の金属電極１０Ｃとにより構成され、金属電極１０Ｃが第１の金属電極となる。
接地側電極構成部２Ｃは、第２の誘電体電極である誘電体電極２１Ｃと、誘電体電極２１Ｃの下面上に設けられ、金属電極１０Ｃと同様に、複数の隙間を離散して有する平面視円盤状の金属電極２０Ｃとにより構成され、金属電極２０Ｃが第２の金属電極となる。
金属電極１０Ｃにおける複数の隙間及び金属電極２０Ｃにおける複数の隙間は、実施の形態１と同様、平面視して完全一致するように設けられる。
そして、誘電体電極１１Ｃにおいて、平面視して金属電極１０Ｃ及び２０Ｃが重複しない領域に離散して複数のガス供給孔１９Ｃが設けられ、誘電体電極２１Ｃにおいて、平面視して金属電極２０Ｃ及び１０Ｂが重複しない領域に離散して複数のガス噴出孔２９Ｃが設けられる。複数のガス供給孔１９Ｃは複数の原料ガス６を放電空間ＤＳに導くために設けられ、複数のガス噴出孔２９Ｃは複数の活性ガス７を外部に噴出するために設けられる。
図９に示すように、複数のガス供給孔１９ＣはＸ方向及びＹ方向に沿って等間隔で配置され、複数のガス噴出孔２９ＣもＸ方向及びＹ方向に沿って等間隔に配置され、複数のガス供給孔１９Ｃ及び複数のガス噴出孔２９Ｃは平面視して互いに重複することなく配置され、Ｘ方向及びＹ方向に沿って交互に等間隔に配置される。さらに、Ｘ方向及びＹ方向における最外には必ずガス供給孔１９Ｃが位置するように配置される。
さらに、図９及び図１０では図示しないが、実施の形態１と同様、金属電極１０Ｃにおける複数の隙間はそれぞれガス供給孔１９Ｃあるいはガス噴出孔２９Ｃと平面視一致し、金属電極２０Ｃにおける複数の隙間はそれぞれガス供給孔１９Ｃあるいはガス噴出孔２９Ｃと平面視一致するように設けられる。
複数のガス供給孔１９Ｃはそれぞれ平面視円状の第１の孔径を有し、複数のガス噴出孔２９Ｃはそれぞれ平面視円状の第２の孔径を有し、第１の孔径より第２の孔径が小さく設定されていることを特徴とする。
加えて、複数のガス供給孔１９Ｃ及び複数のガス噴出孔２９Ｃは、以下の第１及び第２の配置関係を満足している。
第１の配置関係：複数のガス供給孔１９Ｃ及び複数のガス噴出孔２９Ｃが平面視して互いに重複することなく配置され、平面視して複数のガス供給孔１９Ｃ及び複数のガス噴出孔２９Ｃのいずれもが形成されない領域に放電空間ＤＳが設けられる。
第２の配置関係：複数のガス噴出孔２９Ｃそれぞれは、複数のガス供給孔１９Ｃのうち平面視して隣接する４つ（少なくとも２つ）のガス供給孔１９Ｃを有し、隣接する４つのガス供給孔１９Ｃそれぞれから、複数のガス噴出孔２９Ｃのうち対応するガス噴出孔２９Ｃに至る４つの距離は全て同一距離Ｄ３となる（図９参照）。
なお、高電圧側電極構成部１Ｃ及び接地側電極構成部２Ｃには図示しない高周波電源によって交流電圧が印加される。
また、図１０に示すように、高電圧側電極構成部１Ｃ（誘電体電極１１Ｃ）及び接地側電極構成部２Ｃ（誘電体電極２１Ｃ）間において、離散的に複数の内部スペーサ３３Ｃを設けても良い。複数の内部スペーサ３３Ｂは複数のガス供給孔１９Ｂ及び複数のガス噴出孔２９ＢのＸ方向及びＹ方向が一致しない位置に設けられ、各内部スペーサ３３Ｃは平面視円状であり、ガス供給孔１９Ｃの第１の孔径より小さく、ガス噴出孔２９Ｂの第２の孔径と同程度の第３の直径を有している。
なお、図９及び図１０で示していないが、活性ガス生成装置の断面構造、図６のように成膜処理チャンバ６３を下方に配置して成膜処理装置が構成できること、及び側面スペーサ３０を有すること等を含む他の構成は、基本的に図１〜図６で示した実施の形態１の活性ガス生成装置と同様であるため、説明を適宜省略している。
このような構成において、実施の形態３の活性ガス生成装置は、実施の形態１と同様、複数のガス供給孔１９Ｃから原料ガス６を供給すると、交流電圧の印加により、複数の原料ガス６が複数の放電空間を通過すると、各放電空間にてラジカル化した窒素原子等の活性ガス７を得る。そして、誘電体電極２１Ｃに設けられた複数のガス噴出孔２９Ｃから下方（−Ｚ方向）の外部に向けて活性ガス７を噴出することができる。
実施の形態３の活性ガス生成装置において複数のガス供給孔１９Ｃ及び複数のガス噴出孔２９Ｃは上記第１及び第２の配置関係を満足して複数のガス噴出孔２９から活性ガス７を外部に噴出することができる。
このため、実施の形態３の活性ガス生成装置は、実施の形態１と同様、複数の活性ガス７を受ける大きな面積のウェハ６４（図６参照）等の目標物に対し、各々が均一な流量及び濃度の複数の活性ガス７を供給することができ、その結果、目標物の表面上に均一な膜を形成する成膜処理を行うことができる。この際、実施の形態３では、一のガス噴出孔２９Ｃに隣接するガス供給孔１９Ｃの数は“４”である。
さらに、実施の形態３の活性ガス生成装置は、実施の形態１と同様、ガス噴出用ノズル機能を備えるため、複数のガス噴出孔２９Ｃで生成した活性ガス７を非常に短いミリ秒以下の短時間で、ウェハ６４等の目標物に供給することができ、放電で生成した寿命の非常に短い活性ガス７であっても、減衰を最小限に抑えて、目標物への成膜時の成膜速度の向上を図ることができる。
加えて、実施の形態２の活性ガス生成装置は、ガス供給孔１９Ｃの第１の孔径よりガス噴出孔２９Ｃの第２の孔径を小さくして、第１及び第２の孔径を異なる値に設定している。
このため、上記第１及び第２の孔径を適宜調整することにより、原料ガス６のガス供給部の圧力、活性ガス７のガス噴出部（成膜処理チャンバ６３等）の圧力に依存させることなく、高電圧側電極構成部１Ｃ及び接地側電極構成部２Ｃ間に形成される放電空間の圧力を所望の値に設定することができる。
ガス供給部の圧力をＰＡ、放電空間の圧力をＰＢ、ガス噴出部の圧力をＰＣ、ガス供給孔１９Ｃの孔径ＲＤ、ガス噴出孔２９Ｃの孔径をＲＥとすると、ＰＡ＜ＰＣ、ＰＡ＞ＰＣどちらの場合も圧力ＰＢは圧力ＰＡと圧力ＰＣとの間の圧力に収まる。そして、放電の状態などの関係で圧力ＰＢを変えたい場合は孔径ＲＤ，ＲＥの関係を以下のように設定すれば良い。すなわち、ＰＡ＞ＰＣの時に圧力ＰＢを圧力ＰＡ側に近づけたい時は孔径ＲＤを大きくするか、孔径ＲＥを小さくすることで実現できる。一方、圧力ＰＢをＰＣ側に近づけたい時は孔径ＲＤを小さくするか、孔径ＲＥを大きくすることで実現できる。ＰＡ＜ＰＣの場合も孔径ＲＤ，ＲＥを同様に変えることで圧力ＰＢの圧力を変えることができる。
＜他の態様＞
以下、実施の形態１〜実施の形態３の活性ガス生成装置における他の態様を説明する。なお、以下に述べる第１〜第３の態様は実施の形態１〜実施の形態３全てで共通するため、説明の都合上、実施の形態１の活性ガス生成装置を代表して説明する。
（第１の態様（実施の形態１〜実施の形態３で共通））
実施の形態１の活性ガス生成装置において、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２のうち、活性ガスと接触する領域であるガス接触領域を石英、あるいはアルミナを構成材料として形成することが望ましい。
上記構成材料で形成した面は、活性ガスに対して化学的に安定な物質であるため、第１の態様は、活性ガス７と接触するガス接触領域との間で、化学反応が少ない状態、すなわち、活性ガス７の失活を抑制した状態で、活性ガス７を複数のガス供給孔１９から外部の成膜処理チャンバ等に噴出することができる。
加えて、第１の態様は、活性ガス生成装置の活性ガスとの化学反応に伴う副生成物としての腐食物質の生成も少なくすることができ、その結果として、外部に噴出する活性ガス７にコンタミネーションを含まない、クリーンな活性ガス７を成膜処理チャンバ６３等の外部に供給することができ、成膜品質を高める効果が生じる。
（第２の態様（実施の形態１〜実施の形態３で共通））
実施の形態１〜実施の形態３の活性ガス生成装置において、原料ガス６として例えば窒素、酸素、弗素、希ガス及び水素のうち少なくとも一つを含むガスが考えられる。これら原料ガス６が複数のガス噴出孔２９から供給され、内部の放電空間ＤＳを通過する際に活性ガス７となり、複数の活性ガス７として、誘電体電極２１に設けられた複数のガス噴出孔２９から外部、例えは、成膜処理チャンバ６３の処理空間ＳＰ３３（図６参照）へと噴出される。したがって、成膜処理チャンバ６３内において、反応性の高い活性ガス７を利用することにより目標物であるウェハ６４に対し成膜処理を行うことができる。
このように、第２の態様は、窒素、酸素、弗素、希ガス及び水素のうち少なくとも一つを含む原料ガス６から、より高濃度の活性ガス７を生成することができる。
さらに、第２の態様は、活性ガス７をウェハ６４等の目標物への窒化膜や酸化膜の絶縁膜形成の成膜だけでなく、レジスト剥離やエッチング、洗浄ガスとして目標物の表面処理にも利用できる。
加えて、第２の態様は、活性ガスとして水素ガスをウェハ６４の表面に供給することで、絶縁膜のエッチング処理や洗浄処理以外の多様な成膜処理に利用できる。
（第３の態様（実施の形態１〜実施の形態３で共通））
実施の形態１〜実施の形態３の活性ガス生成装置において、供給される原料ガス６として、前駆体ガス（プリカーサガス）を採用しても良い。
原料ガス６を、前駆体ガス（プリカーサガス）とすることにより、反応性ガスとしての高アスペクト比なウェハ６４等の目標物に対する表面処理用のガスの利用だけでなく、目標物上での成膜に必要な、成膜用の堆積素材となる前駆体ガスについても、目標物に供給して成膜することができる。
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
例えば、実施の形態１及び実施の形態３では、１つのガス噴出孔２９（２９Ｃ）に対し平面視して隣接するガス供給孔１９（１９Ｃ）が４つの場合、実施の形態２では、１つのガス噴出孔２９Ｂに対し平面視して隣接するガス供給孔１９Ｂが３つの場合を示したが、１つのガス噴出孔に対し平面視して隣接するガス供給孔が２つ以上であり、上記第１及び第２の配置関係を満足すれば良い。
１，１Ｂ，１Ｃ 高電圧側電極構成部
２，２Ｂ，２Ｃ 接地側電極構成部
１０，１０Ｂ，１０Ｃ，２０，２０Ｂ，２０Ｃ 金属電極
１１，１１Ｂ，１１Ｃ，２１，２１Ｂ，２１Ｃ 誘電体電極
１９，１９Ｂ，１９Ｃ ガス供給孔
２９，２９Ｂ，２９Ｃ ガス噴出孔
６３ 成膜処理チャンバ
６４ ウェハ

Claims (8)

  1. 放電空間（ＤＳ）に供給された原料ガス（６）を活性化して得られる活性ガス（７）を生成する活性ガス生成装置であって、
    第１の電極構成部（１，１Ｂ，１Ｃ）と
    前記第１の電極構成部の下方に設けられる第２の電極構成部（２，２Ｂ，２Ｃ）とを備え、前記第１及び第２の電極構成部に交流電圧が印加され、前記交流電圧の印加により、前記第１及び第２の電極構成部間に前記放電空間が形成され、
    前記第１の電極構成部は、第１の誘電体電極（１１，１１Ｂ，１１Ｃ）と前記第１の誘電体電極の上面上に形成される第１の金属電極（１０，１０Ｂ，１０Ｃ）とを有し、前記第２の電極構成部は、第２の誘電体電極（２１，２１Ｂ，２１Ｃ）と前記第２の誘電体電極の下面上に形成される第２の金属電極（１１，１１Ｂ，１１Ｃ）とを有し、前記交流電圧の印加により前記第１及び第２の誘電体電極が対向する誘電体空間内において、前記第１及び第２の金属電極が平面視重複する領域を前記放電空間として含み、
    前記第１の誘電体電極は、前記原料ガスを前記放電空間に導くための複数のガス供給孔（１９，１９Ｂ，１９Ｃ）を有し、
    前記第２の誘電体電極は、前記活性ガスを外部に噴出するための複数のガス噴出孔（１９，２９Ｂ，２９Ｃ）を有し、
    前記複数のガス供給孔及び前記複数のガス噴出孔は、
    前記複数のガス供給孔及び前記複数のガス噴出孔が平面視して互いに重複することなく配置され、平面視して前記複数のガス供給孔及び前記複数のガス噴出孔のいずれもが形成されない領域に前記放電空間が設けられる第１の配置関係と、
    前記複数のガス噴出孔それぞれは、前記複数のガス供給孔のうち平面視して隣接する少なくとも２つのガス供給孔を有し、前記少なくとも２つのガス供給孔それぞれから、前記複数のガス噴出孔のうち対応するガス噴出孔に至る少なくとも２つの距離は全て同一距離（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）となる第２の配置関係とを、満足するように配置されることを特徴とする、
    活性ガス生成装置。
  2. 請求項１記載の活性ガス生成装置であって、
    前記複数のガス供給孔はそれぞれ第１の孔径を有し、
    前記複数のガス噴出孔はそれぞれ第２の孔径を有し、
    前記第１の孔径と前記第２の孔径とが異なることを特徴とする、
    活性ガス生成装置。
  3. 請求項１記載の活性ガス生成装置であって、
    前記第１及び第２の電極構成部のうち、活性ガスと接触する領域であるガス接触領域を石英、またはアルミナを構成材料として形成したことを特徴とする、
    活性ガス生成装置。
  4. 請求項１記載の活性ガス生成装置であって、
    前記原料ガスは、窒素、酸素、弗素、希ガス及び水素のうち少なくとも一つを含むガスである、
    活性ガス生成装置。
  5. 請求項１記載の活性ガス生成装置であって、
    前記原料ガスは、前駆体ガスである、
    活性ガス生成装置。
  6. 請求項１記載の活性ガス生成装置であって、
    前記少なくとも２つのガス供給孔は、４つのガス供給孔である、
    活性ガス生成装置。
  7. 請求項１記載の活性ガス生成装置であって、
    前記少なくとも２つのガス供給孔は、３つのガス供給孔である、
    活性ガス生成装置。
  8. 請求項１から請求項７のうち、いずれか１項に記載の活性ガス生成装置と、
    前記第２の電極構成部の下方に配置され、内部の処理対象基板（６４）に対し活性ガスによる成膜処理を行う成膜処理チャンバ（６３）とを備え、
    前記成膜処理チャンバは、前記活性ガス生成装置の前記複数のガス噴出孔から噴出される前記活性ガスを直接受けるように配置されることを特徴とする、
    成膜処理装置。
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