JPWO2017144994A1 - トランジスタおよびその作製方法、半導体ウエハならびに電子機器 - Google Patents
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Abstract
オン電流が大きくオフ電流が小さいトランジスタを提供する。酸化物半導体と、酸化物半導体上の第１の絶縁体と、酸化物半導体上の第１の導電体と、酸化物半導体上の第２の導電体と、第１の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、第３の導電体の側面は第１の絶縁体と接し、酸化物半導体は、第１の導電体と重なる領域を有するソース領域と、第２の導電体と重なる領域を有するドレイン領域と、第３の導電体と重なる領域を有するチャネル領域と、を有し、チャネル領域における酸化物半導体のチャネル幅方向の長さは、ソース領域およびドレイン領域における酸化物半導体のチャネル幅方向の長さよりも小さいトランジスタを提供する。
Description
本発明の一態様は、トランジスタに関する。または、本発明の一態様は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、およびそれらの作製方法に関する。例えば、ＬＳＩや、ＣＰＵや、電源回路に搭載されるパワーデバイスや、メモリ、サイリスタ、コンバータ、イメージセンサなどを含む半導体集積回路を部品として搭載した電子機器に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。電気光学装置、半導体回路および電子機器は半導体装置を有する場合がある。
近年、半導体装置の開発が進められ、ＬＳＩやＣＰＵやメモリが主に用いられている。ＣＰＵは、半導体ウエハから切り離された半導体集積回路（少なくともトランジスタおよびメモリ）を有し、接続端子である電極が形成された半導体素子の集合体である。
ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体回路（ＩＣチップ）は、回路基板、例えばプリント配線板に実装され、様々な電子機器の部品の一つとして用いられる。
また、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（単に表示装置とも表記する）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてオフ電流が小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流が小さいという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献１参照。）。
酸化物半導体を用いたトランジスタは、微細化によりチャネル幅が小さくなると、サブスレッショルドスイング値（Ｓ値）が小さくなる。一方、ソース領域とその近傍およびドレイン領域とその近傍の酸化物半導体と、ソース電極およびドレイン電極との接触面積が低下する。また、チャネル領域近傍の酸化物半導体と、ソース電極およびドレイン電極との接触辺幅が低下する。以上により、単位チャネル幅あたりのオン電流が小さくなるという課題がある。
本発明の一態様は、オン電流の大きいトランジスタを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、オフ電流の小さいトランジスタを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、寄生容量の小さいトランジスタを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、微細化したトランジスタを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、周波数特性が高いトランジスタを提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、オン電流の大きいトランジスタを有する半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、オフ電流の小さいトランジスタを有する半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、寄生容量の小さいトランジスタを有する半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、高速な動作が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、小型の半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力が小さい半導体装置を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、マスク数を削減した半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、工程数を削減した半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、歩留まりを向上させた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、生産性を向上させた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、新規なトランジスタを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規なトランジスタの作製方法を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規なトランジスタを有する半導体装置、半導体ウエハおよび電子機器を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、酸化物半導体と、酸化物半導体上の第１の絶縁体と、酸化物半導体上の第１の導電体と、酸化物半導体上の第２の導電体と、第１の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、第３の導電体の側面は第１の絶縁体と接し、酸化物半導体は、第１の導電体と重なる領域を有するソース領域と、第２の導電体と重なる領域を有するドレイン領域と、第３の導電体と重なる領域を有するチャネル領域と、を有し、チャネル領域における酸化物半導体のチャネル幅方向の長さは、ソース領域およびドレイン領域における酸化物半導体のチャネル幅方向の長さよりも小さいトランジスタである。
また、上記態様において、チャネル領域における酸化物半導体のチャネル幅方向の長さは、ソース領域における酸化物半導体のチャネル幅方向の長さおよび、ドレイン領域における酸化物半導体のチャネル幅方向の長さより１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下小さくてもよい。
また、上記態様において、酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有してもよい。
また、本発明の一態様は、酸化物半導体を形成し、酸化物半導体の上面を覆うように導電体を形成し、酸化物半導体の側面と、導電体の上面および側面と、を覆うように絶縁体を形成し、絶縁体の一部をエッチングすることにより開口部を設け、導電体の上面の一部と、導電体の側面の一部と、酸化物半導体の側面の一部と、を露出させ、露出させた酸化物半導体の側面をエッチングすることによりスリミングを行うトランジスタの作製方法である。
また、上記態様において、露出させた酸化物半導体の側面はウェットエッチングによりエッチングしてもよい。
また、本発明の一態様のトランジスタを複数個有し、ダイシング用の領域を有する半導体ウエハも本発明の一態様である。
また、本発明の一態様のトランジスタを有する半導体装置と、表示部と、を有する電子機器も本発明の一態様である。
本発明の一態様により、オン電流の大きいトランジスタを提供することができる。または、本発明の一態様により、オフ電流の小さいトランジスタを提供することができる。または、本発明の一態様により、寄生容量の小さいトランジスタを提供することができる。または、本発明の一態様により、微細化したトランジスタを提供することができる。または、本発明の一態様により、周波数特性が高いトランジスタを提供することができる。
または、本発明の一態様により、オン電流の大きいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オフ電流の小さいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、寄生容量の小さいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、高速な動作が可能な半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、小型の半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、消費電力が小さい半導体装置を提供することができる。
または、本発明の一態様により、マスク数を削減した半導体装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、工程数を削減した半導体装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、歩留まりを向上させた半導体装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性を向上させた半導体装置の作製方法を提供することができる。
または、本発明の一態様により、新規なトランジスタを提供することができる。または、本発明の一態様により、新規なトランジスタの作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規なトランジスタを有する半導体装置、半導体ウエハおよび電子機器を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
また、図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。また、図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、および電子機器は、半導体装置を有する場合がある。
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
なお、本明細書等において、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは酸素が５５原子％以上６５原子％以下、窒素が１原子％以上２０原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０．１原子％以上１０原子％以下の濃度範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは窒素が５５原子％以上６５原子％以下、酸素が１原子％以上２０原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０．１原子％以上１０原子％以下の濃度範囲で含まれるものをいう。
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタの構成例について図面を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタの構成例について図面を用いて説明する。
本発明の一態様は、トランジスタおよびその作製方法に関する。チャネル形成領域の酸化物半導体をチャネル幅方向にスリミングしてチャネル幅を小さくすることにより、ゲート電界が酸化物半導体にかかりやすくなり、Ｓ値を小さくすることができる。一方、スリミングを行っても、ソース電極と酸化物半導体との接触面積、およびドレイン電極と酸化物半導体との接触面積は低下しない。以上により、Ｓ値を小さくしつつ、オン電流の低下を抑制することができる。
＜トランジスタ＞
図１（Ａ）は本発明の一態様のトランジスタであるトランジスタ１０の立体図である。図１（Ｂ）はトランジスタ１０の上面図である。図１（Ｃ）は図１（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図である。図１（Ｄ）は図１（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。なお、図１（Ａ）では図１（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。
図１（Ａ）は本発明の一態様のトランジスタであるトランジスタ１０の立体図である。図１（Ｂ）はトランジスタ１０の上面図である。図１（Ｃ）は図１（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図である。図１（Ｄ）は図１（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。なお、図１（Ａ）では図１（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。
なお、一点鎖線Ｘ１−Ｘ２をチャネル長方向と呼ぶ場合がある。また、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２をチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
本明細書において、「チャネル長」とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極の下部とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソース電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
ここで、ソース領域とは、例えば、ソース電極の下部と、半導体とが重なる領域をいう。また、ドレイン電極とは、例えば、ドレイン電極の下部と、半導体とが重なる領域をいう。
また、本明細書において、「チャネル幅」とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる領域の長さをいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
トランジスタ１０は、絶縁体１１と、絶縁体１２と、酸化物１３と、導電体１４ａと、導電体１４ｂと、絶縁体１５と、導電体１６と、絶縁体１７と、を有する。なお、絶縁体１１の下部および、絶縁体１１と絶縁体１２との間には、配線、トランジスタ、容量素子などを設けることができる。また、絶縁体１１は半導体基板およびＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などの基板とすることができる。また、絶縁体１１を設けない構成とすることができる。
図の明瞭化のため、図１（Ａ）は絶縁体１７を省略している。また、図１（Ａ）ではＹ２方向の、酸化物１３と重ならない領域の絶縁体１５および導電体１６にはハッチングを付していない。
絶縁体１２は絶縁体１１の上に設けられ、酸化物１３は絶縁体１２の上に設けられ、導電体１４ａは酸化物１３の上に設けられ、導電体１４ｂは酸化物１３の上に設けられ、絶縁体１５は絶縁体１２および酸化物１３の上に設けられ、導電体１６は絶縁体１５の上に設けられ、絶縁体１７は絶縁体１２、導電体１４ａおよび導電体１４ｂの上に設けられている。
絶縁体１２は、下地絶縁膜および層間絶縁膜としての機能を有する。導電体１４ａは、ソース電極またはドレイン電極の一方としての機能を有する。導電体１４ｂは、ソース電極またはドレイン電極の他方としての機能を有する。絶縁体１５は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。導電体１６は、ゲート電極としての機能を有する。絶縁体１７は、保護絶縁膜および層間絶縁膜としての機能を有する。
酸化物１３は酸化物半導体で構成された活性層である。つまり、酸化物１３は導電体１６と重なる領域にチャネル領域を有する。また、酸化物１３は導電体１４ａと重なる領域にソース領域またはドレイン領域の一方を有し、導電体１４ｂと重なる領域にソース領域またはドレイン領域の他方を有する。
トランジスタ１０は、酸化物１３のチャネル領域を導電体１６の電界によって電気的に取り囲む構造である。該構成をｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ−ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶ。トランジスタ１０はｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、絶縁体１５を介して、導電体１６と重なる領域の酸化物１３の上面全体および側面全体にチャネルが形成される場合がある。以上により、トランジスタ１０のソース−ドレイン間に大電流を流すことができ、オン電流を大きくすることができる。
本明細書において、特に断りがない場合、オン電流とは、トランジスタがオン状態にあるときのドレイン電流をいう。オン状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧（ＶＧ）がしきい値電圧（Ｖｔｈ）以上の状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ＶＧがＶｔｈ以下の状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオン電流とは、ＶＧがＶｔｈ以上のときのドレイン電流を言う場合がある。また、トランジスタのオン電流は、ドレインとソースの間の電圧（ＶＤ）に依存する場合がある。
本明細書において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ＶＧがＶｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ＶＧがＶｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ＶＧがＶｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
また、トランジスタ１０は図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、チャネル幅（チャネル領域における酸化物１３のチャネル幅方向の長さ）が、ソース領域の酸化物１３のチャネル幅方向の長さおよびドレイン領域の酸化物１３のチャネル幅方向の長さより小さい。つまり、チャネル領域の酸化物１３は、チャネル幅方向にスリミングされている。該構成とすることにより、トランジスタ１０のチャネル幅を小さくすることができる。これにより、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造によるゲート電界がより酸化物１３にかかりやすくなり、Ｓ値を小さくすることができる。
なお、図１（Ｂ）に示すように、酸化物１３は、Ｙ１側とＹ２側の両方からスリミングされている。
また、スリミングによりチャネル幅を小さくした場合、スリミング前と比べてソース領域およびドレイン領域の酸化物１３と、導電体１４ａおよび導電体１４ｂと、の接触面積が低下しない。また、チャネル領域近傍の酸化物１３と、導電体１４ａおよび導電体１４ｂと、の接触辺幅が低下しない。以上により、ソース領域およびドレイン領域の酸化物１３と、導電体１４ａおよび導電体１４ｂと、の接触面積の低下、および、チャネル領域近傍の酸化物１３と、導電体１４ａおよび導電体１４ｂと、の接触辺幅の低下に起因したトランジスタ１０のオン電流の低下を抑制することができる。
なお、チャネル幅は、ソース領域の酸化物１３のチャネル幅方向の長さおよびドレイン領域の酸化物１３のチャネル幅方向の長さより、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下だけ小さいことが好ましく、例えば１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下だけ小さいことがより好ましい。
また、トランジスタ１０は、絶縁体１７に形成された酸化物１３に達する開口部に絶縁体１５および導電体１６が形成されており、導電体１６は導電体１４ａおよび導電体１４ｂとほとんど重ならない構成である。このため、導電体１６の寄生容量を小さくすることができ、トランジスタ１０の周波数特性を高めることができる。つまり、高速な動作が可能である半導体装置を提供することができる。また、詳細は後述するが、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を一枚のマスクで作製することができる。したがって、マスクおよび工程数を削減することができ、歩留まりおよび生産性を向上させることができる。
なお、絶縁体１５は、導電体１６の下面および側面と接している。
トランジスタ１０は、図２に示す構成としてもよい。図２に示す構成のトランジスタ１０は、酸化物１３が酸化物１３ａ、酸化物１３ｂおよび酸化物１３ｃの３層構造である点が図１に示す構成のトランジスタ１０と異なる。
図の明瞭化のため、図２（Ａ）は絶縁体１７を省略している。また、図２（Ａ）ではＹ２方向の、酸化物１３ｂと重ならない領域の酸化物１３ｃ、絶縁体１５および導電体１６にはハッチングを付していない。
図２に示す構成のトランジスタ１０をオンした場合、主として酸化物１３ｂにチャネルが形成される。このため、酸化物１３ｂは酸化物半導体で構成された活性層ということができる。一方、酸化物１３ａおよび酸化物１３ｃは、酸化物１３ｂとの界面近傍（混合領域となっている場合もある）はチャネルが形成される場合があるが、その他の領域は酸化物１３ｂよりバンドギャップの広い半導体または絶縁体として機能する場合がある。
酸化物１３ａは絶縁体１２の上に設けられ、酸化物１３ｂは酸化物１３ａの上に設けられ、酸化物１３ｃは絶縁体１２および酸化物１３ｂの上に設けられ、導電体１４ａは酸化物１３ｂの上に設けられ、導電体１４ｂは酸化物１３ｂの上に設けられ、絶縁体１５は酸化物１３ｃの上に設けられ、導電体１６は絶縁体１５の上に設けられている。該構成とすることにより、詳細は後述するが、例えばトランジスタ１０のオン電流を大きくすることができる。また、トランジスタ１０の信頼性を高めることができる。
トランジスタ１０は、図３に示す構成としてもよい。図の明瞭化のため、図３（Ａ）は絶縁体１７を省略している。また、図３（Ａ）ではＹ２方向の、酸化物１３と重ならない領域の絶縁体１５および導電体１６にはハッチングを付していない。
図３に示す構成のトランジスタ１０は、酸化物１９を有する点が図１に示す構成のトランジスタ１０と異なる。酸化物１９は、絶縁体１２、酸化物１３、導電体１４ａおよび導電体１４ｂの上に設けられている。また、絶縁体１７は酸化物１９の上に設けられている。絶縁体１７および酸化物１９には酸化物１３に達する開口部が設けられており、該開口部に絶縁体１５および導電体１６が設けられている。
つまり、酸化物１３、導電体１４ａおよび導電体１４ｂは、酸化物１９を介して絶縁体１７と接している。
酸化物１９の導電性は十分低くして、絶縁体としての機能を有することが好ましい。したがって、酸化物１９として、例えば図２に示す酸化物１３ａおよび酸化物１３ｃと同様の材料を用いることが好ましい。
トランジスタ１０を図３に示す構成として不純物拡散を防止する材料を酸化物１９に用いることにより、絶縁体１７から、水素、水およびハロゲンなどの不純物が酸化物１３へ拡散することを抑制することができる。これにより、詳細は後述するがトランジスタ１０の信頼性を高めることができる。
トランジスタ１０は、図４に示す構成としてもよい。図４に示す構成のトランジスタ１０は、導電体２０を有する点が図１に示す構成のトランジスタ１０と異なる。
図の明瞭化のため、図４（Ａ）は絶縁体１７を省略している。また、図４（Ａ）ではＹ２方向の、酸化物１３と重ならない領域の絶縁体１５および導電体１６にはハッチングを付していない。
導電体２０は絶縁体１１の上に設けられ、絶縁体１２は絶縁体１１および導電体２０の上に設けられている。導電体１６は第１のゲート電極としての機能を有し、導電体２０は第２のゲート電極としての機能を有する。
チャネル領域を第１のゲート電極と、第２のゲート電極との２つのゲート電極で挟む構成とすることにより、トランジスタ１０のしきい値電圧の制御を行うことができる。例えば、スタンバイ状態のゲート電位が、オフ電流が低下するゲート電位となるようにしきい値電圧の制御を行うことによって、トランジスタ１０のオフ電流を小さくすることができる。
トランジスタ１０は、図５に示す構成としてもよい。なお、図の明瞭化のため、図５（Ａ）は絶縁体１７を省略している。また、図５（Ａ）ではＹ２方向の、酸化物１３ｂと重ならない領域の酸化物１３ｃ、絶縁体１５および導電体１６にはハッチングを付していない。
図５に示すトランジスタ１０は、図２に示すトランジスタ１０の構成と、図４に示すトランジスタ１０の構成とを組み合わせた構成である。つまり、図５に示す構成のトランジスタ１０は、酸化物１３が酸化物１３ａ、酸化物１３ｂおよび酸化物１３ｃの３層構造であり、かつチャネル領域が導電体１６および導電体２０により挟まれた構成である。該構成とすることにより、例えばオン電流を大きくしつつオフ電流を小さくすることができる。また、例えばトランジスタの信頼性を高めることができる。
トランジスタ１０は、図６に示す構成としてもよい。なお、図の明瞭化のため、図６（Ａ）は絶縁体１７を省略している。また、図６（Ａ）ではＹ２方向の、酸化物１３と重ならない領域の絶縁体１５および導電体１６にはハッチングを付していない。
図６に示す構成のトランジスタ１０は、導電体１４ａおよび導電体１４ｂが酸化物１３の側面を覆っている点が図１に示す構成のトランジスタ１０と異なる。当該構成とすることにより、トランジスタ１０のオン電流を大きくすることができる。
図１乃至図６に示す構成は、それぞれ適宜組み合わせて実施することができる。
次に、図１乃至図６に示す構成のトランジスタ１０の構成要素について説明する。
＜絶縁体＞
絶縁体１２および絶縁体１７は、酸素を含む絶縁体であることが好ましい。特に、絶縁体１２および絶縁体１７として、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素（以下、過剰酸素ともいう）を含む絶縁体を用いることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を酸化物１３に接して設けることにより、該過剰酸素が熱処理などにより拡散して酸化物１３に供給され、酸化物１３中の酸素欠損を補填することができる。酸化物に酸素欠損があると、詳細は後述するが、該酸素欠損に水素などの不純物が入ることでドナー準位を生成し、キャリアである電子を生成することがある。これにより、ノーマリーオン特性となる場合がある。したがって、酸化物中の酸素欠損を補填してドナー準位が生成されることを抑制することによりトランジスタ１０をノーマリーオフ特性とすることができる。
絶縁体１２および絶縁体１７は、酸素を含む絶縁体であることが好ましい。特に、絶縁体１２および絶縁体１７として、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素（以下、過剰酸素ともいう）を含む絶縁体を用いることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を酸化物１３に接して設けることにより、該過剰酸素が熱処理などにより拡散して酸化物１３に供給され、酸化物１３中の酸素欠損を補填することができる。酸化物に酸素欠損があると、詳細は後述するが、該酸素欠損に水素などの不純物が入ることでドナー準位を生成し、キャリアである電子を生成することがある。これにより、ノーマリーオン特性となる場合がある。したがって、酸化物中の酸素欠損を補填してドナー準位が生成されることを抑制することによりトランジスタ１０をノーマリーオフ特性とすることができる。
過剰酸素を含む絶縁体として、具体的には、加熱により一部の酸素が脱離する酸化物材料を用いることが好ましい。加熱により酸素を脱離する酸化物とは、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１４ｃｍ−２以上、好ましくは３．０×１０１５ｃｍ−２以上である酸化物膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲が好ましい。
このような材料として、例えば酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含む材料が挙げられる。または、金属酸化物を用いることもできる。なお、本明細書中において、酸化窒化シリコンとは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
絶縁体１５は、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などを含む絶縁体を単層または積層で用いることができる。またはこれらの絶縁体に例えば酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁体を窒化処理しても良い。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい。
また、絶縁体１５として、絶縁体１２および絶縁体１７と同様に、過剰酸素を含む酸化物絶縁体を用いることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を酸化物１３に接して設けることにより、酸化物１３中の酸素欠損を低減することができる。
また、絶縁体１５は、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化シリコンなどの、酸素や水素に対してバリア性のある絶縁膜を用いることができる。このような材料を用いて形成した場合、酸化物１３からの酸素の放出や、外部からの水素等の不純物の混入を防ぐ層として機能する。
また、絶縁体１５は、例えば過剰酸素を含む絶縁膜と、酸素や水素に対してバリア性のある絶縁膜と、を積層した構成とすることができる。例えば過剰酸素を含む絶縁膜を酸化物１３に接して設け、さらにバリア性のある膜で包み込むことで、酸化物を化学量論比組成とほぼ一致するような状態、または化学量論的組成より酸素が多い過飽和の状態とすることができる。また、酸化物１３への水素等の不純物の侵入を防ぐことができる。
＜導電体＞
導電体１４ａおよび導電体１４ｂは、例えばアルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を用いることができる。また、例えば上述した金属の窒化物を用いることができる。例えば、窒化タンタルなどを用いることができる。また、図では単層構造を示したが、２層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
導電体１４ａおよび導電体１４ｂは、例えばアルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を用いることができる。また、例えば上述した金属の窒化物を用いることができる。例えば、窒化タンタルなどを用いることができる。また、図では単層構造を示したが、２層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
例えば、導電体１４ａおよび導電体１４ｂを、チタン膜およびアルミニウム膜の積層構造としてもよい。また、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する２層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する２層構造、チタン膜上に銅膜を積層する２層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する２層構造としてもよい。
また、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する３層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する３層構造などがある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。
また、導電体１６は、例えばアルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属、または上述した金属を成分とする合金か、上述した金属を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、例えば上述した金属の窒化物を用いることができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属を用いてもよい。また、リンなどの不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。また、図では単層構造を示したが、２層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
例えば、アルミニウム上にチタン膜を積層する２層構造とするとよい。また、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する２層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する２層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する２層構造としてもよい。
また、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する３層構造などがある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数の金属を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
また、導電体１６に、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属の積層構造とすることもできる。
図４に示す導電体２０は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）などである。または、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適用することもできる。
また、図では単層構造を示したが、２層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
例えば、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル膜上に、導電性が高いタングステン膜を積層構造とする２層構造とすることができる。
例えば、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル膜上に、導電性が高いタングステン膜を積層構造とする２層構造とすることができる。
＜酸化物半導体＞
酸化物半導体は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
酸化物半導体は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
ここで、酸化物半導体が、インジウム、元素Ｍ及び亜鉛を有する場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
まず、図７（Ａ）、図７（Ｂ）、および図７（Ｃ）を用いて、本発明に係る酸化物半導体が有するインジウム、元素Ｍ及び亜鉛の原子数比の好ましい範囲について説明する。なお、図７には、酸素の原子数比については記載しない。また、酸化物半導体が有するインジウム、元素Ｍ、及び亜鉛の原子数比のそれぞれの項を［Ｉｎ］、［Ｍ］、および［Ｚｎ］とする。
図７（Ａ）、図７（Ｂ）、および図７（Ｃ）において、破線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：１の原子数比（−１≦α≦１）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：２の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：３の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：４の原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：５の原子数比となるラインを表す。
また、一点鎖線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：βの原子数比（β≧０）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：２：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：３：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：４：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝２：１：βの原子数比となるライン、及び［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：１：βの原子数比となるラインを表す。
また、二点鎖線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋γ）：２：（１−γ）の原子数比（−１≦γ≦１）となるラインを表す。また、図７に示す、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：２：１の原子数比またはその近傍値の酸化物半導体は、スピネル型の結晶構造をとりやすい。
図７（Ａ）および図７（Ｂ）では、本発明の一態様の酸化物半導体が有する、インジウム、元素Ｍ、及び亜鉛の原子数比の好ましい範囲の一例について示している。
一例として、図８に、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：１である、ＩｎＭＺｎＯ４の結晶構造を示す。また、図８は、ｂ軸に平行な方向から観察した場合のＩｎＭＺｎＯ４の結晶構造である。なお、図８に示すＭ、Ｚｎ、酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）における金属元素は、元素Ｍまたは亜鉛を表している。この場合、元素Ｍと亜鉛の割合が等しいものとする。元素Ｍと亜鉛とは、置換が可能であり、配列は不規則である。
ＩｎＭＺｎＯ４は、層状の結晶構造（層状構造ともいう）をとり、図８に示すように、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）が１に対し、元素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する（Ｍ，Ｚｎ）層が２となる。
また、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。そのため、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換し、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と表すこともできる。その場合、Ｉｎ層が１に対し、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層が２である層状構造をとる。
［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：２となる原子数比の酸化物半導体は、Ｉｎ層が１に対し、（Ｍ，Ｚｎ）層が３である層状構造をとる。つまり、［Ｉｎ］および［Ｍ］に対し［Ｚｎ］が大きくなると、酸化物半導体が結晶化した場合、Ｉｎ層に対する（Ｍ，Ｚｎ）層の割合が増加する。
ただし、酸化物半導体中において、Ｉｎ層が１に対し、（Ｍ，Ｚｎ）層が非整数である場合、Ｉｎ層が１に対し、（Ｍ，Ｚｎ）層が整数である層状構造を複数種有する場合がある。例えば、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：１．５である場合、Ｉｎ層が１に対し、（Ｍ，Ｚｎ）層が２である層状構造と、（Ｍ，Ｚｎ）層が３である層状構造とが混在する層状構造となる場合がある。
例えば、酸化物半導体をスパッタリング装置にて成膜する場合、ターゲットの原子数比からずれた原子数比の膜が形成される。特に、成膜時の基板温度によっては、ターゲットの［Ｚｎ］よりも、膜の［Ｚｎ］が小さくなる場合がある。
また、酸化物半導体中に複数の相が共存する場合がある（二相共存、三相共存など）。例えば、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：２：１の原子数比の近傍値である原子数比では、スピネル型の結晶構造と層状の結晶構造との二相が共存しやすい。また、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：０：０を示す原子数比の近傍値である原子数比では、ビックスバイト型の結晶構造と層状の結晶構造との二相が共存しやすい。酸化物半導体中に複数の相が共存する場合、異なる結晶構造の間において、粒界（グレインバウンダリーともいう）が形成される場合がある。
また、インジウムの含有率を高くすることで、酸化物半導体のキャリア移動度（電子移動度）を高くすることができる。これは、インジウム、元素Ｍ及び亜鉛を有する酸化物半導体では、主として重金属のｓ軌道がキャリア伝導に寄与しており、インジウムの含有率を高くすることにより、ｓ軌道が重なる領域がより大きくなるため、インジウムの含有率が高い酸化物半導体はインジウムの含有率が低い酸化物半導体と比較してキャリア移動度が高くなるためである。
一方、酸化物半導体中のインジウムおよび亜鉛の含有率が低くなると、キャリア移動度が低くなる。従って、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：１：０を示す原子数比、およびその近傍値である原子数比（例えば図７（Ｃ）に示す領域Ｃ）では、絶縁性が高くなる。
従って、本発明の一態様の酸化物半導体は、キャリア移動度が高く、かつ、粒界が少ない層状構造となりやすい、図７（Ａ）の領域Ａで示される原子数比を有することが好ましい。
また、図７（Ｂ）に示す領域Ｂは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝４：２：３から４．１、およびその近傍値を示している。近傍値には、例えば、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：３：４が含まれる。領域Ｂで示される原子数比を有する酸化物半導体は、特に、結晶性が高く、キャリア移動度も高い優れた酸化物半導体である。
なお、酸化物半導体が、層状構造を形成する条件は、原子数比によって一義的に定まらない。原子数比により、層状構造を形成するための難易の差はある。一方、同じ原子数比であっても、形成条件により、層状構造になる場合も層状構造にならない場合もある。従って、図示する領域は、酸化物半導体が層状構造を有する原子数比を示す領域であり、領域Ａ乃至領域Ｃの境界は厳密ではない。
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。
なお、上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、粒界におけるキャリア散乱等を減少させることができるため、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
また、トランジスタには、キャリア密度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体は、キャリア密度が８×１０１１／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０−９／ｃｍ３以上とすればよい。
なお、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。
また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。
酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンや炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、該酸化物半導体において、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、酸化物半導体中の窒素濃度は、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。
不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
続いて、該酸化物半導体を２層構造、または３層構造とした場合について述べる。酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、および酸化物半導体Ｓ３の積層構造、および積層構造に接する絶縁体のバンド図と、酸化物半導体Ｓ２および酸化物半導体Ｓ３の積層構造、および積層構造に接する絶縁体のバンド図と、について、図９を用いて説明する。
図９（Ａ）は、絶縁体１１、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ３、及び絶縁体１２を有する積層構造の膜厚方向のバンド図の一例である。また、図９（Ｂ）は、絶縁体１１、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ３、及び絶縁体１２を有する積層構造の膜厚方向のバンド図の一例である。なお、バンド図は、理解を容易にするため絶縁体１１、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ３、及び絶縁体１２の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を示す。
酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３は、酸化物半導体Ｓ２よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近く、代表的には、酸化物半導体Ｓ２の伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３の伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下であることが好ましい。すなわち、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３の電子親和力よりも、酸化物半導体Ｓ２の電子親和力が大きく、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３の電子親和力と、酸化物半導体Ｓ２の電子親和力との差は、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下であることが好ましい。
図９（Ａ）、および図９（Ｂ）に示すように、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ３において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようなバンド図を有するためには、酸化物半導体Ｓ１と酸化物半導体Ｓ２との界面、または酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ３との界面において形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。
具体的には、酸化物半導体Ｓ１と酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ３が、酸素以外に共通の元素を有する（主成分とする）ことで、欠陥準位密度が低い混合層を形成することができる。例えば、酸化物半導体Ｓ２がＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物半導体の場合、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物半導体、Ｇａ−Ｚｎ酸化物半導体、酸化ガリウムなどを用いるとよい。
このとき、キャリアの主たる経路は酸化物半導体Ｓ２となる。酸化物半導体Ｓ１と酸化物半導体Ｓ２との界面、および酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ３との界面における欠陥準位密度を低くすることができるため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さく、高いオン電流が得られる。
トラップ準位に電子が捕獲されることで、捕獲された電子は固定電荷のように振る舞うため、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３を設けることにより、トラップ準位を酸化物半導体Ｓ２より遠ざけることができる。当該構成とすることで、トランジスタのしきい値電圧がプラス方向にシフトすることを防止することができる。
酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３は、酸化物半導体Ｓ２と比較して、導電率が十分に低い材料を用いる。このとき、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ１との界面、および酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ３との界面が、主にチャネル領域として機能する。例えば、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３には、図７（Ｃ）において、絶縁性が高くなる領域Ｃで示す原子数比の酸化物半導体を用いればよい。なお、図７（Ｃ）に示す領域Ｃは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：１：０、またはその近傍値である原子数比を示している。
特に、酸化物半導体Ｓ２に領域Ａで示される原子数比の酸化物半導体を用いる場合、酸化物半導体Ｓ１および酸化物半導体Ｓ３には、［Ｍ］／［Ｉｎ］が１以上、好ましくは２以上である酸化物半導体を用いることが好ましい。また、酸化物半導体Ｓ３として、十分に高い絶縁性を得ることができる［Ｍ］／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］）が１以上である酸化物半導体を用いることが好適である。
次に、酸化物半導体の構造について説明する。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
＜酸化物半導体の構造＞
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）および非晶質酸化物半導体などがある。
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物半導体と、に分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体およびｎｃ−ＯＳなどがある。
非晶質構造は、一般に、等方的であって不均質構造を持たない、準安定状態で原子の配置が固定化していない、結合角度が柔軟である、短距離秩序は有するが長距離秩序を有さない、などといわれている。
即ち、安定な酸化物半導体を完全な非晶質（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）酸化物半導体とは呼べない。また、等方的でない（例えば、微小な領域において周期構造を有する）酸化物半導体を、完全な非晶質酸化物半導体とは呼べない。一方、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、等方的でないが、鬆（ボイドともいう。）を有する不安定な構造である。不安定であるという点では、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、物性的に非晶質酸化物半導体に近い。
＜ＣＡＡＣ−ＯＳ＞
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物半導体の一種である。
ＣＡＡＣ−ＯＳをＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって解析した場合について説明する。例えば、空間群Ｒ−３ｍに分類されるＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、図１０（Ａ）に示すように回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳでは、結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳの膜を形成する面（被形成面ともいう。）、または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。なお、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、空間群Ｆｄ−３ｍに分類される結晶構造に起因する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、該ピークを示さないことが好ましい。
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳに対し、被形成面に平行な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、２θが５６°近傍にピークが現れる。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。そして、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行っても、図１０（Ｂ）に示すように明瞭なピークは現れない。一方、単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４に対し、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合、図１０（Ｃ）に示すように（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。したがって、ＸＲＤを用いた構造解析から、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ軸およびｂ軸の配向が不規則であることが確認できる。
次に、電子回折によって解析したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面に平行にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させると、図１０（Ｄ）に示すような回折パターン（制限視野電子回折パターンともいう。）が現れる場合がある。この回折パターンには、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に起因するスポットが含まれる。したがって、電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットがｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターンを図１０（Ｅ）に示す。図１０（Ｅ）より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、プローブ径が３００ｎｍの電子線を用いた電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットのａ軸およびｂ軸は配向性を有さないことがわかる。なお、図１０（Ｅ）における第１リングは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０１０）面および（１００）面などに起因すると考えられる。また、図１０（Ｅ）における第２リングは（１１０）面などに起因すると考えられる。
また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳの明視野像と回折パターンとの複合解析像（高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察すると、複数のペレットを確認することができる。一方、高分解能ＴＥＭ像であってもペレット同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を明確に確認することができない場合がある。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
図１１（Ａ）に、試料面と略平行な方向から観察したＣＡＡＣ−ＯＳの断面の高分解能ＴＥＭ像を示す。高分解能ＴＥＭ像の観察には、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高分解能ＴＥＭ像を、特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像は、例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆなどによって観察することができる。
図１１（Ａ）より、金属原子が層状に配列している領域であるペレットを確認することができる。ペレット一つの大きさは１ｎｍ以上のものや、３ｎｍ以上のものがあることがわかる。したがって、ペレットを、ナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶこともできる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＮＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。ペレットは、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面または上面の凹凸を反映しており、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面または上面と平行となる。
また、図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）に、試料面と略垂直な方向から観察したＣＡＡＣ−ＯＳの平面のＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を示す。図１１（Ｄ）および図１１（Ｅ）は、それぞれ図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）を画像処理した像である。以下では、画像処理の方法について説明する。まず、図１１（Ｂ）を高速フーリエ変換（ＦＦＴ：Ｆａｓｔ Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）処理することでＦＦＴ像を取得する。次に、取得したＦＦＴ像において原点を基準に、２．８ｎｍ−１から５．０ｎｍ−１の間の範囲を残すマスク処理する。次に、マスク処理したＦＦＴ像を、逆高速フーリエ変換（ＩＦＦＴ：Ｉｎｖｅｒｓｅ Ｆａｓｔ Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）処理することで画像処理した像を取得する。こうして取得した像をＦＦＴフィルタリング像と呼ぶ。ＦＦＴフィルタリング像は、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像から周期成分を抜き出した像であり、格子配列を示している。
図１１（Ｄ）では、格子配列の乱れた箇所を破線で示している。破線で囲まれた領域が、一つのペレットである。そして、破線で示した箇所がペレットとペレットとの連結部である。破線は、六角形状であるため、ペレットが六角形状であることがわかる。なお、ペレットの形状は、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合が多い。
図１１（Ｅ）では、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間を点線で示している。点線近傍においても、明確な結晶粒界を確認することはできない。点線近傍の格子点を中心に周囲の格子点を繋ぐと、歪んだ六角形や、五角形または／および七角形などが形成できる。即ち、格子配列を歪ませることによって結晶粒界の形成を抑制していることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において原子配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。
以上に示すように、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のペレット（ナノ結晶）が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＡ ｃｒｙｓｔａｌ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ ａ−ｂ−ｐｌａｎｅ−ａｎｃｈｏｒｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体と称することもできる。
ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
＜ｎｃ−ＯＳ＞
次に、ｎｃ−ＯＳについて説明する。
次に、ｎｃ−ＯＳについて説明する。
ｎｃ−ＯＳをＸＲＤによって解析した場合について説明する。例えば、ｎｃ−ＯＳに対し、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、配向性を示すピークが現れない。即ち、ｎｃ−ＯＳの結晶は配向性を有さない。
また、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するｎｃ−ＯＳを薄片化し、厚さが３４ｎｍの領域に対し、被形成面に平行にプローブ径が５０ｎｍの電子線を入射させると、図１２（Ａ）に示すようなリング状の回折パターン（ナノビーム電子回折パターン）が観測される。また、同じ試料にプローブ径が１ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターン（ナノビーム電子回折パターン）を図１２（Ｂ）に示す。図１２（Ｂ）より、リング状の領域内に複数のスポットが観測される。したがって、ｎｃ−ＯＳは、プローブ径が５０ｎｍの電子線を入射させることでは秩序性が確認されないが、プローブ径が１ｎｍの電子線を入射させることでは秩序性が確認される。
また、厚さが１０ｎｍ未満の領域に対し、プローブ径が１ｎｍの電子線を入射させると、図１２（Ｃ）に示すように、スポットが略正六角状に配置された電子回折パターンを観測される場合がある。したがって、厚さが１０ｎｍ未満の範囲において、ｎｃ−ＯＳが秩序性の高い領域、即ち結晶を有することがわかる。なお、結晶が様々な方向を向いているため、規則的な電子回折パターンが観測されない領域もある。
図１２（Ｄ）に、被形成面と略平行な方向から観察したｎｃ−ＯＳの断面のＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を示す。ｎｃ−ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において、補助線で示す箇所などのように結晶部を確認することのできる領域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。ｎｃ−ＯＳに含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであり、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の大きさであることが多い。なお、結晶部の大きさが１０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下である酸化物半導体を微結晶酸化物半導体（ｍｉｃｒｏ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶことがある。ｎｃ−ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。なお、ナノ結晶は、ＣＡＡＣ−ＯＳにおけるペレットと起源を同じくする可能性がある。そのため、以下ではｎｃ−ＯＳの結晶部をペレットと呼ぶ場合がある。
このように、ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
なお、ペレット（ナノ結晶）間で結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ−ＯＳを、ＲＡＮＣ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体、またはＮＡＮＣ（Ｎｏｎ−Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ＣＡＡＣ−ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
＜ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ＞
ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
図１３に、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳの高分解能断面ＴＥＭ像を示す。ここで、図１３（Ａ）は電子照射開始時におけるａ−ｌｉｋｅ ＯＳの高分解能断面ＴＥＭ像である。図１３（Ｂ）は４．３×１０８ｅ−／ｎｍ２の電子（ｅ−）照射後におけるａ−ｌｉｋｅ ＯＳの高分解能断面ＴＥＭ像である。図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）より、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは電子照射開始時から、縦方向に延伸する縞状の明領域が観察されることがわかる。また、明領域は、電子照射後に形状が変化することがわかる。なお、明領域は、鬆または低密度領域と推測される。
鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、不安定な構造である。以下では、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳが、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳと比べて不安定な構造であることを示すため、電子照射による構造の変化を示す。
試料として、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳを準備する。いずれの試料もＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である。
まず、各試料の高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像により、各試料は、いずれも結晶部を有する。
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有することが知られている。これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。したがって、以下では、格子縞の間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所を、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶部と見なした。なお、格子縞は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応する。
図１４は、各試料の結晶部（２２箇所から３０箇所）の平均の大きさを調査した例である。なお、上述した格子縞の長さを結晶部の大きさとしている。図１４より、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ＴＥＭ像の取得などに係る電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわかる。図１４より、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程度の大きさだった結晶部（初期核ともいう。）が、電子（ｅ−）の累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２においては１．９ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射開始時から電子の累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２までの範囲で、結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。図１４より、電子の累積照射量によらず、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳの結晶部の大きさは、それぞれ１．３ｎｍ程度および１．８ｎｍ程度であることがわかる。なお、電子線照射およびＴＥＭの観察は、日立透過電子顕微鏡Ｈ−９０００ＮＡＲを用いた。電子線照射条件は、加速電圧を３００ｋＶ、電流密度を６．７×１０５ｅ−／（ｎｍ２・ｓ）、照射領域の直径を２３０ｎｍとした。
このように、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、電子照射によって結晶部の成長が見られる場合がある。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射による結晶部の成長がほとんど見られない。即ち、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、不安定な構造であることがわかる。
また、鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて密度の低い構造である。具体的には、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の７８．６％以上９２．３％未満である。また、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満である。単結晶の密度の７８％未満である酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３である。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満である。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満である。
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もることができる。所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を組み合わせて見積もることが好ましい。
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。なお、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
＜酸化物半導体のキャリア密度＞
次に、酸化物半導体のキャリア密度について、以下に説明を行う。
次に、酸化物半導体のキャリア密度について、以下に説明を行う。
酸化物半導体のキャリア密度に影響を与える因子としては、酸化物半導体中の酸素欠損（Ｖｏ）、または酸化物半導体中の不純物などが挙げられる。
酸化物半導体中の酸素欠損が多くなると、該酸素欠損に水素が結合（この状態をＶｏＨともいう）した際に、欠陥準位密度が高くなる。または、酸化物半導体中の不純物が多くなると、該不純物に起因し欠陥準位密度が高くなる。したがって、酸化物半導体中の欠陥準位密度を制御することで、酸化物半導体のキャリア密度を制御することができる。
ここで、酸化物半導体をチャネル領域に用いるトランジスタを考える。
トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトの抑制、またはトランジスタのオフ電流の低減を目的とする場合においては、酸化物半導体のキャリア密度を低くする方が好ましい。酸化物半導体のキャリア密度を低くする場合においては、酸化物半導体中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。高純度真性の酸化物半導体のキャリア密度としては、８×１０１５ｃｍ−３未満、好ましくは１×１０１１ｃｍ−３未満、さらに好ましくは１×１０１０ｃｍ−３未満であり、１×１０−９ｃｍ−３以上とすればよい。
一方で、トランジスタのオン電流の向上、またはトランジスタの電界効果移動度の向上を目的とする場合においては、酸化物半導体のキャリア密度を高くする方が好ましい。酸化物半導体のキャリア密度を高くする場合においては、酸化物半導体の不純物濃度をわずかに高める、または酸化物半導体の欠陥準位密度をわずかに高めればよい。あるいは、酸化物半導体のバンドギャップをより小さくするとよい。例えば、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性のオン／オフ比が取れる範囲において、不純物濃度がわずかに高い、または欠陥準位密度がわずかに高い酸化物半導体は、実質的に真性とみなせる。また、電子親和力が大きく、それにともなってバンドギャップが小さくなり、その結果、熱励起された電子（キャリア）の密度が増加した酸化物半導体は、実質的に真性とみなせる。なお、より電子親和力が大きな酸化物半導体を用いた場合には、トランジスタのしきい値電圧がより低くなる。
上述のキャリア密度が高められた酸化物半導体は、わずかにｎ型化している。したがって、キャリア密度が高められた酸化物半導体を、「Ｓｌｉｇｈｔｌｙ−ｎ」と呼称してもよい。
実質的に真性の酸化物半導体のキャリア密度は、１×１０５ｃｍ−３以上１×１０１８ｃｍ−３未満が好ましく、１×１０７ｃｍ−３以上１×１０１７ｃｍ−３以下がより好ましく、１×１０９ｃｍ−３以上５×１０１６ｃｍ−３以下がさらに好ましく、１×１０１０ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３以下がさらに好ましく、１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１５ｃｍ−３以下がさらに好ましい。
＜トランジスタの作製方法＞
図１に示す構成のトランジスタ１０の作製方法の一例について、立体図、上面図、チャネル長方向の断面図およびチャネル幅方向の断面図を用いて説明する。
図１に示す構成のトランジスタ１０の作製方法の一例について、立体図、上面図、チャネル長方向の断面図およびチャネル幅方向の断面図を用いて説明する。
まず、絶縁体１１を成膜し、絶縁体１１上に絶縁体１２を成膜する。
絶縁体１１および絶縁体１２は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて成膜することができる。なお、ＣＶＤ法には、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法などを含む。特に、絶縁体１１および絶縁体１２をＣＶＤ法、好ましくはＰＥＣＶＤ法によって成膜すると、被覆性を向上させることができるため好ましい。また、プラズマによるダメージを減らすには、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法が好ましい。
絶縁体１１および絶縁体１２としては、例えば、水素に対するバリア性を有する膜の一例として、ＡＬＤ法で形成した酸化アルミニウムを用いることができる。ＡＬＤ法を用いて形成することで、緻密な、クラックやピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える絶縁体を形成することができる。
次に、絶縁体１２上に酸化物２３を形成する。なお、酸化物２３は後の工程で加工されて酸化物１３となる。
酸化物２３は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法などを用いて成膜することができる。
酸化物２３としてＩｎ−Ｍｎ−Ｚｎ酸化物をスパッタリング法により成膜する場合、使用するスパッタリングターゲットの金属元素の原子数は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：０．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：１．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：２．３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７などとすることが好ましい。
酸化物２３を成膜後、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。なお、加熱処理は、酸化物２３を成膜した直後に行ってもよいし、酸化物２３を加工して酸化物１３を形成した後に行ってもよい。加熱処理により、絶縁体１２から酸化物２３または酸化物１３に酸素が供給され、酸化物中の酸素欠損を低減することができる。
次に、酸化物２３上に導電体２４を成膜する（図１５）。なお、導電体２４は後の工程で加工されて導電体１４ａおよび導電体１４ｂとなる。なお、図１５中、（Ａ）が立体図、（Ｂ）が上面図、（Ｃ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図、（Ｄ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。なお、図１５（Ａ）では図１５（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。
導電体２４は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法などを用いて成膜することができる。
次に、導電体２４上にレジストを塗布し、リソグラフィおよびエッチングにより導電体２４をアイランド状に加工する。続いて、加工後の導電体２４をハードマスクとして酸化物２３を加工し、アイランド状の酸化物１３を形成する（図１６）。その後、レジストを除去する。なお、図１６中、（Ａ）が立体図、（Ｂ）が上面図、（Ｃ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図、（Ｄ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。なお、図１６（Ａ）では図１６（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。
レジストをマスクとして酸化物２３をエッチングする場合、レジストが横方向にエッチングされる場合がある。これにより、酸化物２３の微細な加工が困難となる場合がある。一方、導電体２４は、横方向へのエッチングがレジストと比べて発生しにくいため、酸化物２３の微細な加工を行うことができる。以上により、トランジスタ１０を微細化することができ、また例えば小型の半導体装置を提供することができる。
次に、絶縁体１２上および導電体２４上に絶縁体１７を成膜する（図１７）。絶縁体１７は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法などを用いて成膜することができる。なお、絶縁体１７を成膜後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により平坦化してもよい。なお、酸化物１３の側面および導電体２４の側面は絶縁体１７に覆われる。なお、図１７中、（Ａ）が立体図、（Ｂ）が上面図、（Ｃ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図、（Ｄ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。なお、図１７（Ａ）では図１７（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。
次に、絶縁体１７上にレジストを塗布し、リソグラフィおよびエッチングにより導電体２４に達する開口部を形成する。これにより、チャネル領域となる部分の酸化物１３の側面が露出する（図１８）。なお、図１８中、（Ａ）が立体図、（Ｂ）が上面図、（Ｃ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図、（Ｄ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。なお、図１８（Ａ）では図１８（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。
次に、露出した酸化物１３の側面をエッチングすることにより、チャネル幅方向に酸化物１３のスリミングを行う（図１９）。これによりチャネル幅が、ソース領域の酸化物１３のチャネル幅方向の長さおよびドレイン領域の酸化物１３のチャネル幅方向の長さより小さくなる。なお、図１９中、（Ａ）が立体図、（Ｂ）が上面図、（Ｃ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図、（Ｄ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。なお、図１９（Ａ）では図１９（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。
酸化物１３のスリミングは、例えばウェットエッチングにより行うことができる。エッチング液として、酸化物１３のみエッチング可能な溶液を用いる。例えば、リン酸、酢酸および硝酸の混合液を用いることができる。このような溶液をエッチング液として用いることにより、酸化物１３で露出している部分はチャネル領域となる部分の側面のみであるので、チャネル幅方向への酸化物１３のスリミングができる。
なお、酸化物１３のスリミングを行う方法は、ウェットエッチングでなくてもよい。例えば、ドライエッチングによって行うこともできる。この場合、等方性エッチングによりスリミングを行うことが好ましい。また、酸化物１３と、導電体２４などとの選択性が高い方法でスリミングを行うことが好ましい。
次に、開口部と重なる領域の導電体２４をエッチングなどの方法により除去する（図２０）。これにより、導電体１４ａおよび導電体１４ｂが形成される。なお、図２０中、（Ａ）が立体図、（Ｂ）が上面図、（Ｃ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図、（Ｄ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。なお、図２０（Ａ）では図２０（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。
次に、開口部を埋めるように絶縁体１５を成膜する。絶縁体１５は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法などを用いて成膜することができる。
次に、絶縁体１５上に導電体１６を成膜する。導電体１６として、例えばＣＶＤ法やＡＬＤ法により成膜した窒化チタンと、スパッタリング法やＣＶＤ法により成膜したタングステンを積層して用いることができる。また、ＡＬＤ法により成膜した窒化タンタルと、スパッタリング法により成膜した窒化タンタルを積層して用いることができる。なお、導電体１６は、塩素を含まないガスを用いて成膜することが好ましい。
なお、導電体１６をスパッタリング法により成膜してもよい。例えば、導電体１６として、スパッタリング法により成膜した窒化チタンと、スパッタリング法により成膜した導電率が大きいタングステンを積層して用いることができる。該導電体をスパッタリング法によって成膜する場合、絶縁体１５にダメージが入る場合がある。よって、絶縁体１５上に、絶縁体１５を保護する膜を設けることが好ましい。
絶縁体１５はゲート絶縁膜として機能するため、該保護膜の存在によってトランジスタ１０の電気特性が変化しないように、該保護膜の膜厚は小さいことが好ましい。具体的には、該保護膜の膜厚は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましく、０．１ｎｍ以上１ｎｍ以下がより好ましい。
該保護膜としては、窒化シリコンを用いることが好ましい。ＰＥＣＶＤ法によって窒化シリコン膜を形成する場合、成膜レートを低くすることで、膜厚の小さい該保護膜を安定して形成することができる。例えば、成膜ガスとして０．５ｓｃｃｍのシラン、５０ｓｃｃｍの窒素および１０ｓｃｃｍのアンモニアを用い、成膜圧力を１Ｐａとし、成膜電力を４００Ｗとし、基板温度を３００℃とした場合、約６ｎｍ／ｍｉｎの成膜レートで窒化シリコン膜を形成することができる。なお、窒化シリコンの成膜レートとしては、０．１ｎｍ／ｍｉｎ以上２ｎｍ／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
次に、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などによりチャネル領域と重ならない部分の導電体１６および絶縁体１５を削り、絶縁体１７の表面を露出させることが好ましい（図２１）。しかしながら、ＣＭＰ処理を行わなくてもよい。
なお、図２１中、（Ａ）が立体図、（Ｂ）が上面図、（Ｃ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図、（Ｄ）が（Ｂ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２に対応する断面図である。図２１（Ａ）では図２１（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２よりＹ２側の構成要素は省略している。また、図２１（Ａ）ではＹ２方向の、酸化物１３と重ならない領域の絶縁体１５および導電体１６にはハッチングを付していない。
以上の工程により、図１に示す構成のトランジスタ１０を作製することができる。なお、図１以外に示す構成のトランジスタ１０の作製方法は、上記の作製方法を適宜参照することができる。
なお、以上の実施の形態において、本発明の一態様について述べた。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。つまり、本実施の形態などでは、様々な発明の態様が記載されているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様として、トランジスタのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域などが、酸化物半導体を有する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチャネル領域、または、トランジスタのソース領域、ドレイン領域などは、様々な半導体を有していてもよい。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチャネル領域、または、トランジスタのソース領域、ドレイン領域などは、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウム、または、有機半導体などの少なくとも一つを有していてもよい。または例えば、場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチャネル形成領域、または、トランジスタのソース領域、ドレイン領域などは、酸化物半導体を有していなくてもよい。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを有する半導体装置について図２２乃至図３３を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを有する半導体装置について図２２乃至図３３を用いて説明する。
＜記憶装置＞
図２２（Ａ）、（Ｂ）は、実施の形態１で示したトランジスタ１０を記憶装置に適用した場合の、該記憶装置が有するメモリセルの回路図の一例である。図２２（Ａ）に示す構成のメモリセルは、トランジスタ１０の他、トランジスタ３００および容量素子１００を有している。
図２２（Ａ）、（Ｂ）は、実施の形態１で示したトランジスタ１０を記憶装置に適用した場合の、該記憶装置が有するメモリセルの回路図の一例である。図２２（Ａ）に示す構成のメモリセルは、トランジスタ１０の他、トランジスタ３００および容量素子１００を有している。
図２２（Ａ）において、配線３００１はトランジスタ３００のソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、配線３００２はトランジスタ３００のソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている。また、配線３００３はトランジスタ１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、配線３００４はトランジスタ１０のゲートと電気的に接続されている。そして、トランジスタ３００のゲート、およびトランジスタ１０のソースまたはドレインの他方は、容量素子１００の電極の一方と電気的に接続され、配線３００５は容量素子１００の電極の他方と電気的に接続されている。
実施の形態１で説明したように、トランジスタ１０はオフ電流が小さいという特徴を有する。このため、図２２（Ａ）に示す構成のメモリセルは、トランジスタ３００のゲートの電位が長時間保持可能という特性を有する。このような特性を有することで、以下に示す手順で情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、第４の配線３００４の電位を、トランジスタ１０が導通状態となる電位にして、トランジスタ１０を導通状態とする。これにより、第３の配線３００３の電位が、トランジスタ３００のゲート、および容量素子１００の電極の一方と電気的に接続するノードＦＧに与えられる。すなわち、トランジスタ３００のゲートには、所定の電荷が与えられる（書き込み）。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷（以下Ｌｏｗレベル電荷、Ｈｉｇｈレベル電荷と呼ぶ。）のどちらかが与えられるものとする。その後、第４の配線３００４の電位を、トランジスタ１０が非導通状態となる電位にして、トランジスタ１０を非導通状態とすることにより、ノードＦＧに電荷が保持される（保持）。トランジスタ１０のオフ電流が小さい場合、ノードＦＧの電荷は長期間にわたって保持される。
次に情報の読み出しについて説明する。第１の配線３００１に所定の電位（定電位）を与えた状態で、第５の配線３００５に適切な電位（読み出し電位）を与えると、第２の配線３００２は、ノードＦＧに保持された電荷量に応じた電位をとる。これは、トランジスタ３００をｎチャネル型とすると、トランジスタ３００のゲートにＨｉｇｈレベル電荷が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｈは、トランジスタ３００のゲートにＬｏｗレベル電荷が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｌより低くなるためである。ここで、見かけ上のしきい値電圧とは、トランジスタ３００を「導通状態」とするために必要な第５の配線３００５の電位をいうものとする。したがって、第５の配線３００５の電位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌの間の電位Ｖ０とすることにより、ノードＦＧに与えられた電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、ノードＦＧにＨｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線３００５の電位がＶ０（＞Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ３００は「導通状態」となる。一方、ノードＦＧにＬｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線３００５の電位がＶ０（＜Ｖｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ３００は「非導通状態」のままである。このため、第２の配線３００２の電位を判別することで、ノードＦＧに保持されている情報を読み出すことができる。
また、図２２（Ａ）に示すメモリセルをマトリクス状に配置することで、記憶装置（メモリセルアレイ）を構成することができる。
なお、メモリセルをアレイ状に配置する場合、読み出し時には、所望のメモリセルの情報を読み出さなくてはならない。例えば、情報を読み出さないメモリセルにおいては、ノードＦＧに与えられた電荷によらずトランジスタ３００が「非導通状態」となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｈより低い電位を第５の配線３００５に与えることで所望のメモリセルの情報を読み出せる構成とすればよい。または、情報を読み出さないメモリセルにおいては、ノードＦＧに与えられた電荷によらずトランジスタ３００が「導通状態」となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｌより高い電位を第５の配線３００５に与えることで所望のメモリセルの情報を読み出せる構成とすればよい。
図２２（Ｂ）に示すメモリセルは、トランジスタ３００を有さない点で図２２（Ａ）に示したメモリセルと異なる。この場合も図２２（Ａ）に示したメモリセルと同様の動作により情報の書き込みおよび保持動作が可能である。
図２２（Ｂ）に示すメモリセルにおける、情報の読み出しについて説明する。トランジスタ１０が導通状態になると、浮遊状態である第３の配線３００３と容量素子１００とが導通し、第３の配線３００３と容量素子１００の間で電荷が再分配される。その結果、第３の配線３００３の電位が変化する。第３の配線３００３の電位の変化量は、容量素子１００の電極の一方の電位（または容量素子１００に蓄積された電荷）によって、異なる値をとる。
例えば、容量素子１００の電極の一方の電位をＶ、容量素子１００の容量をＣ、第３の配線３００３が有する容量成分をＣＢ、電荷が再分配される前の第３の配線３００３の電位をＶＢ０とすると、電荷が再分配された後の第３の配線３００３の電位は、（ＣＢ×ＶＢ０＋ＣＶ）／（ＣＢ＋Ｃ）となる。したがって、メモリセルの状態として、容量素子１００の電極の一方の電位がＶ１とＶ０（Ｖ１＞Ｖ０）の２つの状態をとるとすると、電位Ｖ１を保持している場合の第３の配線３００３の電位（＝（ＣＢ×ＶＢ０＋ＣＶ１）／（ＣＢ＋Ｃ））は、電位Ｖ０を保持している場合の第３の配線３００３の電位（＝（ＣＢ×ＶＢ０＋ＣＶ０）／（ＣＢ＋Ｃ））よりも高くなることがわかる。
そして、第３の配線３００３の電位を所定の電位と比較することで、情報を読み出すことができる。
図２２（Ａ）、（Ｂ）に示す構成のメモリセルは、書き込まれた情報を長時間保持することが可能であるため、リフレッシュ動作が不要であるか、またはリフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能である。このため、消費電力が小さい記憶装置を提供することができる。また、電力の供給がない場合（ただし、電位は固定されていることが好ましい）であっても、長期にわたって記憶内容を保持することが可能である。
また、本発明の一態様の記憶装置は、情報の書き込みに高い電圧が不要であるため、素子の劣化が起こりにくい。例えば、従来の不揮発性メモリのように、絶縁体を介してフローティングゲートへの電子の注入や、フローティングゲートからの電子の引き抜きを行わないため、絶縁体の劣化といった問題が生じない。すなわち、本発明の一態様の記憶装置は、従来の不揮発性メモリとは異なり書き換え可能回数に制限はなく、信頼性が飛躍的に向上した記憶装置である。さらに、トランジスタの導通状態、非導通状態によって、情報の書き込みが行われるため、高速な動作が可能となる。
図２３は、図２２（Ａ）に示す回路図の構成要素を示した断面図である。トランジスタ１０はトランジスタ３００の上方に設けられ、容量素子１００はトランジスタ３００およびトランジスタ１０の上方に設けられている。
トランジスタ３００は、基板３０１上に設けられ、導電体３０６、絶縁体３０４、基板３０１の一部からなる半導体領域３０２、ソース領域またはドレイン領域の一方として機能する低抵抗領域３０８ａ、およびソース領域またはドレイン領域の他方として機能する低抵抗領域３０８ｂを有する。
トランジスタ３００は、ｐチャネル型、あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。
半導体領域３０２のチャネルが形成される領域、その近傍の領域、ソース領域またはドレイン領域となる低抵抗領域３０８ａおよび低抵抗領域３０８ｂなどにおいて、シリコン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい。または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成してもよい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコンを用いた構成としてもよい。またはＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジスタ３００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）としてもよい。
低抵抗領域３０８ａ、および低抵抗領域３０８ｂは、半導体領域３０２に適用される半導体材料に加え、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、またはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含む。
ゲート電極として機能する導電体３０６は、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、もしくはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材料、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。
なお、導電体の材料により、仕事関数を定めることで、しきい値電圧を調整することができる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タンタルなどの材料を用いることが好ましい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために導電体にタングステンやアルミニウムなどの金属材料を積層として用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが耐熱性の点で好ましい。
また、図２３に示すトランジスタ３００はプレーナ型であるが、この構成に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。例えば、図２４に示すようにトランジスタ３００の構成を、ＦＩＮ型として設けてもよい。図２４において、チャネルが形成される半導体領域３０２（基板３０１の一部）が凸形状を有する。また、半導体領域３０２の側面および上面を、絶縁体３０４を介して、導電体３０６が覆うように設けられている。なお、導電体３０６は仕事関数を調整する材料を用いてもよい。また、凸部の上部に接して、凸部を形成するためのマスクとして機能する絶縁体を有していてもよい。また、ここでは半導体基板の一部を加工して凸部を形成する場合を示したが、ＳＯＩ基板を加工して凸形状を有する半導体膜を形成してもよい。
なお、図２２（Ｂ）に示す回路構成とする場合、トランジスタ３００を設けなくともよい。
トランジスタ３００を覆って、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６が順に積層して設けられている。
絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６として、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いればよい。
絶縁体３２２は、その下方に設けられるトランジスタ３００などによって生じる段差を平坦化する平坦化膜として機能する。絶縁体３２２の上面は、平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。
絶縁体３２４には、例えば、基板３０１、またはトランジスタ３００などから、トランジスタ１０が設けられる領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。
例えば、水素に対するバリア性を有する膜の一例として、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いることができる。ここで、トランジスタ１０などの酸化物半導体を有する半導体素子に水素が拡散することで、該半導体素子の特性が低下する場合がある。従って、トランジスタ１０と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜である。
水素の脱離量は、例えば、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ））などを用いて分析することができる。例えば、絶縁体３２４の水素の脱離量は、ＴＤＳ分析において、５０℃から５００℃の範囲において、水素原子に換算した脱離量が、絶縁体３２４の面積当たりに換算して、１０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、好ましくは５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であればよい。
なお、絶縁体３２６は、絶縁体３２４よりも誘電率が低いことが好ましい。例えば、絶縁体３２６の比誘電率は４未満が好ましく、３未満がより好ましい。また例えば、絶縁体３２４の比誘電率は、絶縁体３２６の比誘電率の０．７倍以下が好ましく、０．６倍以下がより好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。
また、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６には容量素子１００、またはトランジスタ１０と電気的に接続する導電体３２８、導電体３３０等が埋め込まれている。なお、導電体３２８および導電体３３０はプラグ、または配線としての機能を有する。なお、詳細は後述するが、プラグまたは配線としての機能を有する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と電気的に接続するプラグとが一体となっていてもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
各プラグおよび配線（導電体３２８および導電体３３０など）の材料としては、金属材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層または積層して用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが好ましい。または、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。
絶縁体３２６および導電体３３０上に、配線層を設けてもよい。例えば、図２３において、絶縁体３５０、絶縁体３５２および絶縁体３５４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３５０、絶縁体３５２および絶縁体３５４には、導電体３５６および導電体３５８が形成されている。導電体３５６および導電体３５８は、プラグまたは配線としての機能を有する。なお、導電体３５６および導電体３５８は、導電体３２８および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
なお、絶縁体３５０は、例えば絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３５６および導電体３５８は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成されることが好ましい。該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ１０とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ１０への水素の拡散を抑制することができる。
なお、水素に対するバリア性を有する導電体としては、例えば、窒化タンタル等を用いるとよい。また、窒化タンタルと導電性が高いタングステンを積層することで、配線としての導電性を保持したまま、トランジスタ３００からの水素の拡散を抑制することができる。この場合、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル層が、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０と接する構造であることが好ましい。
絶縁体３５４上には、絶縁体２１２および絶縁体２１４が順に積層して設けられている。絶縁体２１２および絶縁体２１４のいずれかまたは全部を、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。
絶縁体２１２には、例えば基板３０１またはトランジスタ３００を設ける領域などからトランジスタ１０を設ける領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。従って、絶縁体３２４と同様の材料を用いることができる。
また、絶縁体２１４には、例えば酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。
特に、酸化アルミニウムは、酸素、およびトランジスタの電気特性の変動要因となる水素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分などの不純物のトランジスタ１０への混入を防止することができる。また、実施の形態１で示した酸化物１３からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジスタ１０に対する保護膜として用いることに適している。
なお、絶縁体２１２を設けない構成としてもよい。
絶縁体２１４上には、絶縁体２１６を設ける。絶縁体２１６は、絶縁体３２０と同様の材料を用いることができる。例えば、絶縁体２１６として、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。
また、絶縁体２１２、絶縁体２１４および絶縁体２１６には、導電体２１８や、トランジスタ１０の第２のゲート電極としての機能を有する導電体２０などが埋め込まれている。なお、導電体２１８は、容量素子１００またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体２１８は、導電体３２８および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
特に、絶縁体２１２および絶縁体２１４と接する領域の導電体２１８は、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する導電体であることが好ましい。該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ１０とは、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する層で分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ１０への水素の拡散を抑制することができる。
絶縁体２１６上には、実施の形態１で示した絶縁体１２が設けられている。絶縁体１２は、例えば絶縁体１２ａ、絶縁体１２ｂ、絶縁体１２ｃが順に積層した構成とすることができる。
絶縁体１２ａおよび絶縁体１２ｃは、実施の形態１で説明した絶縁体１２と同様の材料を用いることができる。絶縁体１２ｂは、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などの絶縁体を単層または積層で用いることが好ましい。またはこれらの絶縁体に例えば酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁体を窒化処理しても良い。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい。
なお、絶縁体１２ｂが、２層以上の積層構造を有していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からなる積層構造でもよい。
絶縁体１２ａおよび絶縁体１２ｃの間に、ｈｉｇｈ−ｋ材料を含む絶縁体１２ｂを有することで、特定の条件で絶縁体１２ｂが電子を捕獲し、しきい値電圧を増大させることができる。つまり、絶縁体１２ｂが負に帯電する場合がある。
例えば、絶縁体１２ａおよび絶縁体１２ｃに酸化シリコンを用い、絶縁体１２ｂに酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタルのような電子捕獲準位の多い材料を用いた場合、半導体装置の使用温度、あるいは保管温度よりも高い温度（例えば、１２５℃以上４５０℃以下、代表的には１５０℃以上３００℃以下）の下で、導電体２０の電位をソース電極やドレイン電極の電位より高い状態を１０ミリ秒以上、代表的には１分以上維持することで、酸化物１３から導電体２０に向かって電子が移動する。この時、移動する電子の一部が、絶縁体１２ｂの電子捕獲準位に捕獲される。
絶縁体１２ｂの電子捕獲準位に必要な量の電子を捕獲させたトランジスタは、しきい値電圧がプラス側にシフトする。該構成を有することで、トランジスタ１０は、ゲート電位が０Ｖであっても非導通状態（オフ状態ともいう）であるノーマリーオフ型のトランジスタとなる。
なお、電子を捕獲する処理は、トランジスタの作製過程におこなえばよい。例えば、トランジスタのソース導電体あるいはドレイン導電体に接続する導電体の形成後、あるいは、前工程（ウェハー処理）の終了後、あるいは、ウェハーダイシング工程後、パッケージ後等、工場出荷前のいずれかの段階で行うとよい。いずれの場合にも、その後に１２５℃以上の温度に１時間以上さらされないことが好ましい。
なお、絶縁体１２ａと絶縁体１２ｃとを酸化シリコン、絶縁体１２ｂを酸化ハフニウムで構成する場合、絶縁体１２ａおよび絶縁体１２ｃはＣＶＤ法またはＡＬＤ法により形成し、絶縁体１２ｂはスパッタリング法で形成してもよい。なお、絶縁体１２ｂの形成に、スパッタリング法を用いることで、絶縁体１２ｂが低温で結晶化しやすく、生じる固定電荷量が大きい場合がある。
また、絶縁体１２ａ、絶縁体１２ｂ、絶縁体１２ｃの膜厚を適宜調整することで、しきい値電圧を制御することができる。または、非導通時のリーク電流の小さいトランジスタを提供することができる。また、安定した電気特性を有するトランジスタを提供することができる。または、オン電流の大きいトランジスタを提供することができる。または、サブスレッショルドスイング値の小さいトランジスタを提供することができる。または、信頼性の高いトランジスタを提供することができる。
また、絶縁体１２ｂには、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。このような材料を用いて形成した場合、酸化物１３からの酸素の放出や、外部からの水素等の不純物の混入を防ぐことができる。
絶縁体１２ｃ上には、絶縁体１７が設けられている。実施の形態１で説明したように、絶縁体１７は過剰酸素を含むことが好ましい。また、絶縁体１７は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。
絶縁体１７上には、絶縁体２８２が設けられている。例えばスパッタリング法などにより、絶縁体２８２を酸素ガス雰囲気下で成膜することで、絶縁体２８２を成膜しながら絶縁体１７に酸素を導入することができる。つまり、絶縁体１７に過剰酸素を含ませることができる。
絶縁体２８２の成膜後、絶縁体２８２を介して絶縁体１７に酸素を導入することにより、絶縁体１７に過剰酸素を含ませる。絶縁体１７への酸素の導入方法として、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理などを用いることができる。酸素導入処理を絶縁体２８２を介して行うことで、絶縁体１７をダメージなどから保護した状態で酸素を導入することができる。
また、酸素導入処理として、酸素を含むガスを用いることができる。酸素を含むガスとしては、酸素、一酸化二窒素、二酸化窒素、二酸化炭素、一酸化炭素などを用いることができる。また、酸素導入処理において、酸素を含むガスに希ガスを含ませてもよく、例えば、二酸化炭素と水素とアルゴンの混合ガスを用いることができる。
続いて、加熱処理を行う。加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３５０℃以上４００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。加熱処理は、ランプ加熱によるＲＴＡ装置を用いることもできる。
絶縁体１７に導入された過剰酸素は、加熱処理により絶縁体１７中を拡散する。ここで、絶縁体１７は、酸素に対するバリア性を有する絶縁体２８２および絶縁体２１２により包まれている。したがって、絶縁体１７に導入された過剰酸素の外部への放出が抑制され、効率的に過剰酸素が酸化物１３へ供給される。
また、加熱処理により絶縁体１７の水素が移動し、絶縁体２８２に取り込まれる。絶縁体２８２に取り込まれた水素は、絶縁体２８２中の酸素と反応することで、水が生成する場合がある。生成された水は、絶縁体２８２上から放出される。したがって、絶縁体１７の不純物としての水素および水を低減することができる。なお、絶縁体２８２に酸化アルミニウムを用いている場合、絶縁体２８２が触媒として機能していると考えられる。
酸化物１３へ供給された酸素は、酸化物１３中の酸素欠損を補填する。したがって、酸化物１３を、欠陥準位密度が低い、安定な特性を有する酸化物半導体とすることができる。つまり、トランジスタ１０の電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させることができる。
また、酸素導入処理と加熱処理は、過剰酸素が酸化物１３へ十分に供給され、また酸素導入処理によるダメージで絶縁体２８２の酸素バリア性が破壊されない程度に、複数回繰り返してもよい。
絶縁体２８２上には、絶縁体２８４および絶縁体１０２が順に積層して設けられている。また、絶縁体１２ａ、絶縁体１２ｂ、絶縁体１２ｃ、絶縁体１７、絶縁体２８２、絶縁体２８４および絶縁体１０２には、導電体２４４などが埋め込まれている。なお、導電体２４４は、容量素子１００、トランジスタ１０またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体２４４は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
絶縁体２８２および絶縁体２８４としては、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。従って、絶縁体２８２には、絶縁体２１４と同様の材料を用いることができる。また、絶縁体２８４には、絶縁体２１２と同様の材料を用いることができる。
例えば、絶縁体２８２および絶縁体２８４には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。
特に、酸化アルミニウムは、酸素、およびトランジスタの電気特性の変動要因となる水素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分などの不純物のトランジスタ１０への混入を防止することができる。また、酸化物１３からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジスタ１０に対する保護膜として用いることに適している。
また、絶縁体１０２には、絶縁体３２６と同様に誘電率が低い材料を用いることが好ましい。例えば、絶縁体１０２の比誘電率は４未満が好ましく、３未満がより好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。
したがって、トランジスタ１０を、絶縁体２１２および絶縁体２１４の積層構造と、絶縁体２８２、絶縁体２８４および絶縁体１０２の積層構造により挟む構成とすることができる。また、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２８２、および絶縁体２８４は、酸素、水素および水などの不純物の拡散を抑制するバリア性を有する。これにより、トランジスタ１０から放出された酸素が、容量素子１００が形成されている層またはトランジスタ３００が形成されている層へ拡散することを抑制することができる。または、絶縁体２８２よりも上方の層および絶縁体２１４よりも下方の層から、水素および水などの不純物が、トランジスタ１０へ拡散することを抑制することができる。
つまり、過剰酸素を含む絶縁体１７から酸素を、効率的に酸化物１３に供給でき、酸素欠損を低減することができる。また、酸化物１３に、不純物により酸素欠損が形成されることを防止することができる。よって、酸化物１３を、欠陥準位密度が低い、安定な特性を有する酸化物半導体とすることができる。つまり、トランジスタ１０の電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させることができる。
絶縁体２８４の上方には、容量素子１００および導電体１２４が設けられている。容量素子１００は絶縁体１０２上に設けられ、導電体１１２、絶縁体１１４および導電体１１６を有する。なお、導電体１２４は、容量素子１００、トランジスタ１０またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。
導電体１１２は、金属材料、合金材料または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが好ましい。また、導電体などの他の構造と同時に形成する場合は、低抵抗金属材料であるＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム）等を用いればよい。
なお、導電体１２４は、容量素子の電極として機能する導電体１１２と同様の材料を用いて設けることができる。
導電体１２４および導電体１１２上に、絶縁体１１４を設ける。絶縁体１１４には例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化酸化ハフニウム、窒化ハフニウムなどを用いればよく、積層または単層で設ける。
例えば、絶縁体１１４を積層構造とする場合、酸化アルミニウムなどの高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料と、酸化窒化シリコンなどの絶縁耐力が大きい材料を用いて、積層構造を設けることが好ましい。当該構成により、容量素子１００は、高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）の絶縁体を有することで、十分な容量を確保でき、絶縁耐力が大きい絶縁体を有することで、絶縁耐力が向上し、容量素子１００の静電破壊を抑制することができる。図２５に、絶縁体１１４が３層の積層である例を示す。絶縁体１１４の構成は、例えば下から酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化シリコン膜とすればよい。
導電体１１２上に、絶縁体１１４を介して、導電体１１６を設ける。なお、導電体１１６は、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが好ましい。また、導電体などの他の構造と同時に形成する場合は、低抵抗金属材料であるＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム）等を用いればよい。
例えば、図２３に示すように、絶縁体１１４を、導電体１１２の上面および側面を覆うように設ける。さらに、導電体１１６を、絶縁体１１４を介して、導電体１１２の上面および側面を覆うように設ける。該構成とすることで、導電体１１６は導電体１１２の側面と、絶縁体１１４を介して対向する。つまり、導電体１１２の側面も容量として機能させることができるため、容量素子の投影面積当たりの容量を増加させることができる。従って、半導体装置の小面積化、高集積化、微細化が可能となる。
導電体１１６および絶縁体１１４上には、絶縁体１２０が設けられている。また、絶縁体１２０および絶縁体１１４には導電体１２６が埋め込まれている。また、絶縁体１２０上には導電体１２８が設けられ、導電体１２８上に、導電体１２８の一部が露出するように絶縁体１２２が設けられている。なお、導電体１２６および導電体１２８は、トランジスタ１０またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体１２６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
絶縁体１２０および絶縁体１２２は、絶縁体３２０と同様の材料を用いて設けることができる。また、容量素子１００を覆う絶縁体１２０は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。また、絶縁体１２２は半導体装置の表面を保護する保護膜として機能してもよい。
図２２乃至図２５に示した構成は、記憶装置に限らず任意の半導体装置に適用することができる。
＜ＣＰＵ＞
図２６に示す半導体装置４００は、ＣＰＵコア４０１、パワーマネージメントユニット４２１および周辺回路４２２を有する。パワーマネージメントユニット４２１は、パワーコントローラ４０２、およびパワースイッチ４０３を有する。周辺回路４２２は、キャッシュメモリを有するキャッシュ４０４、バスインターフェース（ＢＵＳ Ｉ／Ｆ）４０５、およびデバッグインターフェース（Ｄｅｂｕｇ Ｉ／Ｆ）４０６を有する。ＣＰＵコア４０１は、データバス４２３、制御装置４０７、ＰＣ（プログラムカウンタ）４０８、パイプラインレジスタ４０９、パイプラインレジスタ４１０、ＡＬＵ（Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ ｌｏｇｉｃ ｕｎｉｔ）４１１、およびレジスタファイル４１２を有する。ＣＰＵコア４０１と、キャッシュ４０４等の周辺回路４２２とのデータのやり取りは、データバス４２３を介して行われる。
図２６に示す半導体装置４００は、ＣＰＵコア４０１、パワーマネージメントユニット４２１および周辺回路４２２を有する。パワーマネージメントユニット４２１は、パワーコントローラ４０２、およびパワースイッチ４０３を有する。周辺回路４２２は、キャッシュメモリを有するキャッシュ４０４、バスインターフェース（ＢＵＳ Ｉ／Ｆ）４０５、およびデバッグインターフェース（Ｄｅｂｕｇ Ｉ／Ｆ）４０６を有する。ＣＰＵコア４０１は、データバス４２３、制御装置４０７、ＰＣ（プログラムカウンタ）４０８、パイプラインレジスタ４０９、パイプラインレジスタ４１０、ＡＬＵ（Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ ｌｏｇｉｃ ｕｎｉｔ）４１１、およびレジスタファイル４１２を有する。ＣＰＵコア４０１と、キャッシュ４０４等の周辺回路４２２とのデータのやり取りは、データバス４２３を介して行われる。
本発明の一態様は、パワーコントローラ４０２、制御装置４０７をはじめ、多くの論理回路に適用することができる。特に、スタンダードセルを用いて構成することができる全ての論理回路に適用することができる。その結果、小型の半導体装置４００を提供できる。また、消費電力を低減することが可能な半導体装置４００を提供できる。また、動作速度を向上することが可能な半導体装置４００を提供できる。また、電源電圧の変動を低減することが可能な半導体装置４００を提供できる。
例えばｐチャネル型の、チャネル領域にシリコンを含むトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタともいう）と、先の実施の形態に記載の酸化物半導体（好ましくはＩｎ、Ｇａ、およびＺｎを含む酸化物）をチャネル領域に含むトランジスタとを有するセルを半導体装置４００に適用することで、小型の半導体装置４００を提供できる。また、消費電力を低減することが可能な半導体装置４００を提供できる。また、動作速度を向上することが可能な半導体装置４００を提供できる。特に、Ｓｉトランジスタはｐチャネル型のみとすることで、製造コストを低く抑えることができる。
制御装置４０７は、ＰＣ４０８、パイプラインレジスタ４０９、パイプラインレジスタ４１０、ＡＬＵ４１１、レジスタファイル４１２、キャッシュ４０４、バスインターフェース４０５、デバッグインターフェース４０６およびパワーコントローラ４０２の動作を統括的に制御することで、入力されたアプリケーションなどのプログラムに含まれる命令をデコードし、実行する機能を有する。
ＡＬＵ４１１は、四則演算、論理演算などの各種演算処理を行う機能を有する。
キャッシュ４０４は、使用頻度の高いデータを一時的に記憶しておく機能を有する。ＰＣ４０８は、次に実行する命令のアドレスを記憶する機能を有するレジスタである。なお、図２６では図示していないが、キャッシュ４０４には、キャッシュメモリの動作を制御するキャッシュコントローラが設けられている。
パイプラインレジスタ４０９は、命令データを一時的に記憶する機能を有するレジスタである。
レジスタファイル４１２は、汎用レジスタを含む複数のレジスタを有しており、メインメモリから読み出されたデータ、またはＡＬＵ４１１の演算処理の結果得られたデータなどを記憶することができる。
パイプラインレジスタ４１０は、ＡＬＵ４１１の演算処理に利用するデータ、またはＡＬＵ４１１の演算処理の結果得られたデータなどを一時的に記憶する機能を有するレジスタである。
バスインターフェース４０５は、半導体装置４００と、半導体装置４００の外部にある各種装置との間におけるデータの経路としての機能を有する。デバッグインターフェース４０６は、デバッグの制御を行うための命令を半導体装置４００に入力するための信号の経路としての機能を有する。
パワースイッチ４０３は、半導体装置４００が有する、パワーコントローラ４０２以外の各種回路への、電源電圧の供給を制御する機能を有する。上記各種回路は、幾つかのパワードメインにそれぞれ属しており、同一のパワードメインに属する各種回路は、パワースイッチ４０３によって電源電圧の供給の有無が制御される。また、パワーコントローラ４０２はパワースイッチ４０３の動作を制御する機能を有する。
上記構成を有する半導体装置４００は、パワーゲーティングを行うことが可能である。パワーゲーティングの動作の流れについて、一例を挙げて説明する。
まず、ＣＰＵコア４０１が、電源電圧の供給を停止するタイミングを、パワーコントローラ４０２のレジスタに設定する。次いで、ＣＰＵコア４０１からパワーコントローラ４０２へ、パワーゲーティングを開始する旨の命令を送る。次いで、半導体装置４００内に含まれる各種レジスタとキャッシュ４０４が、データの退避を開始する。次いで、半導体装置４００が有するパワーコントローラ４０２以外の各種回路への電源電圧の供給が、パワースイッチ４０３により停止される。次いで、割込み信号がパワーコントローラ４０２に入力されることで、半導体装置４００が有する各種回路への電源電圧の供給が開始される。なお、パワーコントローラ４０２にカウンタを設けておき、電源電圧の供給が開始されるタイミングを、割込み信号の入力によらずに、該カウンタを用いて決めるようにしてもよい。次いで、各種レジスタとキャッシュ４０４が、データの復帰を開始する。次いで、制御装置４０７における命令の実行が再開される。
このようなパワーゲーティングは、プロセッサ全体、もしくはプロセッサを構成する一つ、または複数の論理回路において行うことができる。また、短い時間でも電源の供給を停止することができる。このため、空間的に、あるいは時間的に細かい粒度で消費電力の削減を行うことができる。
パワーゲーティングを行う場合、ＣＰＵコア４０１や周辺回路４２２が保持する情報を短期間に退避できることが好ましい。そうすることで、短期間に電源のオンオフが可能となり、省電力の効果が大きくなる。
ＣＰＵコア４０１や周辺回路４２２が保持する情報を短期間に退避するためには、フリップフロップ回路がその回路内でデータ退避できることが好ましい（バックアップ可能なフリップフロップ回路と呼ぶ）。また、ＳＲＡＭセルがセル内でデータ退避できることが好ましい（バックアップ可能なＳＲＡＭセルと呼ぶ）。バックアップ可能なフリップフロップ回路やＳＲＡＭセルは、酸化物半導体（好ましくはＩｎ、Ｇａ、およびＺｎを含む酸化物）をチャネル形成領域に含むトランジスタを有することが好ましい。その結果、トランジスタが低いオフ電流を有することで、バックアップ可能なフリップフロップ回路やＳＲＡＭセルは長期間電源供給なしに情報を保持することができる。また、トランジスタが高速なスイッチング速度を有することで、バックアップ可能なフリップフロップ回路やＳＲＡＭセルは短期間のデータ退避および復帰が可能となる場合がある。
バックアップ可能なフリップフロップ回路の例について、図２７を用いて説明する。
図２７に示す半導体装置５００は、バックアップ可能なフリップフロップ回路の一例である。半導体装置５００は、第１の記憶回路５０１と、第２の記憶回路５０２と、第３の記憶回路５０３と、読み出し回路５０４と、を有する。半導体装置５００には、電位Ｖ１と電位Ｖ２の電位差が、電源電圧として供給される。電位Ｖ１と電位Ｖ２は一方がハイレベルであり、他方がローレベルである。以下、電位Ｖ１がローレベル、電位Ｖ２がハイレベルの場合を例に挙げて、半導体装置５００の構成例について説明するものとする。
第１の記憶回路５０１は、半導体装置５００に電源電圧が供給されている期間において、データを含む信号Ｄが入力されると、当該データを保持する機能を有する。そして、半導体装置５００に電源電圧が供給されている期間において、第１の記憶回路５０１からは、保持されているデータを含む信号Ｑが出力される。一方、第１の記憶回路５０１は、半導体装置５００に電源電圧が供給されていない期間においては、データを保持することができない。すなわち、第１の記憶回路５０１は、揮発性の記憶回路と呼ぶことができる。
第２の記憶回路５０２は、第１の記憶回路５０１に保持されているデータを読み込んで記憶する（あるいは退避する）機能を有する。第３の記憶回路５０３は、第２の記憶回路５０２に保持されているデータを読み込記憶する（あるいは退避する）機能を有する。読み出し回路５０４は、第２の記憶回路５０２または第３の記憶回路５０３に保持されたデータを読み出して第１の記憶回路５０１に記憶する（あるいは復帰する）機能を有する。
特に、第３の記憶回路５０３は、半導体装置５００に電源電圧が供給されてない期間においても、第２の記憶回路５０２に保持されているデータを読み込記憶する（あるいは退避する）機能を有する。
図２７に示すように、第２の記憶回路５０２はトランジスタ５１２と容量素子５１９とを有する。第３の記憶回路５０３はトランジスタ５１３と、トランジスタ５１５と、容量素子５２０とを有する。読み出し回路５０４はトランジスタ５１０と、トランジスタ５１８と、トランジスタ５０９と、トランジスタ５１７と、を有する。
トランジスタ５１２は、第１の記憶回路５０１に保持されているデータに応じた電荷を、容量素子５１９に充放電する機能を有する。トランジスタ５１２は、第１の記憶回路５０１に保持されているデータに応じた電荷を容量素子５１９に対して高速に充放電できることが望ましい。具体的には、トランジスタ５１２が、結晶性を有するシリコン（好ましくは多結晶シリコン、更に好ましくは単結晶シリコン）をチャネル形成領域に含むことが望ましい。
トランジスタ５１３は、容量素子５１９に保持されている電荷に従って導通状態または非導通状態が選択される。トランジスタ５１５は、トランジスタ５１３が導通状態であるときに、配線５４４の電位に応じた電荷を容量素子５２０に充放電する機能を有する。トランジスタ５１５は、オフ電流が著しく小さいことが望ましい。具体的には、トランジスタ５１５が、酸化物半導体（好ましくはＩｎ、Ｇａ、およびＺｎを含む酸化物）をチャネル形成領域に含むことが望ましい。
各素子の接続関係を具体的に説明すると、トランジスタ５１２のソースおよびドレインの一方は、第１の記憶回路５０１に接続されている。トランジスタ５１２のソースおよびドレインの他方は、容量素子５１９の一方の電極、トランジスタ５１３のゲートおよびトランジスタ５１８のゲートに接続されている。容量素子５１９の他方の電極は、配線５４２に接続されている。トランジスタ５１３のソースおよびドレインの一方は、配線５４４に接続されている。トランジスタ５１３のソースおよびドレインの他方は、トランジスタ５１５のソースおよびドレインの一方に接続されている。トランジスタ５１５のソースおよびドレインの他方は、容量素子５２０の一方の電極およびトランジスタ５１０のゲートに接続されている。容量素子５２０の他方の電極は、配線５４３に接続されている。トランジスタ５１０のソースおよびドレインの一方は、配線５４１に接続されている。トランジスタ５１０のソースおよびドレインの他方は、トランジスタ５１８のソースおよびドレインの一方に接続されている。トランジスタ５１８のソースおよびドレインの他方は、トランジスタ５０９のソースおよびドレインの一方に接続されている。トランジスタ５０９のソースおよびドレインの他方は、トランジスタ５１７のソースおよびドレインの一方、および第１の記憶回路５０１に接続されている。トランジスタ５１７のソースおよびドレインの他方は、配線５４０に接続されている。また、図２７においては、トランジスタ５０９のゲートは、トランジスタ５１７のゲートと接続されているが、トランジスタ５０９のゲートは、必ずしもトランジスタ５１７のゲートと接続されていなくてもよい。
トランジスタ５１５として、先の実施の形態で例示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ５１５のオフ電流が小さいために、半導体装置５００は、長期間電源供給なしに情報を保持することができる。トランジスタ５１５のスイッチング特性が良好であるために、半導体装置５００は、高速のバックアップとリカバリを行うことができる。
図２６および図２７に示した構成は、記憶装置に限らず任意の半導体装置に適用することができる。
＜表示装置＞
表示装置に用いられる表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光素子（発光表示素子ともいう）などを用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬなどを含む。以下では、表示装置の一例としてＥＬ素子を用いた表示装置（ＥＬ表示装置）および液晶素子を用いた表示装置（液晶表示装置）について説明する。
表示装置に用いられる表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光素子（発光表示素子ともいう）などを用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬなどを含む。以下では、表示装置の一例としてＥＬ素子を用いた表示装置（ＥＬ表示装置）および液晶素子を用いた表示装置（液晶表示装置）について説明する。
なお、以下に示す表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣなどを実装した状態にあるモジュールとを含む。
また、以下に示す表示装置は画像表示デバイス、または光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ、ＴＣＰが取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板を有するモジュールまたは表示素子にＣＯＧ方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
図２８は、本発明の一態様に係るＥＬ表示装置の一例である。図２８（Ａ）に、ＥＬ表示装置の画素の回路図を示す。図２８（Ｂ）は、ＥＬ表示装置全体を示す上面図である。また、図２８（Ｃ）は、図２８（Ｂ）の一点鎖線Ｍ−Ｎの一部に対応するＭ−Ｎ断面である。
図２８（Ａ）は、ＥＬ表示装置に用いられる画素の回路図の一例である。
なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなくても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続先を特定しなくても、発明の一態様が明確であるといえる。そして、接続先が特定された内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先として複数の箇所が想定される場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。したがって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子など）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の一態様を構成することが可能な場合がある。
なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少なくとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つまり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であるといえる。そして、機能が特定された発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。したがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
図２８（Ａ）に示すＥＬ表示装置は、スイッチ素子７４３と、トランジスタ７４１と、容量素子７４２と、発光素子７１９と、を有する。
なお、図２８（Ａ）などは、回路構成の一例であるため、さらに、トランジスタを追加することが可能である。逆に、図２８（Ａ）の各ノードにおいて、トランジスタ、スイッチ、受動素子などを追加しないようにすることも可能である。
トランジスタ７４１のゲートはスイッチ素子７４３の一端および容量素子７４２の一方の電極と電気的に接続される。トランジスタ７４１のソースは容量素子７４２の他方の電極と電気的に接続され、発光素子７１９の一方の電極と電気的に接続される。トランジスタ７４１のソースは電源電位ＶＤＤが与えられる。スイッチ素子７４３の他端は信号線７４４と電気的に接続される。発光素子７１９の他方の電極は定電位が与えられる。なお、定電位は接地電位ＧＮＤまたはそれより小さい電位とする。
スイッチ素子７４３としては、トランジスタを用いると好ましい。トランジスタを用いることで、画素の面積を小さくでき、解像度の高いＥＬ表示装置とすることができる。また、スイッチ素子７４３として、トランジスタ７４１と同一工程を経て作製されたトランジスタを用いると、ＥＬ表示装置の生産性を高めることができる。なお、トランジスタ７４１または／およびスイッチ素子７４３としては、例えば、上述したトランジスタを適用することができる。
図２８（Ｂ）に示すように、ＥＬ表示装置は、基板７００と、基板７５０と、シール材７３４と、駆動回路７３５と、駆動回路７３６と、画素７３７と、ＦＰＣ７３２と、を有する。シール材７３４は、画素７３７、駆動回路７３５および駆動回路７３６を囲むように基板７００と基板７５０との間に配置される。なお、駆動回路７３５または／および駆動回路７３６をシール材７３４の外側に配置しても構わない。
また、図２８（Ｃ）に示すように、トランジスタ７４１として、基板７００上の導電体７０５と、導電体７０５が埋め込まれた絶縁体７０１と、絶縁体７０１上の絶縁体７０２と、絶縁体７０２上の酸化物７０３ａおよび酸化物７０３ｂと、酸化物７０３ｂ上の導電体７０７ａおよび導電体７０７ｂと、酸化物７０３ｂ上の酸化物７０３ｃと、酸化物７０３ｃ上の絶縁体７０６と、絶縁体７０６上の導電体７０４を有する構造を示す。トランジスタ７４１上には、過剰酸素を含む絶縁体７１０が設けられている。
トランジスタ７４１として、例えばトランジスタ１０と同様の構成のトランジスタを用いることができる。なお、トランジスタ７４１の構成は一例であり、図２８（Ｃ）に示す構造と異なる構成であっても構わない。
したがって、図２８（Ｃ）に示すトランジスタ７４１において、導電体７０４および導電体７０５はゲート電極としての機能を有し、絶縁体７０２および絶縁体７０６はゲート絶縁体としての機能を有し、導電体７０７ａはソース電極またはドレイン電極の一方としての機能を有し、導電体７０７ｂはソース電極またはドレイン電極の他方としての機能を有する。なお、酸化物７０３は、光が当たることで電気特性が変動する場合がある。したがって、導電体７０５および導電体７０４の少なくとも一方が遮光性を有すると好ましい。
なお、トランジスタ７４１は、バリア性を有する絶縁体７１０および絶縁体７０８の間に設けられている。
図２８（Ｃ）には、容量素子７４２として、絶縁体７１０上の導電体７１４ａと、導電体７１４ａ上の絶縁体７１４ｂと、絶縁体７１４ｂ上の導電体７１４ｃと、を有する構造を示す。
容量素子７４２において、導電体７１４ａは一方の電極として機能し、導電体７１４ｃは他方の電極として機能する。
容量素子７４２として、例えば容量素子１００と同様の構成の容量素子を用いることができる。なお、容量素子７４２の構成は一例であり、図２８（Ｃ）に示す構造と異なる構成であっても構わない。
図２８（Ｃ）に示す容量素子７４２は、占有面積当たりの容量が大きい容量素子である。したがって、図２８（Ｃ）は表示品位の高いＥＬ表示装置である。
トランジスタ７４１および容量素子７４２上には、絶縁体７２０が配置される。ここで、絶縁体７１６および絶縁体７２０は、トランジスタ７４１のソースとして機能する領域７０５ａに達する開口部を有してもよい。絶縁体７２０上には、導電体７８１が配置される。導電体７８１は、絶縁体７２０の開口部を介してトランジスタ７４１と電気的に接続している。
導電体７８１上には、導電体７８１に達する開口部を有する隔壁７８４が配置される。隔壁７８４上には、隔壁７８４の開口部で導電体７８１と接する発光層７８２が配置される。発光層７８２上には、導電体７８３が配置される。導電体７８１、発光層７８２および導電体７８３の重なる領域が、発光素子７１９となる。
ここまでは、ＥＬ表示装置の例について説明した。次に、液晶表示装置の例について説明する。
図２９（Ａ）は、液晶表示装置の画素の構成例を示す回路図である。図２９に示す画素は、トランジスタ７５１と、容量素子７５２と、一対の電極間に液晶の充填された素子（液晶素子）７５３とを有する。
トランジスタ７５１では、ソース、ドレインの一方が信号線７５５に電気的に接続され、ゲートが走査線７５４に電気的に接続されている。
容量素子７５２では、一方の電極がトランジスタ７５１のソース、ドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。
液晶素子７５３では、一方の電極がトランジスタ７５１のソース、ドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。なお、上述した容量素子７５２の他方の電極が電気的に接続する配線に与えられる共通電位と、液晶素子７５３の他方の電極に与えられる共通電位とが異なる電位であってもよい。
なお、液晶表示装置も、上面図はＥＬ表示装置と同様として説明する。図２８（Ｂ）の一点鎖線Ｍ−Ｎに対応する液晶表示装置の断面図を図２９（Ｂ）に示す。図２９（Ｂ）において、ＦＰＣ７３２は、端子７３１を介して配線７３３と接続される。なお、配線７３３は、トランジスタ７５１を構成する導電体または酸化物のいずれかと同種の導電体または酸化物を用いてもよい。
トランジスタ７５１は、トランジスタ７４１についての記載を参照する。また、容量素子７５２は、容量素子７４２についての記載を参照する。なお、図２９（Ｂ）には、図２８（Ｃ）の容量素子７４２に対応した容量素子７５２の構造を示したが、これに限定されない。
なお、トランジスタ７５１の酸化物に酸化物半導体を用いた場合、極めてオフ電流の小さいトランジスタとすることができる。したがって、容量素子７５２に保持された電荷がリークしにくく、長期間に渡って液晶素子７５３に印加される電圧を維持することができる。そのため、動きの少ない動画や静止画の表示の際に、トランジスタ７５１をオフ状態とすることで、トランジスタ７５１の動作のための電力が不要となり、消費電力の小さい液晶表示装置とすることができる。また、容量素子７５２の占有面積を小さくできるため、開口率の高い液晶表示装置、または高精細化した液晶表示装置を提供することができる。
トランジスタ７５１および容量素子７５２上には、絶縁体７２１が配置される。ここで、絶縁体７２１は、トランジスタ７５１に達する開口部を有する。絶縁体７２１上には、導電体７９１が配置される。導電体７９１は、絶縁体７２１の開口部を介してトランジスタ７５１と電気的に接続する。
導電体７９１上には、配向膜として機能する絶縁体７９２が配置される。絶縁体７９２上には、液晶層７９３が配置される。液晶層７９３上には、配向膜として機能する絶縁体７９４が配置される。絶縁体７９４上には、スペーサ７９５が配置される。スペーサ７９５および絶縁体７９４上には、導電体７９６が配置される。導電体７９６上には、基板７９７が配置される。
なお、液晶の駆動方式としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモード、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）モードなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、駆動方法として様々なものを用いることができる。
上述した構造を有することで、占有面積の小さい容量素子を有する表示装置を提供することができる、または、表示品位の高い表示装置を提供することができる。または、高精細の表示装置を提供することができる。
例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、および発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、または様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、発光素子または発光装置は、例えば、白色、赤色、緑色または青色などの発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＩＭＯＤ（インターフェロメトリック・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していても良い。
ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）またはＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インクまたは電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部または全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
なお、ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤの電極や窒化物半導体の下に、グラフェンやグラファイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜としてもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上に、窒化物半導体、例えば、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体などを容易に成膜することができる。さらに、その上に、結晶を有するｐ型ＧａＮ半導体などを設けて、ＬＥＤを構成することができる。なお、グラフェンやグラファイトと、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体との間に、ＡｌＮ層を設けてもよい。なお、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体は、ＭＯＣＶＤで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設けることにより、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体は、スパッタリング法で成膜することも可能である。
なお、図２８（Ｃ）および図２９（Ｂ）に示した層間絶縁膜などの構成は、図２５乃至図２７に示した層間絶縁膜などの構成を適宜参照することができる。
図２８および図２９に示した構成は、表示装置に限らず任意の半導体装置に適用することができる。
＜撮像装置＞
図３０（Ａ）は、本発明の一態様に係る撮像装置２２００の例を示す平面図である。撮像装置２２００は、画素部２２１０と、画素部２２１０を駆動するための周辺回路２２６０と、周辺回路２２７０、周辺回路２２８０と、周辺回路２２９０と、を有する。画素部２２１０は、ｐ行ｑ列（ｐおよびｑは２以上の整数）のマトリクス状に配置された複数の画素２２１１を有する。周辺回路２２６０、周辺回路２２７０、周辺回路２２８０および周辺回路２２９０は、それぞれ複数の画素２２１１に接続し、複数の画素２２１１を駆動するための信号を供給する機能を有する。なお、本明細書等において、周辺回路２２６０、周辺回路２２７０、周辺回路２２８０および周辺回路２２９０などの全てを指して「周辺回路」または「駆動回路」と呼ぶ場合がある。例えば、周辺回路２２６０は周辺回路の一部といえる。
図３０（Ａ）は、本発明の一態様に係る撮像装置２２００の例を示す平面図である。撮像装置２２００は、画素部２２１０と、画素部２２１０を駆動するための周辺回路２２６０と、周辺回路２２７０、周辺回路２２８０と、周辺回路２２９０と、を有する。画素部２２１０は、ｐ行ｑ列（ｐおよびｑは２以上の整数）のマトリクス状に配置された複数の画素２２１１を有する。周辺回路２２６０、周辺回路２２７０、周辺回路２２８０および周辺回路２２９０は、それぞれ複数の画素２２１１に接続し、複数の画素２２１１を駆動するための信号を供給する機能を有する。なお、本明細書等において、周辺回路２２６０、周辺回路２２７０、周辺回路２２８０および周辺回路２２９０などの全てを指して「周辺回路」または「駆動回路」と呼ぶ場合がある。例えば、周辺回路２２６０は周辺回路の一部といえる。
また、撮像装置２２００は、光源２２９１を有することが好ましい。光源２２９１は、検出光Ｐ１を放射することができる。
また、周辺回路は、少なくとも、論理回路、スイッチ、バッファ、増幅回路、または変換回路の１つを有する。また、周辺回路は、画素部２２１０を形成する基板上に形成してもよい。また、周辺回路の一部または全部にＩＣチップ等の半導体装置を用いてもよい。なお、周辺回路は、周辺回路２２６０、周辺回路２２７０、周辺回路２２８０および周辺回路２２９０のいずれか一以上を省略してもよい。
また、図３０（Ｂ）に示すように、撮像装置２２００が有する画素部２２１０において、画素２２１１を傾けて配置してもよい。画素２２１１を傾けて配置することにより、行方向および列方向の画素間隔（ピッチ）を短くすることができる。これにより、撮像装置２２００における撮像の品質をより高めることができる。
撮像装置２２００が有する１つの画素２２１１を複数の副画素２２１２で構成し、それぞれの副画素２２１２に特定の波長域の光を透過するフィルタ（カラーフィルタ）を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
図３１（Ａ）は、カラー画像を取得するための画素２２１１の一例を示す平面図である。図３１（Ａ）に示す画素２２１１は、赤（Ｒ）の波長域の光を透過するカラーフィルタが設けられた副画素２２１２（以下、「副画素２２１２Ｒ」ともいう）、緑（Ｇ）の波長域の光を透過するカラーフィルタが設けられた副画素２２１２（以下、「副画素２２１２Ｇ」ともいう）および青（Ｂ）の波長域の光を透過するカラーフィルタが設けられた副画素２２１２（以下、「副画素２２１２Ｂ」ともいう）を有する。副画素２２１２は、フォトセンサとして機能させることができる。
副画素２２１２（副画素２２１２Ｒ、副画素２２１２Ｇ、および副画素２２１２Ｂ）は、配線２２３１、配線２２４７、配線２２４８、配線２２４９、配線２２５０と電気的に接続される。また、副画素２２１２Ｒ、副画素２２１２Ｇ、および副画素２２１２Ｂは、それぞれが独立した配線２２５３に接続している。また、本明細書等において、例えばｎ行目の画素２２１１に接続された配線２２４８および配線２２４９を、それぞれ配線２２４８［ｎ］および配線２２４９［ｎ］と記載する。また、例えばｍ列目の画素２２１１に接続された配線２２５３を、配線２２５３［ｍ］と記載する。なお、図３１（Ａ）において、ｍ列目の画素２２１１が有する副画素２２１２Ｒに接続する配線２２５３を配線２２５３［ｍ］Ｒ、副画素２２１２Ｇに接続する配線２２５３を配線２２５３［ｍ］Ｇ、および副画素２２１２Ｂに接続する配線２２５３を配線２２５３［ｍ］Ｂと記載している。副画素２２１２は、上記配線を介して周辺回路と電気的に接続される。
また、撮像装置２２００は、隣接する画素２２１１の、同じ波長域の光を透過するカラーフィルタが設けられた副画素２２１２同士がスイッチを介して電気的に接続する構成を有する。図３１（Ｂ）に、ｎ行（ｎは１以上ｐ以下の整数）ｍ列（ｍは１以上ｑ以下の整数）に配置された画素２２１１が有する副画素２２１２と、該画素２２１１に隣接するｎ＋１行ｍ列に配置された画素２２１１が有する副画素２２１２の接続例を示す。図３１（Ｂ）において、ｎ行ｍ列に配置された副画素２２１２Ｒと、ｎ＋１行ｍ列に配置された副画素２２１２Ｒがスイッチ２２０１を介して接続されている。また、ｎ行ｍ列に配置された副画素２２１２Ｇと、ｎ＋１行ｍ列に配置された副画素２２１２Ｇがスイッチ２２０２を介して接続されている。また、ｎ行ｍ列に配置された副画素２２１２Ｂと、ｎ＋１行ｍ列に配置された副画素２２１２Ｂがスイッチ２２０３を介して接続されている。
なお、副画素２２１２に用いるカラーフィルタは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に限定されず、それぞれシアン（Ｃ）、黄（Ｙ）およびマゼンタ（Ｍ）の光を透過するカラーフィルタを用いてもよい。１つの画素２２１１に３種類の異なる波長域の光を検出する副画素２２１２を設けることで、フルカラー画像を取得することができる。
または、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の光を透過するカラーフィルタが設けられた副画素２２１２に加えて、黄（Ｙ）の光を透過するカラーフィルタが設けられた副画素２２１２を有する画素２２１１を用いてもよい。または、それぞれシアン（Ｃ）、黄（Ｙ）およびマゼンタ（Ｍ）の光を透過するカラーフィルタが設けられた副画素２２１２に加えて、青（Ｂ）の光を透過するカラーフィルタが設けられた副画素２２１２を有する画素２２１１を用いてもよい。１つの画素２２１１に４種類の異なる波長域の光を検出する副画素２２１２を設けることで、取得した画像の色の再現性をさらに高めることができる。
また、例えば、図３１（Ａ）において、赤の波長域の光を検出する副画素２２１２、緑の波長域の光を検出する副画素２２１２、および青の波長域の光を検出する副画素２２１２の画素数比（または受光面積比）は、１：１：１でなくても構わない。例えば、画素数比（受光面積比）を赤：緑：青＝１：２：１とするＢａｙｅｒ配列としてもよい。または、画素数比（受光面積比）を赤：緑：青＝１：６：１としてもよい。
なお、画素２２１１に設ける副画素２２１２は１つでもよいが、２つ以上が好ましい。例えば、同じ波長域の光を検出する副画素２２１２を２つ以上設けることで、冗長性を高め、撮像装置２２００の信頼性を高めることができる。
また、可視光を吸収または反射して、赤外光を透過するＩＲ（ＩＲ：Ｉｎｆｒａｒｅｄ）フィルタを用いることで、赤外光を検出する撮像装置２２００を実現することができる。
また、ＮＤ（ＮＤ：Ｎｅｕｔｒａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）フィルタ（減光フィルタ）を用いることで、光電変換素子（受光素子）に大光量光が入射した時に生じる出力飽和することを防ぐことができる。減光量の異なるＮＤフィルタを組み合わせて用いることで、撮像装置のダイナミックレンジを大きくすることができる。
また、前述したフィルタ以外に、画素２２１１にレンズを設けてもよい。ここで、図３２の断面図を用いて、画素２２１１、フィルタ２２５４、レンズ２２５５の配置例を説明する。レンズ２２５５を設けることで、光電変換素子が入射光を効率よく受光することができる。具体的には、図３２（Ａ）に示すように、画素２２１１に形成したレンズ２２５５、フィルタ２２５４（フィルタ２２５４Ｒ、フィルタ２２５４Ｇおよびフィルタ２２５４Ｂ）、および画素回路２２３０等を通して光２２５６を光電変換素子２２２０に入射させる構造とすることができる。
ただし、一点鎖線で囲んだ領域に示すように、矢印で示す光２２５６の一部が配線２２５７の一部によって遮光されてしまうことがある。したがって、図３２（Ｂ）に示すように光電変換素子２２２０側にレンズ２２５５およびフィルタ２２５４を配置して、光電変換素子２２２０が光２２５６を効率良く受光させる構造が好ましい。光電変換素子２２２０側から光２２５６を光電変換素子２２２０に入射させることで、検出感度の高い撮像装置２２００を提供することができる。
図３２に示す光電変換素子２２２０として、ｐｎ型接合またはｐｉｎ型の接合が形成された光電変換素子を用いてもよい。
また、光電変換素子２２２０を、放射線を吸収して電荷を発生させる機能を有する物質を用いて形成してもよい。放射線を吸収して電荷を発生させる機能を有する物質としては、セレン、ヨウ化鉛、ヨウ化水銀、ヒ化ガリウム、テルル化カドミウム、カドミウム亜鉛合金等がある。
例えば、光電変換素子２２２０にセレンを用いると、可視光や、紫外光、赤外光に加えて、Ｘ線や、ガンマ線といった幅広い波長域にわたって光吸収係数を有する光電変換素子２２２０を実現できる。
ここで、撮像装置２２００が有する１つの画素２２１１は、図３１に示す副画素２２１２に加えて、第１のフィルタを有する副画素２２１２を有してもｆよい。
以下では、シリコンを用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタと、を用いて画素を構成する一例について説明する。各トランジスタは上記実施の形態に示すものと同様のトランジスタを用いることができる。
図３３は、撮像装置を構成する素子の断面図である。図３３に示す撮像装置は、シリコン基板２３００に設けられたシリコンを用いたトランジスタ２３５１、トランジスタ２３５１上に積層して配置された酸化物半導体を用いたトランジスタ２３５２およびトランジスタ２３５３、ならびにシリコン基板２３００に設けられたフォトダイオード２３６０を含む。各トランジスタおよびフォトダイオード２３６０は、種々のプラグ２３７０および配線２３７１と電気的な接続を有する。また、フォトダイオード２３６０のアノード２３６１は、低抵抗領域２３６３を介してプラグ２３７０と電気的に接続を有する。
また撮像装置は、シリコン基板２３００に設けられたトランジスタ２３５１およびフォトダイオード２３６０を有する層２３１０と、層２３１０と接して設けられ、配線２３７１を有する層２３２０と、層２３２０と接して設けられ、トランジスタ２３５２およびトランジスタ２３５３を有する層２３３０と、層２３３０と接して設けられ、配線２３７２および配線２３７３を有する層２３４０を備えている。
なお図３３の断面図の一例では、シリコン基板２３００において、トランジスタ２３５１が形成された面とは逆側の面にフォトダイオード２３６０の受光面を有する構成とする。該構成とすることで、各種トランジスタや配線などの影響を受けずに光路を確保することができる。そのため、高開口率の画素を形成することができる。なお、フォトダイオード２３６０の受光面をトランジスタ２３５１が形成された面と同じとすることもできる。
なお、酸化物半導体を用いたトランジスタのみを用いて画素を構成する場合には、層２３１０を、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する層とすればよい。または層２３１０を省略し、酸化物半導体を用いたトランジスタのみで画素を構成してもよい。
なお、シリコン基板２３００は、ＳＯＩ基板であってもよい。また、シリコン基板２３００に替えて、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウムまたは有機半導体を有する基板を用いることもできる。
ここで、トランジスタ２３５１およびフォトダイオード２３６０を有する層２３１０と、トランジスタ２３５２およびトランジスタ２３５３を有する層２３３０と、の間には絶縁体２３８０が設けられる。ただし、絶縁体２３８０の位置は限定されない。また、絶縁体２３８０の下に絶縁体２３７９が設けられ、絶縁体２３８０の上に絶縁体２３８１が設けられる。
絶縁体２３７９乃および縁縁体２３８０に設けられた開口に、導電体２３９０ａ乃至導電体２３９０ｅが設けられている。導電体２３９０ａ、導電体２３９０ｂおよび導電体２３９０ｅは、プラグおよび配線として機能する。また、導電体２３９０ｃは、トランジスタ２３５３のバックゲートとして機能する。また、導電体２３９０ｄは、トランジスタ２３５２のバックゲートとして機能する。
トランジスタ２３５１のチャネル形成領域近傍に設けられる絶縁体中の水素はシリコンのダングリングボンドを終端し、トランジスタ２３５１の信頼性を向上させる効果がある。一方、トランジスタ２３５２およびトランジスタ２３５３などの近傍に設けられる絶縁体中の水素は、酸化物半導体中にキャリアを生成する要因の一つとなる。そのため、トランジスタ２３５２およびトランジスタ２３５３などの信頼性を低下させる要因となる場合がある。したがって、シリコン系半導体を用いたトランジスタの上層に酸化物半導体を用いたトランジスタを積層して設ける場合、これらの間に水素をブロックする機能を有する絶縁体２３８０を設けることが好ましい。絶縁体２３８０より下層に水素を閉じ込めることで、トランジスタ２３５１の信頼性が向上させることができる。さらに、絶縁体２３８０より下層から、絶縁体２３８０より上層に水素が拡散することを抑制できるため、トランジスタ２３５２およびトランジスタ２３５３などの信頼性を向上させることができる。さらに、導電体２３９０ａ、導電体２３９０ｂおよび導電体２３９０ｅが形成されることにより、絶縁体２３８０に形成されているビアホールを通じて上層に水素が拡散することも抑制できるため、トランジスタ２３５２およびトランジスタ２３５３などの信頼性を向上させることができる。
また、図３３の断面図において、層２３１０に設けるフォトダイオード２３６０と、層２３３０に設けるトランジスタとを重なるように形成することができる。そうすると、画素の集積度を高めることができる。すなわち、撮像装置の解像度を高めることができる。
また、撮像装置の一部または全部を湾曲させてもよい。撮像装置を湾曲させることで、像面湾曲や非点収差を低減することができる。よって、撮像装置と組み合わせて用いるレンズなどの光学設計を容易とすることができる。例えば、収差補正のためのレンズ枚数を低減できるため、撮像装置を用いた電子機器などの小型化や軽量化を実現することができる。また、撮像された画像の品質を向上させる事ができる。
図３０乃至図３３に示した構成は、表示装置に限らず任意の半導体装置に適用することができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態においては、本発明の一態様の半導体装置を含む半導体ウエハ、チップおよび当該チップを適用した電子部品および、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した電子機器について図面を用いて説明する。
本実施の形態においては、本発明の一態様の半導体装置を含む半導体ウエハ、チップおよび当該チップを適用した電子部品および、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した電子機器について図面を用いて説明する。
＜半導体ウエハ、チップ＞
図３４（Ａ）は、ダイシング処理が行なわれる前の基板１７１１の上面図を示している。基板１７１１としては、例えば、半導体基板（半導体ウエハともいう。）を用いることができる。基板１７１１上には、複数の回路領域１７１２が設けられている。回路領域１７１２には、本発明の一態様に係る半導体装置や、ＣＰＵ、ＲＦタグ、またはイメージセンサなどを設けることができる。
図３４（Ａ）は、ダイシング処理が行なわれる前の基板１７１１の上面図を示している。基板１７１１としては、例えば、半導体基板（半導体ウエハともいう。）を用いることができる。基板１７１１上には、複数の回路領域１７１２が設けられている。回路領域１７１２には、本発明の一態様に係る半導体装置や、ＣＰＵ、ＲＦタグ、またはイメージセンサなどを設けることができる。
複数の回路領域１７１２は、それぞれが分離領域１７１３に囲まれている。分離領域１７１３と重なる位置に分離線（ダイシングラインともいう。）１７１４が設定される。分離線１７１４に沿って基板１７１１を切断することで、回路領域１７１２を含むチップ１７１５を基板１７１１から切り出すことができる。図３４（Ｂ）にチップ１７１５の拡大図を示す。
また、分離領域１７１３に導電層や半導体層を設けてもよい。分離領域１７１３に導電層や半導体層を設けることで、ダイシング工程時に生じうるＥＳＤを緩和し、ダイシング工程の歩留まり低下を防ぐことができる。また、一般にダイシング工程は、基板の冷却、削りくずの除去、帯電防止などを目的として、炭酸ガスなどを溶解させて比抵抗を下げた純水を切削部に流しながら行われる。分離領域１７１３に導電層や半導体層を設けることで、当該純水の使用量を削減することができる。よって、半導体装置の生産コストを低減することができる。また、半導体装置の生産性を高めることができる。
分離領域１７１３に設ける半導体層としては、バンドギャップが２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下、好ましくは２．７ｅＶ以上３．５ｅＶ以下の材料を用いることが好ましい。このような材料を用いると、蓄積された電荷をゆっくりと放電することができるため、ＥＳＤによる電荷の急激な移動が抑えられ、静電破壊を生じにくくすることができる。
＜電子部品＞
チップ１７１５を電子部品に適用する例について、図３５を用いて説明する。なお、電子部品は、半導体パッケージ、またはＩＣ用パッケージともいう。電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。
チップ１７１５を電子部品に適用する例について、図３５を用いて説明する。なお、電子部品は、半導体パッケージ、またはＩＣ用パッケージともいう。電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。
電子部品は、組み立て工程（後工程）において、上記実施の形態に示した半導体装置と該半導体装置以外の部品が組み合わされて完成する。
図３５（Ａ）に示すフローチャートを用いて、後工程について説明する。前工程において上記実施の形態に示した半導体装置を有する素子基板が完成した後、該素子基板の裏面（半導体装置などが形成されていない面）を研削する「裏面研削工程」を行なう（ステップＳ１７２１）。研削により素子基板を薄くすることで、素子基板の反りなどを低減し、電子部品の小型化を図ることができる。
次に、素子基板を複数のチップ（チップ１７１５）に分離する「ダイシング工程」を行う（ステップＳ１７２２）。そして、分離したチップを個々ピックアップしてリードフレーム上に接合する「ダイボンディング工程」を行う（ステップＳ１７２３）。ダイボンディング工程におけるチップとリードフレームとの接合は、樹脂による接合や、テープによる接合など、適宜製品に応じて適した方法を選択する。なお、リードフレームに代えてインターポーザ基板上にチップを接合してもよい。
次いで、リードフレームのリードとチップ上の電極とを、金属の細線（ワイヤー）で電気的に接続する「ワイヤーボンディング工程」を行う（ステップＳ１７２４）。金属の細線には、銀線や金線を用いることができる。また、ワイヤーボンディングは、ボールボンディングや、ウェッジボンディングを用いることができる。
ワイヤーボンディングされたチップは、エポキシ樹脂などで封止される「封止工程（モールド工程）」が施される（ステップＳ１７２５）。封止工程を行うことで電子部品の内部が樹脂で充填され、チップに内蔵される回路部やチップとリードを接続するワイヤーを機械的な外力から保護することができ、また水分や埃による特性の劣化（信頼性の低下）を低減することができる。
次いで、リードフレームのリードをめっき処理する「リードめっき工程」を行なう（ステップＳ１７２６）。めっき処理によりリードの錆を防止し、後にプリント基板に実装する際のはんだ付けをより確実に行うことができる。次いで、リードを切断および成形加工する「成形工程」を行なう（ステップＳ１７２７）。
次いで、パッケージの表面に印字処理（マーキング）を施す「マーキング工程」を行なう（ステップＳ１７２８）。そして外観形状の良否や動作不良の有無などを調べる「検査工程」（ステップＳ１７２９）を経て、電子部品が完成する。
また、完成した電子部品の斜視模式図を図３５（Ｂ）に示す。図３５（Ｂ）では、電子部品の一例として、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）の斜視模式図を示している。図３５（Ｂ）に示す電子部品１７５０は、リード１７５５および半導体装置１７５３を示している。半導体装置１７５３としては、上記実施の形態に示した半導体装置などを用いることができる。
図３５（Ｂ）に示す電子部品１７５０は、例えばプリント基板１７５２に実装される。このような電子部品１７５０が複数組み合わされて、それぞれがプリント基板１７５２上で電気的に接続されることで電子部品が実装された基板（実装基板１７５４）が完成する。完成した実装基板１７５４は、電子機器などに用いられる。
＜電子機器＞
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図３６に示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図３６に示す。
図３６（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体９０１、筐体９０２、表示部９０３、表示部９０４、マイクロフォン９０５、スピーカー９０６、操作キー９０７、スタイラス９０８等を有する。なお、図３６（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示部９０３と表示部９０４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない。
図３６（Ｂ）は携帯データ端末であり、第１筐体９１１、第２筐体９１２、第１表示部９１３、第２表示部９１４、接続部９１５、操作キー９１６等を有する。第１表示部９１３は第１筐体９１１に設けられており、第２表示部９１４は第２筐体９１２に設けられている。そして、第１筐体９１１と第２筐体９１２とは、接続部９１５により接続されており、第１筐体９１１と第２筐体９１２の間の角度は、接続部９１５により変更が可能である。第１表示部９１３における映像を、接続部９１５における第１筐体９１１と第２筐体９１２との間の角度にしたがって、切り替える構成としてもよい。また、第１表示部９１３および第２表示部９１４の少なくとも一方に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。なお、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。または、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。
図３６（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９２１、表示部９２２、キーボード９２３、ポインティングデバイス９２４等を有する。
図３６（Ｄ）は電気冷凍冷蔵庫であり、筐体９３１、冷蔵室用扉９３２、冷凍室用扉９３３等を有する。
図３６（Ｅ）はビデオカメラであり、第１筐体９４１、第２筐体９４２、表示部９４３、操作キー９４４、レンズ９４５、接続部９４６等を有する。操作キー９４４およびレンズ９４５は第１筐体９４１に設けられており、表示部９４３は第２筐体９４２に設けられている。そして、第１筐体９４１と第２筐体９４２とは、接続部９４６により接続されており、第１筐体９４１と第２筐体９４２の間の角度は、接続部９４６により変更が可能である。表示部９４３における映像を、接続部９４６における第１筐体９４１と第２筐体９４２との間の角度にしたがって切り替える構成としてもよい。
図３６（Ｆ）は乗用車であり、車体９５１、車輪９５２、ダッシュボード９５３、ライト９５４等を有する。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
本実施例では、図５に示す構成のトランジスタ１０について、計算により電気特性を評価した結果について説明する。なお、本実施例のすべての結果において、ドレイン電圧は１．０Ｖ、第２のゲート電極としての機能を有する導電体２０に印加する電位は０．０Ｖとした。活性層となる酸化物１３ｂは、真性半導体のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを仮定し、バンドギャップ３．１５ｅＶ、電子親和力４．４ｅＶとした。ソース電極またはドレイン電極となる導電体１４ａおよび導電体１４ｂの仕事関数は、４．９ｅＶとした。ゲート電極となる導電体１６および導電体２０の仕事関数は、４．６ｅＶとした。
図３７は、チャネル長Ｌ＝３０ｎｍのトランジスタ１０において、スリミング幅が０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍの各場合における相互コンダクタンスｇｍとチャネル幅の関係である。
本実施例においてスリミング幅とは、スリミングを行った酸化物１３ａおよび酸化物１３ｂの、チャネル幅方向の長さをいう。つまり、スリミング幅とは、ソース領域の酸化物１３のチャネル幅方向の長さあるいはドレイン領域の酸化物１３のチャネル幅方向の長さと、チャネル幅との差をいう。なお、図５（Ｂ）に示すように、Ｙ１側と、Ｙ２側の両方から酸化物１３ａおよび酸化物１３ｂがスリミングされているが、スリミング幅とはＹ１側からスリミングされた酸化物１３ａおよび酸化物１３ｂの幅と、Ｙ２側からスリミングされた酸化物１３ａおよび酸化物１３ｂの幅の合計を示す。
また、本実施例においてチャネル幅とは、スリミング後の酸化物１３とゲート電極とが重なる領域の、チャネル幅方向の長さをいう。つまり、例えばチャネル幅３０ｎｍかつスリミング幅１０ｎｍである場合、チャネル幅４０ｎｍの状態から１０ｎｍのスリミングを行い、チャネル幅を３０ｎｍとしたことを意味する。
図３７に示すように、スリミングを行わなかった場合（スリミング幅０ｎｍ）は、計算誤差もあるものの、チャネル幅の減少に伴い相互コンダクタンスの低下が計算上でみられる。一方、スリミングを行った場合はチャネル幅が減少しても相互コンダクタンスが低下しない傾向にある。つまり、スリミングを行わない場合はチャネル幅の減少に伴いオン電流が低下する傾向がある一方で、スリミングを行う場合はチャネル幅が減少してもオン電流が低下しないことが確認された。
図３８は、チャネル長Ｌ＝３０ｎｍのトランジスタ１０において、スリミング幅が０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍの各場合におけるサブスレッショルドスイング値（Ｓ値）とチャネル幅の関係である。図３８に示すように、スリミングの有無およびスリミング幅によらず、チャネル幅の減少によりＳ値が改善した。つまり、スリミングを行った場合は、ソース幅またはドレイン幅が同一のトランジスタを比較すると、Ｓ値が改善することが確認された。
図３９は、チャネル長Ｌ＝３０ｎｍのトランジスタ１０において、チャネル幅Ｗ＝４０ｎｍかつスリミング幅０ｎｍ、チャネル幅Ｗ＝３０ｎｍかつスリミング幅１０ｎｍ、チャネル幅Ｗ＝１０ｎｍかつスリミング幅３０ｎｍの各場合におけるトランジスタ１０のドレイン電流―ゲート電圧特性（ＩＤ−ＶＧ特性）である。図３９に示すように、スリミングによりチャネル幅が小さくなってもオン電流が低下せず、さらにＳ値が改善したことが確認された。
図３７乃至図３９から、スリミングによりチャネル幅を小さくすることにより、スリミングを行わずにチャネル幅を小さくした場合に発生するオン電流の低下を防ぎつつ、Ｓ値を改善することができることが確認された。
１０ トランジスタ
１１ 絶縁体
１２ 絶縁体
１２ａ 絶縁体
１２ｂ 絶縁体
１２ｃ 絶縁体
１３ 酸化物
１３ａ 酸化物
１３ｂ 酸化物
１３ｃ 酸化物
１４ａ 導電体
１４ｂ 導電体
１５ 絶縁体
１６ 導電体
１７ 絶縁体
１９ 酸化物
２０ 導電体
２３ 酸化物
２４ 導電体
１００ 容量素子
１０２ 絶縁体
１１２ 導電体
１１４ 絶縁体
１１６ 導電体
１２０ 絶縁体
１２２ 絶縁体
１２４ 導電体
１２６ 導電体
１２８ 導電体
２１２ 絶縁体
２１４ 絶縁体
２１６ 絶縁体
２１８ 導電体
２４４ 導電体
２８２ 絶縁体
２８４ 絶縁体
３００ トランジスタ
３０１ 基板
３０２ 半導体領域
３０４ 絶縁体
３０６ 導電体
３０８ａ 低抵抗領域
３０８ｂ 低抵抗領域
３２０ 絶縁体
３２２ 絶縁体
３２４ 絶縁体
３２６ 絶縁体
３２８ 導電体
３３０ 導電体
３５０ 絶縁体
３５２ 絶縁体
３５４ 絶縁体
３５６ 導電体
３５８ 導電体
４００ 半導体装置
４０１ ＣＰＵコア
４０２ パワーコントローラ
４０３ パワースイッチ
４０４ キャッシュ
４０５ バスインターフェース
４０６ デバッグインターフェース
４０７ 制御装置
４０８ ＰＣ
４０９ パイプラインレジスタ
４１０ パイプラインレジスタ
４１１ ＡＬＵ
４１２ レジスタファイル
４２１ パワーマネージメントユニット
４２２ 周辺回路
４２３ データバス
５００ 半導体装置
５０１ 記憶回路
５０２ 記憶回路
５０３ 記憶回路
５０４ 回路
５０９ トランジスタ
５１０ トランジスタ
５１２ トランジスタ
５１３ トランジスタ
５１５ トランジスタ
５１７ トランジスタ
５１８ トランジスタ
５１９ 容量素子
５２０ 容量素子
５４０ 配線
５４１ 配線
５４２ 配線
５４３ 配線
５４４ 配線
７００ 基板
７０１ 絶縁体
７０２ 絶縁体
７０３ 酸化物
７０３ａ 酸化物
７０３ｂ 酸化物
７０３ｃ 酸化物
７０４ 導電体
７０５ 導電体
７０５ａ 領域
７０６ 絶縁体
７０７ａ 導電体
７０７ｂ 導電体
７０８ 絶縁体
７１０ 絶縁体
７１４ａ 導電体
７１４ｂ 絶縁体
７１４ｃ 導電体
７１６ 絶縁体
７１９ 発光素子
７２０ 絶縁体
７２１ 絶縁体
７３１ 端子
７３２ ＦＰＣ
７３３ 配線
７３４ シール材
７３５ 駆動回路
７３６ 駆動回路
７３７ 画素
７４１ トランジスタ
７４２ 容量素子
７４３ スイッチ素子
７４４ 信号線
７５０ 基板
７５１ トランジスタ
７５２ 容量素子
７５３ 液晶素子
７５４ 走査線
７５５ 信号線
７８１ 導電体
７８２ 発光層
７８３ 導電体
７８４ 隔壁
７９１ 導電体
７９２ 絶縁体
７９３ 液晶層
７９４ 絶縁体
７９５ スペーサ
７９６ 導電体
７９７ 基板
９０１ 筐体
９０２ 筐体
９０３ 表示部
９０４ 表示部
９０５ マイクロフォン
９０６ スピーカー
９０７ 操作キー
９０８ スタイラス
９１１ 筐体
９１２ 筐体
９１３ 表示部
９１４ 表示部
９１５ 接続部
９１６ 操作キー
９２１ 筐体
９２２ 表示部
９２３ キーボード
９２４ ポインティングデバイス
９３１ 筐体
９３２ 冷蔵室用扉
９３３ 冷凍室用扉
９４１ 筐体
９４２ 筐体
９４３ 表示部
９４４ 操作キー
９４５ レンズ
９４６ 接続部
９５１ 車体
９５２ 車輪
９５３ ダッシュボード
９５４ ライト
１７１１ 基板
１７１２ 回路領域
１７１３ 分離領域
１７１４ 分離線
１７１５ チップ
１７５０ 電子部品
１７５２ プリント基板
１７５３ 半導体装置
１７５４ 実装基板
１７５５ リード
２２００ 撮像装置
２２０１ スイッチ
２２０２ スイッチ
２２０３ スイッチ
２２１０ 画素部
２２１１ 画素
２２１２ 副画素
２２１２Ｂ 副画素
２２１２Ｇ 副画素
２２１２Ｒ 副画素
２２２０ 光電変換素子
２２３０ 画素回路
２２３１ 配線
２２４７ 配線
２２４８ 配線
２２４９ 配線
２２５０ 配線
２２５３ 配線
２２５４ フィルタ
２２５４Ｂ フィルタ
２２５４Ｇ フィルタ
２２５４Ｒ フィルタ
２２５５ レンズ
２２５６ 光
２２５７ 配線
２２６０ 周辺回路
２２７０ 周辺回路
２２８０ 周辺回路
２２９０ 周辺回路
２２９１ 光源
２３００ シリコン基板
２３１０ 層
２３２０ 層
２３３０ 層
２３４０ 層
２３５１ トランジスタ
２３５２ トランジスタ
２３５３ トランジスタ
２３６０ フォトダイオード
２３６１ アノード
２３６３ 低抵抗領域
２３７０ プラグ
２３７１ 配線
２３７２ 配線
２３７３ 配線
２３７９ 絶縁体
２３８０ 絶縁体
２３８１ 絶縁体
２３９０ａ 導電体
２３９０ｂ 導電体
２３９０ｃ 導電体
２３９０ｄ 導電体
２３９０ｅ 導電体
３００１ 配線
３００２ 配線
３００３ 配線
３００４ 配線
３００５ 配線
１１ 絶縁体
１２ 絶縁体
１２ａ 絶縁体
１２ｂ 絶縁体
１２ｃ 絶縁体
１３ 酸化物
１３ａ 酸化物
１３ｂ 酸化物
１３ｃ 酸化物
１４ａ 導電体
１４ｂ 導電体
１５ 絶縁体
１６ 導電体
１７ 絶縁体
１９ 酸化物
２０ 導電体
２３ 酸化物
２４ 導電体
１００ 容量素子
１０２ 絶縁体
１１２ 導電体
１１４ 絶縁体
１１６ 導電体
１２０ 絶縁体
１２２ 絶縁体
１２４ 導電体
１２６ 導電体
１２８ 導電体
２１２ 絶縁体
２１４ 絶縁体
２１６ 絶縁体
２１８ 導電体
２４４ 導電体
２８２ 絶縁体
２８４ 絶縁体
３００ トランジスタ
３０１ 基板
３０２ 半導体領域
３０４ 絶縁体
３０６ 導電体
３０８ａ 低抵抗領域
３０８ｂ 低抵抗領域
３２０ 絶縁体
３２２ 絶縁体
３２４ 絶縁体
３２６ 絶縁体
３２８ 導電体
３３０ 導電体
３５０ 絶縁体
３５２ 絶縁体
３５４ 絶縁体
３５６ 導電体
３５８ 導電体
４００ 半導体装置
４０１ ＣＰＵコア
４０２ パワーコントローラ
４０３ パワースイッチ
４０４ キャッシュ
４０５ バスインターフェース
４０６ デバッグインターフェース
４０７ 制御装置
４０８ ＰＣ
４０９ パイプラインレジスタ
４１０ パイプラインレジスタ
４１１ ＡＬＵ
４１２ レジスタファイル
４２１ パワーマネージメントユニット
４２２ 周辺回路
４２３ データバス
５００ 半導体装置
５０１ 記憶回路
５０２ 記憶回路
５０３ 記憶回路
５０４ 回路
５０９ トランジスタ
５１０ トランジスタ
５１２ トランジスタ
５１３ トランジスタ
５１５ トランジスタ
５１７ トランジスタ
５１８ トランジスタ
５１９ 容量素子
５２０ 容量素子
５４０ 配線
５４１ 配線
５４２ 配線
５４３ 配線
５４４ 配線
７００ 基板
７０１ 絶縁体
７０２ 絶縁体
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７０３ａ 酸化物
７０３ｂ 酸化物
７０３ｃ 酸化物
７０４ 導電体
７０５ 導電体
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７０６ 絶縁体
７０７ａ 導電体
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７０８ 絶縁体
７１０ 絶縁体
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７１４ｂ 絶縁体
７１４ｃ 導電体
７１６ 絶縁体
７１９ 発光素子
７２０ 絶縁体
７２１ 絶縁体
７３１ 端子
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７３４ シール材
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７３６ 駆動回路
７３７ 画素
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７４２ 容量素子
７４３ スイッチ素子
７４４ 信号線
７５０ 基板
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７５２ 容量素子
７５３ 液晶素子
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７５５ 信号線
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７８２ 発光層
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７９１ 導電体
７９２ 絶縁体
７９３ 液晶層
７９４ 絶縁体
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７９６ 導電体
７９７ 基板
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９５４ ライト
１７１１ 基板
１７１２ 回路領域
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１７１４ 分離線
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１７５０ 電子部品
１７５２ プリント基板
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１７５５ リード
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２３８１ 絶縁体
２３９０ａ 導電体
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２３９０ｃ 導電体
２３９０ｄ 導電体
２３９０ｅ 導電体
３００１ 配線
３００２ 配線
３００３ 配線
３００４ 配線
３００５ 配線
Claims (7)
- 酸化物と、
前記酸化物上の第１の絶縁体と、
前記酸化物上の第１の導電体と
前記酸化物上の第２の導電体と、
前記第１の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
前記第３の導電体の側面は前記第１の絶縁体と接し、
前記酸化物は、前記第１の導電体と重なる領域を有するソース領域と、前記第２の導電体と重なる領域を有するドレイン領域と、前記第３の導電体と重なる領域を有するチャネル領域と、を有し、
前記チャネル領域における前記酸化物のチャネル幅方向の長さは、前記ソース領域および前記ドレイン領域における前記酸化物のチャネル幅方向の長さよりも小さいことを特徴とするトランジスタ。 - 請求項１において、
前記チャネル領域における前記酸化物のチャネル幅方向の長さは、
前記ソース領域における前記酸化物のチャネル幅方向の長さおよび、前記ドレイン領域における前記酸化物のチャネル幅方向の長さより１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下小さいことを特徴とするトランジスタ。 - 請求項１において、
前記酸化物は、
Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有することを特徴とするトランジスタ。 - 酸化物を形成し、
前記酸化物の上面を覆うように導電体を形成し、
前記酸化物の側面と、前記導電体の上面および側面と、を覆うように絶縁体を形成し、
前記絶縁体の一部をエッチングすることにより開口部を設け、前記導電体の上面の一部と、前記導電体の側面の一部と、前記酸化物の側面の一部と、を露出させ、
露出させた前記酸化物の側面をエッチングすることによりスリミングを行うことを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 請求項４において、
露出させた前記酸化物の側面はウェットエッチングによりエッチングすることを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 請求項１乃至３のいずれか一に記載の前記トランジスタを複数個有し、ダイシング用の領域を有する半導体ウエハ。
- 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の前記トランジスタを有する半導体装置と、表示部と、を有する電子機器。
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| JP2003203882A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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