JPWO2017134825A1 - 直流遮断器 - Google Patents

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Abstract

自励式の直流送電系統に適用される直流遮断器(10)であって、直列接続された高速遮断器(20)および低速遮断器(30)を備え、高速遮断器(20)は、直流線路(1)で事故が発生した場合に直流線路(1)に流れる直流電流を遮断する高速遮断器遮断部(21)と、高速遮断器遮断部(21)に並列に接続された限流素子(22)と、を備え、低速遮断器(30)は、直流線路(1)で事故が発生した場合に直流線路(1)に流れる直流電流を遮断する低速遮断器遮断部(31)、を備え、高速遮断器遮断部(21)が直流電流を遮断する際の所要時間は、低速遮断器遮断部(31)が直流電流を遮断する際の所要時間よりも短く、低速遮断器遮断部(31)は、限流素子(22)に印加される電圧が系統で許容される最低電圧未満となる前に遮断を完了する。

Description

本発明は、直流電流を遮断する直流遮断器に関する。
自励式変換器を適用した自励式直流送電は、弱小系統および交流電源のない地点にも接続可能であることなどの利点を持つことから、世界的にも適用が広がっている。3地点間以上を接続する多端子自励式直流送電系統においては、事故線路を選択して遮断するために直流遮断器の適用が必須となる。
直流遮断器の方式としては、コンデンサとリアクトルからなる共振回路を遮断部と並列に接続し、直流電流を遮断する必要性が生じると、予め充電されたコンデンサの電荷を放電することによりリアクトルとの共振性電流を直流電流に重畳することで電流零点を形成する強制消弧方式が存在する(特許文献1参照)。また、他の方式として、コンデンサとリアクトルからなる共振回路を遮断部と並列に接続し、アークと共振回路の相互作用に基づく自励発振現象により電流零点を形成する自励振動方式も存在する(特許文献2参照)。
また、自己消弧能力を持つIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を多数直並列し、これらで直流電流を遮断する方式も提案されている(特許文献3参照)。
特開2004−171849号公報 特開平9−50743号公報 特開2015−79699号公報
自励式直流送電においては、直流線路の事故発生時にも健全線路は運転を継続すべく、直流電圧が一定の閾値以下に低下するまでに事故を除去する必要がある。しかしながら、特許文献1,2に記載された直流遮断器、具体的には、遮断部に従来のガス遮断器を適用した直流遮断器は、高速動作を想定しておらず、系統の直流電圧が閾値以下に達するまでに遮断を行うことが困難であるという課題があった。これに対して、特許文献3に記載された直流遮断器は遮断部に半導体素子を適用した構成であるため高速動作が可能である。しかしながら、高電圧に対応させるためには半導体素子を多数直並列した構成とする必要があるために、高コスト化が避けられないという課題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、機器の高コスト化を回避しつつ、事故時の系統電圧低下を防ぐことが可能な直流遮断器を得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、自励式の直流送電系統に適用される直流遮断器であって、直列接続された高速遮断器および低速遮断器を備える。高速遮断器は、直流線路で事故が発生した場合に直流線路に流れる直流電流を遮断する高速遮断器遮断部と、高速遮断器遮断部に並列に接続された限流素子と、を備える。低速遮断器は、直流線路で事故が発生した場合に直流線路に流れる直流電流を遮断する低速遮断器遮断部を備える。また、高速遮断器遮断部が直流電流を遮断する際の所要時間は、低速遮断器遮断部が直流電流を遮断する際の所要時間よりも短く、低速遮断器遮断部は、限流素子に印加される電圧が系統で許容される最低電圧未満となる前に遮断を完了する。
本発明によれば、機器の高コスト化を回避しつつ、事故時の系統電圧低下を防ぐことが可能な直流遮断器を実現できる、という効果を奏する。
実施の形態1にかかる直流遮断器の構成例を示す図 実施の形態1にかかる直流遮断器を適用する直流送電系統の直流線路の電圧および直流線路に流れる電流の波形を示す図 実施の形態2にかかる直流遮断器を適用する直流送電系統の直流線路の電圧および直流線路に流れる電流の波形を示す図 実施の形態3にかかる直流遮断器の構成例を示す図 実施の形態5にかかる直流遮断器の構成例を示す図
以下に、本発明の実施の形態にかかる直流遮断器を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1にかかる直流遮断器の構成例を示す図である。本実施の形態にかかる直流遮断器10は、直列接続された高速遮断器20および低速遮断器30を備える。
高速遮断器20は、直流線路1に挿入され、定常時において直流電流の流路となる高速遮断器遮断部21と、高速遮断器遮断部21に並列接続された限流素子22とを備える。限流素子22としては避雷器が該当する。
低速遮断器30は、直流線路1に挿入され、定常時において直流電流の流路となる低速遮断器遮断部31を備える。
高速遮断器20の高速遮断器遮断部21および低速遮断器30の低速遮断器遮断部31は、直流線路1において事故が発生すると、すなわち、直流線路1に流れる電流が事故発生と判断するための規定値を超えると、開極動作を実行して直流線路1を開放し、事故電流である直流電流を遮断する。直流線路1に流れる電流が規定値を超えたか否かの判断は、図示を省略している制御装置が直流線路1に設けられた変流器(図示せず)による電流検出値を監視することにより行う。事故発生の検知方法は一例であり、他の方法、具体的には、直流電流の変化量すなわち変化速度、直流線路1の電圧、などに基づいて検知してもよい。制御装置は、直流線路1に流れる電流が規定値を超えたことを検知すると、高速遮断器遮断部21および低速遮断器遮断部31に対して開極を指示する。制御装置は高速遮断器20および低速遮断器30の外部に存在する構成としてもよいし、高速遮断器20および低速遮断器30の各々の内部に存在する構成としてもよい。
高速遮断器遮断部21の遮断速度、すなわち開極動作を開始してから直流電流を遮断するまでの所要時間は、低速遮断器遮断部31の遮断速度よりも速い。
一般的に、遮断速度が速い遮断器は、高耐圧化を実現する場合、同じ耐圧の遮断速度が遅い遮断器と比較してコストが高くなる。
つづいて、本実施の形態にかかる直流遮断器10の動作について、図2を参照しながら説明する。図2は、直流遮断器10を適用する直流送電系統の直流線路の電圧VDCおよび直流線路に流れる電流IDCの波形を示す図である。図2の上段は電圧VDCを示し、下段は電流IDCを示す。なお、電圧VDCは直流遮断器10よりも電源側の直流線路1、すなわち、電源から直流遮断器10までの直流線路1の電圧である。横軸は時刻を示し、縦軸は電圧VDCまたは電流IDCを示す。また、図2において、実線は直流遮断器10を適用した場合の電圧VDCの波形または電流IDCの波形を示し、破線は直流遮断器10を適用しない場合の波形を示す。図2は、時刻tfにおいて事故が発生した場合の波形を示している。
時刻tにおいて、直流線路1で事故が発生すると、直流電圧VDCは急激に低下を開始し、同時に直流電流IDCは急激に上昇を開始する。実施の形態1にかかる直流遮断器10は、事故を検知すると、高速遮断器20および低速遮断器30の遮断動作、すなわち高速遮断器遮断部21および低速遮断器遮断部31の開極を開始する。開極を開始後、まず、時刻tCBfにおいて高速遮断器20の高速遮断器遮断部21による事故電流の遮断が完了し、高速遮断器20においては、事故電流が限流素子22に転流する。これにより、事故電流が制限され、直流電圧VDCの低下速度を緩和することができる。その後、直流電圧VDCが系統で許容される最低電圧閾値VDCmin未満に達する前の時刻tCBsにおいて低速遮断器30の低速遮断器遮断部31による遮断が完了して事故電流が急激に減少し、時刻tcにおいて事故を完全に除去して電流IDCがゼロになる。このように、高速遮断器20による遮断が完了した後に直流線路1に印加される電圧の遮断は低速遮断器30が担う。
以上のように、本実施の形態にかかる直流遮断器は、高耐圧化は難しいが遮断速度が速い高速遮断器20と、遮断速度は遅いが高耐圧化が容易な低速遮断器30とを直列に接続した構成としている。本実施の形態にかかる直流遮断器においては、高速遮断器20は過度な耐圧を要求されることはない。また低速遮断器30は動作時間責務および遮断電流波高値が大幅に軽減される。すなわち高速遮断器20および低速遮断器30の各遮断器の責務を大幅に緩和し、直流遮断器全体として安価に構成することが出来る。さらに、直流送電系統からの要求を満たすこと、すなわち直流電圧VDCが最低電圧閾値VDCmin以下となる前に事故を除去することが出来る。
実施の形態2.
図3を使用して実施の形態2の直流遮断器について説明する。図3は、実施の形態2にかかる直流遮断器を適用する直流送電系統の直流線路の電圧VDCおよび直流線路に流れる電流IDCの波形を示す図である。実施の形態2にかかる直流遮断器の構成は実施の形態1と同様とする。図3においては、図2と同様に、上段に電圧VDCを示し、下段に電流IDCを示す。横軸は時刻を示す。図3において、Vlimは高速遮断器20の高速遮断器遮断部21による遮断すなわち開極動作が完了した後に限流素子22に印加される電圧である。
実施の形態2にかかる直流遮断器10においては、高速遮断器20の遮断後、限流素子22に印加される電圧Vlimが、系統が許容する最低電圧閾値VDCmin以上になるよう、限流素子22のインピーダンスが設定されていることを特徴とする。このように限流素子22のインピーダンスを設定することで、高速遮断器20の遮断後どれほどの時間が経過したとしても、直流電圧VDCは系統が許容する最低電圧閾値VDCmin以下になることがなくなる。一方、実施の形態1にかかる直流遮断器10においては、限流素子22のインピーダンスについて限定していなかったため、インピーダンスの設定値によっては、高速遮断器20を遮断した後、時間の経過とともに直流電圧VDCが最低電圧閾値VDCmin以下になってしまう可能性があり、直流電圧VDCが最低電圧閾値VDCmin以下となる前に低速遮断器30が遮断動作を完了する必要がある。
以上のように、実施の形態2の直流遮断器においては、高速遮断器20の限流素子22のインピーダンスを、高速遮断器遮断部21を遮断した後の直流線路1の電圧VDCが系統で許容される最低電圧閾値VDCmin以上を維持可能な値に設定することとした。これにより、実施の形態2の直流遮断器の低速遮断器30は、系統の電圧低下からの動作時間要求を考慮しなくともよく、実施の形態1と比較して、低速遮断器30の責務をさらに緩和することができる。
実施の形態3.
図4は、実施の形態3にかかる直流遮断器の構成例を示す図である。実施の形態3にかかる直流遮断器10aは、実施の形態1または2で説明した直流遮断器10の高速遮断器20を強制消弧方式の遮断器である高速遮断器20aとし、低速遮断器30を自励振動方式の遮断器である低速遮断器30aとしたものである。なお、図4では、実施の形態1,2の直流遮断器10と共通の構成要素に同じ符号を付している。
強制消弧方式の遮断器とは、予め充電されたコンデンサの電荷を放電することによりリアクトルとの共振性電流を直流電流に重畳して電流零点を形成する遮断器である。自励振動方式の遮断器とは、アークと共振回路の相互作用に基づく自励発振現象により電流零点を形成する遮断器である。
高速遮断器20aは、高速遮断器遮断部21、限流素子22、高速スイッチ23、コンデンサ24およびリアクトル25を備える。
高速遮断器20aにおいて、共振性電流を生成するための共振回路は、直列回路すなわち直列接続された高速スイッチ23、コンデンサ24およびリアクトル25と、この直列回路に並列接続された限流素子22とにより構成される。また、共振回路と高速遮断器遮断部21とは並列接続されている。コンデンサ24は図示されていない充電装置もしくは直流線路1から供給される直流電圧により常に充電されている。高速遮断器20aにおいては、高速スイッチ23の投入後、コンデンサ24からの放電電流により、極短時間のうちに、具体的には数10μsオーダーで電流零点が形成される。すなわち、高速遮断器20aは高速な遮断が可能である。高速スイッチ23を投入するタイミングは、高速遮断器遮断部21が開極動作を開始するタイミングと同じとしてもよいし、開極動作の所要時間を考慮し、高速遮断器遮断部21が開極動作を開始するタイミングよりも遅くしてもよい。高速スイッチ23を投入するタイミングを高速遮断器遮断部21が開極動作を開始するタイミングよりも遅くする場合、高速遮断器遮断部21の開極動作が終了する前に高速スイッチを投入することが望ましい。
一方、低速遮断器30aは、低速遮断器遮断部31、限流素子32、コンデンサ33およびリアクトル34を備える。
低速遮断器30aにおいては、直列接続されたコンデンサ33およびリアクトル34と、これに並列接続された限流素子32とが共振回路を構成している。共振回路と低速遮断器遮断部31とは並列接続されている。低速遮断器30aにおいては、低速遮断器遮断部31の開極後、電流が拡大振動して零点を形成するまでの時間すなわち直流電流を遮断するまでの所要時間が数10msオーダーとなる。しかしながら、低速遮断器30aは、上述した高速遮断器20aで必要な、コンデンサ24の充電装置および高速スイッチ23が不要であり、単純かつ安価に構成可能である。
自励式直流送電の電圧クラスに適用する直流遮断器は、高速遮断、具体的には事故発生から10ms程度での遮断性能が要求される。ここで、強制消弧方式の直流遮断器は高速遮断が可能であり、遮断速度の面では要求を満たすことが可能である。しかし、要求される耐圧性能を強制消弧方式の直流遮断器のみで実現しようとすると、現状存在する高電圧クラスの機械式遮断器でこれを実現することは非常に困難であり、また、実現できたとしても高コスト化が避けられない。一方、自励振動方式の直流遮断器は、電流の拡大振動現象により零点を形成するため、自励式直流送電で要求される高速遮断が困難である。また波高値の大きな直流電流に対する遮断可否は現状確認が出来ていない。
しかし、本実施の形態にかかる直流遮断器10aは、高速遮断器20aおよび低速遮断器30aを備えた構成としたため、高速遮断器20aとして電圧クラスすなわち耐圧を低減した強制消弧方式を適用することで高速動作を可能とし、一方で低速遮断器30aとして自励振動方式を適用することで、高電圧クラスの付帯機器の点数を減らして低コスト化を図りつつ高速遮断器20aで遮断しきれない事故電流を遮断することができる。また、低速遮断器遮断部31は高速動作を要求されることがないので、規模を低減できる。また、低速遮断器30aの低速遮断器遮断部31が遮断すべき電流は限流素子32によって大幅に低減されており、低速遮断器遮断部31でも遮断が可能となる。
以上のように、本実施の形態にかかる直流遮断器によれば、系統からの高速遮断要求を満たしつつ、直流遮断器全体の規模を低減することができる。
なお、本実施の形態では、実施の形態1または2で説明した直流遮断器10の高速遮断器20を強制消弧方式の直流遮断器である高速遮断器20a、低速遮断器30を自励振動方式の直流遮断器である低速遮断器30aとした構成の直流遮断器10aを説明した。しかしながら、この構成に限定するものではない。実施の形態1または2で説明した直流遮断器10において、高速遮断器20を強制消弧方式の直流遮断器である高速遮断器20aとし、かつ低速遮断器30を自励振動方式以外の直流遮断器としてもよい。また、高速遮断器20を強制消弧方式以外の直流遮断器とし、かつ低速遮断器30を自励振動方式の直流遮断器である低速遮断器30aとしてもよい。
実施の形態4.
実施の形態4にかかる直流遮断器について説明する。なお、実施の形態4にかかる直流遮断器の構成は図4に示した実施の形態3にかかる直流遮断器10aと同様である。
本実施の形態にかかる直流遮断器10aは、実施の形態3にかかる直流遮断器10aにおいて、高速遮断器20aの高速遮断器遮断部21を真空遮断器としたものである。すなわち、本実施の形態にかかる直流遮断器10aは、高速遮断器20aの高速遮断器遮断部21を強制消弧方式の真空遮断器としたものである。
強制消弧方式はコンデンサとリアクトルの共振電流を直流電流に重畳することで電流零点を形成する方式であるため、この方式を適用した高速遮断器20aが遮断すべき電流の峻度はコンデンサ24の静電容量値およびリアクトル25のインダクタンス値によって決まる。コンデンサ24およびリアクトル25の規模を低減しようとすると、コンデンサ24およびリアクトル25が形成している共振回路より発生する共振電流の周波数が高くなり、遮断電流の峻度が大きくなる。そこで高速遮断器遮断部21に真空遮断器を適用することで、峻度の大きい電流を遮断することが可能となり、結果的に高速遮断器20aのコンデンサ24およびリアクトル25の規模すなわち静電容量値およびインダクタンス値を低減することが可能となる。
一方、自励振動方式の低速遮断器30aについてはガス遮断器を適用することが可能である。低速遮断器30aは高耐圧を要求されるため、真空遮断器と比較して高い耐圧性能を持つガス遮断器を使用して低速遮断器30aの低速遮断器遮断部31を構成することで、容易に高耐圧を実現できる。
以上のように、本実施の形態にかかる直流遮断器では、高速遮断器20aの高速遮断器遮断部21に真空遮断器を適用し、低速遮断器30aの低速遮断器遮断部31にガス遮断器をそれぞれ適用することとした。これにより、直流遮断器の規模および責務を緩和することができる。
なお、本実施の形態では、高速遮断器20aの高速遮断器遮断部21を真空遮断器、低速遮断器30aの低速遮断器遮断部31をガス遮断器とした構成の直流遮断器10aを説明した。しかしながら、この構成に限定するものではない。直流遮断器10aにおいて、高速遮断器20aの高速遮断器遮断部21を真空遮断器とし、かつ低速遮断器30aの低速遮断器遮断部31をガス遮断器以外の方式としてもよい。また、高速遮断器20aの高速遮断器遮断部21を真空遮断器以外の方式とし、かつ低速遮断器30aの低速遮断器遮断部31をガス遮断器としてもよい。
実施の形態5.
図5は、実施の形態5にかかる直流遮断器の構成例を示す図である。本実施の形態にかかる直流遮断器10bは、実施の形態3または4にかかる直流遮断器10aの高速遮断器20aを高速遮断器20bとしたものである。
高速遮断器20bは、実施の形態1にかかる直流遮断器10の高速遮断器20において、高速遮断器遮断部21を高速遮断器遮断部26としたものである。低速遮断器30aは実施の形態3または4で説明した直流遮断器10aの低速遮断器30aと同様であるため説明を省略する。
高速遮断器遮断部26は、半導体スイッチを組み合わせて形成した半導体遮断器、もしくは、半導体スイッチと機械式スイッチとを組み合わせて形成した半導体遮断器であり、半導体スイッチを自己消弧型半導体素子とする。自己消弧型半導体素子としてはIGBTを使用可能であるがこれに限定するものではない。
自己消弧型半導体素子を使用した半導体遮断器は、直流電流を遮断可能である。しかしながら、現状、自己消弧型半導体素子の電圧クラスは数kV程度である。そのため、直流送電系統に適用する直流遮断器を半導体遮断器のみで実現するためには数100個もの自己消弧型半導体素子を直列接続する必要があり、コストアップおよびスイッチング損失の増大が課題となる。
一方、本実施の形態にかかる直流遮断器10bは、高速遮断器20bおよび低速遮断器30aにより直流線路1に流れる直流電流を遮断する構成としている。そのため、高速遮断器20bとして半導体遮断器を用いたとしても、その電圧クラスを直流送電系統の定格電圧より低減することが可能であり、使用する自己消弧型半導体素子の数を低減できる。よって、半導体遮断器である高速遮断器遮断部26のコスト、および高速遮断器遮断部26におけるスイッチング損失を低減することが可能である。
また、低速遮断器30aには自励振動方式の遮断器を適用しているため、先述の通り装置規模およびコストを低減することが可能である。
以上のように、本実施の形態にかかる直流遮断器は、高速遮断器20bに半導体遮断器を適用し、低速遮断器30aに自励振動方式の直流遮断器を適用したので、系統からの高速遮断要求を満たしつつ、直流遮断器全体の規模を低減することができる。
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
1 直流線路、10,10a,10b 直流遮断器、20,20a,20b 高速遮断器、21,26 高速遮断器遮断部、22,32 限流素子、23 高速スイッチ、24,33 コンデンサ、25,34 リアクトル、30,30a 低速遮断器、31 低速遮断器遮断部。
時刻tにおいて、直流線路1で事故が発生すると、直流電圧VDCは急激に低下を開始し、同時に直流電流IDCは急激に上昇を開始する。実施の形態1にかかる直流遮断器10は、事故を検知すると、高速遮断器20および低速遮断器30の遮断動作、すなわち高速遮断器遮断部21および低速遮断器遮断部31の開極を開始する。開極を開始後、まず、時刻tCBfにおいて高速遮断器20の高速遮断器遮断部21による事故電流の遮断が完了し、高速遮断器20においては、事故電流が限流素子22に転流する。これにより、事故電流が制限され、直流電圧VDCの低下速度を緩和することができる。その後、直流電圧VDCが系統の運転継続に必要な最低電圧閾値VDCmin未満に達する前の時刻tCBsにおいて低速遮断器30の低速遮断器遮断部31による遮断が完了して事故電流が急激に減少し、時刻tcにおいて事故を完全に除去して電流IDCがゼロになる。このように、高速遮断器20による遮断が完了した後に直流線路1に印加される電圧の遮断は低速遮断器30が担う。
実施の形態2にかかる直流遮断器10においては、高速遮断器20の遮断後、限流素子22に印加される電圧Vlimが、系統の運転継続に必要な最低電圧閾値VDCmin以上になるよう、限流素子22のインピーダンスが設定されていることを特徴とする。このように限流素子22のインピーダンスを設定することで、高速遮断器20の遮断後どれほどの時間が経過したとしても、直流電圧VDCは系統が許容する最低電圧閾値VDCmin以下になることがなくなる。一方、実施の形態1にかかる直流遮断器10においては、限流素子22のインピーダンスについて限定していなかったため、インピーダンスの設定値によっては、高速遮断器20を遮断した後、時間の経過とともに直流電圧VDCが最低電圧閾値VDCmin以下になってしまう可能性があり、直流電圧VDCが最低電圧閾値VDCmin以下となる前に低速遮断器30が遮断動作を完了する必要がある。
以上のように、実施の形態2の直流遮断器においては、高速遮断器20の限流素子22のインピーダンスを、高速遮断器遮断部21を遮断した後の直流線路1の電圧VDCが系統の運転継続に必要な最低電圧閾値VDCmin以上を維持可能な値に設定することとした。これにより、実施の形態2の直流遮断器の低速遮断器30は、系統の電圧低下からの動作時間要求を考慮しなくともよく、実施の形態1と比較して、低速遮断器30の責務をさらに緩和することができる。

Claims (8)

  1. 自励式の直流送電系統に適用される直流遮断器であって、
    直列接続された高速遮断器および低速遮断器を備え、
    前記高速遮断器は、
    直流線路で事故が発生した場合に前記直流線路に流れる直流電流を遮断する高速遮断器遮断部と、
    前記高速遮断器遮断部に並列に接続された限流素子と、
    を備え、
    前記低速遮断器は、
    前記直流線路で事故が発生した場合に前記直流線路に流れる直流電流を遮断する低速遮断器遮断部、
    を備え、
    前記高速遮断器遮断部が前記直流電流を遮断する際の所要時間は、前記低速遮断器遮断部が前記直流電流を遮断する際の所要時間よりも短く、
    前記低速遮断器遮断部は、前記限流素子に印加される電圧が系統で許容される最低電圧未満となる前に遮断を完了する、
    ことを特徴とする直流遮断器。
  2. 前記限流素子のインピーダンスは、前記高速遮断器遮断部が前記直流電流を遮断した後に前記限流素子に印加される電圧が系統で許容される最低電圧以上を維持可能な値であることを特徴とする請求項1に記載の直流遮断器。
  3. 前記高速遮断器を強制消弧方式の直流遮断器とすることを特徴とする請求項1に記載の直流遮断器。
  4. 前記低速遮断器を自励振動方式の直流遮断器とすることを特徴とする請求項1に記載の直流遮断器。
  5. 前記高速遮断器遮断部を真空遮断器とすることを特徴とする請求項3に記載の直流遮断器。
  6. 前記低速遮断器遮断部をガス遮断器とすることを特徴とする請求項4に記載の直流遮断器。
  7. 前記高速遮断器を、自己消弧型半導体素子を組み合わせて形成した半導体遮断器とすることを特徴とする請求項1に記載の直流遮断器。
  8. 前記高速遮断器を、自己消弧型半導体素子と機械式スイッチとを組み合わせて形成した半導体遮断器とすることを特徴とする請求項1に記載の直流遮断器。
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