JPWO2017130952A1 - Method of manufacturing semiconductor package and release film for manufacturing process of semiconductor package - Google Patents

Method of manufacturing semiconductor package and release film for manufacturing process of semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
JPWO2017130952A1
JPWO2017130952A1 JP2017531418A JP2017531418A JPWO2017130952A1 JP WO2017130952 A1 JPWO2017130952 A1 JP WO2017130952A1 JP 2017531418 A JP2017531418 A JP 2017531418A JP 2017531418 A JP2017531418 A JP 2017531418A JP WO2017130952 A1 JPWO2017130952 A1 JP WO2017130952A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
mold
release film
resin
semiconductor package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017531418A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6902273B2 (en
Inventor
真史 山本
真史 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unitika Ltd
Original Assignee
Unitika Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Unitika Ltd filed Critical Unitika Ltd
Publication of JPWO2017130952A1 publication Critical patent/JPWO2017130952A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6902273B2 publication Critical patent/JP6902273B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/68Release sheets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/22Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • H01L21/566Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

半導体パッケージの製造方法である。パッケージされる素子25を設置した金型11における、パッケージ製造用の熱硬化性樹脂27が充填されるキャビティ14面に離型フィルム21を配置したうえで、金型11内に熱硬化性樹脂27を充填する。このとき、離型フィルム21として、キャビティ14面側に配置される基材フィルムと熱硬化性樹脂側に配置される剥離用樹脂とが積層された積層フィルムが用いられる。基材フィルムとして、融点を金型設定温度以上に2点以上有する延伸ポリエステルフィルムが用いられる。It is a manufacturing method of a semiconductor package. In the mold 11 in which the element 25 to be packaged is installed, the release film 21 is disposed on the cavity 14 surface to be filled with the thermosetting resin 27 for package production, and then the thermosetting resin 27 is placed in the mold 11. Fill. At this time, as the release film 21, a laminated film in which a base film disposed on the cavity 14 surface side and a peeling resin disposed on the thermosetting resin side are laminated is used. As a base film, a stretched polyester film having a melting point at two or more points above a mold set temperature is used.

Description

本発明は半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージの製造工程用離型フィルムに関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor package and a release film for manufacturing a semiconductor package.

半導体パッケージの製造分野では、半導体素子(チップ)を汚染物質、外気、衝撃、光、磁気、高周波などの外部環境から保護、遮断するために、樹脂(モールド樹脂)で封止する。モールド樹脂としては、例えばエポキシ等の硬化性樹脂が一般的である。封止を行う際に、他の分野と比較して金型の絞りは浅くなるが、金型内は高温、高圧の環境となる。   In the field of semiconductor package manufacturing, a semiconductor element (chip) is sealed with a resin (mold resin) in order to protect and shield it from external environments such as contaminants, ambient air, impact, light, magnetism, high frequency and the like. As the mold resin, for example, a curable resin such as epoxy is generally used. When sealing is performed, although the contraction of the mold is shallow compared to other fields, the inside of the mold has a high temperature and high pressure environment.

半導体封止工程には、一般的に、トランスファーモールド工程、コンプレッションモールド工程などがある。   The semiconductor sealing process generally includes a transfer molding process, a compression molding process, and the like.

トランスファーモールド工程を例にその工程を説明すると、配線済み集積回路が組み込まれた半導体素子を金型上に置き、さらに上から別の金型をセットして、高圧力で締め、その後、エポキシ樹脂を流し込み、樹脂が硬化してから金型を開け、成型品を取り出し、金型の内面をクリーニングする工程である。このクリーニングする工程で封止工程が終了する。   The process will be described by taking the transfer molding process as an example. A semiconductor element incorporating a wired integrated circuit is placed on a mold, another mold is set from above, and high pressure is tightened, and then an epoxy resin The resin is cured, the mold is opened, the molded product is taken out, and the inner surface of the mold is cleaned. The sealing process is completed in the cleaning process.

金型の内面をクリーニングするのは、半導体封止工程では、高温で繰り返し封止・成型を行うと、硬化性樹脂により金型が汚染され、それによって、成型性が低下したり、製品品質の低下による歩留まりの低下が発生したりするためである。   The inner surface of the mold is cleaned by repeated sealing and molding at a high temperature in the semiconductor sealing process, which causes the mold to be contaminated by the curable resin, thereby reducing the moldability or causing product quality This is because a reduction in yield occurs due to the reduction.

一方で、クリーニングの工程を省くために、金型のキャビティ面に離型フィルムを配することが行われている。つまり、金型によって半導体パッケージを樹脂成型する際に、金型の内面が汚損するのを防止するために、離型フィルムが用いられる。離型フィルムは、金型の内面に沿って配置されることで、溶融固化などによりパッケージを形成するための樹脂が、金型の内面に直接接触することを防止する。その離型フィルムを用いた工程では、たとえばロール・ツゥ・ロール方式でフィルムロールが装置に装填される。そのための離型フィルムには、張られたフィルムが装置金型に真空引きされて吸着されるときにしわ等を発生せず金型への追随性があること、金型周囲の約170℃の高温雰囲気下において収縮やたるみやしわができない耐熱性があること、注入され硬化したエポキシ樹脂との離型性があること、などの特異的な種々の機械的特性が求められる。   On the other hand, in order to omit the cleaning process, the release film is disposed on the cavity surface of the mold. That is, when the semiconductor package is resin-molded by the mold, a release film is used to prevent the inner surface of the mold from being contaminated. The release film is disposed along the inner surface of the mold to prevent direct contact of the resin for forming the package, such as by solidification, with the inner surface of the mold. In the process using the release film, a film roll is loaded into the apparatus by, for example, a roll-to-roll method. The release film for that purpose does not generate wrinkles etc. when the stretched film is vacuumed and absorbed by the device mold, and has the ability to follow the mold, and the temperature of about 170 ° C. around the mold It is required to have specific mechanical characteristics such as heat resistance that can not shrink, sag or crease in a high temperature atmosphere, and releasability from the injected and cured epoxy resin.

特許文献1には、この種の離型フィルムとして、延伸ポリエステル樹脂フィルムにフッ素樹脂が積層された離型フィルムが記載されている。   Patent Document 1 describes, as a release film of this type, a release film in which a fluorine resin is laminated on a stretched polyester resin film.

特許文献2には、延伸ポリエステル樹脂フィルムの片面に無機物質が蒸着され、反対面に離型層が設けられたシートが記載されている。   Patent Document 2 describes a sheet in which an inorganic substance is vapor-deposited on one side of a stretched polyester resin film, and a release layer is provided on the other side.

特許文献3には、共重合ポリエステルフィルムに、離型層と粒子を含有した塗布層が設けられたフィルムが記載されている。   Patent Document 3 describes a film in which a copolyester film is provided with a release layer and a coating layer containing particles.

JP2006−49850AJP2006-49850A JP2004−79566AJP2004-79566A WO2012/077571WO 2012/077571

しかし、特許文献1で開示されているフッ素樹脂積層フィルムは、高価である上、製造時に押出機スクリューを腐食させやすく、使用後の焼却廃棄処理において燃焼しにくく、かつ、焼却廃棄の際に有毒ガスが発生するなど環境汚染の面で好ましくない。   However, the fluorine resin laminate film disclosed in Patent Document 1 is expensive and easily corrodes the extruder screw at the time of production, hardly burns in incineration disposal after use, and is present at the time of incineration disposal. It is not preferable in terms of environmental pollution such as generation of poison gas.

近年では、半導体の小型化、複雑化が進んでおり、それに合わせて半導体モールド用離型フィルムに求められる要求性能が高まっている。すなわち、小型で複雑な形状の金型に追随できるような半導体モールド用離型フィルムが求められている。この観点によれば、特許文献2や3に開示された離型フィルムでは複雑形状の金型には追随できない恐れがある。さらに、複層の離型シートは各層の追随性が互いに相違するため、層が多くなるほど層間の追随性差が生じ、それがシワなどの原因となるという懸念もある。   In recent years, the miniaturization and complexity of semiconductors have been advanced, and in accordance therewith, the required performance required for a release film for a semiconductor mold has been increased. That is, there is a demand for a mold release film for a semiconductor mold that can follow a small-sized and complex-shaped mold. From this point of view, the mold release film disclosed in Patent Documents 2 and 3 may not be able to follow a mold having a complicated shape. Furthermore, since the multi-layer release sheet has different trackability to each other, there is a concern that as the number of layers increases, the track difference between layers occurs, which causes wrinkles and the like.

特許文献3に示されるような、粒子を含有した塗布層が設けられた離型フィルムでは、繰り返しモールド成型を行った際に、塗布層成分や含有粒子の脱落により金型汚れが顕著に発生し、その影響で例えばフィルムにシワが生じて半導体パッケージの外観を損ねることがある。さらに、金型温度よりも融点が低温である樹脂成分や共重合成分が多く、また融点ピークがなくとも結晶性の低い樹脂成分が含まれることがあり、それらの場合には、高温の金型とフィルムがくっつきやすくなり、金型との離型性が大きく低下して、シワや破れが発生しやすくなることがある。   In the release film provided with the coating layer containing particles as shown in Patent Document 3, when the repeated molding is performed, the mold layer stains remarkably due to the falling off of the coating layer component and the contained particles. Due to this, for example, the film may be wrinkled to damage the appearance of the semiconductor package. Furthermore, there are many resin components and copolymerization components whose melting point is lower than the mold temperature, and low crystallinity resin components may be contained even if there is no melting point peak, and in those cases, a high temperature mold As a result, the film tends to stick and the releasability from the mold is greatly reduced, which may cause wrinkles and tears.

そこで本発明は、複雑な形状の金型にも追随でき、シワなどを抑制できるため製造時のトラブルがなく、離型性にも優れており、さらに、安価で、使用後の廃棄処理が容易で、しかも環境汚染の心配のない離型フィルムを用いて半導体パッケージを製造できるようにすることを目的とする。   Therefore, the present invention can follow molds of complicated shapes, can suppress wrinkles and the like, there are no troubles in manufacturing, is excellent in releasability, and is inexpensive and easy to dispose after use. In addition, it is an object of the present invention to make it possible to manufacture a semiconductor package using a release film free from environmental pollution.

本発明者は、半導体パッケージの製造において通常用いられる金型温度が170℃であるところ、その金型温度以上の融点(Tm)を2点以上有するフィルムが半導体封止工程に適切な特性をもたらすことを見出し、本発明に到達した。   The inventors of the present invention have found that a mold temperature commonly used in the manufacture of semiconductor packages is 170 ° C., and a film having two or more melting points (Tm) higher than the mold temperature brings about appropriate characteristics in the semiconductor encapsulation process. The present invention has been achieved.

すなわち、本発明の要旨は、下記の通りである。   That is, the gist of the present invention is as follows.

(1)半導体パッケージの製造方法であって、
パッケージされる素子を設置した金型における、パッケージ製造用の熱硬化性樹脂が充填されるキャビティ面に離型フィルムを配置したうえで、前記金型内に熱硬化性樹脂を充填するに際し、
前記離型フィルムとして、キャビティ面側に配置される基材フィルムと熱硬化性樹脂側に配置される剥離用樹脂とが積層された積層フィルムを用い、
前記基材フィルムとして、融点を金型設定温度以上に2点以上有する延伸ポリエステルフィルムを用いることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
(1) A method of manufacturing a semiconductor package
When a mold release film is disposed on a cavity surface filled with a thermosetting resin for package production in a mold in which a device to be packaged is installed, and then the thermosetting resin is filled in the mold,
As the release film, a laminated film in which a base film disposed on the cavity surface side and a peeling resin disposed on the thermosetting resin side are laminated,
A method for producing a semiconductor package, comprising using a stretched polyester film having a melting point at two or more points above a mold set temperature as the base film.

(2)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂として、ジカルボン酸成分および/またはジオール成分が炭素数2〜5のアルキル鎖を繰り返し成分として含むものを用いることを特徴とする(1)の半導体パッケージの製造方法。   (2) A semiconductor package according to (1), characterized in that the polyester resin constituting the substrate film comprises a dicarboxylic acid component and / or a diol component containing an alkyl chain having 2 to 5 carbon atoms as a repeating component. Production method.

(3)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂として、ポリエチレンテレフタレートを20〜60質量パーセント含有するポリエステル樹脂を用いることを特徴とする(1)または(2)の半導体パッケージの製造方法。   (3) The method for producing a semiconductor package according to (1) or (2), wherein a polyester resin containing 20 to 60% by mass of polyethylene terephthalate is used as the polyester resin constituting the substrate film.

(4)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂として、ポリブチレンテレフタレートを40〜80質量パーセント含有するポリエステル樹脂を用いることを特徴とする(1)から(3)までのいずれかの半導体パッケージの製造方法。   (4) The method for producing a semiconductor package according to any one of (1) to (3), characterized in that a polyester resin containing 40 to 80 mass percent of polybutylene terephthalate is used as the polyester resin constituting the substrate film. .

(5)厚さが20μm〜100μmである離型フィルムを用いることを特徴とする(1)から(4)までのいずれかの半導体パッケージの製造方法。   (5) The method for producing a semiconductor package according to any one of (1) to (4), wherein a release film having a thickness of 20 μm to 100 μm is used.

(6)170℃に設定したプレス機で5kg/cmで20分間保持した後、室温まで冷却して硬化したエポキシプリプレグとの剥離強度が1.0N/cm以下である離型フィルムを用いることを特徴とする(1)から(5)までのいずれかの半導体パッケージの製造方法。(6) After holding for 20 minutes at 5 kg / cm 2 with a press set at 170 ° C., use a release film having a peeling strength of 1.0 N / cm or less with respect to an epoxy prepreg which has been cooled to room temperature and cured. The manufacturing method of the semiconductor package in any one of (1) to (5) characterized by these.

(7)パッケージされる素子を設置した金型における、パッケージ製造用の熱硬化性樹脂が充填されるキャビティ面に離型フィルムを配置したうえで、前記金型内に熱硬化性樹脂を充填する半導体パッケージの製造方法に用いられる前記離型フィルムであって、
前記離型フィルムは、キャビティ面側に配置される基材フィルムと熱硬化性樹脂側に配置される剥離用樹脂とが積層されており、
前記基材フィルムは、融点を金型設定温度以上に2点以上有する延伸ポリエステルフィルムにて構成されていることを特徴とする半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。
(7) In the mold in which the element to be packaged is installed, the mold release film is disposed on the cavity surface to be filled with the thermosetting resin for package production, and then the mold is filled with the thermosetting resin The mold release film used in a method of manufacturing a semiconductor package,
In the release film, a base film disposed on the cavity surface side and a release resin disposed on the thermosetting resin side are laminated,
The release film for the manufacturing process of a semiconductor package, wherein the base film is formed of a stretched polyester film having a melting point at two or more points at a mold set temperature or more.

(8)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂のジカルボン酸成分および/またはジオール成分が炭素数2〜5のアルキル鎖を繰り返し成分として含むことを特徴とする(7)の半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。   (8) The process for producing a semiconductor package according to (7), wherein the dicarboxylic acid component and / or the diol component of the polyester resin constituting the substrate film comprises an alkyl chain having 2 to 5 carbon atoms as a repeating component. Release film.

(9)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリエチレンテレフタレートを20〜60質量パーセント含有するものであることを特徴とする(7)または(8)の半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。   (9) A release film for a manufacturing process of a semiconductor package according to (7) or (8), wherein the polyester resin constituting the base film contains 20 to 60 mass percent of polyethylene terephthalate.

(10)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリブチレンテレフタレートを40〜80質量パーセント含有するものであることを特徴とする(7)から(9)までのいずれかの半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。   (10) The process for producing a semiconductor package according to any one of (7) to (9), wherein the polyester resin constituting the substrate film contains 40 to 80 mass percent of polybutylene terephthalate. Release film.

(11)厚さが20μm〜100μmであることを特徴とする(7)から(10)までのいずれかの半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。   (11) A release film for a manufacturing process of a semiconductor package according to any one of (7) to (10), which has a thickness of 20 μm to 100 μm.

(12)170℃に設定したプレス機で5kg/cmで20分間保持した後、室温まで冷却して硬化したエポキシプリプレグとの剥離強度が、1.0N/cm以下であることを特徴とする(7)から(11)までのいずれかの半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。(12) After holding at 5 kg / cm 2 for 20 minutes with a press set at 170 ° C., it is characterized in that the peel strength from the epoxy prepreg cured and cooled to room temperature is 1.0 N / cm or less The mold release film for the manufacturing process of the semiconductor package in any one of (7) to (11).

(13)成形金型のキャビティ面側に配置される基材フィルムと成形用樹脂側に配置される剥離用樹脂とが積層されてなる離型フィルムであって、
前記基材フィルムが、融点を金型設定温度以上に2点以上有する延伸ポリエステルフィルムであることを特徴とする離型フィルム。
(13) A release film in which a base film disposed on the cavity surface side of a molding die and a release resin disposed on the molding resin side are laminated,
A release film characterized in that the base film is a stretched polyester film having a melting point at two or more points above a mold set temperature.

(14)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂のジカルボン酸成分および/またはジオール成分が、炭素数2〜5のアルキル鎖を繰り返し成分として含むものであることを特徴とする(13)の離型フィルム。   (14) The release film of (13), wherein the dicarboxylic acid component and / or the diol component of the polyester resin constituting the substrate film comprises an alkyl chain having 2 to 5 carbon atoms as a repeating component.

(15)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリエチレンテレフタレートを20〜60質量パーセント含有するものであることを特徴とする(13)または(14)の離型フィルム。   (15) The release film of (13) or (14), wherein the polyester resin constituting the substrate film contains 20 to 60 mass percent of polyethylene terephthalate.

(16)基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリブチレンテレフタレートを40〜80質量パーセント含有するものであることを特徴とする(13)から(15)までのいずれかの離型フィルム。   (16) The release film according to any one of (13) to (15), wherein the polyester resin constituting the substrate film contains 40 to 80 mass percent of polybutylene terephthalate.

(17)厚さが20μm〜100μmであることを特徴とする(13)から(16)までのいずれかにの離型フィルム。   (17) The release film of any of (13) to (16), which has a thickness of 20 μm to 100 μm.

(18)170℃設定したプレス機で5kg/cmで20分間保持した後、室温まで冷却して硬化したエポキシプリプレグとの剥離強度が1.0N/cm以下であることを特徴とする(13)から(17)までのいずれかの離型フィルム。(18) After holding at 5 kg / cm 2 for 20 minutes with a press set at 170 ° C., it is characterized in that the peel strength from the epoxy prepreg cured and cooled to room temperature is 1.0 N / cm or less (13 The release film in any one of to (17).

本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、用いる離型フィルムが、半導体パッケージの製造における金型設定温度である高温雰囲気下において、金型キャビティで真空引きする際に、しわ、破れ等がなく、金型に追随することができ、熱硬化性樹脂や金型との離型性も良く破れないため、良好な外観を有する半導体パッケージを得ることができる。すなわち、連続生産する工程において生産性が良いという利点がある。   According to the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, the release film used is free from wrinkles, tears, etc. when vacuuming in a mold cavity under a high temperature atmosphere which is a mold setting temperature in the manufacture of a semiconductor package Since the mold can be followed and the releasability from the thermosetting resin and the mold is not broken well, a semiconductor package having a good appearance can be obtained. That is, there is an advantage that productivity is good in the process of continuous production.

また、本発明の離型フィルムは、特定構造のポリエステル系延伸フィルム基材と、離型層から構成されているため、機械的強度、耐熱性、追随性、経済面に優れており、特に半導体パッケージの製造などに用いられるインモールド成型用の離型フィルムとして好適である。   Further, since the release film of the present invention is composed of a polyester-based stretched film base having a specific structure and a release layer, it is excellent in mechanical strength, heat resistance, conformity and economy, and in particular, is a semiconductor. It is suitable as a mold release film for in-mold molding used for manufacture of a package etc.

本発明の実施の形態の半導体パッケージの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the semiconductor package of embodiment of this invention. 図1のI−I線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the I-I line of FIG. 図1および図2の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG. 1 and FIG. 図3のIII−III線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the III-III line of FIG. 図3および図4の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG. 3 and FIG. 図5の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the process of FIG. 5 following. 図6の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG. 図7のVII−VII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VII-VII line of FIG. 本発明にもとづく離型フィルムの断面形態を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional form of the release film based on this invention.

まず、本発明の実施の形態の半導体パッケージの製造方法が説明される。   First, a method of manufacturing a semiconductor package according to the embodiment of the present invention will be described.

図1および図2において、11は半導体パッケージをトランスファー成形するための金型であり、固定式の上型12と、上型12に対して近づいたり遠ざかったりすることができる移動式の下型13とを備えている。上型12には、半導体パッケージを構成する熱可塑性樹脂を包埋するためのキャビティ14が形成されている。キャビティ14は、パッケージ形成部15と、樹脂導入部16と、これらパッケージ形成部15および樹脂導入部16を互いに連通させるためのゲート17とを備える。下型13には、樹脂導入部16へ溶融状態の熱硬化性樹脂を送り込むための樹脂送給路18が形成されている。   In FIG. 1 and FIG. 2, 11 is a mold for transfer molding of the semiconductor package, and the fixed upper mold 12 and the movable lower mold 13 which can be moved closer to or away from the upper mold 12 And have. The upper mold 12 is formed with a cavity 14 for embedding the thermoplastic resin constituting the semiconductor package. The cavity 14 includes a package forming portion 15, a resin introducing portion 16, and a gate 17 for connecting the package forming portion 15 and the resin introducing portion 16 to each other. The lower die 13 is formed with a resin feed passage 18 for feeding the thermosetting resin in a molten state to the resin introduction portion 16.

21は本発明にもとづく離型フィルムで、ロール・ツゥ・ロール方式で、上型12と下型13との間に装填されている。22は送り出しロール、23は巻き取りロールである。   A release film 21 according to the present invention is loaded between the upper mold 12 and the lower mold 13 in a roll-to-roll manner. 22 is a delivery roll, and 23 is a winding roll.

キャビティ14のパッケージ形成部15は、図1に示すように離型フィルム21の幅方向に一対が設けられるとともに、図2に示すように離型フィルム21の長さ方向に複数が設けられている。樹脂導入部16は、離型フィルム21の幅方向に一対のパッケージ形成部15、15に対応して、これらパッケージ形成部15、15同士の間に一つが設けられている。また樹脂導入部16は、図示は省略するが、離型フィルム21の長さ方向に沿って位置の異なる一対のパッケージ形成部15、15ごとに、各一つが設けられている。   The package forming portion 15 of the cavity 14 is provided in a pair in the width direction of the release film 21 as shown in FIG. 1, and a plurality is provided in the length direction of the release film 21 as shown in FIG. . The resin introducing portion 16 is provided between the package forming portions 15 corresponding to the pair of package forming portions 15 in the width direction of the release film 21. Further, although not shown in the drawings, one resin introducing portion 16 is provided for each of the pair of package forming portions 15 different in position along the length direction of the release film 21.

半導体パッケージを製造する際には、図1および図2に示すように下型13を上型12から遠ざけた型開きを行い、巻き取りロール23を回転させることで、送り出しロール22から供給される離型フィルム21における未使用の新しい部分を、この部分に張力を付与した状態で、上型12と下型13との間に送り込む。   When manufacturing the semiconductor package, as shown in FIGS. 1 and 2, the lower mold 13 is moved away from the upper mold 12 to open the mold, and the take-up roll 23 is rotated to be supplied from the delivery roll 22. An unused new portion of the release film 21 is fed between the upper mold 12 and the lower mold 13 with tension applied to this portion.

その後、図3および図4に示すように、上型12と下型13との間に存在する離型フィルム21の部分を、真空吸引によりキャビティ14の内面に張り付ける。このとき本発明にもとづく離型フィルム21は、後述のようにキャビティ14の内面形状に良好に追隋し、しかもキャビティ14の内面に張り付いたときに「しわ」などの発生がないという利点がある。「しわ」が発生すると、モールド成型において、成型品にしわが転写されるため外観不良を引き起こす。   Thereafter, as shown in FIGS. 3 and 4, the portion of the release film 21 present between the upper mold 12 and the lower mold 13 is attached to the inner surface of the cavity 14 by vacuum suction. At this time, the release film 21 according to the present invention has the advantage that it satisfactorily follows the inner surface shape of the cavity 14 as described later, and moreover, there is no occurrence of "wrinkling" etc. when sticking to the inner surface of the cavity 14. is there. When "wrinkles" occur, in molding, the wrinkles are transferred to the molded product to cause appearance defects.

その後、図5に示すように、下型13におけるキャビティ14のパッケージ形成部15に対応した位置に、半導体素子25を装着した半導体基板26を、銅板24に乗せた状態で設置する。銅板24は、一対のパッケージ形成部15、15に対応した離型フィルム21の幅方向には互いに分離しており、複数のパッケージ形成部15、15に対応した離型フィルム21の長さ方向には互いに連続している。   Thereafter, as shown in FIG. 5, the semiconductor substrate 26 on which the semiconductor element 25 is mounted is placed on the copper plate 24 at a position corresponding to the package forming portion 15 of the cavity 14 in the lower mold 13. The copper plates 24 are separated from each other in the width direction of the release film 21 corresponding to the pair of package forming portions 15, 15, and in the longitudinal direction of the release film 21 corresponding to the plurality of package forming portions 15, 15. Are continuous with one another.

そして、図6に示すように下型13を上型12に近づく方向に移動させて型締めを行い、下型13の樹脂送給路18から図5に示すキャビティ14の樹脂導入部16に向けてエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂27を溶融状態で圧送する。樹脂導入部16に送り込まれた熱硬化性樹脂27は、ゲート17を通って、パッケージ形成部15に充填される。これによって、半導体素子25および半導体基板26が熱硬化性樹脂27の内部に包埋される。銅板24は、半導体素子25および半導体基板26が包埋された側とは反対側の面が熱硬化性樹脂27から露出した状態となる。詳細には、図示のように樹脂送供給路18の内部にプランジャ19が配置されており、このプランジャ19によって熱硬化性樹脂27をキャビティ14の内部に圧密充填させる。   Then, as shown in FIG. 6, the lower mold 13 is moved in the direction approaching the upper mold 12 to perform mold clamping, and from the resin feed path 18 of the lower mold 13 to the resin introducing portion 16 of the cavity 14 shown in FIG. The thermosetting resin 27 such as epoxy resin is pressure fed in a molten state. The thermosetting resin 27 fed to the resin introducing portion 16 is filled in the package forming portion 15 through the gate 17. Thus, the semiconductor element 25 and the semiconductor substrate 26 are embedded inside the thermosetting resin 27. The surface of the copper plate 24 opposite to the side on which the semiconductor element 25 and the semiconductor substrate 26 are embedded is exposed from the thermosetting resin 27. In detail, as shown in the drawing, a plunger 19 is disposed inside the resin feed path 18, and the thermosetting resin 27 is compactly filled into the inside of the cavity 14 by the plunger 19.

このとき、熱可塑性樹脂27として、半導体パッケージに一般的に使用される上述のエポキシ樹脂を用いる場合には、金型11の温度は170℃以上に設定され、好ましくは170℃〜180℃、より好ましくは170℃〜175℃に設定される。このような高温下において、本発明にもとづく離型フィルム21は、後述のように耐熱性を有するために、熱収縮やそれを原因とする「しわ」が発生しないという特長を有する。   At this time, when using the above-mentioned epoxy resin generally used for a semiconductor package as the thermoplastic resin 27, the temperature of the mold 11 is set to 170 ° C. or higher, preferably 170 ° C. to 180 ° C. Preferably, the temperature is set to 170 ° C to 175 ° C. At such a high temperature, the release film 21 according to the present invention has heat resistance as described later, so that it has the feature that heat shrinkage and "wrinkling" caused by it do not occur.

充填された樹脂27が硬化したなら、図7および図8に示すように下型13を上型12から遠ざけて型開きを行い、得られた成形品28を金型11から取り出す。このとき、本発明にもとづく離型フィルム21は、後述のように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂27からの離型性が良好である。その後、巻き取りロール23を駆動して、離型フィルム21における使用済みの部分を金型11から排出するとともに、図1および図2に示すように離型フィルム21における未使用の部分を新たに金型11に導入する。   When the filled resin 27 is cured, the lower mold 13 is moved away from the upper mold 12 to open the mold as shown in FIGS. 7 and 8, and the resulting molded product 28 is taken out of the mold 11. At this time, as described later, the mold release film 21 based on the present invention has a good mold release property from the thermosetting resin 27 such as an epoxy resin. Thereafter, the take-up roll 23 is driven to discharge the used portion of the release film 21 from the mold 11, and, as shown in FIGS. 1 and 2, an unused portion of the release film 21 is newly renewed. Introduce to mold 11

以上においては、金型11の外部からその内部へ溶融状態の熱硬化性樹脂27を圧密充填させる「トランスファーモールド工程」について説明した。しかし、離型フィルム21は、それ以外のモールド工程、例えば、あらかじめ金型内に粉粒状の熱硬化性樹脂を充填したうえで型締めを行う公知の「コンプレッションモールド工程」などにも同様に用いることができる。   In the above, the “transfer molding process” has been described in which the thermosetting resin 27 in a molten state is consolidated and filled into the mold 11 from the outside. However, the mold release film 21 is similarly used in other molding processes, for example, a known "compression molding process" in which a mold is filled with a thermosetting resin in powder form and then clamping is performed. be able to.

以下、本発明にもとづく離型フィルム21が詳細に説明される。   Hereinafter, the release film 21 based on this invention is demonstrated in detail.

図9に示すように、離型フィルム21は、図1〜図8に示される金型11のキャビティ14側に配置される基材フィルム31と、硬化後の熱硬化性樹脂27からの良好な剥離を行うために同樹脂27側に配置される剥離用樹脂層32とを備えた積層体によって構成されている。   As shown in FIG. 9, the mold release film 21 is good from the base film 31 disposed on the cavity 14 side of the mold 11 shown in FIGS. 1 to 8 and the thermosetting resin 27 after curing. It is comprised by the laminated body provided with the resin layer 32 for peeling arrange | positioned at the same resin 27 side in order to peel.

まず、基材フィルム31を詳細に説明する。基材フィルム31は、金型設定温度以上たとえば170℃以上に融点を2点以上有する延伸ポリエステルフィルムによって構成される。   First, the base film 31 will be described in detail. The base film 31 is formed of a stretched polyester film having two or more melting points at, for example, 170 ° C. or more, which is equal to or higher than a mold set temperature.

融点を金型設定温度以上に2点以上有するとは、それぞれ融点が金型設定温度以上である2種類以上のポリエステル樹脂がブレンドされていることをいう。それぞれ融点が金型設定温度以上である2種類以上のポリエステル樹脂がブレンドされていることで、低融点側の樹脂のもつ金型温度170℃という高温での柔軟性により金型への追随性が向上し、高融点側の樹脂のもつ耐熱性により離型時の破れが防止されるといった、両方の性質を併せ持つ利点がある。   Having two or more melting points above the mold set temperature means that two or more types of polyester resins each having a melting point equal to or more than the mold set temperature are blended. By blending two or more types of polyester resins, each of which has a melting point equal to or higher than the mold setting temperature, flexibility at a high temperature of 170 ° C., which is the mold temperature of the resin on the low melting side, follows the mold. There is an advantage that the heat resistance of the resin on the high melting side is improved to prevent breakage at the time of mold release.

このようなポリエステル樹脂として、ポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどが挙げられる。さらにそれらの共重合体なども挙げることができる。   Examples of such polyester resins include polyethylene terephthalate, polytrimethylene terephthalate and polybutylene terephthalate. Furthermore, those copolymers etc. can be mentioned.

なかでも、ポリエステルを構成するジカルボン酸成分および/またはジオール成分が炭素数2〜5のアルキル鎖を繰り返し成分として含むものが、高温化での高分子鎖が動きやすく、金型への追随性に最適であるために、特に好ましい。このようなポリエステル樹脂として、ポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、アジピン酸共重合ポリエステルなどの共重合体、などの、170℃以上に融点をもつものを挙げることができる。   Among them, those in which the dicarboxylic acid component and / or the diol component constituting the polyester contains an alkyl chain having 2 to 5 carbon atoms as a repeating component are easily moved by the polymer chain at high temperature, and followability to the mold Particularly preferred to be optimal. Examples of such polyester resins include those having a melting point of 170 ° C. or more, such as polyethylene terephthalate, polytrimethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and copolymers such as adipic acid copolymer polyester.

基材フィルムを構成するポリエステルフィルムは、延伸フィルムであることが必要である。その理由は、未延伸フィルムでは配向していないため強度が低くそのため成型時に破れ、また、金型のような高温雰囲気のもとでは収縮が大きくしわが発生するからである。   The polyester film which comprises a base film needs to be a stretched film. The reason is that the unstretched film is not oriented, so the strength is low, so it is broken at the time of molding, and shrinkage is large and wrinkles occur in a high temperature atmosphere such as a mold.

原料のポリエステル樹脂の重合方法としては、特に限定されないが、例えば、直接エステル化法、エステル交換法等の公知の製造方法が挙げられる。直接エステル化法としては、例えば、必要なモノマー原料を反応缶内に注入し、エステル化反応をおこなった後、重縮合反応をおこなう方法が挙げられる。エステル化反応では、窒素雰囲気下、160℃以上の温度で4時間以上、加熱溶融して反応させる。その際、触媒として、マグネシウム、マンガン、亜鉛、カルシウム、リチウム、チタン等の酸化物や、酢酸塩などを用いてもよい。重縮合反応では、130Pa以下の減圧下で、220〜280℃の温度で所望の分子量に達するまで反応を進める。その際、触媒として、アンチモン、チタン、ゲルマニウム等の酸化物や、酢酸塩などを用いてもよい。   Although it does not specifically limit as a polymerization method of the polyester resin of a raw material, For example, well-known manufacturing methods, such as a direct esterification method and a transesterification method, are mentioned. As a direct esterification method, for example, a method in which a necessary monomer raw material is injected into a reaction vessel, an esterification reaction is performed, and then a polycondensation reaction is performed. In the esterification reaction, the mixture is heated and melted for reaction for 4 hours or more at a temperature of 160 ° C. or more under a nitrogen atmosphere. At that time, oxides such as magnesium, manganese, zinc, calcium, lithium, titanium and acetate may be used as a catalyst. In the polycondensation reaction, the reaction is allowed to proceed to a desired molecular weight at a temperature of 220 to 280 ° C. under reduced pressure of 130 Pa or less. At that time, oxides such as antimony, titanium, germanium and the like may be used as catalysts.

重合後のポリエステル樹脂は、モノマーやオリゴマー、アセトアルデヒドやテトラヒドロフラン等の副生成物を含んでいるため、減圧または不活性ガス流通下、200℃以上の温度で固相重合を施しても良い。固相重合を施したポリエステルを用いると、基材フィルム31の製造工程において押し出された未延伸シート及びフィルムの表面へのオリゴマーの析出が防止されるため好ましい。オリゴマーについては、半導体封止といった精密工程においては、金型等への汚染がより少ない方が好ましい。このため、上記の固相重合したものの方が好ましい。   Since the polyester resin after polymerization contains monomers, oligomers, and byproducts such as acetaldehyde and tetrahydrofuran, solid phase polymerization may be performed at a temperature of 200 ° C. or higher under reduced pressure or inert gas flow. The use of polyester subjected to solid phase polymerization is preferable because precipitation of oligomers on the surface of the unstretched sheet and film extruded in the manufacturing process of the base film 31 is prevented. With regard to the oligomer, it is preferable that the contamination to the mold and the like be less in a precise process such as semiconductor sealing. For this reason, the above-mentioned solid phase polymerized one is preferable.

ポリエステル樹脂を重合する際、必要に応じて、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、ブロッキング防止剤等を添加してもよい。酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物が挙げられる。熱安定剤としては、例えば、リン系化合物が挙げられる。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物が挙げられる。帯電防止剤としては、例えばアンチモンドープ酸化錫が挙げられる。ブロッキング防止剤としては、例えばケイ素酸化物が挙げられる。   When polymerizing the polyester resin, if necessary, an antioxidant, a heat stabilizer, an ultraviolet absorber, an antistatic agent, an antiblocking agent, etc. may be added. As an antioxidant, a hindered phenol type compound and a hindered amine type compound are mentioned, for example. As a heat stabilizer, a phosphorus compound is mentioned, for example. As a ultraviolet absorber, a benzophenone series compound and a benzotriazole type compound are mentioned, for example. Examples of the antistatic agent include antimony-doped tin oxide. As an antiblocking agent, a silicon oxide is mentioned, for example.

本発明に用いられるポリエステル樹脂は、本発明の効果が損なわれない範囲で適宜、他の成分を共重合することができる。共重合に用いられる酸成分としては、特に限定されないが、イソフタル酸、(無水)フタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、5−ナトリウムスルホイソフタル酸等の芳香族ジカルボン酸、シュウ酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、ドデカンジカルボン酸、(無水)マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸等の脂肪族ジカルボン酸、(無水)ヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸等の脂環族ジカルボン酸、炭素数20〜60のダイマー酸、p−ヒドロキシ安息香酸、乳酸、4−ヒドロキシ酪酸、ε−カプロラクトン等のヒドロキシカルボン酸、(無水)トリメリット酸、トリメシン酸、(無水)ピロメリット酸等の多官能カルボン酸等を挙げることができる。これらの共重合成分は2種以上併用しても良い。   The polyester resin used for this invention can copolymerize another component suitably in the range which the effect of this invention is not impaired. The acid component used for the copolymerization is not particularly limited, and is, for example, isophthalic acid, (anhydride) phthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, aromatic dicarboxylic acids such as 5-sodium sulfoisophthalic acid, oxalic acid, succinic acid Aliphatic acid such as adipic acid, sebacic acid, azelaic acid, dodecanedicarboxylic acid (anhydride), maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, etc. (anhydride) hexahydrophthalic acid, hexahydroterephthalic acid And the like. Alicyclic dicarboxylic acids such as C 20-60 dimer acids, p-hydroxybenzoic acid, lactic acid, 4-hydroxybutyric acid, hydroxycarboxylic acids such as ε-caprolactone, (anhydride) trimellitic acid, trimesic acid ( Anhydride) Polyfunctional carboxylic acids, such as pyromellitic acid, etc. can be mentioned. These copolymerization components may be used in combination of two or more.

共重合に用いられるアルコール成分としては、特に限定されないが、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等の脂肪族ジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、1,4−シクロヘキサンジエタノール等の脂環族ジオール、ビスフェノールAやビスフェノールSのエチレンオキシドあるいはプロピレンオキシド付加物等の芳香族ジオール、トリメチロールプロパン、グリセリン、ペンタエリスリトール等の多官能アルコールなどを挙げることができる。これらの共重合成分は2種以上併用しても良い。   The alcohol component used for the copolymerization is not particularly limited, and diethylene glycol, triethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1 Aliphatic diols such as 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, polyethylene glycol, polypropylene glycol and polytetramethylene glycol, alicyclic diols such as 1,4-cyclohexanedimethanol and 1,4-cyclohexanediethanol, bisphenol A and the like Aromatic diols such as ethylene oxide or propylene oxide adducts of bisphenol S, and polyfunctional alcohols such as trimethylolpropane, glycerin and pentaerythritol can be mentioned. These copolymerization components may be used in combination of two or more.

共重合成分の割合は好ましくは20モル%以下、さらに好ましくは15モル%以下である。20モル%を超えると樹脂の結晶性が低下し、このためフィルム化した時の強度が低下し、その結果、離型時に破れが発生しやすくなる。また、共重合量が多くなるほど、融点が低下するため耐熱性の面で好ましくない。   The proportion of the copolymerization component is preferably at most 20 mol%, more preferably at most 15 mol%. If it exceeds 20% by mole, the crystallinity of the resin is reduced, which lowers the strength at the time of film formation, and as a result, breakage tends to occur at the time of mold release. Moreover, since melting | fusing point falls, so that a copolymerization amount increases, it is unpreferable in the heat resistant surface.

上述のように、基材フィルムは、それぞれ金型設定温度以上に融点を有する2種類以上のポリエステル樹脂をブレンドしたポリエステルフィルムによって構成されている。   As described above, the base film is formed of a polyester film obtained by blending two or more types of polyester resins each having a melting point above the mold set temperature.

ポリエステル樹脂のブレンド比率について、ポリエチレンテレフタレートを用いる場合は、そのブレンド比率が20〜60質量パーセントであることが好ましく、より好ましい下限値は25質量パーセントであり、上限値は55質量パーセントである。また、ポリブチレンテレフタレートを用いる場合は、そのブレンド比率が40〜80質量パーセントであることが好ましく、より好ましい下限値は45質量パーセントであり、上限値は75質量パーセントである。   When polyethylene terephthalate is used as the blend ratio of the polyester resin, the blend ratio is preferably 20 to 60 mass percent, the more preferable lower limit is 25 mass percent, and the upper limit is 55 mass percent. Moreover, when using a polybutylene terephthalate, it is preferable that the blend ratio is 40 to 80 mass percent, A more preferable lower limit is 45 mass percent, and an upper limit is 75 mass percent.

ポリエチレンテレフタレートを用いると、高温下での成型をする際に、ポリエチレンテレフタレートのもつ耐熱性により、フィルムが破れにくくなる。ポリブチレンテレフタレートは、例えばポリエチレンテレフタレートに比べて、化学骨格中に含まれる脂肪族の炭素数が2つ多いため、分子鎖の可動性が高く、柔軟性が高い。このため、基材フィルム31を構成する2種類以上の樹脂のうちの2つとして、上記したポリエチレンテレフタレートとポリブチレンテレフタレートという骨格の異なる2種類以上の樹脂を上記の最適な比率で混合することで、得られたフィルムの柔軟性が向上して、成型時の金型追随性が良くなる。   When polyethylene terephthalate is used, the film is less likely to be broken due to the heat resistance of the polyethylene terephthalate when molding at high temperature. Polybutylene terephthalate, for example, has two aliphatic carbon atoms contained in the chemical skeleton more than polyethylene terephthalate, so the mobility of the molecular chain is high and the flexibility is high. For this reason, by mixing two or more types of resins having different skeletons of polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate as two of the two or more types of resins constituting the base film 31 in the above-described optimal ratio. The flexibility of the obtained film is improved, and the mold followability at the time of molding is improved.

ポリブチレンテレフタレートが80質量%を超えると、特性が過剰に発現して、機械強度や耐熱性が低く、このため成形時の温度下でシワが発生しやすくなり離型時に破れが生じやすくなる。一方、ポリエチレンテレフタレートが60質量%を超えると、特性が過剰に発現して、金型追随性が低下し、またかたく割れやすくなり、このため例え機械強度を有していても離型時に破れやすくなる。   When the content of polybutylene terephthalate is more than 80% by mass, the properties are excessively developed to lower the mechanical strength and the heat resistance. Therefore, wrinkles are easily generated at the temperature at the time of molding, and the tear is easily generated at the time of mold release. On the other hand, when the content of polyethylene terephthalate exceeds 60% by mass, the characteristics are excessively expressed to deteriorate the mold following property and also to be hard and easily cracked. Therefore, even if it has mechanical strength, it is easily broken at the time of mold release Become.

基材フィルム31の製法は、特に限定されず、従来から知られている方法を用いることができる。例えば、Tダイ法もしくはチューブラー式製膜法等の公知の製法で押出された樹脂シートを未延伸シートとし、続いてこの未延伸シートを一軸延伸法、同時二軸延伸法、逐次二軸延伸法等の公知の製法により延伸する。基材フィルム31は延伸フィルムであることが必要であり、したがって延伸工程が必要である。未延伸シートは、結晶性が低く、耐熱性に劣る。厚みむらの少ないフィルムを製造するためにはTダイ法で樹脂シートを得ることが好ましく、続いて逐次二軸延伸もしくは同時二軸延伸等により延伸する。   The manufacturing method of the base film 31 is not particularly limited, and conventionally known methods can be used. For example, a resin sheet extruded by a known method such as a T-die method or a tubular film forming method is used as an unstretched sheet, and then this unstretched sheet is uniaxially stretched, simultaneous biaxial stretching, sequential biaxial stretching Stretching is performed by a known method such as a method. The base film 31 needs to be a stretched film, and thus a stretching step is required. The unstretched sheet has low crystallinity and is poor in heat resistance. In order to produce a film with less thickness unevenness, it is preferable to obtain a resin sheet by T-die method, and then it is stretched by sequential biaxial stretching or simultaneous biaxial stretching.

基材フィルム31の詳細な製法としては、例えばポリエチレンテレフタレートとポリブチレンテレフタレートとを上記の比率とした樹脂組成物を、Tダイを備えた押出機を用いて、230〜280℃で溶融後Tダイよりシート状に押出し、これを40℃以下の温度に調整されたキャスティングロールに密着させて急冷し、所定の厚さの未延伸シートを得るのが好ましい。原料樹脂組成物を均一に混合するために、あらかじめ溶融混合された材料を用いてもよい。   As a detailed manufacturing method of the base film 31, for example, a resin composition having polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate in the above ratio is melted at 230 to 280 ° C. using an extruder equipped with a T-die, and then the T-die is produced. It is preferable to extrude it into a sheet-like shape, adhere it to a casting roll adjusted to a temperature of 40 ° C. or lower, and quench it to obtain an unstretched sheet of a predetermined thickness. In order to uniformly mix the raw resin composition, a material previously melt-blended may be used.

上記のようにして得られた未延伸シートを、例えばフラット式同時二軸延伸法で延伸する場合には、未延伸シートの幅方向の両端をクリップでつかみ、シートの両面から40〜100℃の熱風を吹き付けて予熱し、50〜120℃雰囲気下で縦方向及び横方向にそれぞれ2〜4倍程度延伸する。その後、80〜180℃程度で数秒間処理し縦もしくは横方向に数%弛緩する。さらに所定の収縮率を持つフィルムを得るために、80〜200℃で数秒間熱処理して熱固定した後、室温まで冷却し20〜300m/minの速度で巻き取る。延伸温度が50℃未満の場合には、延伸応力が高すぎるために、ネッキングが発生しやすい。反対に延伸温度が120℃を超える場合には、溶断したり、フィルムの結晶化が進みすぎて白化を起こしたりする。熱固定温度が200℃を超えると、フィルムにたるみが生じやすくなりフィルムの品位を著しく損なう。   When the unstretched sheet obtained as described above is stretched by, for example, a flat simultaneous biaxial stretching method, both ends in the width direction of the unstretched sheet are gripped with clips, and 40 to 100 ° C. from both sides of the sheet. Hot air is blown to preheat, and the film is stretched by about 2 to 4 times in the longitudinal direction and the transverse direction under an atmosphere of 50 to 120 ° C. Thereafter, it is treated at about 80 to 180 ° C. for several seconds to relax several% in the longitudinal or transverse direction. Further, in order to obtain a film having a predetermined shrinkage rate, the film is heat-set at 80 to 200 ° C. for several seconds for heat setting, then cooled to room temperature and taken up at a speed of 20 to 300 m / min. If the stretching temperature is less than 50 ° C., necking tends to occur because the stretching stress is too high. On the other hand, if the stretching temperature exceeds 120 ° C., the film may melt and the film may be crystallized too much to cause whitening. When the heat setting temperature exceeds 200 ° C., the film tends to sag and the quality of the film is significantly impaired.

延伸後の熱固定方法としては、公知の方法を採用することができる。例えば延伸フィルムに熱風を吹き付ける方法、延伸フィルムに赤外線を照射する方法、延伸フィルムにマイクロ波を照射する方法が挙げられる。均一に精度よく加熱できる点で、延伸フィルムに熱風を吹き付ける方法が好適である。延伸工程と熱固定工程との間に熱緩衝工程を設けてもよい。   A publicly known method can be adopted as a heat setting method after drawing. For example, a method of blowing hot air to the stretched film, a method of irradiating the stretched film with infrared rays, and a method of irradiating the stretched film with microwaves can be mentioned. The method of blowing hot air to the stretched film is preferable in that it can be uniformly and accurately heated. A heat buffer process may be provided between the drawing process and the heat setting process.

基材フィルム31の層構成は特に限定されるものではなく、単層、二種二層、二種三層、三種三層などの、どのような層構成であってもよい。なかでも、片面ごとに表面粗度を制御できる複層であることが好ましい。また基材フィルム31は、ポリエステルが全体の90質量%以上であることが好ましい。それ未満であると、ポリエステルに特有の柔軟性が不足し、成型時の追随性が劣りやすくなる。   The layer configuration of the base film 31 is not particularly limited, and may be any layer configuration such as a single layer, two types, two layers, two types, three layers, three types, three layers, and the like. Among them, a multilayer capable of controlling the surface roughness for each side is preferable. Moreover, it is preferable that polyester is 90 mass% or more of the whole of the base film 31. If it is less than that, the flexibility specific to polyester is insufficient, and the followability in molding tends to be inferior.

離型フィルム21の巻き取り性を改善するために、基材フィルム31は粒子を含有してもよい。粒子は、易滑性付与可能な粒子であれば、本発明の効果が損なわれない範囲で特に限定されるものではない。具体例としては、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシウム、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム、カオリン、酸化アルミニウム、酸化チタン、硫酸バリウム等の無機粒子が挙げられる。   In order to improve the winding property of the release film 21, the base film 31 may contain particles. The particles are not particularly limited insofar as the effect of the present invention is not impaired as long as the particles can be lubricated. Specific examples thereof include inorganic particles of silica, alumina, calcium carbonate, magnesium carbonate, barium carbonate, calcium sulfate, calcium phosphate, magnesium phosphate, kaolin, aluminum oxide, titanium oxide, barium sulfate and the like.

あるいは、シリコーン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂等からなる耐熱性のよい高分子微粒子、脂肪酸エステルや脂肪酸アミド等の有機滑剤、熱硬化性尿素樹脂、熱硬化性フェノール樹脂、熱硬化性エポキシ樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の耐熱性有機粒子を用いてもよい。さらに、ポリエステルの製造工程中において、触媒等の金属化合物の一部を沈殿、微分散させた析出粒子を用いることもできる。使用する粒子の形状は特に限定されず、球状、塊状、棒状、扁平状等のいずれでもよい。その硬度、比重、色等についても特に制限はない。これらの粒子は、必要に応じて2種類以上を併用してもよい。   Alternatively, heat-resistant polymer particles made of silicone resin, crosslinked polystyrene resin, etc., organic lubricant such as fatty acid ester or fatty acid amide, thermosetting urea resin, thermosetting phenol resin, thermosetting epoxy resin, benzoguanamine resin, etc. The heat-resistant organic particles of Furthermore, it is also possible to use precipitated particles in which a part of a metal compound such as a catalyst is precipitated and finely dispersed in the polyester production process. The shape of the particles to be used is not particularly limited, and may be spherical, massive, rod-like, flat or the like. The hardness, specific gravity, color and the like are not particularly limited. These particles may be used in combination of two or more as needed.

粒子の平均粒径は、通常0.01〜6μm、好ましくは0.01〜1μmの範囲である。平均粒径が0.01μm未満の場合には、粒子が凝集しやすく、分散性が不十分となる場合がある。一方、平均粒径が6μmを超える場合には、フィルムの表面が粗くなりすぎて、後工程において図9に示される剥離用樹脂層32を塗設する場合等に不具合が生じることがある。   The average particle size of the particles is usually in the range of 0.01 to 6 μm, preferably 0.01 to 1 μm. When the average particle size is less than 0.01 μm, the particles may be easily aggregated and the dispersibility may be insufficient. On the other hand, when the average particle size exceeds 6 μm, the surface of the film becomes too rough, and problems may occur when the resin layer 32 for peeling shown in FIG. 9 is applied in a later step.

基材フィルム31に粒子を含有させる方法は、特に限定されるものではなく、ポリエステルを製造する任意の段階において粒子を添加することができる。例えば、エステル化段階、もしくはエステル交換反応終了段階である。   The method for causing the base film 31 to contain the particles is not particularly limited, and the particles can be added at any stage of producing the polyester. For example, an esterification step or a transesterification end step.

半導体封止工程において離型フィルム21の表面状態が熱硬化性樹脂に転写されることを考慮して、その意匠性付与のために、離型フィルム21に、例えば、上記粒子等の練り込み、オフライン工程でのエンボス加工やサンドマット加工、インライン工程での梨地ロールによる冷却成型を行っても良い。   Considering that the surface state of the release film 21 is transferred to the thermosetting resin in the semiconductor sealing step, for example, kneading the above-mentioned particles into the release film 21 for the purpose of imparting the design property thereof It is also possible to carry out emboss processing and sand mat processing in an off-line process, and cooling and molding using a satin roll in an in-line process.

さらに離型フィルム21には、着色剤、酸化防止剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤等を含有させることができる。   Furthermore, the release film 21 can contain a coloring agent, an antioxidant, an antifoaming agent, an antistatic agent, an ultraviolet light absorber, and the like.

離型フィルム21の厚さは、20〜100μmであることが好ましく、20〜80μmであることがより好ましく、25〜60μmであることがさらに好ましく、35〜60μmが最も好ましい。離型フィルム21の厚さが20μmより薄いと、破断強度が低くこのため離型時の破れの発生につながりやすく、厚さが100μmより厚いと追随性が低下する傾向にある。ただし、基材フィルム31は、延伸フィルムであるため、耐熱性に加えて強度も高いことから、半導体パッケージの製造工程用の離型フィルムとして主流となっている厚さ50μmのものと比較すると薄膜化を期待できる。薄膜化により、コストメリットだけでなく、図2、図4、図8に示されるロール22を構成するフィルムの長さを増大させることができ、このため半導体封止工程におけるロールの装填頻度を減らすことができて、作業性の向上にも大きく寄与できる。   The thickness of the release film 21 is preferably 20 to 100 μm, more preferably 20 to 80 μm, still more preferably 25 to 60 μm, and most preferably 35 to 60 μm. If the thickness of the release film 21 is less than 20 μm, the breaking strength is low, which is likely to cause breakage during release, and when the thickness is more than 100 μm, the followability tends to decrease. However, since the base film 31 is a stretched film, in addition to the heat resistance and the strength is high, it is a thin film as compared with the 50 μm thick film which is mainly used as a release film for a semiconductor package manufacturing process. Can be expected. In addition to cost merits, thinning of the film can increase the length of the film constituting the roll 22 shown in FIGS. 2, 4 and 8, thereby reducing the loading frequency of the roll in the semiconductor sealing process. It is possible to greatly contribute to the improvement of workability.

図9に示される剥離用樹脂層32が説明される。剥離用樹脂層32の組成は、特に限定されるものではなく、熱硬化型や照射硬化型のシリコーン系や、フッ素系、長鎖アルキル系、ポリオレフィン系などの非シリコーン系などの公知の離型層を挙げることができる。熱硬化型シリコーンとしては、付加反応型シリコーンや縮合反応型シリコーンなどが挙げられる。照射硬化型シリコーンとしては、UV硬化型シリコーンやEB硬化型シリコーンが挙げられる。また、フッ素系は、フッ素樹脂フィルム化したものやフッ素系材料のコーティング液が挙げられ、長鎖アルキル系は、長鎖アルキル基含有ポリマーのコーティング液が挙げられ、ポリオレフィン系はポリエチレン樹脂やポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテンのようなポリオレフィン系樹脂自体をフィルム化したものや、酸変性ポリオレフィン樹脂のコーティング液が挙げられる。   The peeling resin layer 32 shown in FIG. 9 will be described. The composition of the release resin layer 32 is not particularly limited, and known release agents such as thermosetting or radiation-curable silicones, fluorines, long-chain alkyls, non-silicones such as polyolefins, etc. Layers can be mentioned. Examples of the thermosetting silicone include addition reaction silicones and condensation reaction silicones. Examples of radiation curable silicones include UV curable silicones and EB curable silicones. Further, fluorine-based resins include those converted into fluorine resin films and coating solutions of fluorine-based materials, long-chain alkyl-based solvents include coating solutions of long-chain alkyl group-containing polymers, and polyolefin-based resins include polyethylene resins and polypropylene resins And polyolefin-based resins such as polymethylpentene as films, and coating solutions of acid-modified polyolefin resins.

本発明における離型フィルム21は、170℃に設定したプレス機で5kg/cmで20分間保持した後、室温まで冷却して硬化したエポキシプリプレグとの剥離強度が1.0N/cm以下であることが好ましく、0.7N/cm以下であることがより好ましく、0.5N/cm以下がさらに好ましく、0.3N/cm以下が最も好ましい。剥離用樹脂層32は、この剥離強度を満足するものであれば特に限定するものではなく、離型フィルム21の薄膜化の観点からコート液を塗布して形成する剥離用樹脂層であることが好ましい。剥離用樹脂層32は、基材フィルム31の表面に薄く形成されていれば足りる。その形成方法としては、インラインコート法、オフラインコート法を挙げることができる。コストメリットの面でインラインコート法が望ましい。The release film 21 in the present invention is held at 5 kg / cm 2 for 20 minutes with a press set at 170 ° C. and then cooled to room temperature and has a peel strength of 1.0 N / cm or less with respect to the cured epoxy prepreg. Is preferably 0.7 N / cm or less, more preferably 0.5 N / cm or less, and most preferably 0.3 N / cm or less. The release resin layer 32 is not particularly limited as long as the release strength is satisfied, and it is a release resin layer formed by applying a coating solution from the viewpoint of thinning the release film 21. preferable. It is sufficient if the peeling resin layer 32 is thinly formed on the surface of the base film 31. As the formation method, an in-line coating method and an off-line coating method can be mentioned. The in-line coating method is desirable in terms of cost advantages.

下記の実施例及び比較例における特性値の測定法は以下の通りである。   The measuring method of the characteristic value in a following example and a comparative example is as follows.

(1)融点(℃)
Perkin Elmer社製DSCを用い、20℃/minで昇温して、基材フィルムの融点を測定した。
(1) Melting point (° C)
The melting point of the substrate film was measured using a Perkin Elmer DSC by raising the temperature at 20 ° C./min.

(2)厚さ
ハイデンハイン社製の厚み測定器MT−12Bを用いて測定した。
(2) Thickness The thickness was measured using a thickness measuring instrument MT-12B manufactured by HEIDENHAIN.

(3)剥離強度
60mm×100mmの大きさのエポキシプリプレグ(住友ベークライト社製 EI−6765)の両面を離型フィルムで挟み、プレス板を金型設定温度としての170℃に設定したプレス機で5kg/cmで20分間保持した。その後、室温まで冷却しサンプルを得た。得られたサンプルの、硬化後のエポキシプリプレグと離型フィルムとの剥離強度を、25℃の恒温室で、引張試験機(インテスコ社製、精密万能材料試験機、2020型)にて測定した。剥離角度は180度、剥離速度は300mm/分とした。剥離強度は、スペクトルの強度が安定した部分の平均値を取った。評価結果はn=5の平均値とした。
(3) Peeling strength: Both sides of an epoxy prepreg (EI-6765 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) with a size of 60 mm × 100 mm are sandwiched between mold release films, and 5 kg with a press machine set at 170 ° C. as a mold setting temperature. It held at / cm 2 for 20 minutes. Thereafter, it was cooled to room temperature to obtain a sample. The peel strength between the cured epoxy prepreg and the release film of the obtained sample was measured in a constant temperature room at 25 ° C. using a tensile tester (Intesco manufactured precision universal material tester, 2020 type). The peeling angle was 180 degrees, and the peeling speed was 300 mm / min. Peeling strength took the average value of the part where the intensity | strength of the spectrum was stable. The evaluation result was an average value of n = 5.

(4)しわ
キャビティの内寸が220mm×55mm×1.5mmである金型を170℃に加熱し、離型フィルムを装填して真空引きし、2分間保持した。その後、真空引きを解除して常圧にし、離型フィルムを取り除き、取り除いた離型フィルムにおけるしわの有無を目視により確認した。この操作を200回繰り返し、しわの発生回数を確認した。
(4) Wrinkle A mold having an inner size of 220 mm × 55 mm × 1.5 mm was heated to 170 ° C., a release film was loaded, vacuum was applied, and held for 2 minutes. Thereafter, the evacuation was released to normal pressure, the release film was removed, and the presence or absence of wrinkles in the removed release film was visually confirmed. This operation was repeated 200 times to confirm the number of occurrences of wrinkles.

(5)離型性
離型フィルムを用い、上記(4)しわ評価と同じ金型を170℃の温度設定で用いてモールド成型装置による加工を行った。成型後に金型を開けた時の離型フィルムとパッケージの状態を目視で観察し、次の基準に従って評価した。
良好:フィルムがパッケージから完全に剥がれていた。
普通:金型の型開き時にフィルムの一部がパッケージに引っ張られながら剥がれた。
不良:フィルムがパッケージから剥がれず残っていた。
(5) Releasability Using a mold release film, processing with a molding apparatus was performed using the same mold as in (4) Wrinkle evaluation at a temperature setting of 170 ° C. The state of the release film and the package when the mold was opened after molding was visually observed and evaluated according to the following criteria.
Good: The film was completely removed from the package.
Normal: A part of the film peeled off while being pulled by the package when the mold opened.
Poor: The film did not peel off from the package and remained.

(6)破れ
離型フィルムを用い、上記(4)しわ評価と同じ金型を170℃の温度設定で用いてモールド成型装置による加工を行った。成型後に金型を開けた時に離型フィルムが破れなかったかを、目視で確認した。この操作を200回繰り返し、破れの発生回数を確認した。
(6) Tearing Using a mold release film, processing with a molding apparatus was performed using the same mold as in the above (4) wrinkle evaluation at a temperature setting of 170 ° C. It was visually confirmed whether the release film was not broken when the mold was opened after molding. This operation was repeated 200 times and the number of occurrences of breakage was confirmed.

(7)追随性
上記(6)の加工において、離型フィルムが破れなかったものについて、離型フィルムの追随性にもとづく、成型されたパッケージの角部と辺部との状態について目視で観察し、丸みを帯びたパッケージの発生回数を確認した。
(7) Follow-up property In the processing of the above (6), with respect to the one in which the release film was not broken, the state of the corner portion and the side portion of the molded package was visually observed based on the followability of the release film. The number of occurrences of rounded packages was confirmed.

(8)良品率
上記(6)と(7)の結果より、200回の加工で得られたパッケージの良品率を算出した。良品率は80%以上を合格とした。
(8) Non-Defective Rate From the results of the above (6) and (7), the non-defective rate of the package obtained by 200 times of processing was calculated. The non-defective rate passed 80% or more.

(実施例1)
以下、ブレンドするポリエステル樹脂について、比率の高いものから、第1樹脂、第2樹脂、第3樹脂と称する。
Example 1
Hereinafter, polyester resins to be blended are referred to as a first resin, a second resin, and a third resin, from those having a high ratio.

第1樹脂としての、PBT(ポリブチレンテレフタレート、IV(極限粘度)1.08dl/g、Tm(融点)223℃)54質量部と、第2樹脂としての、PET(ポリエチレンテレフタレート、IV0.75dl/g、Tm255℃)46質量部とをドライブレンドしたものを、Tダイを備えた押出機を用いて、275℃でシート状に溶融押出し、表面温度18℃の冷却ドラムに密着させて冷却し未延伸シートを得た。得られた未延伸シートの幅方向の端部をテンター式同時二軸延伸機のクリップにて把持し、60℃の予熱ゾーンを走行させた後、温度80℃でMD(機械方向)に3.0倍、TD(幅方向)に3.3倍で同時二軸延伸した。その後、TDの弛緩率を5%として、温度195℃で4秒間の熱固定を施した。そして、室温まで冷却して巻き取り、同時二軸延伸ポリエステルフィルムを得た。その後、トルエンで希釈した溶剤付加反応型シリコーン(信越化学工業社製のKS−847T(シリコーンA))を、#3マイヤーバーを用いてハンドコートした後、150℃×30秒間乾燥した。これにより、厚さ0.2μmの剥離用樹脂層を形成した厚さ50μmの離型フィルムを得た。   54 parts by mass of PBT (polybutylene terephthalate, IV (inherent viscosity) 1.08 dl / g, Tm (melting point) 223 ° C.) as a first resin, and PET (polyethylene terephthalate, IV 0.75 dl / g as a second resin g, Tm 255 ° C) dry blended with 46 parts by mass is melt extruded into a sheet at 275 ° C using an extruder equipped with a T-die, brought into close contact with a cooling drum with a surface temperature of 18 ° C, and cooled An oriented sheet was obtained. After holding the end of the obtained unstretched sheet in the width direction with the clip of the tenter type simultaneous biaxial stretching machine and traveling the preheating zone at 60 ° C., the temperature at 80 ° C. is applied to the MD (machine direction). The film was simultaneously biaxially stretched at 0 × and 3.3 in TD (width direction). Thereafter, heat relaxation was applied for 4 seconds at a temperature of 195 ° C., with a TD relaxation rate of 5%. Then, it was cooled to room temperature and wound up to obtain a simultaneously biaxially oriented polyester film. Thereafter, solvent addition reaction type silicone (KS-847T (Silicone A) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) diluted with toluene was hand-coated using a # 3 Meyer bar and then dried at 150 ° C. for 30 seconds. As a result, a 50 μm-thick release film on which a 0.2 μm-thick release resin layer was formed was obtained.

以上のようにして得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。   The evaluation results of the release film obtained as described above are shown in Table 1.

Figure 2017130952
Figure 2017130952

(実施例2、3、16〜18)
実施例1に比べ、PBTとPETとの組成比を表1に示すように変更した。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Examples 2, 3 and 16 to 18)
The composition ratio of PBT to PET was changed as shown in Table 1 as compared with Example 1. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(実施例4)
実施例1と同様にして同時二軸延伸フィルムを得た。その後、剥離用樹脂層に下記のようにして製造した樹脂組成物Xを用い、実施例1と同じ条件でコートし、厚さ0.2μmの剥離用樹脂層を形成した厚さ50μmの離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Example 4)
A simultaneous biaxially stretched film was obtained in the same manner as Example 1. Thereafter, a resin composition X manufactured as follows was used as a release resin layer, and coated under the same conditions as in Example 1 to form a release resin layer having a thickness of 0.2 μm and a release of 50 μm in thickness. I got a film. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

[樹脂組成物Xの製造]
下記のようにして製造した酸変性ポリオレフィン樹脂水性分散体Mと、ポリビニルアルコール(日本酢ビ・ポバール社製「VC−10」、重合度:1,000)の8質量%水溶液と、架橋剤としてのオキサゾリン化合物の水性溶液(日本触媒社製、エポクロス「WS−500」、固形分濃度:40質量%)とを、ポリビニルアルコールが酸変性ポリオレフィン樹脂100質量部に対して50質量部、オキサゾリン化合物の固形分が酸変性ポリオレフィン樹脂100質量部に対して10質量部となるように混合して、液状の樹脂組成物Xを得た。
[Production of Resin Composition X]
Acid-modified polyolefin resin aqueous dispersion M manufactured as described below, 8% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol ("VC-10" manufactured by Nippon Shokubai Bi-Pobar, degree of polymerization: 1,000), and crosslinking agent Aqueous solution of an oxazoline compound (Epocross "WS-500", solid content concentration: 40% by mass, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.), polyvinyl alcohol is 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of acid-modified polyolefin resin, It mixed so that solid content might be 10 mass parts with respect to 100 mass parts of acid-modified polyolefin resin, and the liquid resin composition X was obtained.

[酸変性ポリオレフィン樹脂水性分散体Mの製造]
ヒーター付きの密閉できる耐圧1リットル容ガラス容器を備えた攪拌機を用いて、60.0gの、下記のようにして製造した酸変性ポリオレフィン樹脂Yと、45.0gのBu−EG(和光純薬社製、特級、沸点171℃、なお「Bu−EG」はエチレングリコール−n−ブチルエーテルを意味する)と、6.9g(樹脂中の無水マレイン酸単位のカルボキシル基に対して1.0倍当量)のDMEA(和光純薬社製、特級、沸点134℃、なお「DMEA」はN,N−ジメチルエタノールアミンを意味する)と、188.1gの蒸留水とを上記のガラス容器内に仕込み、攪拌翼の回転速度を300rpmとして攪拌した。そうしたところ、容器底部には樹脂の沈澱は認められず、浮遊状態となっていることが確認された。そこでこの状態を保ちつつ、10分後にヒーターの電源を入れ加熱した。そして系内温度を140℃に保ってさらに60分間攪拌した。その後、空冷にて、回転速度300rpmのまま攪拌しつつ室温(約25℃)まで冷却した。さらに、300メッシュのステンレス製フィルター(線径0.035mm、平織)で加圧濾過(空気圧0.2MPa)することで、乳白黄色の均一な酸変性ポリオレフィン樹脂水性分散体Mを得た。なお、フィルター上には残存樹脂は殆どなかった。
[Production of Acid-Modified Polyolefin Resin Aqueous Dispersion M]
60.0 g of acid-modified polyolefin resin Y produced as described below using a stirrer equipped with a sealable pressure-resistant 1-liter glass container with a heater, and 45.0 g of Bu-EG (Wako Pure Chemical Industries, Ltd. (Special grade, boiling point 171 ° C, "Bu-EG" means ethylene glycol-n-butyl ether), 6.9 g (1.0-fold equivalent to the carboxyl group of the maleic anhydride unit in the resin) Of DMEA (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, special grade, boiling point 134 ° C., where “DMEA” means N, N-dimethylethanolamine) and 188.1 g of distilled water in the above glass container and stirring The blade was stirred at a rotational speed of 300 rpm. At that time, no resin precipitation was observed at the bottom of the container, and it was confirmed that the container was in a floating state. Then, while maintaining this state, the heater was turned on and heated after 10 minutes. Then, the temperature inside the system was maintained at 140 ° C. and stirring was further performed for 60 minutes. Then, it cooled to room temperature (about 25 degreeC), stirring with air cooling at the rotational speed of 300 rpm. Further, pressure filtration (air pressure: 0.2 MPa) was performed using a 300 mesh stainless steel filter (wire diameter: 0.035 mm, plain weave) to obtain a milk-white, uniform, acid-modified polyolefin resin aqueous dispersion M. There was almost no residual resin on the filter.

[酸変性ポリオレフィン樹脂Yの製造]
プロピレン−ブテン−エチレン三元共重合体(ヒュルスジャパン社製、ベストプラスト708、プロピレン/ブテン/エチレン=64.8/23.9/11.3質量%)280gを、4つ口フラスコ中において、窒素雰囲気下で加熱溶融させた後、系内温度を170℃に保って、攪拌下、不飽和カルボン酸として無水マレイン酸32.0gとラジカル発生剤としてジクミルパーオキサイド6.0gとをそれぞれ1時間かけて加え、その後1時間反応させた。
[Production of acid-modified polyolefin resin Y]
280 g of a propylene-butene-ethylene terpolymer (made by Huls Japan, Bestplast 708, propylene / butene / ethylene = 64.8 / 23.9 / 11.3% by mass) in a four-necked flask After heating and melting in a nitrogen atmosphere, the temperature inside the system is maintained at 170 ° C., and 32.0 g of maleic anhydride as unsaturated carboxylic acid and 6.0 g of dicumyl peroxide as a radical generator under stirring. It was added over 1 hour and then allowed to react for 1 hour.

反応終了後、得られた反応物を多量のアセトン中に投入し、樹脂を析出させた。この樹脂をさらにアセトンで数回洗浄し、未反応の無水マレイン酸を除去した後、減圧乾燥機中で減圧乾燥して、酸変性ポリオレフィン樹脂Yを得た。   After completion of the reaction, the obtained reaction product was poured into a large amount of acetone to precipitate a resin. The resin was further washed with acetone several times to remove unreacted maleic anhydride, and then dried under reduced pressure in a reduced pressure dryer to obtain acid-modified polyolefin resin Y.

(実施例5)
実施例1と同様にして未延伸シートを得た。この未延伸シートをロール式縦延伸機に導き、45〜55℃で予熱した後、60〜70℃で、MD(機械方向)に3.0倍に縦延伸した。
(Example 5)
In the same manner as Example 1, an unstretched sheet was obtained. The unstretched sheet was introduced into a roll-type longitudinal stretcher, preheated at 45 to 55 ° C., and then longitudinally stretched at 60 to 70 ° C. in MD (machine direction) 3.0 times.

そして室温まで冷却した後、フィルムの幅方向の両端をクリップにつかみながら75℃で予熱し85〜95℃で、TD(幅方向)に3.3倍に横延伸した。さらに、温度190℃で4秒間の熱処理を施した後、室温まで冷却して巻き取り、逐次二軸延伸フィルムを得た。その後、剥離用樹脂層に樹脂組成物Xを用い、実施例1と同じ条件でコートし、厚さ0.2μmの剥離用樹脂層を形成した厚さ50μmの離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。   After cooling to room temperature, the film was preheated at 75 ° C. while holding both ends in the width direction of the film, and transversely stretched at 85 to 95 ° C. in the TD (width direction) by 3.3 times. Further, after heat treatment at a temperature of 190 ° C. for 4 seconds, the film was cooled to room temperature and taken up to obtain a sequentially biaxially stretched film. Thereafter, the resin composition X was coated on the release resin layer under the same conditions as in Example 1 to obtain a release film having a thickness of 50 μm on which a release resin layer having a thickness of 0.2 μm was formed. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(実施例6、7)
実施例6においては、第2樹脂として、実施例1のPETのホモポリマーに代えて、イソフタル酸を4モル%共重合した共重合ポリエステル(IPA4、Tm(融点)245℃)を用い、組成比を表1に示すように変更した。実施例7においては、第2樹脂として、実施例1のPETのホモポリマーに代えて、アジピン酸を6モル%共重合した共重合ポリエステル(AD6、Tm(融点)240℃)を用い、組成比を表1に示すように変更した。実施例6、7とも、剥離用樹脂層として、信越化学工業社製のKS−3703(シリコーンB)を使用した。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Examples 6, 7)
In Example 6, a copolymer polyester (IPA4, Tm (melting point) 245 ° C.) in which 4 mol% of isophthalic acid is copolymerized is used as the second resin, instead of the PET homopolymer of Example 1. Were changed as shown in Table 1. In Example 7, in place of the PET homopolymer of Example 1, a copolymerized polyester (AD6, Tm (melting point) 240 ° C.) obtained by copolymerizing 6 mol% of adipic acid is used as the second resin. Were changed as shown in Table 1. In both of Examples 6 and 7, KS-3703 (Silicone B) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was used as the resin layer for peeling. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(実施例8〜10)
実施例1に比べて離型フィルムの厚さを表1に示すように変更した。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Examples 8 to 10)
The thickness of the release film was changed as shown in Table 1 as compared with Example 1. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(実施例11)
実施例1に比べ、樹脂組成比を表1に示すように変更するとともに、未延伸シートの延伸方法を実施例5と同じ逐次二軸延伸方法に変更した。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Example 11)
The resin composition ratio was changed as shown in Table 1 as compared with Example 1, and the method of stretching the unstretched sheet was changed to the same sequential biaxial stretching method as in Example 5. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(実施例12〜14)
実施例1に比べ、第1樹脂を変更した。詳細には、実施例12においては、第1樹脂として、ポリブチレンテレフタレートに平均分子量Mw:1000のPTMG(ポリテトラメチレンエーテルグリコール)を15質量部共重合した共重合PBT(変性PBT、Tm(融点)218℃)を用いた。実施例13においては、第1樹脂として、ポリトリメチレンテレフタレート(PTT、Tm(融点)228℃)を用いた。実施例14においては、第1樹脂として、アジピン酸を15モル%共重合した共重合ポリエステル(AD15、Tm(融点)225℃)を用い、組成比を表1に示すように変更した。
それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Examples 12 to 14)
Compared to Example 1, the first resin was changed. Specifically, in Example 12, as a first resin, a copolymerized PBT (modified PBT, Tm (melting point) obtained by copolymerizing 15 parts by mass of PTMG (polytetramethylene ether glycol) having an average molecular weight Mw of 1000 into polybutylene terephthalate ) 218 ° C) was used. In Example 13, polytrimethylene terephthalate (PTT, Tm (melting point) 228 ° C.) was used as the first resin. In Example 14, as the first resin, a copolymer polyester (AD15, Tm (melting point) 225 ° C.) obtained by copolymerizing 15 mol% of adipic acid was used, and the composition ratio was changed as shown in Table 1.
A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(実施例15)
実施例1に、さらにアジピン酸を6モル%共重合した共重合ポリエステル(AD6、Tm(融点)240℃)を第3樹脂として用い、組成比を表1に示すように変更した。それ以外は実施例1と同様にし、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Example 15)
In Example 1, a copolymer polyester (AD6, Tm (melting point) 240 ° C.) obtained by further copolymerizing 6 mol% of adipic acid was used as a third resin, and the composition ratio was changed as shown in Table 1. Other than that was carried out similarly to Example 1, and obtained the release film. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例1)
実施例1に比べ、離型層を設けずに、基材フィルムのみを用い、それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 1)
As compared with Example 1, a release film was obtained as the same as Example 1 except that only the base film was used without providing the release layer. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例2)
実施例1と同様にして未延伸シートを得た。ただし、厚さについては、未延伸シートで50μmとなるように吐出量を調整した。延伸処理と、その後の熱固定処理とは施さなかった。この未延伸シートに、実施例1と同様にシリコーンコートをハンドコートして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 2)
In the same manner as Example 1, an unstretched sheet was obtained. However, about thickness, discharge amount was adjusted so that it might be set to 50 micrometers with an unstretched sheet. The stretching process and the subsequent heat setting process were not performed. The unstretched sheet was hand-coated with a silicone coat in the same manner as in Example 1 to obtain a release film. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例3)
実施例1に比べ、第1樹脂をTm(融点)165℃のポリ乳酸(PLA)に変更した。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 3)
Compared to Example 1, the first resin was changed to polylactic acid (PLA) having a Tm (melting point) of 165 ° C. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例4)
実施例1に比べ、第1樹脂を実施例1の第2樹脂と同じPETに変更するとともに、第2樹脂をTm(融点)165℃のポリ乳酸に変更した。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 4)
Compared to Example 1, the first resin was changed to the same PET as the second resin of Example 1, and the second resin was changed to polylactic acid having a Tm (melting point) of 165 ° C. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例5)
実施例11に比べ、第1樹脂にシクロヘキサンジメタノールを30モル%共重合した共重合ポリエステル(CHDM30、Tm(融点)なし)を用い、第2樹脂にジエチレングリコールを8モル%共重合した共重合ポリエステル(DEG8、Tm(融点)240℃)を用いて、組成比を表1に示すように変更した。それ以外は実施例11と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 5)
Compared to Example 11, a copolymer polyester (CHDM30, without Tm (melting point)) copolymerized with 30 mol% of cyclohexanedimethanol as the first resin and a copolymer polyester with 8 mol% of diethylene glycol copolymerized with the second resin Using (DEG8, Tm (melting point) 240 ° C.), the composition ratio was changed as shown in Table 1. A release film was obtained as in Example 11 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例6)
実施例11に比べ、第1樹脂に実施例1の第2樹脂と同じPETを用い、第2樹脂にネオペンチルグリコールを60モル%共重合した共重合ポリエステル(NPG60、Tm(融点)なし)を用いて、組成比を表1に示すように変更した。さらに厚さを表1に示すように変更した。それ以外は実施例11と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 6)
A copolymerized polyester (NPG 60, without Tm (melting point)) obtained by copolymerizing 60% by mole of neopentyl glycol in the second resin using the same PET as the second resin in Example 1 as the first resin in comparison with Example 11 Using it, the composition ratio was changed as shown in Table 1. Furthermore, the thickness was changed as shown in Table 1. A release film was obtained as in Example 11 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例7)
実施例1に比べ、第1樹脂を実施例1の第2樹脂と同じPETに変更するとともに、第2樹脂は用いなかった。さらに厚さを表1に示すように変更した。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 7)
Compared to Example 1, the first resin was changed to the same PET as the second resin of Example 1, and the second resin was not used. Furthermore, the thickness was changed as shown in Table 1. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例8)
実施例1に比べ、第1樹脂は実施例1と同じPBTとしたが、第2樹脂は用いなかった。さらに厚さを表1に示すように変更した。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 8)
Compared to Example 1, the first resin was the same PBT as Example 1, but the second resin was not used. Furthermore, the thickness was changed as shown in Table 1. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例9)
実施例1に比べ、第1樹脂を実施例6の第2樹脂と同じIPA4に変更するとともに、第2樹脂は用いなかった。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 9)
Compared to Example 1, the first resin was changed to the same IPA 4 as the second resin of Example 6, and the second resin was not used. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

(比較例10)
実施例1に比べ、第1樹脂をアジピン酸を8モル%共重合した共重合ポリエステル(AD8、Tm(融点)235℃)に変更するとともに、第2樹脂は用いなかった。それ以外は実施例1と同じとして、離型フィルムを得た。得られた離型フィルムの評価結果を表1に示す。
(Comparative example 10)
Compared to Example 1, the first resin was changed to a copolyester (AD8, Tm (melting point) 235 ° C.) obtained by copolymerizing 8 mol% of adipic acid, and the second resin was not used. A release film was obtained as in Example 1 except the above. The evaluation results of the obtained release film are shown in Table 1.

実施例1〜18の離型フィルムは、半導体パッケージの成形性に優れ、得られた成形品の外観は良好であった。特に実施例1、4、5、8、11の離型フィルムは、フィルムの厚さが最も好ましい範囲であり、基材フィルムとしてPETをより好ましい範囲で含有し、かつ、PBTをより好ましい範囲で含有していたため、しわ、破れ、追随性の評価が良好な結果であった。   The release film of Examples 1-18 was excellent in the moldability of a semiconductor package, and the external appearance of the obtained molded article was favorable. In particular, the release film of Examples 1, 4, 5, 8 and 11 has a film thickness in the most preferable range, contains PET as a base film in a more preferable range, and PBT in a more preferable range. Since it contained, the evaluation of a wrinkle, a tear, and conformity was a favorable result.

一方、比較例1の離型フィルムは、剥離用樹脂層を積層していなかったため、離型性が発現しなかった。このため、フィルムを剥離する際に、同フィルムが破壊し、剥離強度を測定することができなかった。モールド成型装置で加工すると、金型を開けた際にフィルムがパッケージから剥がれず、それをきっかけとしてフィルムが破れた。パッケージにはフィルムの破片が付着しており、パッケージの状態にもとづく追随性の評価はできなかった。   On the other hand, the release film of Comparative Example 1 did not exhibit release properties because the release resin layer was not laminated. For this reason, when peeling a film, the same film was destroyed and it was not possible to measure peeling strength. When processed by a molding apparatus, the film did not come off from the package when the mold was opened, and the film was torn off as a trigger. The fragments of the film were attached to the package, and the followability could not be evaluated based on the condition of the package.

比較例2の離型フィルムは、基材フィルムが未延伸のポリエステルフィルムであったため、耐熱性に劣り、フィルムを剥離する際に、同フィルムが破壊し、剥離強度を測定することができなかった。また、しわを評価するための高温条件下で大きく収縮してしわが発生し、離型性に劣り、フィルムも破れた。パッケージにはフィルムの破片が付着しており、パッケージの状態にもとづく追随性の評価はできなかった。   The release film of Comparative Example 2 was poor in heat resistance because the base film was an unstretched polyester film, and when the film was peeled, the film was broken and the peel strength could not be measured. . In addition, the film shrank greatly under high temperature conditions for evaluation of wrinkles, wrinkles were generated, the mold releasability was inferior, and the film was broken. The fragments of the film were attached to the package, and the followability could not be evaluated based on the condition of the package.

比較例3〜5の離型フィルムは、融点の低いPLAや、結晶性が低く融点のないCHDM30を用いたために、耐熱性に劣り、フィルムを剥離する際に、同フィルムが破壊し、剥離強度を測定することができなかった。また、しわを評価するための高温条件下で大きく収縮してしわが発生し、離型性に劣り、フィルムも破れた。パッケージにはフィルムの破片が付着しており、パッケージの状態にもとづく追随性の評価はできなかった。   The release films of Comparative Examples 3 to 5 are inferior in heat resistance because PLA having a low melting point and CHDM 30 having a low crystallinity and no melting point are used, and when the film is peeled, the film is broken and the peeling strength is Could not be measured. In addition, the film shrank greatly under high temperature conditions for evaluation of wrinkles, wrinkles were generated, the mold releasability was inferior, and the film was broken. The fragments of the film were attached to the package, and the followability could not be evaluated based on the condition of the package.

比較例6の離型フィルムは、融点の低いNPG60を用いたが、その樹脂比率が低いため、剥離強度は測定できた。しかし、実際の成型時には、繰り返し成型を行うことで、しわやフィルムの一部が溶けて破れる現象が頻繁に発生した。成型時に破れの発生しなかったものについては、追随性は良好であった。   Although NPG60 with a low melting point was used for the release film of the comparative example 6, since the resin ratio was low, peeling strength was able to be measured. However, at the time of actual molding, the phenomenon that the wrinkles and a part of the film melt and break frequently occurred by performing repeated molding. The followability was good for those in which no breakage occurred during molding.

比較例7、9の離型フィルムは、第2樹脂を用いなかったために、追随性に劣り、また、しわも発生しやすく、さらにそのしわ部をきっかけとしてフィルムが破れる現象が頻繁に発生した。   The release films of Comparative Examples 7 and 9 did not use the second resin, so they were inferior in followability, and were also prone to wrinkles, and the phenomenon of film breakage triggered by the wrinkles frequently occurred.

比較例8、10離型フィルムは、第2樹脂を用いなかったために、耐熱性に劣り、しわが発生した。モールド成型装置で加工すると、発生したしわが離形性を阻害した。さらにそのしわ部をきっかけとして、また、フィルムの強度も不足していたため、フィルムが破れた。成型時に破れが発生しなかったものについては、追随性は良好であった。   Comparative Examples 8 and 10 Since the second release film was not used, the heat resistance was inferior and wrinkles occurred. When processed by a molding apparatus, the generated wrinkles inhibited the releasability. Furthermore, the film was broken due to the wrinkles and also because the strength of the film was insufficient. The followability was good for those in which no tear occurred during molding.

比較例1〜10の離型フィルムにおいて、所要の全ての性能(しわ、離型性、破れ、追随性)を同時に満足するものは無かった。   None of the release films of Comparative Examples 1 to 10 simultaneously satisfied all the required performances (wrinkling, releasability, tear, followability).

Claims (18)

半導体パッケージの製造方法であって、
パッケージされる素子を設置した金型における、パッケージ製造用の熱硬化性樹脂が充填されるキャビティ面に離型フィルムを配置したうえで、前記金型内に熱硬化性樹脂を充填するに際し、
前記離型フィルムとして、キャビティ面側に配置される基材フィルムと、熱硬化性樹脂側に配置される剥離用樹脂とが積層された積層フィルムを用い、
前記基材フィルムとして、融点を金型設定温度以上に2点以上有する延伸ポリエステルフィルムを用いることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
A method of manufacturing a semiconductor package,
When a mold release film is disposed on a cavity surface filled with a thermosetting resin for package production in a mold in which a device to be packaged is installed, and then the thermosetting resin is filled in the mold,
As the release film, a laminated film in which a base film disposed on the cavity surface side and a peeling resin disposed on the thermosetting resin side are laminated,
A method for producing a semiconductor package, comprising using a stretched polyester film having a melting point at two or more points above a mold set temperature as the base film.
基材フィルムを構成するポリエステル樹脂として、ジカルボン酸成分および/またはジオール成分が炭素数2〜5のアルキル鎖を繰り返し成分として含むものを用いることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。   The method for producing a semiconductor package according to claim 1, wherein the polyester resin constituting the substrate film is one having a dicarboxylic acid component and / or a diol component containing an alkyl chain of 2 to 5 carbon atoms as a repeating component. . 基材フィルムを構成するポリエステル樹脂として、ポリエチレンテレフタレートを20〜60質量パーセント含有するポリエステル樹脂を用いることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体パッケージの製造方法。   The method for producing a semiconductor package according to claim 1 or 2, wherein a polyester resin containing 20 to 60 mass% of polyethylene terephthalate is used as the polyester resin constituting the base film. 基材フィルムを構成するポリエステル樹脂として、ポリブチレンテレフタレートを40〜80質量パーセント含有するポリエステル樹脂を用いることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項記載の半導体パッケージの製造方法。   The method for producing a semiconductor package according to any one of claims 1 to 3, wherein a polyester resin containing 40 to 80 mass% of polybutylene terephthalate is used as the polyester resin constituting the substrate film. 厚さが20μm〜100μmである離型フィルムを用いることを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項記載の半導体パッケージの製造方法。   The method for producing a semiconductor package according to any one of claims 1 to 4, wherein a release film having a thickness of 20 μm to 100 μm is used. 170℃に設定したプレス機で5kg/cmで20分間保持した後、室温まで冷却して硬化したエポキシプリプレグとの剥離強度が1.0N/cm以下である離型フィルムを用いることを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体パッケージの製造方法。After holding at 5 kg / cm 2 for 20 minutes with a press set at 170 ° C., it is characterized by using a release film having a peeling strength of 1.0 N / cm or less with respect to an epoxy prepreg which has been cooled and hardened to room temperature. The manufacturing method of the semiconductor package of any one of Claim 1 to 5. パッケージされる素子を設置した金型における、パッケージ製造用の熱硬化性樹脂が充填されるキャビティ面に離型フィルムを配置したうえで、前記金型内に熱硬化性樹脂を充填する半導体パッケージの製造方法に用いられる前記離型フィルムであって、
前記離型フィルムは、キャビティ面側に配置される基材フィルムと熱硬化性樹脂側に配置される剥離用樹脂とが積層されており、
前記基材フィルムは、融点を金型設定温度以上に2点以上有する延伸ポリエステルフィルムにて構成されていることを特徴とする半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。
A semiconductor package in which a mold release film is disposed on a cavity surface filled with a thermosetting resin for manufacturing a package in a mold in which a device to be packaged is installed, and then the thermosetting resin is filled in the mold. The release film used in a manufacturing method, which is
In the release film, a base film disposed on the cavity surface side and a release resin disposed on the thermosetting resin side are laminated,
The release film for the manufacturing process of a semiconductor package, wherein the base film is formed of a stretched polyester film having a melting point at two or more points at a mold set temperature or more.
基材フィルムを構成するポリエステル樹脂のジカルボン酸成分および/またはジオール成分が炭素数2〜5のアルキル鎖を繰り返し成分として含むことを特徴とする請求項7記載の半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。   8. The mold release process for producing a semiconductor package according to claim 7, wherein the dicarboxylic acid component and / or the diol component of the polyester resin constituting the base film contains an alkyl chain having 2 to 5 carbon atoms as a repeating component. the film. 基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリエチレンテレフタレートを20〜60質量パーセント含有するものであることを特徴とする請求項7または8記載の半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。   The polyester film which comprises a base film contains 20-60 mass% of polyethylene terephthalates, The release film for the manufacturing process of the semiconductor package of Claim 7 or 8 characterized by the above-mentioned. 基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリブチレンテレフタレートを40〜80質量パーセント含有するものであることを特徴とする請求項7から9までのいずれか1項記載の半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。   The polyester resin which comprises a base film is what contains 40-80 mass% of polybutylene terephthalates, The separation for the manufacturing process of the semiconductor package of any one of Claim 7 to 9 characterized by the above-mentioned. Mold film. 厚さが20μm〜100μmであることを特徴とする請求項7から10までのいずれか1項記載の半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。   The release film for the manufacturing process of a semiconductor package according to any one of claims 7 to 10, which has a thickness of 20 μm to 100 μm. 170℃に設定したプレス機で5kg/cmで20分間保持した後、室温まで冷却して硬化したエポキシプリプレグとの剥離強度が、1.0N/cm以下であることを特徴とする請求項7から11までのいずれか1項記載の半導体パッケージの製造工程用の離型フィルム。After holding at 5 kg / cm 2 for 20 minutes with a press set at 170 ° C., the peel strength from the epoxy prepreg cured and cooled to room temperature is 1.0 N / cm or less. 11. A mold release film for the manufacturing process of a semiconductor package according to any one of the items 1 to 11. 成形金型のキャビティ面側に配置される基材フィルムと成形用樹脂側に配置される剥離用樹脂とが積層されてなる離型フィルムであって、
前記基材フィルムが、融点を金型設定温度以上に2点以上有する延伸ポリエステルフィルムであることを特徴とする離型フィルム。
A release film in which a base film disposed on the cavity surface side of a molding die and a release resin disposed on the molding resin side are laminated,
A release film characterized in that the base film is a stretched polyester film having a melting point at two or more points above a mold set temperature.
基材フィルムを構成するポリエステル樹脂のジカルボン酸成分および/またはジオール成分が、炭素数2〜5のアルキル鎖を繰り返し成分として含むものであることを特徴とする請求項13記載の離型フィルム。   14. The release film according to claim 13, wherein the dicarboxylic acid component and / or the diol component of the polyester resin constituting the substrate film comprises an alkyl chain of 2 to 5 carbon atoms as a repeating component. 基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリエチレンテレフタレートを20〜60質量パーセント含有するものであることを特徴とする請求項13または14記載の離型フィルム。   The polyester film which comprises a base film contains 20-60 mass% of polyethylene terephthalates, The release film of Claim 13 or 14 characterized by the above-mentioned. 基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリブチレンテレフタレートを40〜80質量パーセント含有するものであることを特徴とする請求項13から15までのいずれか1項記載の離型フィルム。   The release film according to any one of claims 13 to 15, wherein the polyester resin constituting the substrate film contains 40 to 80 mass% of polybutylene terephthalate. 厚さが20μm〜100μmであることを特徴とする請求項13から16までのいずれかに記載の離型フィルム。   The release film according to any one of claims 13 to 16, wherein the thickness is 20 μm to 100 μm. 170℃設定したプレス機で5kg/cmで20分間保持した後、室温まで冷却して硬化したエポキシプリプレグとの剥離強度が1.0N/cm以下であることを特徴とする請求項13から17までのいずれか1項記載の離型フィルム。18. The method according to any one of claims 13 to 17, characterized in that the peel strength with respect to the epoxy prepreg which has been cooled to room temperature and cured after holding at 5 kg / cm 2 for 20 minutes with a press set at 170 ° C. is 1.0 N / cm or less. The release film according to any one of the above.
JP2017531418A 2016-01-29 2017-01-24 Release film for semiconductor package manufacturing method and semiconductor package manufacturing process Active JP6902273B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016014963 2016-01-29
JP2016014963 2016-01-29
PCT/JP2017/002314 WO2017130952A1 (en) 2016-01-29 2017-01-24 Method for manufacturing semiconductor package, and mold-releasing film for semiconductor package manufacturing process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017130952A1 true JPWO2017130952A1 (en) 2018-11-15
JP6902273B2 JP6902273B2 (en) 2021-07-14

Family

ID=59398832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017531418A Active JP6902273B2 (en) 2016-01-29 2017-01-24 Release film for semiconductor package manufacturing method and semiconductor package manufacturing process

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6902273B2 (en)
TW (1) TW201737366A (en)
WO (1) WO2017130952A1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111051060A (en) * 2017-08-30 2020-04-21 东丽薄膜先端加工股份有限公司 Mold release film
CN111183010A (en) * 2017-10-06 2020-05-19 东丽薄膜先端加工股份有限公司 Mold release film for molding and molding method
JP6667836B1 (en) * 2019-03-20 2020-03-18 株式会社コバヤシ Combination of mold and release film, release film, mold, and method of producing molded article
JP7413097B2 (en) * 2019-03-25 2024-01-15 フタムラ化学株式会社 Method for producing a thin plate-like laminate having a film-like resin layer
CN112978431A (en) * 2021-02-04 2021-06-18 芯笙半导体科技(上海)有限公司 Destaticizing film processing equipment based on resin molding

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079566A (en) * 2002-08-09 2004-03-11 Hitachi Chem Co Ltd Release sheet for molding semiconductor element
JP2006049850A (en) * 2004-06-29 2006-02-16 Asahi Glass Co Ltd Mold-releasing film for sealing semiconductor chip
JP2009172864A (en) * 2008-01-24 2009-08-06 Teijin Dupont Films Japan Ltd Multilayered biaxially oriented polyester film for molding
JP2011194702A (en) * 2010-03-19 2011-10-06 Toray Ind Inc Laminated film and molding sheet using the same
JP2011230289A (en) * 2010-04-23 2011-11-17 Teijin Dupont Films Japan Ltd Release film
JP2012066586A (en) * 2011-10-24 2012-04-05 Mitsubishi Plastics Inc Polyester film for molding simultaneous transfer
WO2012077571A1 (en) * 2010-12-07 2012-06-14 東洋紡績株式会社 Mold release polyester film for molding process

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079566A (en) * 2002-08-09 2004-03-11 Hitachi Chem Co Ltd Release sheet for molding semiconductor element
JP2006049850A (en) * 2004-06-29 2006-02-16 Asahi Glass Co Ltd Mold-releasing film for sealing semiconductor chip
JP2009172864A (en) * 2008-01-24 2009-08-06 Teijin Dupont Films Japan Ltd Multilayered biaxially oriented polyester film for molding
JP2011194702A (en) * 2010-03-19 2011-10-06 Toray Ind Inc Laminated film and molding sheet using the same
JP2011230289A (en) * 2010-04-23 2011-11-17 Teijin Dupont Films Japan Ltd Release film
WO2012077571A1 (en) * 2010-12-07 2012-06-14 東洋紡績株式会社 Mold release polyester film for molding process
JP2012066586A (en) * 2011-10-24 2012-04-05 Mitsubishi Plastics Inc Polyester film for molding simultaneous transfer

Also Published As

Publication number Publication date
TW201737366A (en) 2017-10-16
WO2017130952A1 (en) 2017-08-03
JP6902273B2 (en) 2021-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6902273B2 (en) Release film for semiconductor package manufacturing method and semiconductor package manufacturing process
TWI748056B (en) Heat-shrinkable polyester film, heat-shrinkable label and package
KR101816619B1 (en) Biaxially stretched polyester film for mold release
TW201817603A (en) Polyester film
JP2008279705A (en) Polyester film for deep drawing and simultaneously transferred foil
JP4232004B2 (en) Biaxially oriented polyester film
JP2010201857A (en) Biaxially-oriented polyester film for molding simultaneous transfer
JP2014152240A (en) Release film
JP6983397B2 (en) Release film for manufacturing process of semiconductor package and its manufacturing method
JPH05254015A (en) Polyester-based shrink film
JP2004034451A (en) Method for manufacturing heat-shrinkable polyester film
JP2002347109A (en) Biaxially stretched polyester film for molding process and manufacturing method therefor
JP4543743B2 (en) Biaxially stretched polylactic acid film and container for molding
JP2010165986A (en) Film for reinforcing flexible printed circuit board, flexible printed circuit board reinforcement plate, and flexible printed circuit board laminate
JPH0367629A (en) Biaxially oriented polyester film for molding
JP2005146112A (en) Laminated film for paperboard
JP2004202702A (en) Easily tearable laminated polyester film
JP4660906B2 (en) Biaxially stretched polyester film for molding
JP4172233B2 (en) Biaxially oriented polyester film
JP4779250B2 (en) Biaxially stretched polyester film for processing
JP2001072841A (en) Biaxially oriented polyester film for molding fabrication and fabricated laminate
JP2003064202A (en) Polyester film excellent in tearability and manufacturing method of the same
WO2013121833A1 (en) Biaxially oriented multilayer film
JP2003268130A (en) Biaxially oriented polyester film of excellent manual cuttability and method for producing the same
JP2005179487A (en) Biaxially oriented polyester film for transfer foil

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210216

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210518

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210614

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6902273

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150