JPWO2017130808A1 - センシングシステム - Google Patents
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Abstract
Description
クロック信号の作成については、特許文献1に記載されているように、読取装置からの搬送波を分周することでクロック信号を作成する方法がある。また、無線タグ内部に自励式の局部発振器を配置してクロック信号を作成する方法がある。更に、無線タグ内部に自励式の局部発振器を配置する方法、かつ自励式の発振をコンデンサ、抵抗、コイル等を組み合わせて行う方法がある。
また、自励式の局部発振器を配置する方法、かつ自励式の発振をコンデンサ、抵抗、コイル等を組み合わせて行う方法では、無線タグと読取装置の通信距離により、無線タグの内部で生成する電源電圧が変動してしまい、コンデンサ、抵抗、コイル等を組み合わせて作られた発振器が影響を受け、その発振周波数が安定しないという問題点がある。
読取装置は、電子タグの返信信号からクロック信号を取り出す第1の波形整形部と、返信信号から電子タグの情報を取り出す第2の波形整形部を有することが好ましい。
例えば、高周波成分の周波数は、100kHz〜10GHzである。例えば、低周波成分の周波数は、100Hz〜1.5MHzである。電子タグおよび読取装置のうち、少なくとも一方は、有機半導体素子で構成されていることが好ましい。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α〜数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
図1は本発明の実施形態のセンシングシステムを示す模式図である。図2は本発明の実施形態のセンシングシステムの電子タグを示す模式図である。図3は本発明の実施形態のセンシングシステムの読取装置を示す模式図である。
電子タグ12は、対象物Mに取り付けられて利用される。ここで、対象物Mとは、識別情報が付与されるもののことである。対象物Mとしては、肉、魚および野菜等の食材、ならびに袋、ビンおよび缶等の容器等である。センシングシステム10では、対象物Mに電子タグ12を設けることで、流通過程において対象物Mを追跡することができる。
電子タグ12は図2に示すようにセンサ34を有するものを例にして説明する。この場合、対象物Mを流通過程において追跡することはもちろんのこと、センサ34が温度センサであれば、対象物Mの温度履歴を追跡することもできる。
なお、電子タグ12はセンサ34を有するものに限定されるものではなく、センサ34がなく識別情報を特定できるものであってもよい。
整流部22、フィルタ24および負荷部32はアンテナ20に並列に接続されている。整流部22とフィルタ24は波形整形部26に接続されている。波形整形部26はデータ読出部28に接続されている。データ読出部28にはメモリ30が接続され、センサ34が変換部36を介して接続されている。また、データ読出部28は負荷部32に接続されている。
データ読出部28では、図4に示すクロック信号の反転信号70の信号のハイレベルの部分72、すなわち、クロック信号のローレベルの部分に、図5に示す返信データ74のハイレベル信号またはローレベル信号の部分76を合わせる。すなわち、返信データ74のハイレベル信号またはローレベル信号のタイミングをクロック信号のローレベルの部分に合わせる。
変換部36は、センサ34で得られたアナログ信号をデジタル信号に変換するものである。変換部36は、アナログ信号をデジタル信号に変換することができれば、その構成は、特に限定されるものではない。変換部36は、例えば、8ビットのアナログデジタル変換回路を有する。なお、センサ34がデジタル信号を出力できるものである場合、変換部36を設けなくてもよい。
データ読出部28による返信データ74のハイレベル信号またはローレベル信号のタイミングをクロック信号のローレベルの部分に合わせることに基づいて、負荷部32では、図6に示す搬送波78の振幅が小さい領域79に対して振幅制御する。具体的には例えば、返信データのハイレベル信号のときに、領域79の振幅を小さくし、ローレベル信号のときには領域79の振幅は変化させず、そのままにする。これにより、上述のように最大振幅を維持して返信データを合わせた返信信号が得られる。負荷部32では、返信信号をアンテナ20から電波ωtとして読取装置14に送信する。
読取装置14は、アンテナ40と、第1の波形整形部42aと、第2の波形整形部42bと、処理部44と、メモリ46と、変調部48と、発信部50と、表示部52と、制御部54と、入力部56とを有する。アンテナ40と第1の波形整形部42aと第2の波形整形部42bとで受信部60が構成される。アンテナ40と変調部48と発信部50とで送信部62が構成される。
第2の波形整形部42bは、電子タグ12の返信信号から電子タグ12の情報を取り出すものであり、電子タグ12の情報はデジタル信号として得られる。第2の波形整形部42bは、例えば、コンパレータで構成される。電子タグ12の情報は、返信信号においてクロック信号よりも低い電圧の部分に記録されている。このため、基準電圧は、クロック信号よりも低い電圧に設定される。
また、処理部44は、デコードした電子タグ12の情報を、メモリ46に記憶された電子タグ12の識別情報と照合して、電子タグ12の識別情報を特定するものである。
処理部44は、電子タグ12に搬送波ωcを送信する際、搬送波ωcの高周波成分の周波数と、低周波成分の周波数を設定するものである。高周波成分の周波数は、例えば、100kHz〜10GHzである。
高周波成分の周波数としては、RFID(radio frequency identification)に用いられる一般的な搬送波の周波数が好ましく、例えば、13MHz以上である、より好ましくは13.56MHz以上、更に好ましくは400MHz、900MHzおよび2GHzである。
低周波成分の周波数は、例えば、100Hz〜1.5MHzであり、好ましくは1kHz以上、より好ましくは10kHz以上である。
発信部50の発振回路は、例えば、高周波成分と低周波成分の合成波を発振できるものである。発信部50では、高周波成分を発振する発振回路と低周波成分を発振する発振回路とが別々にあり、高周波成分と低周波成分とを重畳して搬送波ωcとしてもよい。発信部50では、電子タグ12に上述の搬送波ωcを供給することができれば、その構成は、特に限定されるものではない。
入力部56は、読取装置14での各種の設定条件等を設定するために指示入力するものである。入力部56は、上述の機能を果たせば、その構成は、特に限定されるものではなく、キーボード、マウス等が用いられ、タッチパネルでもよい。なお、読取装置14において、表示部52と入力部56はなくてもよい。
読取装置14においては、得られた温度測定結果を、他の機器、例えば、携帯情報端末、またはパーソナルコンピュータ等の情報端末に送信するようにしてもよい。携帯情報端末とは、例えば、スマートフォン、タブレットタイプのコンピュータ等のことである。
図7は高周波成分と低周波成分を含む搬送波を示す模式図であり、図8は返信するデータの一例を示す模式図であり、図9は返信信号の一例を示す模式図であり、図10は基準電圧を示す模式図であり、図11は返信信号から得られたクロック信号の一例を示す模式図であり、図12は返信信号から得られた返信データの一例を示す模式図である。
返信信号84の最大振幅Am(図9参照)が維持されていることにより、上述のように整流部22に入力される搬送波80の振幅、特に電源電圧を得る高周波成分の振幅が縮むことが抑制され、電源電圧が安定して得られ、電子タグ12が安定して動作する。
読取装置14では、クロック信号86を得ることができるため、返信信号から返信データ88を正確に読み取ることができる。
返信データ88は処理部44でクロック信号86に基づいてデコードされて処理部44で、電子タグ12の識別情報と照合されて電子タグ12の識別情報が特定される。また、電子タグ12のセンサ34で得られた情報、例えば、温度情報が特定され、温度情報がメモリ46に記憶される。また、例えば、表示部52に識別情報と温度情報が表示される。
返信信号100の最大振幅Am(図15参照)が維持されていないところがあることにより、上述のように整流部22に入力される搬送波80の振幅が縮み、電源電圧が安定して得られず、電子タグ12が安定して動作しない。
また、例えば、電子タグ12を有機半導体素子で構成した場合、シリコンを用いた半導体素子に比して動作が遅くなるが、この場合でも、上述のように読取装置14からの高周波成分と低周波成分を含む搬送波ωcを上述のように利用することで、電子タグ12を安定して動作させることができ、しかも構成を簡素化でき、小型化することができ、しかもコストも低くすることができる。
塗布型TFTは、塗布型半導体を半導体活性層に含むものであるが、更に半導体活性層以外にその他の層を含んでいてもよい。
塗布型TFTは、有機電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor、以下、単にFETという。)が好ましく、ゲート−チャンネル間が絶縁されている絶縁ゲート型FETがより好ましい。
塗布型TFTの構造の一例としては、最下層の基板の上面に、電極、絶縁体層、半導体活性層(有機半導体層)、2つの電極を順に配置した構造、ボトムゲートトップコンタクト型を挙げることができる。この構造では、最下層の基板の上面の電極は基板の一部に設けられ、絶縁体層は、電極以外の部分で基板と接するように配置される。また、半導体活性層の上面に設けられる2つの電極は、互いに隔離して配置される。なお、トップゲートトップコンタクト型でもよい。
また、電子タグ12および読取装置14のうち、少なくとも一方は、有機半導体素子で構成されることが好ましい。このため、例えば、電子タグ12および読取装置14のうち、少なくとも一方を構成するトランジスタは、半導体層が、例えば、有機半導体で構成されたものである。
半導体層を構成する有機半導体としては、例えば、6,13−ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン(TIPSペンタセン)等のペンタセン誘導体、5,11‐ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン(TES‐ADT)等のアントラジチオフェン誘導体、ベンゾジチオフェン(BDT)誘導体、ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン(C8−BTBT)等のベンゾチエノベンゾチオフェン(BTBT)誘導体、ジナフトチエノチオフェン(DNTT)誘導体、ジナフトベンゾジチオフェン(DNBDT)誘導体、6,12‐ジオキサアンタントレン(ペリキサンテノキサンテン)誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(NTCDI)誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(PTCDI)誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(2,5‐ビス(チオフェン‐2‐イル)チエノ[3,2‐b]チオフェン)(PBTTT)誘導体、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)誘導体、オリゴチオフェン類、フタロシアニン類、フラーレン類、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリパラフェニレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体等のポリフェニレン系導電性高分子、ポリピロールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフランおよびその誘導体等の複素環系導電性高分子、ポリアニリンおよびその誘導体等のイオン性導電性高分子等を用いることができる。
上述の有機半導体のうち、一般的には上述のフラーレン類、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(NTCDI)誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(PTCDI)誘導体、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)誘導体がN型有機半導体層に利用され、それ以外のものがP型有機半導体層に利用される。しかしながら、上述の有機半導体では、誘導体によりP型またはN型になりうる。
半導体層を有機半導体で構成した場合、その形成方法には特に限定はなく、塗布法、転写法および蒸着法等の公知の方法を適宜利用することができる。
半導体層は、成膜性等を考慮すると、その厚みは、1nm〜1000nmとすることが好ましく、10nm〜300nmとすることがより好ましい。
半導体層を無機半導体で構成する場合、その形成方法には特に限定はなく、例えば、塗布法、ならびに真空蒸着法および化学蒸着法等の真空成膜法を用いることができる。例えば、シリコンを用いて半導体層を塗布法で形成する場合、シクロペンタシラン等を用いることができる。
12 電子タグ
14 読取装置
20、40 アンテナ
21、60 受信部
22 整流部
24 フィルタ
26 波形整形部
28 データ読出部
30、46 メモリ
32 負荷部
34 センサ
36 変換部
38 返信部
42a 第1の波形整形部
42b 第2の波形整形部
44 処理部
48 変調部
50 発信部
52 表示部
54 制御部
56 入力部
62 送信部
70 反転信号
72 部分
74 返信データ
76 部分
78 搬送波
79 領域
80 搬送波
82 データ
84 返信信号
86 クロック信号
88 返信データ
100 返信信号
102 クロック信号
104 返信データ
Am 最大振幅
M 対象物
V1 第1の基準電圧
V2 第2の基準電圧
ωc 搬送波
ωt 電波
Claims (6)
- 電子タグと、前記電子タグと情報の授受を行う読取装置とを有するセンシングシステムであって、
前記読取装置は、高周波成分と低周波成分とを含む交流電波を発信する送信部を有し、
前記電子タグは、電源を有さず、前記交流電波の前記高周波成分から電源電圧を得、前記低周波成分からクロック信号を得る受信部と、前記クロック信号の最大振幅を維持し、かつ前記クロック信号に合わせて情報を返信信号として発信する返信部とを有し、
前記読取装置は、更に前記電子タグから発信された前記返信信号を、前記クロック信号に基づいてデコードする処理部を有することを特徴とするセンシングシステム。 - 前記電子タグは、前記クロック信号を増幅する波形整形部を有する請求項1に記載のセンシングシステム。
- 前記読取装置は、前記電子タグの前記返信信号から前記クロック信号を取り出す第1の波形整形部と、前記返信信号から前記電子タグの前記情報を取り出す第2の波形整形部を有する請求項1または2に記載のセンシングシステム。
- 前記高周波成分の周波数は、100kHz〜10GHzである請求項1〜3のいずれか1項に記載のセンシングシステム。
- 前記低周波成分の周波数は、100Hz〜1.5MHzである請求項1〜4のいずれか1項に記載のセンシングシステム。
- 前記電子タグおよび前記読取装置のうち、少なくとも一方は、有機半導体素子で構成されている請求項1〜5のいずれか1項に記載のセンシングシステム。
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---|---|---|---|---|
JP2004297779A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-10-21 | Hitachi Maxell Ltd | 無線通信icおよびこれを用いた無線通信情報記憶媒体 |
JP2008077554A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | Rfdiタグ用icチップ及びrfidタグ |
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US5504485A (en) * | 1994-07-21 | 1996-04-02 | Amtech Corporation | System for preventing reading of undesired RF signals |
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US7088145B2 (en) * | 2002-12-23 | 2006-08-08 | 3M Innovative Properties Company | AC powered logic circuitry |
US20110163857A1 (en) * | 2003-04-09 | 2011-07-07 | Visible Assets, Inc. | Energy Harvesting for Low Frequency Inductive Tagging |
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