JP6412330B2 - センサタグ - Google Patents
センサタグ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6412330B2 JP6412330B2 JP2014076871A JP2014076871A JP6412330B2 JP 6412330 B2 JP6412330 B2 JP 6412330B2 JP 2014076871 A JP2014076871 A JP 2014076871A JP 2014076871 A JP2014076871 A JP 2014076871A JP 6412330 B2 JP6412330 B2 JP 6412330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor tag
- temperature
- transistor
- ring oscillator
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
ここで、水晶振動子の感知する温度によって共振信号の周波数は変化し、一つの共振周波数に対して一意に温度が決まっている。このため、体温に応じて共振周波数が一意に決まり、当該共振周波数の共振信号が出力される。
なお、RFIDは、校正用データを含むRFID返信信号を親機からのRFIDの問い合わせ信号に応じて親機に返信する。校正用データは、無線式体温計に備えられた水晶振動子、断熱材に関するデータであり、予め既知の雰囲気(特に温度)で測定された結果によって設定される。
特許文献1のように校正用データをRFIDに記憶させる構成では、構成が複雑になるという問題点がある。また、水晶振動子毎に校正用データを取得する必要がある。
また、整流トランジスタに対して、リングオシレータのトランジスタは、ソース電極ドレイン電極間のチャネル長さがより長く、かつチャネル幅がより狭い構成でもよい。
図1は本発明の実施形態のセンサタグを有する温度測定システムを示す模式図であり、図2は本発明の実施形態のセンサタグを示す模式図である。
センサタグ12は、対象物Mに取り付けられて利用される。ここで、対象物Mとは、測定対象物のことである。測定対象物とは、体温、被服の温度等を測定する場合には動物および人間等であり、冷蔵保存、冷凍保存の温度を測定する場合には、肉、魚、野菜等の食材である。また、固体または液体の温度を測定する場合には、固体または液体が対象物Mとなる。
アンテナ20は、読取装置14からの電力供給用の電波ωcの受信と、センサタグ12からの電波ωtの送信に利用されるものである。アンテナ20としては、読取装置14からの電波ωcを受信でき、かつセンサタグ12からの電波ωtを送信することができれば、その構成は、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。なお、読取装置14からの電波ωcは、例えば、ICタグ等で使用されている周波数13.56MHzの交流電波である。
なお、コンデンサ32に蓄えられる電荷量は、整流トランジスタ30a、30bのうち、1つ分の電荷量である。
整流トランジスタ30a、30bは、塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタ(以下、単に塗布型TFTという。)で構成されている。塗布型TFTの構成としては、例えば、ゲート−チャネル間が絶縁されている絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor、以下、単に絶縁ゲート型FETという。)が用いられる。
なお、2つの整流トランジスタ30a、30bは、P型だけ、またはN型だけとすることが好ましい。
なお、抵抗器26にサーミスタを用いた場合については、後に詳細に説明する。
リングオシレータ24を構成するインバータ40は、例えば、NOTゲートで構成される。インバータ40は、例えば、P型FET42とN型FET44とを直列に接続し、P型FET42とN型FET44の共通ゲートを入力端46とし、P型FET42とN型FET44の接続点を出力端48としたものである。P型FET42とN型FET44は、整流トランジスタ30a、30bと同様に塗布型TFTで構成されており、その構成は、例えば、絶縁ゲート型FETである。
リングオシレータ24では、2段目のインバータ40の入力端46に、1段目のインバータ40の出力端48が接続され、以降のインバータ40についても同様に接続されている。上述のように最終段の5段目のインバータ40の出力端48は1段目のインバータ40の入力端46に接続されている。
各インバータ40においてP型FET42の他端45に電圧Vccが入力され、N型FET44の他端47は接地されている。
まず、I1の入力端46の入力電圧VinがVccになると、I1のN型FET44がオンとなり、I1の出力端48の出力電圧Voutが接地になる。詳細には、I1のP型FET42がオフになり、I1のP型FET42のソースとドレイン間に電流が流れなくなる。同時にN型FET44がオンになり、I1のN型FET44のソースとドレイン間に電流が流れるようになる。これにより、次段のI2のゲートに溜まっていた電荷が接地に放出されることになる。その結果、I1の出力端48の出力電圧Voutが接地となり、I2のP型FET42とN型FET44のゲートへの入力電圧Vinが接地となる。
そして、次段のI3の入力端46の入力電圧VinがVccになると、I3のN型FET44がオンとなり、次段のI3の出力端48の出力電圧Voutが接地なる。
そして、次段のI4の入力端46の入力電圧Vinが接地になると、I4のP型FET42がオンになり、I4の出力端48の出力電圧VoutがVccになる。
そして、次段のI5の入力端46の入力電圧VinがVccになると、I5のN型FET44がオンとなり、I5の出力端48の出力電圧Voutが接地になる。
そして、次段のI2の入力端46の入力電圧VinがVccになると、I2のN型FET44がオンになり、I2の出力端48の出力電圧Voutが接地になる。
そして、次段のI3の入力端46の入力電圧Vinが接地になると、I3のP型FET42がオンとなり、I3の出力端48の出力電圧VoutがVccになる。
そして、次段のI4の入力端46の入力電圧VinがVccになると、I4のN型FET44がオンになり、I4の出力端48の出力電圧Voutが接地になる。
そして、次段のI5の入力端46の入力電圧Vinが接地になると、I5のP型FET42がオンとなり、I5の出力端48の出力電圧VoutがVccになる。
リングオシレータ24の出力端48と入力端46の間に抵抗器26を直列で接続している。この抵抗器26により、リングオシレータ24の出力端48と入力端46を直接結線した場合に比して信号伝達の遅延が発生する。これにより、実際に使用する電荷量、直接結線した場合に比して少なくすることができる。この場合、消費電力を小さくすることができる。これにより、整流器22の整流トランジスタ30a、30bの電荷量を小さくすることができる。
なお、塗布型TFTは容量が小さいが、上述のように、センサタグ12では容量が小さくても済むため、塗布型TFTを好適に用いることができる。以下、塗布型TFTについて詳細に説明する。
図3(a)は、本発明の実施形態のセンサタグに用いられる塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタの構成の第1の例を示す模式的断面であり、(b)は、本発明の実施形態のセンサタグに用いられる塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタの構成の第2の例を示す模式的断面である。
上述のように、整流トランジスタ30a、30bならびにP型FET42およびN型FET44に用いられる塗布型TFTは、塗布型半導体を半導体活性層に含むものであるが、さらに半導体活性層以外にその他の層を含んでいてもよい。
塗布型TFTは、上述の絶縁ゲート型FETがより好ましいが、有機電界効果トランジスタ(有機FET)を用いることもできる。
塗布型TFTの構造の一例としては、最下層の基板の上面に、電極、絶縁体層、半導体活性層(有機半導体層)、2つの電極を順に配置した構造(ボトムゲート・トップコンタクト型)を挙げることができる。この構造では、最下層の基板の上面の電極は基板の一部に設けられ、絶縁体層は、電極以外の部分で基板と接するように配置される。また、半導体活性層の上面に設けられる2つの電極は、互いに隔離して配置される。
図3(a)に示す塗布型TFT50と図3(b)に示す塗布型TFT50aは、いずれも絶縁ゲート型FETである。しかしながら、塗布型TFTの構造としては、絶縁体、ゲート電極が半導体活性層の上部にあるトップゲート・トップコンタクト型素子、またはトップゲート・ボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。
塗布型TFT50、50aにおいて、より薄いトランジスタとする必要がある場合には、例えば、トランジスタ全体の厚さを0.1〜0.5μmとすることが好ましい。
(封止)
塗布型TFT50、50aを大気および水分から遮断し、塗布型TFT50、50aの保存性を高めるために、塗布型TFT50、50a全体を金属の封止缶で封止しても、ガラス、窒化ケイ素等の無機材料、パリレン等の高分子材料、または低分子材料等で封止してもよい。
<基板>
(材料)
基板の材料としては、絶縁性を有するものであれば、特に制限はなく、公知の材料を用いることができる。例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステルフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロース(TAC)フィルム、またはポリイミドフィルム、およびこれらポリマーフィルムを極薄ガラスに貼り合わせたもの、セラミック、シリコン、石英、ならびにガラス等を基板の材料として用いることができる。この中でも、基板の材料としてはシリコンが好ましい。
(材料)
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の構成材料としては、例えば、Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、In、NiもしくはNd等の金属材料、またはこれらの合金材料を使用することができる。これ以外にも電極の構成材料としてカーボン材料、または導電性高分子等の既知の導電性材料を使用することができ、導電材料であれば特に制限されることなく使用できる。
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の厚さは特に制限はないが、10〜50nmとすることが好ましい。
ゲート電極54とソース電極58aとドレイン電極58bとは、図3(c)に示す配置関係にある。チャネル幅(またはゲート幅)をWとし、ソース電極とドレイン電極間の距離であるチャネル長さ(またはゲート長さ)をLとするとき、比W/Lが10以上であることが好ましく、20以上であることがより好ましい。
ここで、塗布型TFTの電流量は、チャネル長さLとチャネル幅Wで決まる。塗布型TFTの電流量は、チャネル長さLに反比例し、チャネル幅Wに比例する。また、塗布型TFTの応答速度は、チャネル長さLの2乗に反比例する。このため、塗布型TFTにおいて、チャネル長さLを短くすれば、電流が増え、応答速度も早くなる。しかし、製造プロセスが難しくなる。一方、塗布型TFTにおいて、チャネル幅Wを広くすれば、それに応じて電流も増える。しかし、面積が広くなり、コストが高くなる。
(材料)
塗布型TFTは、キャリア注入を促進するためのアクセプターを含むことが好ましい。材料としては公知の2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQ)等が好ましく挙げられる。
(厚さ)
アクセプターの厚さは特に制限はないが、5nm以下とすることが好ましい。
(材料)
絶縁層を構成する材料は必要な絶縁効果が得られれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、CYTOP等のフッ素ポリマー系絶縁材料、ポリエステル絶縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アクリルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶縁材料、ポリイミド絶縁材料、ポリビニルフェノール樹脂系絶縁材料、またはポリパラキシリレン樹脂系絶縁材料等が挙げられる。
絶縁層の上面は表面処理がなされていてもよく、例えば、二酸化ケイ素表面をヘキサメチルジシラザン(HMDS)、オクタデシルトリクロロシラン(OTS)、またはβ−フェニチルトリメトキシシランの塗布により表面処理した絶縁層を好ましく用いることができ、β−フェニチルトリメトキシシランの塗布により表面処理した絶縁層をより好ましく用いることができる。
絶縁層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを10〜500nmとすることが好ましく、20〜200nmとすることがより好ましく、50〜200nmとすることが特に好ましい。
(材料)
塗布型TFTにおいて、塗布法で形成できる半導体活性層に含まれる化合物としては、例えば、以下に示す有機半導体化合物が挙げられる。
有機半導体化合物としては、ペンタセン、アントラセンおよびルブレン等の多環芳香族炭化水素、テトラシアノキシジメタン等の低分子化合物、ならびにポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ−3−ヘキシルチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン等のポリマーである。
半導体活性層は、上述の有機半導体化合物に加えてポリマーバインダーがさらに含まれていてもよい。また、半導体活性層の形成時の残留溶媒が含まれていてもよい。
半導体活性層中におけるポリマーバインダーの含有量は、特に制限はないが、好ましくは0〜95質量%の範囲内で用いられ、より好ましくは10〜90質量%の範囲内で用いられ、さらに好ましくは20〜80質量%の範囲内で用いられ、特に好ましくは30〜70質量%の範囲内で用いられる。
半導体活性層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを10〜400nmとすることが好ましく、10〜200nmとすることがより好ましく、10〜100nmとすることが特に好ましい。
(形成)
半導体活性層は、塗布法で形成することができる。
アンテナ60は、センサタグ12からの電波ωtの受信、センサタグ12への電力供給用の電波ωcの送信、およびその他の機器への情報の送信に利用されるものである。アンテナ60としては、上述の機能を果たせば、その構成は、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
また、送受信部62は、センサタグ12に電力供給用の電波ωcを発振させるものであり、発振回路(図示せず)を有する。発振回路は、センサタグ12に電波ωcを供給することができれば、その構成は、特に限定されるものではなく、RF回路等を利用することができる。送受信部62で発振されてアンテナ60を介して電波ωcがセンサタグ12に送信される。
サーミスタにおいて、温度T0(K)のときのサーミスタ抵抗をR0とするとき、温度T(K)のときのサーミスタ抵抗Rは、下記数式(1)で表すことができる。下記数式(1)において、BはサーミスタのB定数と呼ばれるものであり、サーミスタ毎に異なる。
入力部72は、読取装置14での各種の設定条件等を設定するために指示入力するものである。入力部72は、上述の機能を果たせば、その構成は、特に限定されるものではなく、キーボード、マウス等が用いられ、タッチパネルでもよい。なお、読取装置14において、表示部68と入力部72はなくてもよい。
読取装置14においては、得られた温度測定結果を、他の機器、例えば、携帯情報端末、またはパーソナルコンピュータ等の情報端末に送信するようにしてもよい。携帯情報端末とは、例えば、スマートフォン、タブレットタイプのコンピュータ等のことである。
図4は、本発明の実施形態のセンサタグを用いた温度測定の一例を示すフローチャートである。
対象物Mにセンサタグ12を取り付ける。対象物Mを食材とし、この食材を冷蔵庫に入れて保存する場合の食材の温度測定を例にして説明する。なお、抵抗器26には、サーミスタを用いる。
センサタグ12の周囲環境の温度が変わることで、サーミスタの抵抗値が変化する。この状態で、読取装置14からセンサタグ12に電力供給用の電波ωcを送信すると、アンテナ20で電波ωcを受信し、整流器22で電波ωcからVccを取り出して、Vccによりリングオシレータ24が駆動する。このとき、リングオシレータ24は上述のように抵抗値の変化に応じた発振周波数で発振する。そして、温度に応じて変化した周波数ftの電波ωtがセンサタグ12から発信される。
また、読取装置14も周波数ftを解析し、周波数ftを変換テーブル、変換式等を用いて温度換算できればよいため、読取装置14の構成を簡素化できる。
また、対象物Mを食材ではなく、人間とすれば、例えば、体温を非接触で測定することができる。この場合でも、複数の人の体温を非接触で測定することができる。
12 センサタグ
14 読取装置
20、60 アンテナ
22 整流器
24 リングオシレータ
26 抵抗器
30a、30b 整流トランジスタ
32 コンデンサ
40 インバータ
42 P型FET
44 N型FET
46 入力端
48 出力端
Claims (3)
- 電波を送受信するためのアンテナと、
前記アンテナに接続され、前記アンテナが受信する電波から電圧を取り出す整流トランジスタと、
前記電圧により駆動される、複数のトランジスタを備えるリングオシレータと、
温度に応じて抵抗値が変化する抵抗器とを有し、
前記抵抗器は、サーミスタで構成され、かつ前記リングオシレータのフィードバック部に設けられており、
前記整流トランジスタと前記リングオシレータの前記トランジスタは、塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とするセンサタグ。 - 前記整流トランジスタに対して、前記リングオシレータの前記トランジスタは、ソース電極ドレイン電極間のチャネル長さがより長いか、またはチャネル幅がより狭い請求項1に記載のセンサタグ。
- 前記整流トランジスタに対して、前記リングオシレータの前記トランジスタは、ソース電極ドレイン電極間のチャネル長さがより長く、かつチャネル幅がより狭い請求項1に記載のセンサタグ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014076871A JP6412330B2 (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | センサタグ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014076871A JP6412330B2 (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | センサタグ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015197414A JP2015197414A (ja) | 2015-11-09 |
JP6412330B2 true JP6412330B2 (ja) | 2018-10-24 |
Family
ID=54547192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014076871A Expired - Fee Related JP6412330B2 (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | センサタグ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6412330B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117397169A (zh) * | 2021-05-26 | 2024-01-12 | 日清纺微电子有限公司 | 传感器接口电路以及传感器模块 |
CN113933053B (zh) * | 2021-09-15 | 2024-03-19 | 东北林业大学 | 非接触感应式摩擦电轴承传感器及其测试方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2500507B2 (ja) * | 1991-10-03 | 1996-05-29 | 株式会社精工舎 | 温度検出回路 |
JP3791590B2 (ja) * | 2000-12-01 | 2006-06-28 | 株式会社山武 | 非接触温度測定装置 |
US7044633B2 (en) * | 2003-01-09 | 2006-05-16 | International Business Machines Corporation | Method to calibrate a chip with multiple temperature sensitive ring oscillators by calibrating only TSRO |
FI20096141A0 (fi) * | 2009-11-05 | 2009-11-05 | Valtion Teknillinen | Lämpötilan mittausmenetelmä |
JP2012073128A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Terumo Corp | 体温計 |
DE102011087262B4 (de) * | 2011-11-28 | 2014-05-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Passiver Temperatursensor |
-
2014
- 2014-04-03 JP JP2014076871A patent/JP6412330B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015197414A (ja) | 2015-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Meng et al. | RFID tag as a sensor-a review on the innovative designs and applications | |
Ong et al. | Design and application of a wireless, passive, resonant-circuit environmental monitoring sensor | |
US6948388B1 (en) | Wireless remote sensor | |
JP6412330B2 (ja) | センサタグ | |
Matko et al. | High Resolution Switching Mode Inductance-to-Frequency Converter with Temperature Compensationti | |
Merenda et al. | A monolithic multisensor microchip with complete on-chip RF front-end | |
Fattori et al. | A fully-printed organic smart temperature sensor for cold chain monitoring applications | |
Kyaw et al. | A polymer transistor array with a pressure-sensitive elastomer for electronic skin | |
Motroni et al. | Experimental assessment of passive UHF-RFID sensor tags for environment and kinematic data | |
JP6435424B2 (ja) | センシングシステム | |
Ganesan et al. | Design of an organic electronic label on a flexible substrate for temperature sensing | |
US20160356635A1 (en) | Sensing system | |
Kumar et al. | An RF backscatterer system for real-time multi-sensing applications | |
Rasheed et al. | Sensor integrated RFID tags driven by energy scavenger for sustainable wearable electronics applications | |
Mehlman et al. | Large-area electronics HF RFID reader array for object-detecting smart surfaces | |
Myny et al. | Organic RFID tags | |
US10509928B2 (en) | Information collection system | |
Nabavi et al. | A printed paper-based RFID tag for wireless humidity sensing | |
Řeboun et al. | Printed passive components for RFID labels | |
Bhattacharjee et al. | Printed flexible temperature sensor with NFC interface | |
Bhattacharjee et al. | NFC based polymer strain sensor for smart packaging | |
Street et al. | Methods for fabrication of flexible hybrid electronics | |
Kim et al. | Wireless charge based capacitance measurement circuits with on-chip spiral inductor for radio frequency identification biosensor | |
De Lima et al. | Lock-in amplifier as an alternative for reading Radio-Frequency identification (RFID) tags in sensing applications | |
Chen et al. | Evaluation of a readout circuit with ASIC oscillator for acoustic-wave sensor application |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170822 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180928 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6412330 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |