JPWO2016121281A1 - 固体レーザシステム - Google Patents

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Abstract

本開示による固体レーザシステムは、第１のパルスレーザ光、及び第２のパルスレーザ光のうちいずれか一方の光路上に配置された光シャッタと、第１及び第２の固体レーザ装置からそれぞれ第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを連続出力させると共に、外部装置からのバースト信号がオンのときには、光シャッタを開ける制御を行うことにより、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを波長変換システムに略同時に入射させることにより、第１の波長と第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光を波長変換システムから出力させ、バースト信号がオフのときには、光シャッタを閉じる制御を行うことにより、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光との波長変換システムへの入射タイミングが時間的に重ならないようにすることにより、波長変換システムからの第３のパルスレーザ光の出力を停止させる制御部とを備えてもよい。

Description

本開示は、固体レーザシステムに関する。
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている（半導体露光装置を以下、単に「露光装置」という）。このため、露光用光源から出力される光の短波長化が進められている。露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在、露光用のガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの紫外線を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置並びに、波長１９３．４ｎｍの紫外線を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられている。
現在の露光技術としては、露光装置側の投影レンズとウエハ間の間隙を液体で満たして、当該間隙の屈折率を変えることによって、露光用光源の見かけの波長を短波長化する液浸露光が実用化されている。ＡｒＦエキシマレーザ装置を露光用光源として用いて液浸露光が行われた場合は、ウエハには水中における波長１３４ｎｍの紫外光が照射される。この技術をＡｒＦ液浸露光という。ＡｒＦ液浸露光はＡｒＦ液浸リソグラフィーとも呼ばれる。
ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振におけるスペクトル線幅は約３５０〜４００ｐｍと広いため、露光装置側の投影レンズによってウエハ上に縮小投影されるレーザ光（紫外線光）の色収差が発生して解像力が低下する。そこで色収差が無視できる程度となるまでガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。スペクトル線幅はスペクトル幅とも呼ばれる。このためガスレーザ装置のレーザ共振器内には狭帯域化素子を有する狭帯域化モジュール（Line Narrow Module）が設けられ、この狭帯域化モジュールによりスペクトル幅の狭帯域化が実現されている。なお、狭帯域化素子はエタロンやグレーティング等であってもよい。このようにスペクトル幅が狭帯域化されたレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。
特開２０１２−１９９４２５号公報 特開２０１３−２２２１７３号公報 米国特許第８６３４４４１号明細書 米国特許出願公開第２０１３／０２７９５２６号明細書
概要
本開示の第１の観点に係る固体レーザシステムは、第１の波長の第１のパルスレーザ光を出力する第１の固体レーザ装置と、第２の波長の第２のパルスレーザ光を出力する第２の固体レーザ装置と、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とが入射する波長変換システムと、第１のパルスレーザ光、及び第２のパルスレーザ光のうちいずれか一方の光路上に配置された光シャッタと、第１及び第２の固体レーザ装置からそれぞれ第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを連続出力させると共に、外部装置からのバースト信号がオンのときには、光シャッタを開ける制御を行うことにより、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを波長変換システムに略同時に入射させることにより、第１の波長と第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光を波長変換システムから出力させ、バースト信号がオフのときには、光シャッタを閉じる制御を行うことにより、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光との波長変換システムへの入射タイミングが時間的に重ならないようにすることにより、波長変換システムからの第３のパルスレーザ光の出力を停止させる制御部とを備えてもよい。
本開示の第２の観点に係る固体レーザシステムは、第１の波長の第１のパルスレーザ光を出力する第１の固体レーザ装置と、第２の波長の第２のパルスレーザ光を出力する第２の固体レーザ装置と、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とが入射する波長変換システムと、第１及び第２の固体レーザ装置からそれぞれ第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを連続出力させると共に、外部装置からのバースト信号がオンのときには、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを波長変換システムに略同時に入射させることにより、第１の波長と第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光を波長変換システムから出力させ、バースト信号がオフのときには、第１のパルスレーザ光のパルス幅と第２のパルスレーザ光のパルス幅との和以上の互いに異なるタイミングで、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを波長変換システムに入射させることにより、波長変換システムからの第３のパルスレーザ光の出力を停止させる制御部とを備えてもよい。
本開示の第３の観点に係る固体レーザシステムは、第１の波長の第１のパルスレーザ光を出力する第１の固体レーザ装置と、第２の波長の第２のパルスレーザ光を出力する第２の固体レーザ装置と、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とが入射する波長変換システムと、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光との少なくとも一方の光強度を可変する光強度可変部と、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを波長変換システムに略同時に入射させると共に、光強度可変部を制御することにより、外部装置からのバースト信号がオンのときには、第１の波長と第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光が波長変換システムから出力されるように第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光との光強度を制御し、バースト信号がオフのときには、波長変換システムからの第３のパルスレーザ光の出力が停止されるように第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光との少なくとも一方の光強度を制御する制御部とを備えてもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図２は、図１に示した固体レーザシステムの第１の固体レーザ装置においてパルス状のシード光を連続的に出力して増幅する動作例を概略的に示す。 図３は、図１に示した固体レーザシステムの第１の固体レーザ装置においてパルス状のシード光を連続的に出力して増幅した場合のファイバ増幅器の利得の変化を概略的に示す。 図４は、図１に示した固体レーザシステムの第１の固体レーザ装置においてパルス状のシード光をバースト出力して増幅する動作例を概略的に示す。 図５は、図１に示した固体レーザシステムの第１の固体レーザ装置においてパルス状のシード光をバースト出力して増幅した場合のファイバ増幅器の利得の変化を概略的に示す。 図６は、第１の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図７は、図６に示した固体レーザシステムの動作の一例を示すタイミングチャートである。 図８は、第２の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図９は、図８に示した固体レーザシステムの動作の一例を示すタイミングチャートである。 図１０は、第３の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図１１は、図１０に示した固体レーザシステムの動作の一例を示すタイミングチャートである。 図１２は、図１０に示した固体レーザシステムにおけるバースト信号がオフの期間における第１の動作例を示すタイミングチャートである。 図１３は、図１０に示した固体レーザシステムにおけるバースト信号がオフの期間における第２の動作例を示すタイミングチャートである。 図１４は、第４の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図１５は、図１４に示した固体レーザシステムの動作の一例を示すタイミングチャートである。 図１６は、光シャッタの一構成例を概略的に示す。 図１７は、バースト信号がオフのときの、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光との波長変換システムへの入射タイミングの一例を概略的に示す。 図１８は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。
実施形態
＜内容＞
［１．概要］
［２．比較例］（固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置）
２．１ 構成（図１）
２．２ 動作
２．３ 課題（図３〜図５）
［３．第１の実施形態］（図６、図７）
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用
３．４ 変形例
［４．第２の実施形態］（図８、図９、図１７）
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
［５．第３の実施形態］（図１０〜図１３）
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
［６．第４の実施形態］（図１４、図１５）
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
６．４ 変形例
［７．光シャッタの構成例］（図１６）
７．１ 構成
７．２ 動作
［８．制御部のハードウエア環境］（図１８）
［９．その他］
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．概要］
本開示は、例えば、バーストパルスを生成する固体レーザシステムに関する。
［２．比較例］
まず、本開示の実施形態に対する比較例の固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。
露光装置用レーザ装置として、ＭＯ（マスタオシレータ）とＰＯ（パワーオシレータ）とを含む構成があり得る。そのような露光装置用レーザ装置では、ＭＯとＰＯとに、エキシマレーザガスをレーザ媒質とするレーザが使用され得る。しかしながら、省エネルギの観点から、ＭＯを非線形結晶と固体レーザとを組み合わせた紫外光のパルスレーザ光を出力する固体レーザシステムとする露光装置用レーザ装置の開発が進みつつある。以下では、そのような固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の構成例を説明する。
（２．１ 構成）
図１は、本開示の実施形態に対する比較例の露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示している。
露光装置用レーザ装置は、固体レーザシステム１と、増幅器２と、バーストパルス制御部３と、高反射ミラー９１，９２とを備えてもよい。固体レーザシステム１は、第１の固体レーザ装置１１と、第２の固体レーザ装置１２と、同期回路部１３と、固体レーザ制御部１４と、波長変換システム１５とを含んでもよい。バーストパルス制御部３は、トリガ生成器８と、ＡＮＤ回路９とを含んでいてもよい。
露光装置用レーザ装置は、露光時に所定の繰り返し周波数ｆで所定の時間の間、ウエハにパルスレーザ光を照射した後、次のウエハの露光に移行するために所定の時間の間、パルスレーザ光の発振を停止するというバースト運転を行う必要があり得る。パルスレーザ光の所定の繰り返し周波数ｆは、例えば、５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり得る。所定の繰り返し周波数ｆで所定の時間にわたってパルス光を出力することを、バーストと称することもある。また、バースト出力されたパルス光をバーストパルスと呼ぶ場合がある。
このようなバーストによるパルスレーザ光の生成を指示するバースト信号Ｔｂが、外部装置としての露光装置４からバーストパルス制御部３に供給されてもよい。また、所定の繰り返し周波数ｆを示す周波数信号Ｔｒｆが、露光装置４からバーストパルス制御部３に供給されてもよい。露光装置４は露光装置制御部５を含んでいてもよい。周波数信号Ｔｒｆ及びバースト信号Ｔｂは、露光装置４の露光装置制御部５から供給するようにしてもよい。
ＡＮＤ回路９には、露光装置制御部５からのバースト信号Ｔｂと、トリガ生成器８からの第１のトリガ信号Ｔｒ１とが入力されてもよい。トリガ生成器８は、露光装置制御部５からの周波数信号Ｔｒｆを受信して、第１のトリガ信号Ｔｒ１を生成する構成となっていてもよい。
第１の固体レーザ装置１１は、第１の波長の第１のパルスレーザ光７１Ａを波長変換システム１５に向けて出力するように構成されていてもよい。第１の波長は、２５７．５ｎｍであってもよい。第１の固体レーザ装置１１は、第１の半導体レーザ２０と、第１の光シャッタ２３と、ビームスプリッタ２４と、第１のファイバ増幅器２５と、ビームスプリッタ２６と、固体増幅器２７とを含んでいてもよい。また、第１の固体レーザ装置１１は、ＬＢＯ（ＬｉＢ3Ｏ5）結晶２１と、ＣＬＢＯ（ＣｓＬｉＢ6Ｏ10）結晶２２と、第１のＣＷ（連続波）励起半導体レーザ５１と、第２のＣＷ励起半導体レーザ５２とを含んでいてもよい。
第１の半導体レーザ２０は、ＣＷ発振して波長１０３０ｎｍのシード光を出力する分布帰還型の半導体レーザであってもよい。第１の光シャッタ２３は、例えばＥＯ（Electro Optical）ポッケルスセルと偏光子とを組み合わせた構成であってもよい。
第２の固体レーザ装置１２は、第２の波長の第２のパルスレーザ光７１Ｂを波長変換システム１５に向けて出力するように構成されていてもよい。第２の波長は、１５５４ｎｍであってもよい。第２の固体レーザ装置１２は、第２の半導体レーザ４０と、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）４１と、第２のファイバ増幅器４２と、ビームスプリッタ４３と、第３のＣＷ励起半導体レーザ５３とを含んでいてもよい。
第２の半導体レーザ４０は、ＣＷ発振して波長１５５４ｎｍのシード光を出力する分布帰還型の半導体レーザであってもよい。
波長変換システム１５は、ビームスプリッタ１７と、２つのＣＬＢＯ（ＣｓＬｉＢ6Ｏ10）結晶１８，１９とを含んでいてもよい。波長変換システム１５は、第１の波長の第１のパルスレーザ光７１Ａと、第２の波長の第２のパルスレーザ光７１Ｂとが略同時に入射するように構成されていてもよい。波長変換システム１５は、第１の波長と第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光７１Ｃを出力するように構成されていてもよい。第３の波長は、１９３．４ｎｍであってもよい。
第１の半導体レーザ２０及び第２の半導体レーザ４０のスペクトル線幅は、波長変換システム１５で変換された１９３．４ｎｍの第３のパルスレーザ光７１Ｃのスペクトル線幅が、露光装置４の許容線幅となるように設定されてもよい。
固体レーザ制御部１４は、第１の半導体レーザ２０及び第２の半導体レーザ４０と、第１のＣＷ励起半導体レーザ５１、第２のＣＷ励起半導体レーザ５２、及び第３のＣＷ励起半導体レーザ５３とに図示しない信号ラインで接続されていてもよい。
同期回路部１３は、第１の固体レーザ装置１１の第１の光シャッタ２３に第２のトリガ信号Ｔｒ２を出力するように構成されてもよい。また、同期回路部１３は、第２の固体レーザ装置１２の半導体光増幅器４１に第３のトリガ信号Ｔｒ３を出力するように構成されてもよい。
増幅器２は、増幅器制御部３０と、充電器３１と、トリガ補正器３２と、スイッチ３３を含むパルスパワーモジュール（ＰＰＭ）３４と、チャンバ３５と、部分反射ミラー３６と出力結合ミラー３７とを含んでいてもよい。
チャンバ３５にはウインドウ３９ａ，３９ｂが設けられていてもよい。チャンバ３５の中には例えばＡｒガスとＦ2ガスとＮｅガスとを含むレーザガスが入っていてもよい。チャンバ３５の中には１対の放電電極３８が配置されていてもよい。１対の放電電極３８は、ＰＰＭ３４の出力端子に接続されていてもよい。
増幅器２において、部分反射ミラー３６と出力結合ミラー３７とを含む光共振器が構成されていてもよい。部分反射ミラー３６は例えば、波長１９３．４ｎｍの光を透過するＣａＦ2結晶からなる基板に、反射率が７０〜９０％の部分反射膜がコートされていてもよい。出力結合ミラー３７は例えば、波長１９３．４ｎｍの光を透過するＣａＦ2結晶からなる基板に反射率が１０〜２０％の部分反射膜がコートされていてもよい。
バーストパルス制御部３は、第３のパルスレーザ光７１Ｃが増幅器２の光共振器に注入されるのと同期して１対の放電電極３８が放電するように、増幅器制御部３０を介してトリガ補正器３２に発振トリガを出力するように構成されていてもよい。
（２．２ 動作）
第１の固体レーザ装置１１は、固体レーザ制御部１４からの指令に基づいて、第１の半導体レーザ２０と、第１及び第２のＣＷ励起半導体レーザ５１，５２とをＣＷ発振させてもよい。第２の固体レーザ装置１２は、固体レーザ制御部１４からの指令に基づいて、第２の半導体レーザ４０と、第３のＣＷ励起半導体レーザ５３とをＣＷ発振させてもよい。
露光装置４は、バースト信号Ｔｂと周波数信号Ｔｒｆとをバーストパルス制御部３に出力してもよい。バースト信号Ｔｂは、オンのときにバーストパルスを生成し、オフのときにバーストパルスの生成を停止させることを指示する信号であってもよい。
バーストパルス制御部３において、トリガ生成器８は、露光装置４から周波数信号Ｔｒｆを受信すると、所定の繰り返し周波数ｆの第１のトリガ信号Ｔｒ１を発生させてもよい。バーストパルス制御部３において、ＡＮＤ回路９は、バースト信号Ｔｂがオンのときには所定の繰り返し周波数ｆのバーストトリガ信号を出力してもよい。ＡＮＤ回路９は、バースト信号Ｔｂがオフのときにはバーストトリガ信号の出力を停止してもよい。
ＡＮＤ回路９からのバーストトリガ信号は、増幅器制御部３０に入力されてもよい。また、バーストトリガ信号は、増幅器制御部３０及びトリガ補正器３２を介してＰＰＭ３４のスイッチ３３に入力されてもよい。
また、バーストトリガ信号は、固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３に入力されてもよい。同期回路部１３は、バーストトリガ信号を受信すると、第１のパルスレーザ光７１Ａと第２のパルスレーザ光７１Ｂとを略同時に波長変換システム１５に入射させるように第２のトリガ信号Ｔｒ２と第３のトリガ信号Ｔｒ３とを出力してもよい。同期回路部１３は、第１の固体レーザ装置１１の第１の光シャッタ２３に第２のトリガ信号Ｔｒ２を出力してもよい。同期回路部１３は、第２の固体レーザ装置１２の半導体光増幅器４１に第３のトリガ信号Ｔｒ３を出力してもよい。
第１の固体レーザ装置１１では、第１の半導体レーザ２０から波長１０３０ｎｍのＣＷ発振光がシード光として出力され得る。波長１０３０ｎｍのＣＷ発振のシード光は、第２のトリガ信号Ｔｒ２に基づいて第１の光シャッタ２３によってパルス状にトリミングされ得る。次に、第１の光シャッタ２３から出力されたパルス状のシード光と、第１のＣＷ励起半導体レーザ５１からの第１のＣＷ励起光とが、ビームスプリッタ２４を介して第１のファイバ増幅器２５に入射することで、シード光が第１のファイバ増幅器２５で増幅され得る。次に、第１のファイバ増幅器２５によって増幅されたシード光と、第２のＣＷ励起半導体レーザ５２からの第２のＣＷ励起光とが、ビームスプリッタ２６を介して固体増幅器２７に入射することで、シード光が固体増幅器２７で増幅され得る。次に、ＬＢＯ結晶２１とＣＬＢＯ結晶２２とによって、固体増幅器２７によって増幅されたシード光から波長２５７．５ｎｍの第４高調波光が生成され得る。これにより、第１の固体レーザ装置１１から波長２５７．５ｎｍの第１のパルスレーザ光７１Ａが出力され得る。
一方、第２の固体レーザ装置１２では、第２の半導体レーザ４０から波長１５５４ｎｍのＣＷ発振光がシード光として出力され得る。波長１５５４ｎｍのＣＷ発振のシード光は、第３のトリガ信号Ｔｒ３に基づいて半導体光増幅器４１によってパルス状に増幅され得る。次に、半導体光増幅器４１から出力されたパルス状のシード光と、第３のＣＷ励起半導体レーザ５３からの第３のＣＷ励起光とが、ビームスプリッタ４３を介して第２のファイバ増幅器４２に入射することで、シード光が第２のファイバ増幅器４２で増幅され得る。これにより、第２の固体レーザ装置１２から波長１５５４ｎｍの第２のパルスレーザ光７１Ｂが出力され得る。
波長変換システム１５では、ビームスプリッタ１７によってＣＬＢＯ結晶１８に第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが略同時に入射し、ＣＬＢＯ結晶１８上で第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが重なり得る。ＣＬＢＯ結晶１８では、波長２５７．５ｎｍと波長１５５４ｎｍとの和周波を取り、波長２２０．９ｎｍのパルスレーザ光を生成し得る。次に、ＣＬＢＯ結晶１９では、波長２２０．９ｎｍと波長１５５４ｎｍとの和周波を取り、波長１９３．４ｎｍの第３のパルスレーザ光７１Ｃを生成し得る。この第３のパルスレーザ光７１Ｃが高反射ミラー９１，９２を介して、増幅器２の部分反射ミラー３６に入射し得る。
この第３のパルスレーザ光７１Ｃはシード光として、出力結合ミラー３７と部分反射ミラー３６を含む増幅器２の光共振器中に注入され得る。この注入に同期して、増幅器２のチャンバ３５内では１対の放電電極３８による放電で反転分布を作り得る。ここで、トリガ補正器３２は、波長１９３．４ｎｍの固体レーザシステム１からの第３のパルスレーザ光７１Ｃが増幅器２で効率よく増幅されるようにＰＰＭ３４のスイッチ３３のタイミングを調整してもよい。その結果、増幅器２の光共振器によって増幅発振して、出力結合ミラー３７から増幅されたパルスレーザ光を出力し得る。
以上のようにして、固体レーザシステム１から波長１９３．４ｎｍのバーストパルスを生成し、そのパルスに同期して、増幅器２を運転させることによって、さらに増幅されたバーストパルスを露光装置４に出力し得る。
（２．３ 課題）
図２は、図１に示した固体レーザシステム１の第１の固体レーザ装置１１においてパルス状のシード光を連続的に出力して増幅する動作例を概略的に示している。図３は、同様に第１の固体レーザ装置１１においてパルス状のシード光を連続的に出力して増幅した場合の第１のファイバ増幅器２５の利得の変化を概略的に示している。
図４は、図１に示した固体レーザシステム１の第１の固体レーザ装置１１においてパルス状のシード光をバースト出力して増幅する動作例を概略的に示している。図５は、同様に第１の固体レーザ装置１１においてパルス状のシード光をバースト出力して増幅した場合の第１のファイバ増幅器２５の利得の変化を概略的に示している。
図３及び図５において、上段には、第１のファイバ増幅器２５による増幅前のシード光５４の状態を、横軸を時間、縦軸を光強度として示している。中段には、第１のファイバ増幅器２５による増幅後のシード光５５の状態を、横軸を時間、縦軸を光強度として示している。下段には、第１のファイバ増幅器２５の利得の変化を、横軸を時間、縦軸を利得として示している。
第１のファイバ増幅器２５では、図２及び図３に示したように、第１のＣＷ励起半導体レーザ５１からの第１のＣＷ励起光をＣＷ入力し、利得が釣り合うようにシード光５４の強度を調整してパルスエネルギの調整を行う場合があり得る。この条件で、図４及び図５に示したように、シード光５４をバースト動作で第１のファイバ増幅器２５に入力すると、シード光５４が入力されるタイミングの変化によって第１のファイバ増幅器２５の利得のバランスが崩れ得る。その結果、増幅後のシード光５５の光強度にばらつきが発生し、特に、バーストの先頭のパルスの光強度が高くなり得る。そして、最悪の場合、例えば第１のファイバ増幅器２５のファイバや、その下流にある非線形結晶等の光学素子が損傷し得る。また、非線形結晶等の光学素子の熱負荷が大きくなることによって、波面が変化して、その後の波長の変換効率が低下したり、波長変換されたパルスレーザ光の波面が歪む可能性があり得る。
［３．第１の実施形態］
次に、本開示の第１の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。なお、以下では図１に示した比較例の固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
（３．１ 構成）
図６は、本開示の第１の実施形態に係る固体レーザシステム１Ａを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示している。
本実施形態に係る露光装置用レーザ装置は、図１に示した比較例の構成におけるバーストパルス制御部３及び固体レーザシステム１に代えて、バーストパルス制御部３Ａ及び固体レーザシステム１Ａを備えてもよい。
本実施形態に係る固体レーザシステム１Ａは、図１に示した比較例の構成に加えて、第２の光シャッタ２８をさらに備えた構成であってもよい。第２の光シャッタ２８は、第２の固体レーザ装置１２と波長変換システム１５との間の光路上に配置されてもよい。第２の光シャッタ２８には、バーストパルス制御部３Ａを介して露光装置４からのバースト信号Ｔｂが入力されてもよい。第２の光シャッタ２８は、露光装置４からのバースト信号Ｔｂに同期して、シャッタ開（ＯＰＥＮ）とシャッタ閉（ＣＬＯＳＥ）との切り替え動作が制御される構成であってもよい。
図１に示した比較例の構成では、ＡＮＤ回路９から出力されたバーストトリガ信号が固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３に入力されてもよい。これに対して、本実施形態では、トリガ生成器８で生成された所定の繰り返し周波数ｆの第１のトリガ信号Ｔｒ１が、固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３に入力されるような構成であってもよい。
その他の構成は、図１に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
（３．２ 動作）
図７は、図６に示した固体レーザシステム１Ａの動作の一例を示すタイミングチャートである。図７の各タイミングチャートは、上側から順に、露光装置４からのバースト信号Ｔｂの出力タイミングと、トリガ生成器８からの第１のトリガ信号Ｔｒ１の出力タイミングとであってもよい。さらに、第２のトリガ信号Ｔｒ２に基づく第１の光シャッタ２３のオン／オフのタイミングと、第３のトリガ信号Ｔｒ３に基づく半導体光増幅器４１のオン／オフのタイミングとであってもよい。さらに、第１の固体レーザ装置１１からの第１のパルスレーザ光７１Ａの出力タイミングと、第２の固体レーザ装置１２からの第２のパルスレーザ光７１Ｂの出力タイミングとであってもよい。さらに、バースト信号Ｔｂに基づく第２の光シャッタ２８の開閉タイミングと、波長変換システム１５からの第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力タイミングとであってもよい。
図７の各タイミングチャートの横軸は時間であってもよい。図７の第１、第２及び第３のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃのタイミングチャートの縦軸は光強度であってもよい。図７のその他の各タイミングチャートの縦軸は信号値であってもよい。
同期回路部１３は、トリガ生成器８で生成された所定の繰り返し周波数ｆの第１のトリガ信号Ｔｒ１に同期して、第１の固体レーザ装置１１の第１の光シャッタ２３に第２のトリガ信号Ｔｒ２を出力してもよい。また、同期回路部１３は、第１のトリガ信号Ｔｒ１に同期して、第２の固体レーザ装置１２の半導体光増幅器４１に第３のトリガ信号Ｔｒ３を出力してもよい。これにより、第１の固体レーザ装置１１は、所定の繰り返し周波数ｆで第１のパルスレーザ光７１Ａを連続的に出力し得る。また、第２の固体レーザ装置１２は、所定の繰り返し周波数ｆで第２のパルスレーザ光７１Ｂを連続的に出力し得る。
一方、第２の光シャッタ２８は、バーストパルス制御部３Ａを介して入力されたバースト信号Ｔｂに同期して、バースト信号Ｔｂがオンのときにはシャッタ開（ＯＰＥＮ）となり、バースト信号Ｔｂがオフのときにはシャッタ閉（ＣＬＯＳＥ）となるように動作し得る。その結果、波長変換システム１５においては、バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１のパルスレーザ光７１Ａと第２のパルスレーザ光７１Ｂとが略同じタイミングで入射することで、波長１９３．４ｎｍの第３のパルスレーザ光７１Ｃを生成し得る。バースト信号Ｔｂがオフのときには、第２の光シャッタ２８によって第２のパルスレーザ光７１Ｂの透過が抑制され、第２のパルスレーザ光７１Ｂの波長変換システム１５への入射が抑制され得る。これにより、バースト信号Ｔｂがオフのときには、波長１９３．４ｎｍの第３のパルスレーザ光７１Ｃへの変換が抑制され得る。
以上のようにして、固体レーザシステム１Ａにおいて、露光装置４のバースト信号Ｔｂに応じたバースト状の第３のパルスレーザ光７１Ｃが出力され得る。
（３．３ 作用）
本実施形態の固体レーザシステム１Ａによれば、バースト信号Ｔｂのオン／オフに関わらず、第１及び第２の固体レーザ装置１１，１２からそれぞれ第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが所定の繰り返し周波数ｆで連続的に出力され得る。バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂを波長変換システム１５に略同時に入射させることにより、波長１９３．４ｎｍに波長変換された第３のパルスレーザ光７１Ｃが波長変換システム１５から出力され得る。バースト信号Ｔｂがオフのときには、第２の光シャッタ２８によって、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの波長変換システム１５への入射タイミングが時間的に重ならないようにすることにより、第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力が停止され得る。
このように、第２の光シャッタ２８によって、波長変換システム１５に入射する第２のパルスレーザ光７１Ｂの入射を制御することによって、波長１９３．４ｎｍのバーストパルスを生成しているので、以下の作用があり得る。バースト先頭の波長１９３．４ｎｍの第３のパルスレーザ光７１Ｃのエネルギが高くなるのを抑制し得る。また、第１及び第２の固体レーザ装置１１，１２がそれぞれ、所定の繰り返し周波数ｆで常に第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂを出力しているので、装置内の非線形結晶等の光学素子の熱負荷の変動が抑制され得る。その結果、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂのビームの特性の悪化を抑制し得る。第１の固体レーザ装置１１から出力される波長２５７．５ｎｍの紫外光の第１のパルスレーザ光７１Ａは、波長変換システム１５に常に入射しているので、波長２５７．５ｎｍの紫外光の吸収による熱負荷の変動を抑制し得る。
（３．４ 変形例）
本実施形態に係る固体レーザシステム１Ａにおいて、第２の固体レーザ装置１２と波長変換システム１５との間に限らず、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂのうちいずれか一方の光路上の他の位置に第２の光シャッタ２８を配置してもよい。例えば、第１の固体レーザ装置１１における固体増幅器２７とＬＢＯ結晶２１との間、又はＬＢＯ結晶２１とＣＬＢＯ結晶２２との間の光路上に第２の光シャッタ２８を配置してもよい。
［４．第２の実施形態］
次に、本開示の第２の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。なお、以下では上記比較例、又は上記第１の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
（４．１ 構成）
図８は、本開示の第２の実施形態に係る固体レーザシステム１Ｂを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示している。
本実施形態に係る露光装置用レーザ装置は、図１に示した比較例の構成におけるバーストパルス制御部３及び固体レーザシステム１に代えて、バーストパルス制御部３Ｂ及び固体レーザシステム１Ｂを備えてもよい。
図１に示した比較例の構成では、ＡＮＤ回路９から出力されたバーストトリガ信号が固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３に入力されている。これに対して、本実施形態では、トリガ生成器８で生成された所定の繰り返し周波数ｆの第１のトリガ信号Ｔｒ１が、固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３Ｂに入力されるような構成であってもよい。また、本実施形態では、露光装置４からのバースト信号Ｔｂが、固体レーザ制御部１４を介さずに同期回路部１３Ｂに入力されるような構成であってもよい。
同期回路部１３Ｂは、バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが略同じタイミングで波長変換システム１５に入射することとなるような第２及び第３のトリガ信号Ｔｒ２，Ｔｒ３を出力してもよい。また、同期回路部１３Ｂは、バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが互いに異なるタイミングで波長変換システム１５に入射することとなるような第２及び第３のトリガ信号Ｔｒ２，Ｔｒ３を出力してもよい。
その他の構成は、図１に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
（４．２ 動作）
図９は、図８に示した固体レーザシステム１Ｂの動作の一例を示すタイミングチャートである。図９の各タイミングチャートは、上側から順に、露光装置４からのバースト信号Ｔｂの出力タイミングと、トリガ生成器８からの第１のトリガ信号Ｔｒ１の出力タイミングとであってもよい。さらに、第２のトリガ信号Ｔｒ２に基づく第１の光シャッタ２３のオン／オフのタイミングと、第３のトリガ信号Ｔｒ３に基づく半導体光増幅器４１のオン／オフのタイミングとであってもよい。さらに、第１の固体レーザ装置１１からの第１のパルスレーザ光７１Ａの出力タイミングと、第２の固体レーザ装置１２からの第２のパルスレーザ光７１Ｂの出力タイミングとであってもよい。さらに、波長変換システム１５からの第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力タイミングであってもよい。
図９の各タイミングチャートの横軸は時間であってもよい。図９の第１、第２及び第３のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃのタイミングチャートの縦軸は光強度であってもよい。図９のその他の各タイミングチャートの縦軸は信号値であってもよい。
固体レーザ制御部１４は、同期回路部１３Ｂを制御することにより、バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂを互いにほぼ同じタイミングで波長変換システム１５に入射させてもよい。例えば図９に示したように、同期回路部１３Ｂから出力する第２のトリガ信号Ｔｒ２と第３のトリガ信号Ｔｒ３とを同期させてもよい。これにより、バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが略同時に波長変換システム１５に入射し得る。これにより、波長変換システム１５からは、波長１９３．４ｎｍに波長変換された第３のパルスレーザ光７１Ｃが出力され得る。
また、固体レーザ制御部１４は、同期回路部１３Ｂを制御することにより、バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの同期タイミングをずらしてもよい。これにより、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂを互いに異なるタイミングで波長変換システム１５に入射させてもよい。例えば図９に示したように、第２のトリガ信号Ｔｒ２に対して第３のトリガ信号Ｔｒ３の同期タイミングをずらすようにしてもよい。これにより、バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの波長変換システム１５への入射タイミングが時間的にずれるので、波長変換システム１５における波長１９３．４ｎｍへの波長変換が抑制され得る。
以上のようにして、固体レーザシステム１Ａにおいて、露光装置４のバースト信号Ｔｂに応じたバースト状の第３のパルスレーザ光７１Ｃが出力され得る。
なお、図９のタイミングチャートでは、第２のトリガ信号Ｔｒ２に対して第３のトリガ信号Ｔｒ３の同期タイミングをずらし、第２のパルスレーザ光７１Ｂの同期タイミングをずらしているが、第１のパルスレーザ光７１Ａの同期タイミングをずらしてもよい。また、バースト信号Ｔｂがオンの期間に対してオフの期間における第２及び第３のトリガ信号Ｔｒ２，Ｔｒ３の双方の同期タイミングをずらし、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの双方の同期タイミングをずらすようにしてもよい。
ここで、具体例を示す。バースト信号Ｔｂがオフのときだけ、第１のパルスレーザ光７１Ａのパルス立ち上がりをわずかに、例えば１００ｎｓだけずらしてもよい。その結果、波長変換システム１５における第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの時間的な重なりがなくなるため、和周波の発生を抑制し得る。例えば、トリガ生成器８の繰り返し周波数が６ｋＨｚの場合、パルスの間隔は１６７μｓとなる。そこで、約１００ｎｓの同期タイミングをずらしても第１のパルスレーザ光７１Ａの出力タイミングの変化は小さいので、バースト動作の影響を受けることを抑制し得る。
図１７は、バースト信号Ｔｂがオフのときの、第１のパルスレーザ光７１Ａと第２のパルスレーザ光７１Ｂとの波長変換システム１５への入射タイミングの一例を示している。
図１７において、上段は波長変換システム１５に入射する第１のパルスレーザ光７１Ａの一例を示し、下段は波長変換システム１５に入射する第２のパルスレーザ光７１Ｂの一例を示している。また、図１７において、ΔＴｐ１は、波長変換システム１５に入射する第１のパルスレーザ光７１Ａのパルス幅を示している。ΔＴｐ２は、波長変換システム１５に入射する第２のパルスレーザ光７１Ｂのパルス幅を示している。パルス幅ΔＴｐ１とパルス幅ΔＴｐ２はそれぞれ、例えば半値全幅であってもよい。ΔＤは、波長変換システム１５に入射する第１のパルスレーザ光７１Ａと第２のパルスレーザ光７１Ｂとの入射タイミングの時間差を示している。
バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１のパルスレーザ光７１Ａのパルス幅ΔＴｐ１と第２のパルスレーザ光７１Ｂのパルス幅ΔＴｐ１との和以上の互いに異なるタイミングで、第１のパルスレーザ光７１Ａと第２のパルスレーザ光７１Ｂとを波長変換システム１５に入射させるようにしてもよい。
すなわち、下記（１）式を満たすように、波長変換システム１５に入射する第１のパルスレーザ光７１Ａと第２のパルスレーザ光７１Ｂとの入射タイミングの時間差ΔＤをずらしてもよい。
｜ΔＤ｜≧ΔＴｐ１＋ΔＴｐ２ ……（１）
（４．３ 作用）
本実施形態の固体レーザシステム１Ｂによれば、バースト信号Ｔｂのオン／オフに関わらず、第１及び第２の固体レーザ装置１１，１２からそれぞれ第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが連続的に出力され得る。バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂを波長変換システム１５に略同時に入射させることにより、波長１９３．４ｎｍに波長変換された第３のパルスレーザ光７１Ｃが波長変換システム１５から出力され得る。バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの波長変換システム１５への入射タイミングが時間的に重ならないようにすることにより、第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力が停止され得る。波長変換システム１５には、バースト信号Ｔｂがオフのときにおいても、タイミングは異なるものの、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの双方が入射し得る。このため、上記第１の実施形態に比べて、波長変換システム１５の熱負荷の変動がさらに抑制され得る。
［５．第３の実施形態］
次に、本開示の第３の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。なお、以下では上記比較例、又は上記第１若しくは第２の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
（５．１ 構成）
図１０は、本開示の第３の実施形態に係る固体レーザシステム１Ｃを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示している。
本実施形態に係る露光装置用レーザ装置は、図１に示した比較例の構成におけるバーストパルス制御部３及び固体レーザシステム１に代えて、バーストパルス制御部３Ｃ及び固体レーザシステム１Ｃを備えてもよい。
本実施形態に係る固体レーザシステム１Ｃは、図１に示した比較例の構成に加えて、配線切り替え回路６１と、信号生成器６２とをさらに備えた構成であってもよい。
図１に示した比較例の構成では、ＡＮＤ回路９から出力されたバーストトリガ信号が固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３に入力されてもよい。これに対して、本実施形態では、トリガ生成器８で生成された所定の繰り返し周波数ｆの第１のトリガ信号Ｔｒ１が、固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３に入力されるような構成であってもよい。また、本実施形態では、露光装置４からのバースト信号Ｔｂが、ＡＮＤ回路９と配線切り替え回路６１とに入力されるような構成であってもよい。
信号生成器６２は、バースト信号Ｔｂがオフの期間における第１の光シャッタ２３の動作を制御する制御信号を生成する回路であってもよい。信号生成器６２は、生成した制御信号を配線切り替え回路６１に出力してもよい。信号生成器６２は、制御信号の第１の例として、一定の低い電圧を出力してもよい。また、信号生成器６２は、制御信号の第２の例として、トリガ生成器８で生成される所定の繰り返し周波数ｆよりも高い繰り返し周波数のパルス信号を生成する回路であってもよい。例えば、トリガ生成器８で生成される所定の繰り返し周波数ｆは６ｋＨｚであってもよい。信号生成器６２は、例えば６ｋＨｚよりも高い１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚのパルス信号を生成してもよい。
配線切り替え回路６１は、バースト信号Ｔｂがオンのときには、同期回路部１３からの第２のトリガ信号Ｔｒ２を第１の光シャッタ２３に向けて出力するように構成されていてもよい。また、配線切り替え回路６１は、バースト信号Ｔｂがオフのときには、信号生成器６２からの制御信号を第１の光シャッタ２３に向けて出力するように構成されていてもよい。配線切り替え回路６１は例えば、アナログスイッチで構成されていてもよい。
本実施形態において、第１の光シャッタ２３は第１のパルスレーザ光７１Ａの光強度を可変する光強度可変部であってもよい。
その他の構成は、図１に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
（５．２ 動作）
図１１及び図１２は、図１０に示した固体レーザシステム１Ｃの動作の一例を示すタイミングチャートである。図１１の各タイミングチャートは、上側から順に、露光装置４からのバースト信号Ｔｂの出力タイミングと、トリガ生成器８からの第１のトリガ信号Ｔｒ１の出力タイミングとであってもよい。さらに、第２のトリガ信号Ｔｒ２又は信号生成器６２で生成された制御信号に基づく第１の光シャッタ２３の透過率の変化のタイミングと、第３のトリガ信号Ｔｒ３に基づく半導体光増幅器４１のオン／オフのタイミングとであってもよい。さらに、第１の固体レーザ装置１１からの第１のパルスレーザ光７１Ａの出力タイミングと、第２の固体レーザ装置１２からの第２のパルスレーザ光７１Ｂの出力タイミングとであってもよい。さらに、波長変換システム１５からの第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力タイミングであってもよい。
図１１の各タイミングチャートの横軸は時間であってもよい。図１１の第１、第２及び第３のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃのタイミングチャートの縦軸は光強度であってもよい。図１１のその他の各タイミングチャートの縦軸は信号値であってもよい。
図１２の各タイミングチャートは、上側から順に、第１のファイバ増幅器２５による増幅前のシード光５４の光強度の変化を示すタイミングと、第１のファイバ増幅器２５による増幅後のシード光５５の光強度の変化を示すタイミングとであってもよい。さらに、第１のファイバ増幅器２５の利得の変化を示すタイミングと、波長変換システム１５からの第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力タイミングであってもよい。
図１２の各タイミングチャートの横軸は時間であってもよい。図１２の増幅前のシード光５４、増幅後のシード光５５及び第３のパルスレーザ光７１Ｃのタイミングチャートの縦軸は光強度であってもよい。図１２の第１のファイバ増幅器２５のタイミングチャートの縦軸は利得であってもよい。
同期回路部１３は、トリガ生成器８で生成された所定の繰り返し周波数ｆの第１のトリガ信号Ｔｒ１に同期して、配線切り替え回路６１に第２のトリガ信号Ｔｒ２を出力してもよい。また、同期回路部１３は、第１のトリガ信号Ｔｒ１に同期して、第２の固体レーザ装置１２の半導体光増幅器４１に第３のトリガ信号Ｔｒ３を出力してもよい。信号生成器６２は、配線切り替え回路６１にバースト信号Ｔｂがオフの期間における第１の光シャッタ２３の動作を制御する制御信号を出力してもよい。
配線切り替え回路６１は、バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１の光シャッタ２３に同期回路部１３で生成された第２のトリガ信号Ｔｒ２を出力してもよい。その結果、波長変換システム１５においては、バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが略同じタイミングで、かつ、波長変換可能な光強度で入射することで、波長１９３．４ｎｍの第３のパルスレーザ光７１Ｃを生成し得る。
配線切り替え回路６１は、バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１の光シャッタ２３に信号生成器６２で生成された制御信号を出力してもよい。信号生成器６２からの制御信号として、一定の低い電圧を出力することにより、第１の光シャッタ２３の透過率が一定の低い状態に制御され得る。これにより、バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１の光シャッタ２３を介して、第１の半導体レーザ２０からのＣＷ発振のシード光５４が光強度が低い状態でＣＷ出力され得る。これにより、第１の固体レーザ装置１１から、波長２５７．５ｎｍの第１のパルスレーザ光７１Ａが光強度が低い状態で出力され得る。ここで、波長変換システム１５において、波長変換の効率は光強度のピーク値で決まるため、バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１のパルスレーザ光７１Ａと第２のパルスレーザ光７１Ｂとの和周波による波長１９３．４ｎｍへの波長変換が抑制され得る。
ここで、図１の比較例では、図５に示したように、シード光５４をバースト動作で第１のファイバ増幅器２５に入力すると、シード光５４が入力されるタイミングの変化によって第１のファイバ増幅器２５の利得のバランスが崩れ得る。その結果、増幅後のシード光５５の光強度にばらつきが発生し、特に、バーストの先頭のパルスの光強度が高くなり得る。これに対して、本実施形態の固体レーザシステム１Ｃでは、図１２に示したように、バースト信号Ｔｂがオフの期間では、シード光５４が光強度が低い状態で第１のファイバ増幅器２５に入力し得る。これにより、バースト信号Ｔｂがオフの期間において、第１のファイバ増幅器２５の利得の上昇が抑制され、利得が低い状態が維持され得る。その結果、バーストの先頭のパルスの光強度が高くなることが抑制され得る。
なお、第１のファイバ増幅器２５の利得の上昇の傾きに合わせて、バースト信号Ｔｂが次にオンとなるタイミングで利得が最適値となるように、シード光５４の光強度を一定の低い状態にする時間を適宜調整してもよい。例えば図１２に示したように、バースト信号Ｔｂがオフの期間内において、略前半の期間だけ一定の低い状態とし、続く残りの期間では光強度をほぼ０に近くなるように調整してもよい。なお、第１の固体レーザ装置１１において、シード光の光強度のピーク値がＬＢＯ結晶２１とＣＬＢＯ結晶２２とにおける波長変換閾値に到達していなければ、第１の固体レーザ装置１１から第１のパルスレーザ光７１Ａが出力されるのを抑制し得る。
次に、信号生成器６２から、制御信号として、トリガ生成器８で生成される所定の繰り返し周波数ｆよりも高い繰り返し周波数のパルス信号を出力する場合のタイミングチャートの例を図１３に示す。
図１３の各タイミングチャートは、上側から順に、第１のファイバ増幅器２５による増幅前のシード光５４の光強度の変化を示すタイミングと、第１のファイバ増幅器２５による増幅後のシード光５５の光強度の変化を示すタイミングとであってもよい。さらに、第１のファイバ増幅器２５の利得の変化を示すタイミングと、波長変換システム１５からの第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力タイミングであってもよい。
図１３の各タイミングチャートの横軸は時間であってもよい。図１３の増幅前のシード光５４、増幅後のシード光５５及び第３のパルスレーザ光７１Ｃのタイミングチャートの縦軸は光強度であってもよい。図１３の第１のファイバ増幅器２５のタイミングチャートの縦軸は利得であってもよい。
図１３に示したように、バースト信号Ｔｂがオフのときに、トリガ生成器８で生成される所定の繰り返し周波数ｆよりも高い繰り返し周波数でシード光５４が透過するように、第１の光シャッタ２３を制御してもよい。第１のファイバ増幅器２５に高い繰り返し周波数でシード光５４を入力すると、第１のファイバ増幅器２５の利得の上昇が抑制され得る。このため、バースト信号Ｔｂがオフの期間では、第１のファイバ増幅器２５による増幅後のシード光５５は、光強度のピーク値が低い状態になり得る。これにより、バースト信号Ｔｂがオフの期間では、第１の固体レーザ装置１１から波長２５７．５ｎｍの第１のパルスレーザ光７１Ａが光強度が低い状態で出力され得る。その結果、バースト信号Ｔｂがオフの期間では、波長変換システム１５において、波長１９３．４ｎｍへの波長変換が抑制され得る。
なお、第１のファイバ増幅器２５の利得の上昇の傾きに合わせて、バースト信号Ｔｂが次にオンとなるタイミングで利得が最適値となるように、上記高い繰り返し周波数にする時間を適宜調整してもよい。例えば図１３に示したように、バースト信号Ｔｂがオフの期間内において、略前半の期間だけ一定の高い繰り返し周波数とし、続く残りの期間ではシード光５５を出力しないように調整してもよい。
（５．３ 作用）
本実施形態の固体レーザシステム１Ｃによれば、バースト信号Ｔｂがオフのときには、波長変換システム１５での波長変換が抑制され、第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力が停止するように第１のパルスレーザ光７１Ａの光強度が制御され得る。バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１の波長と第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光７１Ｃが波長変換システム１５から出力されるように第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの光強度が制御され得る。バースト信号Ｔｂがオフのときには、波長変換システム１５での波長変換の閾値以下の光強度となるように、第１の固体レーザ装置１１内でシード光の光強度が抑制され得る。これにより、第１のファイバ増幅器２５や固体増幅器２７の利得を低下させ得る。これにより、バーストの先頭のパルスの光強度が高くなることが抑制され得る。
［６．第４の実施形態］
次に、本開示の第４の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。なお、以下では上記比較例、又は上記第１ないし第３の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
（６．１ 構成）
図１４は、本開示の第４の実施形態に係る固体レーザシステム１Ｄを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示している。
本実施形態に係る露光装置用レーザ装置は、図１に示した比較例の構成におけるバーストパルス制御部３及び固体レーザシステム１に代えて、バーストパルス制御部３Ｄ及び固体レーザシステム１Ｄを備えてもよい。
本実施形態に係る固体レーザシステム１Ｄは、図１に示した比較例の構成に加えて、配線切り替え回路６１と、信号生成器６２とをさらに備えた構成であってもよい。
図１に示した比較例の構成では、ＡＮＤ回路９から出力されたバーストトリガ信号が固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３に入力されてもよい。これに対して、本実施形態では、トリガ生成器８で生成された所定の繰り返し周波数ｆの第１のトリガ信号Ｔｒ１が、固体レーザ制御部１４を介して同期回路部１３に入力されるような構成であってもよい。また、本実施形態では、露光装置４からのバースト信号Ｔｂが、ＡＮＤ回路９と配線切り替え回路６１とに入力されるような構成であってもよい。
信号生成器６２は、バースト信号Ｔｂがオフの期間における半導体光増幅器４１の動作を制御する制御信号を生成する回路であってもよい。信号生成器６２は、生成した制御信号を配線切り替え回路６１に出力してもよい。信号生成器６２は、制御信号の第１の例として、一定の低い電流を出力してもよい。また、信号生成器６２は、制御信号の第２の例として、トリガ生成器８で生成される所定の繰り返し周波数ｆよりも高い繰り返し周波数のパルス電流を出力してもよい。例えば、トリガ生成器８で生成される所定の繰り返し周波数ｆは６ｋＨｚであってもよい。信号生成器６２は、例えば６ｋＨｚよりも高い１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚのパルス電流を生成してもよい。
配線切り替え回路６１は、バースト信号Ｔｂがオンのときには、同期回路部１３からの第３のトリガ信号Ｔｒ３を半導体光増幅器４１に向けて出力するように構成されていてもよい。また、配線切り替え回路６１は、バースト信号Ｔｂがオフのときには、信号生成器６２からの制御信号を半導体光増幅器４１に向けて出力するように構成されていてもよい。配線切り替え回路６１は例えば、アナログスイッチで構成されていてもよい。
本実施形態において、半導体光増幅器４１は第２のパルスレーザ光７１Ｂの光強度を可変する光強度可変部であってもよい。
その他の構成は、図１に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
（６．２ 動作）
図１５は、図１４に示した固体レーザシステム１Ｄの動作の一例を示すタイミングチャートである。図１５の各タイミングチャートは、上側から順に、露光装置４からのバースト信号Ｔｂの出力タイミングと、トリガ生成器８からの第１のトリガ信号Ｔｒ１の出力タイミングとであってもよい。さらに、タイミングチャートは、第２のトリガ信号Ｔｒ２に基づく第１の光シャッタ２３の透過率の変化のタイミングと、第３のトリガ信号Ｔｒ３又は信号生成器６２で生成された制御信号に基づく半導体光増幅器４１の電流値の変化のタイミングとであってもよい。さらに、第１の固体レーザ装置１１からの第１のパルスレーザ光７１Ａの出力タイミングと、第２の固体レーザ装置１２からの第２のパルスレーザ光７１Ｂの出力タイミングとであってもよい。さらに、波長変換システム１５からの第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力タイミングであってもよい。
図１５の各タイミングチャートの横軸は時間であってもよい。図１５の第１、第２及び第３のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃのタイミングチャートの縦軸は光強度であってもよい。図１５のその他の各タイミングチャートの縦軸は信号値又は電流値であってもよい。
同期回路部１３は、トリガ生成器８で生成された所定の繰り返し周波数ｆの第１のトリガ信号Ｔｒ１に同期して、配線切り替え回路６１に第２のトリガ信号Ｔｒ２を出力してもよい。また、同期回路部１３は、第１のトリガ信号Ｔｒ１に同期して、第２の固体レーザ装置１２の半導体光増幅器４１に第３のトリガ信号Ｔｒ３を出力してもよい。信号生成器６２は、配線切り替え回路６１にバースト信号Ｔｂがオフの期間における半導体光増幅器４１の動作を制御する制御信号を出力してもよい。
配線切り替え回路６１は、バースト信号Ｔｂがオンのときには、半導体光増幅器４１に同期回路部１３で生成された第３のトリガ信号Ｔｒ３を出力してもよい。その結果、波長変換システム１５においては、バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂが略同じタイミングで、かつ、波長変換可能な光強度で入射することで、波長１９３．４ｎｍの第３のパルスレーザ光７１Ｃを生成し得る。
配線切り替え回路６１は、バースト信号Ｔｂがオフのときには、半導体光増幅器４１に信号生成器６２で生成された制御信号を出力してもよい。信号生成器６２からの制御信号として、一定の低い電流を出力することにより、半導体光増幅器４１に印加される電流が一定の低い電流値に制御され、増幅率が低くなり得る。これにより、バースト信号Ｔｂがオフのときには、半導体光増幅器４１を介して、第２の半導体レーザ４０からのＣＷ発振のシード光が光強度が低い状態でＣＷ出力され得る。これにより、第２の固体レーザ装置１２から、第２のパルスレーザ光７１Ｂが光強度が低い状態で出力され得る。ここで、波長変換システム１５において、波長変換の効率は光強度のピーク値で決まるため、バースト信号Ｔｂがオフのときには、第１のパルスレーザ光７１Ａと第２のパルスレーザ光７１Ｂとの和周波による波長１９３．４ｎｍへの波長変換が抑制され得る。
また、信号生成器６２から、制御信号として、トリガ生成器８で生成される所定の繰り返し周波数ｆよりも高い繰り返し周波数のパルス電流を出力した場合には、第２のファイバ増幅器４２に高い繰り返し周波数でシード光が入力され得る。これにより、第２のファイバ増幅器４２の利得の上昇が抑制され得る。このため、バースト信号Ｔｂがオフの期間では、第２のファイバ増幅器４２による増幅後のシード光は、光強度のピーク値が低い状態になり得る。これにより、バースト信号Ｔｂがオフの期間では、第２の固体レーザ装置１２から第２のパルスレーザ光７１Ｂが光強度が低い状態で出力され得る。その結果、バースト信号Ｔｂがオフの期間では、波長変換システム１５において、波長１９３．４ｎｍへの波長変換が抑制され得る。
（６．３ 作用）
本実施形態の固体レーザシステム１Ｄによれば、バースト信号Ｔｂがオフのときには、波長変換システム１５での波長変換が抑制され、第３のパルスレーザ光７１Ｃの出力が停止するように第２のパルスレーザ光７１Ｂの光強度が制御され得る。バースト信号Ｔｂがオンのときには、第１の波長と第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光７１Ｃが波長変換システム１５から出力されるように第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの光強度が制御され得る。バースト信号Ｔｂがオフのときには、波長変換システム１５での波長変換の閾値以下の光強度となるように、第２の固体レーザ装置１２内でシード光の光強度が抑制され得る。これにより、第２のファイバ増幅器４２の利得を低下させ得る。これにより、バーストの先頭のパルスの光強度が高くなることが抑制され得る。
（６．４ 変形例）
本実施形態と上記第３の実施形態とを組み合わせた実施形態であってもよい。この場合、第１の光シャッタ２３と半導体光増幅器４１との双方を光強度可変部としてもよい。これにより、バースト信号Ｔｂがオフのときに、第１及び第２のパルスレーザ光７１Ａ，７１Ｂの双方の光強度が低くなるように制御してもよい。
［７．光シャッタの構成例］
次に、図１６を参照して、上記の第１の光シャッタ２３及び第２の光シャッタ２８として適用可能な光シャッタ３１０の具体的な構成例を説明する。
（７．１ 構成）
図１６は、光シャッタ３１０の一構成例を示している。光シャッタ３１０は、ポッケルスセル３９４と、偏光子３９６とを含んでいてもよい。ポッケルスセル３９４は、高電圧電源３９３と、第１の電極３９５ａと、第２の電極３９５ｂと、電気光学結晶３９５ｃとを含んでいてもよい。第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとは対向配置され、それらの間に電気光学結晶３９５ｃが配置されていてもよい。高電圧電源３９３は、透過率設定部３１１、及び同期回路３１２によって制御されてもよい。
（７．２ 動作）
高電圧電源３９３は、外部回路３１２から、所定の電圧と０Ｖを繰り返すパルス信号を光シャッタ３１０の制御信号として受信してもよい。高電圧電源３９３は、このパルス信号の電圧に応じて、第１の電極３９５ａと、第２の電極３９５ｂの電極間に高電圧を印加してもよい。ここで、光シャッタ３１０の制御信号として光シャッタ３１０を開状態にする電圧を受信した場合に、０Ｖではない透過率が最大となる高電圧を生成し、その電圧を第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に印加してもよい。高電圧電源３９３は、光シャッタ３１０の制御信号として光シャッタ３１０を閉状態にする０Ｖを受信した場合に、第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に印加する電圧を０Ｖにしてもよい。
ここで、外部回路３１２は、たとえば、同期回路部１３、１３Ｂ及びバーストパルス制御部３Ａ等であってもよい。
ポッケルスセル３９４は、第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に透過率が最大となる高電圧を印加したときに、λ／２板と等価な機能を有してもよい。第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に０Ｖが印加されているときは、紙面に対して、垂直な直線偏光方向の光は、そのままの偏光状態で、電気光学結晶３９５ｃを透過し、偏光子３９６によって反射され得る。図１６においては、紙面に対して垂直な方向に直線偏光した光はレーザ光路上に描画された黒丸で示し得る。ここで、透過率が最大となる高電圧を印加すると、位相がλ／２ずれて、紙面に対して垂直な方向の直線偏光が、紙面を含む方向の直線偏光に変換され得る。図１６においては、紙面を含む方向に直線偏光した光はレーザ光路上に描画された光路に垂直な矢印で示し得る。この光は、偏光子３９６を透過し得る。以上のように、光シャッタ３１０は、電気光学結晶３９５ｃに高電圧を印加している期間、光が高透過し得る。
ポッケルスセル３９４は、１ｎｓ程度の応答性を有するので、高速の光シャッタとして使用可能である。また、光シャッタ３１０として、例えばＡＯ（音響光学）素子を使用してもよい。この場合は、数１００ｎｓ程度の応答性を有するので使用可能である。また、外部回路３１２からの電圧波形に応じて、第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に印加する電圧を変えることで、透過率を変化させることもできる。
なお、図１６の光シャッタ３１０の構成に対して、上流側の光路に、偏光子とλ／２板とをさらに追加して光アイソレータとして機能させてもよい。なお、図１６において左側が上流側、右側が下流側であってもよい。その場合、光アイソレータは、ポッケルスセル３９４の第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に所定の高電圧を印加したときには、上流側と下流側の双方からの光を高透過し得る。すなわち、光アイソレータは開状態になり得る。第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に所定の高電圧を印加しないときには、上流側と下流側の双方からの光の透過を抑制し得る。すなわち、光アイソレータは閉状態になり得る。
［８．制御部のハードウエア環境］
当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャーなどを含む。
図１８は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図１８の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。
処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
図１８におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、トリガ生成器８、増幅器制御部３０、及び充電器３１等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、バーストパルス制御部３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ、露光装置制御部５、固体レーザ制御部１４、及び同期回路部１３等の、処理ユニット１０００と通信可能な複数のシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれら複数のシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、各種センサや、第１の光シャッタ２３、第２の光シャッタ２８、及び半導体光増幅器４１等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
例示的なハードウエア環境１００は、本開示におけるバーストパルス制御部３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ、及び固体レーザ制御部１４等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、バーストパルス制御部３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ、及び固体レーザ制御部１４等を統括制御する図示しない露光装置レーザ用制御部等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
［９．その他］
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (9)

  1. 第１の波長の第１のパルスレーザ光を出力する第１の固体レーザ装置と、
    第２の波長の第２のパルスレーザ光を出力する第２の固体レーザ装置と、
    前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とが入射する波長変換システムと、
    前記第１のパルスレーザ光、及び前記第２のパルスレーザ光のうちいずれか一方の光路上に配置された光シャッタと、
    前記第１及び第２の固体レーザ装置からそれぞれ前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とを連続出力させると共に、外部装置からのバースト信号がオンのときには、前記光シャッタを開ける制御を行うことにより、前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とを前記波長変換システムに略同時に入射させることにより、前記第１の波長と前記第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光を前記波長変換システムから出力させ、前記バースト信号がオフのときには、前記光シャッタを閉じる制御を行うことにより、前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光との前記波長変換システムへの入射タイミングが時間的に重ならないようにすることにより、前記波長変換システムからの前記第３のパルスレーザ光の出力を停止させる制御部と
    を備える固体レーザシステム。
  2. 前記外部装置は露光装置である
    請求項１に記載の固体レーザシステム。
  3. 第１の波長の第１のパルスレーザ光を出力する第１の固体レーザ装置と、
    第２の波長の第２のパルスレーザ光を出力する第２の固体レーザ装置と、
    前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とが入射する波長変換システムと、
    前記第１及び第２の固体レーザ装置からそれぞれ前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とを連続出力させると共に、外部装置からのバースト信号がオンのときには、前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とを前記波長変換システムに略同時に入射させることにより、前記第１の波長と前記第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光を前記波長変換システムから出力させ、前記バースト信号がオフのときには、前記第１のパルスレーザ光のパルス幅と前記第２のパルスレーザ光のパルス幅との和以上の互いに異なるタイミングで、前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とを前記波長変換システムに入射させることにより、前記波長変換システムからの前記第３のパルスレーザ光の出力を停止させる制御部と
    を備える固体レーザシステム。
  4. 第１のトリガ信号に同期して、前記第１の固体レーザ装置から前記第１のパルスレーザ光を出力させる第２のトリガ信号を出力すると共に、前記第２の固体レーザ装置から前記第２のパルスレーザ光を出力させる第３のトリガ信号を出力する同期回路をさらに備え、
    前記制御部は、前記バースト信号に同期して前記同期回路を制御することにより、前記バースト信号がオンのときには、前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とを略同時のタイミングで前記波長変換システムに入射させ、前記バースト信号がオフのときには、前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とを異なるタイミングで前記波長変換システムに入射させる
    請求項３に記載の固体レーザシステム。
  5. 前記外部装置は露光装置である
    請求項３に記載の固体レーザシステム。
  6. 第１の波長の第１のパルスレーザ光を出力する第１の固体レーザ装置と、
    第２の波長の第２のパルスレーザ光を出力する第２の固体レーザ装置と、
    前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とが入射する波長変換システムと、
    前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光との少なくとも一方の光強度を可変する光強度可変部と、
    前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光とを前記波長変換システムに略同時に入射させると共に、前記光強度可変部を制御することにより、外部装置からのバースト信号がオンのときには、前記第１の波長と前記第２の波長とから第３の波長へと波長変換された第３のパルスレーザ光が前記波長変換システムから出力されるように前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光との光強度を制御し、前記バースト信号がオフのときには、前記波長変換システムからの前記第３のパルスレーザ光の出力が停止されるように前記第１のパルスレーザ光と前記第２のパルスレーザ光との少なくとも一方の光強度を制御する制御部と
    を備える固体レーザシステム。
  7. 前記光強度可変部は光シャッタであり、
    前記制御部は、前記光シャッタの透過率を制御することにより前記第１のパルスレーザ光の光強度を制御する
    請求項６に記載の固体レーザシステム。
  8. 前記光強度可変部は光増幅器であり、
    前記制御部は、前記光増幅器の増幅率を制御することにより前記第２のパルスレーザ光の光強度を制御する
    請求項６に記載の固体レーザシステム。
  9. 前記外部装置は露光装置である
    請求項６に記載の固体レーザシステム。
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