JPWO2016056056A1 - Power converter - Google Patents

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剛司 貫
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    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating

Abstract

【課題】冷却効率を向上する。【解決手段】電力変換装置1は、部品が配置される部品面30aを備えた第1基板30と、第1基板30と離間した位置で、主たる放熱面Raが部品面30aと対向するように配置された、通電時に発熱する回生抵抗Rとを有する。また、電力変換装置1は、第1基板30と回生抵抗Rとの間に配置され、回生抵抗Rを冷却するヒートシンク54を有し、ヒートシンク54は、第1基板30に沿って配置され、回生抵抗Rが設置されたヒートシンクベース541と、ヒートシンクベース541から第1基板30に向けて突出した複数のフィン542とを有する。Cooling efficiency is improved. A power conversion device includes a first substrate having a component surface on which a component is disposed, and a main heat dissipation surface Ra facing the component surface at a position spaced from the first substrate. And a regenerative resistor R that generates heat when energized. In addition, the power conversion device 1 is disposed between the first substrate 30 and the regenerative resistor R, and includes a heat sink 54 that cools the regenerative resistor R. The heat sink 54 is disposed along the first substrate 30 and is regenerated. A heat sink base 541 provided with the resistor R and a plurality of fins 542 protruding from the heat sink base 541 toward the first substrate 30 are provided.

Description

開示の実施形態は、電力変換装置に関する。   The disclosed embodiment relates to a power conversion apparatus.

特許文献1には、半導体素子が取り付けられたヒートシンクをケースの底板に取り付け、ヒートシンクの冷却フィンに冷却風を流通させて冷却する制御ユニットが記載されている。   Patent Document 1 describes a control unit in which a heat sink to which a semiconductor element is attached is attached to a bottom plate of a case, and cooling air is circulated through cooling fins of the heat sink for cooling.

特開平10−150284号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-150284

上記従来技術において、冷却効率をより向上させる場合には、装置構成のさらなる最適化が要望される。   In the above prior art, when the cooling efficiency is further improved, further optimization of the device configuration is desired.

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、冷却効率を向上することが可能な電力変換装置を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of such a problem, and it aims at providing the power converter device which can improve cooling efficiency.

上記課題を解決するため、本発明の一の観点によれば、電力を変換する電力変換装置であって、部品が配置される部品面を備えた第1基板と、前記第1基板と離間した位置で、主たる放熱面が前記部品面と対向するように配置された、通電時に発熱する第1電子部品と、を有する電力変換装置が適用される。   In order to solve the above-described problem, according to one aspect of the present invention, a power conversion device for converting power, the first substrate having a component surface on which components are arranged, and spaced apart from the first substrate A power converter having a first electronic component that generates heat when energized is disposed such that a main heat radiating surface faces the component surface at a position.

また、本発明の別の観点によれば、電力を変換する電力変換装置であって、基板と通電時に発熱する電子部品とを用いて風洞を形成する手段を有する電力変換装置が適用される。   According to another aspect of the present invention, there is applied a power conversion device that converts electric power, and includes a means for forming a wind tunnel using a substrate and an electronic component that generates heat when energized.

本発明の電力変換装置によれば、冷却効率を向上することができる。   According to the power converter of the present invention, the cooling efficiency can be improved.

一実施形態の電力変換装置の回路構成の一例を表す回路構成図である。It is a circuit block diagram showing an example of the circuit configuration of the power converter of one embodiment. 電力変換装置の構造の一例を表す斜視図である。It is a perspective view showing an example of the structure of a power converter. 電力変換装置の構造の一例を表す上面図である。It is a top view showing an example of the structure of a power converter device. 電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of a power converter device. 第1変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in the 1st modification. 第2変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in a 2nd modification. 第3変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in a 3rd modification. 第4変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in a 4th modification. 第5変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in a 5th modification. 第6変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in a 6th modification. 第7変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in a 7th modification. 第8変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in an 8th modification. 第9変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in the 9th modification. 第10変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in a 10th modification. 第11変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in the 11th modification. 第12変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in the 12th modification. 第13変形例における電力変換装置の構造の一例を表す前面図である。It is a front view showing an example of the structure of the power converter device in the 13th modification.

以下、一実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能を有する構成要素については、原則として同一の符号で表し、これらの構成要素についての重複説明は、適宜省略する。また、図面中に注記された「前」「後」「左」「右」「上」「下」の方向は、本明細書中の説明において「前」「後」「左」「右」「上」「下」と記述される方向にそれぞれ対応する。但し、電力変換装置の各構成の位置関係は、「前」「後」「左」「右」「上」「下」の概念に限定されるものではない。   Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the drawings. In the present specification and drawings, components having substantially the same function are represented by the same reference numerals in principle, and repeated description of these components will be omitted as appropriate. The directions of “front”, “rear”, “left”, “right”, “upper”, and “lower” noted in the drawings are “front”, “rear”, “left”, “right”, “right”, Each corresponds to the direction described as “up” or “down”. However, the positional relationship of each component of the power conversion device is not limited to the concept of “front”, “rear”, “left”, “right”, “upper”, and “lower”.

<1.電力変換装置の回路構成の例>
まず、図1を参照しつつ、本実施形態の電力変換装置の回路構成の一例について説明する。
<1. Example of circuit configuration of power conversion device>
First, an example of the circuit configuration of the power conversion device of the present embodiment will be described with reference to FIG.

図1に示すように、電力変換装置1は、外部電源から入力される電力を所定の電力に変換して負荷に出力する。具体的には、電力変換装置1は、3相交流電源100から入力される交流電力を別の交流電力に変換し、8つの3相交流モータM1,M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8(以下「3相交流モータM」と総称する。)に出力して、動作を制御する。つまり、電力変換装置1は、8軸制御可能なモータ制御装置である。   As illustrated in FIG. 1, the power conversion device 1 converts power input from an external power source into predetermined power and outputs the power to a load. Specifically, the power conversion device 1 converts the AC power input from the three-phase AC power source 100 into another AC power, and the eight three-phase AC motors M1, M2, M3, M4, M5, M6, M7. , M8 (hereinafter collectively referred to as “three-phase AC motor M”) to control the operation. That is, the power conversion device 1 is a motor control device capable of 8-axis control.

なお、電力変換装置1の制御可能な軸数、つまりモータ(上記の例では3相交流モータM)の数は、8つに限定されるものではなく、他の数であってもよい。また、外部電源は、3相交流電源に限定されるものではなく、他の電源であってもよい。また、負荷は、3相交流モータに限定されるものではなく、他の負荷であってもよい。   Note that the number of controllable axes of the power conversion apparatus 1, that is, the number of motors (three-phase AC motor M in the above example) is not limited to eight, and may be other numbers. Further, the external power source is not limited to the three-phase AC power source, and may be another power source. Further, the load is not limited to the three-phase AC motor, and may be another load.

電力変換装置1は、ダイオードモジュールDM、4つのコンデンサC1,C2,C3,C4(以下「コンデンサC」と総称する。)、8つのパワーモジュールPM1,PM2,PM3,PM4,PM5,PM6,PM7,PM8(以下「パワーモジュールPM」と総称する。)、抵抗器の一例である回生抵抗R、及びスイッチQを含む、複数の電子部品を有する。   The power converter 1 includes a diode module DM, four capacitors C1, C2, C3, C4 (hereinafter collectively referred to as “capacitor C”), eight power modules PM1, PM2, PM3, PM4, PM5, PM6, PM7, It has a plurality of electronic components including PM8 (hereinafter collectively referred to as “power module PM”), a regenerative resistor R which is an example of a resistor, and a switch Q.

ダイオードモジュールDMは、ダイオードを備え、交流電源100から入力される3相交流電力を整流し、直流バスP、Nに直流電力を出力する。   The diode module DM includes a diode, rectifies three-phase AC power input from the AC power supply 100, and outputs DC power to the DC buses P and N.

コンデンサC1〜C4は、直流バスP、Nに渡って接続され、ダイオードモジュールDMが整流した直流電圧を平滑する。   The capacitors C1 to C4 are connected across the DC buses P and N, and smooth the DC voltage rectified by the diode module DM.

パワーモジュールPM1〜PM8は、例えばIGBT等の半導体素子で構成される複数のスイッチング素子SW(図1中では1つのみ図示)を備える。そして、パワーモジュールPM1〜PM8は、それぞれ、直流電力を所定の3相交流電力に変換し、3相交流モータM1〜M8に出力する。   Each of the power modules PM1 to PM8 includes a plurality of switching elements SW (only one is shown in FIG. 1) configured by semiconductor elements such as IGBTs. Each of the power modules PM1 to PM8 converts the DC power into predetermined three-phase AC power and outputs it to the three-phase AC motors M1 to M8.

なお、上記のようにパワーモジュールPMにより電力変換を行う場合、上記コンデンサC等による直流電圧の平滑は必須であるので、上記コンデンサC1〜C4は、パワーモジュールPM1〜PM8に付随する電子部品であるともいえる。   Note that when power conversion is performed by the power module PM as described above, since the DC voltage smoothing by the capacitor C or the like is essential, the capacitors C1 to C4 are electronic components attached to the power modules PM1 to PM8. It can be said.

上記ダイオードモジュールDMのダイオード、コンデンサC1〜C4、及びパワーモジュールPM1〜PM8のスイッチング素子SWは、電力変換回路10を構成する。   The diode of the diode module DM, the capacitors C1 to C4, and the switching element SW of the power modules PM1 to PM8 constitute a power conversion circuit 10.

また、直流バスP,N間には、上記回生抵抗R及びスイッチQの直列回路が接続されている。スイッチQは、例えばMOSFET等の半導体素子を備え、例えば3相交流モータMの急減速時や急停止時等にオンされることで、3相交流モータMから直流バスP,Nに入力される回生電力が回生抵抗Rにより消費されるようにする。回生抵抗Rは、スイッチQがオンされた場合に回生電力を消費する。   A series circuit of the regenerative resistor R and the switch Q is connected between the DC buses P and N. The switch Q includes a semiconductor element such as a MOSFET, for example, and is input to the DC buses P and N from the three-phase AC motor M by being turned on, for example, when the three-phase AC motor M is suddenly decelerated or stopped. The regenerative power is consumed by the regenerative resistor R. The regenerative resistor R consumes regenerative power when the switch Q is turned on.

なお、上記で説明した電力変換装置1の回路構成は、あくまで一例であり、上記以外の回路構成であってもよい。例えば、抵抗器は、回生抵抗Rに限定されるものではなく、ダイナミックブレーキ等の他の抵抗器であってもよい。また、パワーモジュールPMの数は、8つに限定されるものではなく、他の数であってもよい。また、1つのコンデンサCに2つのパワーモジュールPMが並列に接続される場合に限定されるものではなく、1つのコンデンサCに1つのパワーモジュールPMが接続されたり3つ以上のパワーモジュールPMが並列に接続されてもよい。また、コンデンサCの数は、4つに限定されるものではなく、他の数であってもよい。また、コンデンサCに代えてリアクトルを設置してもよい。   The circuit configuration of the power conversion device 1 described above is merely an example, and a circuit configuration other than the above may be used. For example, the resistor is not limited to the regenerative resistor R, and may be another resistor such as a dynamic brake. Further, the number of power modules PM is not limited to eight, and may be another number. In addition, the present invention is not limited to the case where two power modules PM are connected in parallel to one capacitor C. One power module PM is connected to one capacitor C, or three or more power modules PM are connected in parallel. May be connected. Further, the number of capacitors C is not limited to four, and may be other numbers. A reactor may be installed instead of the capacitor C.

<2.発熱量の大小関係の例>
ここで、上記複数の電子部品は、いずれも通電時に発熱する。複数の電子部品のうち、コンデンサCの通電時の発熱量は、他の部品に影響をほとんど与えない程度の小さな発熱量であり、パワーモジュールPMや回生抵抗Rの通電時の発熱量は、他の部品に影響を与える程度の大きな発熱量である。つまり、パワーモジュールPMや回生抵抗Rは、コンデンサCよりも発熱量が大きい。また、コンデンサCは、他の部品からの受熱を抑制すべき熱に弱い電子部品である。
<2. Example of magnitude relationship of calorific value>
Here, each of the plurality of electronic components generates heat when energized. Among a plurality of electronic components, the amount of heat generated when the capacitor C is energized is a small amount of heat that hardly affects other components, and the amount of heat generated when the power module PM or the regenerative resistor R is energized is The amount of heat generated is large enough to affect other parts. That is, the power module PM and the regenerative resistor R generate a larger amount of heat than the capacitor C. Further, the capacitor C is an electronic component that is weak against heat that should be suppressed from receiving heat from other components.

また、電力変換装置1では、2つのヒートシンクベース501,521(後述の図2等も参照)が対向配置されている(詳細は後述)。パワーモジュールPM1〜PM8のうち、コンデンサC1〜C4の各々に接続されたパワーモジュールPM1〜PM4は、ヒートシンクベース501に設置されている。また、コンデンサC1〜C4の各々に上記パワーモジュールPM1〜PM4の各々と並列に接続されたパワーモジュールPM5〜PM8は、ヒートシンクベース521に設置されている。そして、パワーモジュールPM1〜PM4の合計発熱量と回生抵抗Rの発熱量との大小関係、及び、パワーモジュールPM5〜PM8の合計発熱量と回生抵抗Rの発熱量との大小関係は、電力変換装置1や3相交流モータM1〜M8の運転状況等により変化する場合がある。但し、本実施形態では、回生抵抗Rの発熱量が、パワーモジュールPM1〜PM4の合計発熱量やパワーモジュールPM5〜PM8の合計発熱量よりも大きい場合について説明する。   Further, in the power conversion device 1, two heat sink bases 501 and 521 (see also FIG. 2 to be described later) are arranged to face each other (details will be described later). Among the power modules PM1 to PM8, the power modules PM1 to PM4 connected to the capacitors C1 to C4 are installed on the heat sink base 501. Further, power modules PM5 to PM8 connected in parallel to each of the power modules PM1 to PM4 to each of the capacitors C1 to C4 are installed on the heat sink base 521. The magnitude relationship between the total heat generation amount of the power modules PM1 to PM4 and the heat generation amount of the regenerative resistor R, and the magnitude relationship between the total heat generation amount of the power modules PM5 to PM8 and the heat generation amount of the regenerative resistor R are the power converters. It may change depending on the operating conditions of the 1 and 3-phase AC motors M1 to M8. However, in this embodiment, the case where the heat generation amount of the regenerative resistor R is larger than the total heat generation amount of the power modules PM1 to PM4 and the total heat generation amount of the power modules PM5 to PM8 will be described.

また、パワーモジュールPM1〜PM4の発熱量は、パワーモジュールPM1〜PM4間でばらつきがあり、パワーモジュールPM5〜PM8の発熱量は、パワーモジュールPM5〜PM8間でばらつきがある。パワーモジュールPM1〜PM4間での発熱量の大小関係、及び、パワーモジュールPM5〜PM8間での発熱量の大小関係は、電力変換装置1や3相交流モータM1〜M8の運転状況等により変化する場合がある。但し、本実施形態では、パワーモジュールPM1〜PM4間では、パワーモジュールPM1、パワーモジュールPM2、パワーモジュールPM3、パワーモジュールPM4の順に発熱量が大きく、パワーモジュールPM5〜PM8間では、パワーモジュールPM5、パワーモジュールPM6、パワーモジュールPM7、パワーモジュールPM8の順に発熱量が大きい場合について説明する。   Further, the heat generation amount of the power modules PM1 to PM4 varies among the power modules PM1 to PM4, and the heat generation amount of the power modules PM5 to PM8 varies among the power modules PM5 to PM8. The magnitude relationship between the heat generation amounts between the power modules PM1 to PM4 and the magnitude relationship between the heat generation amounts between the power modules PM5 to PM8 vary depending on the operating conditions of the power converter 1 and the three-phase AC motors M1 to M8. There is a case. However, in the present embodiment, between the power modules PM1 to PM4, the amount of heat generation increases in the order of the power module PM1, power module PM2, power module PM3, and power module PM4, and between the power modules PM5 to PM8, the power module PM5 and power A case where the heat generation amount is large in the order of the module PM6, the power module PM7, and the power module PM8 will be described.

なお、上記で説明した複数の電子部品間での発熱量の大小関係は、あくまで一例であり、上記以外の大小関係であってもよい。   In addition, the magnitude relationship of the emitted-heat amount between several electronic components demonstrated above is an example to the last, and magnitude relationships other than the above may be sufficient.

<3.電力変換装置の構造の例>
次に、図2、図3、及び図4を参照しつつ、電力変換装置1の構造の一例について説明する。なお、図2中では、電力変換装置1の筐体の上板部及び前板部の図示を省略し、図3中では、上板部の図示を省略し、図4中では、前板部の図示を省略している。また、図2〜図4中では、電力変換装置1の要部以外の構成の図示を適宜省略している。
<3. Example of structure of power conversion device>
Next, an example of the structure of the power conversion device 1 will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4. 2, the illustration of the upper plate portion and the front plate portion of the casing of the power conversion device 1 is omitted, the illustration of the upper plate portion is omitted in FIG. 3, and the front plate portion in FIG. Is omitted. Moreover, in FIGS. 2-4, illustration of structures other than the principal part of the power converter device 1 is abbreviate | omitted suitably.

図2〜図4に示すように、電力変換装置1は、その外郭を構成する略直方体状の筐体2を有し、筐体2の板部21が上側、板部22が下側、板部23が前側、板部24が後側、板部25が左側、板部26が右側となるように、設置されている。以下では、筐体2の上側の板部21を「上板部21」、下側の板部22を「下板部22」、前側の板部23を「前板部23」、後側の板部24を「後板部24」、左側の板部25を「左板部25」、右側の板部26を「右板部26」ともいう。また、以下では、電力変換装置1において、左右方向を「幅方向」、上下方向を「高さ方向」、前後方向を「奥行き方向」ともいう。   As shown in FIG. 2 to FIG. 4, the power conversion device 1 has a substantially rectangular parallelepiped casing 2 that forms the outline thereof, the plate portion 21 of the casing 2 being the upper side, the plate portion 22 being the lower side, The part 23 is installed on the front side, the plate part 24 on the rear side, the plate part 25 on the left side, and the plate part 26 on the right side. Hereinafter, the upper plate portion 21 of the housing 2 is the “upper plate portion 21”, the lower plate portion 22 is the “lower plate portion 22”, the front plate portion 23 is the “front plate portion 23”, and the rear plate portion 22 is the rear plate portion 22. The plate portion 24 is also referred to as “rear plate portion 24”, the left plate portion 25 is also referred to as “left plate portion 25”, and the right plate portion 26 is also referred to as “right plate portion 26”. Hereinafter, in the power conversion device 1, the left-right direction is also referred to as the “width direction”, the up-down direction is also referred to as the “height direction”, and the front-back direction is also referred to as the “depth direction”.

なお、筐体2の形状は、略直方体状に限定されるものではなく、他の形状であってもよい。また、電力変換装置1の向きは、筐体2の板部21が上側、板部22が下側、板部23が前側、板部24が後側、板部25が左側、板部26が右側となる向きに限定されるものではなく、他の向きであってもよい。   In addition, the shape of the housing | casing 2 is not limited to a substantially rectangular parallelepiped shape, Other shapes may be sufficient. The power converter 1 is oriented such that the plate portion 21 of the housing 2 is on the upper side, the plate portion 22 is on the lower side, the plate portion 23 is on the front side, the plate portion 24 is on the rear side, the plate portion 25 is on the left side, and the plate portion 26 is on the left side. The direction is not limited to the right side, but may be another direction.

筐体2には、第1基板30と、2つの第2基板32,34と、上記ダイオードモジュールDM、コンデンサC1〜C4、パワーモジュールPM1〜PM8、回生抵抗R、及びスイッチQを含む複数の電子部品と、3つのヒートシンク50,52,54と、ファン60とが収納されている。また、筐体2には、2つの通風口4,6が形成されている(図3参照)。   The housing 2 includes a plurality of electrons including a first substrate 30, two second substrates 32 and 34, the diode module DM, capacitors C1 to C4, power modules PM1 to PM8, a regenerative resistor R, and a switch Q. Components, three heat sinks 50, 52, and 54 and a fan 60 are accommodated. In addition, two ventilation openings 4 and 6 are formed in the housing 2 (see FIG. 3).

(3−1.第1基板)
第1基板30は、片面のみに部品が配置される片面基板である。つまり、第1基板30は、その一方側の面が、部品が配置される部品面30a、その他方側の面が、半田付けが行われる半田面30bである。また、第1基板30は、略長方形状を備え、その板面方向の寸法が、筐体2の高さ方向に垂直な面方向の内寸法とほぼ等しい。そして、第1基板30は、その板面方向が高さ方向と垂直となり、部品面30aが上面、半田面30bが下面となるように、筐体2内の下部において筐体2に固定されている。
(3-1. First substrate)
The first substrate 30 is a single-sided substrate in which components are arranged only on one side. That is, as for the 1st board | substrate 30, the surface of one side is the component surface 30a in which components are arrange | positioned, and the surface of the other side is the solder surface 30b in which soldering is performed. The first substrate 30 has a substantially rectangular shape, and the dimension in the plate surface direction is substantially equal to the inner dimension in the surface direction perpendicular to the height direction of the housing 2. The first substrate 30 is fixed to the housing 2 at the lower portion of the housing 2 such that the plate surface direction is perpendicular to the height direction, the component surface 30a is the upper surface, and the solder surface 30b is the lower surface. Yes.

なお、第1基板30の向き及び位置は、板面方向が高さ方向と垂直となり、部品面30aが上面、半田面30bが下面となる向き、及び、筐体2内の下部に限定されるものではなく、他の向き及び他の位置であってもよい。また、第1基板30の形状は、略直方形状に限定されるものではなく、他の形状であってもよい。また、第1基板30は、1つの基板である場合に限定されるものではなく、複数の基板で構成されてもよい。また、第1基板30の板面方向の寸法は、筐体2の高さ方向に垂直な面方向の内寸法とほぼ等しい場合に限定されるものではなく、当該内寸法よりも小さくてもよい。また、第1基板30は、片面基板である場合に限定されるものではなく、両面に部品が配置される両面基板や、複数の基板が積層された多層基板等であってもよい。   The orientation and position of the first substrate 30 are limited to the orientation in which the plate surface direction is perpendicular to the height direction, the component surface 30a is the upper surface, the solder surface 30b is the lower surface, and the lower portion in the housing 2. Other orientations and other positions may be used. Moreover, the shape of the 1st board | substrate 30 is not limited to a substantially rectangular shape, Other shapes may be sufficient. The first substrate 30 is not limited to a single substrate, and may be composed of a plurality of substrates. Further, the dimension in the plate surface direction of the first substrate 30 is not limited to the case where it is substantially equal to the inner dimension in the surface direction perpendicular to the height direction of the housing 2, and may be smaller than the inner dimension. . The first substrate 30 is not limited to a single-sided substrate, and may be a double-sided substrate in which components are arranged on both sides, a multilayer substrate in which a plurality of substrates are stacked, or the like.

(3−2.第2基板の例)
第2基板32,34は、第1基板30の部品面30aに立設されている。具体的には、第2基板32,34は、略長方形状を備え、各々の長手方向の寸法が筐体2の奥行き方向の内寸法とほぼ等しく、各々の短手方向の寸法が筐体2の高さ方向の内寸法よりも少し小さい。そして、第2基板32,34は、各々の長手方向が奥行き方向、各々の短手方向が高さ方向に沿いつつ、幅方向に所定の空隙を空けて離間するように、第1基板30の幅方向中央部近傍において平行に対向配置されている。つまり、第2基板32,34は、第2基板32の右面32aと第2基板34の左面34aとが幅方向に対向配置されている。なお、右面32a及び左面34aは、対向面の一例に相当し、幅方向は、対向面の対向方向である。また、以下では、右面32aを「対向面32a」、左面34aを「対向面34a」ともいう。
(3-2. Example of second substrate)
The second substrates 32 and 34 are erected on the component surface 30 a of the first substrate 30. Specifically, each of the second substrates 32 and 34 has a substantially rectangular shape, and each dimension in the longitudinal direction is substantially equal to the inner dimension in the depth direction of the casing 2, and each dimension in the short side direction is the casing 2. Is slightly smaller than the inner dimension in the height direction. The second substrates 32 and 34 are arranged so that the longitudinal direction of each of the first substrates 30 is along the depth direction and the short side direction is along the height direction, and the second substrate 32 and 34 are spaced apart from each other with a predetermined gap in the width direction. In the vicinity of the central portion in the width direction, they are arranged to face each other in parallel. In other words, in the second substrates 32 and 34, the right surface 32a of the second substrate 32 and the left surface 34a of the second substrate 34 are disposed to face each other in the width direction. Note that the right surface 32a and the left surface 34a correspond to examples of facing surfaces, and the width direction is the facing direction of the facing surfaces. Hereinafter, the right surface 32a is also referred to as “opposing surface 32a”, and the left surface 34a is also referred to as “facing surface 34a”.

なお、第2基板32,34の向き及び位置は、各々の長手方向が奥行き方向、各々の短手方向が高さ方向に沿う向き、及び、第1基板30の幅方向中央部近傍に限定されるものではなく、他の向き及び他の位置であってもよい。また、第2基板32,34は、平行に立設されなくてもよい。また、第2基板32,34の形状は、略直方形状に限定されるものではなく、他の形状であってもよい。また、第2基板32,34の長手方向の寸法は、筐体2の奥行き方向の内寸法とほぼ等しい場合に限定されるものではなく、当該内寸法よりも小さくてもよい。また、第2基板32,34の短手方向の寸法は、筐体2の高さ方向の内寸法よりも少し小さい場合に限定されるものではなく、当該内寸法とほぼ等しくてもよい。また、第2基板32,34は、第1基板30の部品面30aに立設される場合に限定されるものではなく、第1基板30の半田面30bに立設されてもよい。また、第2基板の数は、2つに限定されるものではなく、3つ以上であってもよい。また、第2基板32,34の一方又は両方に代えて、風洞を構成する部材(導風板や仕切板等)を設置してもよい。   Note that the orientation and position of the second substrates 32 and 34 are limited to a direction in which the longitudinal direction of each of the second substrates 32 and 34 is in the depth direction, a direction in which each of the short sides is along the height direction, and the vicinity of the central portion in the width direction of the first substrate 30. Other orientations and other positions may be used. Further, the second substrates 32 and 34 may not be erected in parallel. Further, the shape of the second substrates 32 and 34 is not limited to a substantially rectangular shape, and may be another shape. Moreover, the dimension of the longitudinal direction of the 2nd board | substrates 32 and 34 is not limited to the case where it is substantially equal to the internal dimension of the depth direction of the housing | casing 2, It may be smaller than the said internal dimension. Further, the dimension in the short direction of the second substrates 32 and 34 is not limited to the case where it is slightly smaller than the inner dimension in the height direction of the housing 2, and may be substantially equal to the inner dimension. The second substrates 32 and 34 are not limited to the case where the second substrates 32 and 34 are erected on the component surface 30 a of the first substrate 30, and may be erected on the solder surface 30 b of the first substrate 30. Further, the number of second substrates is not limited to two, and may be three or more. In addition, instead of one or both of the second substrates 32 and 34, members (wind guide plate, partition plate, etc.) constituting the wind tunnel may be installed.

(3−3.通風口、ファンの例)
通風口4は、幅方向において第2基板32,34間に配置されるように、前板部23の幅方向中央部近傍に形成されている。通風口6は、幅方向において第2基板32,34間に配置されるように、後板部24の幅方向中央部近傍に形成されている。つまり、通風口4,6は、奥行き方向に対向配置されている。
(3-3. Examples of vents and fans)
The ventilation opening 4 is formed in the width direction center part vicinity of the front board part 23 so that it may be arrange | positioned between the 2nd board | substrates 32 and 34 in the width direction. The ventilation opening 6 is formed in the width direction center vicinity of the rear-plate part 24 so that it may be arrange | positioned between the 2nd board | substrates 32 and 34 in the width direction. That is, the ventilation openings 4 and 6 are disposed to face each other in the depth direction.

なお、通風口4,6は、各々の全部が第2基板32,34間に配置される場合に限定されるものではなく、各々の一部が基板32,34間に配置されてもよい。また、前板部23での通風口4の位置は、幅方向中央部近傍に限定されるものではなく、他の位置であってもよい。また、前板部23には、複数の通風口が形成されてもよい。また、後板部24での通風口6の位置は、幅方向中央部近傍に限定されるものではなく、他の位置であってもよい。また、後板部24には、複数の通風口が形成されてもよい。また、前板部23及び後板部24の少なくとも一方に代えて又は加えて、筐体2の他の板部に、通風口が形成されてもよい。   The vent holes 4 and 6 are not limited to the case where each of the vent holes 4 and 6 is disposed between the second substrates 32 and 34, and a part of each may be disposed between the substrates 32 and 34. Moreover, the position of the vent hole 4 in the front plate part 23 is not limited to the vicinity of the center part in the width direction, and may be another position. The front plate portion 23 may be formed with a plurality of ventilation openings. Further, the position of the vent hole 6 in the rear plate portion 24 is not limited to the vicinity of the central portion in the width direction, and may be another position. In addition, a plurality of ventilation openings may be formed in the rear plate portion 24. Further, instead of or in addition to at least one of the front plate portion 23 and the rear plate portion 24, a vent hole may be formed in another plate portion of the housing 2.

ファン60は、第2基板32,34間の通風口6の内側に配置され、上記パワーモジュールPM1〜PM8、コンデンサC1〜C4、及び回生抵抗Rを冷却するための冷却流路75を含む風洞70(詳細は後述)に送風する。風洞70及びその内部の冷却流路75は、奥行き方向に延びるように形成されている(詳細は後述)。このような冷却流路75が延びる方向、つまり奥行き方向を「流路方向」ということにする。なお、以下では、説明の便宜上、流路方向を奥行き方向等と言い換えて用いることがある。   The fan 60 is disposed inside the ventilation hole 6 between the second substrates 32 and 34, and includes a wind channel 70 including the power modules PM1 to PM8, the capacitors C1 to C4, and the cooling flow path 75 for cooling the regenerative resistor R. (Details will be described later). The wind tunnel 70 and the cooling flow path 75 therein are formed to extend in the depth direction (details will be described later). The direction in which the cooling channel 75 extends, that is, the depth direction is referred to as a “channel direction”. In the following, for convenience of explanation, the flow path direction is sometimes used in other words as the depth direction.

具体的には、ファン60は、排気ファンであり、通風口4を吸気口、通風口6を排気口として、通風口4から風洞70内(筐体2内)に吸気された空気を通風口6から風洞70外(筐体2外)に排気する。したがって、ファン60が風洞70に送風すると、風洞70内では、主に通風口4から通風口6に向けて空気が流れる。このようなファン60が風洞70内において主に空気を流す方向である通風口4から通風口6への向き、つまり奥行き方向の一方の向きである前から後への向きを「通風方向」ということにする。また、風洞70の通風口4側、つまり前側を「通風方向上流側」ということにし、風洞70の通風口6側、つまり後側を「通風方向下流側」ということにする。なお、以下では、説明の便宜上、通風方向を奥行き方向等と言い換えて用いることがある。   Specifically, the fan 60 is an exhaust fan, and uses the ventilation port 4 as an intake port and the ventilation port 6 as an exhaust port, and ventilates the air sucked from the ventilation port 4 into the wind tunnel 70 (inside the casing 2). 6 is exhausted outside the wind tunnel 70 (outside the casing 2). Therefore, when the fan 60 blows air to the wind tunnel 70, air mainly flows from the ventilation opening 4 toward the ventilation opening 6 in the wind tunnel 70. The direction from the vent 4 to the vent 6 where the fan 60 mainly flows air in the wind tunnel 70, that is, the direction from the front to the rear, which is one direction in the depth direction, is referred to as “ventilation direction”. I will decide. Further, the side of the wind tunnel 70, that is, the front side, is referred to as “upstream side in the ventilation direction”, and the side of the wind tunnel 70, that is, the rear side, is referred to as “downstream side in the ventilation direction”. Hereinafter, for convenience of explanation, the ventilation direction may be used in other words as the depth direction.

なお、ファン60は、排気ファンに限定されるものではなく、吸気ファンであってもよい。また、ファン60は、通風口6の内側に設置される場合に限定されるものではなく、通風口4の内側に設置されてもよい。また、ファン60は、通風口の内側に設置される場合に限定されるものではなく、通風口の外側に設置されてもよい。また、通風口に設置されるファンの数は、1つに限定されるものではなく、2つ以上であってもよい。また、例えば電子部品の発熱量があまり大きくない等により、ファンを用いた強制冷却を行わなくてもよい場合には、ファンを設置しなくてもよい。また、通風方向や流路方向は、奥行き方向に限定されるものではなく、第2基板32,34等の向きに応じて変化し得る。   The fan 60 is not limited to an exhaust fan, and may be an intake fan. Further, the fan 60 is not limited to being installed inside the ventilation opening 6, and may be installed inside the ventilation opening 4. Moreover, the fan 60 is not limited to the case where it is installed inside the ventilation hole, and may be installed outside the ventilation hole. Further, the number of fans installed at the ventilation opening is not limited to one and may be two or more. Further, for example, when it is not necessary to perform forced cooling using a fan because the amount of heat generated by the electronic component is not so large, the fan need not be installed. Further, the ventilation direction and the flow path direction are not limited to the depth direction, and may change according to the orientation of the second substrates 32 and 34 and the like.

(3−4.ヒートシンク、風洞の例)
ヒートシンク50,52は、上記パワーモジュールPM1〜PM8を冷却するヒートシンクであり、第2基板32,34の対向面32a,34aに沿って配置されている。具体的には、ヒートシンク50は、第2基板32の対向面32aに沿って配置され、上記パワーモジュールPM1〜PM4が設置されるヒートシンクベース501と、複数のフィン502とを有する。また、ヒートシンク52は、第2基板34の対向面34aに沿って配置され、上記パワーモジュールPM5〜PM8が設置されるヒートシンクベース521と、複数のフィン522とを有する。
(3-4. Examples of heat sink and wind tunnel)
The heat sinks 50 and 52 are heat sinks for cooling the power modules PM1 to PM8, and are disposed along the opposing surfaces 32a and 34a of the second substrates 32 and 34. Specifically, the heat sink 50 is disposed along the facing surface 32a of the second substrate 32, and includes a heat sink base 501 on which the power modules PM1 to PM4 are installed, and a plurality of fins 502. The heat sink 52 is disposed along the facing surface 34a of the second substrate 34, and includes a heat sink base 521 on which the power modules PM5 to PM8 are installed, and a plurality of fins 522.

ヒートシンクベース501は、略長方形状を備え、その長手方向の寸法が第2基板32,34の奥行き方向の寸法よりも小さく、その短手方向の寸法が第2基板32,34の高さ方向の寸法の半分よりも少し大きい。そして、ヒートシンクベース501は、その長手方向が奥行き方向、その短手方向が高さ方向に沿うように、第2基板32の対向面32aに沿って第2基板32,34と平行に配置され、例えばその四隅に配置されるスペーサSP1を介して第2基板32に固定されている。また、ヒートシンクベース521は、上記ヒートシンクベース501と同等の形状及び寸法を備える。そして、ヒートシンクベース521は、その長手方向が奥行き方向、その短手方向が高さ方向に沿うように、第2基板34の対向面34aに沿って第2基板32,34と平行に配置され、例えばその四隅に配置されるスペーサSP2を介して第2基板34に固定されている。   The heat sink base 501 has a substantially rectangular shape, the dimension in the longitudinal direction is smaller than the dimension in the depth direction of the second substrates 32 and 34, and the dimension in the short direction is the height direction of the second substrates 32 and 34. A little larger than half of the dimensions. The heat sink base 501 is arranged in parallel with the second substrates 32 and 34 along the facing surface 32a of the second substrate 32 so that the longitudinal direction thereof is along the depth direction and the short side direction is along the height direction. For example, it is fixed to the second substrate 32 via spacers SP1 arranged at the four corners. The heat sink base 521 has the same shape and dimensions as the heat sink base 501. The heat sink base 521 is disposed in parallel with the second substrates 32 and 34 along the facing surface 34a of the second substrate 34 so that the longitudinal direction thereof is along the depth direction and the short side direction is along the height direction. For example, it is fixed to the second substrate 34 via spacers SP2 arranged at the four corners.

具体的には、ヒートシンクベース501,521は、高さ方向において各々の上端位置が第2基板32,34の上端位置とほぼ一致するように、配置されている。したがって、ヒートシンクベース501,521の下端位置は、第2基板32,34の高さ方向中央部よりも少し下側となっている。つまり、ヒートシンクベース501,521は、第2基板32,34間で、それらの上端側において幅方向に対向配置されている。この際、ヒートシンクベース501,521の配置間隔S1は、上記ファン60の例えば羽根車等で構成される送風部60aの径とほぼ等しくなっている。具体的には、配置間隔S1は、ヒートシンクベース501の左面501aとヒートシンクベース521の右面521aとの配置間隔である。なお、左面501aは、ヒートシンクベース501のヒートシンクベース521と対向しない側の面であり、右面521aは、ヒートシンクベース521のヒートシンクベース501と対向しない側の面である。   Specifically, the heat sink bases 501 and 521 are arranged so that their upper end positions substantially coincide with the upper end positions of the second substrates 32 and 34 in the height direction. Therefore, the lower end positions of the heat sink bases 501 and 521 are slightly lower than the center portions in the height direction of the second substrates 32 and 34. In other words, the heat sink bases 501 and 521 are disposed opposite to each other in the width direction between the second substrates 32 and 34 on the upper end side thereof. At this time, the arrangement interval S1 of the heat sink bases 501 and 521 is substantially equal to the diameter of the blower 60a formed of the fan 60, for example, an impeller. Specifically, the arrangement interval S1 is an arrangement interval between the left surface 501a of the heat sink base 501 and the right surface 521a of the heat sink base 521. The left surface 501a is a surface of the heat sink base 501 that does not face the heat sink base 521, and the right surface 521a is the surface of the heat sink base 521 that does not face the heat sink base 501.

なお、ヒートシンクベース501の右面とヒートシンクベース521の左面との配置間隔を、ヒートシンクベース501,521の配置間隔S1としてもよい。また、ヒートシンクベース501,521の配置間隔S1は、ファン60の送風部60aの径とほぼ等しい場合に限定されるものではなく、当該径よりも大きく又は小さくてもよい。また、ヒートシンクベース501,521の下端位置は、第2基板32,34の高さ方向中央部よりも少し下側となる場合に限定されるものではなく、第2基板32,34の下端部近傍となってもよい。また、ヒートシンクベース501,521は、第2基板32,34に固定される場合に限定されるものではなく、他の部材に固定されてもよい。例えば、ヒートシンクベース501,521が第1基板30に固定され、それらヒートシンクベース501,521に第2基板32,34が固定されてもよい。また、ヒートシンクベース501,521は、必ずしも第2基板32,34と平行に配置されなくてもよい。また、ヒートシンクベース501,521の形状及び寸法は、上記形状及び寸法に限定されるものではなく、他の形状及び寸法であってもよい。   The arrangement interval between the right surface of the heat sink base 501 and the left surface of the heat sink base 521 may be the arrangement interval S1 of the heat sink bases 501 and 521. Moreover, arrangement | positioning space | interval S1 of the heat sink bases 501 and 521 is not limited to the case where it is substantially equal to the diameter of the ventilation part 60a of the fan 60, You may be larger or smaller than the said diameter. Further, the lower end positions of the heat sink bases 501 and 521 are not limited to the case where they are slightly lower than the center portions in the height direction of the second substrates 32 and 34, and are near the lower end portions of the second substrates 32 and 34. It may be. The heat sink bases 501 and 521 are not limited to being fixed to the second substrates 32 and 34, and may be fixed to other members. For example, the heat sink bases 501 and 521 may be fixed to the first substrate 30, and the second substrates 32 and 34 may be fixed to the heat sink bases 501 and 521. Further, the heat sink bases 501 and 521 are not necessarily arranged parallel to the second substrates 32 and 34. Further, the shape and size of the heat sink bases 501 and 521 are not limited to the above shape and size, and may be other shapes and sizes.

複数のフィン502は、ヒートシンクベース501の上端部からその高さ方向中央部よりも少し下側の範囲で、ヒートシンクベース501から幅方向に沿って、つまり右方に向けて突出している。また、複数のフィン522は、ヒートシンクベース521の上端部からその高さ方向中央部よりも少し下側の範囲で、ヒートシンクベース521から幅方向に沿って、つまり左方に向けて突出している。つまり、フィン502,522は、ヒートシンクベース501,521から互いに近づく方向に突出している。具体的には、フィン502,522は、相互間に所定の空隙が空くように、突出している。   The plurality of fins 502 protrude from the heat sink base 501 along the width direction, that is, toward the right side, in a range slightly below the center in the height direction from the upper end of the heat sink base 501. Further, the plurality of fins 522 protrude from the heat sink base 521 along the width direction, that is, toward the left side, in a range slightly below the center in the height direction from the upper end of the heat sink base 521. That is, the fins 502 and 522 protrude from the heat sink bases 501 and 521 in a direction approaching each other. Specifically, the fins 502 and 522 protrude so that a predetermined gap is left between them.

なお、フィン502,522の突出方向は、上記方向に限定されるものではなく、他の方向であってもよい。また、ヒートシンクベース501,521でのフィン502,522の範囲は、上記範囲に限定されるものではなく、他の範囲であってもよい。   Note that the protruding direction of the fins 502 and 522 is not limited to the above direction, and may be another direction. Moreover, the range of the fins 502 and 522 in the heat sink bases 501 and 521 is not limited to the above range, and may be another range.

一方、ヒートシンク54は、上記回生抵抗Rを冷却するヒートシンクである。ヒートシンク54は、第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に配置され、上記回生抵抗Rが設置されるヒートシンクベース541と、複数のフィン542とを有する。なお、上端部32b,34bは、第2基板32,34の立設方向、つまり高さ方向の先端部である。   On the other hand, the heat sink 54 is a heat sink that cools the regenerative resistor R. The heat sink 54 is disposed above the upper end portions 32 b and 34 b of the second substrates 32 and 34, and includes a heat sink base 541 on which the regenerative resistor R is installed, and a plurality of fins 542. The upper end portions 32b and 34b are tip ends in the standing direction of the second substrates 32 and 34, that is, in the height direction.

ヒートシンクベース541は、略長方形状を備え、その長手方向の寸法が上記ヒートシンクベース501,521の奥行き方向の寸法よりも少し小さく、その短手方向の寸法が第2基板32,34の配置間隔よりも大きい。そして、ヒートシンクベース541は、その長手方向が奥行き方向、その短手方向が幅方向に沿うように、第2基板32,34の上端部32b,34bに第1基板30と平行に配置され、支持部材(図示せず)を介して上板部24に固定されている。   The heat sink base 541 has a substantially rectangular shape, and its longitudinal dimension is slightly smaller than the depth dimension of the heat sink bases 501 and 521, and its lateral dimension is larger than the arrangement interval of the second substrates 32 and 34. Is also big. The heat sink base 541 is arranged in parallel with the first substrate 30 on the upper end portions 32b and 34b of the second substrates 32 and 34 so that the longitudinal direction thereof is along the depth direction and the short side direction is along the width direction. It is fixed to the upper plate part 24 via a member (not shown).

つまり、ヒートシンクベース541は、第1基板30と高さ方向に対向配置されている。この際、ヒートシンクベース541は、上記ファン60の送風部60aの上端位置に配置され、上記第1基板30は、送風部60aの下端位置よりも下側に配置されている。したがって、第1基板30とヒートシンクベース541の配置間隔は、上記ファン60の送風部60aの径よりも大きくなっている。   That is, the heat sink base 541 is disposed to face the first substrate 30 in the height direction. At this time, the heat sink base 541 is disposed at the upper end position of the blower 60a of the fan 60, and the first substrate 30 is disposed below the lower end position of the blower 60a. Therefore, the arrangement interval between the first substrate 30 and the heat sink base 541 is larger than the diameter of the blower 60 a of the fan 60.

なお、第1基板30とヒートシンクベース541の配置間隔は、ファン60の送風部60aの径よりも大きい場合に限定されるものではなく、当該径とほぼ等しくてもよいし、当該径よりも小さくてもよい。また、ヒートシンクベース541は、上板部24に固定される場合に限定されるものではなく、他の部材に固定されてもよい。また、ヒートシンクベース541は、必ずしも第1基板30と平行に配置されなくてもよい。また、ヒートシンクベース541の形状及び寸法は、上記形状及び寸法に限定されるものではなく、他の形状及び寸法であってもよい。   In addition, the arrangement | positioning space | interval of the 1st board | substrate 30 and the heat sink base 541 is not limited to the case where it is larger than the diameter of the ventilation part 60a of the fan 60, may be substantially equal to the said diameter, and is smaller than the said diameter. May be. Further, the heat sink base 541 is not limited to being fixed to the upper plate portion 24, and may be fixed to other members. Further, the heat sink base 541 does not necessarily have to be arranged in parallel with the first substrate 30. Further, the shape and dimensions of the heat sink base 541 are not limited to the above shapes and dimensions, and may be other shapes and dimensions.

複数のフィン542は、上記フィン502,522間でヒートシンクベース541から第1基板30に向けて、つまり下方に向けて突出している。具体的には、フィン542は、ヒートシンクベース541から、後述のように第1基板30から上方に向けて突出するように第1基板30の部品面30aに設置されたコンデンサC1〜C4の上端部近傍まで突出している(延びている)。   The plurality of fins 542 protrude from the heat sink base 541 toward the first substrate 30 between the fins 502 and 522, that is, downward. Specifically, the fins 542 are upper ends of capacitors C1 to C4 installed on the component surface 30a of the first substrate 30 so as to protrude upward from the first substrate 30 as described later from the heat sink base 541. It protrudes (extends) to the vicinity.

なお、フィン542は、コンデンサC1〜C4の上端部に近接する位置まで突出しているが、コンデンサC1〜C4の上端部に接触する位置まで突出してもよい。また、フィン542は、必ずしもコンデンサC1〜C4の上端部近傍まで突出しなくてもよい。また、フィン542の突出方向は、上記方向に限定されるものではなく、他の方向であってもよい。   Note that the fin 542 protrudes to a position close to the upper ends of the capacitors C1 to C4, but may protrude to a position that contacts the upper ends of the capacitors C1 to C4. Further, the fin 542 does not necessarily protrude to the vicinity of the upper end portion of the capacitors C1 to C4. Further, the protruding direction of the fin 542 is not limited to the above direction, and may be another direction.

ここで、上記パワーモジュールPM1〜PM4を冷却するヒートシンク50におけるフィン502のヒートシンクベース501からの突出長さをL1とする。また、上記パワーモジュールPM4〜PM8を冷却するヒートシンク52におけるフィン522のヒートシンクベース521からの突出長さをL2とする。また、上記回生抵抗Rを冷却するヒートシンク54におけるフィン542のヒートシンクベース541からの突出長さをL3とする。この場合、フィン502の突出長さL1とフィン522の突出長さL2とは、等しくなっている。また、フィン502,522の突出長さL1,L2とフィン542の突出長さL3とは、対応する電子部品の発熱量が大きい方が長くなっている。つまり、前述のように、回生抵抗Rの発熱量は、パワーモジュールPM1〜PM4の合計発熱量やパワーモジュールPM5〜PM8の合計発熱量よりも大きいので、フィン542の突出長さL3が、フィン502,522の突出長さL1,L2よりも長くなっている。   Here, the protrusion length from the heat sink base 501 of the fin 502 in the heat sink 50 that cools the power modules PM1 to PM4 is L1. Further, the protrusion length of the fins 522 from the heat sink base 521 in the heat sink 52 for cooling the power modules PM4 to PM8 is L2. Further, the protrusion length of the fin 542 from the heat sink base 541 in the heat sink 54 that cools the regenerative resistor R is L3. In this case, the protrusion length L1 of the fin 502 and the protrusion length L2 of the fin 522 are equal. Further, the protrusion lengths L1 and L2 of the fins 502 and 522 and the protrusion length L3 of the fins 542 are longer when the heat generation amount of the corresponding electronic component is larger. That is, as described above, since the heat generation amount of the regenerative resistor R is larger than the total heat generation amount of the power modules PM1 to PM4 and the total heat generation amount of the power modules PM5 to PM8, the protrusion length L3 of the fin 542 is , 522 is longer than the projecting lengths L1, L2.

なお、フィン502の突出長さL1,フィン522の突出長さL2、及びフィン542の突出長さL3の大小関係は、上記のような対応する電子部品の発熱量に応じた大小関係に限定されるものではなく、他の大小関係(例えばすべてが同じ長さにする等)であってもよい。また、フィン502の突出長さL1とフィン522の突出長さL2とは、必ずしも等しくなくてもよい。また、フィン502相互間、フィン522相互間、フィン542相互間で、突出長さが必ずしも等しくなくてもよい。   The magnitude relationship between the projection length L1 of the fin 502, the projection length L2 of the fin 522, and the projection length L3 of the fin 542 is limited to the magnitude relationship according to the heat generation amount of the corresponding electronic component as described above. It may be other magnitude relations (for example, all have the same length). Further, the protruding length L1 of the fin 502 and the protruding length L2 of the fin 522 are not necessarily equal. In addition, the protruding lengths are not necessarily equal between the fins 502, between the fins 522, and between the fins 542.

そして、本実施形態では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aとヒートシンクベース541との間の空間71(図4中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70として形成されている。つまり、第1基板30、第2基板32,34、及びヒートシンクベース541(回生抵抗R)を用いて、風洞70が形成されている。上記ファン60は、この風洞70として形成された空間71に送風している。   In the present embodiment, a space 71 (see FIG. 5) between the component surface 30a of the first substrate 30 and the heat sink base 541 is surrounded by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34 in the housing 2. A space surrounded by a one-dot chain line in FIG. That is, the wind tunnel 70 is formed using the first substrate 30, the second substrates 32 and 34, and the heat sink base 541 (regenerative resistor R). The fan 60 blows air into a space 71 formed as the wind tunnel 70.

(3−5.電子部品、冷却流路の例)
上記パワーモジュールPM1〜PM8は、第2基板32,34の対向面32a,34aに配置され、ヒートシンクベース501,521の各々の左面501a及び右面521aに設置されている。このように第2基板32,34の対向面32a,34aにパワーモジュールPM1〜PM8を配置することで、パワーモジュールPM1〜PM8を第1基板30から離間して配置することが可能である。この際、ヒートシンクベース501,521にヒートパイプを埋め込んでもよい。ヒートシンクベース501,521にヒートパイプを埋め込む場合には、ヒートシンクベース501,521の温度を均一に近づけることが可能である。なお、上記のようにパワーモジュールPM1〜PM8がヒートシンクベース501,521の各々の左面501a及び右面521aに設置されていることは、言い換えれば、ヒートシンク50,52が、第2基板32,34の対向面32a,34aにパワーモジュールPM1〜PM8を間に挟むように配置されているともいえる。
(3-5. Examples of electronic components and cooling flow path)
The power modules PM1 to PM8 are disposed on the opposing surfaces 32a and 34a of the second substrates 32 and 34, and are installed on the left surface 501a and the right surface 521a of the heat sink bases 501 and 521, respectively. Thus, by arranging the power modules PM1 to PM8 on the opposing surfaces 32a and 34a of the second substrates 32 and 34, the power modules PM1 to PM8 can be arranged apart from the first substrate 30. At this time, heat pipes may be embedded in the heat sink bases 501 and 521. When the heat pipes are embedded in the heat sink bases 501 and 521, the temperatures of the heat sink bases 501 and 521 can be made closer to each other. Note that the power modules PM1 to PM8 are installed on the left surface 501a and the right surface 521a of the heat sink bases 501 and 521 as described above, in other words, the heat sinks 50 and 52 are opposed to the second substrates 32 and 34. It can be said that the power modules PM1 to PM8 are disposed between the surfaces 32a and 34a.

具体的には、上記コンデンサC1〜C4の各々に接続されるパワーモジュールPM1〜PM4と、上記コンデンサC1〜C4の各々に接続されるパワーモジュールPM5〜PM8とが、第2基板32,34の対向面32a,34aにおいて幅方向に対向配置されている。   Specifically, the power modules PM1 to PM4 connected to each of the capacitors C1 to C4 and the power modules PM5 to PM8 connected to each of the capacitors C1 to C4 are opposed to the second substrates 32 and 34. The surfaces 32a and 34a are opposed to each other in the width direction.

より具体的には、パワーモジュールPM1〜PM4は、第2基板32の対向面32aの下端部32aaよりも上端部32ab寄りに、第1基板30の板面方向に沿って、つまり奥行き方向に沿って並べて配置され、ヒートシンクベース501の左面501aに設置されている。そして、パワーモジュールPM1〜PM4は、各々の例えばピン状の端子tが第2基板32に取り付けられることで、第2基板32に機械的及び電気的に接続される(図4参照)。また、パワーモジュールPM5〜PM8は、第2基板34の対向面34aの下端部34aaよりも上端部34ab寄りに、第1基板30の板面方向に沿って、つまり奥行き方向に沿って並べて配置され、ヒートシンクベース521の右面521aに設置されている。そして、パワーモジュールPM5〜PM8は、各々の例えばピン状の端子tが第2基板34に取り付けられることで、第2基板34に機械的及び電気的に接続される(図4参照)。なお、下端部32aaは、対向面32aの第1基板30側の端部であり、上端部32abは、対向面32aの下端部32aaとは反対側の端部である。また、下端部34aaは、対向面34aの第1基板30側の端部であり、上端部34abは、対向面34aの下端部34aaとは反対側の端部である。   More specifically, the power modules PM1 to PM4 are closer to the upper end portion 32ab than the lower end portion 32aa of the opposing surface 32a of the second substrate 32, along the plate surface direction of the first substrate 30, that is, along the depth direction. The heat sink base 501 is installed on the left surface 501a. And each power module PM1-PM4 is mechanically and electrically connected to the 2nd board | substrate 32 because each pin-shaped terminal t is attached to the 2nd board | substrate 32 (refer FIG. 4). The power modules PM5 to PM8 are arranged side by side along the plate surface direction of the first substrate 30, that is, along the depth direction, closer to the upper end portion 34ab than the lower end portion 34aa of the facing surface 34a of the second substrate 34. The heat sink base 521 is installed on the right surface 521a. The power modules PM5 to PM8 are mechanically and electrically connected to the second substrate 34 by attaching each of the pin-shaped terminals t to the second substrate 34 (see FIG. 4). The lower end 32aa is an end of the facing surface 32a on the first substrate 30 side, and the upper end 32ab is an end of the facing surface 32a opposite to the lower end 32aa. The lower end 34aa is the end of the facing surface 34a on the first substrate 30 side, and the upper end 34ab is the end of the facing surface 34a opposite to the lower end 34aa.

この際、パワーモジュールPM1〜PM4は、通風方向上流側から下流側に向けて、発熱量が大きい順、つまりパワーモジュールPM1、パワーモジュールPM2、パワーモジュールPM3、パワーモジュールPM4の順に並べて配置されている。また、パワーモジュールPM5〜PM8は、通風方向上流側から下流側に向けて、発熱量が大きい順、つまりパワーモジュールPM5、パワーモジュールPM6、パワーモジュールPM7、パワーモジュールPM8の順に並べて配置されている。つまり、コンデンサC1に接続されるパワーモジュールPM1,PM5同士、コンデンサC2に接続されるパワーモジュールPM2,PM6同士、コンデンサC3に接続されるパワーモジュールPM3,PM7同士、及びコンデンサC4に接続されるパワーモジュールPM4,PM8同士が、幅方向に対向配置されている。   At this time, the power modules PM1 to PM4 are arranged from the upstream side toward the downstream side in the ventilation direction in descending order of heat generation, that is, the power module PM1, the power module PM2, the power module PM3, and the power module PM4. . Further, the power modules PM5 to PM8 are arranged from the upstream side toward the downstream side in the ventilation direction in descending order of heat generation, that is, the power module PM5, power module PM6, power module PM7, and power module PM8. That is, the power modules PM1 and PM5 connected to the capacitor C1, the power modules PM2 and PM6 connected to the capacitor C2, the power modules PM3 and PM7 connected to the capacitor C3, and the power module connected to the capacitor C4. PM4 and PM8 are arranged to face each other in the width direction.

なお、パワーモジュールPM1〜PM8の配置は、上記配置に限定されるものではなく、他の配置であってもよい。例えば、パワーモジュールPM1〜PM4は、通風方向上流側から下流側に向けて、発熱量が大きいものと小さいものが交互になるように、例えばパワーモジュールPM1、パワーモジュールPM3、パワーモジュールPM2、パワーモジュールPM4の順に並べて配置されてもよい。パワーモジュールPM5〜PM8についても同様に、通風方向上流側から下流側に向けて、発熱量が大きいものと小さいものが交互になるように、例えばパワーモジュールPM5、パワーモジュールPM7、パワーモジュールPM6、パワーモジュールPM8の順に並べて配置されてもよい。また、パワーモジュールPM1〜PM8は、対向面32a,34aの下端部32aa,34aaよりも上端部32ab,34ab寄りに配置される場合に限定されるものではなく、対向面32a,34aの高さ方向中央部又は上端部32ab,34abよりも下端部32aa,34aa寄りに配置されてもよい。また、パワーモジュールPM1〜PM8は、必ずしも奥行き方向に沿って並べて配置されなくてもよい。また、パワーモジュールPMは、対向面32a,34aの各々に配置されなくてもよく、対向面32a,34aのいずれか一方のみに配置されてもよい。   In addition, arrangement | positioning of power module PM1-PM8 is not limited to the said arrangement | positioning, Other arrangement | positioning may be sufficient. For example, the power modules PM1 to PM4 are, for example, the power module PM1, the power module PM3, the power module PM2, and the power module so that the one having a large amount of heat generation and the one having a small amount of heat are alternately changed from the upstream side to the downstream side in the ventilation direction. You may arrange | position in order of PM4. Similarly, for the power modules PM5 to PM8, for example, the power module PM5, the power module PM7, the power module PM6, the power so that the one with a large amount of heat generation is alternately changed from the upstream side to the downstream side in the ventilation direction. The modules PM8 may be arranged in order. Further, the power modules PM1 to PM8 are not limited to the case where the power modules PM1 to PM8 are arranged closer to the upper end portions 32ab and 34ab than the lower end portions 32aa and 34aa of the opposing surfaces 32a and 34a, and the height direction of the opposing surfaces 32a and 34a. You may arrange | position near lower end part 32aa, 34aa rather than center part or upper end part 32ab, 34ab. Further, the power modules PM1 to PM8 are not necessarily arranged side by side along the depth direction. Further, the power module PM may not be disposed on each of the facing surfaces 32a and 34a, and may be disposed on only one of the facing surfaces 32a and 34a.

また、上記コンデンサC1〜C4は、第2基板32,34間で、上記パワーモジュールPM1〜PM8よりも第1基板30の近く、具体的には第1基板30の部品面30aに配置されている。なお、上記のようにコンデンサC1〜C4が第2基板32,34間に配置されていることは、言い換えれば、第2基板32,34が、コンデンサC1〜C4を間に挟むように第1基板30の部品面30aに立設されているともいえる。また、上記のようにコンデンサC1〜C4がパワーモジュールPM1〜PM8よりも第1基板30の近くに配置されていることは、言い換えれば、パワーモジュールPM1〜PM8が、コンデンサC1〜C4よりも上記回生抵抗R側、つまり上側に配置されているともいえる。   The capacitors C1 to C4 are arranged between the second substrates 32 and 34, closer to the first substrate 30 than the power modules PM1 to PM8, specifically, on the component surface 30a of the first substrate 30. . Note that the capacitors C1 to C4 are arranged between the second substrates 32 and 34 as described above, in other words, the first substrate so that the second substrates 32 and 34 sandwich the capacitors C1 to C4 therebetween. It can be said that it is erected on 30 component surfaces 30a. In addition, as described above, the capacitors C1 to C4 are arranged closer to the first substrate 30 than the power modules PM1 to PM8. In other words, the power modules PM1 to PM8 are more regenerative than the capacitors C1 to C4. It can be said that it is arranged on the resistance R side, that is, on the upper side.

具体的には、コンデンサC1〜C4は、例えば略円柱形状を備え、ヒートシンクベース501,521間で、且つ最下位置のフィン502,522よりも下側において、第1基板30からヒートシンク54に向けて、つまり上方に向けて突出するように、第1基板30の部品面30aに設置されている。したがって、コンデンサC1〜C4の幅方向両端部は、ヒートシンク50,52の各々のフィン502,522と第1基板30との間に配置され、コンデンサC1〜C4の他の部分は、ヒートシンク54のフィン542と第1基板30との間に配置されている。   Specifically, the capacitors C1 to C4 have, for example, a substantially cylindrical shape, and are directed from the first substrate 30 toward the heat sink 54 between the heat sink bases 501 and 521 and below the fins 502 and 522 at the lowest position. That is, it is installed on the component surface 30a of the first substrate 30 so as to protrude upward. Therefore, both ends in the width direction of the capacitors C1 to C4 are disposed between the fins 502 and 522 of the heat sinks 50 and 52 and the first substrate 30, and the other portions of the capacitors C1 to C4 are fins of the heat sink 54. It is disposed between 542 and the first substrate 30.

より具体的には、コンデンサC1〜C4は、第1基板30の部品面30aに、奥行き方向に沿って並べて配置されている。さらに具体的には、コンデンサC1〜C4は、幅方向に対向配置された、当該コンデンサCに接続される2つのパワーモジュールPMの間に配置されている。つまり、コンデンサC1は、パワーモジュールPM1,PM5の間に配置されている。また、コンデンサC2は、パワーモジュールPM2,PM6の間に配置されている。また、コンデンサC3は、パワーモジュールPM3,PM7の間に配置されている。また、コンデンサC4は、パワーモジュールPM4,PM8の間に配置されている。なお、上記のようにコンデンサC1〜C4が対向配置された2つのパワーモジュールPMの間に配置されていることは、言い換えれば、パワーモジュールPM1〜PM8とコンデンサC1〜C4とが、奥行き方向において対応する位置、つまり少なくとも一部が重複する位置に配置されているともいえる。   More specifically, the capacitors C1 to C4 are arranged side by side along the depth direction on the component surface 30a of the first substrate 30. More specifically, the capacitors C1 to C4 are arranged between two power modules PM connected to the capacitor C and arranged to face each other in the width direction. That is, the capacitor C1 is disposed between the power modules PM1 and PM5. The capacitor C2 is disposed between the power modules PM2 and PM6. The capacitor C3 is disposed between the power modules PM3 and PM7. The capacitor C4 is disposed between the power modules PM4 and PM8. Note that, as described above, the capacitors C1 to C4 are disposed between the two power modules PM facing each other. In other words, the power modules PM1 to PM8 and the capacitors C1 to C4 correspond in the depth direction. It can be said that it is arranged at a position where at least a part overlaps.

なお、コンデンサC1〜C4の配置は、上記配置に限定されるものではなく、他の配置であってもよい。例えば、コンデンサC1〜C4は、幅方向に対向配置された、当該コンデンサCに接続される2つのパワーモジュールPMの間に配置される場合に限定されるものではなく、当該コンデンサCに接続されない2つのパワーモジュールPMの間に配置されたり、幅方向に対向配置された2つのパワーモジュールPMの間に配置されなくてもよい。また、コンデンサC1〜C4は、必ずしも奥行き方向に沿って並べて配置されなくてもよい。また、コンデンサC1〜C4は、必ずしも第1基板30からヒートシンク54に向けて突出するように第1基板30の部品面30aに設置されなくてもよい。また、コンデンサC1〜C4は、必ずしも第1基板30の部品面30aに設置されなくてもよい。また、コンデンサC1〜C4は、パワーモジュールPM1〜PM8よりも第1基板30の近くに配置される場合に限定されるものではなく、第1基板30までの距離がパワーモジュールPM1〜PM8と等しくなる位置、又は、パワーモジュールPM1〜PM8よりも第1基板30の遠くに配置されてもよい。また、コンデンサC1〜C4は、必ずしも第2基板32,34間に配置されなくてもよい。   The arrangement of the capacitors C1 to C4 is not limited to the above arrangement, and other arrangements may be used. For example, the capacitors C <b> 1 to C <b> 4 are not limited to the case where the capacitors C <b> 1 to C <b> 4 are disposed between the two power modules PM connected to the capacitor C that are opposed to each other in the width direction. The power module PM may not be disposed between the two power modules PM, or may be disposed between the two power modules PM disposed to face each other in the width direction. Further, the capacitors C1 to C4 are not necessarily arranged side by side along the depth direction. Further, the capacitors C1 to C4 do not necessarily have to be installed on the component surface 30a of the first substrate 30 so as to protrude from the first substrate 30 toward the heat sink 54. Further, the capacitors C <b> 1 to C <b> 4 are not necessarily installed on the component surface 30 a of the first substrate 30. The capacitors C1 to C4 are not limited to the case where the capacitors C1 to C4 are disposed closer to the first substrate 30 than the power modules PM1 to PM8, and the distance to the first substrate 30 is equal to that of the power modules PM1 to PM8. The position or the power module PM1 to PM8 may be disposed farther from the first substrate 30. Further, the capacitors C1 to C4 are not necessarily arranged between the second substrates 32 and 34.

また、上記回生抵抗Rは、その主たる放熱面Raが第1基板30の部品面30aと対向するように、つまり下面となるように、第1基板30と高さ方向に離間した位置、具体的には第2基板32,34の各々の上端部32b,34b側に配置され、放熱面Raがヒートシンクベース541の上面541aに接触しつつ設置されている。なお、放熱面Raは、回生抵抗Rの発熱が主に放熱される面であり、ヒートシンクベース541に接触させるべき面である。また、上面541aは、ヒートシンクベース541の第1基板30とは反対側の面である。また、上記のように回生抵抗Rがヒートシンクベース541の上面541aに配置されていることは、言い換えれば、ヒートシンク54が、第1基板30と回生抵抗Rとの間に配置されているともいえる。   In addition, the regenerative resistor R is positioned away from the first substrate 30 in the height direction so that the main heat dissipation surface Ra faces the component surface 30a of the first substrate 30, that is, the lower surface, specifically Are disposed on the upper end portions 32b and 34b side of the second substrates 32 and 34, respectively, and the heat radiating surface Ra is placed in contact with the upper surface 541a of the heat sink base 541. The heat radiation surface Ra is a surface from which the heat generated by the regenerative resistor R is mainly radiated and is a surface that should be brought into contact with the heat sink base 541. Further, the upper surface 541a is a surface of the heat sink base 541 opposite to the first substrate 30. Further, as described above, the regenerative resistor R is disposed on the upper surface 541a of the heat sink base 541. In other words, it can be said that the heat sink 54 is disposed between the first substrate 30 and the regenerative resistor R.

なお、回生抵抗Rの配置は、上記配置に限定されるものではなく、他の配置であってもよい。例えば、回生抵抗Rは、必ずしも第2基板32,34の各々の上端部32b,34b側に配置されなくてもよい。   In addition, arrangement | positioning of the regenerative resistance R is not limited to the said arrangement | positioning, Other arrangement | positioning may be sufficient. For example, the regenerative resistor R is not necessarily arranged on the upper end portions 32b and 34b side of the second substrates 32 and 34, respectively.

そして、本実施形態では、筐体2内のフィン502,522,542が配置された空間76(図4中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501,521,541とコンデンサC1〜C4の上端部が、上記冷却流路75を形成している。つまり、ヒートシンクベース501,521,541の各々及びコンデンサC1〜C4の各々の上端部は、冷却流路75の一部を形成している。なお、ヒートシンク50のフィン502間、ヒートシンク52のフィン522間、及びヒートシンク54のフィン542間の1つ1つの空間を、冷却流路といってもよい。   In this embodiment, the heat sink bases 501, 521, and 541 and the capacitor that surround the space 76 (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 4) in which the fins 502, 522, and 542 are disposed in the housing 2. The upper end portions of C1 to C4 form the cooling flow path 75. That is, the upper ends of each of the heat sink bases 501, 521, 541 and the capacitors C 1 to C 4 form part of the cooling flow path 75. Each space between the fins 502 of the heat sink 50, between the fins 522 of the heat sink 52, and between the fins 542 of the heat sink 54 may be referred to as a cooling flow path.

なお、本実施形態では、回生抵抗Rが、第1電子部品、及び、通電時に発熱する電子部品の一例に相当し、コンデンサC1〜C4が、第2電子部品の一例に相当し、パワーモジュールPM1〜PM8が、第3電子部品の一例に相当する。また、第1基板30が、基板の一例に相当する。また、第1基板30及び回生抵抗Rが、基板と電子部品を用いて風洞を形成する手段の一例を構成する。   In the present embodiment, the regenerative resistor R corresponds to an example of the first electronic component and an electronic component that generates heat when energized, and the capacitors C1 to C4 correspond to an example of the second electronic component, and the power module PM1. To PM8 correspond to an example of a third electronic component. The first substrate 30 corresponds to an example of a substrate. Moreover, the 1st board | substrate 30 and the regenerative resistance R comprise an example of a means which forms a wind tunnel using a board | substrate and an electronic component.

また、本実施形態では、ヒートシンク50,52が、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501,521は、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン502,522は、第2フィンの一例に相当する。また、ヒートシンク54が、第1ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第1ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542は、第1フィンの一例に相当する。   In the present embodiment, the heat sinks 50 and 52 correspond to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink bases 501 and 521 correspond to an example of a second heat sink base, and the fins 502 and 522 correspond to an example of a second fin. The heat sink 54 corresponds to an example of a first heat sink. Therefore, the heat sink base 541 corresponds to an example of a first heat sink base, and the fin 542 corresponds to an example of a first fin.

<4.本実施形態による効果の例>
以上説明したように、本実施形態の電力変換装置1では、通電時に発熱する第1電子部品(上記の例では回生抵抗R)を、第1基板30と離間した位置で、主たる放熱面Raが第1基板30の部品面30aと対向するように配置する。第1基板30と回生抵抗Rとを離間して配置するので、第1基板30の実装部品等への熱の影響を低減しつつ、第1基板30の部品面30aと回生抵抗Rの放熱面Raとの間の空間71を風洞70等として利用することで、回生抵抗Rを効率的に冷却することが可能となる。また、第1基板30の部品面30aに発熱する部品が配置される場合には、その部品についても同時に冷却することができる。したがって、冷却効率を向上でき、冷却性能の向上による電力変換装置1の小型化も可能となる。
<4. Examples of effects according to this embodiment>
As described above, in the power conversion device 1 according to the present embodiment, the first heat dissipating surface Ra of the first electronic component (the regenerative resistor R in the above example) that generates heat when energized is separated from the first substrate 30. It arrange | positions so that the component surface 30a of the 1st board | substrate 30 may be opposed. Since the first substrate 30 and the regenerative resistor R are spaced apart from each other, the heat radiation surface of the component surface 30a of the first substrate 30 and the regenerative resistor R is reduced while reducing the influence of heat on the mounted components and the like of the first substrate 30. By using the space 71 between Ra as the wind tunnel 70 or the like, the regenerative resistance R can be efficiently cooled. In addition, when a component that generates heat is arranged on the component surface 30a of the first substrate 30, the component can be cooled at the same time. Therefore, the cooling efficiency can be improved, and the power converter 1 can be downsized by improving the cooling performance.

また、本実施形態では特に、回生抵抗Rを冷却するヒートシンク54を、第1基板30と回生抵抗Rとの間に配置する。そして、ヒートシンク54のヒートシンクベース541を、第1基板30に沿って配置し、複数のフィン542を、ヒートシンクベース541から第1基板30に向けて突出させる。これにより、第1基板30とヒートシンクベース541とで挟まれた空間71に送風することで、回生抵抗Rを効率的に冷却することができる。   In the present embodiment, in particular, the heat sink 54 that cools the regenerative resistor R is disposed between the first substrate 30 and the regenerative resistor R. Then, the heat sink base 541 of the heat sink 54 is disposed along the first substrate 30, and the plurality of fins 542 are projected from the heat sink base 541 toward the first substrate 30. Thereby, the regenerative resistor R can be efficiently cooled by sending air to the space 71 sandwiched between the first substrate 30 and the heat sink base 541.

また、本実施形態では特に、ファン60が、第1基板30の部品面30aとヒートシンクベース541との間の空間71に送風する。これにより、第1基板30の部品面30aとヒートシンクベース541とで挟まれた空間71を風洞70として、回生抵抗RとコンデンサC1〜C4とを同時且つ効率的に冷却することができる。また、第1基板30とヒートシンクベース541等を用いて風洞70を形成するので、風洞70を構成する部材(導風板や仕切板等)が不要となる。したがって、電力変換装置1を小型化でき、コストを低減できる。   In the present embodiment, in particular, the fan 60 blows air to the space 71 between the component surface 30 a of the first substrate 30 and the heat sink base 541. Thereby, the space 71 sandwiched between the component surface 30a of the first substrate 30 and the heat sink base 541 can be used as the wind tunnel 70 to cool the regenerative resistor R and the capacitors C1 to C4 simultaneously and efficiently. In addition, since the wind tunnel 70 is formed using the first substrate 30 and the heat sink base 541 and the like, members (such as a wind guide plate and a partition plate) constituting the wind tunnel 70 become unnecessary. Therefore, the power converter device 1 can be reduced in size and the cost can be reduced.

また、本実施形態では特に、電力変換回路10を構成する第2電子部品(上記の例ではコンデンサC1〜C4)を、第1基板30からヒートシンク54に向けて突出するように配置する。これにより、第1基板30とヒートシンクベース541とで挟まれた空間71に送風することで、回生抵抗RとコンデンサC1〜C4とを同時且つ効率的に冷却することができる。また、風洞70内では、ヒートシンク(のフィン)が設置されていない領域は設置された領域よりも抵抗が少ないことから、その領域に風が流れやすい。この風が増大すると、冷却効率の低下を招くこととなる。本実施形態では、ヒートシンク54が設置されていない領域にコンデンサC1〜C4を設置する。これにより、コンデンサC1〜C4を冷却できると共に、その領域の抵抗を増大させてヒートシンク54のフィン542が設置された領域の風を増大することが可能となり、ファン60の通風を有効に活用できる。   In the present embodiment, in particular, the second electronic components (capacitors C <b> 1 to C <b> 4 in the above example) constituting the power conversion circuit 10 are arranged so as to protrude from the first substrate 30 toward the heat sink 54. Thereby, the regenerative resistor R and the capacitors C <b> 1 to C <b> 4 can be simultaneously and efficiently cooled by blowing air to the space 71 sandwiched between the first substrate 30 and the heat sink base 541. Further, in the wind tunnel 70, the region where the heat sink (fins thereof) is not installed has less resistance than the region where the heat sink is installed, so that the wind easily flows through the region. If this wind increases, the cooling efficiency will decrease. In the present embodiment, the capacitors C1 to C4 are installed in an area where the heat sink 54 is not installed. Accordingly, the capacitors C1 to C4 can be cooled, and the resistance in the region can be increased to increase the wind in the region where the fins 542 of the heat sink 54 are installed, so that the ventilation of the fan 60 can be effectively utilized.

また、本実施形態では特に、ヒートシンク54のフィン542を、ヒートシンクベース541からコンデンサC1〜C4の上端部近傍まで突出させる。これにより、風洞70内の隙間を極力少なくすることが可能となり、ファン60の送風をさらに有効に活用できる。   In the present embodiment, in particular, the fins 542 of the heat sink 54 are projected from the heat sink base 541 to the vicinity of the upper ends of the capacitors C1 to C4. As a result, the gap in the wind tunnel 70 can be reduced as much as possible, and the air blown by the fan 60 can be used more effectively.

また、本実施形態では特に、コンデンサC1〜C4を、第1基板30にファン60の送風方向に沿って並べて配置する。これにより、ファン60の台数を増やすことなく、コンデンサC1〜C4を同時且つ効率的に冷却することができる。また、電力変換装置1を幅方向に大型化することなくコンデンサCの個数を増やすことができる。   In the present embodiment, in particular, the capacitors C <b> 1 to C <b> 4 are arranged on the first substrate 30 along the air blowing direction of the fan 60. Thus, the capacitors C1 to C4 can be simultaneously and efficiently cooled without increasing the number of fans 60. In addition, the number of capacitors C can be increased without increasing the size of the power converter 1 in the width direction.

また、本実施形態では特に、回生抵抗Rは、コンデンサC1〜C4よりも発熱量が大きい。発熱量が少ないコンデンサC1〜C4については第1基板30に配置し、発熱量が大きい回生抵抗Rについては第1基板30より離間して配置することにより、複数の電子部品の配置構成を発熱量等に応じて最適化し、第1基板30への熱の影響を低減しつつ複数の電子部品を効率的に冷却することができる。   In the present embodiment, in particular, the regenerative resistor R generates a larger amount of heat than the capacitors C1 to C4. Capacitors C1 to C4 having a small amount of heat generation are arranged on the first substrate 30, and the regenerative resistor R having a large amount of heat generation is arranged away from the first substrate 30, whereby the arrangement configuration of a plurality of electronic components is generated. The plurality of electronic components can be efficiently cooled while reducing the influence of heat on the first substrate 30.

また、本実施形態では特に、電力変換回路10を構成して通電時に発熱する第3電子部品(上記の例ではパワーモジュールPM1〜PM8)を、第1基板30にコンデンサC1〜C4を間に挟むように立設された2つの第2基板32,34の対向面32a,34aに、コンデンサC1〜C4よりも回生抵抗R側に配置する。これにより、第1基板30とヒートシンクベース541と第2基板32,34とで囲まれた空間71を風洞70として、回生抵抗R、コンデンサC1〜C4、及びパワーモジュールPM1〜PM8を同時且つ効率的に冷却することが可能となり、冷却効率をさらに向上できる。また、複数の電子部品を集中配置して冷却できるので、電子部品が分散して配置される場合に比べてファン60の台数を削減できる。さらに、第2基板32,34等を用いて風洞70を形成するので、風洞70を構成する部材(導風板や仕切板等)が不要となり、電力変換装置1を小型化でき、コストを低減できる。   In the present embodiment, in particular, the third electronic component (in the above example, the power modules PM1 to PM8) that constitutes the power conversion circuit 10 and generates heat when energized sandwiches the capacitors C1 to C4 between the first substrate 30. In this manner, the two second substrates 32, 34 that are erected in this manner are arranged on the opposing surfaces 32 a, 34 a on the regenerative resistance R side with respect to the capacitors C <b> 1 to C <b> 4. Thus, the space 71 surrounded by the first substrate 30, the heat sink base 541, and the second substrates 32, 34 is used as the wind tunnel 70, and the regenerative resistor R, the capacitors C1 to C4, and the power modules PM1 to PM8 are simultaneously and efficiently performed. The cooling efficiency can be further improved. In addition, since a plurality of electronic components can be centrally arranged and cooled, the number of fans 60 can be reduced as compared with a case where electronic components are distributed and arranged. Furthermore, since the wind tunnel 70 is formed using the second substrates 32, 34, etc., members (wind guide plates, partition plates, etc.) constituting the wind tunnel 70 become unnecessary, the power conversion device 1 can be reduced in size, and the cost can be reduced. it can.

また、本実施形態では特に、パワーモジュールPM1〜PM8を冷却する2つのヒートシンク50、52を、第2基板32,34に沿って対向配置された2つのヒートシンクベース501、521からフィン502、522がフィン542を間に挟み互いに近づく方向に突出するように、第2基板32,34の対向面32a,34aの各々にパワーモジュールPM1〜PM8を間に挟むように配置する。これにより、ヒートシンクベース541とヒートシンクベース501、521とで形成された冷却流路75に送風することで、回生抵抗RとパワーモジュールPM1〜PM8とを同時且つ効率的に冷却することができるので、冷却効率を向上できる。また、フィン542をフィン502、522の間に配置するので、冷却流路75内の隙間を極力少なくすることが可能となり、ファン60の送風をさらに有効に活用できる。   Further, in this embodiment, in particular, the two heat sinks 50 and 52 for cooling the power modules PM1 to PM8 are changed from the two heat sink bases 501 and 521 arranged along the second substrates 32 and 34 to the fins 502 and 522, respectively. The power modules PM1 to PM8 are disposed so as to be sandwiched between the opposing surfaces 32a and 34a of the second substrates 32 and 34 so that the fins 542 are sandwiched therebetween and project toward each other. As a result, the regenerative resistor R and the power modules PM1 to PM8 can be simultaneously and efficiently cooled by sending air to the cooling flow path 75 formed by the heat sink base 541 and the heat sink bases 501 and 521. Cooling efficiency can be improved. Further, since the fin 542 is disposed between the fins 502 and 522, the gap in the cooling flow path 75 can be reduced as much as possible, and the air blown by the fan 60 can be more effectively utilized.

また、本実施形態では特に、ヒートシンク54におけるフィン542の突出長さL3、及び、ヒートシンク50,52におけるフィン502,522の突出長さL1,L2を、対応する電子部品の発熱量が大きい方を長くする。このように、対応する電子部品の発熱量に応じてヒートシンク50,52,54のフィン502,522,542の長さを最適化することで、各電子部品を効率的に冷却することができる。   In the present embodiment, in particular, the protrusion length L3 of the fins 542 in the heat sink 54 and the protrusion lengths L1 and L2 of the fins 502 and 522 in the heat sinks 50 and 52 are set so that the heat generation amount of the corresponding electronic component is larger. Lengthen. As described above, by optimizing the length of the fins 502, 522, and 542 of the heat sinks 50, 52, and 54 in accordance with the heat generation amount of the corresponding electronic component, each electronic component can be efficiently cooled.

また、本実施形態では特に、ヒートシンクベース501,521,541と、コンデンサC1〜C4とが、パワーモジュールPM1〜PM8、コンデンサC1〜C4、回生抵抗Rを冷却するための冷却流路75を形成する。これにより、冷却流路75を構成する部材(導風板や仕切板等)が不要となり、電力変換装置1を小型化でき、コストを低減できる。   In the present embodiment, in particular, the heat sink bases 501, 521, 541 and the capacitors C 1 to C 4 form a cooling channel 75 for cooling the power modules PM 1 to PM 8, the capacitors C 1 to C 4, and the regenerative resistor R. . This eliminates the need for a member (such as a wind guide plate or a partition plate) that constitutes the cooling flow path 75, reduces the size of the power converter 1, and reduces the cost.

また、本実施形態において、ヒートシンク54を第1基板30とヒートシンクベース541との配置間隔R2がファン60の径と等しくなるように配置する場合には、ファン60により第1基板30とヒートシンクベース541とで挟まれた空間71に集中的に送風させることができるので、冷却効率をさらに向上できる。   In this embodiment, when the heat sink 54 is arranged so that the arrangement interval R2 between the first substrate 30 and the heat sink base 541 is equal to the diameter of the fan 60, the fan 60 causes the first substrate 30 and the heat sink base 541 to be arranged. Therefore, the cooling efficiency can be further improved.

また、本実施形態では特に、第2電子部品が、電力変換回路10を構成するコンデンサCであり、第3電子部品が、電力変換回路10を構成するスイッチング素子SWを備えたパワーモジュールPMである。発熱がほとんどないコンデンサCについては第1基板30側に配置し、発熱量が大きいパワーモジュールPMについては第2基板32,34を用いてコンデンサCの両側に第1基板30より離間して配置することにより、複数の電子部品の配置構成を発熱量等に応じて最適化し、第1基板30への熱の影響を低減しつつ複数の電子部品を効率的に冷却することができる。また、コンデンサCの使用温度を低く保ち、寿命を長くすることができる。   In the present embodiment, in particular, the second electronic component is the capacitor C that constitutes the power conversion circuit 10, and the third electronic component is the power module PM that includes the switching element SW that constitutes the power conversion circuit 10. . The capacitor C that generates little heat is disposed on the first substrate 30 side, and the power module PM that generates a large amount of heat is disposed on both sides of the capacitor C at a distance from the first substrate 30 using the second substrates 32 and 34. Thus, the arrangement configuration of the plurality of electronic components can be optimized according to the amount of heat generated, and the plurality of electronic components can be efficiently cooled while reducing the influence of heat on the first substrate 30. Further, the operating temperature of the capacitor C can be kept low and the life can be extended.

また、本実施形態では特に、第1電子部品が、回生抵抗Rである。本実施形態のように電力変換装置1がモータ制御装置の場合、回生抵抗Rの発熱量が大きくなる。そこで回生抵抗Rについては、第1基板30と離間させて対向配置することにより、電子部品の配置構成を発熱量等に応じて最適化し、第1基板30への熱の影響を低減しつつ効率的に冷却することができる。   In the present embodiment, in particular, the first electronic component is the regenerative resistor R. When the power conversion device 1 is a motor control device as in this embodiment, the amount of heat generated by the regenerative resistor R increases. Therefore, the regenerative resistor R is arranged so as to be opposed to the first substrate 30 so as to optimize the arrangement configuration of the electronic components in accordance with the amount of heat generated and the like, while reducing the influence of heat on the first substrate 30. Can be cooled.

<5.変形例等>
なお、実施形態は、上記内容に限定されるものではなく、その趣旨及び技術的思想を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。以下、そのような変形例について順次説明する。なお、以下の変形例等では、主として上記実施形態と異なる部分について説明する。また、上記実施形態と実質的に同一の機能を有する構成要素は、原則として同一の符号で表し、これらの構成要素についての重複説明は、適宜省略する。
<5. Modified example>
In addition, embodiment is not limited to the said content, A various deformation | transformation is possible within the range which does not deviate from the meaning and technical idea. Hereinafter, such modifications will be sequentially described. In the following modifications and the like, portions different from the above embodiment will be mainly described. In addition, components having substantially the same functions as those of the above-described embodiment are represented by the same reference numerals in principle, and repeated description of these components will be omitted as appropriate.

(5−1.第1変形例)
以下、図5を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-1. First Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 5, a difference from the above-described embodiment in the structure of the power conversion device of the present modification will be described.

図5に示すように、本変形例の電力変換装置1Aでは、ヒートシンク54Aの複数のフィン542Aは、ヒートシンク50A,52Aのヒートシンクベース501,521間でヒートシンクベース541から下方に向けて、ヒートシンクベース501,521の上端部よりも少し下側まで突出している。   As shown in FIG. 5, in the power conversion device 1A of the present modification, the plurality of fins 542A of the heat sink 54A are directed downward from the heat sink base 541 between the heat sink bases 501 and 521 of the heat sinks 50A and 52A. , 521 protrudes slightly below the upper end portion.

また、ヒートシンク50Aの複数のフィン502Aは、ヒートシンク54Aのフィン542Aの下側からヒートシンクベース501の高さ方向中央部よりも少し下側の範囲で、ヒートシンクベース501から右方に向けて突出している。また、ヒートシンク52Aの複数のフィン522Aは、ヒートシンク54Aのフィン542Aの下側からヒートシンクベース521の高さ方向中央部よりも少し下側の範囲で、ヒートシンクベース521から左方に向けて突出している。つまり、フィン502A,522Aは、ヒートシンクベース501,521から互いに近づく方向に突出している。具体的には、フィン502A,522Aは、相互間に空隙がほとんどないように、突出している。   Further, the plurality of fins 502A of the heat sink 50A protrude from the heat sink base 501 to the right in a range slightly below the center of the heat sink base 501 in the height direction from the lower side of the fins 542A of the heat sink 54A. . The plurality of fins 522A of the heat sink 52A protrude from the heat sink base 521 toward the left in a range slightly below the center in the height direction of the heat sink base 521 from the lower side of the fins 542A of the heat sink 54A. . That is, the fins 502A and 522A protrude from the heat sink bases 501 and 521 in a direction approaching each other. Specifically, the fins 502A and 522A protrude so that there is almost no gap between them.

そして、本変形例では、筐体2内のフィン502A,522A,542Aが配置された空間76A(図5中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501,521,541とコンデンサC1〜C4の上端部とが、上記冷却流路75を形成している。   In this modification, the heat sink bases 501, 521, 541 and the capacitor surrounding the space 76A (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 5) in which the fins 502A, 522A, 542A are disposed in the housing 2 are disposed. The cooling channel 75 is formed by the upper ends of C1 to C4.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

また、本変形例では、ヒートシンク50A,52Aが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501,521は、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン502A,522Aは、第2フィンの一例に相当する。また、ヒートシンク54Aが、第1ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第1ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Aは、第1フィンの一例に相当する。   In the present modification, the heat sinks 50A and 52A correspond to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink bases 501 and 521 correspond to an example of a second heat sink base, and the fins 502A and 522A correspond to an example of a second fin. The heat sink 54A corresponds to an example of a first heat sink. Accordingly, the heat sink base 541 corresponds to an example of a first heat sink base, and the fin 542A corresponds to an example of a first fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−2.第2変形例)
以下、図6を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-2. Second Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 6, differences and the like from the above embodiment in the structure of the power conversion device of the present modification will be described.

図6に示すように、本変形例の電力変換装置1Bでは、ヒートシンク54Bの複数のフィン542Bは、ヒートシンク50B,52Bのヒートシンクベース501,521間でヒートシンクベース541から下方に向けて、ヒートシンクベース501,521の上端部よりも少し下側まで突出している。   As shown in FIG. 6, in the power conversion device 1B of the present modification, the plurality of fins 542B of the heat sink 54B are directed downward from the heat sink base 541 between the heat sink bases 501 and 521 of the heat sinks 50B and 52B. , 521 protrudes slightly below the upper end portion.

また、ヒートシンク50Bの複数のフィン502Bは、ヒートシンク54Bのフィン542Bの下側からヒートシンクベース501の下端部の範囲で、ヒートシンクベース501から右方に向けて突出している。また、ヒートシンク52Bの複数のフィン522Bは、ヒートシンク54Bのフィン542Bの下側からヒートシンクベース521の下端部の範囲で、ヒートシンクベース521から左方に向けて突出している。つまり、フィン502B,522Bは、ヒートシンクベース501,521から互いに近づく方向に突出している。具体的には、フィン502B,522Bは、相互間に空隙がほとんどないように、突出している。   In addition, the plurality of fins 502B of the heat sink 50B protrude rightward from the heat sink base 501 in the range from the lower side of the fins 542B of the heat sink 54B to the lower end portion of the heat sink base 501. Further, the plurality of fins 522B of the heat sink 52B protrude from the heat sink base 521 toward the left in the range from the lower side of the fins 542B of the heat sink 54B to the lower end portion of the heat sink base 521. That is, the fins 502B and 522B protrude from the heat sink bases 501 and 521 in a direction approaching each other. Specifically, the fins 502B and 522B protrude so that there is almost no gap between them.

また、本変形例では、上記コンデンサC1〜C4に代えて、第2基板32の対向面32aの下端部32aa側に、上記パワーモジュールPM1〜PM4の各々と接続される4つのコンデンサ(図6中ではパワーモジュールPM1と接続されるコンデンサC1aのみ図示)が配置されている。具体的には、4つのコンデンサC1a等は、例えば略円柱形状を備え、第2基板32から右方に向けて突出するように、第2基板32の対向面32aに設置され、奥行き方向に沿って並べて配置されている。また、第2基板34の対向面34aの下端部34aa側に、上記パワーモジュールPM5〜PM8の各々と接続される4つのコンデンサ(図6中ではパワーモジュールPM5と接続されるコンデンサC1bのみ図示)が配置されている。具体的には、4つのコンデンサC1b等は、例えば略円柱形状を備え、第2基板34から左方に向けて突出するように、第2基板34の対向面34aに設置され、奥行き方向に沿って並べて配置されている。   Further, in this modification, instead of the capacitors C1 to C4, four capacitors connected to each of the power modules PM1 to PM4 on the lower end portion 32aa side of the facing surface 32a of the second substrate 32 (in FIG. 6). Then, only the capacitor C1a connected to the power module PM1 is shown). Specifically, the four capacitors C1a and the like have, for example, a substantially cylindrical shape, are installed on the facing surface 32a of the second substrate 32 so as to protrude rightward from the second substrate 32, and extend along the depth direction. Are arranged side by side. Also, four capacitors (only the capacitor C1b connected to the power module PM5 is shown in FIG. 6) connected to each of the power modules PM5 to PM8 on the lower end 34aa side of the facing surface 34a of the second substrate 34. Has been placed. Specifically, the four capacitors C1b and the like have, for example, a substantially cylindrical shape, are installed on the facing surface 34a of the second substrate 34 so as to protrude leftward from the second substrate 34, and extend along the depth direction. Are arranged side by side.

また、幅方向に対向配置されたコンデンサC1a等とコンデンサC1b等との間で、且つ上記ヒートシンク50B,52Bの最下位置のフィン502B,522Bの下側には、スペーサSP3が配置され、第1基板30の部品面30aに設置されている。   In addition, a spacer SP3 is disposed between the capacitors C1a and the like disposed opposite to each other in the width direction, and below the fins 502B and 522B at the lowest positions of the heat sinks 50B and 52B. It is installed on the component surface 30 a of the substrate 30.

そして、本変形例では、筐体2内のフィン502B,522B,542Bが配置された空間76B(図6中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501,521,541とスペーサSP3の上端部とが、上記パワーモジュールPM1〜PM8及び回生抵抗Rを冷却するための冷却流路75Bを形成している。   In this modification, the heat sink bases 501, 521, 541 and the spacer surrounding the space 76B (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 6) in which the fins 502B, 522B, 542B are arranged in the housing 2 are disposed. The upper end portion of SP3 forms a cooling flow path 75B for cooling the power modules PM1 to PM8 and the regenerative resistor R.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、コンデンサC1a等及びコンデンサC1b等が、第2電子部品の一例に相当する。   In this modification, the capacitor C1a and the like and the capacitor C1b and the like correspond to an example of the second electronic component.

また、本変形例では、ヒートシンク50B,52Bが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501,521は、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン502B,522Bは、第2フィンの一例に相当する。また、ヒートシンク54Bが、第1ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第1ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Bは、第1フィンの一例に相当する。   In the present modification, the heat sinks 50B and 52B correspond to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink bases 501 and 521 correspond to an example of a second heat sink base, and the fins 502B and 522B correspond to an example of a second fin. The heat sink 54B corresponds to an example of a first heat sink. Therefore, the heat sink base 541 corresponds to an example of a first heat sink base, and the fin 542B corresponds to an example of a first fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−3.第3変形例)
以下、図7を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-3. Third Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 7, differences and the like in the structure of the power conversion device of this modification will be described.

図7に示すように、本変形例の電力変換装置1Cでは、ヒートシンク54Cの複数のフィン542Cは、後述のヒートシンク56のヒートシンクベース501,521間でヒートシンクベース541から下方に向けて、ヒートシンクベース501,521の上端部よりも少し下側まで突出している。   As shown in FIG. 7, in the power conversion device 1 </ b> C of this modification, the plurality of fins 542 </ b> C of the heat sink 54 </ b> C are directed downward from the heat sink base 541 between heat sink bases 501 and 521 of the heat sink 56 described later. , 521 protrudes slightly below the upper end portion.

また、本変形例では、2つのヒートシンク50,52に代えて1つのヒートシンク56が設けられている。ヒートシンク56は、第2基板32,34の対向面32a,34aの各々に配置された上記ヒートシンクベース501,522と、複数のフィン562とを有する。   In this modification, one heat sink 56 is provided in place of the two heat sinks 50 and 52. The heat sink 56 includes the heat sink bases 501 and 522 disposed on the opposing surfaces 32 a and 34 a of the second substrates 32 and 34, and a plurality of fins 562.

複数のフィン562は、ヒートシンク54Cのフィン542Cの先端部の下側からヒートシンクベース501,521の高さ方向中央部よりも少し下側の範囲で、ヒートシンクベース501,521間を渡すように幅方向に沿って突出している。   The plurality of fins 562 are arranged in a width direction so as to pass between the heat sink bases 501 and 521 in a range slightly below the center in the height direction of the heat sink bases 501 and 521 from the lower side of the tip of the fins 542C of the heat sink 54C. Projecting along.

そして、本変形例では、筐体2内のフィン542C,562が配置された空間76C(図7中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501,521,541とコンデンサC1〜C4の上端部とが、上記冷却流路75を形成している。   In this modification, the heat sink bases 501, 521, 541 and the capacitors C1 to C1 surrounding the space 76C (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 7) in which the fins 542C, 562 in the housing 2 are arranged. The cooling channel 75 is formed by the upper end of C4.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

また、本変形例では、ヒートシンク56が、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501,521は、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン562は、第2フィンの一例に相当する。また、ヒートシンク54Cが、第1ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第1ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Cは、第1フィンの一例に相当する。   In the present modification, the heat sink 56 corresponds to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink bases 501 and 521 correspond to an example of a second heat sink base, and the fins 562 correspond to an example of a second fin. The heat sink 54C corresponds to an example of a first heat sink. Therefore, the heat sink base 541 corresponds to an example of a first heat sink base, and the fin 542C corresponds to an example of a first fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−4.第4変形例)
以下、図8を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-4. Fourth Modification)
Hereinafter, with respect to the structure of the power conversion device of the present modification, differences from the above embodiment will be described with reference to FIG.

図8に示すように、本変形例の電力変換装置1Dでは、3つのヒートシンク50,52,54に加えて新たにヒートシンク58が設けられている。また、上記コンデンサC1〜C4に代えて電力変換回路10を構成して通電時に発熱する4つのリアクトル(図8中では1つのリアクトルLE1のみ図示)が設けられている。   As shown in FIG. 8, in the power conversion device 1 </ b> D of this modification, a heat sink 58 is newly provided in addition to the three heat sinks 50, 52, and 54. Further, instead of the capacitors C1 to C4, the power conversion circuit 10 is configured to provide four reactors (only one reactor LE1 is shown in FIG. 8) that generates heat when energized.

ヒートシンク58は、上記4つのリアクトルLE1等を冷却するヒートシンクである。ヒートシンク58は、上記ヒートシンクベース501,521の下端部に配置され、上記リアクトルLE1等が設置されるヒートシンクベース581と、複数のフィン582とを有する。   The heat sink 58 is a heat sink that cools the four reactors LE1 and the like. The heat sink 58 is disposed at the lower end of the heat sink bases 501 and 521, and includes a heat sink base 581 on which the reactor LE1 and the like are installed, and a plurality of fins 582.

ヒートシンクベース581は、略長方形状を備え、その長手方向の寸法が例えば上記ヒートシンクベース501,521の奥行き方向の寸法とほぼ等しく、その短手方向の寸法が例えば第2基板32,34の配置間隔とほぼ等しい。そして、ヒートシンクベース581は、その長手方向が奥行き方向、その短手方向が幅方向に沿うように、ヒートシンクベース501,521の下端部に第1基板30と平行に配置され、例えば第2基板32,34の対向面32a,34aに固定されている。   The heat sink base 581 has a substantially rectangular shape, and its longitudinal dimension is substantially equal to the depth dimension of the heat sink bases 501 and 521, for example, and its short dimension is, for example, the interval between the second substrates 32 and 34. Is almost equal to The heat sink base 581 is arranged in parallel to the first substrate 30 at the lower ends of the heat sink bases 501 and 521 so that the longitudinal direction thereof is along the depth direction and the short side direction is along the width direction. , 34 are fixed to the opposing surfaces 32a, 34a.

複数のフィン582は、ヒートシンクベース501,521間でヒートシンクベース581から上方に向けて、上記フィン542の先端部近傍まで突出している。   The plurality of fins 582 protrude upward from the heat sink base 581 between the heat sink bases 501 and 521 to the vicinity of the tip end portion of the fin 542.

上記リアクトルLE1等は、第2基板32,34間で、上記パワーモジュールPM1〜PM8よりも第1基板30の近く、具体的には上記ヒートシンクベース581の下面に配置されている。具体的には、リアクトルLE1等は、ヒートシンクベース581から下方に向けて突出するように、ヒートシンクベース581の下面に設置され、奥行き方向に沿って並べて配置されている。なお、リアクトルLE1等の下端部は、第1基板30の部品面30aと離間している。   The reactor LE1 and the like are disposed between the second substrates 32 and 34, closer to the first substrate 30 than the power modules PM1 to PM8, specifically, on the lower surface of the heat sink base 581. Specifically, the reactor LE1 and the like are installed on the lower surface of the heat sink base 581 so as to protrude downward from the heat sink base 581 and are arranged side by side along the depth direction. Note that the lower end portion of the reactor LE1 or the like is separated from the component surface 30a of the first substrate 30.

そして、本変形例では、筐体2内のフィン502,522,542,582が配置された空間76D(図8中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501,521,541,581が、上記パワーモジュールPM1〜PM8、リアクトルLE1等、及び回生抵抗Rを冷却するための冷却流路75Dを形成している。   In this modification, the heat sink bases 501, 521, and 541 surrounding the space 76D (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 8) in which the fins 502, 522, 542, and 582 are disposed in the housing 2. , 581 form a cooling flow path 75D for cooling the power modules PM1 to PM8, the reactor LE1, etc., and the regenerative resistor R.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、リアクトルLE1等が、第2電子部品の一例に相当する。   In this modification, the reactor LE1 and the like correspond to an example of the second electronic component.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−5.第5変形例)
以下、図9を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-5. Fifth Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 9, a difference from the above embodiment in the structure of the power conversion device of the present modification will be described.

図9に示すように、本変形例の電力変換装置1Eでは、第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に、上記回生抵抗R及びヒートシンク54が配置されない。   As shown in FIG. 9, in the power conversion device 1E of the present modification, the regenerative resistor R and the heat sink 54 are not arranged above the upper end portions 32b, 34b of the second substrates 32, 34.

ヒートシンク50Eの複数のフィン502Eは、ヒートシンクベース501の上端部からその高さ方向中央部よりも少し下側の範囲で、ヒートシンクベース501から右方に向けて突出している。また、ヒートシンク52Eの複数のフィン522Eは、ヒートシンクベース521の上端部からその高さ方向中央部よりも少し下側の範囲で、ヒートシンクベース521から左方に向けて突出している。つまり、フィン502E,522Eは、ヒートシンクベース501,521から互いに近づく方向に突出している。具体的には、フィン502E,522Eは、相互間に空隙がほとんどないように、突出している。   The plurality of fins 502E of the heat sink 50E protrude from the heat sink base 501 to the right in a range slightly below the center in the height direction from the upper end of the heat sink base 501. The plurality of fins 522E of the heat sink 52E protrude from the heat sink base 521 toward the left in a range slightly lower than the center portion in the height direction from the upper end portion of the heat sink base 521. That is, the fins 502E and 522E protrude from the heat sink bases 501 and 521 in a direction approaching each other. Specifically, the fins 502E and 522E protrude so that there is almost no gap between them.

そして、本変形例では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aと第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に配置された部材(図示せず)との間の空間71E(図9中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70Eとして形成されている。   In this modification, the housing 2 is surrounded by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34, and the component surface 30a of the first substrate 30 and the upper end portions 32b of the second substrates 32 and 34, A space 71E (a space surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 9) between the members (not shown) disposed above 34b is formed as a wind tunnel 70E.

また、筐体2内のフィン502E,522Eが配置された空間76E(図9中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501,521と、第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に配置された部材と、コンデンサC1〜C4の上端部とが、上記パワーモジュールPM1〜PM8及びコンデンサC1〜C4を冷却するための冷却流路75Eを形成している。   Further, the heat sink bases 501 and 521 and the upper ends of the second substrates 32 and 34 that surround a space 76E (a space surrounded by a two-dot chain line in FIG. 9) in which the fins 502E and 522E are disposed in the housing 2. The members disposed above 32b and 34b and the upper ends of the capacitors C1 to C4 form a cooling flow path 75E for cooling the power modules PM1 to PM8 and the capacitors C1 to C4.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

また、本変形例では、ヒートシンク50E,52Eが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501,521は、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン502E,522Eは、第2フィンの一例に相当する。   In the present modification, the heat sinks 50E and 52E correspond to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink bases 501 and 521 correspond to an example of a second heat sink base, and the fins 502E and 522E correspond to an example of a second fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−6.第6変形例)
以下、図10を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-6. Sixth Modification)
Hereinafter, with respect to the structure of the power conversion device of the present modification, differences from the above embodiment will be described with reference to FIG.

図10に示すように、本変形例の電力変換装置1Fでは、第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に、上記回生抵抗R及びヒートシンク54が配置されない。   As shown in FIG. 10, in the power conversion device 1F of this modification, the regenerative resistor R and the heat sink 54 are not disposed above the upper ends 32b, 34b of the second substrates 32, 34.

ヒートシンク50F,52Fの各々のヒートシンクベース501F,521Fは、各々の高さ方向寸法が第2基板32,34の高さ方向寸法とほぼ等しく、各々の下端位置が第2基板32,34の下端位置とほぼ一致している。   Each of the heat sink bases 501F and 521F of the heat sinks 50F and 52F has a height direction dimension substantially equal to the height direction dimension of the second substrates 32 and 34, and the respective lower end positions are the lower end positions of the second substrates 32 and 34. Is almost the same.

ヒートシンク50Fの複数のフィン502Fは、ヒートシンクベース501Fの上端部からその下端部の範囲で、ヒートシンクベース501Fから右方に向けて突出している。また、ヒートシンク52Fの複数のフィン522Fは、ヒートシンクベース521Fの上端部からその下端部の範囲で、ヒートシンクベース521Fから左方に向けて突出している。つまり、フィン502F,522Fは、ヒートシンクベース501F,521Fから互いに近づく方向に突出している。具体的には、フィン502F,522Fは、相互間に空隙がほとんどないように、突出している。   The plurality of fins 502F of the heat sink 50F protrude rightward from the heat sink base 501F in the range from the upper end portion of the heat sink base 501F to the lower end portion thereof. The plurality of fins 522F of the heat sink 52F protrude from the heat sink base 521F toward the left in the range from the upper end of the heat sink base 521F to the lower end thereof. That is, the fins 502F and 522F protrude from the heat sink bases 501F and 521F in a direction approaching each other. Specifically, the fins 502F and 522F protrude so that there is almost no gap between them.

また、本変形例では、上記コンデンサC1〜C4に代えて、第2基板32の左面の下端部側に、上記パワーモジュールPM1〜PM4の各々と接続される4つのコンデンサ(図10中ではパワーモジュールPM1と接続されるコンデンサC1cのみ図示)が配置されている。具体的には、4つのコンデンサC1c等は、例えば略円柱形状を備え、第2基板32から左方に向けて突出するように、第2基板32の左面に設置され、奥行き方向に沿って並べて配置されている。また、第2基板34の右面の下端部側に、上記パワーモジュールPM5〜PM8の各々と接続される4つのコンデンサ(図10中ではパワーモジュールPM5と接続されるコンデンサC1dのみ図示)が配置されている。具体的には、4つのコンデンサC1d等は、例えば略円柱形状を備え、第2基板34から右方に向けて突出するように、第2基板34の右面に設置され、奥行き方向に沿って並べて配置されている。   Further, in this modification, instead of the capacitors C1 to C4, four capacitors connected to each of the power modules PM1 to PM4 (the power module in FIG. 10) are connected to the lower end portion of the left surface of the second substrate 32. A capacitor C1c connected to PM1 is shown). Specifically, the four capacitors C1c and the like have, for example, a substantially cylindrical shape, are installed on the left surface of the second substrate 32 so as to protrude leftward from the second substrate 32, and are arranged along the depth direction. Has been placed. Further, four capacitors (only the capacitor C1d connected to the power module PM5 is shown in FIG. 10) connected to each of the power modules PM5 to PM8 are arranged on the lower end side of the right surface of the second substrate 34. Yes. Specifically, the four capacitors C1d and the like have, for example, a substantially cylindrical shape, are installed on the right surface of the second substrate 34 so as to protrude rightward from the second substrate 34, and are arranged along the depth direction. Has been placed.

そして、本変形例では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aと第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に配置された部材(図示せず)との間の空間71F(図10中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70Fとして形成されている。   In this modification, the housing 2 is surrounded by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34, and the component surface 30a of the first substrate 30 and the upper end portions 32b of the second substrates 32 and 34, A space 71F (a space surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 10) with a member (not shown) disposed above 34b is formed as a wind tunnel 70F.

また、筐体2内のフィン502F,522Fが配置された空間76F(図10中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501F,521Fと、第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に配置された部材と、第1基板30の部品面30aとが、上記パワーモジュールPM1〜PM8を冷却するための冷却流路75Fを形成している。   Further, the heat sink bases 501F and 521F and the upper ends of the second substrates 32 and 34 surrounding the space 76F (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 10) in which the fins 502F and 522F in the housing 2 are arranged. The members disposed above 32b and 34b and the component surface 30a of the first substrate 30 form a cooling flow path 75F for cooling the power modules PM1 to PM8.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、コンデンサC1c等及びコンデンサC1d等が、第2電子部品の一例に相当する。   In this modification, the capacitor C1c and the like and the capacitor C1d and the like correspond to an example of the second electronic component.

また、本変形例では、ヒートシンク50F,52Fが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501F,521Fは、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン502F,522Fは、第2フィンの一例に相当する。   In the present modification, the heat sinks 50F and 52F correspond to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink bases 501F and 521F correspond to an example of a second heat sink base, and the fins 502F and 522F correspond to an example of a second fin.

(5−7.第7変形例)
以下、図11を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-7. Seventh Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 11, differences and the like in the structure of the power conversion device of the present modification will be described.

図11に示すように、本変形例の電力変換装置1Gでは、ヒートシンク50G,52Gの各々のヒートシンクベース501G,521Gは、各々の高さ方向寸法が第2基板32,34の高さ方向寸法とほぼ等しく、各々の下端位置が第2基板32,34の下端位置とほぼ一致している。   As shown in FIG. 11, in the power conversion device 1G of this modification, the heat sink bases 501G and 521G of the heat sinks 50G and 52G have the height direction dimensions of the second substrates 32 and 34, respectively. The lower end positions of the second substrates 32 and 34 are substantially coincident with each other.

ヒートシンク50Gの複数のフィン502Gは、ヒートシンクベース501Gの上端部からその下端部の範囲で、ヒートシンクベース501Gから右方に向けて突出している。また、ヒートシンク52Gの複数のフィン522Gは、ヒートシンクベース521Gの上端部からその下端部の範囲で、ヒートシンクベース521Gから左方に向けて突出している。つまり、フィン502G,522Gは、ヒートシンクベース501G,521Gから互いに近づく方向に突出している。具体的には、フィン502G,522Gは、相互間に所定の空隙が空くように、突出している。   The plurality of fins 502G of the heat sink 50G protrude rightward from the heat sink base 501G in the range from the upper end portion of the heat sink base 501G to the lower end portion thereof. The plurality of fins 522G of the heat sink 52G protrude from the heat sink base 521G toward the left in the range from the upper end of the heat sink base 521G to the lower end thereof. That is, the fins 502G and 522G protrude from the heat sink bases 501G and 521G in a direction approaching each other. Specifically, the fins 502G and 522G protrude so that a predetermined gap is left between them.

ヒートシンク54Gの複数のフィン542Gは、上記フィン502G,522G間でヒートシンクベース541から下方に向けて突出している。具体的には、フィン542Gは、ヒートシンクベース541から、コンデンサC1〜C4の上端部近傍まで突出している。   The plurality of fins 542G of the heat sink 54G protrude downward from the heat sink base 541 between the fins 502G and 522G. Specifically, the fins 542G protrude from the heat sink base 541 to the vicinity of the upper ends of the capacitors C1 to C4.

また、本変形例では、コンデンサC1〜C4は、上記フィン502G,522G間で、且つ上記フィン542Gの先端部よりも下側において、第1基板30から上方に向けて突出するように、第1基板30の部品面30aに設置されている。   Further, in the present modification, the capacitors C1 to C4 are arranged so as to protrude upward from the first substrate 30 between the fins 502G and 522G and below the tip of the fin 542G. It is installed on the component surface 30 a of the substrate 30.

そして、本変形例では、筐体2内のフィン502G,522G,542Gが配置された空間76G(図11中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501G,521G,541と、コンデンサC1〜C4の上端部及び左右両側面と、第1基板30の部品面30aとが、上記パワーモジュールPM1〜PM8、コンデンサC1〜C4、及び回生抵抗Rを冷却するための冷却流路75Gを形成している。   In this modification, the heat sink bases 501G, 521G, and 541 surrounding the space 76G (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 11) in which the fins 502G, 522G, and 542G are disposed in the housing 2; The upper and lower left and right side surfaces of the capacitors C1 to C4 and the component surface 30a of the first substrate 30 have cooling channels 75G for cooling the power modules PM1 to PM8, the capacitors C1 to C4, and the regenerative resistor R. Forming.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、ヒートシンク50G,52Gが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501G,521Gは、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン502G,522Gは、第2フィンの一例に相当する。また、ヒートシンク54Gが、第1ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第1ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Gは、第1フィンの一例に相当する。   In this modification, the heat sinks 50G and 52G correspond to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink bases 501G and 521G correspond to an example of the second heat sink base, and the fins 502G and 522G correspond to an example of the second fin. The heat sink 54G corresponds to an example of a first heat sink. Therefore, the heat sink base 541 corresponds to an example of a first heat sink base, and the fin 542G corresponds to an example of a first fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−8.第8変形例)
以下、図12を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-8. Eighth Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 12, differences and the like in the structure of the power conversion device of the present modification from the above embodiment will be described.

図12に示すように、本変形例の電力変換装置1Hでは、第2基板32,34の対向面32a,34aに、上記パワーモジュールPM1〜PM8及びヒートシンク50,52が配置されない。また、ヒートシンク54Hのヒートシンクベース541の上面541aに、上記回生抵抗Rが配置されず、パワーモジュールPM1〜PM8が配置される。   As shown in FIG. 12, in the power conversion device 1H of the present modification, the power modules PM1 to PM8 and the heat sinks 50 and 52 are not disposed on the opposing surfaces 32a and 34a of the second substrates 32 and 34. Further, the regenerative resistor R is not disposed on the upper surface 541a of the heat sink base 541 of the heat sink 54H, and the power modules PM1 to PM8 are disposed.

本変形例では、第2基板32,34の配置間隔が、上記実施形態よりも小さくなっている。例えば、第2基板32,34の配置間隔は、上記ファン60の送風部60aの径とほぼ等しくなっている。   In this modification, the arrangement interval of the second substrates 32 and 34 is smaller than that in the above embodiment. For example, the arrangement interval of the second substrates 32 and 34 is substantially equal to the diameter of the blower 60 a of the fan 60.

また、本変形例では、ヒートシンク54Hは、上記パワーモジュールPM1〜PM8を冷却するヒートシンクである。ヒートシンク54Hの複数のフィン542Hは、第2基板32,34間でヒートシンクベース541から下方に向けて、コンデンサC1〜C4の上端部近傍まで突出している。   In the present modification, the heat sink 54H is a heat sink that cools the power modules PM1 to PM8. The plurality of fins 542H of the heat sink 54H protrude downward from the heat sink base 541 between the second substrates 32 and 34 to the vicinity of the upper ends of the capacitors C1 to C4.

パワーモジュールPM1〜PM8は、ヒートシンクベース541の上面541aに設置されている。具体的には、パワーモジュールPM1〜PM4とパワーモジュールPM5〜PM8とが、ヒートシンクベース541の上面541aにおいて幅方向に対向配置されている。より具体的には、パワーモジュールPM1〜PM4は、奥行き方向に沿って並べて配置され、ヒートシンクベース541の上面541aにおける左側に設置されている。また、パワーモジュールPM5〜PM8は、奥行き方向に沿って並べて配置され、ヒートシンクベース541の上面541aにおける右側に設置されている。   The power modules PM1 to PM8 are installed on the upper surface 541a of the heat sink base 541. Specifically, the power modules PM1 to PM4 and the power modules PM5 to PM8 are arranged to face each other in the width direction on the upper surface 541a of the heat sink base 541. More specifically, the power modules PM <b> 1 to PM <b> 4 are arranged side by side along the depth direction, and are installed on the left side of the upper surface 541 a of the heat sink base 541. The power modules PM5 to PM8 are arranged side by side along the depth direction, and are installed on the right side of the upper surface 541a of the heat sink base 541.

また、本変形例では、コンデンサC1〜C4は、第2基板32,34の対向面32a,34a間で、且つ上記フィン542Hの先端部よりも下側において、第1基板30から上方に向けて突出するように、第1基板30の部品面30aに設置されている。   Further, in the present modification, the capacitors C1 to C4 are directed upward from the first substrate 30 between the opposing surfaces 32a and 34a of the second substrates 32 and 34 and below the tip of the fin 542H. It is installed on the component surface 30a of the first substrate 30 so as to protrude.

そして、本変形例では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aとヒートシンクベース541との間の空間71H(図12中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70Hとして形成されている。   In this modification, a space 71H (see FIG. 5) between the component surface 30a of the first substrate 30 and the heat sink base 541 is surrounded by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34 in the housing 2. 12 is defined as a wind tunnel 70H.

また、筐体2内のフィン542Hが配置された空間76H(図12中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、第2基板32,34の対向面32a,34aと、ヒートシンクベース541と、コンデンサC1〜C4の上端部とが、上記パワーモジュールPM1〜PM8及びコンデンサC1〜C4を冷却するための冷却流路75Hを形成している。   Further, the opposing surfaces 32a and 34a of the second substrates 32 and 34 surrounding the space 76H (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 12) in which the fins 542H are disposed in the housing 2, and the heat sink base 541 The upper ends of the capacitors C1 to C4 form a cooling channel 75H for cooling the power modules PM1 to PM8 and the capacitors C1 to C4.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、ヒートシンク54Hが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Hは、第2フィンの一例に相当する。   In this modification, the heat sink 54H corresponds to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink base 541 corresponds to an example of a second heat sink base, and the fin 542H corresponds to an example of a second fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−9.第9変形例)
以下、図13を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-9. Ninth Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 13, differences and the like in the structure of the power conversion device of the present modification will be described.

図13に示すように、本変形例の電力変換装置1Iでは、第2基板32,34の対向面32a,34aに、上記パワーモジュールPM1〜PM8及びヒートシンク50,52が配置されない。また、ヒートシンク54Iのヒートシンクベース541の上面541aに、上記回生抵抗Rが配置されず、パワーモジュールPM1〜PM8が配置される。   As shown in FIG. 13, in the power conversion device 1 </ b> I of the present modification, the power modules PM <b> 1 to PM <b> 8 and the heat sinks 50 and 52 are not disposed on the opposing surfaces 32 a and 34 a of the second substrates 32 and 34. Further, the regenerative resistor R is not disposed on the upper surface 541a of the heat sink base 541 of the heat sink 54I, and the power modules PM1 to PM8 are disposed.

本変形例では、第2基板32,34の配置間隔が、上記実施形態よりも小さくなっている。例えば、第2基板32,34の配置間隔は、上記ファン60の送風部60aの径とほぼ等しくなっている。   In this modification, the arrangement interval of the second substrates 32 and 34 is smaller than that in the above embodiment. For example, the arrangement interval of the second substrates 32 and 34 is substantially equal to the diameter of the blower 60 a of the fan 60.

また、本変形例では、ヒートシンク54Iは、上記パワーモジュールPM1〜PM8を冷却するヒートシンクである。ヒートシンク54Iの複数のフィン542Iは、第2基板32,34間でヒートシンクベース541から下方に向けて、第1基板30の部品面30a近傍まで突出している。   In the present modification, the heat sink 54I is a heat sink that cools the power modules PM1 to PM8. The plurality of fins 542I of the heat sink 54I project downward from the heat sink base 541 between the second substrates 32 and 34 to the vicinity of the component surface 30a of the first substrate 30.

パワーモジュールPM1〜PM8は、ヒートシンクベース541の上面541aに設置されている。具体的には、パワーモジュールPM1〜PM4とパワーモジュールPM5〜PM8とが、ヒートシンクベース541の上面541aにおいて幅方向に対向配置されている。より具体的には、パワーモジュールPM1〜PM4は、奥行き方向に沿って並べて配置され、ヒートシンクベース541の上面541aにおける左側に設置されている。また、パワーモジュールPM5〜PM8は、奥行き方向に沿って並べて配置され、ヒートシンクベース541の上面541aにおける右側に設置されている。   The power modules PM1 to PM8 are installed on the upper surface 541a of the heat sink base 541. Specifically, the power modules PM1 to PM4 and the power modules PM5 to PM8 are arranged to face each other in the width direction on the upper surface 541a of the heat sink base 541. More specifically, the power modules PM <b> 1 to PM <b> 4 are arranged side by side along the depth direction, and are installed on the left side of the upper surface 541 a of the heat sink base 541. The power modules PM5 to PM8 are arranged side by side along the depth direction, and are installed on the right side of the upper surface 541a of the heat sink base 541.

また、本変形例では、上記コンデンサC1〜C4に代えて、第2基板32の左面の下端部側に、上記パワーモジュールPM1〜PM4の各々と接続される4つのコンデンサ(図13中ではパワーモジュールPM1と接続されるコンデンサC1eのみ図示)が配置されている。具体的には、4つのコンデンサC1e等は、例えば略円柱形状を備え、第2基板32から左方に向けて突出するように、第2基板32の左面に設置され、奥行き方向に沿って並べて配置されている。また、第2基板34の右面の下端部側に、上記パワーモジュールPM5〜PM8の各々と接続される4つのコンデンサ(図13中ではパワーモジュールPM5と接続されるコンデンサC1fのみ図示)が配置されている。具体的には、4つのコンデンサC1f等は、例えば略円柱形状を備え、第2基板34から右方に向けて突出するように、第2基板34の右面に設置され、奥行き方向に沿って並べて配置されている。   Further, in this modification, instead of the capacitors C1 to C4, four capacitors connected to each of the power modules PM1 to PM4 (the power module in FIG. 13) are connected to the lower end portion of the left surface of the second substrate 32. Only a capacitor C1e connected to PM1 is shown). Specifically, the four capacitors C1e and the like have, for example, a substantially cylindrical shape, are installed on the left surface of the second substrate 32 so as to protrude leftward from the second substrate 32, and are arranged along the depth direction. Has been placed. Further, four capacitors (only the capacitor C1f connected to the power module PM5 in FIG. 13) connected to each of the power modules PM5 to PM8 are arranged on the lower end side of the right surface of the second substrate 34. Yes. Specifically, the four capacitors C1f and the like have, for example, a substantially cylindrical shape, are installed on the right surface of the second substrate 34 so as to protrude rightward from the second substrate 34, and are arranged along the depth direction. Has been placed.

そして、本変形例では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aとヒートシンクベース541との間の空間71I(図13中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70Iとして形成されている。   In the present modification, a space 71I (see FIG. 5) between the component surface 30a of the first substrate 30 and the heat sink base 541 is surrounded by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34 in the housing 2. 13 is defined as a wind tunnel 70I.

また、フィン542Iが配置された上記空間71Iを囲む、第2基板32,34の対向面32a,34aと、ヒートシンクベース541と、第1基板30の部品面30aとが、上記パワーモジュールPM1〜PM8を冷却するための冷却流路75Iを形成している。   Further, the opposing surfaces 32a and 34a of the second substrates 32 and 34, the heat sink base 541, and the component surface 30a of the first substrate 30 surrounding the space 71I in which the fins 542I are disposed include the power modules PM1 to PM8. The cooling flow path 75I for cooling the is formed.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、ヒートシンク54Iが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Iは、第2フィンの一例に相当する。   In the present modification, the heat sink 54I corresponds to an example of a second heat sink. Accordingly, the heat sink base 541 corresponds to an example of a second heat sink base, and the fin 542I corresponds to an example of a second fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−10.第10変形例)
以下、図14を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-10. Tenth Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 14, differences and the like in the structure of the power conversion device of this modification will be described.

図14に示すように、本変形例の電力変換装置1Jでは、第2基板34の対向面34aに、上記パワーモジュールPM5〜PM8及びヒートシンク52が配置されない。つまり、本変形例では、コンデンサC1〜C4の各々には、パワーモジュールPM1〜PM4の各々のみが接続されている。   As shown in FIG. 14, in the power conversion device 1 </ b> J of the present modification, the power modules PM <b> 5 to PM <b> 8 and the heat sink 52 are not disposed on the facing surface 34 a of the second substrate 34. That is, in this modification, only each of the power modules PM1 to PM4 is connected to each of the capacitors C1 to C4.

本変形例では、第2基板34が、第1基板30の部品面30aにおいて上記実施形態よりも左側に配置され、第2基板32,34の配置間隔が、上記実施形態よりも小さくなっている。   In the present modification, the second substrate 34 is arranged on the left side of the component surface 30a of the first substrate 30 with respect to the above embodiment, and the arrangement interval between the second substrates 32 and 34 is smaller than that in the above embodiment. .

ヒートシンク54Jの複数のフィン542Jは、ヒートシンク50のフィン502及び第2基板34間でヒートシンクベース541から下方に向けて、コンデンサC1〜C4の上端部近傍まで突出している。   The plurality of fins 542J of the heat sink 54J protrude downward from the heat sink base 541 between the fins 502 of the heat sink 50 and the second substrate 34 to the vicinity of the upper ends of the capacitors C1 to C4.

そして、本変形例では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aとヒートシンクベース541との間の空間71J(図14中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70Jとして形成されている。   In the present modification, a space 71J (see FIG. 5) between the component surface 30a of the first substrate 30 and the heat sink base 541 is enclosed by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34 in the housing 2. 14) is formed as a wind tunnel 70 </ b> J.

また、フィン502,542Jが配置された空間76J(図14中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501,541と、第2基板34の対向面34aと、第1基板30の部品面30aとが、上記パワーモジュールPM1〜PM4、コンデンサC1〜C4、及び回生抵抗Rを冷却するための冷却流路75Jを形成している。   Further, the heat sink bases 501 and 541, the opposing surface 34 a of the second substrate 34, and the first substrate 30 surrounding the space 76 J (the space surrounded by a two-dot chain line in FIG. 14) in which the fins 502 and 542 J are arranged. The component surface 30a forms a cooling flow path 75J for cooling the power modules PM1 to PM4, the capacitors C1 to C4, and the regenerative resistor R.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

また、本変形例では、ヒートシンク54Jが、第1ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第1ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Jは、第1フィンの一例に相当する。   In this modification, the heat sink 54J corresponds to an example of a first heat sink. Therefore, the heat sink base 541 corresponds to an example of a first heat sink base, and the fin 542J corresponds to an example of a first fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−11.第11変形例)
以下、図15を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-11. Eleventh Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 15, the difference from the above embodiment in the structure of the power conversion device of the present modification will be described.

図15に示すように、本変形例の電力変換装置1Kでは、第2基板34の対向面34aに、上記パワーモジュールPM5〜PM8及びヒートシンク52が配置されない。つまり、本変形例では、コンデンサC1〜C4の各々には、パワーモジュールPM1〜PM4の各々のみが接続されている。   As shown in FIG. 15, in the power conversion device 1 </ b> K of the present modification, the power modules PM <b> 5 to PM <b> 8 and the heat sink 52 are not disposed on the facing surface 34 a of the second substrate 34. That is, in this modification, only each of the power modules PM1 to PM4 is connected to each of the capacitors C1 to C4.

本変形例では、第2基板34が、第1基板30の部品面30aにおいて上記実施形態よりも左側に配置され、第2基板32,34の配置間隔が、上記実施形態よりも小さくなっている。   In the present modification, the second substrate 34 is arranged on the left side of the component surface 30a of the first substrate 30 with respect to the above embodiment, and the arrangement interval between the second substrates 32 and 34 is smaller than that in the above embodiment. .

ヒートシンク50Kのヒートシンクベース501Kは、その高さ方向寸法が第2基板32,34の高さ方向寸法とほぼ等しく、その下端位置が第2基板32,34の下端位置とほぼ一致している。ヒートシンク50Kの複数のフィン502Kは、ヒートシンクベース501Kの上端部からその下端部の範囲で、ヒートシンクベース501Kから右方に向けて突出している。   The heat sink base 501K of the heat sink 50K has a height direction dimension substantially equal to the height direction dimension of the second substrates 32 and 34, and a lower end position thereof substantially coincides with a lower end position of the second substrates 32 and 34. The plurality of fins 502K of the heat sink 50K protrude from the heat sink base 501K toward the right in the range from the upper end of the heat sink base 501K to the lower end thereof.

ヒートシンク54Kの複数のフィン542Kは、ヒートシンク50Kのフィン502K及び第2基板34間でヒートシンクベース541から下方に向けて、コンデンサC1〜C4の上端部近傍まで突出している。   The plurality of fins 542K of the heat sink 54K project downward from the heat sink base 541 between the fins 502K of the heat sink 50K and the second substrate 34 to the vicinity of the upper ends of the capacitors C1 to C4.

そして、本変形例では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aとヒートシンクベース541との間の空間71K(図15中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70Kとして形成されている。   In the present modification, the space 71K (see FIG. 5) between the component surface 30a of the first substrate 30 and the heat sink base 541 is surrounded by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34 in the housing 2. 15) is formed as a wind tunnel 70K.

また、フィン502K,542Kが配置された空間76K(図15中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501K,541と、第2基板34の対向面34aと、コンデンサC1〜C4の上端部及び左側面と、第1基板30の部品面30aとが、上記パワーモジュールPM1〜PM4、コンデンサC1〜C4、及び回生抵抗Rを冷却するための冷却流路75Kを形成している。   Further, the heat sink bases 501K and 541, the facing surface 34a of the second substrate 34, and the capacitors C1 to C4 surrounding the space 76K (the space surrounded by a two-dot chain line in FIG. 15) in which the fins 502K and 542K are arranged. And the component surface 30a of the first substrate 30 form a cooling channel 75K for cooling the power modules PM1 to PM4, the capacitors C1 to C4, and the regenerative resistor R.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、ヒートシンク50Kが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501Kは、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン502Kは、第2フィンの一例に相当する。また、ヒートシンク54Kが、第1ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第1ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Kは、第1フィンの一例に相当する。   In this modification, the heat sink 50K corresponds to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink base 501K corresponds to an example of a second heat sink base, and the fin 502K corresponds to an example of a second fin. The heat sink 54K corresponds to an example of a first heat sink. Therefore, the heat sink base 541 corresponds to an example of a first heat sink base, and the fin 542K corresponds to an example of a first fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−12.第12変形例)
以下、図16を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-12. Twelfth Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 16, differences and the like in the structure of the power conversion device of the present modification from the above embodiment will be described.

図16に示すように、本変形例の電力変換装置1Lでは、第2基板34の対向面34aに、上記パワーモジュールPM5〜PM8及びヒートシンク52が配置されない。つまり、本変形例では、コンデンサC1〜C4の各々には、パワーモジュールPM1〜PM4の各々のみが接続されている。また、第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に、上記回生抵抗R及びヒートシンク54が配置されない。   As shown in FIG. 16, in the power conversion device 1 </ b> L according to this modification, the power modules PM <b> 5 to PM <b> 8 and the heat sink 52 are not disposed on the facing surface 34 a of the second substrate 34. That is, in this modification, only each of the power modules PM1 to PM4 is connected to each of the capacitors C1 to C4. Further, the regenerative resistor R and the heat sink 54 are not disposed above the upper end portions 32b, 34b of the second substrates 32, 34.

本変形例では、第2基板34が、第1基板30の部品面30aにおいて上記実施形態よりも左側に配置され、第2基板32,34の配置間隔が、上記実施形態よりも小さくなっている。   In the present modification, the second substrate 34 is arranged on the left side of the component surface 30a of the first substrate 30 with respect to the above embodiment, and the arrangement interval between the second substrates 32 and 34 is smaller than that in the above embodiment. .

ヒートシンク50Lのヒートシンクベース501Lは、その高さ方向寸法が第2基板32,34の高さ方向寸法とほぼ等しく、その下端位置が第2基板32,34の下端位置とほぼ一致している。ヒートシンク50Lの複数のフィン502Lは、ヒートシンクベース501Lの上端部からその下端部の範囲で、ヒートシンクベース501Lから右方に向けて突出している。具体的には、複数のフィン502Lのうち、高さ方向においてコンデンサC1〜C4よりも上側に対応するフィン502Lは、ヒートシンクベース501Lから第2基板34の対向面34a近傍まで突出している。また、複数のフィン502Lのうち、高さ方向においてコンデンサC1〜C4に対応するフィン502Lは、ヒートシンクベース501LからコンデンサC1〜C4の左側面近傍まで突出している。   The heat sink base 501L of the heat sink 50L has a height direction dimension substantially equal to the height direction dimension of the second substrates 32 and 34, and a lower end position thereof substantially coincides with a lower end position of the second substrates 32 and 34. The plurality of fins 502L of the heat sink 50L protrude from the heat sink base 501L to the right in the range from the upper end of the heat sink base 501L to the lower end thereof. Specifically, among the plurality of fins 502L, the fin 502L corresponding to the upper side of the capacitors C1 to C4 in the height direction protrudes from the heat sink base 501L to the vicinity of the facing surface 34a of the second substrate 34. Among the plurality of fins 502L, the fins 502L corresponding to the capacitors C1 to C4 in the height direction protrude from the heat sink base 501L to the vicinity of the left side surface of the capacitors C1 to C4.

そして、本変形例では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aと第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に配置された部材(図示せず)との間の空間71L(図16中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70Lとして形成されている。   In this modification, the housing 2 is surrounded by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34, and the component surface 30a of the first substrate 30 and the upper end portions 32b of the second substrates 32 and 34, A space 71L (a space surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 16) between the members (not shown) disposed above 34b is formed as a wind tunnel 70L.

また、筐体2内のフィン502Lが配置された空間76L(図16中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501Lと、第2基板34の対向面34aと、第2基板32,34の上端部32b,34bの上方に配置された部材と、コンデンサC1〜C4の上端部及び左側面と、第1基板30の部品面30aとが、上記パワーモジュールPM1〜PM4及びコンデンサC1〜C4を冷却するための冷却流路75Lを形成している。   Further, the heat sink base 501L, the opposing surface 34a of the second substrate 34, and the second substrate surrounding the space 76L (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 16) in which the fins 502L in the housing 2 are disposed. The members disposed above the upper end portions 32b, 34b of the 32, 34, the upper end portions and the left side surfaces of the capacitors C1 to C4, and the component surface 30a of the first substrate 30 are the power modules PM1 to PM4 and the capacitor C1. A cooling flow path 75L for cooling ~ C4 is formed.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、ヒートシンク50Lが、第2ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース501Lは、第2ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン502Lは、第2フィンの一例に相当する。   In this modification, the heat sink 50L corresponds to an example of a second heat sink. Therefore, the heat sink base 501L corresponds to an example of a second heat sink base, and the fin 502L corresponds to an example of a second fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained.

(5−13.第13変形例)
以下、図17を参照しつつ、本変形例の電力変換装置の構造において、上記実施形態と異なる点等について説明する。
(5-13. Thirteenth Modification)
Hereinafter, with reference to FIG. 17, the difference from the above embodiment in the structure of the power conversion device of the present modification will be described.

図17に示すように、本変形例の電力変換装置1Mでは、第2基板34が、第1基板30の部品面30aにおいて上記実施形態よりも左側に配置され、第2基板32,34の配置間隔が、上記実施形態よりも小さくなっている。   As shown in FIG. 17, in the power conversion device 1M of the present modification, the second substrate 34 is disposed on the left side of the above-described embodiment on the component surface 30a of the first substrate 30, and the second substrates 32 and 34 are disposed. The space | interval is smaller than the said embodiment.

ヒートシンク52Mは、第2基板34の右面に配置されている。ヒートシンク52Mのヒートシンクベース521は、第2基板34の右面に第2基板32,34と平行に配置され、例えばその四隅に配置されるスペーサSP2を介して第2基板34に固定されている。ヒートシンク52Mの複数のフィン522は、ヒートシンクベース521の上端部からその高さ方向中央部よりも少し下側の範囲で、ヒートシンクベース521から幅方向に沿って、つまり右方に向けて突出している。   The heat sink 52M is disposed on the right surface of the second substrate 34. The heat sink base 521 of the heat sink 52M is disposed on the right surface of the second substrate 34 in parallel with the second substrates 32 and 34, and is fixed to the second substrate 34 via spacers SP2 disposed at the four corners, for example. The plurality of fins 522 of the heat sink 52M protrude from the heat sink base 521 along the width direction, that is, toward the right side, in a range slightly below the center in the height direction from the upper end of the heat sink base 521. .

ヒートシンク54Mの複数のフィン542Mは、ヒートシンク50のフィン502及び第2基板34間でヒートシンクベース541から下方に向けて、コンデンサC1〜C4の上端部近傍まで突出している。   The plurality of fins 542M of the heat sink 54M protrude downward from the heat sink base 541 between the fins 502 of the heat sink 50 and the second substrate 34 to the vicinity of the upper ends of the capacitors C1 to C4.

パワーモジュールPM5〜PM8は、ヒートシンクベース521の左面に設置され、奥行き方向に沿って並べて配置されている。   The power modules PM5 to PM8 are installed on the left surface of the heat sink base 521, and are arranged side by side along the depth direction.

そして、本変形例では、筐体2内の、第1基板30と第2基板32,34とで囲まれ、且つ第1基板30の部品面30aとヒートシンクベース541との間の空間71M(図17中の一点鎖線で囲まれた空間)が、風洞70Mとして形成されている。   In the present modification, a space 71M (see FIG. 5) between the component surface 30a of the first substrate 30 and the heat sink base 541 is enclosed by the first substrate 30 and the second substrates 32 and 34 in the housing 2. A space surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 17 is formed as a wind tunnel 70M.

また、筐体2内のフィン502,542Mが配置された空間76M(図17中の二点鎖線で囲まれた空間)を囲む、ヒートシンクベース501,541と、第2基板34の対向面34aと、コンデンサC1〜C4の上端部とが、上記パワーモジュールPM1〜PM4、コンデンサC1〜C4、及び回生抵抗Rを冷却するための冷却流路75Mを形成している。なお、第2基板34の右面に配置されたパワーモジュールPM5〜PM8やヒートシンク52は、上記風洞70Mとは別の風洞(図示せず)内に配置される。   Further, the heat sink bases 501 and 541 surrounding the space 76M (the space surrounded by the two-dot chain line in FIG. 17) in which the fins 502 and 542M are disposed in the housing 2, and the opposing surface 34a of the second substrate 34, The upper ends of the capacitors C1 to C4 form a cooling channel 75M for cooling the power modules PM1 to PM4, the capacitors C1 to C4, and the regenerative resistor R. The power modules PM5 to PM8 and the heat sink 52 arranged on the right surface of the second substrate 34 are arranged in a wind tunnel (not shown) different from the wind tunnel 70M.

上記以外の構成は、上記実施形態と同様に構成することができるので、説明を省略する。   Since the configuration other than the above can be configured in the same manner as the above embodiment, the description thereof is omitted.

なお、本変形例では、ヒートシンク54Mが、第1ヒートシンクの一例に相当する。したがって、ヒートシンクベース541は、第1ヒートシンクベースの一例に相当し、フィン542Mは、第1フィンの一例に相当する。   In the present modification, the heat sink 54M corresponds to an example of a first heat sink. Therefore, the heat sink base 541 corresponds to an example of a first heat sink base, and the fin 542M corresponds to an example of a first fin.

本変形例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本変形例では、第2基板32,34の構造を共通化することができ、コストを低減できる。   Also in this modification, the same effect as the above embodiment can be obtained. Moreover, in this modification, the structure of the 2nd board | substrates 32 and 34 can be made shared, and cost can be reduced.

なお、以上の説明において、「垂直」「平行」「中央」等の記載がある場合には、当該記載は厳密な意味ではない。すなわち、それら「垂直」「平行」「中央」等とは、設計上、製造上の公差、誤差が許容され、「実質的に垂直」「実質的に平行」「実質的に中央」等という意味である。   In the above description, when there are descriptions such as “vertical”, “parallel”, and “center”, the descriptions are not strict. That is, the terms “vertical”, “parallel”, “center”, etc., allow tolerances and errors in design and mean “substantially vertical”, “substantially parallel”, “substantially center”, etc. It is.

また、以上の説明において、外観上の寸法や大きさが「同一」「等しい」「異なる」等の記載がある場合は、当該記載は厳密な意味ではない。すなわち、それら「同一」「等しい」「異なる」等とは、設計上、製造上の公差、誤差が許容され、「実質的に同一」「実質的に等しい」「実質的に異なる」等という意味である。   In addition, in the above description, when there are descriptions such as “same”, “equal”, “different”, etc., in terms of external dimensions and sizes, the descriptions are not strict. That is, the terms “same”, “equal”, “different”, etc. mean that “tolerance and error in design and manufacturing are allowed”, “substantially the same”, “substantially equal”, “substantially different”, etc. It is.

また、以上既に述べた以外にも、上記実施形態や各変形例による手法を適宜組み合わせて利用してもよい。   In addition to those already described above, the methods according to the above-described embodiments and modifications may be used in appropriate combination.

その他、一々例示はしないが、上記実施形態や各変形例は、その趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更が加えられて実施されるものである。   In addition, although not illustrated one by one, the above-mentioned embodiment and each modification are implemented with various modifications within a range not departing from the gist thereof.

1 電力変換装置
1A〜M 電力変換装置
10 電力変換回路
30 第1基板
30a 部品面
32 第2基板
32a 対向面
32b 上端部(第2基板の立設方向の先端部の一例)
32aa 下端部(第1基板側の端部の一例)
32ab 上端部(第1基板側の端部の反対側の端部の一例)
34 第2基板
34a 対向面
34b 上端部(第2基板の立設方向の先端部の一例)
34aa 下端部(第1基板側の端部の一例)
34ab 上端部(第1基板側の端部の反対側の端部の一例)
50 ヒートシンク
50A,B,E〜G,K,L ヒートシンク
52 ヒートシンク
52A,B,E〜G,M ヒートシンク
54 ヒートシンク
54A〜C,G〜K,M ヒートシンク
58 ヒートシンク
60 ファン
501 ヒートシンクベース
501F,G,K,L ヒートシンクベース
502 フィン
502A,B,E〜G,K,L ヒートシンクベース
521 ヒートシンクベース
521F,G ヒートシンクベース
522 フィン
522A,B,E〜G フィン
541 ヒートシンクベース
542 フィン
542A〜C,G〜K,M フィン
581 ヒートシンクベース
582 フィン
70 風洞
70E,F,H〜M 風洞
75 冷却流路
75B,D〜M 冷却流路
C1〜4 コンデンサ
C1a,b コンデンサ
C1c,d コンデンサ
C1e,f コンデンサ
L1 突出長さ
L2 突出長さ
L3 突出長さ
LE1 リアクトル
PM1〜8 パワーモジュール
R 回生抵抗(抵抗器の一例)
Ra 放熱面
S1 配置間隔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 1A-M Power converter 10 Power converter circuit 30 1st board | substrate 30a Component surface 32 2nd board | substrate 32a Opposing surface 32b Upper end part (An example of the front-end | tip part of the standing direction of a 2nd board | substrate)
32aa Lower end (an example of an end on the first substrate side)
32ab upper end (an example of an end opposite to the end on the first substrate side)
34 2nd board | substrate 34a Opposing surface 34b Upper end part (An example of the front-end | tip part of the standing direction of a 2nd board | substrate)
34aa Lower end (an example of an end on the first substrate side)
34ab upper end (an example of an end opposite to the end on the first substrate side)
50 heat sink 50A, B, E to G, K, L heat sink 52 heat sink 52A, B, E to G, M heat sink 54 heat sink 54A to C, G to K, M heat sink 58 heat sink 60 fan 501 heat sink base 501F, G, K , L heat sink base 502 fin 502A, B, E to G, K, L heat sink base 521 heat sink base 521F, G heat sink base 522 fin 522A, B, E to G fin 541 heat sink base 542 fin 542A to C, G to K, M Fin 581 Heat sink base 582 Fin 70 Wind tunnel 70E, F, H to M Wind tunnel 75 Cooling channel 75B, D to M Cooling channel C1 to 4 Capacitor C1a, b Capacitor C1c, d Capacitor C1e, f Capacitor L1 projecting length L2 protruding length L3 protruding length LE1 reactor PM1~8 power module R regenerative resistor (one example of a resistor)
Ra heat dissipation surface S1 arrangement interval

Claims (14)

電力を変換する電力変換装置であって、
部品が配置される部品面を備えた第1基板と、
前記第1基板と離間した位置で、主たる放熱面が前記部品面と対向するように配置された、通電時に発熱する第1電子部品と、
を有することを特徴とする電力変換装置。
A power conversion device for converting power,
A first substrate having a component surface on which components are arranged;
A first electronic component that generates heat when energized, disposed so that a main heat dissipating surface faces the component surface at a position spaced from the first substrate;
The power converter characterized by having.
前記第1基板と前記第1電子部品との間に配置され、前記第1電子部品を冷却する第1ヒートシンクをさらに有し、
前記第1ヒートシンクは、
前記第1基板に沿って配置され、前記第1電子部品が設置された第1ヒートシンクベースと、
前記第1ヒートシンクベースから前記第1基板に向けて突出した複数の第1フィンと、を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
A first heat sink disposed between the first substrate and the first electronic component for cooling the first electronic component;
The first heat sink is
A first heat sink base disposed along the first substrate and provided with the first electronic component;
The power converter according to claim 1, further comprising: a plurality of first fins protruding from the first heat sink base toward the first substrate.
前記第1基板の前記部品面と前記第1ヒートシンクベースとの間の空間に送風するためのファンをさらに有する
ことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。
The power conversion device according to claim 2, further comprising a fan for sending air to a space between the component surface of the first substrate and the first heat sink base.
前記第1基板から前記第1ヒートシンクに向けて突出するように配置され、前記電力変換回路を構成する第2電子部品をさらに有する
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の電力変換装置。
4. The power conversion device according to claim 2, further comprising a second electronic component that is disposed so as to protrude from the first substrate toward the first heat sink and constitutes the power conversion circuit. 5.
前記第1フィンは、
前記第1ヒートシンクベースから前記第2電子部品近傍まで延びている
ことを特徴とする請求項4に記載の電力変換装置。
The first fin is
The power conversion device according to claim 4, wherein the power conversion device extends from the first heat sink base to the vicinity of the second electronic component.
前記第2電子部品は、
少なくとも2つであり、前記第1基板にファンの送風方向に沿って並べて配置される
ことを特徴とする請求項4又は5に記載の電力変換装置。
The second electronic component is
6. The power conversion device according to claim 4, wherein the number is at least two, and are arranged on the first substrate along a blowing direction of a fan.
前記第1電子部品は、
前記第2電子部品よりも発熱量が大きい
ことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The first electronic component is
The power converter according to any one of claims 4 to 6, wherein the calorific value is larger than that of the second electronic component.
前記第1基板に前記第2電子部品を間に挟むように立設された2つの第2基板と、
前記2つの第2基板の対向面に前記第2電子部品よりも前記第1電子部品側に配置され、前記電力変換回路を構成して通電時に発熱する第3電子部品と、をさらに有する
ことを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1項に記載の電力変換装置。
Two second substrates erected so as to sandwich the second electronic component between the first substrate;
And a third electronic component disposed on the opposing surface of the two second substrates, closer to the first electronic component than the second electronic component, and constituting the power conversion circuit and generating heat when energized. The power conversion device according to claim 4, wherein the power conversion device is a power conversion device.
前記第3電子部品は、
少なくとも2つであり、前記2つの第2基板の前記対向面の各々に配置され、
前記第3電子部品を冷却する2つの第2ヒートシンクをさらに有し、
前記第2ヒートシンクは、
前記第2基板に沿って配置され前記第3電子部品が設置された第2ヒートシンクベースと、
前記第2ヒートシンクベースから前記対向面の対向方向に沿って突出した複数の第2フィンと、を有し、
対向配置された2つの前記第2ヒートシンクベースから前記第2フィンが前記第1フィンを間に挟み互いに近づく方向に突出するように、前記2つの第2基板の前記対向面の各々に前記第3電子部品を間に挟むように配置される
ことを特徴とする請求項8に記載の電力変換装置。
The third electronic component is
At least two, disposed on each of the opposing surfaces of the two second substrates,
Two second heat sinks for cooling the third electronic component;
The second heat sink is
A second heat sink base disposed along the second substrate and provided with the third electronic component;
A plurality of second fins projecting from the second heat sink base along the facing direction of the facing surface;
The second fins protrude from the two second heat sink bases arranged opposite to each other on the opposing surfaces of the two second substrates so that the second fins protrude in a direction approaching each other with the first fin interposed therebetween. The power conversion device according to claim 8, wherein the power conversion device is disposed so as to sandwich an electronic component therebetween.
前記第1電子部品と前記第3電子部品とは発熱量が異なり、
前記第1フィンの前記第1ヒートシンクベースからの突出長さ及び前記第2フィンの前記第2ヒートシンクベースからの突出長さは、
対応する電子部品の発熱量が大きい方が長い
ことを特徴とする請求項9に記載の電力変換装置。
The first electronic component and the third electronic component have different heating values,
The protruding length of the first fin from the first heat sink base and the protruding length of the second fin from the second heat sink base are:
The power converter according to claim 9, wherein the heat generation amount of the corresponding electronic component is longer.
前記第1ヒートシンクベースと、2つの前記第2ヒートシンクベースと、前記第2電子部品とは、前記第1電子部品、前記第2電子部品及び前記第3電子部品を冷却するための冷却流路を形成する
ことを特徴とする請求項9又は10に記載の電力変換装置。
The first heat sink base, the two second heat sink bases, and the second electronic component have cooling channels for cooling the first electronic component, the second electronic component, and the third electronic component. It forms, The power converter device of Claim 9 or 10 characterized by the above-mentioned.
前記第1ヒートシンクは、
前記第1基板と前記第1ヒートシンクベースとの配置間隔がファンの径と等しくなるように配置される
ことを特徴とする請求項3乃至11のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The first heat sink is
12. The power conversion device according to claim 3, wherein an arrangement interval between the first substrate and the first heat sink base is equal to a diameter of the fan.
前記第2電子部品は、
前記電力変換回路を構成するコンデンサであり、
前記第3電子部品は、
前記電力変換回路を構成するスイッチング素子を備えたパワーモジュールである
ことを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The second electronic component is
A capacitor constituting the power conversion circuit;
The third electronic component is
The power conversion device according to any one of claims 8 to 12, wherein the power conversion device is a power module including a switching element constituting the power conversion circuit.
前記第1電子部品は、
抵抗器である
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The first electronic component is
It is a resistor, The power converter device of any one of Claims 1 thru | or 13 characterized by the above-mentioned.
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