JPWO2015155868A1 - 粒子線照射装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本発明の実施の形態1による粒子線照射装置の概略構成図である。本発明の実施の形態1による粒子線照射装置50は、荷電粒子を必要なエネルギーまで加速して、加速された荷電粒子を粒子線10として発生させ、走査装置2に輸送する粒子線発生輸送装置1と、粒子線発生輸送装置1により発生された粒子線10を粒子線の進行方向であるZ方向に対して垂直な二方向、すなわちXおよびY方向に偏向させて、患者腫瘍内、すなわち照射対象11の任意の位置に走査させる走査装置2を備えている。通常、粒子線発生輸送装置1は、荷電粒子を加速する加速器と加速器から走査装置2まで粒子線10を輸送するための輸送系を備えている。走査装置2は、粒子線10をX方向に偏向させるX方向走査装置21と、粒子線10をY方向に偏向させるY方向走査装置22を備えている。
実施の形態1では、各照射位置12に照射する全線量を全リスキャン回数で等分することを前提とした記憶部3の構成例を説明した。しかし、1回の目標線量の値である分割目標線量値をリスキャンの各回において毎回異なる値にしたい場合は、図4、図5のような記憶部3の構成では不可能である。実施の形態2では、分割目標線量値をリスキャンの各回において毎回異なる値にできる記憶部3の構成例を説明する。
記憶部3の構成は、実施の形態1や実施の形態2以外の構成でも構わない。図8は本発明の実施の形態3による記憶部に記憶される情報例を説明する概略図であり、図9は本発明の実施の形態3による記憶部に記憶される照射途中の情報例を説明する概略図である。実施の形態3の記憶部3は、各照射位置12に対し、照射位置番号と、リスキャン1回当たりの目標線量(分割目標線量)と、修正された目標線量である補正線量を記憶するためのメモリ領域が確保されており、照射開始前の初期状態において補正線量の値にはリスキャン1回当たりの目標線量(分割目標線量)の値と同じ値が記憶されているものとする。図8、図9では、照射位置番号が1からmまでの例を示した。初期状態のメモリ情報37のように、記憶部3には、分割目標線量、補正線量も、それぞれ照射位置番号に対応したm個のデータが記憶される。m個の分割目標線量が記憶されるメモリ領域は分割目標線量記憶領域であり、m個の補正線量が記憶されたメモリ領域は判定値記憶領域である。
実施の形態1から3では、線量モニタ5は線量を測定するモニタ部が1つである例で説明したが、図10のように線量モニタ5が第1のモニタ部6と第2のモニタ部7の2つのモニタ部を備えていてもよい。図10は、本発明の実施の形態4による粒子線照射装置の概略構成図である。1つのモニタ部における線量測定制御切り替え時のデッドタイム等が気になる場合がある。第1のモニタ部6により、ある照射位置12に対して、照射線量値が目標線量値に到達するまでの線量測定を行い、到達してから実際にビームが遮断されるまでの間の過剰線量値を第2のモニタ部7により測定するようにすれば、高精度で過剰線量を測定することができる。実施の形態4の粒子線照射装置50は、実施の形態1から3の粒子線照射装置50よりも高精度で過剰線量を測定することができ、より高い照射線量精度の照射を行うことができる。
実施の形態1から4では、粒子線10の遮断するときの過剰線量値を測定しておき、次回にその分だけ少な目に照射する方法であったが、粒子線発生輸送装置1の加速器の仕様次第では、図3に示すような時間と付与線量との関係(付与線量特性)の再現性が高く、粒子線10を遮断するときの過剰線量値をあらかじめ予測できる場合がある。例えば、高周波ノックアウト法と呼ばれる手法では、付与線量特性の再現性が高いことが知られている。付与線量特性の再現性が高いことは、Taku Inaniwa, et al.“Optimization for Fast-Scanning Irradiation in Particle Therapy”, Med. Phys. 34, 3302-3311(2007)に、記載されている。付与線量特性の再現性が高い場合、あらかじめ予測しておいた過剰線量値を用いて、過剰線量値を測定しなくても、過剰線量の増加というリスク無しにリスキャン回数を増やすことができる。実施の形態5では、付与線量特性の再現性が高い場合における照射方法を説明する。
4…制御部、5…線量モニタ、6…第1のモニタ部、
7…第2のモニタ部、10…粒子線、11…照射対象、
12…照射位置、14…過剰線量、50…粒子線照射装置。
Claims (8)
- 加速させた粒子線の輸送及び遮断を行う粒子線発生輸送装置と、前記粒子線発生輸送装置から輸送された前記粒子線を進行方向に対して垂直な2方向に偏向させて照射対象に照射する照射位置を移動させる走査装置と、前記粒子線発生輸送装置及び前記走査装置を制御する制御部と、前記粒子線の線量を測定する線量モニタを備え、前記照射位置ごとに前記粒子線を複数回照射し、前記照射位置の移動の際に前記粒子線を遮断する粒子線照射装置であって、
前記照射位置の位置情報と、前記照射位置に対して1回に照射する線量である分割目標線量を記憶する記憶部を有し、
前記線量モニタは、測定した線量が前記分割目標線量の値に到達した場合に、この到達時から前記粒子線の照射が遮断されるまでの間に照射された過剰線量を測定し、
前記制御部は、
前記照射位置に対する1回目の照射の際に、前記線量モニタにより測定された一の前記照射位置に対する測定線量が前記分割目標線量の値に到達した場合に、前記粒子線発生輸送装置に前記粒子線の照射を遮断させ、前記走査装置に次の前記照射位置に対応した偏向制御をさせた後に、前記粒子線発生輸送装置に再び前記粒子線の照射を開始することを、前記照射対象の同一深さにおける最後の前記照射位置まで繰り返すように、前記粒子線発生輸送装置及び前記走査装置を制御し、
前記照射位置に対する2回目以降の照射の際に、前記線量モニタにより測定された一の前記照射位置に対する測定線量が、前記分割目標線量の値から当該照射位置における前回の前記過剰線量の値を引いた補正線量値に到達した場合に、前記粒子線発生輸送装置に前記粒子線の照射を遮断させ、前記走査装置に次の前記照射位置に対応した偏向制御をさせた後に、前記粒子線発生輸送装置に再び前記粒子線の照射を開始することを、前記照射対象の同一深さにおける全ての前記照射位置に対してあらかじめ指定された回数だけ繰り返すように、前記粒子線発生輸送装置及び前記走査装置を制御することを特徴とする粒子線照射装置。 - 前記記憶部は、
前記照射位置に対応した照射位置番号ごとに、前記分割目標線量の値が記憶された分割目標線量記憶領域と、前記過剰線量の値を記憶する過剰線量記憶領域を有し、
前記照射位置番号ごとの前記過剰線量記憶領域は、前記過剰線量が測定される度に該当する前記照射位置番号に対応する当該過剰線量の値が記憶され、
前記補正線量値は、該当する前記照射位置番号における前記分割目標線量記憶領域に記憶された値から、該当する前記照射位置番号における前記過剰線量記憶領域に記憶された値を引いた値であることを特徴とする請求項1記載の粒子線照射装置。 - 前記記憶部は、
前記照射位置に対応した照射位置番号及び照射順番ごとに、前記分割目標線量の値が記憶された分割目標線量記憶領域を有し、
前記過剰線量が測定される度に、当該過剰線量が測定された前記照射位置番号における次回の前記分割目標線量記憶領域は、そこに記憶されていた前記分割目標線量の値から当該過剰線量の値を引いた値が前記補正線量値として記憶され、
前記制御部は、
前記照射位置に対する2回目以降の照射の際に、該当する照射位置番号及び照射順番に対応した前記分割目標線量記憶領域に記憶された前記補正線量値を、前記過剰線量の測定を開始する判定値とすることを特徴とする請求項1記載の粒子線照射装置。 - 前記記憶部は、
前記照射位置に対応した照射位置番号ごとに、前記分割目標線量の値が記憶された分割目標線量記憶領域と、次回の前記過剰線量の測定を開始する判定値を記憶する判定値記憶領域を有し、
前記照射位置番号ごとの前記判定値記憶領域は、前記過剰線量が測定される度に、該当する前記照射位置番号に対応する前記分割目標線量の値から当該過剰線量の値を引いた値が前記補正線量値として記憶され、
前記制御部は、
前記照射位置に対する2回目以降の照射の際に、該当する照射位置番号に対応した前記判定値記憶領域に記憶された前記補正線量値を、前記過剰線量の測定を開始する判定値とすることを特徴とする請求項1記載の粒子線照射装置。 - 前記線量モニタは、第1のモニタ部と第2のモニタ部を備え、
前記第1のモニタ部は、前記過剰線量の測定を開始する判定値に達するまでの線量を測定し、
前記第2のモニタ部は、前記第1のモニタ部により測定された線量が前記判定値に到達した後の線量を測定することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の粒子線照射装置。 - 加速させた粒子線の輸送及び遮断を行う粒子線発生輸送装置と、前記粒子線発生輸送装置から輸送された前記粒子線を進行方向に対して垂直な2方向に偏向させて照射対象に照射する照射位置を移動させる走査装置と、前記粒子線発生輸送装置及び前記走査装置を制御する制御部と、前記粒子線の線量を測定する線量モニタを備え、前記照射位置ごとに前記粒子線を複数回照射し、前記照射位置の移動の際に前記粒子線を遮断する粒子線照射装置であって、
前記照射位置の位置情報と、前記照射位置に対して1回に照射する線量である分割目標線量と、前記照射位置に対して照射を遮断する命令が出てから実際に照射が遮断されるまでの間に照射される線量を予測した過剰線量予測値を記憶する記憶部を有し、
前記制御部は、
前記照射位置に対する1回目の照射の際に、前記線量モニタにより測定された一の前記照射位置に対する測定線量が前記分割目標線量の値に到達した場合に、前記粒子線発生輸送装置に前記粒子線の照射を遮断させ、前記走査装置に次の前記照射位置に対応した偏向制御をさせた後に、前記粒子線発生輸送装置に再び前記粒子線の照射を開始することを、前記照射対象の同一深さにおける最後の前記照射位置まで繰り返すように、前記粒子線発生輸送装置及び前記走査装置を制御し、
前記照射位置に対する2回目以降の照射の際に、前記線量モニタにより測定された一の前記照射位置に対する測定線量が、前記分割目標線量の値から当該照射位置における過剰線量予測値を引いた補正線量値に到達した場合に、前記粒子線発生輸送装置に前記粒子線の照射を遮断させ、前記走査装置に次の前記照射位置に対応した偏向制御をさせた後に、前記粒子線発生輸送装置に再び前記粒子線の照射を開始することを、前記照射対象の同一深さにおける全ての前記照射位置に対してあらかじめ指定された回数だけ繰り返すように、前記粒子線発生輸送装置及び前記走査装置を制御することを特徴とする粒子線照射装置。 - 前記記憶部は、
前記照射位置に対応した照射位置番号ごとに、前記分割目標線量の値が記憶された分割目標線量記憶領域と、前記過剰線量予測値を記憶する過剰線量予測値記憶領域を有することを特徴とする請求項6記載の粒子線照射装置。 - 前記記憶部は、
前記照射位置に対応した照射位置番号ごとに、前記分割目標線量の値が記憶された分割目標線量記憶領域と、前記補正線量値を記憶する補正線量記憶領域を有することを特徴とする請求項6記載の粒子線照射装置。
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