JPWO2015068230A1 - 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.ターゲット生成部の比較例
4.1 構成
4.2 動作
4.3 課題
5.帯電電極を含むターゲット生成部
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用
5.4 定常状態の動作パターン
5.5 吐出開始期間及び吐出停止期間における動作パターン
5.6 加速電極を含むターゲット生成部
5.7 中和器を含むターゲット生成部
6.帯電ドロップレットの回収電極を含むターゲット生成部
6.1 構成例1
6.2 構成例2
LPP方式EUV光生成システムは、レーザ装置から出力されたレーザ光をターゲットドロップレットに照射することによってプラズマ化し、EUV光を生成し得る。露光装置用のLPP方式EUV光生成システムは、50〜100kHz以上の高い繰り返し周波数でレーザ光パルスを生成し、ターゲットドロップレットに照射し得る。
本開示において使用される用語を以下に説明する。 「ターゲット」は、パルスレーザ光が照射されることでプラズマ化し、EUV光を生成するためのドロップレットを意味し得る。「ターゲット」は、「ターゲットドロップレット」とも呼ばれ得る。「ターゲットドロップレット」はドロップレット供給部から吐出され他のドロップレットと結合しない一つのドロップレット、又は、複数のドロップレットが結合して生成されたドロップレットであり得る。「ターゲットドロップレット」は、ドロップレットの一つであり得る。
3.1 構成
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
4.1 構成
図2は、比較例としてのターゲット生成部275を含むEUV光生成システム11の一部構成を模式的に示している。EUV光生成制御部5は、ターゲット制御部51とレーザ制御部55とを含んでもよい。ターゲット制御部51は、ターゲット生成部275の他の構成要素の動作を制御してもよい。レーザ制御部55は、レーザ装置3の動作を制御してもよい。
ドロップレット供給部260は、ヒータ261を用いて、融解した状態のターゲットの材料をタンク61内に貯蔵してもよい。ターゲットの材料は、例えば、スズであってもよい。ターゲット制御部51は、タンク61内のスズが液体となるように、温度制御部511を介してヒータ電源512を制御することで、ヒータ261の温度を制御してもよい。その結果、タンク61内に貯蔵されたスズは融解し得る。
図3Aは、上記ターゲット生成部275の比較例における課題を示す。レイリの微小擾乱の安定性理論によれば、速度vで流れる直径dのターゲット材料のジェット277を、周波数fで振動させるとき、ジェット277に生じた振動の波長λ(λ=v/f)が所定の条件を満たす場合に、均一な大きさのドロップレットが形成され得る。波長λの所定の条件は、例えば、λ/d=4.51であり得る。また、均一な大きさのドロップレットは、周波数fで繰り返し形成され得る。
以下において上記課題を解決するための構成例を説明する。以下に説明するターゲット生成部は、ドロップレット供給部から吐出されるドロップレットを帯電させる帯電電極を含んでもよい。帯電電極は、連続ドロップレットが結合して一つのターゲットドロップレットを形成するように、ドロップレット供給部から吐出される各ドロップレットの電気極性を制御してもよい。
図4は、本実施形態のターゲット生成部275の構成例を模式的に示している。EUV光生成制御部5は、ターゲット制御部51とレーザ制御部55とを含んでもよい。ターゲット制御部51は、ターゲット生成部275の他の構成要素の動作を制御してもよい。レーザ制御部55は、レーザ装置3の動作を制御してもよい。
EUV光生成制御部5の他の機能部からターゲット生成信号が入ると、ターゲット制御部51は、温度センサ262の測定値に基づいてヒータ261を制御してもよい。温度制御部511は、ターゲット制御部51からの指示に応じて、ヒータ電源512がヒータ261に与える電力を制御してもよい。
上記構成によれば、キャリア周波数fcで生成されたドロップレット271を、所定のパターンで帯電させることによって、クーロン力による速度変化によって所定数のドロップレット271を結合させ、一つのターゲットドロップレット27を生成し得る。
図6は、ターゲット生成部275が定常運転状態にあるときの、ピエゾ電圧、帯電電極電位及び結合前のドロップレット271の帯電状態の関係例を示している。ピエゾ電圧、帯電電極電位及びドロップレット271の時間軸は一致している。ピエゾ電圧及び帯電電極電位は同期している。吐出されたドロップレット271は、図6において右から左に移動する。
図3Bを参照して説明したように、ドロップレット材料の吐出開始直後及び吐出停止直前においては、ドロップレット271の吐出方向、つまり軌道が不安定であり得る。本例のターゲット制御部51は、ドロップレット材料の吐出開始直後及び吐出停止直前を含む期間のそれぞれにおいて、帯電電極267によりドロップレット271を帯電させ、ドロップレット271の直線状軌道を実現し得る。
以下において、加速電極を含むターゲット生成部275の例を説明する。図10は、加速電極を含むターゲット生成部275の構成例を示す。以下において、図4、図6及び図7との相違点を主に説明する。ターゲット生成部275は、帯電電極267と遮蔽電極268との間に配置された、リング状の加速電極281を有してもよい。加速電極281は、ドロップレット271又はターゲットドロップレット27が通過する貫通孔を有してもよい。貫通孔の中心は、ドロップレット271又はターゲットドロップレット27の軌道上にあってもよい。
以下において、中和器を含むターゲット生成部の例を説明する。図12は、中和器を含むターゲット生成部275の構成例を示す。以下においては、図10及び図11との相違点を主に説明する。ターゲット生成部275は、加速電極281と遮蔽電極268との間に配置された、中和器285を有してもよい。ターゲット生成部275は、中和器285を駆動する電源518、電源519を有していていもよい。
以下に説明するターゲット生成部275は、吐出開始期間及び吐出停止期間において、クーロン力を使用して、帯電ドロップレット271を軌道から外れた位置に配置されたドロップレット回収タンクに回収する。これにより、EUV光集光ミラー表面等に付着するドロップレット271を低減し得る。
図14は、ドロップレット回収電極を含むターゲット生成部275の構成例を示す。以下においては、図4の構成との相違点を主に説明する。ターゲット生成部275は、回収タンク295、回収電極296及び回収電極電源515を有してもよい。
図16A、図16Bは、ドロップレット回収タンクを含むターゲット生成部275の他の構成例を示す。図16Bは、図16AのXVIB切断線における断面を示している。本例において、定常吐出期間におけるドロップレット271の軌道は、重力方向に対して傾いてもよい。
Claims (13)
- 連続するドロップレットを結合してターゲットドロップレットを生成し、前記ターゲットドロップレットにプラズマ生成領域においてパルスレーザ光を照射して、極端紫外光を生成する、極端紫外光生成装置であって、
ドロップレット材料を収容し、ドロップレットを順次供給するドロップレット供給部と、
前記ドロップレット供給部と前記プラズマ生成領域との間に配置され、前記ドロップレット供給部から供給されたドロップレットの帯電を制御する帯電電極と、
連続するドロップレットが結合してターゲットドロップレットを形成するように、前記帯電電極の電位を制御して、前記ドロップレット供給部から供給される各ドロップレットの電気極性を制御する、ターゲット制御部と、を含み、
前記帯電電極により帯電が制御されたドロップレットは、それぞれ、連続したドロップレットからなる複数のグループを含み、
前記複数のグループのそれぞれにおいて、
一端のドロップレットは、正帯電又は負帯電であり、
他端のドロップレットは、無帯電又は前記他端のドロップレットに隣接するグループ内の隣接ドロップレットと同一の極性に帯電しており、
前記連続したドロップレットが前記一端のドロップレットのクーロン力による速度変化を利用して結合し、ターゲットドロップレットを形成する、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記複数のグループのそれぞれにおいて、前記一端のドロップレットのみが帯電し、他のドロップレットは無帯電である、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記他端のドロップレットは、前記一端のドロップレットの極性と反対の極性に帯電している、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記複数のグループのそれぞれは、正帯電のドロップレット、負帯電のドロップレット及び無帯電のドロップレットを含み、グループとして無帯電である、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記帯電電極と前記プラズマ生成領域との間に、帯電したドロップレットの速度を変化させる速度制御電極をさらに含む、極端紫外光生成装置。 - 請求項5に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記速度制御電極の電位の絶対値は、前記帯電電極の電位の絶対値よりも大きい、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ドロップレット材料を前記ドロップレット供給部から吐出するために前記ドロップレット供給部の内部圧力を調節する、圧力調節部をさらに含み、
前記ターゲット制御部は、前記ドロップレット供給部がドロップレットの吐出を開始してからの第1期間及び前記ドロップレット供給部がドロップレットの吐出を停止するまでの第2期間の少なくとも一方の期間において、前記帯電電極を所定電位に維持して前記ドロップレット供給部から連続して吐出されるドロップレットを帯電させる、極端紫外光生成装置。 - プラズマ生成領域においてターゲットドロップレットにパルスレーザ光を照射して、極端紫外光を生成する、極端紫外光生成装置であって、
ドロップレット材料を収容し、ドロップレットを順次供給するドロップレット供給部と、
前記ドロップレット供給部と前記プラズマ生成領域との間に配置され、前記ドロップレット供給部から供給されたドロップレットの帯電を制御する帯電電極と、
回収電位を与えられ、前記帯電電極により帯電されたドロップレットの動きをクーロン力により制御する回収電極と、
前記回収電極及び前記帯電電極の電位を制御するターゲット制御部と、
前記回収電極により動きが制御されたドロップレットを、前記プラズマ領域に達する前に回収する回収タンクと、を含む極端紫外光生成装置。 - 請求項8に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記回収電極はクーロン引力によって前記ドロップレットの動きを制御し、前記回収タンク内に配置されている、極端紫外光生成装置。 - 請求項8に記載の極端紫外光生成装置であって、前記回収タンク及び前記回収電極は、定常運転期間における前記ドロップレットの軌道を挟む位置に配置されている、極端紫外光生成装置。
- 請求項8に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲット制御部は、
前記ドロップレット供給部がドロップレットの吐出を開始してから第1期間及び前記ドロップレット供給部がドロップレットの吐出を停止するまでの第2期間の少なくとも一つの期間において、前記回収電極における前記回収電位を維持し、
前記少なくとも一つ期間の終了後、前記回収電極は電位の絶対値を減じて、前記回収タンクによるドロップレットの回収を停止する、極端紫外光生成装置。 - ターゲットドロップレットにプラズマ生成領域においてパルスレーザ光を照射して、極端紫外光を生成する、極端紫外光生成装置において、連続するドロップレットを結合して前記ターゲットドロップレットを生成する、極端紫外光生成装置の制御方法であって、
前記極端紫外光生成装置は、
ドロップレット材料を収容し、ドロップレットを順次供給するドロップレット供給部と、
前記ドロップレット供給部と前記プラズマ生成領域との間に配置され、前記ドロップレット供給部から供給されたドロップレットの帯電を制御する帯電電極と、を含み、
前記制御方法は、
前記ドロップレット供給部から吐出された連続するドロップレットからなる第1グループにおける、最後のドロップレットを、前記帯電電極によって第1極性に帯電させる第1ステップと、
前記最後のドロップレットの次のドロップレットを含み、連続するドロップレットからなる第2グループにおける最初のドロップレットを、無帯電又は前記帯電電極によって前記第1極性に帯電させる第2ステップと、
前記第2グループにおける最後のドロップレットを、前記帯電電極によって前記第1極性と反対の第2の極性に帯電させる第3ステップと、
前記第1ステップから前記第3ステップを繰り返すステップと、を含む制御方法。 - プラズマ生成領域においてターゲットドロップレットにパルスレーザ光を照射して、極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置の制御方法であって、
帯電電極に所定電位を与えて、ドロップレット材料を収容するドロップレット供給部から連続して吐出されたドロップレットを帯電させ、
回収電極に回収電位を与えて、前記帯電されたドロップレットの動きをクーロン力により制御し、
前記回収電極により動きが制御されたドロップレットを、前記プラズマ領域に達する前に回収タンクに回収する、制御方法。
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6541785B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2019-07-10 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10880981B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Collector pellicle |
US10631392B2 (en) * | 2018-04-30 | 2020-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV collector contamination prevention |
US11550233B2 (en) * | 2018-08-14 | 2023-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography system and operation method thereof |
NL2023879A (en) * | 2018-09-26 | 2020-05-01 | Asml Netherlands Bv | Apparatus for and method of controlling introduction of euv target material into an euv chamber |
KR20210035427A (ko) | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 발생 장치 |
US11237483B2 (en) | 2020-06-15 | 2022-02-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for controlling droplet in extreme ultraviolet light source |
US11940738B2 (en) * | 2020-06-15 | 2024-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Droplet splash control for extreme ultra violet photolithography |
JP2022059264A (ja) * | 2020-10-01 | 2022-04-13 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006074005A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-16 | Xtreme Technologies Gmbh | 短波長電磁放射線を生成するためにターゲット材料を供給する装置 |
JP2007200615A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7405416B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
US20060255298A1 (en) | 2005-02-25 | 2006-11-16 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse |
US7378673B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-05-27 | Cymer, Inc. | Source material dispenser for EUV light source |
JP2007144386A (ja) | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Toshiba Corp | 紫外線照射水処理装置 |
US8158960B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-04-17 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
JP4885587B2 (ja) | 2006-03-28 | 2012-02-29 | 株式会社小松製作所 | ターゲット供給装置 |
JP5076087B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
JP5001055B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-08-15 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
WO2010137625A1 (ja) | 2009-05-27 | 2010-12-02 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
WO2011013779A1 (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-03 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
JP5802465B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-10-28 | ギガフォトン株式会社 | ドロップレット生成及び検出装置、並びにドロップレット制御装置 |
NL2009257A (en) | 2011-09-02 | 2013-03-05 | Asml Netherlands Bv | Radiation source and lithographic apparatus. |
NL2009359A (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
-
2013
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-
2016
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006074005A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-16 | Xtreme Technologies Gmbh | 短波長電磁放射線を生成するためにターゲット材料を供給する装置 |
JP2007200615A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
Also Published As
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