JPWO2014084011A1 - 高周波信号線路及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

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Abstract

層間接続導体が破損することを抑制できる高周波信号線路及びこれを備えた電子機器を提供することである。信号線路（２０）は、線路部（２１ａ〜１２ｅ）に沿って延在している。基準グランド導体（２２）は、誘電体素体（１２）において信号線路（２０）よりもｚ軸方向の正方向側に設けられることにより信号線路（２０）と対向している。補助グランド導体（２４）は、誘電体素体（１２）において信号線路（２０）よりもｚ軸方向の負方向側に設けられることにより信号線路（２０）と対向している。ビアホール導体（Ｂ１〜Ｂ４）は、基準グランド導体（２２）と補助グランド導体（２４）とを接続している。ビアホール導体（Ｂ１〜Ｂ４）は、線路部（１２ｂ）において、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路（２０）よりもｘ軸方向の負方向側には設けられていない。

Description

本発明は、高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に関する。
従来の高周波信号線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波信号線路が知られている。該高周波信号線路は、誘電体素体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。誘電体素体は、複数の誘電体シートが積層されて構成されている。信号線は、誘電体素体内に設けられている。２つのグランド導体は、誘電体素体において積層方向から信号線を挟んでいる。これにより、信号線と２つのグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。
更に、一方のグランド導体には、積層方向から平面視したときに、信号線と重なる複数の開口が設けられている。これにより、信号線と一方のグランド導体との間に容量が形成されにくくなる。よって、信号線と一方のグランド導体との積層方向における距離を小さくすることが可能となり、高周波信号線路の薄型化を図ることが可能となる。以上のような高周波信号線路は、例えば、２つの回路基板の接続に用いられる。
ところで、特許文献１に記載の高周波信号線路において、２つの回路基板を接続する作業を容易に行うために、高周波信号線路の長手方向の中央部分の形状をミアンダ形状にすることが考えられる。図３１は、長手方向の中央部分がミアンダ形状を成している高周波信号線路５００を示した図である。図３２は、両端が引っ張られたときの高周波信号線路５００を示した図である。
図３１に示すように、高周波信号線路５００の中央部分は、ミアンダ形状を成している。具体的には、高周波信号線路５００は、線路部５０２ａ〜５０２ｅが接続されることにより構成されている。線路部５０２ａは、左右方向に延在している。線路部５０２ｂは、線路部５０２ａの右端から下側に向かって延在している。線路部５０２ｃは、線路部５０２ｂの下端から左側に向かって延在している。線路部５０２ｄは、線路部５０２ｃの左端から下側に向かって延在している。線路部５０２ｅは、線路部５０２ｄの下端から右側に向かって延在している。また、線路部５０２ｂ，５０２ｄの長さは、線路部５０２ａ，５０２ｃ，５０２ｅの長さに比べて十分に短い。
以上のような高周波信号線路５００は、２つの回路基板を接続する際に、線路部５０２ａの左端が左側に引っ張られ、線路部５０２ｅの右端が右側に引っ張られる。これにより、図３２に示すように、高周波信号線路５００がＺ字型をなすように変形する。その結果、高周波信号線路５００の両端に設けられている２つのコネクタ間の距離が大きくなる。よって、２つのコネクタをそれぞれ２つの回路基板に容易に接続することが可能となる。
しかしながら、前記高周波信号線路５００では、内部に設けられている２つのグランド導体を接続するビアホール導体が破損するおそれがある。より詳細には、高周波信号線路５００では、信号線と２つのグランド導体が内蔵されており、これらはストリップライン構造をなしている。そのため、２つのグランド導体は、ビアホール導体によって互いに接続されている。
ここで、線路部５０２ａの左端が左側に引っ張られ、線路部５０２ｅの右端が右側に引っ張られると、線路部５０２ｂ，５０２ｄにねじれが発生する。その結果、線路部５０２ｂ，５０２ｄ内に設けられたビアホール導体に力が加わり、ビアホール導体が破損するおそれがある。
国際公開第２０１２／０７３５９１号パンフレット
そこで、本発明の目的は、層間接続導体が破損することを抑制できる高周波信号線路及びこれを備えた電子機器を提供することである。
本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の誘電体シートが積層されて構成されている誘電体素体であって、所定方向に延在している第１の線路部と、該第１の線路部に沿って延在している第２の線路部と、該第１の線路部の該所定方向における一方側の端部と該第２の線路部の該所定方向における一方側の端部とを接続し、かつ、該第１の線路部及び該第２の線路部よりも短い第３の線路部と、を含んでいる誘電体素体と、前記第１の線路部、前記第２の線路部、及び前記第３の線路部に沿って延在している信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられることにより該信号線路と対向している第１のグランド導体と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられることにより該信号線路と対向している第２のグランド導体と、前記第１の線路部及び前記第２の線路部の少なくとも一方において設けられ、かつ、前記誘電体シートを貫通することにより、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続している１以上の層間接続導体と、を備えており、前記層間接続導体は、前記第３の線路部において、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも前記所定方向の他方側には設けられていないこと、を特徴とする。
本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収納されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、可撓性を有する複数の誘電体シートが積層されて構成されている誘電体素体であって、所定方向に延在している第１の線路部と、該第１の線路部に沿って延在している第２の線路部と、該第１の線路部の該所定方向における一方側の端部と該第２の線路部の該所定方向における一方側の端部とを接続し、かつ、該第１の線路部及び該第２の線路部よりも短い第３の線路部と、を含んでいる誘電体素体と、前記第１の線路部、前記第２の線路部及び前記第３の線路部に沿って延在している信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられることにより該信号線路と対向している第１のグランド導体と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられることにより該信号線路と対向している第２のグランド導体と、前記第１の線路部及び前記第２の線路部の少なくとも一方において設けられ、かつ、前記誘電体シートを貫通することにより、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続している１以上の層間接続導体と、を備えており、前記層間接続導体は、前記第３の線路部において、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも前記所定方向の他方側には設けられていないこと、を特徴とする。
本発明によれば、層間接続導体が破損することを抑制できる。
本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の分解図である。 図１の高周波信号線路の分解図である。 図１の高周波信号線路の分解図である。 図１の高周波信号線路の分解図である。 図１の高周波信号線路の分解図である。 図２のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図２のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図である。 高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 回路基板に取り付ける際の高周波信号線路を示した図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第５の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 複数の高周波信号線路の集合体であるマザー積層体を平面視した図である。 第６の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第７の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第８の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第９の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第１０の変形例に係る高周波信号線路の線路部をｚ軸方向から平面視した図である。 第１０の変形例に係る高周波信号線路の線路部をｚ軸方向から平面視した図である。 第１１の変形例に係る高周波信号線路の線路部をｚ軸方向から平面視した図である。 第１１の変形例に係る高周波信号線路の線路部をｚ軸方向から平面視した図である。 長手方向の中央部分がミアンダ形状を成している高周波信号線路を示した図である。 両端が引っ張られたときの高周波信号線路を示した図である。
以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及びこれを備えた電子機器について図面を参照しながら説明する。
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２ないし図６は、図１の高周波信号線路１０の分解図である。図７は、図２のＡ−Ａにおける断面構造図である。図８は、図２のＢ−Ｂにおける断面構造図である。以下では、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。
高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図８に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、ビアホール導体（層間接続部）ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。
誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に長手方向を有する可撓性を有する板状部材であり、ｘ軸方向の中央部分においてｙ軸方向に振動するように延在するミアンダ形状をなしている。誘電体素体１２は、線路部１２ａ〜１２ｅ、接続部１２ｆ，１２ｇを含んでいる。誘電体素体１２は、図２ないし図６に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ〜１８ｃがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
線路部１２ａ（第１の線路部）は、図１に示すように、ｘ軸方向に延在しており、ｙ軸方向に均一な幅を有する帯状をなしている。線路部１２ｃ（第２の線路部）は、図１に示すように、線路部１２ａに沿ってｘ軸方向に延在しており、ｙ軸方向に均一な幅を有する帯状をなしている。また、線路部１２ｃは、線路部１２ａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。線路部１２ａのｘ軸方向の正方向側の端部と、線路部１２ｃのｘ軸方向の正方向側の端部とはｙ軸方向において隣り合っている。ただし、線路部１２ａの長さは、線路部１２ｃの長さよりも長いので、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部と、線路部１２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部とは隣り合っていない。線路部１２ｂ（第３の線路部）は、ｙ軸方向に延在しており、ｘ軸方向に均一な幅を有する帯状をなしている。線路部１２ｂは、線路部１２ａのｘ軸方向の正方向側の端部と線路部１２ｃのｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。また、線路部１２ｂの長さは、線路部１２ａ，１２ｃの長さよりも短い。
線路部１２ｅ（第４の線路部）は、図１に示すように、線路部１２ｃに沿ってｘ軸方向に延在しており、ｙ軸方向に均一な幅を有する帯状をなしている。また、線路部１２ｃよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。すなわち、線路部１２ｅは、線路部１２ｃに関して線路部１２ａの反対側に設けられている。線路部１２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部と、線路部１２ｅのｘ軸方向の負方向側の端部とはｙ軸方向において隣り合っている。ただし、線路部１２ｅの長さは、線路部１２ｃの長さよりも長いので、線路部１２ｃのｘ軸方向の正方向側の端部と、線路部１２ｅのｘ軸方向の正方向側の端部とは隣り合っていない。線路部１２ｄ（第５の線路部）は、ｙ軸方向に延在しており、ｘ軸方向に均一な幅を有する帯状をなしている。線路部１２ｄは、線路部１２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部と線路部１２ｅのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。また、線路部１２ｄの長さは、線路部１２ｃ，１２ｅの長さよりも短い。なお、線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅのｙ軸方向の幅及び線路部１２ｂ，１２ｄのｘ軸方向の幅は等しい。なお、図１では、線路部１２ａ〜１２ｅの境界については、点線で示した。
接続部１２ｆ，１２ｇはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及び線路部１２ｅのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、ｚ軸方向から平面視したときに矩形状をなしている。接続部１２ｆ，１２ｇのｙ軸方向の幅は、なお、線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅのｙ軸方向の幅及び線路部１２ｂ，１２ｄのｘ軸方向の幅よりも大きい。
誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、図２ないし図６に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と同じ平面形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図７及び図８に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも大きい。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＴ１は、例えば、５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１００μｍである。また、厚さＴ２は、例えば、１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。
また、誘電体シート１８ａは、図２ないし図６に示すように、線路部１８ａ−ａ〜１８ａ−ｅ及び接続部１８ａ−ｆ，１８ａ−ｇにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ〜１８ｂ−ｅ及び接続部１８ｂ−ｆ，１８ｂ−ｇにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ〜１８ｃ−ｅ及び接続部１８ｃ−ｆ，１８ｃ−ｇにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。線路部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、線路部１２ｂを構成している。線路部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、線路部１２ｃを構成している。線路部１８ａ−ｄ，１８ｂ−ｄ，１８ｃ−ｄは、線路部１２ｄを構成している。線路部１８ａ−ｅ，１８ｂ−ｅ，１８ｃ−ｅは、線路部１２ｅを構成している。接続部１８ａ−ｆ，１８ｂ−ｆ，１８ｃ−ｆは、接続部１２ｆを構成している。接続部１８ａ−ｇ，１８ｂ−ｇ，１８ｃ−ｇは、接続部１２ｇを構成している。
信号線路２０は、図２ないし図６に示すように、高周波信号が伝送され、線路部１２ａ〜１２ｅ及び接続部１２ｆ，１２ｇに沿って延在している、すなわち、接続部１２ｆから線路部１２ａ〜１２ｅの延びる方向に沿って接続部１２ｇまで延在している線状の導体である。本実施形態では、信号線路２０は、誘電体シート１８ｂの表面上に形成されており、線路導体２０ａ〜２０ｆにより構成されている。
線路導体２０ａは、線路部１８ｂ−ａにおいてｘ軸方向に沿って延在しており、線路部１８ｂ−ａのｙ軸方向の略中央に位置している。線路導体２０ｂは、線路部１８ｂ−ｂにおいてｙ軸方向に沿って延在しており、線路部１８ｂ−ｂのｘ軸方向の略中央に位置している。線路導体２０ｃは、線路部１８ｂ−ｃにおいてｘ軸方向に沿って延在しており、線路部１８ｂ−ｃのｙ軸方向の略中央に位置している。線路導体２０ｄは、線路部１８ｂ−ｄにおいてｙ軸方向に沿って延在しており、線路部１８ｂ−ｄのｘ軸方向の略中央に位置している。線路導体２０ｅは、線路部１８ｂ−ｅにおいてｘ軸方向に沿って延在しており、線路部１８ｂ−ｅのｙ軸方向の略中央に位置している。線路導体２０ａ〜２０ｅは、この順に並ぶように接続されている。
線路導体２０ｆは、線路導体２０ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ｂ−ｆにおいてｘ軸方向に沿って延在している。線路導体２０ｆのｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｆの略中央に位置している。線路導体２０ｇは、線路導体２０ｅのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ｂ−ｇにおいてｘ軸方向に沿って延在している。線路導体２０ｇのｘ軸方向の正方向側の端部は、図３に示すように、接続部１８ｂ−ｇの略中央に位置している。
信号線路２０の線幅は、例えば、３００μｍ〜７００μｍである。本実施形態では、信号線路２０の線幅は３００μｍである。信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線路２０が誘電体シート１８ｂの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることを指す。また、信号線路２０の表面には平滑化が施されるので、信号線路２０が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは信号線路２０が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
基準グランド導体２２は、図２ないし図６に示すように、誘電体素体１２において信号線路２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられているベタ状の導体層である。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、誘電体シート１８ａを介して信号線路２０と対向している。基準グランド導体２２には、信号線路２０と重なる位置には開口が設けられていない。高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、主に、信号線路２０と基準グランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線路２０と基準グランド導体２２によって高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線路２０と基準グランド導体２２と補助グランド導体２４によって高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述する補助グランド導体２４の形状を調整する。
基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
また、基準グランド導体２２は、図２ないし図６に示すように、主要導体２２ａ〜２２ｅ及び端子導体２２ｆ，２２ｇにより構成されている。主要導体２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。主要導体２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、ｙ軸方向に沿って延在している。主要導体２２ｃは、線路部１８ａ−ｃの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。主要導体２２ｄは、線路部１８ａ−ｄの表面に設けられ、ｙ軸方向に沿って延在している。主要導体２２ｅは、線路部１８ａ−ｅの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。主要導体２２ａ〜２２ｅは、この順に並ぶように接続されている。
端子導体２２ｆは、接続部１８ａ−ｆの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２２ｇは、主要導体２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子導体２２ｇは、接続部１８ａ−ｇの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２２ｇは、主要導体２２ｅのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
補助グランド導体２４は、図２ないし図６に示すように、信号線路２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。補助グランド導体２４には、信号線路２０に沿って並ぶ複数の開口３０が設けられている。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面に形成され、誘電体シート１８ｂを介して信号線路２０と対向している。補助グランド導体２４は、シールドとしても機能するグランド導体である。以下では、補助グランド導体２４のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、補助グランド導体２４のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｃの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｃの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃに接している面の表面粗さは補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
また、補助グランド導体２４は、図２ないし図６に示すように、線路導体２４ａ〜２４ｅ及び端子導体２４ｆ，２４ｇにより構成されている。主要導体２４ａは、線路部１８ｃ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。主要導体２４ｂは、線路部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、ｙ軸方向に沿って延在している。主要導体２４ｃは、線路部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。主要導体２４ｄは、線路部１８ｃ−ｄの表面に設けられ、ｙ軸方向に沿って延在している。主要導体２４ｅは、線路部１８ｃ−ｅの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。主要導体２４ａ〜２４ｅは、この順に並ぶように接続されている。
端子導体２４ｆは、接続部１８ｃ−ｆの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２４ｆは、主要導体２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子導体２４ｇは、接続部１８ｃ−ｇの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２４ｇは、主要導体２４ｅのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
また、主要導体２４ａ〜２４ｅには、図２ないし図６に示すように、ｘ軸方向に延在する長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。また、主要導体２４ａ〜２４ｅにおいて開口３０に挟まれた部分をブリッジ部９０と呼ぶ。ブリッジ部９０は、ｙ軸方向に延在している線状の導体である。これにより、主要導体２４ａ〜２４ｅは、梯子状をなしている。複数の開口３０及び複数のブリッジ部９０とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線路２０は、開口３０及びブリッジ部９０を横切っている。
また、補助グランド導体２４は、前記の通り、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように微調整を行うために設計されている。更に、補助グランド導体２４のブリッジ部９０のｘ軸方向の間隔は、使用帯域内において輻射ノイズが発生しないように設計される。
以上のように、信号線路２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図７及び図８に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔は、１００μｍである。一方、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図７及び図８に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、補助グランド導体２４と信号線路２０とのｚ軸方向における距離は、基準グランド導体２２と信号線路２０とのｚ軸方向における距離よりも小さくなるように設計されている。
外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｆの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０の線路導体２０ｆのｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、図１及び図３に示すように、接続部１８ａ−ｇの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０の線路導体２０ｇのｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。
外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
ビアホール導体ｂ１は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｆをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと線路導体２０ｆのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、図３に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｇをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと線路導体２０ｇのｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線路２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、誘電体シート１８ａに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
複数のビアホール導体Ｂ１は、図２ないし図５に示すように、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃ，１８ａ−ｅをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ１は、図２及び図３に示すように、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｅにおいて、各ブリッジ部９０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１は、図５に示すように、線路部１８ａ−ｂにおいて、各ブリッジ部９０よりもｘ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１は、図４に示すように、線路部１８ａ−ｃにおいて、各ブリッジ部９０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。ただし、ビアホール導体Ｂ１は、図６に示すように、線路部１８ａ−ｄには設けられていない。
複数のビアホール導体Ｂ２は、図２ないし図５に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｅをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２及び図３に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｅにおいて、各ブリッジ部９０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ２は、図５に示すように、線路部１８ｂ−ｂにおいて、各ブリッジ部９０よりもｘ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ２は、図４に示すように、線路部１８ｂ−ｃにおいて、各ブリッジ部９０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。ただし、ビアホール導体Ｂ２は、図６に示すように、線路部１８ｂ−ｄには設けられていない。
ビアホール導体Ｂ１とビアホール導体Ｂ２とは、互いに接続されることによって１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
複数のビアホール導体Ｂ３は、図２ないし図４及び図６に示すように、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄ，１８ａ−ｅをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ３は、図２及び図３に示すように、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｅにおいて、各ブリッジ部９０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ３は、図４に示すように、線路部１８ａ−ｃにおいて、各ブリッジ部９０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ３は、図６に示すように、線路部１８ａ−ｄにおいて、各ブリッジ部９０よりもｘ軸方向の負方向側に設けられており、ｙ軸方向に一列に並んでいる。ただし、ビアホール導体Ｂ３は、図５に示すように、線路部１８ａ−ｂには設けられていない。
複数のビアホール導体Ｂ４は、図２ないし図４及び図６に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄ，１８ｂ−ｅをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ４は、図２及び図３に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｅにおいて、各ブリッジ部９０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ４は、図４に示すように、線路部１８ｂ−ｃにおいて、各ブリッジ部９０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ４は、図６に示すように、線路部１８ｂ−ｄにおいて、各ブリッジ部９０よりもｘ軸方向の負方向側に設けられており、ｙ軸方向に一列に並んでいる。ただし、ビアホール導体Ｂ４は、図５に示すように、線路部１８ｂ−ｂには設けられていない。
ビアホール導体Ｂ３とビアホール導体Ｂ４とは、互いに接続されることによって１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
以上のように、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、図６に示すように、線路部１２ｄにおいて、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０の線路導体２０ｄよりもｘ軸方向の正方向側には設けられていない。すなわち、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部１２ｄにおいて線路導体２０ｄよりも線路部１２ｃ，１２ｅに近い領域にはビアホール導体が設けられていない。また、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、図５に示すように、線路部１２ｂにおいて、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０の線路導体２０ｂよりもｘ軸方向の負方向側には設けられていない。すなわち、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部１２ｂにおいて線路導体２０ｂよりも線路部１２ａ，１２ｃに近い領域にはビアホール導体が設けられていない。
保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ〜１４ｅ及び接続部１４ｆ，１４ｇにより構成されている。線路部１４ａ〜１４ｅは、線路部１８ａ−ａ〜１８ａ−ｅの表面の全面を覆うことにより、主要導体２２ａ〜２２ｅを覆っている。
接続部１４ｆは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｆの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｆには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｆの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｆは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
接続部１４ｇは、線路部１４ｅのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｇの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｇには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｇの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｇは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
以上のように構成された高周波信号線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線路２０において開口３０と重なっている部分では、信号線路２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、信号線路２０において開口３０と重なっている部分の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。
一方、信号線路２０においてブリッジ部９０と重なっている部分では、信号線路２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、信号線路２０においてブリッジ部９０と重なっている部分の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、開口３０とブリッジ部９０とはｘ軸方向に交互に並んでいる。そのため、信号線路２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、信号線路２０全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。
コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｆ，１２ｇの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図９は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図１０は、高周波信号線路１０の断面構造図である。
コネクタ１００ｂは、図９及び図１０に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。
外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子導体２２ｇに対応する位置に設けられている。
中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。
以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図９に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子導体２２ｇと接続されるように、接続部１２ｇの表面上に実装される。これにより、信号線路２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。
高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図１１は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図１２は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。図１３は、回路基板２０２ａ，２０２ｂに取り付ける際の高周波信号線路１０を示した図である。
高周波信号線路１０は、図１１及び図１２に示すように、電子機器２００に用いられる。電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。
筐体２１０は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。
ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線路２０に関して基準グランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の基準グランド導体２２が位置している。
ところで、高周波信号線路１０を回路基板２０２ａ，２０２ｂに取り付ける際には、コネクタ１００ａをｘ軸方向の負方向側に引っ張り、コネクタ１００ｂをｘ軸方向の正方向側に引っ張る。これにより、線路部１２ａがｘ軸方向の負方向側に引っ張られ、線路部１２ｅがｘ軸方向の正方向側に引っ張られる。そのため、線路部１２ｃのｘ軸方向の正方向側の端部が線路部１２ｂを介して線路部１２ａによりｘ軸方向の負方向側に引っ張られ、線路部１２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部が線路部１２ｄを介して線路部１２ｅによりｘ軸方向の負方向側に引っ張られる。その結果、線路部１２ｃは、ｙ軸方向の正方向側から平面視したときに、反時計回りに回転し、線路部１２ｂ，１２ｄにねじれが発生する。以上の動作により、引っ張られた状態の図１３におけるコネクタ１００ａ，１００ｂ間の距離は、引っ張られていない状態の図１におけるコネクタ１００ａ，１００ｂ間の距離よりも長くなる。よって、高周波信号線路１０の長さを一定調整することができるので、コネクタ１００ａ，１００ｂをコネクタ２０４ａ，２０４ｂに容易に装着することが可能となる。
（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２ないし図６を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。
まず、表面上の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの表面に銅箔を張り付ける。更に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、液晶ポリマーである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。
次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２ないし図６に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２ないし図６に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジスト除去液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２ないし図６に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。
次に、図２ないし図６に示す信号線路２０を誘電体シート１８ｂの表面上に形成する。更に、図２ないし図６に示す補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、信号線路２０及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。
次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。
次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねて誘電体素体１２を形成する。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを一体化する。
次に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。
最後に、接続部１２ｆ，１２ｇ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子導体２２ｆ，２２ｇ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。
（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が破損することを抑制できる。より詳細には、図１３に示すように、高周波信号線路１０が回路基板２０２ａ，２０２ｂに取り付けられる際には、コネクタ１００ａがｘ軸方向の負方向側に引っ張られ、コネクタ１００ｂがｘ軸方向の正方向側に引っ張られる。この際、線路部１２ｂにねじれが生じる。線路部１２ｂのｘ軸方向の負方向側の長辺には線路部１２ａのｘ軸方向の正方向側の端部及び線路部１２ｃのｘ軸方向の正方向側の端部が接続されている。そのため、線路部１２ｂにおいて線路導体２０ｂよりもｘ軸方向の負方向側の領域において大きなねじれが発生する。
そこで、高周波信号線路１０では、線路部１２ｂにおいて線路導体２０ｂよりもｘ軸方向の負方向側の領域には、ビアホール導体が設けられていない。これにより、線路部１２ｂがねじれることによって、ビアホール導体が破損することが抑制される。
また、コネクタ１００ａがｘ軸方向の負方向側に引っ張られ、コネクタ１００ｂがｘ軸方向の正方向側に引っ張られると、線路部１２ｄにもねじれが生じる。線路部１２ｄのｘ軸方向の正方向側の長辺には線路部１２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部及び線路部１２ｅのｘ軸方向の負方向側の端部が接続されている。そのため、線路部１２ｄにおいて線路導体２０ｄよりもｘ軸方向の正方向側の領域において大きなねじれが発生する。
そこで、高周波信号線路１０では、線路部１２ｄにおいて線路導体２０ｄよりもｘ軸方向の正方向側の領域には、ビアホール導体が設けられていない。これにより、線路部１２ｄがねじれることによって、ビアホール導体が破損することが抑制される。一方、線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅにはビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が設けられるので、その部分においてはグランド電位を安定させることができる。
また、高周波信号線路１０によれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路１０では、補助グランド導体２４には開口３０が設けられている。これにより、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に容量が形成されにくくなる。したがって、信号線路２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号線路１０によれば、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。
また、高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０がバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号線路１０は、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間にベタ状の基準グランド導体２２が位置するように、バッテリーパック２０６に貼り付けられる。これにより、信号線路２０とバッテリーパック２０６とが開口を介して対向しなくなり、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、高周波信号線路１０がバッテリーパック２０６に貼り付けられることによって、信号線路２０の特性インピーダンスが低下することが抑制される。
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１４及び図１５は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの分解図である。なお、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの外観斜視図については図１を援用する。
高周波信号線路１０ａは、線路部１２ｂ，１２ｄにビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が設けられていない点において高周波信号線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ａについて説明する。
図１４に示すように、線路部１２ｂにおいて、線路導体２０ｂのｘ軸方向の正方向側及び負方向側にビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が設けられていない。同様に、図１５に示すように、線路部１２ｄにおいて、線路導体２０ｄのｘ軸方向の正方向側及び負方向側にビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が設けられていない。
以上のように構成された高周波信号線路１０ａでは、線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅにはビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が設けられるが、ねじれが発生する線路部１２ｂ，１２ｄにはビアホール導体が設けられていない。これにより、ビアホール導体が破損することがより効果的に抑制される。
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１６ないし図２０は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの分解図である。なお、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの外観斜視図については図１を援用する。
高周波信号線路１０ｂは、信号線路２０及び補助グランド導体２４の形状において高周波信号線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｂについて説明する。
補助グランド導体２４の主要導体２４ａ，２４ｅには、図１６及び図１７に示すように、ｘ軸方向に延在する平行四辺形状をなす複数の開口３０，３２が設けられている。より詳細には、主要導体２４ａ，２４ｅは、複数の接続部７０，７２、辺７４，７６及び複数のブリッジ部７８，８０，８６，８８を有している。辺７４は、主要導体２４ａのｙ軸方向の負方向側の辺を構成している線状導体であり、ｘ軸方向に延在している。辺７６は、主要導体２４ａのｙ軸方向の正方向側の辺を構成している線状導体であり、ｘ軸方向に延在している。複数の接続部７０は、辺７４からｙ軸方向の正方向側に突出しており、半円状をなしている。複数の接続部７０は、ｘ軸方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の接続部７２は、辺７６からｙ軸方向の負方向側に突出しており、半円状をなしている。複数の接続部７２は、ｘ軸方向に等間隔に一列に並んでいる。接続部７０と接続部７２とはｘ軸方向において異なる位置に設けられている。本実施形態では、接続部７０と接続部７２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。そして、接続部７２は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つの接続部７０の中間に位置している。接続部７０は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つの接続部７２の中間に位置している。
ブリッジ部７８は、接続部７０からｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺７６に接続されている。ブリッジ部８０は、接続部７２からｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の負方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺７４に接続されている。ブリッジ部７８とブリッジ部８０とは平行である。これにより、辺７４，７６及びブリッジ部７８，８０に囲まれた領域に開口３０が形成されている。
ブリッジ部８６は、接続部７２からｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺７４に接続されている。ブリッジ部８８は、接続部７０からｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の負方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺７６に接続されている。ブリッジ部８６とブリッジ部８８とは平行である。これにより、辺７４，７６及びブリッジ部８６，８８に囲まれた領域に開口３２が形成されている。
ここで、主要導体２４ａ，２４ｅの辺７４には切り欠きＣ１が設けられている。切り欠きＣ１は、主要導体２４ａ，２４ｅにおいて接続部７２よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。これにより、切り欠きＣ１において、辺７４が分離されている。
また、主要導体２４ａ，２４ｅの辺７６には切り欠きＣ２が設けられている。切り欠きＣ２は、主要導体２４ａ，２４ｅにおいて接続部７０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。これにより、切り欠きＣ２において、辺７６が分離されている。
補助グランド導体２４の主要導体２４ｃには、図１８に示すように、ｘ軸方向に延在する平行四辺形状をなす複数の開口３０，３２が設けられている。主要導体２４ｃは、ｚ軸を中心として主要導体２４ａ，２４ｅを１８０度回転させた構造を有している。よって、主要導体２４ｃについて詳細な説明を省略する。
補助グランド導体２４の主要導体２４ｂは、図１９に示すように、接続部７２、辺７６及び複数のブリッジ部８０，８６を有している。辺７６は、主要導体２４ｂのｘ軸方向の正方向側の辺を構成している線状導体であり、ｙ軸方向に延在している。接続部７２は、辺７６からｘ軸方向の負方向側に突出しており、半円状をなしている。接続部７２は、辺７６のｙ軸方向の中央に設けられている。
ブリッジ部８０は、接続部７２からｘ軸方向の負方向側に進行しながらｙ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している線状導体である。ブリッジ部８０は、線路部１２ａの辺７４に接続されている。
ブリッジ部８６は、接続部７２からｘ軸方向の負方向側に進行しながらｙ軸方向の負方向側に進行するように傾斜している線状導体である。ブリッジ部８６は、線路部１２ｃの辺７４に接続されている。
ここで、主要導体２４ｂには、辺７４が設けられていない。これにより、切り欠きＣ１が設けられている。
補助グランド導体２４の主要導体２４ｄは、図２０に示すように、接続部７０、辺７４及び複数のブリッジ部７８，８８を有している。辺７４は、主要導体２４ｄのｘ軸方向の負方向側の辺を構成している線状導体であり、ｙ軸方向に延在している。接続部７０は、辺７４からｘ軸方向の正方向側に突出しており、半円状をなしている。接続部７０は、辺７４のｙ軸方向の中央に設けられている。
ブリッジ部７８は、接続部７０からｘ軸方向の正方向側に進行しながらｙ軸方向の負方向側に進行するように傾斜している線状導体である。ブリッジ部７８は、線路部１２ｅの辺７６に接続されている。
ブリッジ部８８は、接続部７０からｘ軸方向の正方向側に進行しながらｙ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している線状導体である。ブリッジ部８８は、線路部１２ｃの辺７６に接続されている。
ここで、主要導体２４ｄには、辺７６が設けられていない。これにより、切り欠きＣ２が設けられている。
複数のビアホール導体Ｂ１１は、図１６ないし図２０に示すように、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄ，１８ａ−ｅをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ１１は、図１６及び図１７に示すように、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｅにおいて、線路部１２ａ，１２ｅのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１１は、図１８に示すように、線路部１８ａ−ｃにおいて、線路部１２ｃのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１１は、図２０に示すように、線路部１８ａ−ｄにおいて、線路部１２ｄのｘ軸方向の中心線Ｌよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。ただし、ビアホール導体Ｂ１１は、図１９に示すように、線路部１８ａ−ｂには設けられていない。
複数のビアホール導体Ｂ１２は、図１６ないし図２０に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄ，１８ｂ−ｅをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ１２は、図１６及び図１７に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｅにおいて、線路部１２ａ，１２ｅのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１２は、図１８に示すように、線路部１８ｂ−ｃにおいて、線路部１２ｃのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１２は、図２０に示すように、線路部１８ｂ−ｄにおいて、線路部１２ｄのｘ軸方向の中心線Ｌよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。ただし、ビアホール導体Ｂ１２は、図１９に示すように、線路部１８ｂ−ｂには設けられていない。
ビアホール導体Ｂ１１とビアホール導体Ｂ１２とは、互いに接続されることによって１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４の接続部７０とを接続している。ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
複数のビアホール導体Ｂ１３は、図１６ないし図２０に示すように、線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ｂ，１８ａ−ｃ，１８ａ−ｅをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ１３は、図１６及び図１７に示すように、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｅにおいて、線路部１２ａ，１２ｅのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１３は、図１８に示すように、線路部１８ａ−ｃにおいて、線路部１２ｃのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１３は、図１９に示すように、線路部１８ａ−ｂにおいて、線路部１２ｂのｘ軸方向の中心線Ｌよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。ただし、ビアホール導体Ｂ１３は、図２０に示すように、線路部１８ａ−ｄには設けられていない。
複数のビアホール導体Ｂ１４は、図１６ないし図２０に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｅをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ１４は、図１６及び図１７に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｅにおいて、線路部１２ａ，１２ｅのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１４は、図１８に示すように、線路部１８ｂ−ｃにおいて、線路部１２ｃのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。また、複数のビアホール導体Ｂ１４は、図１９に示すように、線路部１８ｂ−ｂにおいて、線路部１２ｂのｘ軸方向の中心線Ｌよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。ただし、ビアホール導体Ｂ１４は、図２０に示すように、線路部１８ｂ−ｄには設けられていない。
ビアホール導体Ｂ１３とビアホール導体Ｂ１４とは、互いに接続されることによって１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４の接続部７２とを接続している。ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
以下では、高周波信号線路１０ｂの線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅにおいて、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２が設けられている区間を区間Ａ２と呼ぶ。高周波信号線路１０ｂの線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅにおいて、区間Ａ２とは、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２とｙ軸方向に重なる領域を意味する。また、高周波信号線路１０ｂの線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅにおいて、ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４が設けられている区間を区間Ａ３と呼ぶ。区間Ａ３とは、ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４とｙ軸方向に重なる領域を意味する。
ここで、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２とビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４とは、線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅではｘ軸方向において異なる位置に設けられている。本実施形態では、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２とビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。そして、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つのビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４の中間に位置している。ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つのビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２の中間に位置している。
また、高周波信号線路１０ｂの線路部１２ａ，１２ｃ，１２ｅにおいて、区間Ａ２と区間Ａ３とに挟まれた区間を区間Ａ１と呼ぶ。区間Ａ１は、ビアホール導体Ｂ１１〜Ｂ１４が設けられていない区間である。
ここで、信号線路２０は、図１６ないし図２０に示すように、蛇行している。まず、線路部１２ａ，１２ｅにおける線路導体２０ａ，２０ｅについて説明する。
区間Ａ１における線路導体２０ａ，２０ｅは、区間Ａ２における線路導体２０ａ，２０ｅよりもｙ軸方向の負方向側に位置している。更に、区間Ａ１における線路導体２０ａ，２０ｅは、区間Ａ３における線路導体２０ａ，２０ｅよりもｙ軸方向の正方向側に位置している。これにより、信号線路２０は、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２及びビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４を迂回している。
また、線路導体２０ａ，２０ｅは、太線部５０，５２，５４及び細線部５６，５８，６０，６２を有している。太線部５０，５２，５４の線幅は、線幅Ｗ１である。細線部５６，５８，６０，６２の線幅は、線幅Ｗ２である。線幅Ｗ１は、線幅Ｗ２よりも大きい。太線部５０は、区間Ａ１において、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｅのｙ軸方向の中心線Ｌ上をｘ軸方向に延在している。太線部５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０，３２と重なっている。よって、太線部５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。
太線部５２は、区間Ａ２において、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｅのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の正方向側をｘ軸方向に延在している。ただし、太線部５２のｘ軸方向の両端は、区間Ａ１にはみ出している。太線部５２は、ｚ軸方向から平面視したときに、切り欠きＣ２と重なっている。よって、太線部５２は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。
太線部５４は、区間Ａ３において、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｅのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の負方向側をｘ軸方向に延在している。ただし、太線部５４のｘ軸方向の両端は、区間Ａ１にはみ出している。太線部５４は、ｚ軸方向から平面視したときに、切り欠きＣ１と重なっている。よって、太線部５４は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。以上のような太線部５０，５２，５４の両端はテーパ形状をなしている。
細線部５６は、区間Ａ１において、太線部５２のｘ軸方向の正方向側の端部と太線部５０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。細線部５６は、ｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している。また、細線部５６は、図１６及び図１７に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部７８と重なっている。
細線部５８は、区間Ａ１において、太線部５０のｘ軸方向の正方向側の端部と太線部５４のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。細線部５８は、ｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している。また、細線部５８は、図１６及び図１７に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８０と重なっている。
細線部６０は、区間Ａ１において、太線部５０のｘ軸方向の正方向側の端部と太線部５２のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。細線部６０は、ｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している。また、細線部６０は、図１６及び図１７に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８８と重なっている。
細線部６２は、区間Ａ１において、太線部５４のｘ軸方向の正方向側の端部と太線部５０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。細線部６２は、ｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している。また、細線部６２は、図１６及び図１７に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８６と重なっている。
次に、線路部１２ｃにおける線路導体２０ｃについて説明する。線路導体２０ｃは、ｚ軸を中心として線路導体２０ａ，２０ｅを１８０度回転させた構造を有している。よって、線路導体２０ｃについて詳細な説明を省略する。
次に、線路部１２ｂにおける線路導体２０ｂについて説明する。線路導体２０ｂは、図１９に示すように、ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４を迂回している。より詳細には、線路導体２０ｂは、太線部５４及び細線部５８，６２を有している。太線部５４の線幅は、線幅Ｗ１である。細線部５８，６２の線幅は、線幅Ｗ２である。線幅Ｗ１は、線幅Ｗ２よりも大きい。
太線部５４は、線路部１２ｂのｙ軸方向の中央において、線路部１８ｂ−ｂのｘ軸方向の中心線Ｌよりもｘ軸方向の負方向側をｙ軸方向に延在している。太線部５４は、ｚ軸方向から平面視したときに、切り欠きＣ１と重なっている。よって、太線部５４は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。以上のような太線部５４の両端はテーパ形状をなしている。
細線部５８は、太線部５４のｙ軸方向の正方向側の端部と線路部１２ａの太線部５０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。また、細線部５８は、図１９に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８０と重なっている。
細線部６２は、太線部５４のｙ軸方向の負方向側の端部と線路部１２ｃの太線部５０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。また、細線部６２は、図１９に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８６と重なっている。
次に、線路部１２ｄにおける線路導体２０ｄについて説明する。線路導体２０ｄは、図２０に示すように、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２を迂回している。より詳細には、線路導体２０ｄは、太線部５２及び細線部５６，６０を有している。太線部５２の線幅は、線幅Ｗ１である。細線部５６，６０の線幅は、線幅Ｗ２である。線幅Ｗ１は、線幅Ｗ２よりも大きい。
太線部５２は、線路部１２ｄのｙ軸方向の中央において、線路部１８ｂ−ｄのｘ軸方向の中心線Ｌよりもｘ軸方向の正方向側をｙ軸方向に延在している。太線部５２は、ｚ軸方向から平面視したときに、切り欠きＣ２と重なっている。よって、太線部５２は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。以上のような太線部５２の両端はテーパ形状をなしている。
細線部５６は、太線部５２のｙ軸方向の負方向側の端部と線路部１２ｅの太線部５０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。また、細線部５６は、図２０に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部７８と重なっている。
細線部６０は、太線部５２のｙ軸方向の正方向側の端部と線路部１２ｃの太線部５０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。また、細線部６０は、図２０に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８８と重なっている。
（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、ビアホール導体が破損することを抑制できる。また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０のように信号線路２０に沿って２つずつのビアホール導体を形成する必要がない。したがって、信号線路２０を幅を大きくすることができ、伝送ロスを低減させることができる。また、高周波信号線路１０のように線路部１２ｂ，１２ｄにおいてビアホール導体の配置バランスを異ならせる必要がない。したがって、線路部１２ｂ，１２ｄにおいて、他の線路部とグランド電位のバランスが崩れることを抑制できる。
（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図２１は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃをｚ軸方向から平面視した図である。図２１では、線路部１２ａ〜１２ｅの境界については点線で示した。
高周波信号線路１０ｃは、線路部１２ａ〜１２ｃの接続部分及び線路部１２ｃ〜１２ｅの接続部分の構成において高周波信号線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｃについて説明する。
線路部１２ａ〜１２ｃが接続されることにより形成されている内周部分は、円形に打ち抜かれている。これにより、円形の孔Ｈ１が形成されている。同様に、線路部１２ｃ〜１２ｅが接続されることにより形成されている内周部分は、円形に打ち抜かれている。これにより、円形の孔Ｈ２が形成されている。
以上のように構成された高周波信号線路１０ｃでは、高周波信号線路１０と同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が破損することを抑制できる。
また、高周波信号線路１０ｃでは、線路部１２ａ〜１２ｃが接続されることにより形成されている内周部分に角が存在しない。よって、線路部１２ｂにねじれが発生した際に、内周部分の角から線路部１２ｂが破れることが抑制される。
同様に、線路部１２ｃ〜１２ｅが接続されることにより形成されている内周部分に角が存在しない。よって、線路部１２ｄにねじれが発生した際に、内周部分の角から線路部１２ｄが破れることが抑制される。
（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図２２は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄをｚ軸方向から平面視した図である。図２２では、線路部１２ａ〜１２ｅの境界については点線で示した。
高周波信号線路１０ｄは、孔Ｈ１，Ｈ２の位置において高周波信号線路１０ｃと相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｄについて説明する。
高周波信号線路１０ｄの孔Ｈ１は、高周波信号線路１０ｃの孔Ｈ１よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。これにより、高周波信号線路１０ｄでは、孔Ｈ１は、線路部１２ｃには突出せず、線路部１２ａにのみ突出している。
また、高周波信号線路１０ｄの孔Ｈ２は、高周波信号線路１０ｃの孔Ｈ２よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。これにより、高周波信号線路１０ｄでは、孔Ｈ２は、線路部１２ｃには突出せず、線路部１２ｅにのみ突出している。
以上のように構成された高周波信号線路１０ｄでは、高周波信号線路１０ｃと同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が破損することを抑制できる。
また、高周波信号線路１０ｄでは、線路部１２ａ〜１２ｃが接続されることにより形成されている内周部分に角が存在しない。よって、線路部１２ｂにねじれが発生した際に、内周部分の角から線路部１２ｂが破れることが抑制される。
同様に、線路部１２ｃ〜１２ｅが接続されることにより形成されている内周部分に角が存在しない。よって、線路部１２ｄにねじれが発生した際に、内周部分の角から線路部１２ｄが破れることが抑制される。
また、孔Ｈ１，Ｈ２が線路部１２ｃに突出していないので、高周波信号線路１０ｄの孔Ｈ１，Ｈ２の直径を高周波信号線路１０ｃの孔Ｈ１，Ｈ２の直径よりも小さくすることができる。これにより、線路部１２ｃ内において、信号線路２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４及びビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の設計の自由度が高くなる。
（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図２３は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅをｚ軸方向から平面視した図である。図２４は、複数の高周波信号線路１０ｅの集合体であるマザー積層体３００を平面視した図である。図２３では、線路部１２ａ〜１２ｅの境界については点線で示した。
高周波信号線路１０ｅは、外縁が長方形状をなしている点において高周波信号線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｅについて説明する。
高周波信号線路１０ｅでは、誘電体素体１２のｙ軸方向の中心よりもｙ軸方向の正方向側においてｘ軸方向に延在するカット線Ｃ１１が設けられている。カット線Ｃ１１は、誘電体素体１２のｘ軸方向の負方向側の短辺からｘ軸方向の正方向側に向かって延在している。ただし、カット線Ｃ１１は、誘電体素体１２のｘ軸方向の正方向側の短辺には到達していない。これにより、線路部１２ａ〜１２ｃが形成されている。
また、高周波信号線路１０ｅでは、誘電体素体１２のｙ軸方向の中心よりもｙ軸方向の負方向側においてｘ軸方向に延在するカット線Ｃ１２が設けられている。カット線Ｃ１２は、誘電体素体１２のｘ軸方向の正方向側の短辺からｘ軸方向の負方向側に向かって延在している。ただし、カット線Ｃ１２は、誘電体素体１２のｘ軸方向の負方向側の短辺には到達していない。これにより、線路部１２ｃ〜１２ｅが形成されている。
以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｅにおいても、高周波信号線路１０ａと同様に、ビアホール導体が破損することが抑制される。
また、高周波信号線路１０ｅは、長方形状をなしている。そのため、図２４に示すように、マザー積層体３００において隙間を形成することなく高周波信号線路１０ｅをマトリクス状に配列することが可能となる。その結果、マザー積層体３００からより多くの高周波信号線路１０ｅを作製することが可能となる。
（第６の変形例）
以下に、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図２５は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｆをｚ軸方向から平面視した図である。図２５では、線路部１２ａ〜１２ｅの境界については点線で示した。
高周波信号線路１０ｆは、カット線Ｃ１１のｘ軸方向の正方向側の端部に孔Ｈ４が形成されており、カット線Ｃ１２のｘ軸方向の負方向側の端部に孔Ｈ５が形成されている点において高周波信号線路１０ｅと相違する。
以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｆにおいても、高周波信号線路１０ｅと同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が破損することが抑制される。
高周波信号線路１０ｆでは、カット線Ｃ１１のｘ軸方向の正方向側の端部に円形の孔Ｈ４が設けられることにより、線路部１２ｂにねじれが発生した際に、線路部１２ｂが破れることが抑制される。
同様に、カット線Ｃ１２のｘ軸方向の負方向側の端部に円形の孔Ｈ５が設けられることにより、線路部１２ｄにねじれが発生した際に、線路部１２ｄが破れることが抑制される。
（第７の変形例）
以下に、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図２６は、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｇをｚ軸方向から平面視した図である。図２６では、線路部１２ａ〜１２ｅの境界については点線で示した。
高周波信号線路１０ｇは、カット線Ｃ１１，Ｃ１２の形状において高周波信号線路１０ｅと相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｇについて説明する。
高周波信号線路１０ｇでは、カット線Ｃ１１，Ｃ１２は、Ｌ字型をなしている。より詳細には、カット線Ｃ１１は、誘電体素体１２のｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の負方向側の角近傍からｙ軸方向の正方向側に向かって延在した後に、ｘ軸方向の正方向側に折れ曲がっている。また、線路部１２ａと線路部１２ｃとの間には隙間が形成されるように打ち抜かれている。
カット線Ｃ１２は、誘電体素体１２のｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の正方向側の角近傍からｙ軸方向の負方向側に向かって延在した後に、ｘ軸方向の負方向側に折れ曲がっている。また、線路部１２ｃと線路部１２ｅとの間には隙間が形成されるように打ち抜かれている。
以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｇにおいても、高周波信号線路１０ｅと同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が破損することが抑制される。
（第８の変形例）
以下に、第８の変形例に係る高周波信号線路１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図２７は、第８の変形例に係る高周波信号線路１０ｈをｚ軸方向から平面視した図である。図２７では、線路部１２ａ〜１２ｅの境界については点線で示した。
高周波信号線路１０ｈは、接続部１２ｆと線路部１２ｄとの間に隙間が形成されている点、及び、接続部１２ｇと線路部１２ｂとの間に隙間が形成されている点において、高周波信号線路１０ｇと相違する。
以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｈにおいても、高周波信号線路１０ｇと同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が破損することが抑制される。
（第９の変形例）
以下に、第９の変形例に係る高周波信号線路１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図２８は、第９の変形例に係る高周波信号線路１０ｉをｚ軸方向から平面視した図である。図２８では、線路部１２ａ〜１２ｅの境界については点線で示した。
高周波信号線路１０ｉは、ｘ軸方向の長さにおいて高周波信号線路１０ｈと相違する。具体的には、高周波信号線路１０ｉのｘ軸方向の長さは、高周波信号線路１０ｈのｘ軸方向の長さよりも長い。
以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｉにおいても、高周波信号線路１０ｇと同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が破損することが抑制される。
（第１０の変形例）
以下に、第１０の変形例に係る高周波信号線路１０ｊについて図面を参照しながら説明する。図２９Ａは、第１０の変形例に係る高周波信号線路１０ｊの線路部１２ａ〜１２ｃをｚ軸方向から平面視した図である。図２９Ｂは、第１０の変形例に係る高周波信号線路１０ｊの線路部１２ｃ〜１２ｅをｚ軸方向から平面視した図である。
高周波信号線路１０ｊは、ビアホール導体の間隔において高周波信号線路１０ａと相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｊについて説明する。
図２９Ａに示すように、線路部１２ａにおいてｘ軸方向の正方向側の端部に対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂａと呼ぶ。また、線路部１２ｃにおいてｘ軸方向の正方向側の端部に対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｂと呼ぶ。更に、信号線路２０においてビアホール導体Ｂａに最も近接している部分を部分Ｐａとする。信号線路２０においてビアホール導体Ｂｂに最も近接している部分を部分Ｐｂとする。このとき、部分Ｐａと部分Ｐｂとの間の信号線路２０の長さＬａは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／２以下が好ましく、１／４以下がより好ましい。例えば、高周波信号の周波数が２ＧＨzである場合には、部分Ｐａと部分Ｐｂとの間の信号線路２０の長さＬａは、高周波信号の１／４以下である場合には０．０３７５ｍ以下である。
図２９Ｂに示すように、線路部１２ｃにおいてｘ軸方向の負方向側の端部に対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｃと呼ぶ。また、線路部１２ｅにおいてｘ軸方向の負方向側の端部に対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｄと呼ぶ。更に、信号線路２０においてビアホール導体Ｂｃに最も近接している部分を部分Ｐｃとする。信号線路２０においてビアホール導体Ｂｄに最も近接している部分を部分Ｐｄとする。このとき、部分Ｐｃと部分Ｐｄとの間の信号線路２０の長さＬｂは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／２以下が好ましく、１／４以下がより好ましい。例えば、高周波信号の周波数が２ＧＨzである場合には、部分Ｐｃと部分Ｐｄとの間の信号線路２０の長さＬｂは、高周波信号の１／４以下である場合には０．０３７５ｍ以下である。
以上のように構成された高周波信号線路１０ｊによれば、高周波信号線路１０ａと同様に、ビアホール導体が破損することがより効果的に抑制される。
また、高周波信号線路１０ｊによれば、線路部１２ｂ，１２ｄ及びその近傍からｘ軸方向及びｙ軸方向にノイズが放射されることが抑制される。以下に、線路部１２ｂを例に挙げて説明する。図２９Ａに示すように、部分Ｐａ，Ｐｂでは、信号線路２０にビアホール導体Ｂａ，Ｂｂが近接しているので、これらの間において容量が形成されている。そのため、部分Ｐａ，Ｐｂにおける信号線路２０の特性インピーダンスは、部分Ｐａと部分Ｐｂとの間における信号線路２０の特性インピーダンスよりも低い。よって、部分Ｐａ，Ｐｂにおいて高周波信号の反射が発生し、部分Ｐａと部分Ｐｂとの間において部分Ｐａ，Ｐｂを腹とする定在波が発生する。このような定在波は、ノイズの原因となるおそれがある。
そこで、高周波信号線路１０ｊでは、部分Ｐａと部分Ｐｂとの間の信号線路２０の長さＬａは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／２以下である。これにより、部分Ｐａと部分Ｐｂとの間において定在波が発生することが抑制される。その結果、線路部１２ｂ及びその近傍からｘ軸方向及びｙ軸方向にノイズが放射されることが抑制される。同じ理由により、線路部１２ｄ及びその近傍からｘ軸方向及びｙ軸方向にノイズが放射されることが抑制される。
また、高周波信号線路１０ｊでは、線路部１２ｂ，１２ｄ及びその近傍において、信号線路２０を伝送される高周波信号にノイズが混入することが抑制される。以下に、線路部１２ｂ及びその近傍を例に挙げて説明する。
信号線路２０はｚ軸方向の両側から基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とにより挟まれているので、信号線路２０からｚ軸方向にノイズが放射されることが抑制されている。一方、信号線路２０のｘ軸方向又はｙ軸方向には、ビアホール導体しか存在しない。そのため、信号線路２０からｘ軸方向又はｙ軸方向にノイズが放射されやすい。
ここで、線路部１２ａと線路部１２ｂとの接続部分では、線路部１２ａの線路導体２０ａと線路部１２ｂの線路導体２０ｂとが近接する。そのため、図２９Ａの矢印Ｍに示すように、線路部１２ａからｘ軸方向又はｙ軸方向にノイズが放射されると、信号線路１２ｂを伝送される高周波信号にノイズが混入するおそれがある。同様に、図２９Ａの矢印Ｍに示すように、線路部１２ｂからｘ軸方向又はｙ軸方向にノイズが放射されると、信号線路１２ａを伝送される高周波信号にノイズが混入するおそれがある。その結果、線路部１２ａと線路部１２ｂとが電磁界結合し、伝送ロスが発生するおそれがある。
そこで、高周波信号線路１０ｊでは、部分Ｐａと部分Ｐｂとの間の信号線路２０の長さＬａは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／４以下である。これにより、部分Ｐａと部分Ｐｂとの間において、信号線路２０を伝送される高周波信号の２倍以下の周波数を有する定在波が発生することが抑制される。例えば、信号線路２０を伝送される高周波信号の周波数が２ＧＨzである場合には、４ＧＨｚ以下の定在波が発生することが抑制される。信号線路２０を伝送される高周波信号の周波数が２ＧＨｚである場合には、一般的に、信号線路２０には１ＧＨｚ〜３ＧＨｚの帯域幅を有する高周波信号が伝送される。よって、４ＧＨｚ以下の定在波の発生が抑制されることにより、信号線路２０を伝送される高周波信号の帯域内の周波数を有するノイズの発生が抑制されることになる。その結果、高周波信号線路１０ｊでは、線路部１２ｂ及びその近傍において、信号線路２０を伝送される高周波信号にノイズが混入することが抑制される。同じ理由により、線路部１２ｄ及びその近傍において、信号線路２０を伝送される高周波信号にノイズが混入することが抑制される。
（第１１の変形例）
以下に、第１１の変形例に係る高周波信号線路１０ｋについて図面を参照しながら説明する。図３０Ａは、第１１の変形例に係る高周波信号線路１０ｋの線路部１２ａ〜１２ｃをｚ軸方向から平面視した図である。図３０Ｂは、第１１の変形例に係る高周波信号線路１０ｋの線路部１２ｃ〜１２ｅをｚ軸方向から平面視した図である。
高周波信号線路１０ｋは、ビアホール導体の間隔において高周波信号線路１０ｂと相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｋについて説明する。
図３０Ａに示すように、線路部１２ａにおいてｘ軸方向の正方向側の端部に対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｅと呼ぶ。線路部１２ｃにおいてｘ軸方向の正方向側の端部に対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｆと呼ぶ。また、線路部１２ｂにおいて該線路部１２ａに対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｇと呼ぶ。線路部１２ｂには、ビアホール導体は、ビアホール導体Ｂｇのみが設けられている。よって、ビアホール導体Ｂｇは、線路部１２ｂにおいて該線路部１２ｃに対しても最も近くに設けられている。
更に、信号線路２０においてビアホール導体Ｂｅに最も近接している部分を部分Ｐｅとする。信号線路２０においてビアホール導体Ｂｆに最も近接している部分を部分Ｐｆとする。信号線路２０においてビアホール導体Ｂｇに最も近接している部分を部分Ｐｇとする。このとき、部分Ｐｅと部分Ｐｇとの間の信号線路２０の長さＬｃは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／２以下が好ましく、１／４以下がより好ましい。同様に、部分Ｐｆと部分Ｐｇとの間の信号線路２０の長さＬｄは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／２以下が好ましく、１／４以下がより好ましい。
図３０Ｂに示すように、線路部１２ｃにおいてｘ軸方向の負方向側の端部に対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｈと呼ぶ。線路部１２ｅにおいてｘ軸方向の負方向側の端部に対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｉと呼ぶ。また、線路部１２ｄにおいて該線路部１２ｃに対して最も近くに設けられているビアホール導体をビアホール導体Ｂｊと呼ぶ。線路部１２ｄには、ビアホール導体は、ビアホール導体Ｂｊのみが設けられている。よって、ビアホール導体Ｂｊは、線路部１２ｄにおいて該線路部１２ｅに対しても最も近くに設けられている。
更に、信号線路２０においてビアホール導体Ｂｈに最も近接している部分を部分Ｐｈとする。信号線路２０においてビアホール導体Ｂｉに最も近接している部分を部分Ｐｉとする。信号線路２０においてビアホール導体Ｂｊに最も近接している部分を部分Ｐｊとする。このとき、部分Ｐｈと部分Ｐｊとの間の信号線路２０の長さＬｅは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／２以下が好ましく、１／４以下がより好ましい。同様に、部分Ｐｉと部分Ｐｊとの間の信号線路２０の長さＬｆは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／２以下が好ましく、１／４以下がより好ましい。
以上のように構成された高周波信号線路１０ｋによれば、高周波信号線路１０ｂと同様に、ビアホール導体が破損することがより効果的に抑制される。
また、高周波信号線路１０ｋによれば、線路部１２ｂ，１２ｄ及びその近傍からｘ軸方向及びｙ軸方向にノイズが放射されることが抑制される。以下に、線路部１２ｂを例に挙げて説明する。図３０Ａに示すように、部分Ｐｅ，Ｐｇでは、信号線路２０にビアホール導体Ｂｅ，Ｂｇが近接しているので、これらの間において容量が形成されている。そのため、部分Ｐｅ，Ｐｇにおける信号線路２０の特性インピーダンスは、部分Ｐｅと部分Ｐｇとの間における信号線路２０の特性インピーダンスよりも低い。よって、部分Ｐｅ，Ｐｇにおいて高周波信号の反射が発生し、部分Ｐｅと部分Ｐｇとの間において部分Ｐｅ，Ｐｇを腹とする定在波が発生する。このような定在波は、ノイズの原因となるおそれがある。
そこで、高周波信号線路１０ｋでは、部分Ｐｅと部分Ｐｇとの間の信号線路２０の長さＬｃは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／２以下である。これにより、部分Ｐｅと部分Ｐｇとの間において定在波が発生することが抑制される。同様の理由により、部分Ｐｆと部分Ｐｇとの間において定在波が発生することが抑制される。その結果、線路部１２ｂ及びその近傍からｘ軸方向及びｙ軸方向にノイズが放射されることが抑制される。同じ理由により、線路部１２ｄ及びその近傍からｘ軸方向及びｙ軸方向にノイズが放射されることが抑制される。
また、高周波信号線路１０ｋでは、線路部１２ｂ，１２ｄ及びその近傍において、信号線路２０を伝送される高周波信号にノイズが混入することが抑制される。以下に、線路部１２ｂ及びその近傍を例に挙げて説明する。
信号線路２０はｚ軸方向の両側から基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とにより挟まれているので、信号線路２０からｚ軸方向にノイズが放射されることが抑制されている。一方、信号線路２０のｘ軸方向又はｙ軸方向には、ビアホール導体しか存在しない。そのため、信号線路２０からｘ軸方向又はｙ軸方向にノイズが放射されやすい。
ここで、線路部１２ａと線路部１２ｂとの接続部分では、線路部１２ａの線路導体２０ａと線路部１２ｂの線路導体２０ｂとが近接する。そのため、図３０Ａの矢印Ｍに示すように、線路部１２ａからｘ軸方向又はｙ軸方向にノイズが放射されると、信号線路１２ｂを伝送される高周波信号にノイズが混入するおそれがある。同様に、図３０Ａの矢印Ｍに示すように、線路部１２ｂからｘ軸方向又はｙ軸方向にノイズが放射されると、信号線路１２ａを伝送される高周波信号にノイズが混入するおそれがある。その結果、線路部１２ａと線路部１２ｂとが電磁界結合し、伝送ロスが発生するおそれがある。
そこで、高周波信号線路１０ｋでは、部分Ｐｅと部分Ｐｇとの間の信号線路２０の長さＬｃは、信号線路２０を伝送される高周波信号の波長の１／４以下である。これにより、部分Ｐｅと部分Ｐｇとの間において、信号線路２０を伝送される高周波信号の２倍以下の周波数を有する定在波が発生することが抑制される。同じ理由により、部分Ｐｆと部分Ｐｇとの間において、信号線路２０を伝送される高周波信号の２倍以下の周波数を有する定在波が発生することが抑制される。例えば、信号線路２０を伝送される高周波信号の周波数が２ＧＨzである場合には、４ＧＨｚ以下の定在波が発生することが抑制される。信号線路２０を伝送される高周波信号の周波数が２ＧＨｚである場合には、一般的に、信号線路２０には１ＧＨｚ〜３ＧＨｚの帯域幅を有する高周波信号が伝送される。よって、４ＧＨｚ以下の定在波の発生が抑制されることにより、信号線路２０を伝送される高周波信号の帯域内の周波数を有するノイズの発生が抑制されることになる。その結果、高周波信号線路１０ｋでは、線路部１２ｂ及びその近傍において、信号線路２０を伝送される高周波信号にノイズが混入することが抑制される。同じ理由により、線路部１２ｄ及びその近傍において、信号線路２０を伝送される高周波信号にノイズが混入することが抑制される。
なお、線路部１２ｂに複数のビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４が設けられていてもよい。同様に、線路部１２ｄに複数のビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２が設けられていてもよい。
（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｋに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｋの構成を組み合わせてもよい。
保護層１４は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｋにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｋの端部と回路基板とがはんだ等によって接続される。なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｋの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。
なお、ビアホール導体の代わりに、スルーホール導体が用いられてもよい。スルーホール導体とは、誘電体素体１２に設けられた貫通孔の内周面にめっき等の手段により導体を形成した層間接続部である。
なお、補助グランド導体２４には開口９０が設けられていなくてもよい。
なお、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、線路部１２ａ，１２ｂ，１２ｅの全てに設けられている必要はなく、少なくとも１つの線路部にのみ設けられていてもよい。ただし、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、グランド電位の安定化のために、線路部１２ａ，１２ｂ，１２ｅの全てに設けられていることが好ましい。
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｋは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。
以上のように、本発明は、高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に有用であり、特に、層間接続導体が破損することを抑制できる点において優れている。
Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ１１〜Ｂ１４ ビアホール導体
１０，１０ａ〜１０ｋ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１２ａ〜１２ｇ 線路部
１４ 保護層
１８ａ〜１８ｃ 誘電体シート
２０ 信号線路
２２ 基準グランド導体
２４ 補助グランド導体
３０，３２ 開口
１００ａ，１００ｂ コネクタ
２００ 電子機器
本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の誘電体シートが積層されて構成されている誘電体素体であって、所定方向に延在している第１の線路部と、該第１の線路部に沿って延在している第２の線路部と、該第１の線路部の該所定方向における一方側の端部と該第２の線路部の該所定方向における一方側の端部とを接続し、かつ、該第１の線路部及び該第２の線路部よりも短い第３の線路部と、を含んでいる誘電体素体と、前記第１の線路部、前記第２の線路部、及び前記第３の線路部に沿って延在している信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられることにより該信号線路と対向している第１のグランド導体と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられることにより該信号線路と対向している第２のグランド導体と、前記誘電体シートを貫通することにより、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続している１以上の層間接続導体と、を備えており、前記層間接続導体は、前記第３の線路部において、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも前記所定方向の他方側には設けられておらず、かつ、前記第１の線路部及び前記第２の線路部の少なくとも一方において設けられていること、を特徴とする。
本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収納されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、可撓性を有する複数の誘電体シートが積層されて構成されている誘電体素体であって、所定方向に延在している第１の線路部と、該第１の線路部に沿って延在している第２の線路部と、該第１の線路部の該所定方向における一方側の端部と該第２の線路部の該所定方向における一方側の端部とを接続し、かつ、該第１の線路部及び該第２の線路部よりも短い第３の線路部と、を含んでいる誘電体素体と、前記第１の線路部、前記第２の線路部及び前記第３の線路部に沿って延在している信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられることにより該信号線路と対向している第１のグランド導体と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられることにより該信号線路と対向している第２のグランド導体と、前記誘電体シートを貫通することにより、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続している１以上の層間接続導体と、を備えており、前記層間接続導体は、前記第３の線路部において、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも前記所定方向の他方側には設けられておらず、かつ、前記第１の線路部及び前記第２の線路部の少なくとも一方において設けられていること、を特徴とする。

Claims (11)

  1. 可撓性を有する複数の誘電体シートが積層されて構成されている誘電体素体であって、所定方向に延在している第１の線路部と、該第１の線路部に沿って延在している第２の線路部と、該第１の線路部の該所定方向における一方側の端部と該第２の線路部の該所定方向における一方側の端部とを接続し、かつ、該第１の線路部及び該第２の線路部よりも短い第３の線路部と、を含んでいる誘電体素体と、
    前記第１の線路部、前記第２の線路部、及び前記第３の線路部に沿って延在している信号線路と、
    前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられることにより該信号線路と対向している第１のグランド導体と、
    前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられることにより該信号線路と対向している第２のグランド導体と、
    前記第１の線路部及び前記第２の線路部の少なくとも一方において設けられ、かつ、前記誘電体シートを貫通することにより、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続している１以上の層間接続導体と、
    を備えており、
    前記層間接続導体は、前記第３の線路部において、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも前記所定方向の他方側には設けられていないこと、
    を特徴とする高周波信号線路。
  2. 前記層間接続導体は、前記第３の線路部には設けられていないこと、
    を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
  3. 前記第１の線路部において前記所定方向における一方側の端部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第１の層間接続導体とし、前記第２の線路部において該所定方向における一方側の端部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第２の層間接続導体とし、
    前記信号線路において前記第１の層間接続導体に最も近接している第１の部分と該信号線路において前記第２の層間接続導体に最も近接している第２の部分との間における該信号線路の長さは、該信号線路を伝送される電磁波の波長の１／４以下であること、
    を特徴とする請求項２に記載の高周波信号線路。
  4. 前記誘電体素体は、前記第２の線路部に関して前記第１の線路部の反対側に設けられ、かつ、該第２の線路部に沿って延在している第４の線路部と、該第２の線路部の前記所定方向における他方側の端部と該第４の線路部の該所定方向における他方側の端部とを接続し、かつ、該第２の線路部及び該第４の線路部よりも短い第５の線路部と、を更に含んでおり、
    前記層間接続導体は、前記第５の線路部において、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも前記所定方向の一方側には設けられていないこと、
    を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
  5. 前記層間接続導体は、前記第５の線路部には設けられておらず、
    前記第２の線路部において前記所定方向における他方側の端部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第３の層間接続導体とし、前記第４の線路部において該所定方向における他方側の端部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第４の層間接続導体とし、
    前記信号線路において前記第３の層間接続導体に最も近接している第３の部分と該信号線路において前記第４の層間接続導体に最も近接している第４の部分との間における該信号線路の長さは、該信号線路を伝送される電磁波の波長の１／４以下であること、
    を特徴とする請求項４に記載の高周波信号線路。
  6. 前記第１の線路部が前記所定方向の他方側に引っ張られ、かつ、前記第５の線路部が該所定方向の一方側に引っ張られること、
    を特徴とする請求項４又は請求項５のいずれかに記載の高周波信号線路。
  7. 前記層間接続導体は、前記第１の線路部ないし前記第３の線路部に設けられており、
    前記第１の線路部において前記所定方向における一方側の端部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第５の層間接続導体とし、前記第３の線路部において該第１の線路部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第６の層間接続導体とし、
    前記信号線路において前記第５の層間接続導体に最も近接している第５の部分と該信号線路において前記第６の層間接続導体に最も近接している第６の部分との間における該信号線路の長さは、該信号線路を伝送される電磁波の波長の１／４以下であること、
    を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
  8. 前記第２の線路部において前記所定方向における一方側の端部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第７の層間接続導体とし、前記第３の線路部において該第２の線路部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第８の層間接続導体とし、
    前記信号線路において前記第７の層間接続導体に最も近接している第７の部分と該信号線路において前記第８の層間接続導体に最も近接している第８の部分との間における該信号線路の長さは、該信号線路を伝送される電磁波の波長の１／４以下であること、
    を特徴とする請求項７に記載の高周波信号線路。
  9. 前記誘電体素体は、前記第２の線路部に関して前記第１の線路部の反対側に設けられ、かつ、該第２の線路部に沿って延在している第４の線路部と、該第２の線路部の前記所定方向における他方側の端部と該第４の線路部の該所定方向における他方側の端部とを接続し、かつ、該第２の線路部及び該第４の線路部よりも短い第５の線路部と、を更に含んでおり、
    前記層間接続導体は、前記第５の線路部において、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも前記所定方向の一方側には設けられておらず、
    前記層間接続導体は、前記第２の線路部、前記第４の線路部及び前記第５の線路部に設けられており、
    前記第２の線路部において前記所定方向における他方側の端部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第９の層間接続導体とし、前記第５の線路部において該第２の線路部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第１０の層間接続導体とし、
    前記信号線路において前記第９の層間接続導体に最も近接している第９の部分と該信号線路において前記第１０の層間接続導体に最も近接している第１０の部分との間における該信号線路の長さは、該信号線路を伝送される電磁波の波長の１／４以下であること、
    を特徴とする請求項７又は請求項８のいずれかに記載の高周波信号線路。
  10. 前記第４の線路部において前記所定方向における他方側の端部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第１１の層間接続導体とし、前記第５の線路部において該第４の線路部に対して最も近くに設けられている前記層間接続導体を第１２の層間接続導体とし、
    前記信号線路において前記第１１の層間接続導体に最も近接している第１１の部分と該信号線路において前記第１２の層間接続導体に最も近接している第１２の部分との間における該信号線路の長さは、該信号線路を伝送される電磁波の波長の１／４以下であること、
    を特徴とする請求項９に記載の高周波信号線路。
  11. 筐体と、
    前記筐体に収納されている高周波信号線路と、
    を備えており、
    前記高周波信号線路は、
    可撓性を有する複数の誘電体シートが積層されて構成されている誘電体素体であって、所定方向に延在している第１の線路部と、該第１の線路部に沿って延在している第２の線路部と、該第１の線路部の該所定方向における一方側の端部と該第２の線路部の該所定方向における一方側の端部とを接続し、かつ、該第１の線路部及び該第２の線路部よりも短い第３の線路部と、を含んでいる誘電体素体と、
    前記第１の線路部、前記第２の線路部及び前記第３の線路部に沿って延在している信号線路と、
    前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられることにより該信号線路と対向している第１のグランド導体と、
    前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられることにより該信号線路と対向している第２のグランド導体と、
    前記第１の線路部及び前記第２の線路部の少なくとも一方において設けられ、かつ、前記誘電体シートを貫通することにより、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続している１以上の層間接続導体と、
    を備えており、
    前記層間接続導体は、前記第３の線路部において、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも前記所定方向の他方側には設けられていないこと、
    を特徴とする電子機器。
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