JPWO2014045653A1 - Method for manufacturing glass substrate for information recording medium, method for manufacturing information recording medium, and polishing pad - Google Patents

Method for manufacturing glass substrate for information recording medium, method for manufacturing information recording medium, and polishing pad Download PDF

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Abstract

この情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、研磨パッド(410)にスラリーを供給した状態において、研磨パッド(410)のガラス基板(1)への吸着力は、0.50g/cm2以上、15g/cm2以下である。In this method of manufacturing a glass substrate for information recording medium, in a state where slurry is supplied to the polishing pad (410), the adsorption force of the polishing pad (410) to the glass substrate (1) is 0.50 g / cm 2 or more, 15 g / cm 2 or less.

Description

本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a glass substrate for an information recording medium.

コンピュータなどに用いられる情報記録媒体(磁気ディスク記録媒体)には、従来からアルミニウム基板またはガラス基板が用いられている。これらの基板上に磁気薄膜層が形成され、磁気薄膜層を磁気ヘッドで磁化することにより、磁気薄膜層に情報が記録される。   Conventionally, an aluminum substrate or a glass substrate is used as an information recording medium (magnetic disk recording medium) used in a computer or the like. A magnetic thin film layer is formed on these substrates, and information is recorded on the magnetic thin film layer by magnetizing the magnetic thin film layer with a magnetic head.

近年、ハードディスクドライブ(HDD)装置においては、記録密度が増々高密度化されてきている。記録密度の高密度化により、情報記録媒体(メディア)と情報記録媒体上を浮上しながら記録の読み書きを行なうヘッドとのギャップ(フライングハイト)は数nm程度にまで狭小化している。   In recent years, in a hard disk drive (HDD) device, the recording density has been increased. As the recording density is increased, the gap (flying height) between the information recording medium (medium) and the head that reads and writes the recording while floating on the information recording medium is reduced to about several nanometers.

フライングハイトが小さくなるにつれて、情報記録媒体をハードディスクドライブ装置に用いた場合の、媒体に記録されたデータにアクセスする際のリードエラーおよび/またはライトエラー、磁気ヘッドが媒体表面に衝突するヘッドクラッシュなどの問題が発生しやすくなっている。これらの問題を抑制するために、情報記録媒体として許容される基板表面の欠陥の大きさもより小さくなる為、情報記録媒体用ガラス基板としても、より表面平滑性の高さが追及されており、ガラス基板表面に付着する異物、ガラス基板表面のうねりを抑制する為、製造方法に様々な工夫がなされてきた。   As the flying height becomes smaller, when an information recording medium is used in a hard disk drive device, a read error and / or a write error when accessing data recorded on the medium, a head crash where the magnetic head collides with the medium surface, etc. The problem is more likely to occur. In order to suppress these problems, since the size of defects on the substrate surface allowed as an information recording medium is also smaller, even as a glass substrate for information recording media, higher surface smoothness has been pursued, In order to suppress foreign matter adhering to the glass substrate surface and undulation of the glass substrate surface, various devices have been devised in the manufacturing method.

一方、近年では、HDDの記憶容量は更に向上され、現在では2.5インチの記録媒体1枚で、記録容量が500GB(片面250GB)、面記録密度が630Gbit/平方インチ以上の記録密度を有するものが開発されている。   On the other hand, in recent years, the storage capacity of HDDs has been further improved. Currently, a single 2.5-inch recording medium has a recording capacity of 500 GB (single-sided 250 GB) and a surface recording density of 630 Gbit / square inch or more. Things are being developed.

情報記録媒体用ガラス基板の製造工程においては、両面研磨装置を用いて、ガラス基板の表面を研磨する工程が採用されている。たとえば、特開2005−8353号公報(特許文献1)には、研磨後のガラス基板を、下側定盤上に載置された下側研磨パッドから回収するための特殊な構造を有する治具が用いられる。   In the manufacturing process of the glass substrate for information recording media, the process of grind | polishing the surface of a glass substrate using a double-side polish apparatus is employ | adopted. For example, Japanese Patent Laying-Open No. 2005-8353 (Patent Document 1) discloses a jig having a special structure for recovering a polished glass substrate from a lower polishing pad placed on a lower surface plate. Is used.

特開2005−8353号公報JP 2005-8353 A

上記した治具を用いて、研磨後のガラス基板を下側定盤上の下側研磨パッドから取り出す際に、ガラス基板が下側研磨パッド上に強固に吸着している場合がある。下側研磨パッドによるガラス基板を吸着する吸着力が大きいと、下側研磨パッド上からガラス基板を取り出す際に大きな力が必要となり、そのため取出し器具を用いた場合はその器具に起因する汚れが新たにガラス基板に付着するおそれがある。   When the glass substrate after polishing is taken out from the lower polishing pad on the lower surface plate using the above jig, the glass substrate may be firmly adsorbed on the lower polishing pad. If the adsorption force for adsorbing the glass substrate by the lower polishing pad is large, a large force is required when the glass substrate is taken out from the lower polishing pad. May adhere to the glass substrate.

汚れが付着したままのガラス基板を情報記録媒体(磁気ディスク)化した後には、記録特性の低下を招くことになる。   After the glass substrate with dirt attached is converted into an information recording medium (magnetic disk), the recording characteristics are deteriorated.

下側研磨パッドからガラス基板を取り出す際の大きな力が、下側研磨パッドおよび下側定盤に加わり、下側研磨パッドおよび下側定盤に損傷を与えるおそれがある。   A large force when removing the glass substrate from the lower polishing pad is applied to the lower polishing pad and the lower surface plate, and there is a possibility that the lower polishing pad and the lower surface plate are damaged.

下側研磨パッドおよび下側定盤に損傷が生じると、これを用いて研磨したガラス基板にスクラッチなどの欠陥が生じ、情報記録媒体化した後に、記録特性の低下を招くことになる。両面研磨装置においては、上側研磨パッドおよび上側定盤においても同様の課題が生じ得る。   When the lower polishing pad and the lower surface plate are damaged, defects such as scratches occur on the glass substrate polished using the lower polishing pad, and the recording characteristics are deteriorated after the information recording medium is formed. In the double-side polishing apparatus, the same problem may occur in the upper polishing pad and the upper surface plate.

本発明は、上記の実情に鑑みてなされたものであって、情報記録媒体用ガラス基板を情報記録媒体化した後に、記録特性の低下を招くことのない情報記録媒体用ガラス基板を提供することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an information recording medium glass substrate that does not cause deterioration in recording characteristics after the information recording medium glass substrate is converted into an information recording medium. An object of the present invention is to provide a method for producing a glass substrate for an information recording medium.

本発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、複数の発泡孔を含む部材からなる研磨パッドを定盤上に装着し、上記研磨パッドを用いてガラス基板の表面を研磨する研磨装置を用いる、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、以下の工程を備える。   A method for producing a glass substrate for an information recording medium according to the present invention includes a polishing apparatus for mounting a polishing pad made of a member including a plurality of foam holes on a surface plate and polishing the surface of the glass substrate using the polishing pad. Is a method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium, comprising the following steps.

上記ガラス基板を上記定盤上に載置する工程と、上記研磨装置により、液体状研磨剤を上記ガラス基板に供給しながら、上記ガラス基板の表面を研磨する工程と、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程と、を備える。   The step of placing the glass substrate on the surface plate, the step of polishing the surface of the glass substrate while supplying a liquid abrasive to the glass substrate by the polishing apparatus, and after polishing from the surface plate Removing the glass substrate.

上記研磨パッドに上記液体状研磨剤を供給した状態において、上記研磨パッドの上記ガラス基板への吸着力は、0.50g/cm以上、15g/cm以下である。In a state where the liquid abrasive is supplied to the polishing pad, the adsorption force of the polishing pad to the glass substrate is 0.50 g / cm 2 or more and 15 g / cm 2 or less.

他の形態においては、上記研磨パッドは、隣接する上記発泡孔を連通する複数の連通孔を有し、上記定盤の法線方向に沿った上記研磨パッドの縦断面において、断面積が0.01mm以上の上記連通孔が、上記縦断面において25mmあたり30個以上の密度で存在する。In another embodiment, the polishing pad has a plurality of communication holes that communicate the adjacent foam holes, and a cross-sectional area of the polishing pad in a longitudinal section along the normal direction of the surface plate is 0. 0. 01Mm 2 or more of the communication hole is present at 30 or more density per 25 mm 2 in the longitudinal section.

他の形態においては、上記定盤の法線方向に沿った上記研磨パッドの縦断面において、断面積が0.01mm以上の上記連通孔が、上記縦断面において25mmあたり80個以上の密度で存在する。In another embodiment, in the longitudinal section of the polishing pad along the normal direction of the surface plate, the communication hole having a cross-sectional area of 0.01 mm 2 or more has a density of 80 or more per 25 mm 2 in the longitudinal section. Exists.

他の形態においては、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程において、上記研磨パッドが上記液体状研磨剤を含んだ状態のまま、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す。   In another embodiment, in the step of taking out the glass substrate after polishing from the surface plate, the glass substrate after polishing is taken out from the surface plate while the polishing pad contains the liquid abrasive.

他の形態においては、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程において、上記液体状研磨剤の濃度は、上記研磨装置により、上記ガラス基板の表面を研磨する工程における上記液体状研磨剤の濃度と比較して、1.5倍以上である。   In another embodiment, in the step of removing the glass substrate after polishing from the surface plate, the concentration of the liquid abrasive is such that the liquid abrasive in the step of polishing the surface of the glass substrate by the polishing apparatus. It is 1.5 times or more compared with the concentration of.

本発明によれば、情報記録媒体用ガラス基板を情報記録媒体化した後に、記録特性の低下を招くことのない情報記録媒体用ガラス基板を提供することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。   According to the present invention, an information recording medium glass substrate capable of providing a glass substrate for information recording medium that does not cause deterioration in recording characteristics after the information recording medium glass substrate is converted into an information recording medium. A manufacturing method is provided.

磁気ディスクに用いられるガラス基板を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the glass substrate used for a magnetic disc. ガラス基板を備えた磁気ディスクを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the magnetic disc provided with the glass substrate. 実施の形態におけるガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the glass substrate in embodiment. 研磨工程に用いられる両面研磨装置の部分斜視図である。It is a fragmentary perspective view of the double-side polish apparatus used for a grinding | polishing process. 実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法の第2ポリッシュ工程の内訳を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the breakdown of the 2nd polishing process of the manufacturing method of the glass substrate for information recording media in embodiment. 背景技術における下側研磨パッドの拡大縦断面図である。It is an expanded longitudinal cross-sectional view of the lower side polishing pad in background art. 実施の形態における下側研磨パッドの拡大縦断面図である。It is an expansion longitudinal cross-sectional view of the lower side polishing pad in embodiment. 実施例1から実施例4および比較例1から比較例3におけるディフェクト検査結果およびリードライト試験結果を示す図である。It is a figure which shows the defect test result and the read / write test result in Example 1 to Example 4 and Comparative Example 1 to Comparative Example 3.

本発明に基づいた実施の形態および実施例について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態および実施例の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態および実施例の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。   Embodiments and examples based on the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of the embodiments and examples, when referring to the number, amount, and the like, the scope of the present invention is not necessarily limited to the number, amount, and the like, unless otherwise specified. In the description of the embodiments and examples, the same parts and corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description may not be repeated.

(ガラス基板1・磁気ディスク10)
図1および図2を参照して、まず、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板1、およびガラス基板1を備えた磁気ディスク10について説明する。図1は、磁気ディスク10(図2参照)に用いられるガラス基板1を示す斜視図である。図2は、情報記録媒体として、ガラス基板1を備えた磁気ディスク10を示す斜視図である。
(Glass substrate 1 / magnetic disk 10)
With reference to FIG. 1 and FIG. 2, the glass substrate 1 obtained by the manufacturing method of the glass substrate for information recording media based on this Embodiment and the magnetic disc 10 provided with the glass substrate 1 are demonstrated first. FIG. 1 is a perspective view showing a glass substrate 1 used for a magnetic disk 10 (see FIG. 2). FIG. 2 is a perspective view showing a magnetic disk 10 provided with a glass substrate 1 as an information recording medium.

図1に示すように、磁気ディスク10に用いられるガラス基板1(情報記録媒体用ガラス基板)は、中心に孔1Hが形成された環状の円板形状を呈している。円形ディスク形状のガラス基板1は、表主表面1A、裏主表面1B、内周端面1C、および外周端面1Dを有している。   As shown in FIG. 1, a glass substrate 1 (glass substrate for information recording medium) used for a magnetic disk 10 has an annular disk shape with a hole 1H formed in the center. The circular disk-shaped glass substrate 1 has a front main surface 1A, a back main surface 1B, an inner peripheral end surface 1C, and an outer peripheral end surface 1D.

ガラス基板1の大きさは、特に制限はなく、たとえば外径0.8インチ、1.0インチ、1.8インチ、2.5インチ、または3.5インチなどである。ガラス基板1の厚さは、破損防止の観点から、たとえば0.30mm〜2.2mmである。本実施の形態におけるガラス基板1の大きさは、外径が約65mm、内径が約20mm、厚さが約0.8mmである。ガラス基板1の厚さとは、ガラス基板1上の点対称となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。   The size of the glass substrate 1 is not particularly limited, and is, for example, 0.8 inch, 1.0 inch, 1.8 inch, 2.5 inch, or 3.5 inch outer diameter. The thickness of the glass substrate 1 is, for example, 0.30 mm to 2.2 mm from the viewpoint of preventing breakage. As for the size of the glass substrate 1 in the present embodiment, the outer diameter is about 65 mm, the inner diameter is about 20 mm, and the thickness is about 0.8 mm. The thickness of the glass substrate 1 is a value calculated by averaging the values measured at a plurality of arbitrary points that are point-symmetric on the glass substrate 1.

図2に示すように、磁気ディスク10は、上記したガラス基板1の表主表面1A上に磁性膜が成膜されて、磁気記録層を含む磁気薄膜層2が形成される。図2中では、表主表面1A上にのみ磁気薄膜層2が形成されているが、裏主表面1B上にも磁気薄膜層2が形成されていてもよい。   As shown in FIG. 2, in the magnetic disk 10, a magnetic film is formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 to form a magnetic thin film layer 2 including a magnetic recording layer. In FIG. 2, the magnetic thin film layer 2 is formed only on the front main surface 1A, but the magnetic thin film layer 2 may also be formed on the back main surface 1B.

磁気薄膜層2は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板1の表主表面1A上にスピンコートすることによって形成される(スピンコート法)。磁気薄膜層2は、ガラス基板1の表主表面1Aに対してスパッタリング法、または無電解めっき法等により形成されてもよい。   The magnetic thin film layer 2 is formed by spin-coating a thermosetting resin in which magnetic particles are dispersed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 (spin coating method). The magnetic thin film layer 2 may be formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 by a sputtering method, an electroless plating method, or the like.

ガラス基板1の表主表面1Aに形成される磁気薄膜層2の膜厚は、スピンコート法の場合は約0.3μm〜約1.2μm、スパッタリング法の場合は約0.04μm〜約0.08μm、無電解めっき法の場合は約0.05μm〜約0.1μmである。薄膜化および高密度化の観点からは、磁気薄膜層2はスパッタリング法または無電解めっき法によって形成されるとよい。   The film thickness of the magnetic thin film layer 2 formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 is about 0.3 μm to about 1.2 μm in the case of the spin coating method, and about 0.04 μm to about 0.00 in the case of the sputtering method. In the case of the electroless plating method, the thickness is about 0.05 μm to about 0.1 μm. From the viewpoint of thinning and high density, the magnetic thin film layer 2 is preferably formed by sputtering or electroless plating.

磁気薄膜層2に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNiまたはCrを加えたCo系合金などが好適である。熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、FePt系の材料が用いられてもよい。   The magnetic material used for the magnetic thin film layer 2 is not particularly limited, and a conventionally known material can be used. However, in order to obtain a high coercive force, Co having high crystal anisotropy is basically used for the purpose of adjusting the residual magnetic flux density. A Co-based alloy to which Ni or Cr is added is suitable. As a magnetic layer material suitable for heat-assisted recording, an FePt-based material may be used.

磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層2の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル(PFPE)をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。   In order to improve the sliding of the magnetic recording head, the surface of the magnetic thin film layer 2 may be thinly coated with a lubricant. Examples of the lubricant include those obtained by diluting perfluoropolyether (PFPE), which is a liquid lubricant, with a solvent such as Freon.

さらに、必要により下地層および/または保護層を設けてもよい。磁気ディスク10における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、またはNiなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。   Furthermore, you may provide a base layer and / or a protective layer as needed. The underlayer in the magnetic disk 10 is selected according to the magnetic film. Examples of the material for the underlayer include at least one material selected from nonmagnetic metals such as Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, B, Al, and Ni.

下地層は単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造としても構わない。たとえば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等の多層下地層としてもよい。   The underlayer is not limited to a single layer, and may have a multi-layer structure in which the same or different layers are stacked. For example, a multilayer underlayer such as Cr / Cr, Cr / CrMo, Cr / CrV, NiAl / Cr, NiAl / CrMo, or NiAl / CrV may be used.

磁気薄膜層2の摩耗および腐食を防止する保護層としては、たとえば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる多層構成としてもよい。   Examples of the protective layer that prevents wear and corrosion of the magnetic thin film layer 2 include a Cr layer, a Cr alloy layer, a carbon layer, a hydrogenated carbon layer, a zirconia layer, and a silica layer. These protective layers can be formed continuously with an in-line type sputtering apparatus, such as an underlayer and a magnetic film. These protective layers may be a single layer, or may have a multilayer structure composed of the same or different layers.

上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に替えて、Cr層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素(SiO)層を形成してもよい。Another protective layer may be formed on the protective layer or instead of the protective layer. For example, in place of the protective layer, tetraalkoxysilane is diluted with an alcohol-based solvent on a Cr layer, and then colloidal silica fine particles are dispersed and applied, followed by baking to form a silicon oxide (SiO 2 ) layer. It may be formed.

(ガラス基板の製造方法)
次に、図3に示すフローチャートを用いて、本実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板(以下、単にガラス基板と称する。)の製造方法について説明する。図3は、実施の形態におけるガラス基板1の製造方法を示すフローチャートである。
(Glass substrate manufacturing method)
Next, a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium (hereinafter simply referred to as a glass substrate) in the present embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the glass substrate 1 in the embodiment.

本実施の形態におけるガラス基板の製造方法は、ガラスブランク材準備工程(ステップS10)、ガラス基板形成/研削工程(ステップS20)、研磨工程(ステップS30)、化学強化工程(ステップS40)、および洗浄工程(ステップS50)を備えている。化学強化処理工程(ステップS40)を経ることによって得られたガラス基板(図1におけるガラス基板1に相当)に対して、磁気薄膜形成工程(ステップS60)が実施されてもよい。磁気薄膜形成工程(ステップS60)によって、情報記録媒体としての磁気ディスク10が得られる。   The glass substrate manufacturing method in the present embodiment includes a glass blank material preparation step (step S10), a glass substrate formation / grinding step (step S20), a polishing step (step S30), a chemical strengthening step (step S40), and a cleaning. The process (step S50) is provided. The magnetic thin film forming step (step S60) may be performed on the glass substrate (corresponding to the glass substrate 1 in FIG. 1) obtained through the chemical strengthening treatment step (step S40). The magnetic disk 10 as an information recording medium is obtained by the magnetic thin film forming step (step S60).

以下、これらの各ステップS10〜S60の詳細について順に説明する、以下には、各ステップS10〜S60間に適宜行なわれる簡易的な洗浄については記載していない。   Hereinafter, details of each of these steps S10 to S60 will be described in order. In the following, simple cleaning appropriately performed between steps S10 to S60 is not described.

(ガラスブランク材準備工程)
ガラスブランク材準備工程(ステップS10)においては、ガラス基板を構成するガラス素材が溶融される(ステップS11)。ガラス素材は、たとえば一般的なアルミノシリケートガラスが用いられる。アルミノシリケートガラスは、58質量%〜75質量%のSiOと、5質量%〜23質量%のAlと、3質量%〜10質量%のLiOと、4質量%〜13質量%のNaOと、を主成分として含有する。溶融したガラス素材は、下型上に流し込まれた後、上型および下型によってプレス成形される(ステップS12)。プレス成形によって、円盤状のガラスブランク材(ガラス母材)が形成される。
(Glass blank material preparation process)
In the glass blank material preparation step (step S10), the glass material constituting the glass substrate is melted (step S11). For example, general aluminosilicate glass is used as the glass material. Aluminosilicate glass, and SiO 2 of 58 wt% to 75 wt%, and Al 2 O 3 of 5 wt% to 23 wt%, and Li 2 O 3 wt% to 10 wt%, 4 wt% to 13 wt % Na 2 O as a main component. The molten glass material is poured onto the lower mold and then press-molded with the upper mold and the lower mold (step S12). A disk-shaped glass blank (glass base material) is formed by press molding.

ガラスブランク材は、ダウンドロー法またはフロート法によって形成されたシートガラス(板ガラス)を、研削砥石で切り出すことによって形成されてもよい。またガラス素材も、アルミノシリケートガラスに限られるものではなく、任意の素材であってもよい。   The glass blank material may be formed by cutting out a sheet glass (sheet glass) formed by a downdraw method or a float method with a grinding wheel. Further, the glass material is not limited to aluminosilicate glass, and may be any material.

(ガラス基板形成/研削工程)
次に、ガラス基板形成/研削工程(ステップS20)においては、プレス成形されたガラスブランク材の両方の主表面に対して、寸法精度および形状精度の向上を目的として、第1ラップ工程が施される(ステップS21)。ガラスブランク材の両方の主表面とは、後述する各処理を経ることによって、図1における表主表面1Aとなる主表面および裏主表面1Bとなる主表面のことである(以下、両主表面ともいう)。たとえば、粒度#400のアルミナ砥粒(粒径約40〜60μm)を用い、表面粗さRmaxで6μm程度に仕上げる。
(Glass substrate formation / grinding process)
Next, in the glass substrate formation / grinding process (step S20), the first lapping process is performed on both main surfaces of the press-molded glass blank material for the purpose of improving dimensional accuracy and shape accuracy. (Step S21). Both main surfaces of a glass blank material are the main surfaces used as the front main surface 1A and the main surface used as the back main surface 1B in FIG. 1 through each process mentioned later (henceforth, both main surfaces) Also called). For example, alumina abrasive grains having a particle size of # 400 (particle size of about 40 to 60 μm) are used, and the surface roughness Rmax is finished to about 6 μm.

第1ラップ工程の後、円筒状のダイヤモンドドリルなどを用いて、ガラスブランク材の中心部に対してコアリング(内周カット)処理が施される(ステップS22)。コアリング処理によって、中心部に孔の開いた円環状のガラス基板が得られる。中心部の孔に対しては、所定の面取り加工が施されてもよい。   After the first lapping step, a coring (inner peripheral cut) process is performed on the center portion of the glass blank using a cylindrical diamond drill or the like (step S22). By the coring process, an annular glass substrate having a hole in the center is obtained. A predetermined chamfering process may be performed on the hole in the center.

ガラス基板の内周端面および外周端面がブラシによって鏡面状に研磨される(ステップS22)。研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリーが用いられる。   The inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface of the glass substrate are polished into a mirror surface by a brush (step S22). As the abrasive grains, a slurry containing cerium oxide abrasive grains is used.

次に、ガラス基板の両主表面に対して第2ラップ工程が施される(ステップS23)。第2ラップ工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置を用いて行なわれる。具体的には、ガラスブランク材の両主表面に上下から定盤を押圧させ、水、研削液または潤滑液を両主表面上に供給し、ガラスブランク材とラップ定盤とを相対的に移動させて、第2ラップ工程が行なわれる。   Next, a second lapping step is performed on both main surfaces of the glass substrate (step S23). The second lapping step is performed using a double-side grinding apparatus that uses a planetary gear mechanism. Specifically, press the surface plate from above and below both main surfaces of the glass blank material, supply water, grinding liquid or lubricating liquid onto both main surfaces, and move the glass blank material and the lapping surface plate relatively. Then, the second lapping step is performed.

第2ラップ工程によって、ガラス基板としてのおおよその平行度、平坦度、および厚みなどが予備調整され、おおよそ平坦な主表面を有するガラス母材が得られる。第2ラップ工程では、発生する研削痕を小さくするため、上記第1ラップ工程と比較して微細な砥粒を用いる。たとえば、定盤上にダイヤモンドタイルパッド等の固定砥粒を取りつけることにより、ガラス基板両面上を表面粗さRmaxで2μm程度に仕上げる。   By the second lapping step, the approximate parallelism, flatness, thickness, etc. of the glass substrate are preliminarily adjusted, and a glass base material having a substantially flat main surface is obtained. In the second lapping step, fine abrasive grains are used as compared with the first lapping step in order to reduce the generated grinding marks. For example, by attaching fixed abrasive grains such as a diamond tile pad on a surface plate, both surfaces of the glass substrate are finished to a surface roughness Rmax of about 2 μm.

(研磨工程)
次に、研磨工程(ステップS30)においては、第1ポリッシュ工程(粗研磨)として、上記第2ラップ工程(ステップS23)においてガラス基板の両主表面に残留したキズを除去しつつ、ガラス基板の反りを矯正する(ステップS31)。第1ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置が使用される。たとえば、硬質ベロア、発泡ポリウレタン、またはピッチ含浸スウェードなどの研磨パッドを用いて研磨が行なわれる。研磨剤としては、一般的な酸化セリウム砥粒を主成分とする液体状研磨剤としてのスラリーが用いられる。第1ポリッシュ工程で研磨された基板は、第1ポリッシュ取り出し工程で回収される。
(Polishing process)
Next, in the polishing process (step S30), as a first polishing process (rough polishing), while removing scratches remaining on both main surfaces of the glass substrate in the second lapping process (step S23), The warp is corrected (step S31). In the first polishing process, a double-side polishing apparatus using a planetary gear mechanism is used. For example, polishing is performed using a polishing pad such as hard velor, foamed polyurethane, or pitch-impregnated suede. As the abrasive, a slurry as a liquid abrasive mainly composed of general cerium oxide abrasive grains is used. The substrate polished in the first polishing process is recovered in the first polishing removal process.

第2ポリッシュ工程(精密研磨)においては、ガラス基板に研磨加工が再度実施され、ガラス基板の両主表面上に残留した微小欠陥等が解消される(ステップS33)。ガラス基板の両主表面は鏡面状に仕上げられることによって所望の平坦度に形成され、ガラス基板の反りも解消される。第2ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置が使用される。研磨パッドには、たとえば、発泡ポリウレタンを素材とする軟質ポリッシャであるスウェードパッドを用いて研磨が行なわれる。研磨剤としては、第1ポリッシュ工程で用いた酸化セリウムよりも微細である、一般的なコロイダルシリカを主成分とする液体状研磨剤としてのスラリーが用いられる。   In the second polishing step (precise polishing), the glass substrate is subjected to polishing again, and minute defects and the like remaining on both main surfaces of the glass substrate are eliminated (step S33). Both main surfaces of the glass substrate are finished to have a mirror-like surface, thereby forming a desired flatness and eliminating the warpage of the glass substrate. In the second polishing step, a double-side polishing apparatus using a planetary gear mechanism is used. Polishing is performed using, for example, a suede pad, which is a soft polisher made of foamed polyurethane. As the abrasive, a slurry as a liquid abrasive mainly composed of general colloidal silica, which is finer than the cerium oxide used in the first polishing step, is used.

ここで、図4を参照して、両面研磨装置2000の概略構成について説明する。図4は、研磨工程に用いられる両面研磨装置2000の部分斜視図である。   Here, a schematic configuration of the double-side polishing apparatus 2000 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a partial perspective view of a double-side polishing apparatus 2000 used in the polishing process.

両面研磨装置2000は、上定盤(上側砥石保持定盤)300と、下定盤(下側砥石保持定盤)400と、上定盤300の下定盤400に対向する側(ガラス基板側)の下面に装着された上側研磨パッド310と、下定盤400の上定盤300に対向する側(ガラス基板側)の上面に装着された下側研磨パッド410と、を備える。   The double-side polishing apparatus 2000 includes an upper surface plate (upper whetstone holding surface plate) 300, a lower surface plate (lower whetstone holding surface plate) 400, and a side (glass substrate side) facing the lower surface plate 400 of the upper surface plate 300. The upper polishing pad 310 mounted on the lower surface and the lower polishing pad 410 mounted on the upper surface on the side facing the upper surface plate 300 (glass substrate side) of the lower surface plate 400 are provided.

上側研磨パッド310および下側研磨パッド410は、ガラス基板1の両主表面を研磨加工するための加工部材である。上定盤300と下定盤400とは、キャリア500の公転方向に対して互いに反対方向に回転するようになっている。下定盤400と対向する上側研磨パッド310の表面は、上側の研磨面311を形成する。上定盤300と対向する下側研磨パッド410の表面は、下側の研磨面411を形成する。上定盤300と下定盤400との間に形成される隙間に、キャリア500が配置される。ディスク状のガラス基板1は、このキャリア500に複数枚保持される。   The upper polishing pad 310 and the lower polishing pad 410 are processing members for polishing both main surfaces of the glass substrate 1. The upper surface plate 300 and the lower surface plate 400 rotate in directions opposite to each other with respect to the revolution direction of the carrier 500. A surface of the upper polishing pad 310 facing the lower surface plate 400 forms an upper polishing surface 311. The surface of the lower polishing pad 410 facing the upper surface plate 300 forms a lower polishing surface 411. Carrier 500 is arranged in a gap formed between upper surface plate 300 and lower surface plate 400. A plurality of disk-shaped glass substrates 1 are held by the carrier 500.

ガラス基板1は、上定盤300と下定盤400との間に挟まれ、上定盤300と下定盤400とによってガラス基板の厚み方向に応力が加えられる。これにより、ガラス基板の両主表面は、上側研磨パッド310の研磨面311および下側研磨パッド410の研磨面411に押圧される。この状態で、ガラス基板の一方の主表面に対して上側研磨パッド310の研磨面311が相対移動することにより、当該一方の主表面が研磨される。同時に、ガラス基板の他方の主表面に対して下側研磨パッド410の研磨面411が相対移動することにより、当該他方の主表面が研磨される。このようにして、両面研磨装置2000を使用して、ガラス基板の両主表面が同時に研磨される。   The glass substrate 1 is sandwiched between an upper surface plate 300 and a lower surface plate 400, and stress is applied in the thickness direction of the glass substrate by the upper surface plate 300 and the lower surface plate 400. As a result, both main surfaces of the glass substrate are pressed against the polishing surface 311 of the upper polishing pad 310 and the polishing surface 411 of the lower polishing pad 410. In this state, the polishing surface 311 of the upper polishing pad 310 moves relative to one main surface of the glass substrate, whereby the one main surface is polished. At the same time, the polishing surface 411 of the lower polishing pad 410 moves relative to the other main surface of the glass substrate, whereby the other main surface is polished. In this manner, both main surfaces of the glass substrate are simultaneously polished using the double-side polishing apparatus 2000.

両面研磨装置を使用した精密研磨後、上側研磨パッド310の研磨面311および下側研磨パッド410の研磨面411に貼り付いたガラス基板1を、研磨パッドから取り出す。ガラス基板の研磨パッドから取り出しについては後述する。   After precision polishing using the double-side polishing apparatus, the glass substrate 1 attached to the polishing surface 311 of the upper polishing pad 310 and the polishing surface 411 of the lower polishing pad 410 is taken out from the polishing pad. The removal from the polishing pad of the glass substrate will be described later.

(化学強化工程)
ガラス基板1が洗浄された後、化学強化処理液にガラス基板1を浸漬することによって、ガラス基板1の両主表面に化学強化層を形成する(ステップS40)。ガラス基板1が洗浄された後、300℃に加熱された硝酸カリウム(70%)と硝酸ナトリウム(30%)との混合用液などの化学強化処理液中に、ガラス基板1を30分間程度浸漬することによって、化学強化を行なう。
(Chemical strengthening process)
After the glass substrate 1 is washed, the chemical strengthening layer is formed on both main surfaces of the glass substrate 1 by immersing the glass substrate 1 in the chemical strengthening treatment liquid (step S40). After the glass substrate 1 is cleaned, the glass substrate 1 is immersed for about 30 minutes in a chemical strengthening treatment solution such as a mixture solution of potassium nitrate (70%) and sodium nitrate (30%) heated to 300 ° C. By doing so, chemical strengthening is performed.

ガラス基板1に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンは、これらのイオンに比べてイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによって置換される(イオン交換法)。   Alkali metal ions such as lithium ions and sodium ions contained in the glass substrate 1 are replaced by alkali metal ions such as potassium ions having a larger ion radius than these ions (ion exchange method).

イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板1の両主表面が強化される。たとえば、ガラス基板1の両主表面において、ガラス基板1表面から約5μmまでの範囲に化学強化層を形成し、ガラス基板1の剛性を向上させてもよい。以上のようにして、図1に示すガラス基板1に相当するガラス基板が得られる。   Compressive stress is generated in the ion-exchanged region due to strain caused by the difference in ion radius, and both main surfaces of the glass substrate 1 are strengthened. For example, on both the main surfaces of the glass substrate 1, a chemical strengthening layer may be formed in a range from the surface of the glass substrate 1 to about 5 μm to improve the rigidity of the glass substrate 1. As described above, a glass substrate corresponding to the glass substrate 1 shown in FIG. 1 is obtained.

ガラス基板1に対しては、両主表面上における取り代が0.1μm以上0.5μm以下のポリッシュ処理がさらに施されてもよい。化学強化工程を経た後にガラス基板1の主表面上に残留している付着物が除去されることによって、ガラス基板1を用いて製造される磁気ディスクにヘッドクラッシュが発生することが低減される。ポリッシュ処理における両主表面上の取り代を0.1μm以上0.5μm以下とすることによって、化学強化処理によって発生した応力の不均一性が表面に現れることもなくなる。本実施の形態におけるガラス基板の製造方法としては、以上のように構成される。   The glass substrate 1 may be further subjected to a polishing treatment with a machining allowance on both main surfaces of 0.1 μm or more and 0.5 μm or less. By removing the deposits remaining on the main surface of the glass substrate 1 after the chemical strengthening step, occurrence of head crashes in a magnetic disk manufactured using the glass substrate 1 is reduced. By setting the machining allowance on both the main surfaces in the polishing process to 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, the unevenness of stress generated by the chemical strengthening process does not appear on the surface. The manufacturing method of the glass substrate in the present embodiment is configured as described above.

第1ポリッシュ工程(粗研磨)と第2ポリッシュ工程(精密研磨)との間に、化学強化工程を施してもかまわない。   A chemical strengthening step may be performed between the first polishing step (rough polishing) and the second polishing step (precision polishing).

(洗浄工程)
次に、ガラス基板は洗浄される(ステップS50)。ガラス基板1の両主表面が洗剤、純水、オゾン、IPA(イソプロピルアルコール)、またはUV(ultraviolet)オゾンなどによって洗浄されることによって、ガラス基板1の両主表面に付着した付着物が除去される。
(Washing process)
Next, the glass substrate is cleaned (step S50). By cleaning both main surfaces of the glass substrate 1 with detergent, pure water, ozone, IPA (isopropyl alcohol), UV (ultraviolet) ozone, etc., the deposits adhering to both main surfaces of the glass substrate 1 are removed. The

その後、ガラス基板1の表面上の付着物の数が、光学式欠陥検査装置等を用いて検査される。   Thereafter, the number of deposits on the surface of the glass substrate 1 is inspected using an optical defect inspection apparatus or the like.

(磁気薄膜形成工程)
化学強化処理が完了したガラス基板(図1に示すガラス基板1に相当)の両主表面(またはいずれか一方の主表面)に対し、磁性膜が形成されることにより、磁気薄膜層2が形成される。磁気薄膜層2は、Cr合金からなる密着層、CoFeZr合金からなる軟磁性層、Ruからなる配向制御下地層、CoCrPt合金からなる垂直磁気記録層、C系からなる保護層、およびF系からなる潤滑層が順次成膜されることによって形成される。磁気薄膜層2の形成によって、図2に示す磁気ディスク10に相当する垂直磁気記録ディスクを得ることができる。
(Magnetic thin film formation process)
The magnetic thin film layer 2 is formed by forming a magnetic film on both main surfaces (or one of the main surfaces) of the glass substrate (corresponding to the glass substrate 1 shown in FIG. 1) that has been subjected to the chemical strengthening treatment. Is done. The magnetic thin film layer 2 is made of an adhesion layer made of a Cr alloy, a soft magnetic layer made of a CoFeZr alloy, an orientation control underlayer made of Ru, a perpendicular magnetic recording layer made of a CoCrPt alloy, a protective layer made of a C system, and an F system. The lubricating layer is formed by sequentially forming a film. By forming the magnetic thin film layer 2, a perpendicular magnetic recording disk corresponding to the magnetic disk 10 shown in FIG. 2 can be obtained.

本実施の形態における磁気ディスクは、磁気薄膜層から構成される垂直磁気ディスクの一例である。磁気ディスクは、いわゆる面内磁気ディスクとして磁性層等から構成されてもよい。   The magnetic disk in the present embodiment is an example of a perpendicular magnetic disk composed of a magnetic thin film layer. The magnetic disk may be composed of a magnetic layer or the like as a so-called in-plane magnetic disk.

(第2ポリッシュ工程S33)
ここで、図5から図7を参照して、第2ポリッシュ工程S33の詳細について説明する。図5は、第2ポリッシュ工程S33の内訳を示すフローチャート、図6は、背景技術における下側研磨パッド410の拡大縦断面図、図7は、実施の形態における下側研磨パッド410の拡大縦断面図である。以下、主として、下側研磨パッドおよび下側定盤について説明するが、上側研磨パッドおよび上側定盤についていても同様である。
(Second polishing step S33)
Here, the details of the second polishing step S33 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a flowchart showing the breakdown of the second polishing step S33, FIG. 6 is an enlarged longitudinal sectional view of the lower polishing pad 410 in the background art, and FIG. 7 is an enlarged longitudinal sectional view of the lower polishing pad 410 in the embodiment. FIG. Hereinafter, the lower polishing pad and the lower surface plate will be mainly described, but the same applies to the upper polishing pad and the upper surface plate.

図5を参照して、第2ポリッシュ工程S33は、キャリア配置工程(S331)、ガラス基板配置工程(S332)、研磨工程(S333)、ガラス基板取出工程(S334)、およびキャリア取出工程(S335)を有している。   Referring to FIG. 5, the second polishing step S33 includes a carrier placement step (S331), a glass substrate placement step (S332), a polishing step (S333), a glass substrate removal step (S334), and a carrier removal step (S335). have.

これらの各工程において、ガラス基板取出工程(S334)においては、ガラス基板1の下側研磨パッド410への吸着が問題となっていた。これは、図6に示すように、背景技術においては、下側研磨パッド410には、個々の発泡孔410hが隣接する発泡孔410hに対して独立した、もしくは、隣接する発泡孔410hと連通しているものが非常に少ない、独立発泡構造の研磨パッドが用いられていることに起因する。   In each of these steps, the adsorption to the lower polishing pad 410 of the glass substrate 1 has been a problem in the glass substrate removal step (S334). As shown in FIG. 6, in the background art, the lower polishing pad 410 has individual foam holes 410h that are independent of the adjacent foam holes 410h or communicate with the adjacent foam holes 410h. This is because a polishing pad having a closed foam structure, in which very few are used, is used.

そのため、研磨工程(S333)中は、ガラス基板1は、上側研磨パッド310および下側研磨パッド410に挟まれた状態で押圧されているため、上側研磨パッド310および下側研磨パッド410(特に、下側に位置する下側研磨パッド410)が、ガラス基板1に強固に吸着する現象が生じていた(図中矢印S2に示す吸着力)。   Therefore, during the polishing step (S333), the glass substrate 1 is pressed while being sandwiched between the upper polishing pad 310 and the lower polishing pad 410, and thus the upper polishing pad 310 and the lower polishing pad 410 (in particular, There was a phenomenon in which the lower polishing pad 410) positioned on the lower side was firmly adsorbed to the glass substrate 1 (adsorption force indicated by arrow S2 in the figure).

一方、図7に、本実施の形態における下側研磨パッド410の拡大図を示す。本実施の形態における下側研磨パッド410には、独立発泡構造ではなく、連続発泡構造を有するが研磨パッド採用されている。したがって、この下側研磨パッド410においては、隣接する発泡孔410hを連通する連通孔410cが形成されている。具体的な材料としては、湿式凝固法により形成された、発泡ポリウレタンを素材とスウェードパッドが挙げられる。   On the other hand, FIG. 7 shows an enlarged view of the lower polishing pad 410 in the present embodiment. The lower polishing pad 410 in this embodiment has a continuous foam structure instead of an independent foam structure, but employs a polishing pad. Therefore, in the lower polishing pad 410, a communication hole 410c that communicates with the adjacent foam hole 410h is formed. Specific examples of the material include a polyurethane foam material and a suede pad formed by a wet coagulation method.

このように、下側研磨パッド410に連続発泡構造を用いることで、隣接する発泡孔410h間において、スラリーの流れおよび空気の流れが(図7中左右方向の矢印)生じるため、下側研磨パッド410によるガラス基板1の吸着力(図7中の矢印S1で示す吸着力)を低下させることができる。   Thus, by using a continuous foam structure for the lower polishing pad 410, a slurry flow and an air flow (arrows in the horizontal direction in FIG. 7) are generated between the adjacent foam holes 410h. The adsorption force (adsorption force indicated by arrow S1 in FIG. 7) of the glass substrate 1 by 410 can be reduced.

ここで、下側研磨パッド410にスラリーを供給した状態である研磨工程(S333)においては、下側研磨パッド410によるガラス基板1の吸着力は、0.50g/cm以上、15g/cm以下であることが好ましい。Here, in the polishing step (S333) in which the slurry is supplied to the lower polishing pad 410, the adsorption force of the glass substrate 1 by the lower polishing pad 410 is 0.50 g / cm 2 or more and 15 g / cm 2. The following is preferable.

吸着力が0.50g/cm未満になるとガラス基板1と研磨パッドとの間の滑りが大きくなり、研磨パッドによるガラス基板1の表面の研磨が期待できなくなるからである。吸着力が15g/cmを越えると、下側研磨パッド410からガラス基板1を取り出す際に加える力が大きくなり過ぎる(吸着力が大き過ぎる)からである。This is because if the adsorption force is less than 0.50 g / cm 2 , slippage between the glass substrate 1 and the polishing pad increases, and polishing of the surface of the glass substrate 1 by the polishing pad cannot be expected. This is because when the adsorption force exceeds 15 g / cm 2 , the force applied when the glass substrate 1 is taken out from the lower polishing pad 410 becomes too large (the adsorption force is too large).

下側研磨パッド410は、下定盤400の法線方向に沿った下側研磨パッド410の縦断面(図7に示す断面)において、断面積Sが0.01mm以上の連通孔410cが、縦断面において25mmあたり30個以上の密度で存在するとよい。これにより、下側研磨パッド410によるガラス基板1の吸着力を、上記範囲に設定することができる。The lower polishing pad 410 includes a communication hole 410c having a cross-sectional area S of 0.01 mm 2 or more in a longitudinal section (cross section shown in FIG. 7) of the lower polishing pad 410 along the normal direction of the lower surface plate 400. It may be present at a density of 30 or more per 25 mm 2 on the surface. Thereby, the adsorption | suction force of the glass substrate 1 by the lower side polishing pad 410 can be set to the said range.

好ましくは、下側研磨パッド410の縦断面において、断面積Sが0.01mm以上の連通孔410cが、縦断面において25mmあたり80個以上の密度で存在することが好ましい。これにより、下側研磨パッド410によるガラス基板1の吸着力を、より好ましい範囲に設定することができる。Preferably, in the longitudinal cross section of the lower polishing pad 410, the communication holes 410c having a cross-sectional area S of 0.01 mm 2 or more are present at a density of 80 or more per 25 mm 2 in the longitudinal cross section. Thereby, the adsorption | suction force of the glass substrate 1 by the lower side polishing pad 410 can be set to a more preferable range.

ガラス基板取出工程(S334)においては、下側研磨パッド410がスラリーを含んだ状態のまま、下定盤400から研磨後のガラス基板1を取り出すことが好ましい。背景技術においては、研磨工程(S333)後にスラリーを洗い流すための洗浄を実施していた。しかし、この洗浄を実施することで、下側研磨パッド410によるガラス基板1の吸着力が高まることを知見した。本実施の形態では、ガラス基板取出工程(S334)の後に、ガラス基板1および下側研磨パッド410の洗浄を実施した。   In the glass substrate removal step (S334), it is preferable to take out the polished glass substrate 1 from the lower surface plate 400 while the lower polishing pad 410 contains slurry. In the background art, cleaning for washing away the slurry is performed after the polishing step (S333). However, it has been found that by performing this cleaning, the adsorption power of the glass substrate 1 by the lower polishing pad 410 is increased. In the present embodiment, the glass substrate 1 and the lower polishing pad 410 are cleaned after the glass substrate removing step (S334).

さらに、ガラス基板取出工程(S334)におけるスラリーの濃度が、両面研磨装置2000による研磨工程(S333)における濃度と比較して、1.5倍以上であることが好ましい。これにより、さらに、ガラス基板取出工程(S334)における下側研磨パッド410によるガラス基板1の吸着力を低下させることができる。具体的には、ガラス基板取出工程(S334)において、新たなスラリーを追加するとよい。   Furthermore, it is preferable that the concentration of the slurry in the glass substrate extraction step (S334) is 1.5 times or more compared to the concentration in the polishing step (S333) by the double-side polishing apparatus 2000. Thereby, the adsorption | suction power of the glass substrate 1 by the lower side polishing pad 410 in a glass substrate extraction process (S334) can be reduced further. Specifically, a new slurry may be added in the glass substrate extraction step (S334).

(実施例)
以下、図8を参照しながら、本実施の形態に基づいた実施例について説明する。図8は、実施例1から実施例5および比較例1から比較例3におけるディフェクト検査結果およびリードライト試験結果を示す図である。実施例1から実施例5および比較例1から比較例3においては、すべて第1ポリッシュ工程(S31)までは、図3に示す工程を採用している。
(Example)
Hereinafter, an example based on the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram showing the defect inspection result and the read / write test result in Example 1 to Example 5 and Comparative Example 1 to Comparative Example 3. In Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, all the steps shown in FIG. 3 are adopted up to the first polishing step (S31).

第2ポリッシュ工程(S33)の研磨工程(S333)で使用するスラリーの濃度は全て15wt%とした。ガラス基板取出工程(S334)では、使用する研磨パッド(上側研磨パッド310および下側研磨パッド410)と、研磨工程(S333)終了後のスラリー状態とを、図8の8条件(実施例1から実施例5および比較例1から比較例3)に分けて実施した。   The concentration of the slurry used in the polishing step (S333) of the second polishing step (S33) was all 15 wt%. In the glass substrate taking-out process (S334), the polishing pads to be used (upper polishing pad 310 and lower polishing pad 410) and the slurry state after the polishing process (S333) are classified into eight conditions (from Example 1). The process was divided into Example 5 and Comparative Example 1 to Comparative Example 3).

実施例1および比較例1とでは、研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程を行なった。   In Example 1 and Comparative Example 1, a cleaning process was performed after the polishing process (S333) and before the glass substrate extraction process (S334).

実施例2および実施例3では、研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、研磨工程(S333)の開始時には、15wt%の濃度であったスラリーの濃度が、ガラス基板取出工程(S334)の開始時には、濃度が高くなるように、研磨パッド上に濃度の高いスラリーを散布した。   In Example 2 and Example 3, after completion of the polishing step (S333), before the glass substrate extraction step (S334), the concentration of the slurry, which was 15 wt% at the start of the polishing step (S333), was glass At the start of the substrate removal step (S334), a high-concentration slurry was sprayed on the polishing pad so as to increase the concentration.

各実施例、比較例における吸着力は、研磨工程(S333)の直後に、ガラス基板とほぼ同一形状、同一表面粗さである試験片を下側研磨パッド上に載せ、研磨工程と同等の圧力を付加した後に引き上げ、デジタル力量計によって計測した。   In each of the examples and comparative examples, the adsorbing force was set immediately after the polishing step (S333), with a test piece having the same shape and the same surface roughness as the glass substrate placed on the lower polishing pad, and the same pressure as in the polishing step. After adding, was pulled up and measured with a digital force meter.

第2ポリッシュ工程(S33)の終了後は、全ての実施例および比較例において、ガラス基板1は、化学強化工程(S40)、洗浄工程(S50)を経て、表面の欠陥(ディフェクト)検査を行なった。欠陥検査は、試験装置として、KLA−Tencor社製光学式欠陥検査装置Candela−OSA6100を使用した。   After completion of the second polishing step (S33), in all the examples and comparative examples, the glass substrate 1 is subjected to a surface defect inspection through a chemical strengthening step (S40) and a cleaning step (S50). It was. For defect inspection, an optical defect inspection apparatus Candela-OSA6100 manufactured by KLA-Tencor was used as a test apparatus.

欠陥検査では、各実施例および各比較例で100枚ずつ加工したガラス基板を全数検査し、付着物が10以下で、スクラッチが2以下と判定された基板を良品と判定し、良品数が95枚以上の場合をA(優良)、95枚未満90枚以上の場合をB(良)、90枚未満85枚以上の場合をC(可)、85枚未満の場合をD(不良)と評価した。   In the defect inspection, a total of 100 glass substrates processed in each example and each comparative example are inspected, and a substrate determined to have a deposit of 10 or less and a scratch of 2 or less is determined to be a non-defective product. Evaluate as A (excellent) when there are more than 90 sheets, B (good) when 90 sheets or less less than 95 sheets, C (good) when less than 90 sheets and 85 sheets or more, and D (defect) when less than 85 sheets did.

さらに、磁気薄膜形成工程(S60)を経て、ガラス基板を情報記録媒体(メディア化)とした後、リードライト試験を行なった。   Further, after a magnetic thin film forming step (S60), the glass substrate was used as an information recording medium (media), and then a read / write test was performed.

リードライト試験では、同じく各条件で100枚ずつ加工したガラス基板(情報記録媒体)について磁気記録特性を計測する試験を行なった。試験をクリアした基板が96枚以上の場合をA(優良)、96枚未満92枚以上の場合をB(良)、92枚未満88枚以上の場合をC(可)、88枚未満の場合をD(不可)と評価した。   In the read / write test, a test for measuring magnetic recording characteristics was performed on a glass substrate (information recording medium) which was similarly processed 100 pieces under each condition. A (excellent) when the number of substrates that have passed the test is 96 or more, B (good) when the number is less than 96 and 92 or more, C (possible) when the number is less than 92 and 88 or more, and less than 88 Was evaluated as D (impossible).

(実施例1)
実施例1のガラス基板では、吸着力は15.0g/cm、研磨パッドの連通孔の数は35、ガラス基板取出工程(S334)における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、15wt%であった。研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程を行なった。この実施例1においては、ディフェクト検査の評価は「B」、リードライト試験の評価は、「B」であった。研磨パッドの連通孔の数とは、下定盤400の法線方向に沿った下側研磨パッド410および上側研磨パッド310の縦断面において、断面積Sが0.01mm以上の連通孔が、25mmあたりの存在する数を意味する。以下、同様である。
Example 1
In the glass substrate of Example 1, the adsorbing force is 15.0 g / cm 2 , the number of communication holes of the polishing pad is 35, and the accumulation state of the slurry on the polishing pad in the glass substrate extraction step (S334) is accumulation, The slurry concentration at that time was 15 wt%. After the polishing step (S333), a cleaning step was performed before the glass substrate removal step (S334). In Example 1, the evaluation of the defect inspection was “B”, and the evaluation of the read / write test was “B”. The number of communication holes of the polishing pad means that the communication holes having a cross-sectional area S of 0.01 mm 2 or more in the longitudinal cross section of the lower polishing pad 410 and the upper polishing pad 310 along the normal direction of the lower surface plate 400 are 25 mm. It means the number existing per two . The same applies hereinafter.

(実施例2)
実施例1のガラス基板では、吸着力は14.5g/cm、研磨パッドの連通孔の数は35、ガラス基板取出工程(S334)における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、20wt%であった。研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程は行なっていない。この実施例2では、研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、研磨パッド上に濃度の高いスラリーを散布した。この実施例2においては、ディフェクト検査の評価は「B」、リードライト試験の評価は、「B」であった。
(Example 2)
In the glass substrate of Example 1, the adsorption force is 14.5 g / cm 2 , the number of communication holes of the polishing pad is 35, and the accumulation state of the slurry on the polishing pad in the glass substrate extraction step (S334) is accumulation, The concentration of the slurry at that time was 20 wt%. After the polishing step (S333), the cleaning step is not performed before the glass substrate removal step (S334). In Example 2, after completion of the polishing step (S333), a high-concentration slurry was sprayed on the polishing pad before the glass substrate extraction step (S334). In Example 2, the evaluation of the defect inspection was “B”, and the evaluation of the read / write test was “B”.

(実施例3)
実施例3のガラス基板では、吸着力は13.0g/cm、研磨パッドの連通孔の数は35、ガラス基板取出工程(S334)における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、25wt%であった。研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程は行なっていない。この実施例3では、研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、研磨パッド上に濃度の高いスラリーを散布した。この実施例3においては、ディフェクト検査の評価は「A」、リードライト試験の評価は、「A」であった。
(Example 3)
In the glass substrate of Example 3, the adsorbing force is 13.0 g / cm 2 , the number of communication holes of the polishing pad is 35, and the accumulation state of the slurry on the polishing pad in the glass substrate extraction step (S334) is accumulation, The concentration of the slurry at that time was 25 wt%. After the polishing step (S333), the cleaning step is not performed before the glass substrate removal step (S334). In Example 3, after completion of the polishing step (S333), a slurry having a high concentration was sprayed on the polishing pad before the glass substrate extraction step (S334). In Example 3, the evaluation of the defect inspection was “A”, and the evaluation of the read / write test was “A”.

(実施例4)
実施例4のガラス基板では、吸着力は14.0g/cm、研磨パッドの連通孔の数は63、ガラス基板取出工程(S334)における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、15wt%であった。研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程は行なっていない。この実施例4においては、ディフェクト検査の評価は「B」、リードライト試験の評価は、「B」であった。
Example 4
In the glass substrate of Example 4, the adsorption force is 14.0 g / cm 2 , the number of communication holes of the polishing pad is 63, and the accumulation state of the slurry on the polishing pad in the glass substrate extraction step (S334) is accumulation, The slurry concentration at that time was 15 wt%. After the polishing step (S333), the cleaning step is not performed before the glass substrate removal step (S334). In Example 4, the evaluation of the defect inspection was “B”, and the evaluation of the read / write test was “B”.

(実施例5)
実施例5のガラス基板では、吸着力は13.0g/cm、研磨パッドの連通孔の数は88、ガラス基板取出工程(S334)における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、15wt%であった。研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程は行なっていない。この実施例3においては、ディフェクト検査の評価は「A」、リードライト試験の評価は、「A」であった。
(Example 5)
In the glass substrate of Example 5, the adsorptive power is 13.0 g / cm 2 , the number of communication holes of the polishing pad is 88, and the accumulation state of the slurry on the polishing pad in the glass substrate extraction step (S334) is accumulation, The slurry concentration at that time was 15 wt%. After the polishing step (S333), the cleaning step is not performed before the glass substrate removal step (S334). In Example 3, the evaluation of the defect inspection was “A”, and the evaluation of the read / write test was “A”.

(比較例1)
比較例1のガラス基板では、吸着力は17.5g/cm、研磨パッドの連通孔の数は24、ガラス基板取出工程(S334)における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積無であった。研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程を行なった。この比較例1においては、ディフェクト検査の評価は「D」、リードライト試験の評価は、「D」であった。
(Comparative Example 1)
In the glass substrate of Comparative Example 1, the adsorption force was 17.5 g / cm 2 , the number of communication holes of the polishing pad was 24, and the accumulation state of the slurry on the polishing pad in the glass substrate extraction step (S334) was not accumulated. . After the polishing step (S333), a cleaning step was performed before the glass substrate removal step (S334). In Comparative Example 1, the evaluation of the defect inspection was “D”, and the evaluation of the read / write test was “D”.

(比較例2)
比較例2のガラス基板では、吸着力は17.0g/cm、研磨パッドの連通孔の数は24、ガラス基板取出工程(S334)における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、15wt%であった。研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程は行なっていない。この比較例2においては、ディフェクト検査の評価は「D」、リードライト試験の評価は、「D」であった。
(Comparative Example 2)
In the glass substrate of Comparative Example 2, the adsorption force is 17.0 g / cm 2 , the number of communication holes of the polishing pad is 24, and the accumulation state of the slurry on the polishing pad in the glass substrate extraction step (S334) is accumulation, The slurry concentration at that time was 15 wt%. After the polishing step (S333), the cleaning step is not performed before the glass substrate removal step (S334). In Comparative Example 2, the evaluation of the defect inspection was “D”, and the evaluation of the read / write test was “D”.

(比較例3)
比較例3のガラス基板では、吸着力は16.0g/cm、研磨パッドの連通孔の数は35、ガラス基板取出工程(S334)における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積無であった。研磨工程(S333)終了後、ガラス基板取出工程(S334)の前に、洗浄工程は行なっていない。この比較例3においては、ディフェクト検査の評価は「C」、リードライト試験の評価は、「C」であった。
(Comparative Example 3)
In the glass substrate of Comparative Example 3, the adsorbing force was 16.0 g / cm 2 , the number of communication holes of the polishing pad was 35, and the accumulation state of the slurry on the polishing pad in the glass substrate extraction step (S334) was not accumulated. . After the polishing step (S333), the cleaning step is not performed before the glass substrate removal step (S334). In Comparative Example 3, the evaluation of the defect inspection was “C”, and the evaluation of the read / write test was “C”.

以上の実施例1〜5、および比較例1〜3の吸着力に基づく評価結果から、研磨パッドにスラリーを供給した湿潤状態において、研磨パッドのガラス基板1への吸着力は、0.50g/cm以上、15g/cm以下であることが好ましいことが確認できた。From the evaluation results based on the adsorptive powers of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, in the wet state in which slurry was supplied to the polishing pad, the adsorptive power of the polishing pad to the glass substrate 1 was 0.50 g / It was confirmed that it was preferably not less than cm 2 and not more than 15 g / cm 2 .

実施例1〜5、および比較例1〜3の連通孔の数に基づく評価結果から、定盤の法線方向に沿った研磨パッドの縦断面において、断面積Sが0.01mm以上の上記連通孔410cが、縦断面において25mmあたり30個以上の密度で存在することが好ましく、実施例5から80個以上の密度で存在することがより好ましいことが確認できた。From the evaluation results based on the number of communication holes in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, in the longitudinal section of the polishing pad along the normal direction of the surface plate, the cross-sectional area S is 0.01 mm 2 or more. It was confirmed that the communication holes 410c are preferably present at a density of 30 or more per 25 mm 2 in the longitudinal section, and more preferably 80 or more from Example 5.

実施例1〜5、および比較例1〜3の連通孔の数に基づく評価結果から、定盤の法線方向に沿った研磨パッドの縦断面において、断面積Sが0.01mm以上の上記連通孔410cが、縦断面において25mmあたり30個以上の密度で存在することが好ましく、実施例5から80個以上の密度で存在することがより好ましいことが確認できた。From the evaluation results based on the number of communication holes in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, in the longitudinal section of the polishing pad along the normal direction of the surface plate, the cross-sectional area S is 0.01 mm 2 or more. It was confirmed that the communication holes 410c are preferably present at a density of 30 or more per 25 mm 2 in the longitudinal section, and more preferably 80 or more from Example 5.

実施例1では、研磨工程S333終了後、ガラス基板取出工程S334の前に、洗浄工程を実施し、比較例3では、研磨工程S333終了後、ガラス基板取出工程S334の前に、洗浄工程を実施していないことから、研磨パッドがスラリーを含んだ状態のまま、定盤から研磨後のガラス基板1を取り出す方がよいことが確認できた。   In Example 1, a cleaning process is performed after the polishing process S333 is completed and before the glass substrate extracting process S334. In Comparative Example 3, a cleaning process is performed after the polishing process S333 is completed and before the glass substrate extracting process S334. Therefore, it was confirmed that it is better to take out the polished glass substrate 1 from the surface plate while the polishing pad contains the slurry.

実施例3では、研磨工程S333終了後、ガラス基板取出工程S334の前に、研磨工程S333の開始時には、15wt%の濃度であったスラリーの濃度が、ガラス基板取出工程S334の開始時には、1.5倍以上となるように、研磨パッド上に濃度の高いスラリーを散布していることから、定盤から研磨後のガラス基板1を取り出す工程において、スラリーの濃度は、ガラス基板1の表面を研磨する工程におけるスラリーの濃度と比較して、1.5倍以上であることが好ましいことが確認できた。   In Example 3, the concentration of the slurry, which was 15 wt% at the start of the polishing step S333 after the polishing step S333 was completed and before the glass substrate extraction step S334, was 1. Since the slurry having a high concentration is dispersed on the polishing pad so as to be 5 times or more, the concentration of the slurry is used to polish the surface of the glass substrate 1 in the step of removing the polished glass substrate 1 from the surface plate. It was confirmed that the concentration was preferably 1.5 times or more as compared with the concentration of the slurry in the step of performing.

上記実施の形態および実施例においては、両面研磨装置を用いた場合について説明しているが、両面研磨装置に限定されるもものではない。   In the above-described embodiments and examples, the case where a double-side polishing apparatus is used has been described, but the present invention is not limited to the double-side polishing apparatus.

以上、本発明の実施の形態および実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   Although the embodiments and examples of the present invention have been described above, the embodiments and examples disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 ガラス基板、1A 表主表面、1B 裏主表面、1C 内周端面、1D 外周端面、1H 孔、2 磁気薄膜層、10 磁気ディスク、300 上定盤(上側砥石保持定盤)、310 上側研磨パッド、311,411研磨面、400 下定盤(下側砥石保持定盤)、410 下側研磨パッド、410c 連通孔、410h 発泡孔、500 キャリア、2000 両面研磨装置。   1 glass substrate, 1A front main surface, 1B back main surface, 1C inner peripheral end surface, 1D outer peripheral end surface, 1H hole, 2 magnetic thin film layer, 10 magnetic disk, 300 upper surface plate (upper whetstone holding surface plate), 310 upper surface polishing Pad, 311, 411 polishing surface, 400 lower surface plate (lower grinding wheel holding surface plate), 410 lower surface polishing pad, 410c communication hole, 410h foaming hole, 500 carrier, 2000 double-side polishing apparatus.

本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体の製造方法および研磨パッドに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium, a method for manufacturing an information recording medium, and a polishing pad .

本発明は、上記の実情に鑑みてなされたものであって、情報記録媒体用ガラス基板を情報記録媒体化した後に、記録特性の低下を招くことのない情報記録媒体用ガラス基板を提供することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体の製造方法および研磨パッドを供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an information recording medium glass substrate that does not cause deterioration in recording characteristics after the information recording medium glass substrate is converted into an information recording medium. An object of the present invention is to provide a method for producing a glass substrate for information recording medium, a method for producing an information recording medium, and a polishing pad .

本発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法の他の局面では、複数の発泡孔を含む部材からなる研磨パッドを定盤上に装着し、上記研磨パッドを用いてガラス基板の表面を研磨する研磨装置を用いる、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、上記ガラス基板を上記定盤上に載置する工程と、上記研磨装置により、液体状研磨剤を上記ガラス基板に供給しながら、上記ガラス基板の表面を研磨する工程と、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程と、を備え、上記研磨パッドは、隣接する上記発泡孔を連通する複数の連通孔が形成された連続発泡構造を有し、上記定盤の法線方向に沿った上記研磨パッドの断面において、断面積が0.01mm以上の上記連通孔が、25mmあたり30個以上の密度で存在し、上記研磨パッドに上記液体状研磨剤を供給した状態において、上記研磨パッドの上記ガラス基板への吸着力は、0.50g/cm 以上、15g/cm 以下である。 In another aspect of the method for producing a glass substrate for an information recording medium according to the present invention, a polishing pad made of a member including a plurality of foam holes is mounted on a surface plate, and the surface of the glass substrate is formed using the polishing pad. A method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium using a polishing apparatus for polishing, wherein a liquid abrasive is supplied to the glass substrate by the step of placing the glass substrate on the surface plate and the polishing apparatus. while, the step of polishing the surface of the glass substrate, and a step of taking out the glass substrate after polishing from the platen, the polishing pad includes a plurality of communication holes for communicating the adjacent the foam pores It has formed a continuous foam structure, in cross section of the polishing pad along the normal direction of the surface plate, the cross-sectional area 0.01 mm 2 or more of the communication hole, 30 or more per 2 5 mm 2 Exist in density And, in a state where the supplying the liquid abrasive to the polishing pad, the suction force to the glass substrate of the polishing pad, 0.50 g / cm 2 or more and 15 g / cm 2 or less.

本発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法のさらに他の局面では、複数の発泡孔を含む部材からなる研磨パッドを定盤上に装着し、上記研磨パッドを用いてガラス基板の表面を研磨する研磨装置を用いる、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、上記ガラス基板を上記定盤上に載置する工程と、上記研磨装置により、液体状研磨剤を上記ガラス基板に供給しながら、上記ガラス基板の表面を研磨する工程と、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程と、を備え、上記研磨パッドは、隣接する上記発泡孔を連通する複数の連通孔が形成された連続発泡構造を有し、上記定盤の法線方向に沿った上記研磨パッドの縦断面において、断面積が0.01mm 以上の上記連通孔が、25mm あたり30個以上の密度で存在する In still another aspect of the method for producing a glass substrate for an information recording medium according to the present invention, a polishing pad made of a member including a plurality of foam holes is mounted on a surface plate, and the surface of the glass substrate is used using the polishing pad. A method for producing a glass substrate for an information recording medium using a polishing apparatus for polishing a glass substrate, the step of placing the glass substrate on the surface plate, and a liquid abrasive agent on the glass substrate by the polishing apparatus. A step of polishing the surface of the glass substrate while supplying, and a step of removing the glass substrate after polishing from the surface plate, wherein the polishing pad communicates with the adjacent foam holes. has a continuous foam structure but formed in longitudinal section of the polishing pad along the normal direction of the surface plate, the cross-sectional area 0.01 mm 2 or more of the communication hole, 25 mm 30 or more per 2 Exist in degrees.

他の形態においては、上記定盤の法線方向に沿った上記研磨パッドの断面において、断面積が0.01mm 以上の上記連通孔が、25mm あたり80個以上の密度で存在する。 In another embodiment, in the cross section of the polishing pad along the normal direction of the surface plate, the communication holes having a cross-sectional area of 0.01 mm 2 or more exist at a density of 80 or more per 25 mm 2 .

他の形態においては、前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す工程において、前記研磨パッドが前記液体状研磨剤を含んだ状態のまま、前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す。
他の形態においては、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程において、上記液体状研磨剤の濃度は、上記研磨装置により、上記ガラス基板の表面を研磨する工程における上記液体状研磨剤の濃度と比較して、1.5倍以上である。
本発明に基づいた情報記録媒体の製造方法は、上述のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られた情報記録媒体用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性膜を形成することを特徴とする。
本発明に基づいた研磨パッドは、研磨装置の定盤に装着して研磨処理に用いられる研磨パッドであって、上記研磨パッドは、複数の発泡孔と、隣接する上記発泡孔を連通する複数の連通孔とを有し、上記研磨パッドの法線方向に沿った断面において、断面積が0.01mm 以上の上記連通孔が、上記断面において25mm あたり30個以上の密度で存在することを特徴とする。
In another form, in the step of taking out the glass substrate after polishing from the surface plate, the glass substrate after polishing is taken out from the surface plate while the polishing pad contains the liquid abrasive.
In another embodiment, in the step of removing the glass substrate after polishing from the surface plate, the concentration of the liquid abrasive is such that the liquid abrasive in the step of polishing the surface of the glass substrate by the polishing apparatus. It is 1.5 times or more compared with the concentration of.
An information recording medium manufacturing method according to the present invention includes forming at least a magnetic film on a surface of an information recording medium glass substrate obtained by any of the above-described methods for manufacturing an information recording medium glass substrate. It is characterized by.
A polishing pad according to the present invention is a polishing pad that is mounted on a surface plate of a polishing apparatus and used for a polishing process, and the polishing pad includes a plurality of foam holes and a plurality of adjacent foam holes that communicate with each other. The communication hole having a communication hole and having a cross-sectional area of 0.01 mm 2 or more in the cross section along the normal direction of the polishing pad has a density of 30 or more per 25 mm 2 in the cross section. Features.

本発明によれば、情報記録媒体用ガラス基板を情報記録媒体化した後に、記録特性の低下を招くことのない情報記録媒体用ガラス基板を提供することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体の製造方法および研磨パッドを提供する。 According to the present invention, an information recording medium glass substrate capable of providing a glass substrate for information recording medium that does not cause deterioration in recording characteristics after the information recording medium glass substrate is converted into an information recording medium. A manufacturing method , a method for manufacturing an information recording medium, and a polishing pad are provided.

Claims (5)

複数の発泡孔を含む部材からなる研磨パッドを定盤上に装着し、前記研磨パッドを用いてガラス基板の表面を研磨する研磨装置を用いる、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板を前記定盤上に載置する工程と、
前記研磨装置により、液体状研磨剤を前記ガラス基板に供給しながら、前記ガラス基板の表面を研磨する工程と、
前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す工程と、
を備え、
前記研磨パッドに前記液体状研磨剤を供給した状態において、前記研磨パッドの前記ガラス基板への吸着力は、0.50g/cm以上、15g/cm以下である、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
A method for producing a glass substrate for an information recording medium, wherein a polishing pad comprising a member including a plurality of foam holes is mounted on a surface plate and a polishing apparatus for polishing the surface of the glass substrate using the polishing pad is used.
Placing the glass substrate on the surface plate;
Polishing the surface of the glass substrate while supplying a liquid abrasive to the glass substrate by the polishing apparatus;
Removing the glass substrate after polishing from the surface plate;
With
In a state where the liquid abrasive is supplied to the polishing pad, the adsorption force of the polishing pad to the glass substrate is 0.50 g / cm 2 or more and 15 g / cm 2 or less. Manufacturing method.
前記研磨パッドは、
隣接する前記発泡孔を連通する複数の連通孔を有し、
前記定盤の法線方向に沿った前記研磨パッドの縦断面において、断面積が0.01mm以上の前記連通孔が、前記縦断面において25mmあたり30個以上の密度で存在する、請求項1に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
The polishing pad is
A plurality of communication holes communicating the adjacent foam holes;
The longitudinal direction of the said polishing pad along the normal direction of the said surface plate WHEREIN: The said communicating hole with a cross-sectional area of 0.01 mm < 2 > or more exists in the said longitudinal cross-section with the density of 30 or more per 25 mm < 2 >. The manufacturing method of the glass substrate for information recording media of 1.
前記定盤の法線方向に沿った前記研磨パッドの縦断面において、断面積が0.01mm以上の前記連通孔が、前記縦断面において25mmあたり80個以上の密度で存在する、請求項2に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。In longitudinal section of the polishing pad along the normal direction of the surface plate, the cross-sectional area of 0.01 mm 2 or more of the communication holes, present in 25 mm 2 80 or more density per in the longitudinal section, claim 2. A method for producing a glass substrate for information recording medium according to 2. 前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す工程において、
前記研磨パッドが前記液体状研磨剤を含んだ状態のまま、前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す、請求項1から3のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
In the step of taking out the glass substrate after polishing from the surface plate,
The method for producing a glass substrate for an information recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the polished glass substrate is taken out from the surface plate while the polishing pad contains the liquid abrasive.
前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す工程において、
前記液体状研磨剤の濃度は、前記研磨装置により、前記ガラス基板の表面を研磨する工程における前記液体状研磨剤の濃度と比較して、1.5倍以上である、請求項4に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
In the step of taking out the glass substrate after polishing from the surface plate,
The density | concentration of the said liquid abrasive | polishing agent is 1.5 times or more compared with the density | concentration of the said liquid abrasive | polishing agent in the process of grind | polishing the surface of the said glass substrate with the said grinding | polishing apparatus. A method for producing a glass substrate for an information recording medium.
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