JPWO2013084574A1 - スピン現像方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
また、そのような製造ラインで処理されるワークに、12インチなどの大口径のウェハが使用され、1枚のウェハから数千個の半導体チップが製造される生産システムとされている。
そこで、従来のジョブショップ方式の製造ラインに代え、半導体処理装置を処理工程順に配置したフローショップ方式による製造ラインも提案されている。
このような巨大な製造システムでは、プロセス数も数百を越え、それに比例してベイ数や装置数も大幅に増大してきている。
このため製造ライン全体としてのスループットは向上してきたものの、このようなメガファブを構築するには数千億円もの設備投資が必要とされ、総投資額が巨額化している。
また、このように製造システムが巨大化するに伴い、装置制御が複雑化して、搬送系での搬送時間や待ち時間が飛躍的に増大しているため、生産ライン内で滞留する仕掛かりウェハ数もそれに応じて飛躍的に増加している。ここで使用される大口径のウェハの単価は非常に高いので、仕掛かり枚数が増大するとコスト上昇を招くこととなる。
このようなことなどから、設備投資を含めたトータルでの生産性は、現在より小口径のウェハを用いた比較的中規模の製造ラインと比べて、現状では、もはや減少する方向に転じていると言われている。
このような巨大な製造システムでなければこの超少量生産はコストパフォーマンスをさほど犠牲にすることなく行うことが可能であるが、このような巨大な製造システムでは、この超少量生産を製造ラインに流すにはコストパフォーマンスが極端に悪くなることから、これと同時に、他の品種を該製造ラインに流さざるを得ないこととなる。
しかしながら、そのように多品種を同時に投入して混流生産をするとなると、製造ラインの生産性は品種数の増大とともに一層低下することとなるので、結局のところ、このような巨大な製造システムでは、超少量生産でかつ多品種生産に適切に対応することができない。
一方、デバイス製造工程でのウェハの現像方式も種々、提案されている。(非特許文献1)
ウェハを100rpmで回転させながら5秒間現像液を供給し、20秒間の静止現像を行い、この作業を3回繰り返した。使用される現像液量は合計90ml、現像時間は合計60秒となった。
このように、従来法では厚さ1μmのレジストを現像するに要する時間は、60〜300秒とされており、比較的現像時間の短い上記したSP法でも60秒を要するように、現像効率に優れているわけではない。また、使用する現像液量は、ウェハ全体を浸漬しなければならない程度の現像液量となるなど、現像液の使用効率においても高くない。
このように、これら現像方法は、上記したハーフインチサイズのようなきわめて小さいワーク上のレジストの現像方式としては、現像効率や解像性の点でまだ、十分ではない。
さらに、極小単位数の半導体デバイスを作製するウェハサイズのウェハ上に形成されたレジストの現像方法であって、停止しているウェハ上に現像液をこぼれる量を下回る量だけ滴下し、その後ウェハを回転させて現像液を厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下するか、または、回転しているウェハ上に現像液の厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下する第1ステップ、ウェハを回転させながら現像する第2ステップからなるスピン現像方法とした。
さらに、前記ウェハサイズを0.5インチ径とし、前記第1ステップでの滴下現像液量を0.4ml程度とし、前記第3ステップでの滴下現像液量を0.2ml程度とし、現像液滴下時のウェハ上での現像液の接触角を135〜146度程度としても良い。
ウェハを所定速度で回転させる回転部と、ウェハ上に所定量の現像液を滴下することのできる現像液供給部と、前記回転部の回転を制御する回転制御部と、停止しているウェハ上に現像液をこぼれる量を下回る量だけ滴下し、その後ウェハを回転させて現像液の厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下するか、または、回転しているウェハ上に現像液の厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下する現像液供給制御部と、を有するスピン現像装置とした。
また、前記現像液供給部は、ウェハ表面と前記現像液供給部の現像液供給口との距離を、前記現像液供給口と前記ウェハ表面との間に連続的な液滴ボールが形成される距離に保持する供給口高さ制御機構を備えることを特徴とするスピン現像装置とした。
まず、本発明に使用される現像装置を図1に示す。0.5インチサイズのウェハ2は、真空チャックが備えられたワークテーブル1上に載置される。ワークテーブル1は、4から空気が吸引され、図示しない駆動部材により矢印5方向に回転されるので、載置されたウェハ2を、その上に固定し、回転することができる。ワークテーブル1の回転中心の真上には、現像液6をウェハ2上に供給するための供給ノズル(現像液供給部)3や、リンスをウェハ2上に供給するための供給ノズル(図示せず)等が選択的に配置されるように構成されている。そのうち、現像液を供給する供給ノズル3の供給口(現像液供給口)は、内径2mmに形成されており、ウェハ2から該供給口までの距離Sが5mmになるように設けられる。また、ワークテーブル1の回転を制御したり、供給ノズルからの供給量を制御したりする制御部(図示せず)が設けられている。
レジストの塗布プロセスは、HMDS:90℃10秒、その後、スピンコート4000rpm30秒、その後、プレベーク90℃60秒により、レジスト膜厚は600〜700nmを得た。
露光は、i線LED光源を用いてドーズ量250mJ/cm2、P.E.B:100℃60秒で行った。
現像液は、含水TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)、利用濃度2.38%を用いた。
環境温度は、21℃±1℃である。
図示しない搬送装置により、0.5インチサイズのウェハ2が、ワークテーブル1上に搬送されると、互いの回転中心をアライメントされて、真空チャックによりワークテーブル1上に固定される。
<第1ステップ>
図3(1)に示すように、現像液供給ノズル3の供給口を待機位置からワークテーブル1の回転中心の真上の距離Sを5mmにして配置する。(1)
ここで、ワークテーブル1の回転速度が300rpmとされると、供給ノズル3からウェハ上に現像液6を0.4ml供給する。この現像液量は、回転しているウェハ2上の現像液の厚みがほぼ最大となる液量である。 あるいは、停止しているウェハ上に現像液をこぼれる量を下回る量だけ滴下し、その後ウェハを回転させて現像液量を滴下するようにしてもよい。つまり、回転状態のウェハ2上に載置可能な最大液量にほぼ相当するような現像液を供給する。(2)
この際、図3に示すように、供給ノズル3の供給口とウェハ2の表面との間に連続的な液滴ボールpが表面張力により形成されるような距離S(具体的には、5mm)に保持する。
<第2ステップ>
その回転速度のまま、15秒間の現像を行う(1回目のスピン現像)。(3)
この現像の際、供給口を一旦退避させても良いが、現像液供給時における距離Sに保持したままでも良いので、退避させない場合には、供給ノズル3の位置制御が省略できる。なお、退避させる場合は、供給ノズル3をウェハ2に対し一旦持ち上げるように退避させることが必要である。
<第3ステップ>
次に、その回転速度のまま、供給ノズル3からウェハ2上に現像液6を0.2ml供給する。供給ノズル3を、現像液供給位置から退避させる。具体的には、供給口を供給位置から一旦上方に持ち上げてから、待機位置に戻す。(4)
<第4ステップ>
次に、その回転速度のまま、20秒間の現像を行う(2回目のスピン現像)。(5)
以上の第1ステップ〜第4ステップにより現像を終了させる。
次に、リンス供給ノズル7を回転中心に配置するとともに、ウェハの回転速度を800rpmに上昇させてリンス液8(純水)1mlを供給し、2秒間のリンスを行う。これにより、現像を完全に停止させるとともに、残滓レジストを除去する。<第5ステップ>(6)
次に、回転を4500rpmに上昇させ、15秒間の乾燥を行い、これにより現像の全工程を終了する。<第6ステップ>(7)
最後に、ワークテーブル1の回転を停止し、ウェハを取り出す。(8)
そして、前記供給ノズル3は、ウェハ2表面と現像液供給口との距離を、現像液供給口とウェハ表面との間に連続的な液滴ボールpが形成される距離に保持する供給口高さ制御機構(図示せず)を備えている。
本発明の実施の形態では、上記したように、2回のスピン現像と2回の現像液供給を行った。トータルの現像時間は35秒である。
これに対し、対比例1:[1回のスピン現像・現像液の入れ替えなし、現像時間38〜40秒]、および対比例2:[1回の静止現像・現像液の入れ替えなし(つまり、普通のパドル現像法)、現像時間45秒]によって現像された現像パターンとの対比評価を行った。
対比例1および2とも、レジスト線のL&S幅3μmで、レジスト残が見られた。また、十字マーク現像パターンにおいても、マーク幅2μmおよび5μmのいずれも、レジスト残が見られた。
そうすると次に重要なことは、このノズルを現像中に待機位置まで待避する場合には、ウェハ面内と水平にノズルを待避すると、液滴が引きずられて、液がウェハから零れてしまうことになる。それを防ぐために、ノズルはまず、垂直に引き上げなければならない。その後、待機位置まで待避する動作を行う。
なお、上記したように、ノズルは現像中に必ずしも待避する必要はなく、現像中に液滴に触れたままでもよい。その場合、ノズルは液滴に触れた状態で現像することになる。このように、液滴にノズルが触れることはスピン現像の一つの特徴である。
図8により明らかなように、現像時間についてみると、普通のパドル現像法は300秒、SP法は60〜70秒であり、いずれも本実施の形態例の現像時間(35〜45秒)よりも長い。リンス時間については、これらの現像法によるものが60〜180秒を要するに対し、本実施の形態例のものは、上記したように2秒にすぎない。なお、乾燥時間については、これら現像法によるものと本実施の形態例によるものとは、ほぼ同様(15秒)であった。したがって、現像工程全体で見ると、大口径ウェハを従来現像法で現像する場合は、2.5分〜8分であるのに対し、0.5インチウェハを本実施の形態例で現像する場合は、1分以内ということになる。しかも、上記したように、その現像特性は、本実施の形態例によるもののほうが、優れている。
また、現像に要した現像液量は、4インチウェハの現像の場合、90mlであったのに対し、上記したように本発明による0.5インチウェハの現像では0.6mlである。0.5インチ径と4インチ径とでは面積比1:64であるが、使用現像液量は1:150であるから、本発明のスピン現像方法は、SP法の1.5%まで現像液使用量を減少させることができる。
[現像液量と、回転速度について]
図4の右図に示す4インチサイズのウェハに保持される現像液は、左図に対比して示す0.5インチサイズへの現像液の保持量とは、単位面積あたりの現像液保持量が小さくなる。これは、0,5インチサイズのウェハ上の場合は、現像液の滴下時に液滴が分裂しないように供給すると、ウェハ表面全体から現像液の表面張力により盛り上がるように保持される。これに対し、4インチサイズのように表面積が広がると、ウェハ上に供給された現像液は、その表面張力により取り敢えずは塊となってしまう。そのまま放置すると、ウェハ表面に徐々に広がっていくものの、全体に広がるまでには数十秒かかってしまう。その間、最初に現像液が供給された部位は現像が進むので、中心部と周縁部とでは現像レートに差が生じてしまう。したがって、このような表面積の広いウェハの場合は、図6に記載するように、ウェハ2を回転させながら現像液を供給しなければならない。このため、現像液6は、ウェハ表面から薄く拡散され、ウェハ周縁部2’から飛散し、結果として0.5インチサイズのものと比較して単位面積あたりの現像液保持量は小さくなる。
実際、この4インチウェハの場合、ウェハの回転速度100rpmで回転させると、全面に広がるまで数秒間を要し、しかも使用される現像液量は30ml以上となる。単位面積あたりの現像液保持量は、0.4μl/mm2である。
ウェハ上の現像液がこの最大接触角の近傍になるまで、現像液量(現像液厚み)とウェハ回転速度とを制御することにより、図5および6に示すように、最小接触角(θmin)での現像液高さhで供給されるよりも、現像液高さh’は低下するものの、多くの現像液量をウェハ上に保持させることが可能となる。実際、この接触角を135°〜146°、望ましくは146°近傍まで保持するように回転速度および現像液供給量(現像液厚み)を制御すると、ウェハ回転時におけるウェハ上の現像液量は最大となり、単位面積あたりの現像液保持量は、4μl/mm2となった。これは、4インチウェハの場合よりもほぼ1桁多くの単位面積あたりの現像液量となる。この現像液量が多いほど、現像液中に溶け出したレジストによる現像液の濃度変化が少なくなるので、現像条件のマージンが広く取れ、有利である。現像むらを発生させるリスクは小さくなる。
これ以上の距離では、滴下時に液滴が分裂するので、ウェハ上への最大液量の供給が難しくなるからである。
しかも、従来のパドル現像法とは異なり、ウェハを回転しながら現像液を供給することで、現像液を多量にしかもウェハ表面に早く供給することができ、現像液を効率的に有効活用することもできる。このことは、本実施の形態例における、現像効率の高さや再現性の高さが確保できる要因となっている。
上記のように供給された現像液は、時間の経過にともなって現像液とウェハとの濡れ性が良くなるにつれて、ウェハの回転に伴って次第にウェハ上から飛散されてゆく。また、現像の進行と共に現像液とレジスト表面の境界に発生したN2ガスも、ウェハの回転と共にウェハ外周に運ばれることとなるので、現像が早く進展し、1回目の現像液のリアクションレートは、急激に低下することとなる。
実際、回転速度を100rpm、200rpm、300rpmと変化させて、現像されたテストパターンを比較検査すると、低速の場合には、より長い現像時間が必要であることが判明した。
したがって、1回目のパドル現像は、より早いタイミングで現像液の入れ替えを必要とされることとなる。したがって、1回目の現像時間<2回目の現像時間としている。
また、2回目の現像液量は、1回目のほぼ半分に設定している。これは、1回目の現像にともない、レジスト表面の濡れ性が向上しているので、1回目のような多くの現像液量を必要とせず、また、実際、1回目のような現像液量の供給は不能になっている。
したがって、本実施の形態例では、2回目のパドル現像の現像液量は、1回目のそれよりも少なくできるので、現像剤の使用効率に優れている。
なお、回転速度、現像液量(現像液厚み)および接触角については、ウェハないしはレジストの濡れ性や現像液の粘性、レジスト膜厚等によって、上記した実施の形態例と相違が生じる場合があるが、上記した本件発明における技術思想の範囲内で変更することが可能である。
2、2’ ウェハ
3 現像液供給ノズル
6、6’ 現像液
h、h’現像液高さ
θ 接触角
Claims (5)
- 極小単位数の半導体デバイスを作製するウェハサイズのウェハ上に形成されたレジストの現像方法であって、停止しているウェハ上に現像液をこぼれる量を下回る量だけ滴下し、その後ウェハを回転させて現像液の厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下するか、または、回転しているウェハ上に現像液の厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下する第1ステップ、ウェハを回転させながら現像する第2ステップからなるスピン現像方法。
- 極小単位数の半導体デバイスを作製するウェハサイズのウェハ上に形成されたレジストの現像方法であって、停止しているウェハ上に現像液をこぼれる量を下回る量だけ滴下し、その後ウェハを回転させて現像液を厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下するか、または、回転しているウェハ上に現像液の厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下する第1ステップ、ウェハを回転させながら現像する第2ステップ、第1ステップと同一の回転速度で回転されているウェハに第1ステップでの現像液量の約半分の現像液を滴下する第3ステップ、ウェハを回転させながら、第2ステップより長い現像時間で現像する第4ステップからなるスピン現像方法。
- 前請求項1において、前記ウェハサイズを0.5インチ径とし、前記第1ステップでの滴下現像液量を0.4ml程度とし、前記第3ステップでの滴下現像液量を0.2ml程度とし、現像液滴下時の前記ウェハ上での現像液の接触角を135〜146度程度とすることを特徴とする請求項2記載のスピン現像方法。
- ウェハを所定速度で回転させる回転部と、ウェハ上に所定量の現像液を滴下することのできる現像液供給部と、前記回転部の回転を制御する回転制御部と、停止しているウェハ上に現像液をこぼれる量を下回る量だけ滴下し、その後ウェハを回転させて現像液を厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下するか、または、回転しているウェハ上に現像液の厚みがほぼ最大となるまで現像液を滴下する現像液供給制御部と、とを有するスピン現像装置。
- 前記現像液供給部は、ウェハ表面と前記現像液供給部の現像液供給口との距離を、前記現像液供給口と前記ウェハ表面との間に連続的な液滴ボールが形成される距離に保持する供給口高さ制御機構を備えることを特徴とする請求項4記載のスピン現像装置。
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JP6289318B2 (ja) * | 2014-09-08 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2016111053A (ja) | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | シリンジを用いた処理液供給装置およびウェット処理装置 |
JP6370282B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
CN108333884A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-27 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种新型的显影装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
JPH05119482A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の現像処理方法 |
JPH0645245A (ja) * | 1991-07-30 | 1994-02-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | Ic製造における現像方法 |
JPH0645244A (ja) * | 1991-07-30 | 1994-02-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | Ic製造における現像方法 |
JPH0661135A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-04 | Nec Corp | フォトレジスト膜現像方法 |
JPH07211624A (ja) * | 1994-01-11 | 1995-08-11 | Sony Corp | 現像方法及び現像装置 |
JP2002131929A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-09 | Toshiba Corp | フォトレジストの現像方法 |
JP2002246288A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法およびこれに用いる現像装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5342738A (en) * | 1991-06-04 | 1994-08-30 | Sony Corporation | Resist film developing method and an apparatus for carrying out the same |
US5897982A (en) * | 1996-03-05 | 1999-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist develop process having a post develop dispense step |
US6265323B1 (en) * | 1998-02-23 | 2001-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and apparatus |
-
2012
- 2012-10-03 US US14/363,512 patent/US20150050602A1/en not_active Abandoned
- 2012-10-03 KR KR1020147016914A patent/KR101688473B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
JPH0645245A (ja) * | 1991-07-30 | 1994-02-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | Ic製造における現像方法 |
JPH0645244A (ja) * | 1991-07-30 | 1994-02-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | Ic製造における現像方法 |
JPH05119482A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の現像処理方法 |
JPH0661135A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-04 | Nec Corp | フォトレジスト膜現像方法 |
JPH07211624A (ja) * | 1994-01-11 | 1995-08-11 | Sony Corp | 現像方法及び現像装置 |
JP2002131929A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-09 | Toshiba Corp | フォトレジストの現像方法 |
JP2002246288A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法およびこれに用いる現像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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