JPWO2012111270A1 - 高速インタフェース用コネクタ - Google Patents

Abstract

本発明の高速インタフェース用コネクタは、互いに隣接する一対の差動伝送方式の信号用ピンと、一対の差動伝送方式の信号用ピンの両側を挟む二本の安定電位ピンとを含む差動伝送方式信号ピン配列であって、二本の安定電位ピンは互いに異なる電位を有する、差動伝送方式信号ピン配列を有するケーブルもしくはメモリーカードを接続するための高速インタフェース用コネクタであって、一対の差動伝送方式の信号用ピンにそれぞれ接続し、互いに隣接する差動伝送方式の第一及び第二のコンタクト端子と、第１及び第２のコンタクト端子の両側を挟む第三及び第四のコンタクト端子であって、第一のコンタクト端子と隣接する第三のコンタクト端子は、二本の安定電位ピンのうちの一つと接続され、第二のコンタクト端子と隣接する第四のコンタクト端子は、第三のコンタクト端子と同じ電位を有する、第三及び第四のコンタクト端子と、を含む。

Description

本願は、日本国に２０１１年２月１４日に出願した特願２０１１−２８３０３号の日本特許出願を優先権の基礎とするものであり、この日本特許出願の内容は、本願明細書の一部をなすものとしてここに挙げておく。

本発明は、差動伝送方式信号ピン配列を接続するための高速インタフェース用コネクタに関する。本発明は、具体的には、差動伝送方式信号ピン配列を有するメモリーカードを挿抜自在に接続するためのメモリーカードソケット、ＵＳＢケーブルを接続するためのＵＳＢケーブル用コネクタ等に関する。

現在、メモリーカードは、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどで撮影した写真、動画の保存用メディアとして、また携帯電話においては写真や動画を含めた様々なコンテンツの保存用メディアとして広く用いられている。また、上記電子機器（以降、ホスト機器と称する）で保存した様々なコンテンツをパーソナルコンピュータに移動もしくはコピーする際のブリッジメディアとしても用いられている。

メモリーカードは、その表面に複数の信号ピン、及び電源ピン、グランドピンを具備している。また、メモリーカード内部は、プリント基板、及びそれに実装されたコントローラＬＳＩ、フラッシュメモリなどから構成される。メモリーカード表面の複数のピンは、プリント基板上に形成された配線を介してコントローラＬＳＩの各端子（信号端子、電源端子、グランド端子）と電気的に接続されている。

一方、ホスト機器は、メモリーカードソケットを具備しており、メモリーカードがメモリーカードソケットに挿入されることでホスト機器とメモリーカードとが電気的に接続され、データの読み書きが行われる。

また、メモリーカードソケットは、メモリーカードを保持するためのボディ部、カバーシェル、コンタクト端子などから構成される。コンタクト端子は、メモリーカードが該メモリーカードソケットに挿入された際に、メモリーカードがその表面に具備した複数のピンと接触するようボディ部に固定されている。なお、本発明に関係しない構成部位の説明を省略する。メモリーカードソケットの一例は、例えば特許文献１、２などで開示されている。

特開２０１０−６１４７４号公報 特開２００４−７１１７５号公報

ホスト機器の高機能化で記録される写真や動画の高画質化が進んでおり、それに伴いメモリーカードの記憶容量の拡大も進んでいる。しかし、取り扱うデータ量が多くなるとホスト機器とメモリーカード間のデータ伝送時間が増加し、利便性が低下することから、メモリーカードについても、その記憶容量拡大に合わせてホスト機器−メモリーカード間で行うデータ伝送の速度向上も進められている。

ホスト機器とメモリーカード間の伝送速度の向上に向けて、いくつかアプローチが考えられる。ひとつは、メモリーカードの既存の信号ピンを介してホスト機器と伝送する信号伝送方式の伝送レートを向上することである。これまでのメモリーカードはホスト機器との信号伝送方式として、シングルエンド伝送方式を採用してきており、その伝送レートを向上させることで、メモリーカードの記憶容量拡大に対応してきた。

しかし、シングルエンド伝送方式は、信号線一本につき１ビットの信号を送る伝送方法であり、外来からのノイズの影響を受けやすい。したがって信号振幅を３．３Ｖや１．８Ｖなど比較的大きな信号振幅を使う必要があった。このため、伝送レートの高速化、すなわち信号周波数を向上するためには、信号の立ち上がり時間の短縮が必要である。シングルエンド伝送方式においても、これまで、信号周波数の向上、および信号の立ち上がり時間の短縮がなされてきたが、信号振幅が大きいため、信号の立ち上がり時間の短縮は限界にきている。

ホスト機器とメモリーカード間の伝送速度の向上に対する別のアプローチとして、これまでのシングルエンド伝送方式ではなく、ケーブルを用いた機器間高速信号伝送に昨今広く用いられている差動伝送方式を導入することが挙げられる。差動伝送方式は１対の信号線、すなわち２本の信号線を使って信号伝送する方式であり、対をなす２本の信号線のうち、一方には伝送する信号と同じ位相の信号（正相信号）を伝送し、同時に他方には伝送する信号と逆位相（逆相）の信号（逆相信号）を伝送し、受信側でそれらの差を検出する方式である。差動伝送方式では、受信側において、正相信号と逆相信号の差を検知するため、正相信号、逆相信号のそれぞれの振幅を小さくすることができる。このため、立ち上がり時間の短縮が容易であることからシングルエンド伝送方式よりも高速な信号伝送が可能である。また、差動伝送方式では、正相信号、逆相信号の各配線を近接して配置するため、正相信号、逆相信号が外来ノイズの影響を受けたとしても、一般的に正相信号、逆相信号に均一に外来ノイズが重畳する。このため、受信側で正相信号と逆相信号との差を取ることで、両者に均一に重畳した外来ノイズは相殺されることから、差動伝送方式では外来ノイズに対しても影響を受けにくいという特徴を持つ。

シングルエンド伝送方式を用いてホスト機器と信号伝送を行ってきたメモリーカードに差動伝送方式を導入する方法として、差動伝送専用に新たに専用ピンを追加する方法がある。既存のメモリーカードへの新規ピン追加の場合、新規追加ピンのための面積には制約がある。また、新規ピンを具備するメモリーカード側では、メモリーカードソケットに挿入したときに、既存の信号ピンに接続するメモリーカードソケットのコンタクト端子が、メモリーカード挿入途中に新規ピンと接触しても故障しないようなピン配置とする必要がある。あるいは、メモリーカードとして、メモリーカードソケットへの挿入途中に、新規ピンが、既存の信号ピンに接続するためのメモリーカードソケット側のコンタクト端子とは接触しないようなピン配置とする必要がある。

一方、メモリーカード側では、差動伝送用の差動信号ペアの両側をグランド端子とすることができず、例えば、図２のＤｉｆ１に示すような、グランドピンＰ７（Ｇ）、差動ピンＰ８（Ｓ＋）、Ｐ９（Ｓ−）、電源ピンＰ１０（Ｖ２）のピン配列となる場合がある。このように、差動信号ペアである差動ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）の両端が異なる電位の安定電位ピンである場合、Ｐ７（Ｇ）からＰ８（Ｓ＋）へ重畳するクロストークノイズと、Ｐ１０（Ｖ２）からＰ９（Ｓ−）へ重畳するクロストークノイズにより差動信号品質が劣化する可能性がある。これは、差動ピンＰ８（Ｓ＋）、Ｐ９（Ｓ−）の両側に位置する安定電位ピンＰ７（Ｇ）とＰ１０（Ｖ２）とのそれぞれに流れる相関のない電流成分がクロストークノイズとして差動信号に重畳すると差動信号の受信側（差動レシーバ；図示省略）では、これらの相関のないクロストークノイズを相殺できないためである。

上記差動伝送方式は、メモリーカードに限られず様々な規格に用いられている。機器同士を接続するための接続ケーブルの規格としては、例えば、ＵＳＢケーブル等にも差動伝送方式が使用されている。したがって、上記問題点は、これらの基板と機材との接続や、接続ケーブルとコネクタとの間においても発生している。

そこで、本発明の目的は、差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）を具備し、かつ、その差動ペアピンと隣接する左右のピンが異なる電位の安定電位ピンであるピン配置を有する差動伝送方式信号ピン配列を接続する高速インタフェース用コネクタであって、差動信号品質の劣化を抑制することができる高速インタフェース用コネクタを提供することである。

なお、さらに詳細には、本発明の目的は、上記の図２のＤｉｆ１に示すような高速信号伝送向けの差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）を具備し、かつ、その差動ペアピンの隣接する左右のピンが異なる電位の安定電位ピンであるピン配置を有するメモリーカード、ＵＳＢケーブル等に対して、差動信号品質の劣化を抑制する高速インタフェース用コネクタを提供することである。

従来の課題を解決するために、本発明に係る高速インタフェース用コネクタは、互いに隣接する一対の差動伝送方式の信号用ピンと、前記一対の差動伝送方式の信号用ピンの両側を挟む二本の安定電位ピンとを含む差動伝送方式信号ピン配列であって、前記二本の安定電位ピンは互いに異なる電位を有する、差動伝送方式信号ピン配列を有するケーブルもしくはメモリーカードに接続するための高速インタフェース用コネクタであって、
前記一対の差動伝送方式の信号用ピンにそれぞれ接続し、互いに隣接する差動伝送方式の第一及び第二のコンタクト端子と、
前記第１及び第２のコンタクト端子の両側を挟む第三及び第四のコンタクト端子であって、前記第一のコンタクト端子と隣接する前記第三のコンタクト端子は、前記二本の安定電位ピンのうちの一つと接続され、前記第二のコンタクト端子と隣接する前記第四のコンタクト端子は、前記第三のコンタクト端子と同じ電位を有する、第三及び第四のコンタクト端子と、
を含む。

また、前記二本の安定電位ピンのうちのもう一方と接続された第五のコンタクト端子を、さらに含んでもよい。

また、本発明のメモリーカードソケットは、互いに隣接する第一、第二のピンは差動伝送方式の信号用ピンであり、前記第一、第二のピン対の両側を挟んで隣接する第三、第四のピンのうち、前記第三のピンは前記第一のピンに隣接し、前記第一のピンに対して前記第二のピンとは反対側に位置し、前記第四のピンは前記第二のピンに隣接し、前記第二のピンに対して前記第一のピンとは反対側に位置し、前記第三、第四のピンは互いに同一の電位を有しないカードピン配列を有すると共に、前記第四のピンと同一の安定電位に接続された第五のピンを有する差動伝送方式のメモリーカードに対応するメモリーカードソケットであり、
前記メモリーカードの前記第一、第二の差動伝送方式の信号用ピンにそれぞれ接続し、互いに隣接する差動伝送方式の第一及び第二のコンタクト端子と、
前記第一及び第二のコンタクト端子対の両側を挟んで隣接する第三及び第四のコンタクト端子であって、前記第三のコンタクト端子は、前記第一のコンタクト端子に隣接し、前記第一のコンタクト端子に対して前記第二のコンタクト端子とは反対側に位置し、前記第四のコンタクト端子は、前記第二のコンタクト端子に隣接し、前記第二のコンタクト端子に対して前記第一のコンタクト端子とは反対側に位置する、第三及び第四のコンタクト端子と、
を備え、
前記第四のコンタクト端子は、前記メモリーカードの前記第四のピンと接続され、前記第三のコンタクト端子は、前記メモリーカードの前記第三のピンではなく、前記第四のピンと同一の安定電位に接続された前記第五のピンに接続されていることを特徴とする。

本発明に係るメモリーカードソケットの構成によって、差動ピンペアの両側のピンが同電位の安定電位ピンではないメモリーカードに対するメモリーカードソケットは、メモリーカードの差動ピンペアと接続するメモリーカードソケットのコンタクト端子対の両側に隣接するコンタクト端子対を同電位の安定電位とすることができる。

本発明の高速インタフェース用コネクタによれば、差動ピンペアの両側に隣接するピンが同電位の安定電位ピンではない差動伝送方式信号ピンと、ホスト機器との間で送受信される差動信号通信において、高速インタフェース用コネクタによって、差動信号を伝送するコンタクト端子対の両側に隣接する２つの安定電位ピンからのクロストークを互いに相関をもつようにできる。従って差動信号の受信端において互いに相関のあるクロストークは相殺されるので差動信号の品質劣化を抑制する効果を得る。

シングルエンドインタフェースのメモリーカードへ、差動インタフェースを導入する場合の参考例１のメモリーカードの構成を示す概略図である。 シングルエンドインタフェースのメモリーカードへ、差動インタフェースを導入する場合の参考例２のメモリーカードの構成（本発明を実施する際に想定される構成）を示す概略図である。 図２のメモリーカードに対応する、本発明の実施の形態１に係るメモリーカードソケットの一例であって、（ａ）は、メモリーカードソケットの上面図であり、点線・破線部分はカバーシェルの下部に隠れた部分の透視図であり、（ｂ）は、メモリーカードの裏面図であり、（ｃ）は、（ａ）のＡ１−Ｂ１区間の断面図であり、（ｄ）は、メモリーカードを挿入した場合の裏面図であり、（ｅ）は、（ｄ）のＡ２−Ｂ２区間の断面図である。 図２のメモリーカードに対応する本発明のメモリーカードソケットの一例であって、（ａ）は、メモリーカードソケットの上面図であり、点線・破線部分はカバーシェルの下部に隠れた部分の透視図であり、（ｂ）は、メモリーカードソケットの裏面図であり、（ｃ）は、（ａ）のＡ３−Ｂ３区間の断面図（図６（ａ）の同区間の断面図も兼ねる）であり、（ｄ）は、メモリーカードを挿入した場合の裏面図であり、（ｅ）は、（ｄ）のＡ４−Ｂ４区間の断面図（図６（ｃ）の同区間の断面図も兼ねる）である。 （ａ）〜（ｃ）は、図４のコンタクト端子２２４の構成の一例である。 図２のメモリーカードに対応する本願発明のメモリーカードソケットの別の例であって、（ａ）は、メモリーカードソケットの上面図であり、点線・破線部分はカバーシェルの下部に隠れた部分の透視図であり、（ｂ）は、メモリーカードソケットの裏面図であり、（ｃ）は、メモリーカードを挿入した場合の裏面図である。 従来のＵＳＢコネクタの構成を示す概略斜視図である。 図７のＵＳＢコネクタのケーブル接続面（Ａ）から見た正面図である。 図７のＵＳＢコネクタの背面（Ｂ）から見た背面図である。 （ａ）は、ＵＳＢケーブルの接続面の正面図であり、（ｂ）は、ＵＳＢケーブルの平面図であり、（ｃ）は、ＵＳＢケーブルの断面構造を示す断面図である。 （ａ）は、従来のＵＳＢコネクタの背面側の構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、実施の形態２に係るＵＳＢコネクタの背面側の構成を示す斜視図である。

以下、本発明の実施の形態に係る高速インタフェース用コネクタについて、添付図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。

＜メモリーカードについて＞
まず、差動伝送方式を導入したメモリーカードについて説明する。
これまでシングルエンド伝送方式を用いてホスト機器と信号伝送を行ってきたメモリーカードに差動伝送方式を導入するには、２つの実現方法が考えられる。

＜参考例１＞
一つ目は、図１に示すように、メモリーカードの既存の信号ピンＰ（Ｓ）をシングルエンド伝送、及び差動伝送の両方の伝送方式で供用することである（以降、「ピン供用構成」と称する。）。この「ピン併用構成」を用いたメモリーカードを参考例１のメモリーカードとする。この「ピン併用構成」では、メモリーカード内のコントローラＬＳＩ２は、シングルエンド伝送用Ｉ／Ｏ回路５、及び差動伝送用Ｉ／Ｏ回路６を具備する（ホスト機器側のコントローラＬＳＩ１２も同様の構成）。また、シングルエンド用Ｉ／Ｏ回路５と差動伝送用Ｉ／Ｏ回路６は、メモリーカード１ａ内のプリント基板上の配線４、メモリーカードソケット１１ａのコンタクト端子（図示せず）、及びホスト機器のプリント基板上の配線１４を供用する構成となる。

一方、差動伝送方式は、前述の通りシングルエンド伝送に比べはるかに高速なＧＨｚオーダーの信号伝送を行うことが可能であるが、それを実現するには伝送線路全体として特性インピーダンスの整合を取ることがシングルエンド伝送の場合以上に重要となってくる。しかし、上記の「ピン供用構成」において差動伝送を行う場合、シングルエンド伝送用Ｉ／Ｏ回路５の負荷容量成分が伝送線路のインピーダンス整合を乱す要因となり、差動伝送方式による高速信号伝送を妨げてしまう。このため、「ピン併用構成」は、差動伝送方式を用いたＧＨｚオーダーの高速信号伝送の実現に向けては必ずしも最適な構成とはいえない。

＜参考例２＞
差動伝送方式を、シングルエンド伝送方式を用いてホスト機器と信号伝送を行ってきたメモリーカードに導入するための２つ目の実現方法として、差動伝送専用に新たに専用ピンを追加する方法（以降、「差動ピン追加構成」と称する。）がある。この「差動ピン追加構成」を用いたメモリーカードを参考例２のメモリーカードとする。
例えば、図１のメモリーカード１ａに新設の差動ピンを追加する場合、図２のメモリーカード１ｂに示すような追加ピン配置が構成例として考えられる。図２のメモリーカード１ｂの新規追加ピン（２列目のピン列）において、差動ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）はそのピンサイズを小さくし、ピン部分に発生する負荷容量成分を抑え、かつ、両側を安定電位のピンＰ（ＧＮＤ）またはＰ（ＶＤＤ２）で囲うことで、高速差動伝送で重要なインピーダンス整合を図るものである。

なお、Ｓ−ＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ ＡＴＡ）、ＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓなど、高速差動伝送インタフェースのコネクタ部分のピン配置は、差動ピンペアの両側にグランドピンを配置することが一般的である。しかし、本発明の背景のように、既存のメモリーカードへ新規ピンを追加する場合、新規追加ピンのための面積には制約がある。また新規ピンを具備するメモリーカードをメモリーカードソケットに挿入したときに、既存の信号ピンに接続するメモリーカードソケットのコンタクト端子が、メモリーカード挿入途中に新規追加ピンと接触しても故障しないようなピン配置とする必要がある。このため、差動信号ペアの両側をグランド端子とすることができず、例えば図２のＤｉｆ１に示すような、グランドピンＰ７（Ｇ）、差動ピンＰ８（Ｓ＋）、Ｐ９（Ｓ−）、電源ピンＰ１０（Ｖ２）のピン配列になることも起こりうる。

図２のメモリーカード１ｂの２列目のピン配列のように、差動ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）の両端が安定電位のピンで囲まれるピン配置がインピーダンス整合の観点では好ましい。しかし、差動ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）の両端が異なる電位の安定電位ピンである場合（Ｄｉｆ１）、Ｐ７（Ｇ）からＰ８（Ｓ＋）へ重畳するクロストークノイズと、Ｐ１０（Ｖ２）からＰ９（Ｓ−）へ重畳するクロストークノイズにより差動信号品質が劣化する可能性がある。これは、差動ピンＰ８（Ｓ＋）、Ｐ９（Ｓ−）の両側に位置する安定電位ピンＰ７（Ｇ）とＰ１０（Ｖ２）とのそれぞれに流れる相関のない電流成分がクロストークノイズとして差動信号に重畳すると差動信号の受信側（差動レシーバ；図示省略）では、それら相関のないクロストークノイズを相殺できないためである。

ここで、図２のメモリーカードソケット１１ｂとして、図３（ａ）〜（ｅ）に示すような構成が一例として考えられる。図３の各図に示すように、メモリーカード１ｂの各ピンに接触するコンタクト端子の配列を、メモリーカードソケット１１ｂのピン配列と同じにして単純に引き出すと、メモリーカード１ｂでのピンサイズよりも、メモリーカードソケットのコンタクト端子の長さは一般的に長いので、前述の相関のないクロストークは、ソケット１１ｂのコンタクト端子部分で顕著に発生する。

＜メモリーカードソケットについて＞
次に、特に、参考例２の差動伝送方式を導入したメモリーカードを用いる場合のメモリーカードソケットについて説明する。

（実施の形態１）
図４（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施形態１におけるメモリーカードソケット４００の構成を示す概略図である。具体的には、図４（ａ）は、メモリーカードソケット４００の上面図であり、点線および破線部はカバーシェル３１０で覆われている部分の透視図をあらわす。また図４（ｂ）は、メモリーカードソケット４００の裏面図である。図４（ｃ）の上段は、図４（ａ）の区間Ａ３−Ｂ３の断面図であり、下段は、図４（ａ）の区間Ａ３’−Ｂ３’の断面図である。図４（ｄ）は、高速信号伝送向けの差動伝送用ピンを具備し、かつ、その差動ペアピンの隣接する左右のピンが異なる電位の安定電位ピンであるメモリーカード１ｂを挿入した場合を示す概略図である。図４（ｅ）の上段は、図４（ｄ）の区間Ａ４−Ｂ４の断面図であり、下段は、図４（ｄ）の区間Ａ４’−Ｂ４’の断面図である。

図４（ａ）〜（ｅ）のメモリーカードソケット４００は、コンタクト端子２１０〜２２７、ボディ部４２０、カバーシェル４１０、カバーシェル固定端子４３０等によって構成される。
コンタクト端子２１０〜２２７は、導電性の材質からなり、メモリーカード１ｂのピンと接触し、メモリーカード１ｂと該メモリーカードソケット４００が実装されるホスト機器の間での信号伝送、電源、及びグランド電位の供給を行う。
ボディ部４２０は、樹脂材料などの非導電性材質からなり、各コンタクト端子を固定し、かつ、メモリーカード１ｂを保持する役割を果たす。
カバーシェル４１０は、金属材質などからなり、メモリーカードソケット４００の外装部分を構成し、メモリーカード１ｂから外部への不要電磁輻射をシールドする。
カバーシェル固定端子４３０は、カバーシェル４１０をホスト機器のプリント基板に実装するための端子である。

図４（ｄ）を用いて本実施の形態１に係るメモリーカードソケット４００の具体的内容を説明する。本実施の形態１に係るメモリーカードソケット４００は、差動伝送用のピン対Ｐ８（Ｓ＋）、Ｐ９（Ｓ−）を具備し、かつ、それらに隣接する２つの安定電位ピンＰ７（Ｇ）、Ｐ１０（Ｖ２）が異なる電位ピンであるメモリーカード１ｂに対応するメモリーカードソケットである。また、メモリーカードソケット４００の具備するコンタクト端子のうち、メモリーカード１ｂの差動ピン対Ｐ８（Ｓ＋）、Ｐ９（Ｓ−）に接続されるコンタクト端子２２１，２２２に隣接する、両端のコンタクト端子２２０，２２４は、メモリーカード１ｂの具備する同電位の安定電位ピンＰ７（Ｇ）、Ｐ１１（Ｇ）に接続するコンタクト形状を有する。

本実施の形態で例示するメモリーカード１ｂでは、参考例２に示すように、そのピン配置が、グランドピンＰ７（Ｇ）、差動ピンＰ８（Ｓ＋）、差動ピンＰ９（Ｓ−）、電源ピンＰ１０（Ｖ２）、グランドピンＰ１１（Ｇ）となっている。そこで、このメモリーカードソケット４００では、メモリーカード１ｂの差動ピンＰ９（Ｓ−）に接続するコンタクト端子２２２に隣接するコンタクト端子２２４を、メモリーカード１ｂの電源ピンＰ１０（Ｖ２）ではなく、グランドピンＰ１１（Ｇ）に接続する。グランドピンＰ１１（Ｇ）は、グランドピンＰ７（Ｇ）と同電位の安定電位を有するピンである。これにより差動伝送用コンタクト端子Ｐ８（Ｓ＋）、Ｐ９（Ｓ−）に隣接する両端のコンタクト端子２２０、２２４は同電位の安定電位となる。従って、電源ノイズや信号のリターン電流などの電流が流れた場合にも、コンタクト端子２２０、２２４には同相の電流が流れる。そのため、差動伝送用コンタクト端子２２１，２２２には同相のクロストークが重畳するが、前述の差動伝送方式の利点により互いに相殺されるため差動信号品質に影響を与えることはない。

一方、メモリーカード１ｂ上で差動ピンＰ９（Ｓ−）の横に配置されている、安定電位ピンＰ１０（Ｖ２）は、メモリーカードソケット４００のコンタクト端子２２３と接続される。コンタクト端子２２３は、コンタクト端子２２０、２２４とは異なる電位の安定電位を有するメモリーカード１ｂ上のピンＰ１０（Ｖ２）に接続されるため、流れる電流成分もコンタクト端子２２０、２２４に流れる電流成分とは相関がない。このため、コンタクト端子２２３から差動伝送用コンタクト端子Ｐ８（Ｓ＋）、Ｐ９（Ｓ−）へのクロストークを抑えるために、コンタクト端子２２３はコンタクト端子２２１，２２２及びコンタクト端子２２０、２２４の引き出し方向とは異なる方向に引き出す。これによって、コンタクト端子２２３によるクロストークの影響を抑えることができる。

なお、差動伝送用コンタクト端子２２２と２２４の間隔を、差動伝送用のコンタクト端子２２１と２２０の間隔と等しくすることが望ましい。これは、コンタクト端子２２４とコンタクト端子２２２との結合と、コンタクト端子２２０とコンタクト端子２２１との結合とをバランス化することができる。その結果、コンタクト２２４からコンタクト２２２へのクロストークノイズの特性と、コンタクト２２０からコンタクト２２１へのクロストークノイズの特性を同等にできるので、差動伝送方式の同相ノイズ相殺効果を高めることができるからである。

なお、コンタクト端子２２４の形状としては、図５（ａ）〜（ｃ）に示す形状が望ましい。
図５（ａ）のコンタクト端子２２４は、図４（ｄ）のコンタクト端子２２２と隣接して並走する部分の幅が、コンタクト端子２２０よりも広く、この部分の抵抗値を下げることができるため、ホスト機器とメモリーカード１ｂの安定電位ピンＰ１１（Ｇ）を低インピーダンスで接続することができる。従って、ホスト機器からメモリーカード１ｂへの電源供給、もしくはグランド電位の供給の際の電圧降下を低減する効果がある。
図５（ｂ）、（ｃ）は、コンタクト端子にスリットもしくは窓穴を設け、図４（ｄ）のコンタクト端子２２２と隣接して並走する部分の幅は、概ね他のコンタクト端子の幅と同じとする構成である。このような構成にすることで、カード挿入時に発生するメモリーカード１ｂとコンタクト端子との接圧を、その他のコンタクト端子と同等にすることができる。そのため、メモリーカード１ｂの各ピンと、メモリーカードソケット４００の各コンタクト端子との接続の信頼性を高めることができる。またコンタクト端子２２４の接圧をその他のコンタクト端子と同等にする（同程度の接圧に抑える）ことができるので、コンタクト端子２２４がメモリーカード１ｂのピンＰ１１（Ｇ）と接触することで起こるピン表面の劣化（けずれ）を抑える効果も得る。

また、図４のコンタクト端子２２４の代わりに、図６（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すようなコンタクト端子２２４ａおよび２２４ｂとしてもよい。図６（ａ）に示すコンタクト端子２２４ａは、図４のコンタクト端子２２２と隣接して並走する部分において、その幅がコンタクト端子２２０やコンタクト端子２２４ｂと等しい形状である。このような形状にすることで、メモリーカード挿入時に発生するメモリーカード１ｂとコンタクト端子との接圧を、その他のコンタクト端子と同等にすることができるため、メモリーカード１ｂの各ピンと、メモリーカードソケット４００の各コンタクト端子との接続の信頼性を高めることができる。また、コンタクト端子２２４ａ、２２４ｂの接圧をその他のコンタクト端子と同等にする（同程度の接圧に抑える）ことができるので、コンタクト端子２２４ａ、２２４ｂがメモリーカード１ｂのピンＰ１１（Ｇ）と接触することで起こるピン表面の劣化（けずれ）を抑える効果も得る。さらに、コンタクト端子２２４ａ、２２４ｂが独立したコンタクト端子であるため、メモリーカード１ｂの安定電位ピンＰ１１（Ｇ）におけるコンタクト端子との接触点を増やすことができる。したがって、安定電位ピンＰ１１（Ｇ）とコンタクト端子との接触抵抗を軽減することができ、ホスト機器からメモリーカード１ｂへの電源供給、もしくはグランド電位の供給の際の電圧降下を低減する効果を得ることができる。

また、本発明のソケット４００において、メモリーカード１ｂの差動伝送用ピンＰ８（ｓ＋）、Ｐ９（ｓ−）に接続するコンタクト端子２２１、２２２の形状ができるだけ線対称な形状とすることが好ましい。また、安定電位ピンＰ７（Ｇ）に接続するコンタクト端子２２０の形状と、安定電位ピンＰ７（Ｇ）と同電位のピンＰ１１（Ｇ）に接続するコンタクト端子２２４のうちコンタクト端子２２２に隣接して並走する部分の形状ができるだけ線対称な形状とすることが望ましい。この構造によっても、コンタクト端子２２１，２２２が、それらの隣接する両端の安定電位のコンタクト端子からの結合のバランスをとることができる。したがって、差動伝送方式の同相ノイズ相殺効果を高め、差動信号の品質を維持する効果を得ることができる。

例えば、コンタクト端子２２４を図５（ｂ）に示すように、アルファベットのｈ型とし、幅ｗ２を、コンタクト端子２２０の幅ｗ１と等しくすることが好ましい。
また、コンタクト端子２２４の代わりに、図６（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すコンタクト端子２２４ａおよび２２４ｂとした場合においても、コンタクト端子２２４ａのうちコンタクト端子２２２に隣接して並走する部分の幅ｗ２がコンタクト端子２２０の幅ｗ１とできるだけ線対称な形状としても同様の効果を得ることができる。

さらに、図４に示す本発明のメモリーカードソケット４００において、メモリーカード１ｂの差動伝送用ピンＰ８（ｓ＋）、Ｐ９（ｓ−）に接続するコンタクト端子２２１、２２２の形状ができるだけ線対称な形状であり、安定電位ピンＰ７（Ｇ）に接続するコンタクト端子２２０の形状と、安定電位ピンＰ７（Ｇ）と同電位のピンＰ１１（Ｇ）に接続するコンタクト端子２２４のうちコンタクト端子２２２に隣接して並走する部分の形状ができるだけ線対称な形状である（例えば、図４（ｄ）において、幅ｗ１と幅ｗ２が等しい）ことが好ましい。また、差動伝送用コンタクト端子２２２と安定電位供給用コンタクト端子２２４の間隔を、差動伝送用コンタクト端子２２１と安定電位供給用コンタクト端子２２０の間隔と等しくする（幅ｗ３と幅ｗ４が等しい）ことが望ましい。

このようなコンタクト端子形状、間隔により、コンタクト端子２２４とコンタクト端子２２２の間の結合と、コンタクト端子２２０とコンタクト端子２２１の間の結合がよりバランス化できるので、差動伝送方式の同相ノイズ相殺効果をいっそう高めることができる。

なお、図４に示すメモリーカードソケットのコンタクト端子２２４を、図６に示すコンタクト端子２２４ａ、２２４ｂに置き換えた場合も、以下の構成により同様の効果を得ることができる。すなわち、このメモリーカードソケット４００では、メモリーカード１ｂの差動伝送用ピンＰ８（ｓ＋）、Ｐ９（ｓ−）に接続するメモリーカードソケット４００のコンタクト端子２２１、２２２の形状ができるだけ線対称な形状である（例えば、図４（ｄ）において、幅ｗ１と幅ｗ２が等しい。）ことが好ましい。また、安定電位ピンＰ７（Ｇ）に接続するコンタクト端子２２０の形状と、安定電位ピンＰ７（Ｇ）と同電位のピンＰ１１（Ｇ）に接続するコンタクト端子２２４ａのうちコンタクト端子２２２に隣接して並走する部分の形状ができるだけ線対称な形状であることが好ましい。さらに、コンタクト端子２２２とコンタクト端子２２４ａの間隔ｗ４を、コンタクト端子２２１とコンタクト端子２２０の間隔ｗ３と等しくすることで、差動伝送方式の同相ノイズ相殺効果をさらにいっそう高めることができる。

（実施の形態２）
図７は、従来のＵＳＢコネクタ５０の構成を示す概略斜視図である。また、図８は、図７のＵＳＢコネクタ５０のケーブル接続面（Ａ）から見た正面図である。図９は、図７のＵＳＢコネクタ５０の背面（Ｂ）から見た背面図である。さらに、図１０（ａ）は、ＵＳＢケーブル２０の接続面のＵＳＢ端子２１の正面図であり、図１０（ｂ）は、ＵＳＢケーブル２０の端部付近の平面図であり、図１０（ｃ）は、ＵＳＢケーブル２０のケーブル部分２３の断面構造を示す断面図である。図１１（ａ）は、従来のＵＳＢコネクタ５０の背面側の構成を示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、実施の形態２に係るＵＳＢコネクタ３０の背面側の構成を示す斜視図である。

ＵＳＢケーブル２０は、図１０（ｃ）のケーブル部分２３の断面図に示すように、一対の差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）及びＰ（Ｓ−）と、グランド電位Ｇと、電源電位Ｖと、の４線が断面図内でほぼ均等な距離に配置されている。このため、ＵＳＢケーブル２０のケーブル部分２３の状態では、グランド電位Ｇ及び電源電位Ｖのそれぞれの線から差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）又はＰ（Ｓ−）にノイズが乗ったとしても、差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）及びＰ（Ｓ−）のそれぞれにほぼ同等にノイズが乗る。そのため、ＵＳＢケーブル２０のケーブル部分２３では上記ノイズをキャンセルできる。なお、ケーブル部分２３では、一対の差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）及びＰ（Ｓ−）と、グランド電位Ｇと、電源電位Ｖと、の４線を内部に有し、内側から外側に向かって、内部シールド２７ａ、ポリ塩化ビニルジャケット２７ｂ、外部シールド２７ｃの順に覆われている。また、ドレインワイヤ２８が設けられている。

一方、ＵＳＢケーブル２０の端部でコネクタと接続するためのＵＳＢ端子２４は、図１０（ｂ）の平面図に示されるように、円形断面のケーブル部分２３からオーバモールド部２２を経て矩形形状のシェル２１に覆われた端部を有する。このシェル２１に覆われた端部は、図１０（ａ）の正面図に示されるように、下方には絶縁部２５が設けられ、絶縁部２５の上には一対の差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）及びＰ（Ｓ−）と、その両側を挟んでグランド電位Ｇの端子と、電源電位Ｖの端子と、が配置されている。さらに、その上方には空隙部２６が設けられている。

従来のＵＳＢコネクタ５０は、図７の斜視図に示すように、周囲をシェル５１で覆われ、ケーブル接続面（Ａ）と、背面（Ｂ）と、を有する。なお、ケーブル接続面（Ａ）の内側には、の絶縁部を有する。ＵＳＢコネクタ５０をケーブル接続面（Ａ）からみた場合、図８に示されるように、上方には絶縁部５２が配置され、下方にはＵＳＢ端子２４のグランド電位Ｇ、差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）及びＰ（Ｓ−）、電源電位Ｖ、の各ピンと接続される４つのコンタクト端子６３、６１、６２、６４が一列に配置されている。なお、ＵＳＢコネクタ５０の上方の絶縁部５２は、ＵＳＢ端子２４側の空隙部２６に収納される。このため、ＵＳＢ端子２４を反転させてＵＳＢコネクタ５０に差し込もうとした場合、それぞれの絶縁部２５、５２が相対することとなるため、実質的に差し込むことができない。つまり、ＵＳＢ端子２４の絶縁部２５とＵＳＢコネクタ５０の絶縁部５１とは、ＵＳＢ端子２４をＵＳＢコネクタ５０に差し込む方向を一定方向とするために設けられたものである。

また、ＵＳＢコネクタ５０を背面（Ｂ）からみた場合、図９に示されるように、ＵＳＢ端子２４のグランド電位Ｇ、差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）及びＰ（Ｓ−）、電源電位Ｖ、の各ピンと接続される４つのコンタクト端子６３、６１、６２、６４の端部がコネクタ５０から下方に導かれている。この場合、４つのコンタクト端子６３、６１、６２、６４は、ＵＳＢ端子２０のグランド電位Ｇ、差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）及びＰ（Ｓ−）、電源電位Ｖ、の各ピンと対応している。また、両側の安定電位のピンに対応する２つの第三及び第四のコンタクト端子６３、６４の電位は互いに異なっている。そのため、ＵＳＢコネクタ５０の部分で上記メモリーカードの場合と同様に、差動信号ピンに対応するそれぞれの第一及び第二のコンタクト端子６１、６２に相関のない電流成分がクロストークノイズとして差動信号に重畳すると、差動信号の受信側（差動レシーバ；図示省略）では、これらの相関のないクロストークノイズを相殺できないという問題が生じる。

そこで、実施の形態２に係るＵＳＢコネクタ３０では、図１１（ａ）の従来のＵＳＢコネクタ５０と対比すると明らかなように、図１１（ｂ）の斜視図に示すように、ＵＳＢ端子２４の差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）と接続する一対の第一及び第二のコンタクト端子３１、３２を挟む両側の２本の第三及び第四のコンタクト端子３３、３４として、左右両側共にグランド電位Ｇに対応するコンタクト端子３３、３４を配置している。これによって、ＵＳＢ端子２４の差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）と接続する一対の第一及び第二のコンタクト端子３１、３２の両側を挟む２つの安定電位の第三及び第四のコンタクト端子３３、３４を同じグランド電位とすることができる。そこで、同じグランド電位である２つの安定電位の第三及び第四のコンタクト端子３３、３４から一対の第一及び第二のコンタクト端子３１、３２にそれぞれ重畳するノイズについては、同相のノイズとなるためクロストークノイズとして除去することができる。

なお、ＵＳＢ端子２０の電源電位Ｖと接続される第五のコンタクト端子３５は、差動伝送用ピンＰ（Ｓ＋）、Ｐ（Ｓ−）と接続する一対の第一及び第二のコンタクト端子３１、３２と隣接する部分を短くするために、グランド電位Ｇの第四のコンタクト端子３４よりさらに外側に曲げられて取り出される。この第五のコンタクト端子３５は必要に応じて設ければよい。

また、図１１（ｂ）に示すように、第一のコンタクト端子３１と第三のコンタクト端子３３とは、互いに隣接して並走する部分の間隔ｗ３が、第二のコンタクト端子３２と第四のコンタクト端子３４とが互いに隣接して並走する部分の間隔ｗ４に等しいことが好ましい。

さらに、第一のコンタクト端子３１と第二のコンタクト端子３２とは線対称形状であると共に、第三のコンタクト端子３３は、第一のコンタクト端子３１と互いに隣接して並走する部分は、第四のコンタクト端子３４と線対称形状であることが好ましい。

また、第三のコンタクト端子３３は、第一のコンタクト端子３１と互いに隣接して並走している部分を具備すると共に、
第三のコンタクト端子３３のうち、第一のコンタクト端子３１との並走部分の形状は、第四のコンタクト端子３４の形状と線対称形状であることが好ましい。

さらに、第三のコンタクト端子３３のうち、第一のコンタクト端子３１と互いに隣接して並走する部分において、該隣接並走部分と第一のコンタクト端子３１との間隔ｗ３は、第二のコンタクト端子３２と第四のコンタクト端子３４との間隔ｗ４と等しいと共に、
該隣接並走部分における第三のコンタクト端子３３の幅は、第四のコンタクト端子３４の幅と等しいことが好ましい。

本発明に係る高速インタフェース用コネクタは、差動伝送用ピン対及び、その両側に隣接して位置する安定電位ピン同士の電位が異なるピン配列を有する差動伝送方式信号ピン配列を有するメモリーカード、ケーブル等に対応する高速インタフェース用コネクタである。該高速インタフェース用コネクタは、差動伝送方式信号ピン配列の差動伝送用ピンに接続するコンタクトピン対に隣接する両側２つのコンタクト端子は、差動伝送方式信号ピン配列上の同一電位の安定電位ピンにそれぞれ接続する特徴を有するものであり、高速差動伝送用の高速インタフェース用コネクタとして有用である。

１ａ、１ｂ メモリーカード
２、１２ コントローラＬＳＩ
３ フラッシュメモリ
４、１４ 基板配線
５、１５ シングルエンド用Ｉ／Ｏ回路
６、１６ 差動伝送用Ｉ／Ｏ回路 １０ ホスト機器
１１ａ、１１ｂ メモリーカードソケット
１１０〜１２７、２１０〜２２７ メモリーカードソケットのコンタクト端子
３００、４００ メモリーカードソケット
３１０、４１０ カバーシェル
３２０、４２０ ボディ部
３３０、４３０ カバーシェル固定端子
３４０、４４０ カバーシェルの窓穴
Ｐ（Ｐ１（Ｇ）、Ｐ２（Ｓ）・・・Ｐ１４（Ｇ）） カードピン
Ｄｉｆ１、Ｄｉｆ２ 差動ピンペア及びその両端の安定電位ピンを示す部分
２０ ＵＳＢケーブル
２１ シェル
２２ オーバモールド部
２３ ケーブル部分
２４ＵＳＢ端子
２５ 絶縁部
２６ 空隙部
２７ａ 内部シールド
２７ｂ ポリ塩化ビニルジャケット
２７ｃ 外部シールド
２８ ドレインワイヤ
３０ ＵＳＢコネクタ
３１ 第一コンタクト端子
３２ 第二コンタクト端子
３３ 第三コンタクト端子
３４ 第四コンタクト端子
３５ 第五コンタクト端子
５０ ＵＳＢコネクタ
５１ シェル
５２ 絶縁部
６１ 第一コンタクト端子
６２ 第二コンタクト端子
６３ 第三コンタクト端子
６４ 第四コンタクト端子

Claims (17)

1. 互いに隣接する一対の差動伝送方式の信号用ピンと、前記一対の差動伝送方式の信号用ピンの両側を挟む二本の安定電位ピンとを含む差動伝送方式信号ピン配列であって、前記二本の安定電位ピンは互いに異なる電位を有する、差動伝送方式信号ピン配列を有するケーブルもしくはメモリーカードを接続するための高速インタフェース用コネクタであって、
   前記一対の差動伝送方式の信号用ピンにそれぞれ接続し、互いに隣接する差動伝送方式の第一及び第二のコンタクト端子と、
   前記第１及び第２のコンタクト端子の両側を挟む第三及び第四のコンタクト端子であって、前記第一のコンタクト端子と隣接する前記第三のコンタクト端子は、前記二本の安定電位ピンのうちの一つと接続され、前記第二のコンタクト端子と隣接する前記第四のコンタクト端子は、前記第三のコンタクト端子と同じ電位を有する、第三及び第四のコンタクト端子と、
   を含む、高速インタフェース用コネクタ。
2. 前記二本の安定電位ピンのうちのもう一方と接続された第五のコンタクト端子を、さらに含む、請求項１に記載の高速インタフェース用コネクタ。
3. 前記第一のコンタクト端子と前記第三のコンタクト端子とは、互いに隣接して並走する部分の間隔が、前記第二のコンタクト端子と前記第四のコンタクト端子とが互いに隣接して並走する部分の間隔に等しいことを特徴とする請求項１に記載の高速インタフェース用コネクタ。
4. 前記第一のコンタクト端子と前記第二のコンタクト端子とは線対称形状であると共に、前記第三のコンタクト端子は、前記第一のコンタクト端子と互いに隣接して並走する部分は、前記第四のコンタクト端子と線対称形状であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の高速インタフェース用コネクタ。
5. 前記第三のコンタクト端子は、前記第一のコンタクト端子と互いに隣接して並走している部分を具備すると共に、
   前記第三のコンタクト端子のうち、前記第一のコンタクト端子との並走部分の形状は、前記第四のコンタクト端子の形状と線対称形状であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の高速インタフェース用コネクタ。
6. 前記第三のコンタクト端子のうち、前記第一のコンタクト端子と互いに隣接して並走する部分において、該隣接並走部分と前記第一のコンタクト端子との間隔は、前記第二のコンタクト端子と前記第四のコンタクト端子との間隔と等しいと共に、
   該隣接並走部分における前記第三のコンタクト端子の幅は、前記第四のコンタクト端子の幅と等しいことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の高速インタフェース用コネクタ。
7. 前記差動伝送方式信号ピン配列がメモリーカードの差動伝送方式信号ピン配列である、請求項１から６のいずれか一項に記載の高速インタフェース用コネクタ。
8. 互いに隣接する第一、第二のピンは差動伝送方式の信号用ピンであり、前記第一、第二のピン対の両側を挟む第三、第四のピンのうち、前記第三のピンは前記第一のピンに隣接し、前記第一のピンに対して前記第二のピンとは反対側に位置し、前記第四のピンは前記第二のピンに隣接し、前記第二のピンに対して前記第一のピンとは反対側に位置し、前記第三、第四のピンは互いに同一の電位を有しないカードピン配列を有すると共に、前記第四のピンと同一の安定電位に接続された第五のピンを有する差動伝送方式のメモリーカードに対応するメモリーカードソケットであり、
   前記メモリーカードの前記第一、第二の差動伝送方式の信号用ピンにそれぞれ接続し、互いに隣接する差動伝送方式の第一及び第二のコンタクト端子と、
   前記第一及び第二のコンタクト端子対の両側を挟む第三及び第四のコンタクト端子であって、前記第三のコンタクト端子は、前記第一のコンタクト端子に隣接し、前記第一のコンタクト端子に対して前記第二のコンタクト端子とは反対側に位置し、前記第四のコンタクト端子は、前記第二のコンタクト端子に隣接し、前記第二のコンタクト端子に対して前記第一のコンタクト端子とは反対側に位置する、第三及び第四のコンタクト端子と、
   を備え、
   前記第四のコンタクト端子は、前記メモリーカードの前記第四のピンと接続され、前記第三のコンタクト端子は、前記メモリーカードの前記第三のピンではなく、前記第四のピンと同一の安定電位に接続された前記第五のピンに接続されていることを特徴とするメモリーカードソケット。
9. 前記第一のコンタクト端子と前記第三のコンタクト端子は、互いに隣接して並走する部分の間隔が、前記第二のコンタクト端子と前記第四のコンタクト端子とが互いに隣接して並走する部分の間隔に等しいことを特徴とする請求項８に記載のメモリーカードソケット。
10. 前記第三のコンタクト端子は、前記第一のコンタクト端子と互いに隣接して並走している部分を具備すると共に、
    前記第三のコンタクト端子は、前記メモリーカードの前記第五のピンと接続する部分においては、前記第一のコンタクト端子との間隔を広げ、前記メモリーカードの前記第五のピンに接続する形状を有することを特徴とする請求項８又は９に記載のメモリーカードソケット。
11. 前記第三のコンタクト端子の幅は、前記第一のコンタクト端子と互いに隣接して並走する部分においては、前記第四のコンタクト端子の幅よりも広いことを特徴とする請求項１０に記載のメモリーカードソケット。
12. 前記第三のコンタクト端子は、前記メモリーカードの前記第五のピンに接続する部分において、前記メモリーカードソケット上で前記第三のコンタクト端子を固定する方向を見たとき、前記第一のコンタクト端子側には角度を変えずに前記第一のコンタクト端子と並行して伸展する部分を別に具備することを特徴とする請求項１０に記載のメモリーカードソケット。
13. 前記第一のコンタクト端子と前記第二のコンタクト端子とは線対称形状であると共に、前記第三のコンタクト端子は、前記第一のコンタクト端子と互いに隣接して並走する部分は、前記第四のコンタクト端子と線対称形状であることを特徴とする請求項８から１２のいずれか一項に記載のメモリーカードソケット。
14. 前記第三のコンタクト端子のうち、前記第一のコンタクト端子との並走部分の形状は、前記第四のコンタクト端子の形状と線対称形状であると共に、
    前記第三のコンタクト端子は、前記メモリーカードの前記第五のピンに接続する部分において前記メモリーカードソケット上で前記第三のコンタクト端子を固定する方向を見たとき、前記第一のコンタクト端子側には角度を変えずに前記第一のコンタクト端子と並行して伸展する部分を別に具備することを特徴とする請求項１３に記載のメモリーカードソケット。
15. 前記第三のコンタクト端子は、前記第一のコンタクト端子と互いに隣接して並走している部分を具備すると共に、
    前記第三のコンタクト端子のうち、前記第一のコンタクト端子との並走部分の形状は、前記第四のコンタクト端子の形状と線対称形状であることを特徴とする請求項１３に記載のメモリーカードソケット。
16. 前記第三のコンタクト端子とは独立した第五のコンタクト端子をさらに備え、前記第五のコンタクト端子は、前記メモリーカードの前記第五のピンとも接続することを特徴とする請求項８から１５のいずれか一項に記載のメモリーカードソケット。
17. 前記第三のコンタクト端子のうち、前記第一のコンタクト端子と互いに隣接して並走する部分において、該隣接並走部分と前記第一のコンタクト端子との間隔は、前記第二のコンタクト端子と前記第四のコンタクト端子との間隔と等しいと共に、
    該隣接並走部分における前記第三のコンタクト端子の幅は、前記第四のコンタクト端子の幅と等しいことを特徴とする請求項１１から１６のいずれか一項に記載のメモリーカードソケット。

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