JPWO2012033132A1 - 集光装置、光発電装置及び光熱変換装置 - Google Patents

集光装置、光発電装置及び光熱変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2012033132A1
JPWO2012033132A1 JP2012533007A JP2012533007A JPWO2012033132A1 JP WO2012033132 A1 JPWO2012033132 A1 JP WO2012033132A1 JP 2012533007 A JP2012533007 A JP 2012533007A JP 2012533007 A JP2012533007 A JP 2012533007A JP WO2012033132 A1 JPWO2012033132 A1 JP WO2012033132A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
condensing
light
incident
optical structure
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2012533007A
Other languages
English (en)
Inventor
和歌奈 内田
和歌奈 内田
達雄 丹羽
達雄 丹羽
達也 千賀
達也 千賀
晋 森
晋 森
彰平 藤原
彰平 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JPWO2012033132A1 publication Critical patent/JPWO2012033132A1/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0038Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with ambient light
    • G02B19/0042Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with ambient light for use with direct solar radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0028Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed refractive and reflective surfaces, e.g. non-imaging catadioptric systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0076Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a detector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

集光装置は、集光レンズと、集光レンズにより集光されて入射する入射光を導く集光光学素子とからなり、集光光学素子は、入射光を透過する上面及び上面と対向して延びる下面と、下面に凹設されて上面に向けて延びる反射面を有し入射光を反射する光学構造と、上面及び下面の間を繋ぎ反射面に対向する出射面とを有し、集光レンズを介して上面から入射し反射面により反射した反射光が出射面に導かれるように構成される。

Description

本発明は、光を集光する装置に関し、より詳細には、集光レンズを介して厚さ方向に入射する光を側面方向に集光する集光装置、及びこれを用いた光発電装置並びに光熱変換装置に関する。
近年、CO2排出量の削減が全世界的に求められ、自然エネルギーの利用が進められている。太陽光のエネルギー利用に関しては、旧来より太陽熱温水器等において太陽光の熱エネルギーが利用されてきた。このほか、太陽光の光エネルギーを電気エネルギーに変換して利用する太陽光発電システムが一般家庭に導入され、大規模な太陽光発電所も各国で実用化段階に入りつつある。
光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池セルは、光電変換する材料分類上、シリコン系、化合物系、有機系、色素増感系などに分類される。このような材料により構成される一般的な太陽電池のセルは、光エネルギーから電力への変換効率が概ね10〜20%程度である。これに対し、太陽光の放射スペクトル範囲を複数の波長帯域に分割し、各波長帯域の光を光電変換するのに最適なバンドギャップの半導体層を複数積層して、光エネルギーから電力への変換効率を40%程度まで高めた、多接合型(タンデム型、積層型などとも称される)の太陽電池セルが開発されている。
しかし、上記のような高効率の太陽電池セルは極めて高価であり、航空宇宙などの特殊な用途以外では使用することが困難である。そこで、小型のセルに太陽光を集光して入射させることでコストを低減し、高効率で太陽光発電を行う集光型の太陽電池モジュールが考案されている。集光形式として、太陽光をフレネルレンズや反射鏡等により集光して太陽電池セルに直接入射させるレンズ集光型(特許文献1、特許文献2を参照)、太陽光を蛍光粒子が分散された蛍光プレートに入射させ、プレート内で発生した蛍光をプレート側方に導出して集光する蛍光プレート集光型(特許文献3を参照)、ホログラムフィルム及び太陽電池セルが挟み込まれたプレートに太陽光を入射させ、ホログラムフィルムにより回折した光を太陽電池セルに導く分光集光型(特許文献4を参照)などが提案されている。
日本国特表2005−142373号公報 日本国特開2005−217224号公報 米国特許出願公開第2006/0107993号明細書 米国特許第6274860号明細書
しかしながら、上記各集光方式には長所がある反面、次のような課題もある。例えば、太陽光をフレネルレンズや反射鏡等により集光し、収束光を太陽電池セルに直接入射させる従来のレンズ集光型では、比較的大型のレンズ等と各レンズ等に対応した太陽電池セルが設けられている。このため、レンズ等の焦点距離に応じて装置が大型化するという課題がある。また、多数の太陽電池セルがレンズ等の焦点位置に分散配置されるため装置が複雑化するという課題がある。蛍光プレート集光型や分光集光型は、太陽電池モジュールの光軸方向寸法(厚さ)を小さく(薄く)できるが、波長依存性や変換効率の面で改善すべき余地がある。
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、太陽光等の光エネルギーを、簡明な装置で効率的に利用可能な新たな集光手段を提供する。
本発明を例示する第1の態様は、集光装置であって、集光レンズと、透明部材により形成され集光レンズにより集光されて入射する入射光を導く集光光学素子とからなり、集光光学素子は、入射光を透過する上面及び上面と対向して延びる下面と、下面に凹設されて上面に向けて延びる反射面(例えば、実施形態における集光反射面35)を有し入射光を反射する光学構造と、上面及び下面の間を繋ぎ反射面に対向する出射面とを有し、集光レンズを介して上面から入射し反射面により反射された反射光が出射面に導かれるように構成される。上記説明においては、便宜的に、入射光が入射する面を「上面」とし、この上面に対向して延びる面を「下面」と表記しているが、集光装置の配設姿勢は光が入射する方位等に応じて任意であり、位置や姿勢を規定するものではない。
第1の態様において、反射面は、集光レンズにより所定の収束角度または発散角度で入射した入射光の反射後の拡がり角を抑制する曲面状に形成することが好ましい。また、反射面は、集光レンズにより所定の集束角度または発散角度で入射する光線の最小入射角が、反射面における全反射臨界角以上となるように設定することが好ましい。また、集光レンズの開口数(NA:numerical aperture)は、集光レンズにより所定の集束角度または発散角度で入射する光線の最小入射角が反射面における全反射臨界角以上となるように設定することが好ましい。また、集光光学素子の屈折率は、集光レンズにより所定の集束角度または発散角度で入射する光線の最小入射角が反射面における全反射臨界角以上となるように設定することが好ましい。また、集光レンズ及び集光光学素子は、集光レンズにより集光される入射光が反射面近傍の下方または上方に焦点を結ぶように配設することが好ましい。
また、集光レンズが複数設けられ、集光光学素子は、各集光レンズに対応して設けられた複数の光学構造を有して一体に形成されるように構成することが好ましい。この場合、集光光学素子は、第1の光学構造の反射面により反射された反射光が、第1の光学構造に隣接して出射面側に形成された第2の光学構造により遮光されずに出射面に向かうように構成することが好ましい。
その手段として、集光光学素子は、第1の光学構造の反射面により反射された反射光が、第1の光学構造に隣接して出射面側に形成された第2の光学構造の側方を通って伝播するように構成することが好ましい。また、集光光学素子は、第1の光学構造の反射面により反射された反射光と、第2の光学構造の反射面により反射された反射光とが、第2の光学構造に隣接して出射面側に形成された第3の光学構造の同じ側の側方を通って伝播するように構成することが好ましい。また、集光光学素子は、第1の光学構造の反射面により反射された反射光と、第2の光学構造の反射面により反射された反射光とが、第2の光学構造に隣接して出射面側に形成された第3の光学構造を挟んで反対側の側方を通って伝播するように構成することが好ましい。また、集光光学素子は、第1の光学構造の反射面により反射された反射光が、第1の光学構造に隣接して出射面側に形成された第2の光学構造の上方を通って伝播するように構成することが好ましい。また、これらを組み合わせることもできる。また、集光光学素子は、反射面と出射面とを結ぶ方向の大きさが上面および下面を結ぶ厚さ方向の大きさに対して充分に大きいプレート状またはシート状に形成することが好ましい。
本発明を例示する第2の態様は光発電装置である。この態様の光発電装置は、第1の態様の集光装置と、集光装置により出射面に導かれた光を光電変換する光電変換素子とを備えて構成される。
本発明を例示する第3の態様は光熱変換装置である。この態様の光熱変換装置は、第1の態様の集光装置と、集光装置により出射面に導かれた光を光熱変換する光熱変換素子とを備えて構成される。
本発明の第1の態様の集光装置は、集光レンズを介して上面から入射し反射面により拡がり角が抑制された反射光が出射面に導かれるように構成される。従って、このような態様の集光装置によれば、太陽光等の光エネルギーを効率的に利用可能な、新たな集光手段を提供することができる。
本発明の第2の態様の光発電装置は、上記のような集光装置と、集光装置により集光された光を光電変換する光電変換素子とを備えて構成される。このため、薄型かつ簡明な構成で太陽光等の光エネルギーを効率的に利用可能な光発電装置を提供することができる。
本発明の第3の態様の光熱変換装置は、上記のような集光装置と、集光装置により集光された光を光電変換する光熱変換素子とを備えて構成される。このため、薄型かつ簡明な構成で太陽光等の光エネルギーを効率的に利用可能な光熱変換装置を提供することができる。
図1は、本発明の態様を例示する光発電装置の外観斜視図である。 図2は、上記光発電装置における集光装置の原理を説明するための概念図である。 図3は、上記集光装置において集光レンズにより集光されて入射する入射光と、光学構造の集光反射面との関係を説明するための説明図(側面図)である。 図4は、入射パラメータを変化させたときのシミュレーションデータである。 図5は、集光光学素子を斜め上方から見た斜視図である。 図6(a)は、上記集光光学素子における光学構造の拡大斜視図である。図6(b)は、上記集光光学素子における横パス方式の集光光学素子における第1構成例の集光光学素子による反射光の配向構成を示す概念図である。図6(c)は、上記集光光学素子における第2構成例の集光光学素子による反射光の配向構成を示す概念図である。 図7は、縦パス方式の集光光学素子の構成を例示する概念図である。 図8(a)、図8(b)、及び図8(c)はそれぞれ、x軸に沿って形成された複数の各光学構造がz軸回りに回転されていない状態の集光光学素子において、単位光学構造による導光状態を光線追跡したシミュレーション結果である。図8(d)は、x軸に沿って形成された複数の各光学構造がz軸回りに回転されていないの集光光学素子において、1行分の複数の光学構造による導光状態を光線追跡したシミュレーション結果である。 図9は、上記実施例の集光光学素子における、全ての光学構造での導光状態を光線追跡したシミュレーション結果である。 図10(a)、図10(b)、及び図10(c)はそれぞれ、x軸に沿って形成された複数各光学構造がz軸回りに微小角度回転されている状態の横パス方式の集光光学素子において、単位光学構造による導光状態を光線追跡したシミュレーション結果である。図10(d)は、x軸に沿って形成された複数の各光学構造がz軸回りに微小角度回転されている状態の横パス方式の集光光学素子において、1行分の複数の光学構造による導光状態を光線追跡したシミュレーション結果である。 図11は、上記横パス方式の集光光学素子における、全光学構造による導光状態を光線追跡したシミュレーション結果である。 図12は、PMMAにおける波長と屈折率との関係を示す表である。 図13は、太陽光の放射スペクトル分布を表すグラフである。 図14は、縦パス方式の集光光学素子における、単位光学構造による導光状態を光線追跡したシミュレーション結果である。 図15は、縦パス方式の集光光学素子における、単位光学構造による導光状態を光線追跡したシミュレーション結果である。 図16は、他の構成例の集光光光学素子におけるシミュレーション結果である。 図17(a)は、光学構造の他の構成例を示す部分拡大図である。図17(b)は、光学構造の他の構成例を示す側面図である。 図18は、集光光学素子からの光エネルギーの取り出し手法を例示する概念図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。本発明の態様を例示する光発電装置PVSの外観斜視図を図1に示す。また、光発電装置PVSにおける集光装置1の原理を説明するための概念図を図2に示す。説明を明瞭化するため、相互に直行するx軸、y軸、z軸から成る座標系を規定し、これを図1中に示す。z軸は光発電装置PVSにおける集光装置1の厚さ方向に延びる軸、x軸は集光装置1により集光されて導出される光の導出方向に延びる軸、y軸はこれらの2軸と直交する方向に延びる軸である。説明の便宜上から、図2に示す姿勢をもって上下左右ということがあるが、光発電装置PVSの配設姿勢は光の入射方位に応じて任意であり、位置や姿勢を規定するものではない。
[光発電装置の概要]
装置全体の概要を把握するため、まず光発電装置PVSの全体構成について概要説明する。光発電装置PVSは、入射する光を集光する集光装置1と、集光装置1により集光されて端部に導かれた光を光電変換する光電変換素子5とを備えて構成される。集光装置1は、上方から入射する光(例えば太陽光)を集光する集光レンズ10と、透明部材により形成され集光レンズ10により集光されて入射する入射光を導く集光光学素子20とを備えて構成される。集光レンズ10及び集光光学素子20は、各々、例えば光学ガラス等の無機材料やPMMA等の樹脂材料を用いて作製される。
図1に示す構成形態は、複数の集光レンズ10をx軸方向及びy軸方向に複数行×複数列(m行×n列、m及びnは自然数)並べてマトリクス状に配設し、レンズアレイを形成した構成を示す。レンズアレイは複数の集光レンズ10をマトリクス状に一体成形して構成し、あるいは個々に形成した集光レンズ10を枠体等にマトリクス状に配置固定して構成することができる。
集光光学素子20は、集光レンズ10により集光されてz軸方向に入射する入射光を反射する光学構造を有し、素子内に入射した光をx軸方向に導くように構成される。図1に示す構成形態は、複数の集光レンズ10(1011,1012,…10m1,10m2,…10mn)により集光入射する各入射光に対応する複数(m行×n列)の光学構造を有し、一体のプレート状に形成した構成例を示す(図5を参照)。光電変換素子5は、公知の種々の素子を用いることができ、例えば、前述した種々の形態の太陽電池セルを用いて構成することができる。
[集光装置の基本構成]
図2は、集光装置1の基本構成を説明するための模式図であり、集光レンズ10により集光されて集光光学素子20に入射した光が、集光光学素子の内部に形成された光学構造30の集光反射面35により反射されて素子内を伝播する様子を模式的に描いている。
集光光学素子20は、集光レンズ10により集光されて基材21に入射する入射光を透過する上面22と、上面に対向して平行に延びる下面23と、下面23に凹設されて上面に向けて延びる集光反射面35を有し入射光を反射する光学構造30と、上下面の間を繋ぎ集光反射面に対向する出射面25とを有して構成される。集光光学素子20は、透明なプレート状ないしシート状の基材21の下面に光学構造30が形成されて構成される。
光学構造30は、基材21の下面23に凹設された窪み状の構造体(換言すれば、下面23から基材21の内方に突出する突起状の中空構造体)である。光学構造30を斜め上方から見た斜視図を図3中に示した通り、光学構造30は、基材21の下面23から斜め上方に延びる集光反射面35、基材21の下面23から上方に延びて集光反射面35と繋がる背面36、基材21の下面23から上方に延び集光反射面35と背面36とを繋ぐ側面32,33などから構成される。
集光反射面35は、集光レンズ10により所定の集束角度または発散角度で入射する入射光の反射後の拡がり角を抑制する曲面状に形成される。集光反射面35に入射する入射光は、集光レンズ10の焦点距離fや有効径R、基材21の屈折率n、集光反射面35と集光レンズ10の焦点位置との位置関係などによって定まる所定の集束角度または発散角度で入射する。所定の集束角度または発散角度は、集光レンズ10の開口数NA(NA=nsinθNA:θNAは集光反射面35に入射する光線の入射光軸LAに対する最大角)によって定まり、その大きさは2θNAである。
集光反射面35に入射する入射光が集束光となるのは、集光レンズ10の焦点位置が集光反射面35の下方に位置する場合である。また、入射光が発散光となるのは、集光レンズ10の焦点位置が集光反射面35の上方に位置する場合である。集光反射面35は、このように所定の集束または発散角度で入射する入射光の反射後の拡がり角を抑制するような形状に形成される。
[集光光学素子の詳細構成]
本実施形態においては、図3に示すように、入射光の焦点位置を集光反射面35よりも下方に設定して集束光を入射させる形態とし、集光反射面35を曲率半径rの球体の一部を切り出した上方に凸の曲面とした構成とする。この構成により、集光レンズ10を介して上面22から基材21内に入射し、所定の集束角度2θNAで集光反射面35に入射した入射光が、集光反射面35により2θNAよりも小さい拡がり角に抑制された反射光となって集光光学素子20内を伝播し、出射面25に導かれる。
なお、図3は、直径R、焦点距離fの集光レンズ10の焦点位置を座標位置(0,0,0)の原点とし、この原点に対して集光反射面35を形成する曲率半径rの球体の球心位置が(x,y,z)となるように、高さtの光学構造30が形成された厚さdの集光光学素子20を焦点位置からhの高さに配置した状態を示している。
ここで、集光レンズ10を介して集光反射面35に集束入射する入射光に関して、入射光軸LA上(集光レンズ10の中心)を通って集光反射面35に入射する光線bの入射角(便宜的に「光軸入射角」という)θLAと、入射光軸LAから離れた位置(集光レンズの外周部)を通って集光反射面35の上部に入射する光線aの入射角と、集光反射面35の下部に入射する光線cの入射角とがそれぞれ異なった角度になる。
集光光学素子20の構成を簡明化し集光反射面35において高い反射効率を得るためには、基材21と大気層との屈折率差を利用して集光反射面35で全反射させることが望ましい。また、集光反射面35により反射された反射光を基材21の下面23(または上面22)に入射し、基材21の上面および/または下面で全反射させて素子内を出射面25に導光しようとするために、集光反射面35で反射された反射光a′,b′,c′全てについて、基材21の下面23及び上面22への入射角が全反射臨界角以上となるように構成しても良い。
集光光学素子20では、集光反射面35に集光入射する光線の最小入射角が、集光反射面35の全反射臨界角以上となるように設定される。すなわち集光レンズ10の開口数NA、基材21の屈折率n、集光反射面35の位置形状(球面の曲率半径r及び前述した集光レンズの焦点位置(0,0,0)に対する球心の位置(x,y,z))などのパラメータ(以下、「入射パラメータ」という)により、集光反射面35に入射する光線の最小入射角が全反射臨界角以上になるように設定される。
具体的には、基材21の屈折率n及び集光レンズ10の開口数NAを所定値とし、集光レンズ10により所定の集束角度で入射する光線の最小入射角が集光反射面35における全反射臨界角以上となるように、集光反射面35の位置形状を設定することができる。
また、基材21の屈折率n及び集光反射面35の位置形状を所定値とし、所定の集束角度で入射する光線の最小入射角が集光反射面35における全反射臨界角以上となるように、集光レンズ10の開口数NA(一般的には、集光レンズ10の焦点距離f及び有効径R)を設定することができる。あるいは、集光レンズ10の開口数NA及び集光反射面35の位置形状を所定値とし、所定の集束角度で入射する光線の最小入射角が集光反射面35における全反射臨界角以上となるように、基材21の屈折率nを設定すること、具体的には基材21の材質や基材にドープする添加物等を選択することにより設定することができる。
さらに、集光光学素子20では、集光反射面35により拡がり角が抑制されて反射され、下面23及び上面22に入射する光線の最小入射角が、これらの面における全反射臨界角以上となるように設定される。これらについても、上述した入射パラメータにより、集光反射面35から上下面に入射する光線の最小入射角が全反射臨界角以上になるように設定される。従って、集光反射面35の位置形状、集光レンズ10の開口数NA、集光光学素子20の屈折率n等の入射パラメータは、集光反射面35、上面22及び下面23において全反射の条件を満たすように設定される。
入射パラメータの具体的な設定は、光学設計者に広く用いられている光線追跡ツールを利用したシミュレーションに基づいて行われる。発明者らは、集光装置1について鋭意研究を進め、数万にわたる入射パラメータの組合わせの中から集光装置1の使用目的(用途及び機能)に応じて好適な構成が存在することを確認した。
例えば、下記共通条件の下で光線追跡のシミュレーションを行った。これは、集光装置1により太陽光を集光する場合の条件例である。
・集光レンズ10の焦点距離:f=30mm、集光レンズ10の直径:R=10mm
・集光レンズ10に入射する光の波長:λ=350〜1100nm(図13を参照)
・基材21の屈折率:n=1.48〜1.51(図12を参照)
・基材21の厚さ:d=1.0mm
上記共通条件で行った光線追跡のシミュレーション結果の一部を図4(a)〜(c)に例示する。図4は、集光反射面35の球面の曲率半径rが8mmの場合について、光軸入射角θLAを40〜65度の範囲で0.5度ピッチで変化させ、集光光学素子20の焦点位置からの高さhを0.1mmピッチで変化させ、入射光線の角度を光軸LA方向(0度)を中心に±0.5度変化させて行った光線追跡のシミュレーション結果から、図4(a)は光軸入射角度θLA=44度の場合、図4(b)は光軸入射角度θLA=51度の場合、図4(c)は光軸入射角度θLA=60度の場合の3つの場合を示したしたものである。なお、図示したシミュレーション結果において、入射光線はいずれも光軸LAに平行である。
各図における横軸は、前述した原点(0,0,0)に対する集光反射面35の球心位置(x、y、z)のz軸座標値(mm)である。各図における左側の縦軸は、集光反射面35に入射した全光線に対する出射面25に到達する光線の割合であり、黒塗り四角のプロットデータが対応する。各図における右側の縦軸は、入射光軸LAから出射面25までのx軸方向の距離をL=100mmとしたときに、出射面25に到達した全光線のうち、中央の70%の光線が含まれるy軸方向の幅であり、白抜き丸印のプロットデータが対応する。
発明者らは、集光反射面35の球面の曲率半径rを1〜30mmの範囲で変化させて上記と同様のシミュレーションを行った。その結果、光軸入射角θLAは、θLA=49〜54度とすることが好ましい。光軸入射角が上記範囲よりも小さい領域及び大きい領域では、集光光学素子20に入射した入射光の全光線量を100としたときに、出射面25から出射される光の全光線量が100、すなわち集光効率100%を満たす球心位置の範囲が狭くなり、球心位置が上記範囲から大きく外れると集光効率が低下するからである。光軸入射角がθLA=49〜54度の範囲では、上述の例のように、広い球心位置範囲について集光反射面35及び上下面22,23の両方で安定的に全反射させることができ、集光効率100%を安定的に達成することができる。
集光反射面35の曲率半径rはr=5〜20mmとすることが望ましい。上記範囲よりも曲率半径rが小さいと、集光効率が最大値でも100%未満になる。また、上記範囲よりも曲率半径rが大きいと、集光反射面35で反射された光の拡がり角が大きくなり、例えば、隣接する光学構造に遮られる確率が高くなる。集光反射面35の曲率半径をr=5〜20mmとすれば、集光反射面35で反射された光の拡がり角を抑制して出射面25から出射される光の拡がり幅を抑制し、集光効率を高めることができる。
例示した上記共通条件下において、集光反射面35の曲率半径rを5〜20mmとし、光軸入射角θLAを49〜54度とした構成とすれば、上述の例のように、集光レンズ10を介して集光光学素子20に集光入射した入射光が、集光反射面35、上面22及び下面23で全反射され、狭い広がり幅で出射面25から出射される。出射面25は、端面が研磨されて反射防止(AR)コートが施されており、集光光学素子20内を伝播して出射面25に入射した光が、出射面25で反射されることなく出射して光電変換素子5に入射する。そのため、光を集光光学素子20内に閉じ込める効率が高く、高い集光効率で出射面25に集光する集光光学素子20を得ることができる。
基材21の屈折率nは、一般的に、透過する光の波長λによって変化する。そのため、集光しようとする光の波長λが幅を持つ場合に、短波長側の光の焦点位置と長波長側の光の焦点位置は一般的に異なり、焦点位置が波長帯域の広さに応じた幅を持つ。光集光装置1においては、入射光の波長を太陽光の放射スペクトルに応じてλ=350〜1100nmとし、集光レンズ10として、d線において波面収差が小さくなるように設計した非球面レンズを用いるとともに、集光反射面35に入射する入射光のビームスポット径(対角)が0.71〜1.5mm程度となるように設定している。
このような構成により、集光反射面35の幅及び高さを小型化することができ、これにより集光光学素子20の厚さを最小化することができる。入射光の波長帯域が狭い場合や色収差を補償可能な場合には、入射光の焦点位置を集光反射面35の直上に合わせてスポットサイズを最小値に設定することができる。焦点位置における入射光のパワー密度等に応じて、適宜デフォーカスするように構成しても良い。
以上では、集光反射面35に所定角度の集束光を入射させる場合について説明したが、入射光の焦点位置を集光反射面35よりも上方に設定して集光反射面35に発散光を入射させるように構成しても良い。この場合には、集光反射面35を曲率半径rの球体の一部を切り出した上方に凹の曲面とすれば良い。また、説明簡明化のため集光反射面35を球面とした構成を示したが、各種の収差を抑制するために集光反射面35を非球面としても良い。また、集光反射面35においては屈折率差を利用した全反射する構成を説明したが、集光反射面35に、例えばAu,Ag,Al等の金属を蒸着したミラーとして入射光を反射させることもできる。なお、集光レンズ10に入射する光が単一波長の平行光の場合には、集光反射面35に入射する集束光または発散光を平行光にコリメートする構成とすることも可能である。
[複数の集光レンズ及び光学構造からなる集光装置の構成]
次に、複数の集光レンズ10と、各集光レンズ10に対応する複数の光学構造30とからなる集光装置1について説明する。このとき、各々独立した集光レンズ10と光学構造30を有する集光光学素子20とを複数対組み合わせて構成することができる。
複数の集光レンズ10、及び集光光学素子20の少なくともいずれかを、一体化した構成とすれば、集光装置1の構成を簡明化することができる。例えば、m行×n列の集光レンズ10からなる1枚のレンズアレイと、これに対応したm行×n列の光学構造30を有する1枚の集光光学素子20とにより集光装置1を構成すれば、生産コストや組み立てコスト、調整コスト等を大幅に低減することができる。集光レンズ10のレンズアレイ及び集光光学素子20は、例えば、低融点ガラスを用いたホットプレス成形や、PMMA等の樹脂を射出成形して構成することができ、良好な生産性で低コストに生産することができる。
基材21に複数の光学構造30を形成する場合、各光学構造の集光反射面35で反射された反射光が各々出射面25に到達するように構成することが望ましい。以下に例示する構成形態の集光光学素子20(20S,20V)は、複数の光学構造30を第1の光学構造、第2の光学構造、第3の光学構造…としたときに、第1の光学構造の反射面で反射された反射光が、第1の光学構造に隣接して出射面側に形成された第2の光学構造により遮光されずに出射面25に向かうように構成される。
第1構成形態の集光光学素子20S(20S1,20S2)は、第1の光学構造の反射面により反射された反射光が、第1の光学構造に隣接して出射面側に形成された第2の光学構造の側方を通って伝播するように構成される。以下、このような反射光の配向方式を、便宜的に「横パス方式」という。
図5に第1構成形態の集光光学素子20Sを斜め上方から見た斜視図を示す。また、図6(a)に本構成形態における光学構造の拡大斜視図、図6(b)に本構成形態における第1構成例の集光光学素子20S1による反射光の配向構成(平面視の概念図)、図6(c)に本構成形態における第2構成例の集光光学素子20S2による反射光の配向構成(平面視の概念図)を示す。なお、図6(b)及び図6(c)では、基材21の下面側に、集光レンズに対応した10行×10列(B1〜B10行×A1〜A10列)の光学構造30をマトリクス状に形成した形態を例示し、基材21を透過して上面21側から視認される各光学構造30を実線で示している。
横パス方式に含まれる第1構成例の集光光学素子20S1は、例えばB5行の各光学構造30,30,…による反射光の配向方向を図6(b)に示すように、A1列の第1の光学構造30の反射面により反射された反射光と、A2列の第2の光学構造30の反射面により反射された反射光とが、第2の光学構造に隣接して出射面25側に形成されたA3列の第3の光学構造30の同じ側(図において上側)の側方を通って伝播するように構成される。
具体的には、図6(a)に示す光学構造30を、各々z軸回りに同一方向に微小角度αだけ回転させた状態に形成し、各集光反射面35により反射された反射光がx軸に対して微小角度α傾斜して出射面25から出射するようにして構成することができる。微小角度αは、集光反射面35により反射された反射光の拡がり角度と、隣接する光学構造の配設ピッチとに基づいて設定することができる。
図6(b)では、B1〜B10行とA1〜A10列とが直交する正方行列状に形成した構成例を示したが、B1〜B10行を微小角度αだけ傾けて(例えば図6(b)においてB1〜B10行の右端側を微小角度αだけ下傾して)形成し、各集光反射面35により反射された反射光がx軸に沿って出射面25から出射するように構成しても良い。
横パス方式に含まれる第2構成例の集光光学素子20S2は、例えばB5行の各光学構造30,30,…による反射光の配向方向を図6(c)に示すように、A1列の第1の光学構造30の反射面により反射された反射光と、A2列の第2の光学構造30の反射面により反射された反射光とが、第2の光学構造に隣接して出射面25側に形成されたA3列の第3の光学構造30を挟んで反対側(図において上側と下側)の側方を通って伝播するように構成される。
具体的には、図6(a)に示す光学構造30を、z軸回りに順次反対方向に微小角度βだけ回転させた状態に形成し、各集光反射面35により反射された反射光がx軸を挟んで微小角度β傾斜して出射面25から出射するようにして構成することができる。微小角度βは、上述した微小角度αと同様に、集光反射面35により反射された反射光の拡がり角度と、隣接する光学構造の配設ピッチとに基づいて設定することができる。一方、本構成例によれば隣接する行間のピッチを狭めることができる。
以上の横パス方式の集光光学素子20Sによれば、多数の光学構造30,30,…が基材21に一体に形成され、各々光学構造の集光反射面35,35,…により拡がり角が抑制された反射光が隣接する光学構造により遮光されることなく側方を通って出射面25に導出される。このため、薄型で集光効率が高い集光光学素子を得ることができる。
次に、第2構成形態の集光光学素子20Vについて、図7を参照して説明する。図7は、基材21に複数の光学構造30,30…がマトリクス状に設けられた集光光学素子20Vにおいて、任意の1行についてy軸方向から見たx−z断面の概念図である。
第2構成形態の集光光学素子20Vは、第1の光学構造30の反射面により反射された反射光が、第1の光学構造に隣接して出射面25側に形成された第2の光学構造30の上方を通って伝播するように構成される。以下、このような反射光の配向方式を、便宜的に「縦パス方式」という。
すなわち、第1の光学構造30の集光反射面35により拡がり角が抑制されて反射された反射光が、下面23及び上面22で順次全反射されて出射面25に伝播する過程において、出射面側に隣接する第2の光学構造30の上方を通って出射面方向に伝播するように構成される。
このとき、出射面25に到達するまでに基材21内でどの様な経路を伝播させるかは、種々の構成形態があり、適宜な構成を採用することができる。例えば図7に示すように、各行に並んだ光学構造30,30,…をひとつひとつ順次乗り越えるようにジグザグ状に伝播させる形態のほか、複数の光学構造をひとまとめにして乗り越え上下面での反射回数を低減して伝播させる形態などがあり、光学構造30の列数や配設ピッチ、集光反射面35による反射光の拡がり角、集光光学素子20Vの厚さなどに応じて適宜設定することができる。
このような縦パス方式の集光光学素子20Vによれば、多数の光学構造30,30,…が基材21に一体に形成され、各々光学構造の集光反射面35,35,…により拡がり角が抑制された反射光が隣接する光学構造により遮光されることなく上方を通って出射面25に導出される。このため、簡明な構成で集光効率が高い集光光学素子を得ることができる。
以上説明した横パス方式と縦パス方式とを適宜組み合わせて集光光学素子を構成しても良い。また、集光反射面35の曲率半径を、集光光学素子20における光学構造30の形成位置(例えば列位置や行位置等)に応じて異なる曲率半径としてもよい。
太陽光を集光装置1によって集光する場合について具体的に説明する。図8〜図11は、100×100mm、厚さd=1mmのPMMA(ポリメチルメタクリレート)製の基材21の下面側に、10行×10列(B1〜B10行×A1〜A10列、図6を参照)の光学構造30を形成した集光光学素子20について、下記共通条件のもとで、波長350〜1100nmの太陽光を入射して光線追跡したシミュレーション結果である。PMMAの屈折率としては図12に示す表の値を直線補間したものを用い、入射光のスペクトル密度は太陽光スペクトルに基づいて図13に示すものとした。
・集光レンズ10の焦点距離:f=30mm、集光レンズ10の直径:R=10mm
・集光レンズ10に入射する光:入射光軸LAに平行・集光反射面35を形成する球面の曲率半径:r=8mm
・集光反射面35を形成する球面の球心座標位置(x、y、z):(6.13,0,-3.84)
図8及び図9は、x軸に沿って形成された光学構造30,30,…について、各光学構造30をz軸回りに回転させない状態に形成した集光光学素子についての光線追跡シミュレーション結果である。図10及び図11はx軸に沿って形成された光学構造30,30,…について、各光学構造30をz軸回りに同一方向に微小角度α=2.86度だけ回転させた状態となるように形成した集光光学素子(前述した横パス方式の集光光学素子20S1)についての光線追跡シミュレーション結果である。また、図8(a),(b),(c)及び図10(a),(b),(c)は、それぞれA1,A6,A10の各列位置の光学構造30に入射した光線を各々追跡したシミュレーション結果であり、図8(d)及び図10(d)は、それぞれA1〜A10の全ての光学構造30,30,…に入射した全光線を追跡したシミュレーション結果である。
図9及び図11は、10行×10列の100か所の光学構造30全てに太陽光を集光入射したときの光線追跡シミュレーション結果である。図9及(a)及び図11(a)は、それぞれ側面視における光線追跡シミュレーション結果である。、図9(b)及び図11(b)は、それぞれ平面視における光線追跡のシミュレーション結果、図9(c)及び図11(c)は、それぞれ出射面25のy軸方向の位置に対する出射光線の光線本数の分布をプロットしたシミュレーション結果である。
図8(a),(b),(c)及び図10(a),(b),(c)によれば、各列位置の光学構造30(集光反射面35)に入射した入射光のうち出射面25に到達する光線本数の割合は、出射面25に近い(列番号が大きい)下流側の列ほど高く、出射面25から離れた(列番号が小さい)上流側の列ほど低いことがわかる。
具体的には、A10列の光学構造30の集光反射面に入射した入射光は、光学構造30がz軸方向に回転されているか否かにかかわらず入射光の全光量が出射面25から出射する。これは、A10列よりも下流側(出射面側)に他の光学構造30が存在しないためである。一方、A6列やA1列のように当該列の光学構造よりも出射面25側に他の光学構造30が存在する場合には、集光反射面35に入射した入射光が出射面25から出射する割合が低下する。これは、各列の光学構造の集光反射面で反射した反射光の一部が、下流側(出射面側)に存在する他の光学構造30に入射して、集光光学素子20から外部に出射(漏出)することによると考えられる。
A6列の光学構造30に関する図8(b)と図10(b)を対比し、また、A1列の光学構造30に関する図8(a)と図10(a)を対比すると次のことが明らかである。すなわち、光学構造30をz軸回りに微小角度α=2.86度回転させた状態として、各列の光学構造30の集光反射面35により反射された反射光が、隣接する光学構造30の側方を通るようにした横パス方式の方が、出射面25から出射する光線本数の割合が高く、何れの列においても集光効率が90%以上になっている。
図8(d)と図10(d)を対比すると、B5行全体で、集光光学素子に入射する入射光の光線本数に対する出射面25から出射する出射光の光線本数の割合、すなわち集光光学素子に入射した太陽光の全光線量を100としたときに出射面25から出射される光の全光量は、光学構造30をz軸回りに回転させない状態で配置した集光光学素子の場合が91.0(すなわち、集光効率が91.0%)であるのに対し、各光学構造30をz軸回りに微小角度α=2.86度回転させた状態で配置した集光光学素子の場合には集光効率が94.5%になっている。また、図9(c)と図11(c)を対比すると、10行×10列の集光光学素子全体での集光効率は、光学構造30をz軸回りに回転させない状態で配置した集光光学素子の場合には集光効率が91.3%であるのに対して、光学構造30をz軸回りに微小角度α=2.86度回転させた状態で配置した集光光学素子の場合には集光効率が94.7%である。
太陽の視直径や製造誤差等を考慮して、集光レンズ10への入射光が光軸LAに対して±0.5度(角度幅±0.5度)の範囲に均一に分布すると仮定した場合、図8(d)の構造の集光効率は83.5%、図10(d)の構造の集光効率は86.2%であった。
以上の説明より、光学構造30が出射面25方向(x軸方向)に複数設けられる集光光学素子において、各列の光学構造の集光反射面35により拡がり角が抑制されて反射された反射光が、隣接する光学構造30の側方を通って出射面に向かうように構成した横パス方式とすることにより、集光光学素子20の集光効率が高められることが理解される。
前述した縦パス方式の集光光学素子について、実施例を示す。
[実施例1]
図14は、100mm×100mm、厚さd=5mmのPMMA製の基材21の下面側に、10行×10列(B1〜B10行×A1〜A10列)の光学構造30を形成した集光光学素子20Vについて、下記条件のもとで、波長350〜1100nmの太陽光を[B5行,A1列]の光学構造30に入射し、光線追跡したシミュレーション結果である。PMMAの屈折率及び入射波長は前述した実施例と同様である(図12,図13を参照)。
・集光レンズ10の焦点距離:f=30mm、集光レンズ10の直径:R=10mm
・集光レンズ10に入射する光:入射光軸LAに平行
・集光反射面35を形成する球面の曲率半径:r=12mm
・集光反射面35を形成する球面の球心座標位置(x、y、z):(9.4,0,-7)
図14(a)は集光光学素子20Vをy軸方向から見たx−z平面の断面図、図14(b)は集光光学素子20Vをz軸方向から見たx−y平面の平面図である。図14(a)にはA1〜A10列の光学構造30,30,…の形成位置を矢印で示しており、y軸方向に広がりつつ出射面25に向けて伝播するA1列の反射光のうち、x軸に沿った中央部の反射光を遮る光学構造の列を白抜き矢印で示している。
[実施例2]
上記縦パス方式の集光光学素子において、集束光が入射する光学構造の反射面を平面とし、[B5行,A1列]の光学構造に略同様の光軸入射角で集光入射した場合のシミュレーション結果を図15(a)、(b)に示す。集光レンズ10の焦点距離fや集光レンズ10の直径R、基材21の屈折率n、入射光の波長λや角度幅などの条件は図14と共通である。反射面は、傾斜角を49度、下面23への投影形状を1mm×2mmとした。

実施例1において、光学構造が1個の場合の集光効率はほぼ100%、光学構造が10個(1行)の場合で1×10のレンズアレイにより全ての光学構造にそれぞれ集光した場合の集光効率は99.0%であった。また、入射光の角度幅を±0.5度としたときの集光効率はそれぞれ91.4%、89.8%となった。
実施例2においては、光学構造が1個の場合の集光効率はほぼ100%、光学構造が10個(1行)の場合で1×10のレンズアレイにより全ての光学構造にそれぞれ集光した場合の集光効率は94.5%であった。また、入射光の角度幅を±0.5度としたときの集光効率はそれぞれ97.6%、90.1%となった。
図14及び図15についてのシミュレーション結果から、1×10のレンズアレイにより全ての光学構造にそれぞれ集光した場合の集光効率は、反射面が平面の場合に比べて曲面の場合が高い。このことは、反射面35が平面の場合に比べて曲面の場合では、出射面25に向けて伝播する反射光のうち、x軸に沿った中央部の反射光が出射面側(下流側)に位置する他の光学構造に遮られることを示す白抜き矢印の列数が少ないことからもわかる。
[実施例3]
図14と同様に、100mm×100mm、厚さd=5mmのPMMA製の基材21の下面側に、10行×10列(B1〜B10行×A1〜A10列)の光学構造30を形成した集光光学素子について、下記条件のもとで、波長350〜1100nmの太陽光を[B5行,A1列]の光学構造30に入射し、光線追跡したシミュレーションを行う。PMMAの屈折率及び入射波長は前述した実施例と同様である(図12,図13を参照)。
・集光レンズ10の焦点距離:f=30mm、集光レンズ10の直径:R=10mm
・光学構造の大きさ:x、y、z方向共に1mm
・集光反射面35を形成する球面の曲率半径:r=12mm
・集光反射面35を形成する球面の球心座標位置(x、y、z):(9.4,0,-7)
上記条件で光学構造が10個(1行)の場合で1×10のレンズアレイにより全ての光学構造にそれぞれ集光した場合のシミュレーション結果は、集光レンズ10に入射する光が光軸LAに平行、すなわち入射角度0度の場合には97.2%、入射角度±0.26度の場合には95.0%、入射角度±0.5度の場合には87.1%であった。
[実施例4]
実施例3において、集光反射面を平面とした以外は実施例3と同様の条件で光線追跡シミュレーションを行う。すなわち、各条件は次の通りである。
・集光レンズ10の焦点距離:f=30mm、集光レンズ10の直径:R=10mm
・光学構造の大きさ:x、y、z方向共に1mm
・反射面の傾斜角:49度
上記条件で光学構造が10個(1行)の場合で1×10のレンズアレイにより全ての光学構造にそれぞれ集光した場合のシミュレーション結果は、集光レンズ10に入射する光が光軸LAに平行、すなわち入射角度0度の場合には92.8%、入射角度±0.26度の場合には91.2%、入射角度±0.5度の場合には88.1%であった。
実施例3と実施例4を比較すると、入射角度が太陽の視直径に相当する±0.26度の範囲では、反射面が曲面の場合の方が平面の場合に比べて集光効率が高いことがわかる。
以上、集光光学素子について種々の構成例について説明したが、以下では他の構成例について簡潔に説明する。図16(a)、図16(b)は、図14(a)、図14(b)及び図15(a)、図15(b)に対応する他の構成例の集光光学素子20Zの側面視及び平面視における光線追跡シミュレーション結果である。共通条件については次に示す通りである。
・集光レンズ10の焦点距離:f=30mm、集光レンズ10の直径:R=10mm
・集光反射面35を形成する球面の曲率半径:r=25.1mm
・集光反射面35を形成する球面の球心座標位置(x、y、z):(18.3,0,-15.9)
・厚さd=10mm
集光光学素子20Zは、A1列の第1の光学構造30により反射された反射光を、A1列の第1の光学構造に隣接して出射面25側に形成されたA2列の第2の光学構造30の背面36(図3を参照)に入射させた後、第2の光学構造30の集光反射面35において屈折させて基材21にび入射させ、他の光学構造30の上方を通って出射面25側に伝播させるように構成される。このような構成の集光光学素子20Zにおいて集光効率は98.9%(角度幅±0.5度のとき92.1%)であった。
これまで説明した集光光学素子20の光学構造30は、背面36がy−z平面に沿った鉛直面であった。これに対して、図17に示す光学構造130においては、背面136がy軸回りに傾斜した傾斜面として形成される。図17(a)はこの構成例の光学構造の部分拡大図、図17(b)はこの構成例の光学構造の側面図である。このような構成によれば、上流側から背面136に入射する光を背面136により全反射して下流側に導光することができ、光学構造から外部に出射する損失を低減することができる。
[集光光学素子の端部における光エネルギーの取り出し手法]
以上説明した集光装置1において、集光レンズ10及び集光光学素子20(20S,20V,20Z)により集光されて出射面25から出射する光のエネルギー取り出し手法について、幾つかの代表的な概念を例示する図18(a)〜(e)を参照しながら簡明に説明する。
図18(a)は、集光光学素子20の端部に集光された光を出射面25からそのまま取り出し、光として利用する構成例の概念図である。この場合において、集光光学素子20の出射面25から出射する光をシリンドリカルレンズ91や集光ロッド92等を介して集光し、集光された光を光ファイバー93により所望位置に導光するような構成が例示される。
図18(b)は、集光光学素子20の端部に集光された光を、電気エネルギーまたは熱エネルギーに変換して利用する場合の第1構成例の概念図である。この図は、光電変換素子5を集光光学素子20の出射端部に結合し、電気エネルギーとして取り出す構成例を示す。集光された光を熱エネルギーとして取り出す光熱変換装置とする場合には、集光された光を熱エネルギーに光熱変換する光熱変換素子として、光吸収体付きのヒートパイプ等が好適に用いられる。
図18(c)は、端部に集光された光を、電気エネルギーまたは熱エネルギーに変換して利用する場合の第2構成例の概念図である。本構成例は、集光光学素子20の端部を斜めにカットして出射面25にミラー94を配設し(あるいは出射面25に反射膜を形成し)、集光光学素子20の上面側(または下面側)に設けた光電変換素子5に集光させる構成例である。これにより、集光光学素子20が薄いシート状の場合であっても、所定面積の光電変換素子5を安定的に取り付けることができる。集光された光を熱エネルギーとして取り出す場合には、上記同様に光吸収体付きのヒートパイプ等が好適に用いられる。
図18(d)は、端部に集光された光を、電気エネルギーまたは熱エネルギーに変換して利用する場合の第3構成例の概念図である。本構成例は、集光光学素子20の出射面25を斜めにカットしてダイクロイックミラー95を配設し(あるいは出射面25に波長選択性のある反射膜を形成し)、集光光学素子20の上面側(または下面側)と、集光光学素子20の側方とに設けた光電変換素子5,5′に分割して集光させる構成例である。このような構成によれば、分割された各波長帯域について高効率な光電変換素子を用いるこができるため、比較的低コストで変換効率の高い光発電装置を構成することが可能となる。
分割した光のうち一方(例えば赤外領域の光)を光吸収体付きのヒートパイプ等に入射して熱エネルギーとして利用し、他方(例えば可視領域及び紫外領域の光)を光電変換素子5に入射して電気エネルギーとして利用するような構成も好適な適用例である。
図18(e)は、端部に集光された光を、さらに厚さ方向に集光して取り出す構成例の概念図である。本構成の集光光学素子20は、出射面25の近傍領域で厚さが徐々に薄くなるパラボリック状に形成されており、素子内部をx軸方向に進む光が、上面あるいは下面で全反射されて厚さ方向に集光されるようになっている。これにより、例えば光をそのまま利用する場合にシリンドリカルレンズ等を用いずに構成することができ、また光電変換素子5やヒートパイプに入射させる場合に、簡明な構成で入射光のパワー密度を高めることができる。
以上説明したように、集光装置1においては、集光レンズ10,10…により集光されつつ集光光学素子20の上面22から入射した入射光が、集光光学素子20内に入射して以降、出射面25を除く全ての界面(集光反射面35、上面22、下面23及び側面)で全反射され、出射面25から出射される。従って、以上説明した集光装置1によれば、比較的薄型かつ簡明な構成で、太陽光等の光エネルギーを効率的に利用可能な、新たな集光手段を提供することができる。
集光装置1においては、光学構造が下面に凹設されているので、熱可塑性樹脂の射出成形や光学ガラスのプレス成形等により安価に製造できる。また、このような集光装置1を光発電装置PVSや光熱変換装置は光軸方向の厚さが薄く小型軽量であり、新たな太陽光発電手段または光熱変換手段として好適に適用することができる。
太陽光を集光する場合は、太陽光のスペクトルのうち少なくとも特定の波長範囲の光が集光されるように集光装置1を構成してもよい。波長範囲は光電変換素子5の分光感度特性に応じて決定することができる。例えば、光電変換素子5の変換効率が実質的に0でない波長範囲の光が集光されるように、集光装置1を構成することができる。また、少なくとも光電変換効率が最大となる波長の光が集光されるように集光装置1を構成してもよい。集光装置1で集光レンズ10により集光される光の具体的な波長範囲としては、例えば、350〜1800nmであってもよいし、実施の形態の説明にあるように350nm〜1100nmであってもよい。前者の波長範囲の光を集光する集光装置は多接合型の光電変換素子に適用することができ、後者の波長範囲の光を集光する集光装置は結晶シリコンの光電変換素子に適用することができる。
上記の通り、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。
次の優先権基礎出願の開示内容は引用文としてここに組み込まれる。
日本国出願2010年第200228号(2010年9月7日)

Claims (15)

  1. 集光装置であって、
    集光レンズと、
    透明部材により形成され前記集光レンズにより集光されて入射する入射光を導く集光光学素子とからなり、
    前記集光光学素子は、前記入射光を透過する上面及び前記上面と対向して延びる下面と、前記下面に凹設されて前記上面に向けて延びる反射面を有し前記入射光を反射する光学構造と、
    前記上面及び前記下面の間を繋ぎ前記反射面に対向する出射面とを有し、
    前記集光レンズを介して前記上面から入射し前記反射面により反射した反射光が前記出射面に導かれるように構成した集光装置。
  2. 請求項1に記載の集光装置において、前記反射面は、前記集光レンズにより所定の収束角度または発散角度で入射した前記入射光の反射後の拡がり角を抑制する曲面状に形成された集光装置。
  3. 請求項1または2に記載の集光装置において、前記反射面は、前記集光レンズにより所定の集束角度または発散角度で入射する光線の最小入射角が、前記反射面における全反射臨界角以上となるように設定された集光装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の集光装置において、前記集光レンズの開口数は、前記集光レンズにより所定の集束角度または発散角度で入射する光線の最小入射角が、前記反射面における全反射臨界角以上となるように設定された集光装置。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の集光装置において、前記集光光学素子の屈折率は、前記集光レンズにより所定の集束角度または発散角度で入射する光線の最小入射角が、前記反射面における全反射臨界角以上となるように設定された集光装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の集光装置において、前記集光レンズ及び前記集光光学素子は、前記集光レンズにより集光される入射光が前記反射面近傍の下方または上方に焦点を結ぶように配設された集光装置。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の集光装置にいて、前記集光レンズが複数設けられ、前記集光光学素子は、前記各集光レンズに対応して設けられた複数の前記光学構造を有して一体に形成された集光装置。
  8. 請求項7に記載の集光装置において、前記集光光学素子は、第1の光学構造の前記反射面により反射された前記反射光が、前記第1の光学構造に隣接して前記出射面側に形成された第2の光学構造により遮光されずに前記出射面に向かうように構成された集光装置。
  9. 請求項8に記載の集光装置において、前記集光光学素子は、前記第1の光学構造の前記反射面により反射された前記反射光が、前記第1の光学構造に隣接して前記出射面側に形成された前記第2の光学構造の側方を通って伝播するように構成された集光装置。
  10. 請求項9に記載の集光装置において、前記集光光学素子は、前記第1の光学構造の反射面により反射された反射光と、前記第2の光学構造の反射面により反射された反射光とが、前記第2の光学構造に隣接して前記出射面側に形成された第3の光学構造の同じ側の側方を通って伝播するように構成された集光装置。
  11. 請求項9に記載の集光装置において、前記集光光学素子は、前記第1の光学構造の反射面により反射された反射光と、前記第2の光学構造の反射面により反射された反射光とが、前記第2の光学構造に隣接して前記出射面側に形成された第3の光学構造を挟んで反対側の側方を通って伝播するように構成された集光装置。
  12. 請求項8〜11のいずれか一項に記載の集光装置において、前記集光光学素子は、前記第1の光学構造の反射面により反射された反射光が、前記第1の光学構造に隣接して前記出射面側に形成された前記第2の光学構造の上方を通って伝播するように構成された集光装置。
  13. 請求項1〜12のいずれか一項に記載の集光装置において、前記反射面と前記出射面とを結ぶ方向の大きさが前記上面および前記下面を結ぶ厚さ方向の大きさに対して充分に大きいプレート状またはシート状に形成された集光装置。
  14. 請求項1〜13のいずれか一項に記載の集光装置と、
    前記集光装置により前記出射面に導かれた光を光電変換する光電変換素子とを備えた光発電装置。
  15. 請求項1〜13のいずれか一項に記載の集光装置と、
    前記集光装置により前記出射面に導かれた光を光熱変換する光熱変換素子とを備えた光熱変換装置。
JP2012533007A 2010-09-07 2011-09-07 集光装置、光発電装置及び光熱変換装置 Withdrawn JPWO2012033132A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010200228 2010-09-07
JP2010200228 2010-09-07
PCT/JP2011/070387 WO2012033132A1 (ja) 2010-09-07 2011-09-07 集光装置、光発電装置及び光熱変換装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2012033132A1 true JPWO2012033132A1 (ja) 2014-01-20

Family

ID=45810729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012533007A Withdrawn JPWO2012033132A1 (ja) 2010-09-07 2011-09-07 集光装置、光発電装置及び光熱変換装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2012033132A1 (ja)
WO (1) WO2012033132A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110941085A (zh) * 2019-10-29 2020-03-31 阳光凯讯(北京)科技有限公司 一种二元复合抛物面可见光通信接收天线设计方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000147262A (ja) * 1998-11-11 2000-05-26 Nobuyuki Higuchi 集光装置及びこれを利用した太陽光発電システム
JP2001289515A (ja) * 2000-04-07 2001-10-19 Masahiro Nishikawa 太陽光の面集光装置
JP4743846B2 (ja) * 2005-05-10 2011-08-10 シチズン電子株式会社 光通信装置及びそれを用いた情報機器
US20090126792A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-21 Qualcomm Incorporated Thin film solar concentrator/collector
EP2340567A2 (en) * 2008-09-18 2011-07-06 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Increasing the angular range of light collection in solar collectors/concentrators
US20120167951A1 (en) * 2009-11-18 2012-07-05 Sharp Kavushiki Kaisha Solar cell module, solar power generating apparatus, and window
WO2011074108A1 (ja) * 2009-12-18 2011-06-23 サン電子株式会社 集光装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012033132A1 (ja) 2012-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013147008A1 (ja) 二次レンズ、太陽電池実装体、集光型太陽光発電ユニット、および集光型太陽光発電装置、並びに集光型太陽光発電モジュール
US20120192919A1 (en) Fresnel-fly's eye microlens arrays for concentrating solar cell
US8791355B2 (en) Homogenizing light-pipe for solar concentrators
US9477071B2 (en) Method and device for concentrating, collimating, and directing light
WO2011079856A1 (en) Photovoltaic concentrator with optical stepped lens and optical stepped lens
JP2013545260A (ja) 集束太陽光誘導モジュール
US20160133771A1 (en) Tir concentrator optics
US20130153000A1 (en) Multi-band light collection and energy conversion module
JP2013211487A (ja) 二次レンズ、太陽電池実装体、集光型太陽光発電ユニット及び集光型太陽光発電モジュール
US20140130855A1 (en) Dispersive optical systems and methods and related electricity generation systems and methods
JP2016138911A (ja) フレネルレンズ、集光型太陽光発電モジュール、及び集光型太陽光発電装置
US20130048052A1 (en) Light concentration and energy conversion system
TWI574043B (zh) A light collecting device, a photovoltaic device and a light and heat conversion device
KR101007649B1 (ko) 다수 채널을 갖는 광가이드 장치
WO2012026572A1 (ja) 集光装置、光発電装置及び光熱変換装置
JP2014010251A (ja) 二次レンズ、太陽電池実装体、集光型太陽光発電装置、および集光型太陽光発電モジュール
WO2012033132A1 (ja) 集光装置、光発電装置及び光熱変換装置
JPH11266031A (ja) 回折面を持つ集光型太陽光発電装置及び集光型太陽光発電モジュール
WO2012067082A1 (ja) 集光装置、光発電装置及び光熱変換装置
US20100089450A1 (en) Near-field diffraction superposition of light beams for concentrating solar systems
JP2018060978A (ja) 集光型太陽光発電装置
Qandil et al. Optimizing the Fresnel-Lens solar-concentrator design for tracking error mitigation in thermal applications, using a statistical algorithm
KR102584910B1 (ko) 투광형 태양전지 단위 모듈, 투광형 태양전지 어레이 및 이를 포함하는 투광형 태양전지 모듈
KR101469583B1 (ko) 태양광 집광 장치
WO2012169980A1 (en) A waveguide for concentrated solar collectors and a solar collector thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20141202