JPWO2012017888A1 - Electronic component manufacturing method and electronic component - Google Patents

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Abstract

金属リッドの基板に当接する面の平坦性が高く、気密性が高い電子部品を提供する。本発明の電子部品の製造方法は、基板１１を準備する工程と、基板１１に電子部品素子１６を実装する工程と、一方の主面に、周囲に環状の脚部を残して凹部９ａが形成され、脚部９ｂの先端に接合材８が供給された金属リッド９を準備する工程と、金属リッド９を基板１１上に載置する工程と、熱エネルギーの印加により、接合材８を用いて、金属リッド９を基板１１に接合する工程とを備え、かつ、金属リッド９の凹部９ａをエッチング加工により形成するようにした。Provided is an electronic component with high flatness of a surface abutting against a substrate of a metal lid and high airtightness. The method of manufacturing an electronic component according to the present invention includes a step of preparing the substrate 11, a step of mounting the electronic component element 16 on the substrate 11, and a recess 9 a is formed on one main surface leaving an annular leg around the periphery. The step of preparing the metal lid 9 in which the bonding material 8 is supplied to the tip of the leg portion 9b, the step of placing the metal lid 9 on the substrate 11, and the application of the heat energy, the bonding material 8 is used. And a step of bonding the metal lid 9 to the substrate 11, and the recess 9a of the metal lid 9 is formed by etching.

Description

本発明は、基板と金属リッドとで構成される空間内に電子部品素子を収容した電子部品の製造方法に関し、さらに詳しくは、金属リッドの基板に当接する面の平坦性が高く、気密性に優れた電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component in which an electronic component element is accommodated in a space formed by a substrate and a metal lid. More specifically, the surface of the metal lid that contacts the substrate is highly flat and airtight. The present invention relates to a method for manufacturing an excellent electronic component.

圧電振動子などの電子部品においては、電子部品素子（電子部品本体）を外部環境から保護するため、電子部品素子をパッケージ内に気密封止することがおこなわれている。   In an electronic component such as a piezoelectric vibrator, in order to protect the electronic component element (electronic component main body) from the external environment, the electronic component element is hermetically sealed in a package.

たとえば、特許文献１（特開２００５−１５９２５８号公報）には、図１８（Ａ）に示すように、複数の基板１０１がマトリックス状に複数形成された基板集合体１０２を準備し、各基板１０１に電子部品素子（水晶振動素子）１０３を実装するとともに、複数の金属リッド１０４がマトリックス状に複数形成された金属リッド集合体１０５を準備し、続いて、図１８（Ｂ）に示すように、接合材１０６を用いて、基板集合体１０２に金属リッド集合体１０５を接合して電子部品集合体１０７を形成し、最後に、図１８（Ｃ）に示すように、電子部品集合体１０７を個々の電子部品（水晶振動子）１０８に分割する電子部品の製造方法が開示されている。   For example, in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-159258), as shown in FIG. 18A, a substrate assembly 102 in which a plurality of substrates 101 are formed in a matrix is prepared. The electronic component element (quartz vibration element) 103 is mounted on the metal lid assembly 105, and a plurality of metal lids 104 are formed in a matrix to prepare a metal lid assembly 105. Subsequently, as shown in FIG. The metal lid assembly 105 is bonded to the substrate assembly 102 using the bonding material 106 to form the electronic component assembly 107. Finally, as shown in FIG. A method of manufacturing an electronic component that is divided into electronic components (quartz crystal resonators) 108 is disclosed.

金属リッド１０４（金属リッド集合体１０５）は、たとえば、４２アロイ、コバール、リン青銅などの金属板からなり、厚さは６０μｍ〜１００μｍ程度で、板金加工により、電子部品素子１０３を収容するための凹部１０４ａと、脚部１０４ｂとが形成されている。   The metal lid 104 (metal lid assembly 105) is made of, for example, a metal plate such as 42 alloy, Kovar, phosphor bronze, etc., and has a thickness of about 60 μm to 100 μm and is used for housing the electronic component element 103 by sheet metal processing. A recess 104a and a leg 104b are formed.

基板１０１（基板集合体１０２）は、たとえば、ガラスセラミックス、アルミナセラミックスなどのセラミック材料からなり、一方の主面に、電子部品素子１０３を実装するためのランド電極１０１ａと、金属リッド１０４を接合するための環状の接合電極１０１ｂとが形成されている。   The substrate 101 (substrate assembly 102) is made of, for example, a ceramic material such as glass ceramics or alumina ceramics, and a land electrode 101a for mounting the electronic component element 103 and a metal lid 104 are bonded to one main surface. For this purpose, an annular bonding electrode 101b is formed.

接合材１０６は、たとえば、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｓｎなどからなり、各基板１０１の接合電極１０１ｂ上に設けられ、３００℃〜３５０℃に加熱され、溶融されて、接合電極１０１ｂと、金属リッド１０４の脚部１０４ｂとを接合している。   The bonding material 106 is made of, for example, Au—Ni, Au—Sn, and the like, provided on the bonding electrode 101b of each substrate 101, heated to 300 ° C. to 350 ° C., melted, and bonded to the bonding electrode 101b and the metal lid. 104 legs 104b are joined.

特開２００５−１５９２５８号公報JP 2005-159258 A

しかしながら、上述した従来の電子部品の製造方法には、金属リッド１０４（金属リッド集合体１０５）が、金属板に、板金加工をして、電子部品１０３を収容するための凹部１０４ａと、基板１０１に接合するための脚部１０４ｂとを形成したものであるため、脚部１０４ｂの基板１０１ａと当接する面の平坦性が低く、基板１０１ａに接合した後の気密性が低いという問題があった。すなわち、平坦な金属板を用いても、プレス加工などで凹部１０４ａ、脚部１０４ｂを形成する際に、脚部１０４ｂの底面の平坦性が損なわれてしまい、接合後に気密漏れを生じてしまうおそれがあった。   However, in the above-described conventional method for manufacturing an electronic component, the metal lid 104 (metal lid assembly 105) is processed by sheet metal processing on a metal plate, and the substrate 101 and the concave portion 104a for accommodating the electronic component 103 are provided. Therefore, there is a problem in that the flatness of the surface of the leg 104b that comes into contact with the substrate 101a is low, and the airtightness after bonding to the substrate 101a is low. That is, even when a flat metal plate is used, when the recess 104a and the leg 104b are formed by pressing or the like, the flatness of the bottom surface of the leg 104b is impaired, and airtight leakage may occur after joining. was there.

このため、気密性を確保するためには、脚部１０４ｂの底面の幅を大きくしなければならず、電子部品が大型化してしまうという問題があった。   For this reason, in order to ensure airtightness, the width of the bottom surface of the leg portion 104b has to be increased, and there is a problem in that the electronic component is increased in size.

本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものである。その手段として、本発明の電子部品の製造方法は、基板を準備する工程と、基板に電子部品素子を実装する工程と、一方の主面に、周囲に環状の脚部を残して凹部が形成され、脚部の先端に接合材が供給された金属リッドを準備する工程と、金属リッドの凹部に前記電子部品素子を収容して、金属リッドを基板上に載置する工程と、熱エネルギーの印加により、接合材を用いて、金属リッドを基板に接合する工程とを備え、かつ、金属リッドの凹部は、平坦な金属板をエッチング加工することにより形成するようにした。   The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art. As its means, the method of manufacturing an electronic component according to the present invention includes a step of preparing a substrate, a step of mounting an electronic component element on the substrate, and a recess formed on one main surface leaving an annular leg around the periphery. A step of preparing a metal lid in which a bonding material is supplied to the tip of the leg, a step of housing the electronic component element in a recess of the metal lid, and placing the metal lid on the substrate; And a step of bonding the metal lid to the substrate using a bonding material by application, and the concave portion of the metal lid is formed by etching a flat metal plate.

なお、本発明は、複数の基板がマトリックス状に形成された基板集合体と、複数の金属リッドがマトリックス状に形成された金属リッド集合体とを用いて、複数の電子部品を一括して大量に製造する場合にも適用することができる。すなわち、本発明の電子部品の製造方法の実施形態の１つは、複数の基板がマトリックス状に形成された基板集合体を準備する工程と、複数の基板のそれぞれに、電子部品素子を搭載する工程と、一方の主面に、周囲に環状の脚部を残して凹部が形成され、脚部の先端に接合材が供給された金属リッドが、複数、マトリックス状に形成された金属リッド集合体を準備する工程と、金属リッドの凹部のそれぞれに電子部品素子を収容して、金属リッド集合体を基板集合体上に実装する工程と、熱エネルギーの印加により、接合材を用いて、金属リッド集合体を基板集合体に接合し、電子部品集合体を形成する工程と、電子部品集合体を、個々の電子部品に分割する工程とを備え、かつ、複数の金属リッドの各凹部は、平坦な金属板をエッチング加工することにより形成するようにした。   In the present invention, a plurality of electronic components are collectively manufactured using a substrate assembly in which a plurality of substrates are formed in a matrix and a metal lid assembly in which a plurality of metal lids are formed in a matrix. It can also be applied to the case of manufacturing. That is, one embodiment of the method for manufacturing an electronic component according to the present invention includes a step of preparing a substrate assembly in which a plurality of substrates are formed in a matrix, and mounting an electronic component element on each of the plurality of substrates. And a metal lid assembly in which a plurality of metal lids are formed in a matrix shape, with a recess formed on one main surface, leaving an annular leg around the periphery, and a bonding material supplied to the tip of the leg A step of housing the electronic component element in each of the recesses of the metal lid, mounting the metal lid assembly on the substrate assembly, and applying a heat energy to the metal lid The assembly includes a step of joining the assembly to the substrate assembly to form an electronic component assembly, and a step of dividing the electronic component assembly into individual electronic components, and each recess of the plurality of metal lids is flat. A special metal plate It was to be formed by doing this.

本発明の電子部品の製造方法は、上記構成としたため、すなわち、金属リッドに平坦な金属板を用い、金属リッドの凹部を、板金加工ではなく、エッチング加工により形成するようにしたため、凹部の周囲に環状に形成される脚部の、基板と当接する端面の平坦性が、製造途中に損なわれることがない。したがって、本発明により製造された電子部品は、気密性に優れている。また、脚部の端面の幅を小さくしても、気密性が低下することがないため、脚部の端面の幅を小さくすることができ、電子部品を小型化することができる。   Since the electronic component manufacturing method of the present invention has the above-described configuration, that is, a flat metal plate is used for the metal lid, and the concave portion of the metal lid is formed by etching instead of sheet metal processing, the periphery of the concave portion The flatness of the end surface of the leg portion that is annularly formed and in contact with the substrate is not impaired during the manufacturing process. Therefore, the electronic component manufactured according to the present invention is excellent in airtightness. Further, even if the width of the end surface of the leg portion is reduced, the airtightness is not lowered. Therefore, the width of the end surface of the leg portion can be reduced, and the electronic component can be downsized.

なお、接合材は、金属リッドの脚部の端面のみに供給することが好ましい。この場合には、基板と金属リッドを接合する際に、接合材が余剰となることがなく、余剰となった接合材が電子部品素子に付着するなどして電子部品の特性が劣化することがない。   In addition, it is preferable to supply a joining material only to the end surface of the leg part of a metal lid. In this case, when the substrate and the metal lid are bonded, the bonding material does not become excessive, and the characteristic of the electronic component may deteriorate due to the excessive bonding material adhering to the electronic component element. Absent.

また、金属リッドの脚部の端面に、接合材の収容部を形成するようにしても良い。この場合には、基板と金属リッドを接合する際に、余剰となった接合材をその収容部に収容することができ、余剰となった接合材が電子部品素子に付着するなどして電子部品の特性が劣化するのを防止することができる。   Moreover, you may make it form the accommodating part of a joining material in the end surface of the leg part of a metal lid. In this case, when the substrate and the metal lid are joined, the surplus joining material can be accommodated in the accommodating portion, and the surplus joining material adheres to the electronic component element. Can be prevented from deteriorating.

また、金属リッドの凹部の内壁に、不濡れ層を形成するようにしても良い。この場合には、基板と金属リッドを接合する際に、余剰となった接合材が金属リッドの凹部の内壁に濡れ拡がることがなく、そこから滴下して、電子部品素子に付着するなどして電子部品の特性が劣化することがない。また、接合材が金属リッドの凹部に濡れ拡がらないので、当初から接合材の供給量を少なくしておくことが可能であり、材料コストを低減することができる。   Moreover, you may make it form a non-wetting layer in the inner wall of the recessed part of a metal lid. In this case, when the substrate and the metal lid are bonded, the excess bonding material does not spread out on the inner wall of the concave portion of the metal lid, and drops from there and adheres to the electronic component element. The characteristics of electronic parts are not deteriorated. Further, since the bonding material does not wet and spread in the concave portion of the metal lid, the supply amount of the bonding material can be reduced from the beginning, and the material cost can be reduced.

また、金属リッドの脚部の端面に、Ｎｉを主成分とする第１の層と、Ａｕを主成分とする第２の層とからなるリッド電極を形成し、そのリッド電極上にＢｉを主成分とする接合材を供給するとともに、基板の、金属リッドと当接する部分に、Ｎｉを主成分とする第１の層と、Ａｕを主成分とする第２の層とからなる接合電極を形成し、接合材でリッド電極と接合電極とを接合するようにしても良い。この場合には、Ｂｉを主成分とする接合材に、リッド電極および接合電極からＡｕとＮｉが拡散してＢｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金が形成されるが、Ａｕ、ＮｉのＢｉへの拡散は速度が速いため、基板に金属リッドを短時間で接合することができる。また、Ｂｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金は融点が高く、４００℃以上であるため、製造された電子部品をリフローで実装する際に、再溶融することがなく、金属リッドが基板から外れてしまうことがない。   Further, a lid electrode composed of a first layer containing Ni as a main component and a second layer containing Au as a main component is formed on the end surface of the leg portion of the metal lid, and Bi is mainly formed on the lid electrode. In addition to supplying a bonding material as a component, a bonding electrode composed of a first layer containing Ni as a main component and a second layer containing Au as a main component is formed on the portion of the substrate that contacts the metal lid. Then, the lid electrode and the bonding electrode may be bonded with a bonding material. In this case, Au and Ni are diffused from the lid electrode and the bonding electrode to form a Bi—Ni—Au ternary alloy in the bonding material containing Bi as a main component. Since the speed is high, the metal lid can be bonded to the substrate in a short time. In addition, the Bi-Ni-Au ternary alloy has a high melting point and is 400 ° C. or higher. Therefore, when the manufactured electronic component is mounted by reflow, it does not remelt and the metal lid comes off the substrate. There is no.

また、製造される電子部品は、平面方向に見た、基板の形状、大きさと、金属リッドの形状、大きさが、同一であることが好ましい。この場合には、金属リッドの天面の面積を最大にすることができ、その電子部品を真空吸着により保持して実装する際に、確実に吸着することができるからである。   Moreover, it is preferable that the shape and magnitude | size of a board | substrate and the shape and magnitude | size of a metal lid are the same as the electronic component manufactured seeing in the plane direction. In this case, the area of the top surface of the metal lid can be maximized, and when the electronic component is held and mounted by vacuum suction, it can be reliably sucked.

図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。1A to 1C are cross-sectional views showing respective steps applied in the electronic component manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. 図１の続きであり、図２（Ｄ）〜（Ｆ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。2 (D) to (F) are cross-sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the first embodiment of the present invention. 図２の続きであり、図３（Ｇ）〜（Ｉ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。3 (G) to (I) are cross-sectional views showing respective steps applied in the method of manufacturing an electronic component according to the first embodiment of the present invention. 図３の続きであり、図４（Ｊ）〜（Ｌ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。4 (J) to (L) are cross-sectional views showing respective steps applied in the method of manufacturing an electronic component according to the first embodiment of the present invention. 図４の続きであり、図５（Ｍ）〜（Ｏ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。4 (M) to (O) are cross-sectional views showing respective steps applied in the electronic component manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. 図６（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第２実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。6A to 6C are cross-sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment of the present invention. 図７（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第３実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。7A to 7C are cross-sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the third embodiment of the present invention. 図７の続きであり、図８（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第３実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。8D and 8E are cross-sectional views showing respective steps applied in the electronic component manufacturing method according to the third embodiment of the present invention. 図９（Ａ）は、本発明の第４実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。FIG. 9A is a sectional view showing each process applied in the electronic component manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention. 図１０（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第５実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。10A to 10C are cross-sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the fifth embodiment of the present invention. 図１０の続きであり、図１１（Ｄ）〜（Ｆ）は、本発明の第５実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。FIG. 11 (D) to FIG. 11 (F) are sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the fifth embodiment of the present invention. 図１１の続きであり、図１２（Ｇ）〜（Ｉ）は、本発明の第５実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。12 (G) to 12 (I) are sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the fifth embodiment of the present invention. 図１２の続きであり、図１３（Ｊ）、（Ｋ）は、本発明の第５実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。FIG. 13 (J) and FIG. 13 (K) are sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the fifth embodiment of the present invention. 図１３の続きであり、図１４（Ｌ）、（Ｍ）は、本発明の第５実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。14 (L) and 14 (M) are sectional views showing respective steps applied in the electronic component manufacturing method according to the fifth embodiment of the present invention. 図１４の続きであり、図１５（Ｎ）は、本発明の第５実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。FIG. 15N is a cross-sectional view showing each step applied in the method for manufacturing an electronic component according to the fifth embodiment of the present invention. 図１６（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第６実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。16A to 16C are cross-sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the sixth embodiment of the present invention. 図１６の続きであり、図１７（Ｄ）は、本発明の第６実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。FIG. 17D is a cross-sectional view showing each step applied in the method for manufacturing an electronic component according to the sixth embodiment of the present invention. 図１８（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の電子部品の製造方法において適用される各工程を示す断面図である。18A to 18C are cross-sectional views showing respective steps applied in a conventional method for manufacturing an electronic component.

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

［第１実施形態］
図１（Ａ）〜図５（Ｏ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される、各工程を示す断面図である。Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

[First Embodiment]
FIG. 1A to FIG. 5O are cross-sectional views showing each process applied in the method for manufacturing an electronic component according to the first embodiment of the present invention.

本実施形態にかかる電子部品の製造方法においては、複数の金属リッドがマトリックス状に形成された金属リッド集合体と、複数の基板がマトリックス状に形成された基板集合体とを準備し、両者を接合して電子部品集合体を形成した後に、電子部品集合体を個々の電子部品に分割する。以下、先に、金属リッド集合体について説明し、続いて、基板集合体について説明する。   In the method of manufacturing an electronic component according to the present embodiment, a metal lid assembly in which a plurality of metal lids are formed in a matrix and a substrate assembly in which a plurality of substrates are formed in a matrix are prepared. After joining to form an electronic component assembly, the electronic component assembly is divided into individual electronic components. Hereinafter, the metal lid assembly will be described first, and then the substrate assembly will be described.

図１（Ａ）は、金属リッド集合体を製造するのに用いる金属板１を示す。金属板１には、主面の平坦性の高いものを用いる。たとえば金属板は圧延加工板を用いており、平面度は５μｍ以下であった。金属板１の材質は特に限定されないが、たとえば、コバール、４２アロイなどのＦｅ‐Ｎｉ系合金を用いることができる。金属板１の厚みは、製造する金属リッドの高さと同一にする。金属板１の大きさ（タテ、ヨコ）は、製造する金属リッドの大きさ、取り個数などを考慮して決定する。   FIG. 1A shows a metal plate 1 used for manufacturing a metal lid assembly. As the metal plate 1, a metal plate having a high flatness is used. For example, a rolled plate is used as the metal plate, and the flatness is 5 μm or less. The material of the metal plate 1 is not particularly limited. For example, an Fe—Ni alloy such as Kovar or 42 alloy can be used. The thickness of the metal plate 1 is the same as the height of the metal lid to be manufactured. The size (vertical, horizontal) of the metal plate 1 is determined in consideration of the size and number of metal lids to be manufactured.

次に、図１（Ｂ）に示すように、金属板１の両主面に、それぞれ、レジスト２ａと２ｂとを形成する。レジスト２ａは、金属板１の一方の主面（図中上側）の全面に形成する。レジスト２ｂは、金属板１の他方の主面（図中下側）に、複数の開口部（レジストを形成しない部分）２ｃを設けて部分的に形成する。開口部２ｃの形状、大きさ（タテ、ヨコ）は、製造する金属リッドに形成される凹部の形状、大きさと同一にする。開口部２ｃは、第１レジスト２ｂに、マトリクス状に形成する。   Next, as shown in FIG. 1B, resists 2a and 2b are formed on both main surfaces of the metal plate 1, respectively. The resist 2a is formed on the entire surface of one main surface (upper side in the drawing) of the metal plate 1. The resist 2b is partially formed by providing a plurality of openings (portions where no resist is formed) 2c on the other main surface (lower side in the figure) of the metal plate 1. The shape and size (vertical and horizontal) of the opening 2c are the same as the shape and size of the recess formed in the metal lid to be manufactured. The openings 2c are formed in a matrix in the first resist 2b.

具体的には、たとえば、まず、金属板１の両主面に、ドライフィルムレジストを貼着する。次に、常用されているフォトリソグラフィープロセスにより、ドライフィルムレジストに、露光、現像などを施し、金属板１の一方の主面の全面にレジスト２ａ、他方の主面に複数の開口部２ｃが形成されたレジスト２ｂを得る。なお、金属板１の一方の主面に形成されたレジスト２ａにも、たとえば、格子状の開口部を設け、後で分割する際のダイシング用の溝を、金属板１の表面に形成するようにしても良い。ドライフィルムレジストとしては、広く市販されているものを使用することができる。このドライフィルムレジストは、アルカリ水溶液、たとえばＮａＯＨにより剥離することができる。   Specifically, for example, first, a dry film resist is attached to both main surfaces of the metal plate 1. Next, the dry film resist is exposed and developed by a commonly used photolithography process to form a resist 2a on one entire main surface of the metal plate 1 and a plurality of openings 2c on the other main surface. Obtained resist 2b is obtained. The resist 2a formed on one main surface of the metal plate 1 is also provided with, for example, a lattice-like opening, and a dicing groove for subsequent division is formed on the surface of the metal plate 1. Anyway. As the dry film resist, those commercially available can be used. This dry film resist can be peeled off with an alkaline aqueous solution such as NaOH.

次に、図１（Ｃ）に示すように、たとえば、塩化第二鉄などのエッチング液を用いて、開口部２ｃから露出した金属板１をエッチングして、金属板１の他方の主面に、複数の凹部（製造する金属リッドの凹部）３を形成する。凹部３の深さは、収容する電子部品素子の高さに応じて、適宜、決定することができるが、本実施形態においては１００μｍとした。なお、凹部３は、上記のようにウエットプロセスで形成するのではなく、ドライプロセスで形成するようにしても良い。なお、本発明においては、凹部３がエッチング加工により形成されるため、製造途中において、金属板１の凹部３を形成した側の主面の平坦性が損なわれることがない。   Next, as shown in FIG. 1C, the metal plate 1 exposed from the opening 2c is etched using, for example, an etching solution such as ferric chloride, and the other main surface of the metal plate 1 is etched. A plurality of recesses (recesses of the metal lid to be manufactured) 3 are formed. The depth of the recess 3 can be appropriately determined according to the height of the electronic component element to be accommodated, but in the present embodiment, the depth is set to 100 μm. The recess 3 may be formed by a dry process instead of the wet process as described above. In addition, in this invention, since the recessed part 3 is formed by an etching process, the flatness of the main surface at the side in which the recessed part 3 of the metal plate 1 was formed is not impaired in the middle of manufacture.

次に、図２（Ｄ）に示すように、たとえば、ＮａＯＨなどのアルカリ水溶液を用いて、金属板１の両主面から、レジスト２ａ、２ｂを剥離する。   Next, as shown in FIG. 2D, the resists 2a and 2b are stripped from both main surfaces of the metal plate 1 using, for example, an alkaline aqueous solution such as NaOH.

次に、図２（Ｅ）に示すように、金属板１の一方の主面に、めっきマスクシート５を貼着する。めっきマスクシート５には、広く市販されているものを使用することができる。   Next, as shown in FIG. 2 (E), a plating mask sheet 5 is attached to one main surface of the metal plate 1. As the plating mask sheet 5, those that are widely available on the market can be used.

次に、図２（Ｆ）に示すように、金属板１に、一般的な電解めっき方法により、Ｎｉを主成分とする材料からなる、Ｎｉ層（リッド電極の第１層目）６を形成する。金属板１の一方の主面には、めっきマスクシート５が貼着されているため、Ｎｉ層６は形成されない。金属板１の他方の主面には、凹部３の内壁を含めて、Ｎｉ層６が形成される。なお、Ｎｉ層６の厚さは特に限定されないが、本実施形態においては１〜５μｍとした。   Next, as shown in FIG. 2F, a Ni layer (first layer of the lid electrode) 6 made of a material mainly composed of Ni is formed on the metal plate 1 by a general electrolytic plating method. To do. Since the plating mask sheet 5 is adhered to one main surface of the metal plate 1, the Ni layer 6 is not formed. On the other main surface of the metal plate 1, the Ni layer 6 is formed including the inner wall of the recess 3. The thickness of the Ni layer 6 is not particularly limited, but is set to 1 to 5 μm in the present embodiment.

次に、図３（Ｇ）に示すように、Ｎｉ層（リッド電極の第１層目）６上に、一般的な電解めっき方法により、Ａｕを主成分とする材料からなる、Ａｕ層（リッド電極の第２層目）７を形成する。金属板１の一方の主面には、めっきマスクシート５が貼着されているため、Ａｕ層７は形成されない。金属板１の他方の主面には、凹部３の内壁を含めて、Ａｕ層７が形成される。なお、Ａｕ層７の厚さは特に限定されないが、本実施形態においては０．１〜１．０μｍとした。   Next, as shown in FIG. 3G, an Au layer (lid) made of a material mainly composed of Au is formed on the Ni layer (first layer of the lid electrode) 6 by a general electrolytic plating method. (Second layer of electrode) 7 is formed. Since the plating mask sheet 5 is adhered to one main surface of the metal plate 1, the Au layer 7 is not formed. An Au layer 7 including the inner wall of the recess 3 is formed on the other main surface of the metal plate 1. The thickness of the Au layer 7 is not particularly limited, but is 0.1 to 1.0 μm in the present embodiment.

次に、図３（Ｈ）に示すように、Ａｕ層（リッド電極の第２層目）７上に、一般的な電解めっき方法により、Ｂｉを主成分とする材料からなる、Ｂｉ層（接合材層）８を形成する。金属板１の一方の主面には、めっきマスクシート５が貼着されているため、Ｂｉ層８は形成されない。金属板１の他方の主面には、凹部３の内壁を含めて、Ｂｉ層８が形成される。なお、Ｂｉ層８の厚さは特に限定されないが、本実施形態においては１０μｍとした。   Next, as shown in FIG. 3H, a Bi layer (bonding) made of a material containing Bi as a main component is formed on the Au layer (second layer of the lid electrode) 7 by a general electrolytic plating method. Material layer) 8 is formed. Since the plating mask sheet 5 is adhered to one main surface of the metal plate 1, the Bi layer 8 is not formed. A Bi layer 8 including the inner wall of the recess 3 is formed on the other main surface of the metal plate 1. The thickness of the Bi layer 8 is not particularly limited, but is 10 μm in this embodiment.

なお、本実施形態では、上述のように、Ｎｉ層（リッド電極の第１層目）６、Ａｕ層（リッド電極の第２層目）７、Ｂｉ層（接合材層）８を、いずれも電解めっきで形成しているが、これに代えて、Ｎｉ層６、Ａｕ層７は蒸着やスパッタにより、Ｂｉ層８は蒸着やスパッタや印刷により形成するようにしても良い。また、接合材層であるＢｉ層８に代えて、Ｓｎ‐Ａｇ系はんだや、ＡｕＳｎはんだを、接合材として用いても良い。   In the present embodiment, as described above, the Ni layer (first layer of the lid electrode) 6, the Au layer (second layer of the lid electrode) 7, and the Bi layer (bonding material layer) 8 are all formed. Instead of this, the Ni layer 6 and the Au layer 7 may be formed by vapor deposition or sputtering, and the Bi layer 8 may be formed by vapor deposition, sputtering or printing. Further, Sn—Ag solder or AuSn solder may be used as the bonding material instead of the Bi layer 8 which is the bonding material layer.

次に、図３（Ｉ）に示すように、金属板１の一方の主面から、めっきマスクシート５を剥離する。めっきマスクシート５の剥離は、たとえば、めっきマスクシート５の端部を冶具で把持し、引き剥がすことによりおこなう。   Next, as shown in FIG. 3 (I), the plating mask sheet 5 is peeled from one main surface of the metal plate 1. The plating mask sheet 5 is peeled off, for example, by gripping and peeling the end of the plating mask sheet 5 with a jig.

この結果、複数の金属リッド９がマトリックス状に複数形成された、金属リッド集合体１０が完成する。（図３（I）においては、金属リッド９どうしの境界を鎖線で示す。）各金属リッド９は、他方の主面の中央に凹部９ａ（３）が形成され、凹部９ａの周囲に環状の脚部９ｂが形成されている。そして、各脚部９ｂの端面（底面）には、Ｎｉ層（リッド電極の第１層目）６、Ａｕ層（リッド電極の第２層目）７、Ｂｉ層（接合材層）８が順に形成されている。   As a result, a metal lid assembly 10 in which a plurality of metal lids 9 are formed in a matrix is completed. (In FIG. 3I, the boundary between the metal lids 9 is indicated by a chain line.) Each metal lid 9 has a concave portion 9a (3) formed at the center of the other main surface, and an annular shape around the concave portion 9a. Legs 9b are formed. On the end surface (bottom surface) of each leg 9b, a Ni layer (first layer of the lid electrode) 6, an Au layer (second layer of the lid electrode) 7, and a Bi layer (bonding material layer) 8 are sequentially formed. Is formed.

次に、基板集合体について説明する。   Next, the substrate assembly will be described.

図４（Ｊ）は、複数の基板１１がマトリックス状に複数形成された、基板集合体１２を示す。（図４（Ｊ）においては、基板１１どうしの境界を鎖線で示す。）基板１１（基板集合体１２）は、たとえば、多層セラミック基板からなり、一方の主面に、上述した金属リッド９（金属リッド集合体１０）を接合するための、１層目がＮｉ層１３ａ、２層目がＡｕ層１４ａからなる接合電極と、電子部品素子を実装するための、１層目がＮｉ層１３ｂ、２層目がＡｕ層１４ｂからなるランド電極とが形成されている。なお、接合電極は、金属リッド９の脚部９ｂに対応して、環状に形成されている。そして、接合電極とランド電極はそれぞれ、基板１１内部に形成されたビア導体と層間導体とからなる配線１１ａを経由して、基板１１の他方の主面に形成された端子電極１１ｂに接続されている。配線１１ａ、端子電極１１ｂの材質は特に限定されないが、たとえば、主成分にＣｕ、Ａｇ、Ｎｉなどを用いることができる。なお、完成した電子部品において、接合電極が接続された端子電極１１ｂを接地すれば、接合電極に接合された金属リッド９を接地することができる。   FIG. 4J shows a substrate assembly 12 in which a plurality of substrates 11 are formed in a matrix. (In FIG. 4 (J), the boundary between the substrates 11 is indicated by a chain line.) The substrate 11 (substrate assembly 12) is made of, for example, a multilayer ceramic substrate, and the above-described metal lid 9 ( The first layer for bonding the metal lid assembly 10) is the Ni layer 13a as the first layer, the Au layer 14a as the second layer, and the Ni layer 13b as the first layer for mounting the electronic component element, The second layer is formed with a land electrode made of the Au layer 14b. The joining electrode is formed in an annular shape corresponding to the leg portion 9 b of the metal lid 9. The junction electrode and the land electrode are respectively connected to the terminal electrode 11b formed on the other main surface of the substrate 11 via the wiring 11a formed of the via conductor and the interlayer conductor formed inside the substrate 11. Yes. The material of the wiring 11a and the terminal electrode 11b is not particularly limited. For example, Cu, Ag, Ni, or the like can be used as the main component. In the completed electronic component, if the terminal electrode 11b to which the bonding electrode is connected is grounded, the metal lid 9 bonded to the bonding electrode can be grounded.

基板１１（基板集合体１２）は、たとえば、次の方法で製造することができる。すなわち、まず、複数のセラミックのグリーンシートを用意し、所定のグリーンシートの表面に導電ペーストを塗布し、またビア内に導電ペーストを充填し、それらのグリーンシートを所定の順番に積層し、加圧し、所定のプロファイルで焼成して、配線１１ａ、端子電極１１ｂ、接合電極の第１層目のＮｉ層１３ａ、ランド電極の第１層目のＮｉ層１３ｂの形成された基板１１を得る。続いて、Ｎｉ層１３ａ上に接合電極の第２層目のＡｕ層１４ａを、Ｎｉ層１３ｂ上にランド電極の第２層目のＡｕ層１４ｂを、それぞれ、電解めっきなどの方法で形成することにより、基板１１が完成する。本実施形態では、接合電極の第１層目のＮｉ層１３ａおよびランド電極の１層目のＮｉ層１３ｂは、焼成により得たが、１３ａおよび１３ｂ上にめっきにてＮｉ層を形成し、その上にＡｕ層を形成しても良い。めっきによりＮｉ層を形成することで、不純物の少ないＮｉ層を得ることができる。   The substrate 11 (substrate assembly 12) can be manufactured, for example, by the following method. That is, first, a plurality of ceramic green sheets are prepared, a conductive paste is applied to the surface of a predetermined green sheet, a conductive paste is filled in the vias, the green sheets are laminated in a predetermined order, and added. The substrate 11 on which the wiring 11a, the terminal electrode 11b, the first Ni layer 13a of the bonding electrode, and the first Ni layer 13b of the land electrode are formed is obtained. Subsequently, the second Au layer 14a of the bonding electrode is formed on the Ni layer 13a, and the second Au layer 14b of the land electrode is formed on the Ni layer 13b by a method such as electrolytic plating. Thus, the substrate 11 is completed. In this embodiment, the first Ni layer 13a of the bonding electrode and the first Ni layer 13b of the land electrode were obtained by firing, but a Ni layer was formed on the 13a and 13b by plating. An Au layer may be formed thereon. By forming the Ni layer by plating, a Ni layer with few impurities can be obtained.

次に、図４（Ｋ）に示すように、各基板１１のランド電極（Ｎｉ層１３ｂ、Ａｕ層１４ｂ）に、たとえば、導電性接着剤１５を用いて、電子部品素子１６を実装する。本実施形態においては、電子部品素子１６として圧電素子を用いた。電子部品素子（圧電素子）１６は、水晶などの圧電材料からなり、図示しないが、分極され、表面に複数の電極が形成されており、電極間に所定の電圧を印加すると、所定の周波数で振動し、たとえば発振子として機能する。なお、電子部品素子（圧電素子）１６は、吸湿すると振動周波数が変動するおそれがあるため、パッケージ内に気密封止し、外部環境から保護する必要ものである。   Next, as shown in FIG. 4K, the electronic component element 16 is mounted on the land electrode (Ni layer 13b, Au layer 14b) of each substrate 11 using, for example, a conductive adhesive 15. In the present embodiment, a piezoelectric element is used as the electronic component element 16. The electronic component element (piezoelectric element) 16 is made of a piezoelectric material such as quartz and is not shown, but is polarized and has a plurality of electrodes formed on its surface. When a predetermined voltage is applied between the electrodes, a predetermined frequency is applied. Vibrates and functions as an oscillator, for example. The electronic component element (piezoelectric element) 16 needs to be hermetically sealed in the package and protected from the external environment because the vibration frequency may fluctuate when moisture is absorbed.

次に、図４（Ｌ）に示すように、基板集合体１２上に、金属リッド集合体１０を載置する。このとき、各基板１１上に、それぞれ金属リッド９が配置されるよう、位置合わせをおこなう。   Next, as shown in FIG. 4L, the metal lid assembly 10 is placed on the substrate assembly 12. At this time, alignment is performed so that the metal lids 9 are arranged on the respective substrates 11.

次に、図５（Ｍ）に示すように、基板集合体１２、および基板集合体１２上に載置された金属リッド集合体１０を、上下方向からボンディングツール１７ａ、１７ｂで挟み込み、たとえば、１〜１０分間、５〜２０ＭＰａの圧力で加圧し、２５０〜３５０℃で加熱して、Ｂｉ層（接合材層）８を溶融させ、金属リッド９の脚部９ｂの端面に形成されたＮｉ層（リッド電極の第１層目）６、Ａｕ層（リッド電極の第２層目）７と、基板１１に形成されたＮｉ層１３ａ（接合電極の第１層目）、Ａｕ層１４ａ（接合電極の第２層目）とから、Ｂｉ層（接合材層）８にＡｕとＮｉを拡散させる。この結果、図５（Ｎ）に示すように、Ｂｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金層１８が形成され、金属リッド集合体１０が基板集合体１２に接合され、複数の電子部品１９がマトリックス状に配置された電子部品集合体２０が形成される。   Next, as shown in FIG. 5M, the substrate assembly 12 and the metal lid assembly 10 placed on the substrate assembly 12 are sandwiched by bonding tools 17a and 17b from above and below, for example, 1 Pressurizing at a pressure of 5 to 20 MPa for 10 minutes, heating at 250 to 350 ° C. to melt the Bi layer (bonding material layer) 8, and forming a Ni layer (on the end face of the leg 9 b of the metal lid 9 ( (First layer of lid electrode) 6, Au layer (second layer of lid electrode) 7, Ni layer 13a (first layer of bonding electrode) formed on substrate 11, Au layer 14a (first layer of bonding electrode) From the second layer), Au and Ni are diffused into the Bi layer (bonding material layer) 8. As a result, as shown in FIG. 5N, a Bi—Ni—Au ternary alloy layer 18 is formed, the metal lid assembly 10 is joined to the substrate assembly 12, and a plurality of electronic components 19 are arranged in a matrix. The assembled electronic component assembly 20 is formed.

Ｂｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金層１８は、融点が４００℃以上であるため、本実施形態の製造方法により製造された電子部品を、リフローはんだなどで実装する際に加熱されても、再溶融することがなく、信頼性の高い接合を得ることができる。なお、上述のとおり、接合材層であるＢｉ層８に代えて、Ｓｎ‐Ａｇ系はんだや、ＡｕＳｎはんだを接合材として用いることができるが、この場合も同様の加圧、加熱プロセスで接合することができる。ただし、Ｂｉを接合材に用いた方が、低コストで、より再溶融しにくい接合を得ることができる。   Since the Bi—Ni—Au ternary alloy layer 18 has a melting point of 400 ° C. or higher, the electronic component manufactured by the manufacturing method of the present embodiment is remelted even when it is heated when mounted with reflow solder or the like. And a highly reliable joint can be obtained. As described above, Sn—Ag solder or AuSn solder can be used as the bonding material instead of the Bi layer 8 as the bonding material layer. In this case as well, bonding is performed by the same pressure and heating process. be able to. However, when Bi is used for the bonding material, it is possible to obtain a bond that is less expensive and more difficult to remelt.

最後に、複数の電子部品１９がマトリックス状に配置された電子部品集合体２０を、図５（Ｎ）に鎖線で示す、Ｘ‐Ｘ部分、Ｙ‐Ｙ部分、Ｚ‐Ｚ部分などで、ダイシングなどの工法により分割して、個々の電子部品（圧電振動子）１９を得る。電子部品１９は、Ｂｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金層１８により、金属リッド９が基板１１に堅固に接合されている。なお、Ｂｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金層１８と接続された接続端子１１ｂを接地すれば、金属リッド９により、金属リッド９の凹部９ｂの内部を良好にシールドすることができる。   Finally, the electronic component assembly 20 in which a plurality of electronic components 19 are arranged in a matrix is diced by an XX portion, a YY portion, a ZZ portion, etc., indicated by chain lines in FIG. Each electronic component (piezoelectric vibrator) 19 is obtained by dividing by a method such as the above. In the electronic component 19, the metal lid 9 is firmly bonded to the substrate 11 by the Bi—Ni—Au ternary alloy layer 18. If the connection terminal 11 b connected to the Bi—Ni—Au ternary alloy layer 18 is grounded, the inside of the recess 9 b of the metal lid 9 can be well shielded by the metal lid 9.

なお、完成した電子部品１９は、平面方向に見て、基板１１の形状、大きさと、金属リッド１９の形状、大きさが、同一になっている。したがって、電子部品１９は、金属リッド１９の天面の面積が最大になっており、真空吸着により保持して実装する際に、確実に吸着することができる。   The completed electronic component 19 has the same shape and size of the substrate 11 and the same shape and size of the metal lid 19 when viewed in the plane direction. Therefore, the electronic component 19 has the maximum area of the top surface of the metal lid 19, and can be reliably adsorbed when being held and mounted by vacuum adsorption.

以上、本発明の第１実施形態にかかる、電子部品の製造方法について説明した。しかしながら、本発明が上記の内容に限定されることはなく、発明の主旨に沿って、種々の変更をなすことができる。   The electronic component manufacturing method according to the first embodiment of the present invention has been described above. However, the present invention is not limited to the above contents, and various modifications can be made in accordance with the gist of the invention.

たとえば、本実施形態においては、リッド電極９の脚部９ａの端面に、リッド電極として、Ｎｉ層６、Ａｕ層７、接合材層としてＢｉ層８を形成し、基板１１の一方の主面上に、接合電極としてＮｉ層１３ａ、Ａｕ層１４ａを形成しているが、これらの種類、層数、厚みなどは任意であり、たとえば、他の材料を用いたり、層数を増減させたりすることができる。   For example, in the present embodiment, the Ni layer 6 and the Au layer 7 as the lid electrode and the Bi layer 8 as the bonding material layer are formed on the end surface of the leg portion 9a of the lid electrode 9 on one main surface of the substrate 11. In addition, the Ni layer 13a and the Au layer 14a are formed as the bonding electrodes. However, the type, the number of layers, the thickness, etc. are arbitrary. For example, other materials may be used or the number of layers may be increased or decreased. Can do.

また、本実施形態においては、電子部品として圧電振動子を製造したが、製造される電子部品は圧電振動子には限られず、他の電子部品、たとえば、ジャイロや、弾性表面波装置などであっても良い。   In this embodiment, a piezoelectric vibrator is manufactured as an electronic component. However, the manufactured electronic component is not limited to a piezoelectric vibrator, and may be another electronic component such as a gyroscope or a surface acoustic wave device. May be.

［第２実施形態］
図６（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第２実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される、各工程を示す工程図である。[Second Embodiment]
6A to 6C are process diagrams showing each process applied in the method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment of the present invention.

第２実施形態にかかる電子部品の製造方法は、図１（Ａ）〜図５（Ｏ）に示した、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法の工程の一部を変更したものである。   The electronic component manufacturing method according to the second embodiment is obtained by changing a part of the steps of the electronic component manufacturing method according to the first embodiment shown in FIGS. 1 (A) to 5 (O). .

すなわち、第２実施形態にかかる電子部品の製造方法は、図１（Ｃ）に示した、金属板１の他方の主面に、たとえば、エッチングにより複数の凹部３を形成するところまでは、第１実施形態と同じ工程を用いる。   That is, the electronic component manufacturing method according to the second embodiment is the same as that shown in FIG. 1C until the plurality of recesses 3 are formed on the other main surface of the metal plate 1 by etching, for example. The same process as in one embodiment is used.

第２実施形態では、次に、図６（Ａ）に示すように、金属板１から、他方の主面（図中下側）に形成されたレジスト２ｂのみを剥離する。すなわち、金属基板１の一方の主面（図中上側）に形成されたレジスト２ａは剥離しない。この工程は、たとえば、金属基板１の他方の主面のみをアルカリ水溶液に浸漬する、あるいは、金属基板１の一方の主面に形成されたレジスト２ａをマスクしたうえで、金属基板１をアルカリ水溶液に浸漬するなどの方法によりおこなうことができる。   In the second embodiment, next, as shown in FIG. 6A, only the resist 2b formed on the other main surface (lower side in the figure) is peeled from the metal plate 1. That is, the resist 2a formed on one main surface (upper side in the drawing) of the metal substrate 1 does not peel off. In this step, for example, only the other main surface of the metal substrate 1 is immersed in an alkaline aqueous solution, or the resist 2a formed on one main surface of the metal substrate 1 is masked, and then the metal substrate 1 is alkali aqueous solution. It can be performed by a method such as immersion in

次に、図６（Ｂ）に示すように、金属板１の他方の主面に、Ｎｉ層（リッド電極の第１層目）６、Ａｕ層（リッド電極の第２層目）７、Ｂｉ層（接合材層）８を、順に、電解めっきで形成する。金属板１の一方の主面には、レジスト２ａが形成されているため、Ｎｉ層６、Ａｕ層７、Ｂｉ層８は形成されない。   Next, as shown in FIG. 6B, on the other main surface of the metal plate 1, an Ni layer (first layer of the lid electrode) 6, an Au layer (second layer of the lid electrode) 7, Bi The layer (bonding material layer) 8 is formed in order by electrolytic plating. Since the resist 2a is formed on one main surface of the metal plate 1, the Ni layer 6, the Au layer 7, and the Bi layer 8 are not formed.

次に、図６（Ｃ）に示すように、金属板１の一方の主面からアルカリ水溶液を用いてレジスト２ａを剥離することにより、中央に凹部９ａ（３）が形成され、凹部９ａの周囲に環状の脚部９ｂが形成され金属リッド９が、マトリックス状に複数形成された金属リッド集合体１０が完成する。   Next, as shown in FIG. 6C, by removing the resist 2a from one main surface of the metal plate 1 using an alkaline aqueous solution, a recess 9a (3) is formed in the center, and the periphery of the recess 9a. An annular leg portion 9b is formed, and a metal lid assembly 10 in which a plurality of metal lids 9 are formed in a matrix is completed.

この後、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、図４（Ｊ）以降の工程を施す。   Thereafter, also in the second embodiment, the steps after FIG. 4J are performed as in the first embodiment.

以上のように、第２実施形態においては、金属板１の他方の主面に、Ｎｉ層６、Ａｕ層７、Ｂｉ層８を形成する際に、金属板１の一方の主面をレジスト２ａで覆い、これらが形成されないようにした。したがって、本実施形態においては、第１実施形態において使用した、めっきマスクシート５の使用を省略することができる。   As described above, in the second embodiment, when the Ni layer 6, the Au layer 7, and the Bi layer 8 are formed on the other main surface of the metal plate 1, the one main surface of the metal plate 1 is resist 2a. So that they are not formed. Therefore, in this embodiment, use of the plating mask sheet 5 used in the first embodiment can be omitted.

［第３実施形態］
図７（Ａ）〜図８（Ｅ）は、本発明の第３実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される、各工程を示す工程図である。[Third Embodiment]
FIGS. 7A to 8E are process diagrams showing each process applied in the method for manufacturing an electronic component according to the third embodiment of the present invention.

第３実施形態にかかる電子部品の製造方法は、図１（Ａ）〜図５（Ｏ）に示した、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法の工程の一部を変更したものである。   The electronic component manufacturing method according to the third embodiment is obtained by changing a part of the steps of the electronic component manufacturing method according to the first embodiment shown in FIGS. 1 (A) to 5 (O). .

すなわち、第３実施形態にかかる電子部品の製造方法は、図１（Ｃ）に示した、金属板１の他方の主面に、たとえば、エッチングにより複数の凹部３を形成するところまでは、第１実施形態と同じ工程を用いる。   That is, the electronic component manufacturing method according to the third embodiment is the same as that shown in FIG. 1C until the plurality of recesses 3 are formed on the other main surface of the metal plate 1 by etching, for example. The same process as in one embodiment is used.

第３実施形態においては、次に、図７（Ａ）に示すように、凹部３の内壁に、第２のレジスト２２を形成する。本実施形態においては、第２のレジスト２２を電着レジストにより形成する。   In the third embodiment, next, a second resist 22 is formed on the inner wall of the recess 3 as shown in FIG. In the present embodiment, the second resist 22 is formed of an electrodeposition resist.

具体的には、まず、金属板１全体を、酸系表面処理液に浸漬し、凹部３の内壁の脱脂、洗浄をおこなう。次に、金属板１全体を、液温４０℃の、株式会社シミズ製、商品名「エレコートＥＵ−ＸＣ」に浸漬し、金属板１を陰極として、ＳＵＳ板を陽極として、ＤＣ１００Ｖの電流を３０秒間通電し、凹部３の内壁に、厚さ１０μｍ程度の電着レジスト膜を形成する。次に、乾燥、露光、現像をして、凹部３の内壁に、第２のレジスト２２を得る。第２のレジスト２２は、酸水溶液により剥離するが、アルカリ水溶液では剥離しない。   Specifically, first, the entire metal plate 1 is immersed in an acid-based surface treatment solution, and the inner wall of the recess 3 is degreased and cleaned. Next, the entire metal plate 1 is immersed in a trade name “Elecoat EU-XC” manufactured by Shimizu Corporation at a liquid temperature of 40 ° C., and a current of DC 100 V is set to 30 with the metal plate 1 as a cathode and the SUS plate as an anode. A current is applied for 2 seconds, and an electrodeposition resist film having a thickness of about 10 μm is formed on the inner wall of the recess 3. Next, drying, exposure, and development are performed to obtain a second resist 22 on the inner wall of the recess 3. The second resist 22 is peeled off with an acid aqueous solution, but is not peeled off with an alkaline aqueous solution.

次に、図７（Ｂ）に示すように、たとえば、ＮａＯＨなどのアルカリ水溶液を用いて、金属基板１の両主面から、レジスト２ａ、２ｂを剥離する。このとき、第２のレジスト２２は、上述のとおり、アルカリ水溶液では剥離しないので、残存する。   Next, as shown in FIG. 7B, the resists 2a and 2b are stripped from both main surfaces of the metal substrate 1 using, for example, an alkaline aqueous solution such as NaOH. At this time, as described above, the second resist 22 does not peel off with the alkaline aqueous solution and remains.

次に、図７（Ｃ）に示すように、金属板１の一方の主面に、めっきマスクシート５を貼着する。めっきマスクシート５には、広く市販されているものを使用することができる。   Next, as shown in FIG. 7C, a plating mask sheet 5 is attached to one main surface of the metal plate 1. As the plating mask sheet 5, those that are widely available on the market can be used.

次に、図８（Ｄ）に示すように、金属板１に、Ｎｉ層（リッド電極の第１層目）２６、Ａｕ層（リッド電極の第２層目）２７、Ｂｉ層（接合材層）２８を、順に、電解めっきで形成する。金属板１の一方の主面には、めっきマスクシート５が形成されているため、Ｎｉ層２６、Ａｕ層２７、Ｂｉ層２８は形成されない。また、金属板１の他方の主面に形成された凹部３の内壁にも、第２のレジスト２２が形成されているため、Ｎｉ層２６、Ａｕ層２７、Ｂｉ層２８は形成されない。   Next, as shown in FIG. 8 (D), the Ni layer (first layer of the lid electrode) 26, the Au layer (second layer of the lid electrode) 27, the Bi layer (bonding material layer) are formed on the metal plate 1. ) 28 are sequentially formed by electrolytic plating. Since the plating mask sheet 5 is formed on one main surface of the metal plate 1, the Ni layer 26, the Au layer 27, and the Bi layer 28 are not formed. Further, since the second resist 22 is also formed on the inner wall of the recess 3 formed on the other main surface of the metal plate 1, the Ni layer 26, the Au layer 27, and the Bi layer 28 are not formed.

次に、図８（Ｅ）に示すように、金属板１の一方の主面からめっきマスクシート５を剥離するとともに、凹部３の内壁から第２のレジスト２２を剥離する。めっきマスクシート５の剥離と、第２のレジスト４の剥離とは、どちらを先におこなっても良い。めっきマスクシート５の剥離は、たとえば、めっきマスクシート５の端部を冶具で把持し、引き剥がすことによりおこなう。第２のレジスト２２の剥離は、酸水溶液、たとえば、シミズ製「ＤＬＰ‐４２」を用いておこなう。なお、第２のレジスト２２の剥離は必須ではなく、凹部３内に残存させておいても良い。この結果、中央に凹部９ａ（３）が形成され、凹部９ａの周囲に環状の脚部９ｂが形成され金属リッド９が、マトリックス状に複数形成された金属リッド集合体１０が完成する。   Next, as shown in FIG. 8E, the plating mask sheet 5 is peeled from one main surface of the metal plate 1, and the second resist 22 is peeled from the inner wall of the recess 3. Either the peeling of the plating mask sheet 5 or the peeling of the second resist 4 may be performed first. The plating mask sheet 5 is peeled off, for example, by gripping and peeling the end of the plating mask sheet 5 with a jig. The second resist 22 is removed using an acid aqueous solution, for example, “DLP-42” manufactured by Shimizu. The second resist 22 is not necessarily peeled off and may remain in the recess 3. As a result, a concave portion 9a (3) is formed at the center, an annular leg portion 9b is formed around the concave portion 9a, and a metal lid assembly 10 in which a plurality of metal lids 9 are formed in a matrix is completed.

この後、第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、図４（Ｊ）以降の工程を施す。   Thereafter, also in the third embodiment, the steps after FIG. 4J are performed as in the first embodiment.

以上のように、第３実施形態においては、金属リッド９の脚部９ｂの端面のみに、Ｎｉ層２６、Ａｕ層２７、Ｂｉ層２８を形成し、金属リッド９の凹部９（３）の内壁には、これらを形成しないようにした。このような構造にした場合には、基板１１と金属リッド９とを接合する際に、接合材であるＢｉ層２８のＢｉが余剰となることがなく、余剰となった接合材が電子部品素子１６に付着するなどして電子部品の特性が劣化することがない。   As described above, in the third embodiment, the Ni layer 26, the Au layer 27, and the Bi layer 28 are formed only on the end surface of the leg 9b of the metal lid 9, and the inner wall of the recess 9 (3) of the metal lid 9 is formed. In order not to form these. In such a structure, when the substrate 11 and the metal lid 9 are bonded, the Bi of the Bi layer 28 that is a bonding material is not excessive, and the excessive bonding material is an electronic component element. The characteristic of the electronic component is not deteriorated due to adhesion to 16 or the like.

［第４実施形態］
図９（Ａ）は、本発明の第４実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される工程を示す工程図である。[Fourth Embodiment]
FIG. 9A is a process diagram showing processes applied in the method for manufacturing an electronic component according to the fourth embodiment of the present invention.

第４実施形態にかかる電子部品の製造方法は、図７（Ａ）〜図８（Ｅ）に示した、第３実施形態にかかる電子部品の製造方法の工程の一部を変更したものである。   The electronic component manufacturing method according to the fourth embodiment is obtained by changing a part of the steps of the electronic component manufacturing method according to the third embodiment shown in FIGS. 7 (A) to 8 (E). .

すなわち、第４実施形態にかかる電子部品の製造方法は、図８（Ｅ）に示した、金属板１の一方の主面からめっきマスクシート５を、凹部９ａ（３）の内壁から第２のレジスト２２を剥離するところまでは、第３実施形態と同じ工程を用いる。   That is, in the method for manufacturing an electronic component according to the fourth embodiment, the plating mask sheet 5 is shown from one main surface of the metal plate 1 and the second wall is shown from the inner wall of the recess 9a (3) as shown in FIG. Up to the point where the resist 22 is peeled off, the same process as in the third embodiment is used.

第４の実施形態においては、次に、図９（Ａ）に示すように、第２のレジスト２２を剥離した凹部９ａ（３）の内壁に、改めて、不濡れ層２３を形成する。不濡れ層２３は、たとえば、酸素プラズマによるドライプロセスにより、金属板１の凹部９ａ（３）の内壁に露出した部分を酸化させることにより形成する。あるいは、濡れ性の悪い無機膜や有機膜を、別途、形成しても良い。あるいは、第３実施形態で、金属板１の凹部９ａ（３）の内壁に形成した第２のレジスト２２を、剥離せず、残存させて、不濡れ層２３としても良い。   In the fourth embodiment, next, as shown in FIG. 9A, the non-wetting layer 23 is formed again on the inner wall of the recess 9a (3) from which the second resist 22 has been removed. The non-wetting layer 23 is formed, for example, by oxidizing the portion exposed on the inner wall of the recess 9a (3) of the metal plate 1 by a dry process using oxygen plasma. Alternatively, an inorganic film or an organic film having poor wettability may be formed separately. Alternatively, in the third embodiment, the second resist 22 formed on the inner wall of the recess 9 a (3) of the metal plate 1 may be left without being peeled to form the non-wetting layer 23.

第４実施形態においても、この後、第３実施形態と同様の工程を施す。   Also in the fourth embodiment, thereafter, the same processes as those in the third embodiment are performed.

以上のように、第４実施形態においては、金属リッド９の凹部９ａ（３）の内壁に不濡れ層２３が形成される。このような構造にした場合には、基板１１と金属リッド９とを接合する際に、接合材であるＢｉ層２８のＢｉが余剰となったとしても、金属リッド９の凹部９ａ（３）の内壁に濡れ拡がることがなく、そこから滴下して、電子部品素子１６に付着するなどして電子部品の特性が劣化することがない。   As described above, in the fourth embodiment, the non-wetting layer 23 is formed on the inner wall of the recess 9 a (3) of the metal lid 9. In the case of such a structure, even when the Bi of the Bi layer 28 that is a bonding material becomes excessive when the substrate 11 and the metal lid 9 are bonded, the recesses 9a (3) of the metal lid 9 are formed. The inner wall does not spread out and drops from there and adheres to the electronic component element 16 so that the characteristics of the electronic component do not deteriorate.

［第５実施形態］
図１０（Ａ）〜図１５（Ｍ）は、本発明の第５実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される、各工程を示す断面図である。[Fifth Embodiment]
FIG. 10A to FIG. 15M are cross-sectional views showing respective steps applied in the method for manufacturing an electronic component according to the fifth embodiment of the present invention.

まず、図１０（Ａ）に示すように、金属リッド集合体を製造するのに用いる金属板３１を準備する。   First, as shown in FIG. 10A, a metal plate 31 used for manufacturing a metal lid assembly is prepared.

次に、図１０（Ｂ）に示すように、金属板３１の両主面に、それぞれ、レジスト３２ａと３２ｂとを形成する。レジスト３２ａは、金属板３１の一方の主面（図中上側）の全面に形成する。レジスト３２ｂは、金属板３１の他方の主面（図中下側）に、複数の開口部３２ｃを設けて部分的に形成する。   Next, as shown in FIG. 10B, resists 32a and 32b are formed on both main surfaces of the metal plate 31, respectively. The resist 32 a is formed on the entire surface of one main surface (upper side in the drawing) of the metal plate 31. The resist 32 b is partially formed by providing a plurality of openings 32 c on the other main surface (lower side in the figure) of the metal plate 31.

次に、図１０（Ｃ）に示すように、エッチング液を用いて、開口部３２ｃから露出した金属板３１をエッチングして、金属板３１の他方の主面に、複数の、余剰となった接合材を収容するための収容部３３を形成する。   Next, as shown in FIG. 10C, the metal plate 31 exposed from the opening 32c was etched using an etching solution, and a plurality of surpluses were formed on the other main surface of the metal plate 31. A housing portion 33 for housing the bonding material is formed.

次に、図１１（Ｄ）に示すように、アルカリ水溶液を用いて、金属板３１の両主面から、レジスト３２ａ、３２ｂを剥離する。   Next, as shown in FIG. 11D, the resists 32 a and 32 b are peeled off from both main surfaces of the metal plate 31 using an alkaline aqueous solution.

次に、図１１（Ｅ）に示すように、金属板３１の両主面に、それぞれ、改めて、レジスト４２ａと４２ｂとを形成する。レジスト４２ａは、金属板３１の一方の主面（図中上側）の全面に形成する。レジスト４２ｂは、金属板３１の他方の主面（図中下側）に、複数の開口部４２ｃを設けて部分的に形成する。なお、レジスト４２ｂは、先に金属板３１に形成した、収容部３３を塞ぐように形成する。   Next, as shown in FIG. 11E, resists 42a and 42b are formed again on both main surfaces of the metal plate 31, respectively. The resist 42 a is formed on the entire surface of one main surface (upper side in the drawing) of the metal plate 31. The resist 42b is partially formed by providing a plurality of openings 42c on the other main surface (lower side in the figure) of the metal plate 31. The resist 42b is formed so as to close the housing portion 33 formed on the metal plate 31 previously.

次に、図１１（Ｆ）に示すように、エッチング液を用いて、開口部４２ｃから露出した金属板３１をエッチングして、金属板３１の他方の主面に、電子部品素子を収容するための凹部４３を形成する。   Next, as shown in FIG. 11F, the metal plate 31 exposed from the opening 42c is etched using an etchant so that the electronic component element is accommodated on the other main surface of the metal plate 31. The recess 43 is formed.

次に、図１２（Ｇ）に示すように、凹部４３の内壁に、電着レジストにより、第２のレジスト５２を形成する。   Next, as shown in FIG. 12G, a second resist 52 is formed on the inner wall of the recess 43 by an electrodeposition resist.

次に、図１２（Ｈ）に示すように、アルカリ水溶液を用いて、金属板３１の両主面から、レジスト４２ａ、４２ｂを剥離する。   Next, as shown in FIG. 12H, the resists 42a and 42b are peeled off from both main surfaces of the metal plate 31 using an alkaline aqueous solution.

次に、図１２（Ｉ）に示すように、金属板３１の一方の主面に、めっきマスクシート３５を貼着する。   Next, as shown in FIG. 12 (I), a plating mask sheet 35 is attached to one main surface of the metal plate 31.

次に、図１３（Ｊ）に示すように、金属板３１に、Ｎｉ層（リッド電極の第１層目）３６、Ａｕ層（リッド電極の第２層目）３７、Ｂｉ層（接合材層）３８を、順に、電解めっきで形成する。Ｎｉ層３６、Ａｕ層３７、Ｂｉ層３８は、第２のレジスト５２が形成されているため凹部４３の内壁には形成されないが、収容部４３の内壁には形成される。   Next, as shown in FIG. 13J, a Ni layer (first layer of the lid electrode) 36, an Au layer (second layer of the lid electrode) 37, a Bi layer (bonding material layer) are formed on the metal plate 31. 38) are formed in this order by electrolytic plating. The Ni layer 36, the Au layer 37, and the Bi layer 38 are not formed on the inner wall of the recess 43 because the second resist 52 is formed, but are formed on the inner wall of the housing portion 43.

次に、図１３（Ｋ）に示すように、金属板３１の一方の主面から、めっきマスクシート３５を剥離するとともに、凹部４３の内壁から第２のレジスト５２を剥離し、複数の金属リッド３９がマトリックス状に形成された金属リッド集合体４０を完成させて、これを、複数の基板１１がマトリックス状に形成された基板集合体１２上に載置する。   Next, as shown in FIG. 13 (K), the plating mask sheet 35 is peeled off from one main surface of the metal plate 31 and the second resist 52 is peeled off from the inner wall of the recess 43 to form a plurality of metal lids. A metal lid assembly 40 having a matrix 39 formed in a matrix is completed, and this is placed on the substrate assembly 12 in which a plurality of substrates 11 are formed in a matrix.

次に、図１４（Ｌ）に示すように、基板集合体１２、および基板集合体１２上に載置された金属リッド集合体４０を、上下方向からボンディングツール１７ａ、１７ｂで挟み込み、加圧し、加熱して、Ｂｉ層３８を溶融させ、金属リッド３９の脚部３９ｂの端面に形成されたＮｉ層３６、Ａｕ層３７と、基板１１に形成されたＮｉ層１３ａ、Ａｕ層１４ａとから、Ｂｉ層３８にＡｕとＮｉを拡散させる。   Next, as shown in FIG. 14L, the substrate assembly 12 and the metal lid assembly 40 placed on the substrate assembly 12 are sandwiched by the bonding tools 17a and 17b from above and below, and pressed. By heating, the Bi layer 38 is melted, and the Ni layer 36 and Au layer 37 formed on the end surface of the leg portion 39b of the metal lid 39 and the Ni layer 13a and Au layer 14a formed on the substrate 11 are Au and Ni are diffused into the layer 38.

この結果、図１４（Ｍ）に示すように、Ｂｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金層４８が形成され、金属リッド集合体１０が基板集合体１２に接合され、複数の電子部品４９がマトリックス状に配置された電子部品集合体５０が形成される。   As a result, as shown in FIG. 14M, a Bi—Ni—Au ternary alloy layer 48 is formed, the metal lid assembly 10 is bonded to the substrate assembly 12, and a plurality of electronic components 49 are arranged in a matrix. The assembled electronic component assembly 50 is formed.

このとき、余剰となったＢｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金層４８は、金属リッド３９に形成した収容部３３に収容されるため、金属リッド３９の凹部３９ａ（４３）側に流れてゆくことがなく、電子部品素子１６に付着することがない。   At this time, the surplus Bi—Ni—Au ternary alloy layer 48 is accommodated in the accommodating portion 33 formed in the metal lid 39, so that it does not flow to the concave portion 39 a (43) side of the metal lid 39. The electronic component element 16 does not adhere.

最後に、複数の電子部品４９がマトリックス状に配置された電子部品集合体５０を、図１４（Ｍ）に鎖線で示す、Ｓ‐Ｓ部分、Ｔ‐Ｔ部分などで分割して、図１５（Ｎ）に示すように、個々の電子部品４９を得る。   Finally, an electronic component assembly 50 in which a plurality of electronic components 49 are arranged in a matrix is divided into SS portions, TT portions, etc., indicated by chain lines in FIG. As shown in N), individual electronic components 49 are obtained.

第５実施形態においては、金属リッド３９の脚部３９ｂに収容部３３を形成し、基板１１と金属リッド３９を接合する際に、余剰となった接合材であるＢｉ層３８のＢｉを、収容部３３に収容するようにしているため、Ｂｉが電子部品素子１６に付着するなどして電子部品の特性が劣化することがない。   In the fifth embodiment, the accommodating portion 33 is formed on the leg portion 39b of the metal lid 39, and Bi of the Bi layer 38, which is a surplus bonding material, is accommodated when the substrate 11 and the metal lid 39 are joined. Since it is accommodated in the part 33, Bi does not adhere to the electronic component element 16, and the characteristics of the electronic component do not deteriorate.

［第６実施形態］
図１６（Ａ）〜図１７（Ｄ）は、本発明の第６実施形態にかかる電子部品の製造方法において適用される、各工程を示す工程図である。[Sixth Embodiment]
FIG. 16A to FIG. 17D are process diagrams showing each process applied in the electronic component manufacturing method according to the sixth embodiment of the present invention.

第６実施形態にかかる電子部品の製造方法は、図１（Ａ）〜図５（Ｏ）に示した、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法の工程の一部を変更したものである。   The electronic component manufacturing method according to the sixth embodiment is obtained by changing a part of the steps of the electronic component manufacturing method according to the first embodiment shown in FIGS. 1 (A) to 5 (O). .

すなわち、第６実施形態にかかる電子部品の製造方法は、図３（Ｉ）に示した、複数の金属リッド９がマトリック状に形成された金属リッド集合体１０を製造するところまで、また、図４（Ｋ）に示した、複数の基板１１がマトリック状に形成された基板集合体１２を製造し、各基板１１に電子部品素子１６を実装するところまでは、第１実施形態と同じ工程を用いる。   That is, the manufacturing method of the electronic component according to the sixth embodiment includes the steps up to manufacturing the metal lid assembly 10 in which a plurality of metal lids 9 are formed in a matrix shape as shown in FIG. 4 (K), the same process as that of the first embodiment is performed until the substrate assembly 12 in which the plurality of substrates 11 are formed in a matrix shape and the electronic component element 16 is mounted on each substrate 11. Use.

第６実施形態においては、次に、図１６（Ａ）に示すように、金属リッド集合体１０を個々の金属リッド９に分割し、金属製の冶具５１ａに貼着する。貼着は、図示しないが、たとえば、金属製の冶具５１ａ表面に設置された、タック性を有するゴムシートを介しておこなう。   In the sixth embodiment, next, as shown in FIG. 16A, the metal lid assembly 10 is divided into individual metal lids 9 and adhered to a metal jig 51a. Although not shown, for example, the sticking is performed via a rubber sheet having tackiness that is installed on the surface of a metal jig 51a.

次に、図１６（Ｂ）に示すように、電子部品素子１６を実装した基板集合体１２を個々の基板１１に分割し、同様に、金属製の冶具５１ｂに貼着する。   Next, as shown in FIG. 16B, the board assembly 12 on which the electronic component element 16 is mounted is divided into individual boards 11 and similarly attached to a metal jig 51b.

次に、図１６（Ｃ）に示すように、冶具５１ｂに貼着された基板１１上に、冶具５１ａに貼着された金属リッド９を載置する。冶具５１ｂには複数の基板１１が貼着され、冶具５１ａには複数の金属リッド９が貼着されており、この工程は多数個を一括しておこなう。   Next, as shown in FIG. 16C, the metal lid 9 attached to the jig 51a is placed on the substrate 11 attached to the jig 51b. A plurality of substrates 11 are adhered to the jig 51b, and a plurality of metal lids 9 are adhered to the jig 51a, and this step is performed in a lump.

最後に、図１７（Ｄ）に示すように、冶具５１ａ、５１ｂを、上下方向からボンディングツール１７ａ、１７ｂで挟み込み、加圧し、加熱して、基板１１に金属リッド９を接合して、電子部品１９を完成させる。   Finally, as shown in FIG. 17D, the jigs 51a and 51b are sandwiched by the bonding tools 17a and 17b from above and below, pressed and heated, and the metal lid 9 is joined to the substrate 11 to form an electronic component. Complete 19

このように、本発明の電子部品の製造方法は、金属リッド集合体１０と基板集合体１２とを接合した後に、個々の電子部品１９に分割するのではなく、金属リッド集合体１０を個々の金属リッド９に分割し、基板集合体１２を個々の基板１１に分割し、それらの金属リッド９と基板１１を接合するという形態においても実施することができる。これにより、分割工程時の負荷による電子部品素子１６の破壊を防ぐことができる。あるいは、寸法精度の悪い集合基板に対して、本工法を適用することが可能になる。   As described above, in the method of manufacturing the electronic component according to the present invention, the metal lid assembly 10 is not divided into the individual electronic components 19 after the metal lid assembly 10 and the substrate assembly 12 are joined. The present invention can also be implemented in the form of dividing the metal lid 9, dividing the substrate assembly 12 into individual substrates 11, and bonding the metal lid 9 and the substrate 11. Thereby, destruction of the electronic component element 16 by the load at the time of a division | segmentation process can be prevented. Alternatively, the present construction method can be applied to an aggregate substrate with poor dimensional accuracy.

１、３１：金属板
２ａ、２ｂ、３２ａ、３２ｂ、４２ａ、４２ｂ：レジスト
２ｃ、３２ｃ、４２ｃ：開口部（レジストを形成しない部分）
３、４３：凹部
５、３５：めっきマスクシート
６、２６、３６：Ｎｉ層（リッド電極の第１層目）
７、２７、３７：Ａｕ層（リッド電極の第２層目）
８、２８、３８：Ｂｉ層（接合材層）
９、３９：金属リッド
１０、４０：金属リッド集合体
１１：基板
１１ａ：配線
１１ｂ：端子電極
１２：基板集合体
１３ａ：Ｎｉ層（接合電極の第１層目）
１３ｂ：Ｎｉ層（ランド電極の第１層目）
１４ａ：Ａｕ層（接合電極の第２層目）
１４ｂ：Ａｕ層（ランド電極の第２層目）
１５：導電性接着剤
１６：圧電素子（電子部品素子）
１７ａ、１７ｂ：ボンディングツール
１８：Ｂｉ‐Ｎｉ‐Ａｕ３元合金層
１９、４９：圧電振動子（電子部品）
２０、５０：電子部品集合体
２２：第２のレジスト
２３：不濡れ層
３３：収容部
５１ａ、５１ｂ：冶具1, 31: Metal plates 2a, 2b, 32a, 32b, 42a, 42b: Resist 2c, 32c, 42c: Opening (part where resist is not formed)
3, 43: Recess 5, 35: Plating mask sheet 6, 26, 36: Ni layer (first layer of the lid electrode)
7, 27, 37: Au layer (second layer of the lid electrode)
8, 28, 38: Bi layer (bonding material layer)
9, 39: Metal lid 10, 40: Metal lid assembly 11: Substrate 11a: Wiring 11b: Terminal electrode 12: Substrate assembly 13a: Ni layer (first layer of bonding electrode)
13b: Ni layer (first layer of land electrode)
14a: Au layer (second layer of bonding electrode)
14b: Au layer (second layer of land electrode)
15: Conductive adhesive 16: Piezoelectric element (electronic component element)
17a, 17b: Bonding tool 18: Bi-Ni-Au ternary alloy layer 19, 49: Piezoelectric vibrator (electronic component)
20, 50: electronic component assembly 22: second resist 23: non-wetting layer 33: accommodating portion 51a, 51b: jig

Claims (8)

基板を準備する工程と、
前記基板に電子部品素子を実装する工程と、
一方の主面に、周囲に環状の脚部を残して凹部が形成され、前記脚部の先端に接合材が供給された金属リッドを準備する工程と、
前記金属リッドの凹部に前記電子部品素子を収容して、前記金属リッドを前記基板上に載置する工程と、
熱エネルギーの印加により、前記接合材を用いて、前記金属リッドを前記基板に接合する工程とを備えた電子部品の製造方法であって、
前記金属リッドの凹部は、平坦な金属板をエッチング加工することにより形成される電子部品の製造方法。Preparing a substrate;
Mounting an electronic component element on the substrate;
On one main surface, a step of preparing a metal lid in which a recess is formed leaving an annular leg around the periphery, and a bonding material is supplied to the tip of the leg,
Receiving the electronic component element in the recess of the metal lid, and placing the metal lid on the substrate;
A step of bonding the metal lid to the substrate using the bonding material by application of thermal energy,
The recessed part of the said metal lid is a manufacturing method of the electronic component formed by etching a flat metal plate. 複数の基板がマトリックス状に形成された基板集合体を準備する工程と、
前記複数の基板のそれぞれに、電子部品素子を実装する工程と、
一方の主面に、周囲に環状の脚部を残して凹部が形成され、前記脚部の先端に接合材が供給された金属リッドが、複数、マトリックス状に形成された金属リッド集合体を準備する工程と、
前記金属リッドの凹部のそれぞれに前記電子部品素子を収容して、前記金属リッド集合体を前記基板集合体上に載置する工程と、
熱エネルギーの印加により、前記接合材を用いて、前記金属リッド集合体を前記基板集合体に接合し、電子部品集合体を形成する工程と、
前記電子部品集合体を、個々の電子部品に分割する工程とを備えた電子部品の製造方法であって、
前記複数の金属リッドの凹部は、平坦な金属板をエッチング加工することにより形成される電子部品の製造方法。Preparing a substrate aggregate in which a plurality of substrates are formed in a matrix;
Mounting an electronic component element on each of the plurality of substrates;
On one main surface, a concave portion is formed leaving an annular leg portion around it, and a metal lid assembly is prepared in which a plurality of metal lids having a bonding material supplied to the tip of the leg portion are formed in a matrix shape And a process of
Receiving the electronic component element in each of the recesses of the metal lid, and placing the metal lid assembly on the substrate assembly;
A step of bonding the metal lid assembly to the substrate assembly using the bonding material by application of thermal energy to form an electronic component assembly;
A method of manufacturing an electronic component comprising a step of dividing the electronic component assembly into individual electronic components,
The concave portions of the plurality of metal lids are electronic component manufacturing methods formed by etching a flat metal plate. 前記金属リッドの前記脚部の端面のみに、前記接合材が供給された、請求項１または２に記載された電子部品の製造方法。   The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the bonding material is supplied only to an end surface of the leg portion of the metal lid. 前記金属リッドの前記脚部の端面に、余剰となった前記接合材を収容するための収容部が形成された、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。   4. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein an accommodating portion for accommodating the excess bonding material is formed on an end surface of the leg portion of the metal lid. 5. 前記金属リッドの前記凹部の内壁に、不濡れ層が形成された、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。   5. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein an unwetting layer is formed on an inner wall of the concave portion of the metal lid. 前記金属リッドの前記脚部の端面にリッド電極が形成され、当該リッド電極上に前記接合材が供給され、
前記基板の、前記金属リッドと当接する部分に接合電極が形成され、
前記リッド電極および前記接合電極はいずれも、Ｎｉを主成分とする第１の層と、Ａｕを主成分とする第２の層とからなり、
前記接合材がＢｉを主成分とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。A lid electrode is formed on an end face of the leg portion of the metal lid, and the bonding material is supplied onto the lid electrode,
A bonding electrode is formed on a portion of the substrate that contacts the metal lid,
Each of the lid electrode and the bonding electrode includes a first layer mainly composed of Ni and a second layer mainly composed of Au.
The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the bonding material contains Bi as a main component. 基板と、
前記基板に実装された電子部品素子と、
一方の主面に、周囲に環状の脚部を残して凹部が形成され、当該凹部に前記電子部品素子を収容して、前記基板に接合された金属リッドとを備えた電子部品であって、
前記金属リッドの前記凹部の内壁に、不濡れ層が形成されている電子部品。A substrate,
An electronic component element mounted on the substrate;
On one main surface, a recess is formed leaving an annular leg portion around, and the electronic component element is accommodated in the recess and is provided with a metal lid bonded to the substrate,
The electronic component in which the non-wetting layer is formed in the inner wall of the said recessed part of the said metal lid. 基板と、
前記基板に実装された電子部品素子と、
一方の主面に、周囲に環状の脚部を残して凹部が形成され、当該凹部に前記電子部品素子を収容して、前記基板に接合された金属リッドとを備えた電子部品であって、
平面方向に見て、前記基板の形状、大きさと、前記金属リッドの形状、大きさが同一である電子部品。A substrate,
An electronic component element mounted on the substrate;
On one main surface, a recess is formed leaving an annular leg portion around, and the electronic component element is accommodated in the recess and is provided with a metal lid bonded to the substrate,
An electronic component in which the shape and size of the substrate and the shape and size of the metal lid are the same when viewed in a planar direction.
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