JPWO2011033937A1 - 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

熱や光等に対する安定性、広い温度範囲でのネマチック相、小さな粘度、大きな光学異方性、適切な弾性定数Ｋ３３、大きな負の誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物の提供。該化合物を含有する液晶組成物、該組成物を含有する液晶表示素子の提供。式（１−１）で表される液晶性化合物。Ｒ１およびＲ２は独立して、例えば炭素数２〜１０のアルケニルであり；環Ａ１は、例えばトランス−１，４−シクロヘキシレンであり；Ｌ１およびＬ２は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は独立して、例えば単結合である。

Description

本発明は液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは液晶性化合物であるラテラル位にフッ素を有するフルオロベンゼン誘導体、この化合物を含有したネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。

液晶表示パネル、液晶表示モジュール等に代表される液晶表示素子は、液晶性化合物（本発明では、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称を意味する。）が有する光学異方性、誘電率異方性などを利用したものであるが、この液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ）モード、ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（ｓｕｐｅｒ ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＢＴＮ（ｂｉｓｔａｂｌｅ ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＯＣＢ（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ｂｅｎｄ）モード、ＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ ｓｕｓｔａｉｎｅｄ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）などの様々なモードが知られている。

これら動作モードの中でもＥＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモードなどは、液晶分子の垂直配向性を利用した動作モードであり、特にＩＰＳモードおよびＶＡモードは、ＴＮモード、ＳＴＮモード等の従来の表示モードの欠点である視野角の狭さを改善可能であることが知られている。

そして、従来からこれら動作モードの液晶表示素子に使用可能な、負の誘電率異方性を有する液晶組成物の成分として、ベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた液晶性化合物が数多く検討されてきている。

例えばベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた化合物（Ａ）および（Ｂ）が検討されている（特許文献１および２参照）。しかし、このような化合物は、市場要求を満たすほどの高い負の誘電率異方性を有しない。

また、フッ素で置換されたベンゼンを有する化合物（Ｃ）が検討されている（特許文献３参照）。しかし、この化合物は、市場要求を満たすほどの高い負の誘電率異方性を有しない。

また、フッ素で置換されたベンゼンを２つ有する、クオターフェニル化合物（Ｄ）が検討されている（特許文献４参照）。しかし、この化合物は融点が非常に高く、相溶性に乏しい。また、市場要求を満たすほどの高い負の誘電率異方性を有しない。

また、エチレン結合基と、フッ素で置換されたベンゼンを３つ有する化合物（Ｅ）が検討されている（特許文献５参照）。しかし、化合物（Ｅ）は融点が高く、相溶性に乏しい。また、市場要求を満たすほどの高い負の誘電率異方性を有しない。

特表平０２−５０３４４１号公報 国際公開第８９／０２４２５号パンフレット 特表２００２−１９３８５３号公報 欧州特許第１３４６９９５号明細書 国際公開第９８／２３５６４号パンフレット

したがって、ＩＰＳモードおよびＶＡモード等の動作モードの液晶表示素子であっても、ＣＲＴと比較すれば表示素子としてはいまだ問題があり、例えば、応答速度の向上、コントラストの向上、駆動電圧の低下が望まれている。

上述したＩＰＳモード、あるいはＶＡモードで動作する表示素子は、主として、負の誘電率異方性を有する液晶組成物から構成されているが、これらの特性をさらに向上させるためには、この液晶組成物に含まれる液晶性化合物が、以下（１）〜（８）で示す特性を有することが必要である。すなわち、
（１）化学的に安定であること、および物理的に安定であること
（２）高い透明点（液晶相−等方相の転移温度）を有すること
（３）液晶相（ネマチック相、スメクチック相等）の下限温度、特にネマチック相の下限温度が低いこと
（４）粘度が小さいこと
（５）適切な光学異方性を有すること
（６）高い負の誘電率異方性を有すること
（７）適切な弾性定数Ｋ_３３（Ｋ_３３：ベンド弾性定数）を有すること
（８）他の液晶性化合物との相溶性に優れること
である。

（１）のように化学的、物理的に安定な液晶性化合物を含む組成物を表示素子に用いると、電圧保持率を大きくすることができる。
また、（２）および（３）のように、高い透明点、あるいは液晶相の低い下限温度を有する液晶性化合物を含む組成物では、ネマチック相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度領域で表示素子として使用することが可能となる。

さらに、（４）のように粘度の小さい化合物、および（７）のように大きな弾性定数Ｋ_３３を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いると応答速度を向上することができ、（５）のように適切な光学異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合は、表示素子のコントラストの向上を図ることができる。素子の設計次第では、光学異方性は小さいものから大きなものまで必要である。最近ではセル厚を薄くすることにより応答速度を改善する手法が検討されており、それに伴い、大きな光学異方性を有する液晶組成物も必要となっている。

加えて、液晶性化合物が負に高い誘電率異方性を有する場合には、この化合物を含む液晶組成物のしきい値電圧を低くすることができるので、（６）のように高い負の誘電率異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合には、表示素子の駆動電圧を低くし、消費電力も小さくすることができる。さらに（７）のように小さな弾性定数Ｋ_３３を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いることで表示素子の駆動電圧を小さくすることができ、消費電力も小さくすることができる。

液晶性化合物は、単一の化合物では発揮することが困難な特性を発現させるために、他の多くの液晶性化合物と混合して調製した組成物として用いることが一般的である。したがって、表示素子に用いる液晶性化合物は、（８）のように、他の液晶性化合物等との相溶性が良好であることが好ましい。また、表示素子は、氷点下を含め幅広い温度領域で使用することもあるので、低い温度領域から良好な相溶性を有す化合物であることが好ましい場合もある。

本発明の第一の目的は、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、さらに、高い負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供することである。

本発明の第二の目的は、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が低く、大きな光学異方性、および高い負の誘電率異方性を有し、適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、しきい値電圧が低く、さらに、この化合物を含有して、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低い液晶組成物を提供することである。

本発明の第三の目的は、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である、上記組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。

本発明者らはこれらの課題に鑑み鋭意研究を行った結果、ベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられたフェニレンを有する特定構造の中において、フッ素で置換されたベンゼンを３つ有する４環液晶性化合物が、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、さらに、高い負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有していること、また、この化合物を含有する液晶組成物が、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が小さく、大きな光学異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３、および適切な高い誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低いこと、さらに、この組成物を含有する液晶表示素子が、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であることを見いだし、本発明を完成するに到った。

すなわち、本発明は、以下〔１〕〜〔２０〕に記載された事項を有している。

〔１〕 式（１−１）で表される化合物。

式（１−１）において、Ｒ¹およびＲ²は独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^１は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔２〕 式（１−２）で表される項〔１〕に記載の化合物。

式（１−２）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^２は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
Ｌ^３およびＬ^４は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔３〕 式（１−３）で表される項〔１〕に記載の化合物。

式（１−３）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^３は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
Ｌ^５およびＬ^６は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔４〕 式（１−４）で表される項〔１〕に記載の化合物。

式（１−４）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
Ｌ^７およびＬ^８は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔５〕 式（１−５）および（１−６）のいずれか１つで表される項〔２〕に記載の化合物。

式（１−５）および（１−６）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔６〕 式（１−７）で表される項〔３〕に記載の化合物。

式（１−７）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔７〕 式（１−８）および（１−９）のいずれか１つで表される項〔４〕に記載の化合物。

式（１−８）および（１−９）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔８〕 式（１−１０）で表される項〔２〕に記載の化合物。

式（１−１０）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔９〕 式（１−１１）で表される項〔３〕に記載の化合物。

式（１−１１）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔１０〕 式（１−１２）で表される項〔４〕に記載の化合物。

式（１−１２）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔１１〕 項〔１〕〜〔１０〕のいずれか１項に記載の化合物を含有する、液晶組成物。

〔１２〕 式（２）、（３）、および（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔１１〕に記載の液晶組成物。

式（２）〜（４）において、Ｒ^９は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１−ピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または３、５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ^７およびＺ^８は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ^９およびＬ^１０は独立して、水素またはフッ素である。

〔１３〕 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔１１〕に記載の液晶組成物。

式（５）において、Ｒ^１０は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１、環Ｃ^２、および環Ｃ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１−ピラン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^９は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素であり；
ｏは、０、１または２であり、ｐは０または１であり、ｏ＋ｐは０、１、２または３である。

〔１４〕 式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）および（１１）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔１１〕に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１１）において、Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、６−ピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり；
Ｚ^１０、Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ₂）₂−、または単結合であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、フッ素または塩素であり；
ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、およびｖは独立して、０または１であり、ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕは１または２である。

〔１５〕 式（１２）、（１３）および（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔１１〕に記載の液晶組成物。

式（１２）〜（１４）において、Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、および環Ｅ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ１，４−フェニレンであり；
Ｚ^１４およびＺ^１５は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。

〔１６〕 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔１２〕に記載の液晶組成物。

〔１７〕 式（１２）、（１３）および（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔１４〕に記載の液晶組成物。

〔１８〕 少なくとも１つの光学活性化合物および／または重合可能な化合物をさらに含有する、項〔１１〕〜〔１７〕のいずれか１項に記載の液晶組成物。

〔１９〕 少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤をさらに含有する項〔１１〕〜〔１８〕のいずれか１項に記載の液晶組成物。

〔２０〕 項〔１１〕〜〔１９〕のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相−等方相の相転移温度であり、そして単に透明点または上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（１）で表わされる化合物を化合物（１）と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）から式（１３）において、六角形で囲んだＢ^１、Ｄ^１、Ｅ^１などの記号はそれぞれ環Ｂ^１、環Ｄ^１、環Ｅ^１などに対応する。百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。環Ｂ^１、Ｘ^１、環Ｃ^２など複数の同じ記号を同一の式または異なった式に記載したが、これらはそれぞれが同一であってもよいし、または異なってもよい。

「任意の」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示すが、個数が０である場合を含まない。任意のＡがＢ、ＣまたはＤで置き換えられてもよいという表現は、任意のＡがＢで置き換えられる場合、任意のＡがＣで置き換えられる場合および任意のＡがＤで置き換えられる場合に加えて、複数のＡがＢ〜Ｄの少なくとも２つで置き換えられる場合をも含むことを意味する。例えば、任意の−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキルには、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルなどが含まれる。なお、本発明においては、連続する２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−のようになることは好ましくない。そして、アルキルにおける末端の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられることも好ましくない。以下に本発明をさらに説明する。

本発明の液晶性化合物は、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ_３３（Ｋ_３３：ベンド弾性定数）を有し、さらに、高い負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有している。また、本発明の液晶性化合物は、ネマチック相の上限温度が低下せず、しかも、粘度が大きくなることなく、光学異方性が大きくなる傾向にある点で特に優れている。

また、本発明の液晶組成物は、粘度が小さく、大きな光学異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３、および高い負の誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。特に、本発明の液晶組成物は大きな光学異方性を有するため、大きな光学異方性が必要な素子に有効である。

さらに、本発明の液晶表示素子は、この液晶組成物を含有することを特徴とし、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であり、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＥＣＢモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードなどの表示モードの液晶表示素子に好適に使用することができ、特に、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードの液晶表示素子に好適に使用することができる。

以下、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、以下説明中では、特に断りのない限り、百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
〔化合物（１−１）〕
本発明の液晶性化合物は、式（１−１）で示される構造を有する（以下、これら化合物を「化合物（１−１）」ともいう。）。

式（１−１）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシである。

環Ａ^１は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルである。

なお、本明細書において１，４−シクロヘキセニレンは環中の二重結合の位置によって化合物構造を区別することが難しい。よって、１，４−シクロヘキセニレンという表記においては、下記２つの化合物構造が許可されるものとする。

また、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル等についても、同様である。

Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

化合物（１−１）は、２位または３位の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンを３つ有する。このような構造を有することで、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３、高い負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有す。特に、ネマチック相の上限温度が低下せず、しかも、粘度が大きくなることなく、負の誘電率異方性が高い点で特に優れている。

式中、Ｒ^１およびＲ^２は、水素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり、例えば、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ_２−、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２Ｏ−、ＣＨ_３−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、Ｈ_２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−またはＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−である。

しかし、化合物の安定性を考慮すると、ＣＨ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＨ_２−のような酸素と酸素とが隣接した基や、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−などの二重結合部位が隣接した基は好ましくない。

これら基中の炭素−炭素結合の鎖は、直鎖であることが好ましい。炭素−炭素結合の鎖が直鎖であると、液晶相の温度範囲を広くすることができ、粘度を小さくすることができる。また、Ｒ^１およびＲ^２のいずれかが光学活性基である場合には、キラルドーパントとして有用であり、該化合物を液晶組成物に添加することにより、液晶表示素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Ｒｅｖｅｒｓｅ ｔｗｉｓｔｅｄ ｄｏｍａｉｎ）を防止することができる。

これらＲ^１およびＲ^２としては、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキルおよびアルケニルが好ましく、アルキル、アルコキシ、またはアルケニルがさらに好ましい。

Ｒ^１およびＲ^２がアルキル、アルコキシ、またはアルケニルである場合には、液晶性化合物の液晶相の温度範囲を広げることができる。
アルケニルには、アルケニル中の二重結合の位置に依存して、−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置がある。

−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５などのように奇数位に二重結合を有するアルケニルでは、立体配置はトランス配置が好ましい。

一方、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７などのように偶数位に二重結合を有するアルケニルでは、立体配置はシス配置が好ましい。上述のような好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、液晶相の温度範囲が広く、大きな弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）を有し、化合物の粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができる。

アルキルの具体例としては、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−Ｃ_８Ｈ_１７、−Ｃ_９Ｈ_１９、またはＣ_１０Ｈ_２１を挙げることができ；
アルコキシの具体例としては、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣ_６Ｈ_１３、−ＯＣ_７Ｈ_１５、−ＯＣ_８Ｈ_１７、またはＯＣ_９Ｈ_１９を挙げることができ；
アルコキシアルキルの具体例としては、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＯＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_３ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_４ＯＣＨ_３、または（ＣＨ_２）_５ＯＣＨ_３を挙げることができ；
アルケニルの具体例としては、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２を挙げることができ；
アルケニルオキシの具体例としては、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、またはＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５を挙げることができる。

Ｒ^１およびＲ^２の具体例の中でも、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５が好ましく、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７がより好ましい。

環Ａ^１は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルである。

これら環の中でも、１，４−シクロヘキセニレン、およびトランス−１，４−シクロへキシレンがより好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレンが最も好ましい。

中でも、これら環のうち少なくとも一つの環が、トランス−１，４−シクロヘキシレンであるときには、粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができる。

Ｌ^１およびＬ^２はそれぞれ独立して水素またはフッ素であるが、これらのうち少なくとも１つはフッ素である。

Ｌ^１およびＬ^２のうち、１つがフッ素であると、化合物の融点を下げることができるため好ましい。

Ｌ^１およびＬ^２のうち、すべてがフッ素であると、化合物の誘電率異方性を負に大きくすることができるため最も好ましい。

Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３が、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である場合は、化合物の粘度を小さくすることができるため好ましい。Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３が、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である場合は、化合物のネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができるためより好ましい。さらに、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−である場合は、化合物の誘電率異方性を負に高くすることができるためさらに好ましい。

化合物の安定性を考慮すると単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ_２Ｏ−またはＯＣＨ_２−が好ましく、単結合および−（ＣＨ₂）₂−がさらに好ましい。また、化合物のネマチック相の上限温度を高くすることを考慮すると、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３のうち１つが−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−であるときは、残りは単結合であることが好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３すべてが単結合であることがさらに好ましい。

Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３が−ＣＨ＝ＣＨ−の場合には、二重結合に対する他の基の立体配置は、トランス配置が好ましい。このような立体配置であることにより、この液晶性化合物の液晶相の温度範囲を広げることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができる。

また、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３中に−ＣＨ＝ＣＨ−が含まれている場合には、液晶相の温度範囲を広げること、弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）を大きくすること、および化合物の粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加したときにはネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができる。

なお、化合物の物性に大きな差異がないので、化合物（１−１）は^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。
これら化合物（１−１）では、Ｒ^１、Ｒ^２、環Ａ^１、Ｚ^１、Ｚ^２および、Ｚ^３、Ｌ^１およびＬ^２を適宜選択することにより、誘電率異方性などの物性を所望の物性に調整することが可能である。

化合物（１−１）で表される化合物の中で好ましい化合物として、化合物（１−２）〜（１−１２）が挙げられる。

式（１−２）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^２は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
Ｌ^３およびＬ^４は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

式（１−３）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^３は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
Ｌ^５およびＬ^６は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

式（１−４）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
Ｌ^７およびＬ^８は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

化合物（１−２）〜（１−４）はフッ素置換ベンゼン３つに加えて、トランス−１，４−シクロへキシレン基または１，４−シクロヘキセニレン基を持ち、化合物全体に対して構造が非対称に結合基を持つため、熱や光に対する安定性を有し、液晶相の下限温度をより低く、ネマチック相の上限温度をより高く、大きな光学異方性および適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、粘度を小さくできるという観点でより好ましい。

式（１−５）および（１−６）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

式（１−７）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

式（１−８）および（１−９）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

化合物（１−８）および（１−９）はフッ素置換ベンゼン３つに加えて、１，４−シクロヘキセニレン基を持ち、化合物全体に対して構造が非対称に結合基を持つため、熱や光に対する安定性を有し、液晶相の下限温度をより低く、ネマチック相の上限温度をより高く、大きな光学異方性および適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、粘度を小さくできるという観点でより好ましい。

式（１−１０）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

式（１−１１）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

式（１−１２）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

化合物（１−１１）および（１−１２）はフッ素置換ベンゼン３つに加えて、トランス−１，４−シクロへキシレン基を持ち、化合物全体に対して構造が非対称に結合基を持つため、熱や光に対する安定性を有し、液晶相の下限温度をより低く、ネマチック相の上限温度をより高く、大きな光学異方性および適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、粘度を小さくできるという観点でより好ましい。

化合物（１−２）〜（１−１２）は、高い負の誘電率異方性を有し、熱や光に対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、適切な光学異方性および適切な弾性定数Ｋ_３３を有する。このうち、Ｚ^４、Ｚ^５およびＺ^６が−ＣＨ＝ＣＨ−である化合物は、液晶相の下限温度をより低く、ネマチック相の上限温度をほとんど下げることなく、粘度をより小さくできるという観点で好ましい。また、Ｚ^４、Ｚ^５およびＺ^６が−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である化合物は化合物のネマチック相の上限温度を高くすることができるためより好ましい。また、Ｚ^４、Ｚ^５およびＺ^６が−（ＣＨ_２）_２−である化合物は、液晶相の下限温度をより低く、相溶性をより高く、粘度をより小さくできるという観点でさらに好ましい。さらに、Ｚ^４、Ｚ^５およびＺ^６が−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−である化合物は負の誘電率異方性をより高く、粘度をより小さくできるという観点で最も好ましい。

液晶性化合物がこれら化合物（１−２）〜（１−１２）で示される構造を有する場合には、高い負の誘電率異方性を有し、他の液晶性化合物との相溶性が極めてよい。さらに、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ_３３を有している。また、この化合物（１−１）を含有する液晶組成物は、液晶表示素子が通常使用される条件下で安定であり、低い温度で保管してもこの化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。

したがって、化合物（１−１）は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡ、ＰＳＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に好適に適用することができ、ＩＰＳ、ＶＡ、またはＰＳＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に、特に好適に適用することができる。

〔化合物（１−１）の合成〕
化合物（１−１）は、有機合成化学の合成手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環、および結合基を導入する方法は、例えば、オーガニックシンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， Ｉｎｃ）、オーガニック・リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， Ｉｎｃ）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載されている。

＜結合基Ｚ^１、Ｚ^２またはＺ^３の形成＞
結合基Ｚ^１、Ｚ^２またはＺ^３を形成する方法の一例を示す。結合基を形成するスキームを以下示す。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１またはＭＳＧ^２は１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）から（１Ｅ）は化合物（１−１）に相当する。

＜２重結合の生成＞
一価の有機基ＭＳＧ^２を有する有機ハロゲン化合物（ａ１）とマグネシウムとを反応させ、グリニャール試薬を調製する。これら調製したグリニャール試薬あるいはリチウム塩と、アルデヒド誘導体（ａ２）とを反応させることにより、対応するアルコール誘導体を合成する。ついで、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用いて、得られたアルコール誘導体の脱水反応を行うことにより、対応する化合物（１Ａ）を合成することができる。

有機ハロゲン化合物（ａ１）を、ブチルリチウム、もしくはマグネシウムで処理して得られた化合物を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させて、アルデヒド誘導体（ａ３）を得る。ついで、得られたアルデヒド（ａ３）と、ホスホニウム塩（ａ４）をカリウムｔ−ブトキシド等の塩基で処理して得られるリンイリドとを反応させ、対応する２重結合を有する化合物（１Ａ）を合成することができる。なお、この反応では、反応条件によってシス体が生成する場合もあるので、トランス体を得る必要がある場合には、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

＜−（ＣＨ₂）₂−の生成＞
化合物（１Ａ）を炭素担持パラジウム（Ｐｄ／Ｃ）のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｂ）を合成することができる。

＜単結合の生成＞
有機ハロゲン化合物（ａ１）とマグネシウム、またはブチルリチウムとを反応させ、グリニャール試薬、またはリチウム塩を調製する。この調製したグリニャール試薬、またはリチウム塩とホウ酸トリメチルなどのホウ酸エステルを反応させ、塩酸などの酸で加水分解することによりジヒドロキシボラン誘導体（ａ５）を合成する。そのジヒドロキシボラン誘導体（ａ５）と有機ハロゲン化合物（ａ６）とを、例えば、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）とからなる触媒の存在下で反応させることにより、化合物（１Ｃ）を合成することができる。

また、一価の有機基ＭＳＧ^１を有する有機ハロゲン化合物（ａ６）にブチルリチウムを反応させ、さらに塩化亜鉛を反応させた後、得られた化合物を、例えば、ビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２）触媒の存在下で化合物（ａ１）と反応させることにより、化合物（１Ｃ）を合成することもできる。

＜−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−の生成＞
ジヒドロキシボラン誘導体（ａ５）を過酸化水素等の酸化剤により酸化し、アルコール誘導体（ａ７）を得る。別途、アルデヒド誘導体（ａ３）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元してアルコール誘導体（ａ８）を得る。得られたアルコール誘導体（ａ８）を臭化水素酸等でハロゲン化して有機ハロゲン化合物（ａ９）を得る。このようにして得られたアルコール誘導体（ａ８）と有機ハロゲン化合物（ａ９）とを炭酸カリウムなどの存在下反応させることにより化合物（１Ｄ）を合成することができる。

＜−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成＞
化合物（ａ６）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸誘導体（ａ１０）を得る。カルボン酸誘導体（ａ１０）と、フェノール誘導体（ａ１１）とをＤＤＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｅ）を合成することができる。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成することができる。

＜−Ｃ≡Ｃ−の生成＞
ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下で、化合物（ａ６）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（ａ１２）を得る。ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（ａ１２）を化合物（ａ１）と反応させて、化合物（１Ｆ）を合成する。

＜環Ａ^１の形成＞
トランス−１，４−シクロへキシレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、およびピリジン−２，５−ジイルなどの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。

〔化合物（１−１）の製造方法〕
以下、化合物（１−１）の製造例を示す。

まず、ジフルオロベンゼン誘導体（ｂ１）とｓｅｃ−ＢｕＬｉとを反応させリチウム塩を調製する。このリチウム塩とカルボニル誘導体（ｂ２）とを反応させて、さらに、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体の脱水反応を行い、Ｐｄ／Ｃ等の触媒存在下、水素添加反応を行うことにより、化合物（ｂ３）を得る。得られた化合物（ｂ３）をギ酸等で反応させて、カルボニル誘導体（ｂ４）を得る。別途、ジフルオロフェニルボロン酸（ｂ５）とブロモジフルオロベンゼン誘導体（ｂ６）とを炭酸カリウム、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２等の触媒の存在下、反応させることにより化合物（ｂ７）を得る。
上述の操作で得られた化合物（ｂ７）とｓｅｃ−ＢｕＬｉとを反応させリチウム塩を調製する。このリチウム塩とカルボニル誘導体（ｂ４）とを反応させて、さらに、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体の脱水反応を行い、本発明の化合物（１−１）の一例である（ｂ８）を製造することができる。さらに、Ｐｄ／Ｃ等の触媒存在下、水素添加反応を行うことにより、本発明の化合物（１−１）の一例である（ｂ９）を製造することができる。

〔液晶組成物〕
以下、本発明の液晶組成物について説明をする。この液晶組成物の成分は、少なくとも一種の化合物（１−１）を含むことを特徴とするが、化合物（１−１）を２種以上含んでいてもよく、化合物（１−１）のみから構成されていてもよい。また本発明の液晶組成物を調製するときには、例えば、化合物（１−１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。成分を選択した液晶組成物は、粘度が低く、高い負の誘電率異方性を有し、適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低い。

〔液晶組成物（１）〕
本発明の液晶組成物は、本発明の式（１）で示される化合物を成分Ａとして含む必要がある。この成分Ａのみの組成物、または成分Ａと本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分との組成物でもよいが、この成分Ａに以下に示す成分Ｂ、Ｃ、Ｄ、およびＥから選ばれた成分を加えることにより種々の特性を有する本発明の液晶組成物が提供できる。

成分Ａに加える成分として、式（２）、（３）および（４）からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物からなる成分Ｂ、および／または前記式（５）からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物からなる成分Ｃ、および／または式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）、および（１１）からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物からなる成分Ｄを混合したものが好ましい。さらに式（１２）、（１３）および（１４）からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物からなる成分Ｅを混合することによりしきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性値、誘電率異方性値および粘度等を調整することができる。

また、本発明に使用される液晶組成物の各成分は、各元素の同位体元素からなる類縁体でもその物理特性に大きな差異がない。
上記成分Ｂのうち、式（２）で示される化合物の好適例として式（２−１）〜（２−１６）を挙げることができ、式（３）で示される化合物の好適例として式（３−１）〜（３−１１２）を挙げることができ、式（４）で示される化合物の好適例として式（４−１）〜（４−５４）を挙げることができる。

（式中、Ｒ^９、Ｘ¹は前記と同じ意味を表す）
これらの式（２）〜（４）で示される化合物すなわち成分Ｂは、誘電率異方性値が正であり、熱安定性や化学的安定性が非常に優れているので、ＴＦＴ用およびＰＳＡ用の液晶組成物を調製する場合に用いられる。本発明の液晶組成物における成分Ｂの含有量は、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また式（１２）〜（１４）で表される化合物(成分Ｅ)をさらに含有させることにより粘度調整をすることができる。
式（５）で示される化合物すなわち成分Ｃのうちの好適例として、式（５−１）〜（５−６４）を挙げることができる。

（式中、Ｒ^１０およびＸ²は前記と同じ意味を表す）
式（５）において、ｏが２のとき、２つの環Ｃ^２は、同じであっても、異なっていてもよい。
これらの式（５）で示される化合物すなわち成分Ｃは、誘電率異方性値が正でその値が非常に大きいのでＳＴＮ用、ＴＮ用またはＰＳＡ用の液晶組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Ｃを含有させることにより、組成物のしきい値電圧を小さくすることができる。また、粘度の調整、屈折率異方性値の調整および液晶相温度範囲を広げることができる。さらに急峻性の改良にも利用できる。

ＳＴＮまたはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、成分Ｃの含有量は０．１〜９９．９重量％の範囲が適用できるが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、後述の成分を混合することによりしきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性値、誘電率異方性値及び粘度などを調整できる。

式（６）〜（１１）からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物からなる成分Ｄは、垂直配向モ−ド（ＶＡモ−ド）、高分子支持配向モード（ＰＳＡモ−ド）などに用いられる誘電率異方性が負の本発明の液晶組成物を調製する場合に、好ましい成分である。
この式（６）〜（１１）で示される化合物（成分Ｄ）の好適例として、それぞれ式（６−１）〜（６−６）、（７−１）〜（７−１５）、（８−１）、（９−１）〜（９−３）、（１０−１）〜（１０−１１）、および（１１−１）〜（１１−１０）を挙げることができる。

（式中、Ｒ^１１，Ｒ^１２は前記と同じ意味を表す）
これら成分Ｄの化合物は主として誘電率異方性の値が負であるＶＡモ−ド、ＰＳＡモード用の液晶組成物に用いられる。その含有量を増加させると組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、しきい値電圧の要求値を満足している限り含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、誘電率異方性値の絶対値が５程度であるので、含有量が４０重量％より少なくなると電圧駆動ができなくなる場合がある。

成分Ｄのうち式（６）で表される化合物は２環化合物であるので、主としてしきい値電圧の調整、粘度調整または屈折率異方性値の調整の効果がある。また、式（７）および式（８）で表される化合物は３環化合物であるので透明点を高くする、ネマチックレンジを広くする、しきい値電圧を低くする、屈折率異方性値を大きくするなどの効果が得られる。また、式（９）、（１０）および（１１）はしきい値電圧を低くするなどの効果が得られる。

成分Ｄの含有量は、ＶＡモ−ド、ＰＳＡモード用の組成物を調製する場合には、組成物全量に対して好ましくは４０重量％以上、より好ましくは５０〜９５重量％である。また、成分Ｄを混合することにより、弾性定数をコントロ−ルし、組成物の電圧透過率曲線を制御することが可能となる。成分Ｄを誘電率異方性値が正である組成物に混合する場合はその含有量が組成物全量に対して３０重量％以下が好ましい。

式（１２）、（１３）および（１４）で表わされる化合物（成分Ｅ）の好適例として、それぞれ式（１２−１）〜（１２−１１）、（１３−１）〜（１３−１９）、および（１４−１）〜（１４−６）を挙げることができる。

（式中、Ｒ^１３およびＲ^１４は前記と同じ意味を表す）
式（１２）〜（１４）で表される化合物（成分Ｅ）は、誘電率異方性値の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。式（１２）で表される化合物は主として粘度調整または屈折率異方性値の調整の効果があり、また式（１３）および（１４）で表される化合物は透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる効果、または屈折率異方性値の調整の効果がある。

成分Ｅで表される化合物の含有量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が低くなるので、液晶組成物のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが望ましい。ＴＦＴ用、ＰＳＡ用の液晶組成物を調製する場合に、成分Ｅの含有量は、組成物全量に対して好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。また、ＴＮ用、ＳＴＮ用またはＰＳＡ用の液晶組成物を調製する場合には、成分Ｅの含有量は、組成物全量に対して好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。

本発明の液晶組成物は、本発明の式（１）で示される化合物の少なくとも１種類を０．１〜９９重量％の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。

本発明の液晶組成物の調製は、公知の方法、例えば必要な成分を高温度下で溶解させる方法などにより一般に調製される。また、用途に応じて当業者によく知られている添加物を添加して、例えばつぎに述べるような光学活性化合物、または重合可能な化合物、重合開始剤を含む本発明の液晶組成物、染料を添加したＧＨ型用の液晶組成物を調製することができる。通常、添加物は当該業者によく知られており、文献などに詳細に記載されている。

本発明の液晶組成物は、前述の本発明の液晶組成物にさらに１つ以上の光学活性化合物を含有してもよい。
光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤を添加する。このキラルド−プ剤は液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐといった効果を有する。キラルド−プ剤の例として以下の光学活性化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）を挙げることができる。

本発明の液晶組成物は、これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整することができる。ねじれのピッチはＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮ用の液晶組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定ＴＮ（Ｂｉｓｔａｂｌｅ ＴＮ）モ−ド用の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。

本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、ＧＨ型用の液晶組成物として使用することもできる。

本発明の液晶組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマ−分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）例えばポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）用をはじめ、複屈折制御（ＥＣＢ）型やＤＳ型用の液晶組成物としても使用できる。

また、本発明の液晶組成物は重合可能な化合物を添加してＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ ｓｕｓｔａｉｎｅｄ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型用の液晶組成物として使用することもできる。重合可能な化合物の例はアクリレート、メタクリレート、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテル、エポキシ、ビニルケトン、およびオキセタンなどの重合可能な基を有する化合物である。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤などの適切な開始剤存在下でＵＶ照射などにより重合する。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光重合開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ６５１（登録商標）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）、またはＤａｒｏｃｕｒｅ１１７３（登録商標）（Ｃｉｂａ Ｊａｐａｎ Ｋ．Ｋ．）がラジカル重合に対して適切である。

〔液晶組成物の製造方法〕
本発明に係る液晶組成物は、例えば、各成分を構成する化合物が液体の場合には、それぞれの化合物を混合し振とうさせることにより、また固体を含む場合には、それぞれの化合物を混合し、加熱溶解によってお互い液体にしてから振とうさせることにより調製することができる。また、本発明に係る液晶組成物はその他の公知の方法により調製することも可能である。

〔液晶組成物の特性〕
本発明に係る液晶組成物では、ネマチック相の上限温度を７０℃以上とすること、ネマチック相の下限温度は−２０℃以下とすることができ、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、この液晶組成物を含む液晶表示素子は広い温度領域で使用することが可能である。

本発明に係る液晶組成物では、組成等を適宜調整することで、例えば光学異方性を０．１０〜０．１３の範囲に調整する、或いは０．０５〜０．１８の範囲に調整するなど、任意の範囲に調整することができる。
また、本発明に係る液晶組成物では、通常、−５．０〜−２．０の範囲の誘電率異方性、好ましくは、−４．５〜−２．５の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物を得ることができる。−４．５〜−２．５の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物は、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードで動作する液晶表示素子として好適に使用することができる。

〔液晶表示素子〕
本発明に係る液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＰＳＡモード等の動作モードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子だけでなく、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード等の動作モードを有しパッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。

これらＡＭ方式、およびＰＭ方式の液晶表示素子は、反射型、透過型、半透過型、いずれの液晶ディスプレイ等にも適用ができる。
また、本発明に係る液晶組成物は、導電剤を添加させた液晶組成物を用いたＤＳ（ｄｙｎａｍｉｃ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）モード素子や、液晶組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（ｎｅｍａｔｉｃ ｃｕｒｖｉｌｉｎｅａｒ ａｌｉｇｎｅｄ ｐｈａｓｅ）素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（ｐｏｌｙｍｅｒ ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ）素子、例えばＰＮ（ｐｏｌｙｍｅｒ ｎｅｔｗｏｒｋ）素子にも使用できる。

中でも本発明に係る液晶組成物では、上述のような特性を有するので、ＶＡモード、ＩＰＳモード、またはＰＳＡモードなどの負の誘電率異方性を有する液晶組成物を利用した動作モードで駆動するＡＭ方式の液晶表示素子に好適に用いることができ、特に、ＶＡモードで駆動するＡＭ方式の液晶表示素子に好適に用いることができる。

なお、ＴＮモード、ＶＡモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＩＰＳモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。なお、ＶＡモードで駆動する液晶表示素子の構造は、Ｋ． Ｏｈｍｕｒｏ， Ｓ． Ｋａｔａｏｋａ， Ｔ． Ｓａｓａｋｉ ａｎｄ Ｙ． Ｋｏｉｋｅ， ＳＩＤ ’９７ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ， ２８， ８４５ （１９９７）に報告されており、ＩＰＳモードで駆動する液晶表示素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号パンフレット（ファミリー：ＵＳ５５７６８６７）に報告されている。

〔化合物（１−１）の実施例〕
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に断りのない限り、「％」は「重量％」を意味する。

得られた化合物は、^１Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムなどにより同定したので、まず分析方法について説明をする。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析
測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ_３等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数３２回の条件で行った。なお、得られた核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。また、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。

ＧＣ分析
測定装置は、島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ２５−０２５（長さ２５ｍ、内径０．２２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は１ｍｌ／分に調整した。試料気化室の温度を２８０℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を３００℃に設定した。

試料はトルエンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。

なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｉｎｃ．製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｉｎｃ．製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Ｒｅｓｔｅｋ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、ＳＧＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｐｔｙ．Ｌｔｄ製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）などを用いてもよい。

ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％とほぼ対応している。成分の液晶性化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶性化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶性化合物成分（被検成分）と基準となる液晶性化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶性化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。

〔液晶性化合物等の物性値の測定試料〕
液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２種類がある。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行う。まず、得られた液晶性化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を作製する。そして、得られた試料の測定値から、下記式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算する。この外挿値をこの化合物の物性値とする。

〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉
）／〈液晶性化合物の重量％〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出しなくなった組成で試料の物性値を測定しこの式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とする。

本測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、例えば、母液晶ｉの組成は以下のとおりである。
母液晶ｉ：

なお、液晶組成物の物性値を測定する試料としては、液晶組成物そのものを用いた。
〔液晶性化合物等の物性値の測定方法〕
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（Ｓｔａｎｄａｒｄ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ ｏｆ Ｊａｐａｎ）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子またはＶＡ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

測定値のうち、液晶性化合物単体そのものを試料として得られた値と、液晶組成物そのものを試料として得られた値は、そのままの値を実験データとして記載した。化合物を母液晶に混合し試料として得られた場合には、外挿法で得られた値を外挿値とした。

相構造および転移温度（℃）
以下（１）、および（２）の方法で測定を行った。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に化合物を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め（ｏｎ ｓｅｔ）、転移温度を決定した。

以下、結晶はＣと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ｂ、またはＳ_Ａと表した。転移温度の表記として、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉ」とは、結晶からネマチック相への転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。

ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に、試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。

低温相溶性
母液晶と液晶性化合物とを、液晶性化合物が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。

粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
粘度（バルク粘度）が小さいと応答時間が小さくなるという特徴がある。
測定は、Ｅ型回転粘度計を用いた。

粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
粘度（回転粘度）が小さいと応答時間が小さくなるという特徴がある。
測定はＭ． Ｉｍａｉ ｅｔ ａｌ．， Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ａｎｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ， Ｖｏｌ． ２５９， ３７ （１９９５） に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れた。この素子に３０ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）のピーク電流（ｐｅａｋ ｃｕｒｒｅｎｔ）とピーク時間（ｐｅａｋ ｔｉｍｅ）を測定した。これらの測定値とＭ． Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。なお、この計算に必要な誘電率異方性は、下記誘電率異方性で測定した値を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
誘電率異方性は以下の方法によって測定した。
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。

同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。

得られたＶＡ素子に試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。

また、得られたＴＮ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。

電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を、高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率（％）で表現したものである。

弾性定数（Ｋ_１１、Ｋ_３３；２５℃で測定）
測定には株式会社東陽テクニカ製のＥＣ−１型弾性定数測定器を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向セルに試料を入れた。このセルに２０ボルトから０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。測定した静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を『液晶デバイスハンドブック』（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．１００）から弾性定数の値を得た。
[実施例１]

４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキサ−１−エニル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．２７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、１，２−ジフルオロ−３−ヘキシルオキシベンゼン（ｓ−１） １００．０ｇとＴＨＦ １０００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．００Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液 ３５７ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン−８−オン（ｓ−２）を７２．９ｇ含んだＴＨＦ ５００ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。得られた反応混合物を塩化アンモニウム水溶液 １０００ｍｌと酢酸エチル １０００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去した。これに、ｐ−トルエンスルホン酸 ４．５ｇ、およびトルエン ３００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 ５００ｍｌとトルエン ９００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。それを、トルエン ２５０ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ ２５０ｍｌとの混合溶媒に溶解させ、さらにＰｄ／Ｃを０．５ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、８−（２，３−ジフルオロ−４−ヘキシルオキシフェニル）−１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン（ｓ−３） １４４．５ｇを得た。化合物（ｓ−１）からの収率は８７．３％であった。

第２工程
化合物（ｓ−３） １４４．５ｇ、８７％蟻酸 １８８．０ｍｌ、およびトルエン ４００ｍｌを混合し、この混合物を、２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 ５００ｍｌとトルエン １０００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、１−（２，３−ジフルオロ−４−ヘキシルオキシフェニル）−シクロヘキサン−４−オン（ｓ−４）１２３．０ｇを得た。化合物（ｓ−３）からの収率は９７．２％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へ４−ブロモ−２，３−ジフルオロエトキシベンゼン（ｓ−５） ４５．２ｇ、２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（ｓ−６） ３６．１ｇ、炭酸カリウム ７９．１ｇ、Ｐｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_２Ｃｌ_２ ４．０ｇ、トルエン２００ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ ２００ｍｌおよび水 ２００ｍｌを加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水 ２００ｍｌおよびトルエン ２００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒（容量比 トルエン：ヘプタン＝２：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらに、ソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロ−１，１’−ビフェニル（ｓ−７） ４０．１ｇを得た。化合物（ｓ−５）からの収率は７７．８％であった。

第４工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（ｓ−７） １０．０ｇとＴＨＦ ２００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．００Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液 ４４ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて化合物（ｓ−４）を１１．５ｇ含んだＴＨＦ １００ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。得られた反応混合物を塩化アンモニウム水溶液 ３００ｍｌと酢酸エチル ３００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去した。これに、ｐ−トルエンスルホン酸 ０．６７ｇ、およびトルエン ３００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 ３００ｍｌとトルエン ５００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらに、酢酸エチルとソルミックスＡ−１１との混合溶媒（容量比 酢酸エチル：ソルミックスＡ−１１＝２：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキサ−１−エニル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．２７） １６．３ｇを得た。化合物（ｓ−７）からの収率は７９．５％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキサ−１−エニル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．２７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．０７（ｍ，３Ｈ），６．９１（ｔ，１Ｈ），６．８１（ｔ，１Ｈ），６．７１（ｔ，１Ｈ），６．１２（ｍ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），４．０２（ｑ，２Ｈ），３．２２（ｍ，１Ｈ），２．７０−２．５９（ｍ，１Ｈ），２．５９−２．４４（ｍ，２Ｈ），２．３８−２．３０（ｍ，１Ｈ），２．０８−２．０１（ｍ，１Ｈ），２．０１−１．９１（ｍ，１Ｈ），１．８１（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５１−１．４３（ｍ，５Ｈ），１．３４（ｍ，４Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．２７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １０３．９ Ｎ ２０７．７ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１６９．３℃，Δε＝−１０．５５ ，Δｎ＝０．２０５ ．
[実施例２]

４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．７）の合成

第１工程
トルエン １５０ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ １５０ｍｌとの混合溶媒に化合物（Ｎｏ．２７） １４．４ｇを溶解させ、さらにラネーニッケルを１．４４ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、ラネーニッケルを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（容量比 ヘプタン：トルエン＝１：２）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに得られた残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１の混合溶媒（容量比 酢酸エチル：ソルミックス＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．７）６．１ｇを得た。化合物（Ｎｏ．２７）からの収率は４２．３％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１１−７．０２（ｍ，３Ｈ），６．９０（ｔｄ，１Ｈ），６．８１（ｔｄ，２Ｈ），６．７０（ｔｄ，１Ｈ），６．７８（ｔｄ，１Ｈ），４．１６（ｑ，２Ｈ），４．０２（ｔ，２Ｈ），３．０２（ｍ，１Ｈ），２．９１（ｍ，１Ｈ），２．０３（ｍ，４Ｈ），１．８２（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．７７−１．６２（ｍ，４Ｈ），１．５１−１．４３（ｍ，５Ｈ），１．３８−１．３１（ｍ，４Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １１６．４ Ｎ ２３９．０ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１７５．６℃，Δε＝−７．９５ ，Δｎ＝０．１８０ ．
[実施例３]

４−（２−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）エチル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．２６７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、４−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロ−１，１’−ビフェニル（ｓ−７） ２８．０ｇとＴＨＦ ５００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．００Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液 １０９ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを８．０ｇ含んだＴＨＦ ２００ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。得られた反応混合物を１Ｎ ＨＣｌ水溶液 ３００ｍｌと酢酸エチル ３００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらに、ＴＨＦとヘプタンとの混合溶媒（容量比 ＴＨＦ：ヘプタン＝１：５）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロ−１，１’−ビフェニル−４−カルボアルデヒド（ｓ−８） ２８．０ｇを得た。化合物（ｓ−７）からの収率は９０．６％であった。

第２工程
水素化リチウムアルミニウム ０．７６ｇをＴＨＦ １００ｍｌに懸濁した。この懸濁液に化合物（ｓ−８） １０．０ｇを、−２０℃から−１０℃の温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で２時間攪拌した。ＧＣ分析により反応終了を確認後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。得られた有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、減圧下濃縮をして、（４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロ−１，１’−ビフェニル−４−イル）メタノール（ｓ−９） ９．９ｇを得た。化合物（ｓ−８）からの収率は９８．３％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ−９） ９．９ｇ、トルエン １００ｍｌおよびピリジン ０．１ｍｌを加え、４５℃で１時間攪拌した。その後、塩化チオニル ２．９ｍｌを４５℃から５５℃の温度範囲で加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水 ２００ｍｌおよびトルエン ２００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水で２回、水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（容量比 トルエン：ヘプタン＝１：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−クロロメチル−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロ−１，１’−ビフェニル（ｓ−１０） ８．６ｇを得た。化合物（ｓ−９）からの収率は８１．６％であった。

第４工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ−１０） ８．６ｇ、トルエン １００ｍｌおよびトリフェニルホスフィン １４．２ｇを加え、１時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、析出物をろ過し、トルエンで３回未反応の原料を洗い流した後、得られた白色固体を乾燥させ、（（４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロ−１，１’−ビフェニル−４−イル）メチル）トリフェニルホスホニウム クロリド（ｓ−１１） １１．８ｇを得た。化合物（ｓ−１０）からの収率は７５．３％であった。

第５工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド ３９．８ｇとＴＨＦ ５００ｍｌを混合し、−３０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ） １３．０ｇを−３０℃〜−２０℃の温度範囲で、２回に分けて投入した。−２０℃で３０分攪拌した後、ＴＨＦ １００ｍｌに溶解した化合物（ｓ−４） ３０ｇを−３０〜−２０℃の温度範囲で滴下した。−１０℃で３０分攪拌した後、反応液を水 ２００ｍｌとトルエン ２００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。得られた溶離液を減圧下、濃縮し、２，３−ジフルオロ−１−（ヘキシルオキシ）−４−（４−（メトキシメチレン）シクロヘキシル）ベンゼンを得た。その後、８７％蟻酸 ３８．９ｇ、およびトルエン ２００ｍｌを混合し、この混合物を、２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 １００ｍｌとトルエン ２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、淡黄色固体を得た。この残渣をトルエン１００ｍｌに溶解し、７℃に冷却した９５％水酸化ナトリウム ０．５ｇとメタノール ４００ｍｌの混合液へ添加し、１０℃で２時間攪拌した。その後、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液 ２００ｍｌを添加し、５℃で２時間攪拌した。得られた反応液を水 ５００ｍｌとトルエン ５００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣を濃縮し、トルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル−４−ヘキシルオキシ）−シクロヘキサンカルボアルデヒド（ｓ−１２）２８．８ｇを得た。化合物（ｓ−４）からの収率は８１．６％であった。

第６工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させた（（４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロ−１，１’−ビフェニル−４−イル）メチル）トリフェニルホスホニウム クロリド（ｓ−１１） ５．０ｇとＴＨＦ １００ｍｌを混合し、−１０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ） ０．９７ｇを−１０℃〜−５℃の温度範囲で、２回に分けて投入した。−１０℃で６０分攪拌した後、ＴＨＦ ３０ｍｌに溶解した化合物（ｓ−１２）２．３ｇを−１０〜−５℃の温度範囲で滴下した。０℃で３０分攪拌した後、反応液を水 １００ｍｌとトルエン ５０ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、溶離液を減圧下、濃縮した。それを、トルエン １５０ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ １５０ｍｌとの混合溶媒に溶解させ、さらにＰｄ／Ｃを０．１ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１の混合溶媒（容量比 酢酸エチル：ソルミックス＝１：４）からの再結晶により精製し、４−（２−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）エチル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．２６７） １．４ｇを得た。化合物（ｓ−１２）からの収率は３４．０％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（２−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）エチル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．２６７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．９９（ｍ，３Ｈ），６．８２（ｍ，２Ｈ），６．６５（ｔ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），２．７３（ｍ，３Ｈ），１．９５（ｍ，２Ｈ），１．８８（ｍ，２Ｈ），１．８０（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．６０（ｑ，２Ｈ），１．５２−１．４２（ｍ，７Ｈ），１．４２−１，３０（ｍ，５Ｈ），１．２１−１，１２（ｍ，２Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．２６７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １０９．８ Ｎ １８４．６ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１６５．６℃，Δε＝−８．１７ ，Δｎ＝０．１４９ ．
[実施例４]

４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェネチル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．６７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、２，３−ジフルオロヘキシルオキシベンゼン（ｓ−１） ２８．０ｇとＴＨＦ ５００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．００Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液 １０９ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを８．０ｇ含んだＴＨＦ ２００ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。得られた反応混合物を１Ｎ ＨＣｌ水溶液 ３００ｍｌと酢酸エチル ３００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらに、ＴＨＦとヘプタンとの混合溶媒（容量比 ＴＨＦ：ヘプタン＝１：５）からの再結晶により精製し、乾燥させ、２，３−ジフルオロ−４−ヘキシルオキシベンゼンカルボアルデヒド（ｓ−１３） ２８．０ｇを得た。化合物（ｓ−１）からの収率は９０．６％であった。

第２工程
水素化リチウムアルミニウム ０．７６ｇをＴＨＦ １００ｍｌに懸濁した。この懸濁液に化合物（ｓ−１３） １０．０ｇを、−２０℃から−１０℃の温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で２時間攪拌した。ＧＣ分析により反応終了を確認後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。得られた有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、減圧下濃縮をして、（２，３−ジフルオロ−４−ヘキシルオキシ）ベンジルアルコール（ｓ−１４） ９．９ｇを得た。化合物（ｓ−１３）からの収率は９８．３％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ−１４） ９．９ｇ、トルエン １００ｍｌおよびピリジン ０．１ｍｌを加え、４５℃で１時間攪拌した。その後、塩化チオニル ２．９ｍｌを４５℃から５５℃の温度範囲で加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水 ２００ｍｌおよびトルエン ２００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水で２回、水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（容量比 トルエン：ヘプタン＝１：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、（４−クロロメチル−２，３−ジフルオロ）ヘキシルオキシベンゼン（ｓ−１５） ８．６ｇを得た。化合物（ｓ−１４）からの収率は８１．６％であった。

第４工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ−１５） ８．６ｇ、トルエン １００ｍｌおよびトリフェニルホスフィン １４．２ｇを加え、１時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、析出物をろ過し、トルエンで３回未反応の原料を洗い流した後、得られた白色固体を乾燥させ、（２，３−ジフルオロ−４−ヘキシルオキシベンジル）トリフェニルホスホニウム クロリド（ｓ−１６） １１．８ｇを得た。化合物（ｓ−１５）からの収率は７５．３％であった。

第５工程
窒素雰囲気下の反応器へ、４−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロ−１，１’−ビフェニル（ｓ−７） ８．０ｇとＴＨＦ １００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．００Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液 ３１ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン−８−オン（ｓ−２）を４，９ｇ含んだＴＨＦ ５０ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。得られた反応混合物を１Ｎ ＨＣｌ水溶液 １００ｍｌと酢酸エチル １００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去した。これに、ｐ−トルエンスルホン酸 ０．２７ｇ、およびトルエン １００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 ２００ｍｌとトルエン １００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。それを、トルエン １００ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ １００ｍｌとの混合溶媒に溶解させ、さらにＰｄ／Ｃを０．１ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、８−（４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル−４−イル）−１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン（ｓ−１７） ６．５ｇを得た。化合物（７）からの収率は５３．２％であった。

第６工程
化合物（ｓ−１７） ６．５ｇ、８７％蟻酸 ７．３ｍｌ、およびトルエン １００ｍｌを混合し、この混合物を、２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 １００ｍｌとトルエン １００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、４−（４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル−４−イル）シクロヘキサノン（ｓ−１８） ５．８ｇを得た。化合物（ｓ−１７）からの収率は９９．５％であった。

第７工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド ６．５ｇとＴＨＦ １００ｍｌを混合し、−３０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ） ２．１ｇを−３０℃〜−２０℃の温度範囲で投入した。−２０℃で３０分攪拌した後、ＴＨＦ ５０ｍｌに溶解した化合物（ｓ−１８） ５．８ｇを−３０〜−２０℃の温度範囲で滴下した。−１０℃で３０分攪拌した後、反応液を水 ２００ｍｌとトルエン ２００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。得られた溶離液を減圧下、濃縮した。その後、８７％蟻酸 ３８．９ｇ、およびトルエン ２００ｍｌを混合し、この混合物を、２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 １００ｍｌとトルエン ２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、淡黄色固体を得た。この残渣をトルエン５０ｍｌに溶解し、７℃に冷却した９５％水酸化ナトリウム ０．５ｇとメタノール ２００ｍｌの混合液へ添加し、１０℃で２時間攪拌した。その後、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液 １００ｍｌを添加し、５℃で２時間攪拌した。得られた反応液を水 １００ｍｌとトルエン １００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣を濃縮し、トルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、トランス−４−（４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル−４−イル）シクロヘキサンカルボアルデヒド（ｓ−１９）６．０ｇを得た。化合物（ｓ−１８）からの収率は９６．１％であった。

第８工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させた（２，３−ジフルオロ−４−ヘキシルオキシベンジル）トリフェニルホスホニウム クロリド（ｓ−１６） ４．６ｇとＴＨＦ １００ｍｌを混合し、−１０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ） １．０ｇを−１０℃〜−５℃の温度範囲で投入した。−１０℃で６０分攪拌した後、ＴＨＦ ３０ｍｌに溶解した化合物（ｓ−１９）２．８ｇを−１０〜−５℃の温度範囲で滴下した。０℃で３０分攪拌した後、反応液を水 １００ｍｌとトルエン １００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、溶離液を減圧下、濃縮した。それを、トルエン １００ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ １００ｍｌとの混合溶媒に溶解させ、さらにＰｄ／Ｃを０．１ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１の混合溶媒（容量比 酢酸エチル：ソルミックス＝１：４）からの再結晶により精製し、トランス−４−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェネチル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．６７） １．９ｇを得た。化合物（ｓ−１９）からの収率は４２．４％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェネチル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．６７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．０５（ｍ，３Ｈ），６．８２（ｍ，２Ｈ），６．６８（ｔ，１Ｈ），４．１８（ｑ，２Ｈ），４．０３（ｔ，２Ｈ），２．９１（ｍ，１Ｈ），２．６６（ｔ，２Ｈ），１．９６（ｍ，４Ｈ），１．８２（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５８−１．４３（ｍ，９Ｈ），１．３６（ｍ，５Ｈ），１．２４−１，１４（ｍ，２Ｈ），０．９２（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．６７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ ７８．９ Ｎ １９２．２ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１６５．９℃，Δε＝−９．８７ ，Δｎ＝０．１７５ ．
[実施例５]

トランス−４−（４−（（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェノキシ）メチル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．１０７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、１，２−ジフルオロ−３−ヘキシルオキシベンゼン（ｓ−１） １７．８ｇとＴＨＦ ５００ｍｌとを加えて、−７４ ℃まで冷却した。そこへ、１．５７Ｍ ｎ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液 ５８．０ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて、ホウ酸トリメチル ９．５ｇのＴＨＦ ５０ｍｌ溶液に−７４℃から−６５℃の温度範囲で滴下し、２５ ℃に戻しつつ、さらに８時間攪拌した。その後、反応混合物を１Ｎ塩酸 １００ｍｌ氷水 ５００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。酢酸エチル ３００ｍｌを加えて、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去した。それを窒素雰囲気下の反応器へ、酢酸 １００ｍｌとともにを加えて、室温下、３１％過酸化水素水 １０．１ｍｌを２５℃から３０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。その後、反応混合物を亜硫酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌ、酢酸エチル３００ｍｌが入った容器中に注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、１，２−ジフルオロ−３−ヘキシルオキシフェノール（ｓ−２０） １２．８ｇを得た。化合物（ｓ−１）からの収率は６６．６％であった。

第２工程
水素化リチウムアルミニウム ０．２０ｇをＴＨＦ １００ｍｌに懸濁した。この懸濁液に化合物（ｓ−１９） ３．０ｇを、−２０℃から−１０℃の温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で２時間攪拌した。ＧＣ分析により反応終了を確認後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。得られた有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、減圧下濃縮をして、（トランス−４−（４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル−４−イル）シクロヘキシル）メタノール（ｓ−２１） ２．７ｇを得た。化合物（ｓ−１９）からの収率は８９．５％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ−２１） ２．７ｇ、トルエン ５０ｍｌおよびピリジン ０．１ｍｌを加え、４５℃で１時間攪拌した。その後、塩化チオニル ０．５６ｍｌを４５℃から５５℃の温度範囲で加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水 １００ｍｌおよびトルエン １００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水で２回、水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（容量比 トルエン：ヘプタン＝１：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、（トランス−４−（４−（クロロメチル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（ｓ−２２） ２．６ｇを得た。化合物（ｓ−２１）からの収率は９１．９％であった。

第４工程
窒素雰囲気下、ＤＭＦ １００ｍｌに１，２−ジフルオロ−３−ヘキシルオキシフェノール（ｓ−２０） １．８ｇ、およびリン酸三カリウム（Ｋ_３ＰＯ_４） １３．８ｇを加え、８０℃で攪拌した。そこへ化合物（ｓ−２２） ２．６ｇを加え、８０℃で、７時間攪拌した。得られた反応混合物を３０℃まで冷却し、ろ過によって固形物と分離した後、トルエン １００ｍｌ、および水 １００ｍｌを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（容量比 ヘプタン：トルエン＝１：２）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（容量比 ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、トランス−４−（４−（（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェノキシ）メチル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．１０７）１．２ｇを得た。化合物（ｓ−２２）からの収率は３１．１％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−（４−（（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェノキシ）メチル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．１０７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．０５（ｍ，３Ｈ），６．８１（ｔ，１Ｈ），６．６３（ｄ，２Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），３．９８（ｔ，２Ｈ），３．８４（ｄ，２Ｈ），２．９３（ｍ，１Ｈ），２．０７（ｍ，２Ｈ），１．９９（ｍ，２Ｈ），１．９２（ｍ，１Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．６４−１．４２（ｍ，７Ｈ），１．３８−１．２４（ｍ，６Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．１０７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ ８９．３ Ｎ １８５．２ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１６５．６℃，Δε＝−９．２６ ，Δｎ＝０．１７９ ．
[実施例６]

１−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェネチル）−４−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ−１−エニル）−２，３−ジフルオロベンゼン（Ｎｏ．４８７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させた（２，３−ジフルオロ−４−ヘキシルオキシベンジル）トリフェニルホスホニウム クロリド（ｓ−１６） ７．５ｇとＴＨＦ １００ｍｌを混合し、−１０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ） １．６ｇを−１０℃〜−５℃の温度範囲で投入した。−１０℃で６０分攪拌した後、ＴＨＦ ３０ｍｌに溶解した２，３−ジフルオロベンズアルデヒド（ｓ−２３）１．９ｇを−１０〜−５℃の温度範囲で滴下した。０℃で３０分攪拌した後、反応液を水 １００ｍｌとトルエン １００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、溶離液を減圧下、濃縮した。それを、トルエン １００ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ １００ｍｌとの混合溶媒に溶解させ、さらにＰｄ／Ｃを０．１ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１の混合溶媒（容量比 酢酸エチル：ソルミックス＝１：４）からの再結晶により精製し、１−（２，３−ジフルオロフェネチル）−２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）ベンゼン（ｓ−２４） ３．６ｇを得た。化合物（ｓ−２３）からの収率は７６．０％であった。

第２工程
窒素雰囲気下の反応器へ、１−（２，３−ジフルオロフェネチル）−２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）ベンゼン（ｓ−２４） ３．６ｇとＴＨＦ １００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．００Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液 １２ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて１−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）−シクロヘキサン−４−オン（ｓ−２５）を２．６ｇ含んだＴＨＦ ５０ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。得られた反応混合物を１Ｎ ＨＣｌ水溶液 １００ｍｌと酢酸エチル １００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去した。これに、ｐ−トルエンスルホン酸 ０．１９ｇ、およびトルエン １００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 ２００ｍｌとトルエン １００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにさらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（容量比 ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、１−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェネチル）−４−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ−１−エニル）−２，３−ジフルオロベンゼン（Ｎｏ．４８７） ３．１ｇを得た。化合物（ｓ−２４）からの収率は３３．８％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、１−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェネチル）−４−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ−１−エニル）−２，３−ジフルオロベンゼン（Ｎｏ．４８７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．９０（ｔ，２Ｈ），６．８１（ｔ，１Ｈ），６．７６（ｔ，１Ｈ），６．７０（ｔ，１Ｈ），６．６３（ｔｄ，１Ｈ），６．０３（ｍ，１Ｈ），４．１１（ｑ，２Ｈ），４．００（ｔ，２Ｈ），３．１９（ｍ，１Ｈ），２．９１（ｍ，４Ｈ），２．６５−２．３９（ｍ，３Ｈ），２．３５−２．２６（ｍ，１Ｈ），２．０４−１．９８（ｍ，１Ｈ），１．９８−１．８８（ｍ，１Ｈ），１．８０（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．４５（ｍ，５Ｈ），１．３４（ｍ，４Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．４８７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ ８１．８ Ｎ １４８．１ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１３３．９℃，Δε＝−９．０４ ，Δｎ＝０．１７４ ．
[実施例７]
実施例１〜６に示した手法により、対応した出発原料を用いて様々な化合物を合成し、それが目的とする化合物であることを確認した。

４’−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシ−１−エニル）−４−エトキシ−２，２’，３−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．３３）

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４’−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシ−１−エニル）−４−エトキシ−２，２’，３−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．３３）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．３１（ｔ，１Ｈ），７．２６（ｍ，１Ｈ），７．２０（ｄ，１Ｈ），７．０６（ｔｄ，１Ｈ），６．９０（ｔｄ，１Ｈ），６．８０（ｔｄ，１Ｈ），６．７０（ｔｄ，１Ｈ），６．２９（ｍ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），４．０２（ｔ，２Ｈ），３．１８（ｍ，１Ｈ），２．６６−２．５０（ｍ，３Ｈ），２．３８−２．２９（ｍ，１Ｈ），２．１２−２．０４（ｍ，１Ｈ），１．９９−１．９０（ｍ，１Ｈ），１．８１（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５２−１．４３（ｍ，５Ｈ），１．３４（ｍ，４Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．３３）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １０８．９ Ｓ_Ａ １３６．２ Ｎ ２１４．２ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１７８．６℃，Δε＝−８．５４ ，Δｎ＝０．２１９ ．

４’−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）−４−エトキシ−２，２’，３−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．１３）

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４’−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）−４−エトキシ−２，２’，３−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．１３）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．３０（ｔ，１Ｈ），７．０９（ｄ，１Ｈ），７．０３（ｍ，２Ｈ），６．８９（ｔｄ，１Ｈ），６．８０（ｔｄ，１Ｈ），６．７０（ｔｄ，１Ｈ），４．１６（ｑ，２Ｈ），４．０２（ｔ，２Ｈ），２．８８（ｍ，１Ｈ），２．６４（ｍ，１Ｈ），２．１０−１．９６（ｍ，４Ｈ），１．８１（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．６５（ｍ，４Ｈ），１．５２−１．４３（ｍ，５Ｈ），１．３４（ｍ，４Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．１３）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １０１．４ Ｓ_Ａ １２１．４ Ｎ ２３２．７ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１７０．６℃，Δε＝−８．８５ ，Δｎ＝０．２０１ ．

４’−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシ−１−エニル）−４−エトキシ−２，３，３’−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．３８）

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４’−（４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシ−１−エニル）−４−エトキシ−２，３，３’−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．３８）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．３２（ｔ，１Ｈ），７．２５（ｄ，２Ｈ），７．２１（ｄ，１Ｈ），７．１１（ｔ，１Ｈ），６．９１（ｔ，１Ｈ），６．８０（ｔ，１Ｈ），６．７０（ｔ，１Ｈ），６．０８（ｍ，１Ｈ），４．１６（ｑ，２Ｈ），４．０２（ｔ，２Ｈ），３．２０（ｍ，１Ｈ），２．６４（ｍ，１Ｈ），２．５１（ｍ，２Ｈ），２．３３（ｍ，１Ｈ），２．０６−１．９１（ｍ，２Ｈ），１．８１（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５２−１．４３（ｍ，４Ｈ），１．３８−１．３０（ｍ，４Ｈ），０．９０（ｍ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．３８）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １０６．３ Ｎ ２１８．６ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１８０．６℃，Δε＝−８．６４ ，Δｎ＝０．２２６ ．

４’−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）−４−エトキシ−２，３，３’−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．１８）

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４’−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）−４−エトキシ−２，３，３’−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．１８）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．３０（ｔ，１Ｈ），７．０９（ｄ，１Ｈ），７．０３（ｍ，２Ｈ），６．８９（ｔｄ，１Ｈ），６．８０（ｔｄ，１Ｈ），６．７０（ｔｄ，１Ｈ），４．１６（ｑ，２Ｈ），４．０２（ｔ，２Ｈ），２．８８（ｍ，１Ｈ），２．６４（ｍ，１Ｈ），２．１０−１．９６（ｍ，４Ｈ），１．８１（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．６５（ｍ，４Ｈ），１．５２−１．４３（ｍ，５Ｈ），１．３４（ｍ，４Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．１８）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １２１．０ Ｎ ２４７．２ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１８９．６℃，Δε＝−７．３１ ，Δｎ＝０．１９３ ．

４−ブトキシ−４’−（トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシルメトキシ）−２，３，３’−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．３５７）

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−ブトキシ−４’−（トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシルメトキシ）−２，３，３’−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．３５７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．２５（ｄ，１Ｈ），７．２１（ｄ，１Ｈ），７．０３（ｍ，２Ｈ），６．８５（ｔｄ，１Ｈ），６．７８（ｔｄ，１Ｈ），６．６８（ｔｄ，１Ｈ），４．１３−４．０６（ｍ，４Ｈ），３．９２（ｄ，２Ｈ），２．８２（ｔｔ，１Ｈ），２．０７（ｍ，２Ｈ），１．９５（ｍ，２Ｈ），１．８３（ｍ，２Ｈ），１．５８−１．４８（ｍ，５Ｈ），１．４４（ｔ，３Ｈ），１．３４−１．２３（ｍ，２Ｈ），１．００（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．３５７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １１９．０ Ｎ ２０４．１ Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１８１．６℃，Δε＝−７．９５ ，Δｎ＝０．１９０ ．
[実施例８]

実施例１〜７に記載された合成方法と同様の方法により以下に示す、化合物（Ｎｏ．１）〜（Ｎｏ．７００）を合成することができる。付記したデータは前記した手法に従い、測定した値である。転移温度は化合物自体の測定値であり、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値である。

[比較例１]
比較例として、トランス−４−プロピル−トランス−４’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ａ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−プロピル−トランス−４’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ａ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８２（ｄｄ，１Ｈ），６．６４（ｄｄ，１Ｈ），４．０６（ｑ，２Ｈ），２．７１（ｔｔ，１Ｈ），１．８９−１．７９（ｍ，４Ｈ），１．７９−１．６９（ｍ，４Ｈ），１．４５−１．２６（ｍ，１４Ｈ），１．２０−１．０４（ｍ，４Ｈ），０．９０−０．７９（ｔ，３Ｈ）．

化合物（Ａ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ ６６．９ Ｓ_Ｂ ７９．９ Ｎ １８５．１ Ｉ

前述した母液晶ｉとして記載された５つの化合物を混合し、ネマチック相を有する母液晶ｉを調製した。この母液晶ｉの物性は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝７４．６℃；粘度（η_２０）＝１８．９ｍＰａ・ｓ；光学異方性（Δｎ）＝０．０８７；誘電率異方性（Δε）＝−１．３。

この母液晶ｉ ８５重量％と、合成したトランス−４−プロピル−トランス−４’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ａ）の１５重量％とからなる液晶組成物ｉｉを調製した。得られた液晶組成物ｉｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ａ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１５８．７℃；
光学異方性（Δｎ）＝０．１１４；
誘電率異方性（Δε）＝−５．４３；
[実施例９]

液晶性化合物（Ｎｏ．２７）の物性
母液晶ｉ ８５重量％と、実施例１で得られた４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキサ−１−エニル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．２７）の１５重量％とからなる液晶組成物ｉｉｉを調製した。得られた液晶組成物ｉｉｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ．２７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１６９．３℃；
光学異方性（Δｎ）＝０．２０５；
誘電率異方性（Δε）＝−１０．５５；

このことから液晶性化合物（Ｎｏ．２７）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）を大きく、誘電率異方性（Δε）を負に高くすることができる化合物であることがわかった。

また、比較例化合物（Ａ）と比較して、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が負に高い化合物であることがわかった。

[比較例２]
比較例として、トランス−４−ペンチル−トランス−４’’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’，４’，１’’−ターシクロヘキシル（Ｃ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−ペンチル−トランス−４’’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’，４’，１’’−ターシクロヘキシル（Ｃ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８５（ｔｄ，１Ｈ），６．６８（ｔｄ，１Ｈ），４．１１（ｑ，２Ｈ），２．７４（ｔｔ，１Ｈ），１．９３−１．８２（ｍ，４Ｈ），１．８２−１．６８（ｍ，８Ｈ），１．４８−１．３７（ｍ，４Ｈ），１．３７−０．８２（ｍ，２７Ｈ）．

化合物（Ｃ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ ７１．８ Ｓ_Ｂ ２９８．２ Ｎ ３３０．７ Ｉ

この母液晶ｉ ９７重量％と、合成したトランス−４−ペンチル−トランス−４’’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’，４’，１’’−ターシクロヘキシル（Ｃ）の３重量％とからなる液晶組成物ｉｖを調製した。得られた液晶組成物ｉｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｃ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．１３７；
誘電率異方性（Δε）＝−１．８６；
また、液晶組成物ｉｖの弾性定数Ｋ_３３は１１．３１ ｐＮであった。
[実施例１０]

液晶性化合物（Ｎｏ．１３）の物性
母液晶ｉ ９５重量％と、実施例７で得られた４’−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェニル）シクロヘキシル）−４−エトキシ−２，２’，３−トリフルオロビフェニル（Ｎｏ．１３）の５重量％とからなる液晶組成物ｖを調製した。得られた液晶組成物ｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ．１３）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．２０１；
誘電率異方性（Δε）＝−８．８５；
また、液晶組成物ｖの弾性定数Ｋ_３３は１６．００ ｐＮであった。

このことから液晶性化合物（Ｎｏ．１３）は、光学異方性（Δｎ）を大きく、誘電率異方性（Δε）を負に高く、弾性定数Ｋ_３３を大きくすることができる化合物であることがわかった。

また、比較例化合物（Ｃ）と比較して、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が負に高く、弾性定数Ｋ_３３が大きい化合物であることがわかった。

[比較例３]
比較例として、化合物（Ｄ）に類似の４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，３’’’，２，３−テトラフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｆ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，３’’’，２，３−テトラフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｆ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５０（ｑ，４Ｈ），７．１４（ｄ，２Ｈ），７．０９（ｔｄ，１Ｈ），６．９２（ｄ，１Ｈ），６．７８（ｔ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），２．４２（ｔｔ，１Ｈ），１．８６（ｍ，４Ｈ），１．５３−１．１７（ｍ，１３Ｈ），１．０８−０．９８（ｍ，２Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．

化合物（Ｆ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １４９．８ Ｎ ３０６．７ Ｉ

母液晶ｉ ９５重量％と、合成した４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，３’’’，２，３−テトラフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｆ）の５重量％とからなる液晶組成物ｖを調製した。得られた液晶組成物ｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｆ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝−６．０５；
粘度（η）＝１１８．２ｍＰａ・ｓ
また、液晶組成物ｖの弾性定数Ｋ_３３は１５．２１ ｐＮであった。
[実施例１１]

液晶性化合物（Ｎｏ．１８）の物性
母液晶ｉ ９０重量％と、実施例７で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−［２，３−ジフルオロ−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェノキシメチル］−１，１’−ビフェニル（Ｎｏ．１８）の５重量％とからなる液晶組成物ｖを調製した。得られた液晶組成物ｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ．）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝−７．３１；
粘度（η）＝１０５．３ ｍＰａ・ｓ
また、液晶組成物ｖの弾性定数Ｋ_３３は１６．０３ ｐＮであった。

このことから液晶性化合物（Ｎｏ．１８）は、融点が低く、粘度（η）が小さく、誘電率異方性（Δε）を負に高くすることができる化合物であることがわかった。

また、比較例化合物（Ｆ）と比較して、誘電率異方性（Δε）が負に高く、融点が低く、粘度（η）が小さく、弾性定数Ｋ_３３が大きい化合物であることがわかった。

[比較例４]
比較例として、化合物（Ｅ）に類似の４−エトキシ−２，３，２’’，３’’−テトラフルオロ−４’’−（２，３−ジフルオロ−４−ペンチルフェニルエチル）−１，１’’−ターフェニル（Ｇ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−エトキシ−２，３，２’’，３’’−テトラフルオロ−４’’−（２，３−ジフルオロ−４−ペンチルフェニルエチル）−１，１’’−ターフェニル（Ｇ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．６０（ｍ，４Ｈ），７．１５（ｍ，２Ｈ），６．９７（ｍ，１Ｈ），６．８３（ｍ，３Ｈ），４．１８（ｑ，２Ｈ），２．９９（ｍ，２Ｈ），２．６２（ｔ，２Ｈ），１．６４−１．５５（ｍ，５Ｈ），１．４９（ｔ，３Ｈ），１．３３（ｍ，３Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）．

化合物（Ｇ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度 ：Ｃ １３６．５ Ｎ ２０１．０ Ｉ

母液晶ｉ ９７重量％と、合成した４−エトキシ−２，３，２’’，３’’−テトラフルオロ−４’’−（２，３−ジフルオロ−４−ペンチルフェニルエチル）−１，１’’−ターフェニル（Ｇ）の３重量％とからなる液晶組成物ｖｉを調製した。得られた液晶組成物ｖｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｇ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１５４．６℃；
誘電率異方性（Δε）＝−６．７３；
また、液晶組成物ｖｉの弾性定数Ｋ_３３は１４．５７ ｐＮであった。
[実施例１２]

液晶性化合物（Ｎｏ．１０７）の物性
母液晶ｉ ９０重量％と、実施例５で得られたトランス−４−（４−（（２，３−ジフルオロ−４−（ヘキシルオキシ）フェノキシ）メチル）シクロヘキシル）−４’−エトキシ−２，２’，３，３’−テトラフルオロビフェニル（Ｎｏ．１０７）の１０重量％とからなる液晶組成物ｖｉｉを調製した。得られた液晶組成物ｖｉｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ．１０７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１６５．６℃；
誘電率異方性（Δε）＝−９．２６；
また、液晶組成物ｖｉｉの弾性定数Ｋ_３３は１６．１ ｐＮであった。

このことから液晶性化合物（Ｎｏ．１０７）は、融点が低く、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、誘電率異方性（Δε）を負に高くすることができる化合物であることがわかった。

また、比較例化合物（Ｇ）と比較して、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、誘電率異方性（Δε）が負に高く、融点が低く、粘度（η）が小さく、弾性定数Ｋ_３３が大きい化合物であることがわかった。

〔液晶組成物の実施例〕
以下、本発明で得られる液晶組成物を実施例により詳細に説明する。なお、実施例で用いる液晶性化合物は、下記表の定義に基づいて記号により表す。なお、表中、１，４−シクロへキシレンの立体配置はトランス配置である。各化合物の割合（百分率）は、特に断りのない限り、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。各実施例の最後に得られた液晶組成物の特性値を示す。

なお、各実施例で使用する液晶性化合物の部分に記載した番号は、上述した本発明の第一成分から第三成分に用いる液晶性化合物を示す式番号に対応をしており、式番号を記載せずに、単に「−」と記載をしている場合には、この化合物はこれら成分には対応をしていないその他の化合物であることを意味している。

化合物の記号による表記方法を以下に示す。

特性値の測定は以下の方法にしたがって行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（Ｓｔａｎｄａｒｄ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ ｏｆ Ｊａｐａｎ）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。

（１）ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。以下、ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略することがある。

（２）ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。以下、ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（３）光学異方性（Δｎ；２５℃で測定）
波長が５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により測定した。まず、主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。そして、偏光の方向がラビングの方向と平行であるときの屈折率（ｎ‖）、および偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときの屈折率（ｎ⊥）を測定した。光学異方性の値（Δｎ）は、（Δｎ）＝（ｎ‖）−（ｎ⊥）の式から算出した。

（４）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定にはＥ型粘度計を用いた。

（５）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。

同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。

得られたＶＡ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。

また、得られたＴＮ素子に試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。
この値が負である組成物が、負の誘電率異方性を有する組成物である。

（６）電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）
ポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が６μｍであるセルに試料を入れてＴＮ素子を作製した。２５℃において、このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。ＴＮ素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期（１６．７ミリ秒）における電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。ＴＮ素子を取り除いたあと印加した電圧の波形から同様にして面積を求めた。電圧保持率（％）の値は、（電圧保持率）＝（ＴＮ素子がある場合の面積値）／（ＴＮ素子がない場合の面積値）×１００の値から算出した。

このようにして得られた電圧保持率を「ＶＨＲ−１」として示した。つぎに、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。このＴＮ素子を２５℃に戻したあと、上述した方法と同様の方法により電圧保持率を測定した。この加熱試験をした後に得た電圧保持率を「ＶＨＲ−２」として示した。なお、この加熱テストは促進試験であり、ＴＮ素子の長時間耐久試験に対応する試験として用いた。
[実施例１３]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．２７） ４％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．７） ４％

３−ＨＨ−Ｏ１ （１２−１） ８％
５−ＨＨ−Ｏ１ （１２−１） ４％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １４％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） ５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） ７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １４％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ２０％
ＮＩ＝７４．４℃；Δｎ＝０．０８６；η＝３１．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝−４．６．

[実施例１４]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈＢ（Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．３３） ４％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ（Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．１３） ４％

３−ＨＢ−Ｏ１ （１２−５） １０％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ５％
３−ＨＢ−Ｖ （１２−５） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １３％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ５％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ６％
ＮＩ＝９０．１℃；Δｎ＝０．０９６；η＝４４．０ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．６．

[実施例１５]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈＢ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．３８） ３％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．１８） ３％
３−ＨＢ−Ｏ１ （１２−５） １５％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １３％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ７％
６−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−６） ６％
ＮＩ＝８３．１℃；Δｎ＝０．０９３；η＝３８．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．８．

[実施例１６]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｏ１ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．１０７） ４％
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ６
（Ｎｏ．４８７） ４％

３−ＨＨ−４ （１２−１） ４％
３−ＨＨ−Ｖ （１２−１） ４％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） ２２％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） ２２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ８％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （１３−１） ６％
３−ＨＨＢ−３ （１３−１） ６％
３−ＨＨＥＢＨ−３ （１４−６） ３％
３−ＨＨＥＢＨ−４ （１４−６） ３％
３−ＨＨＥＢＨ−５ （１４−６） ３％
ＮＩ＝９３．３℃；Δｎ＝０．１０４；η＝３３．０ｍＰａ・ｓ；Δε＝−４．３．

[実施例１７]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．２６７） ３％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）２ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．６７） ３％

３−ＨＨ−４ （１２−１） １２％
３−ＨＨ−５ （１２−１） ４％
３−ＨＨ−Ｖ （１２−１） ６％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１２−５） １２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ６％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ３％
３−ＨＨＢ−３ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１３−１） ３％
ＮＩ＝７６．３℃；Δｎ＝０．０９３；η＝２２．７ｍＰａ・ｓ；Δε＝−４．２．
上記組成物１００部にＯｐ−０５を０．２５部添加したときのピッチは６０．３μｍであった。

[実施例１８]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．２７） ３％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈＢ（Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．３３） ３％

３−ＨＢ−Ｏ１ （１２−５） １０％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ５％
３−ＨＨ−Ｖ１ （１２−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ７％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １３％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ６％
ＮＩ＝９０．７℃；Δｎ＝０．０９６；Δε＝−３．７；η＝４０．４ｍＰａ・ｓ．

[実施例１９]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．７） ４％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ（Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．１３） ３％

２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ （５−１４） ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ （５−１４） ４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ （５−１４） １２％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ （５−１５） １１％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１２−５） １０％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ３％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１３−１） ４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ （３−３７） ４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （１３−１７） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （１３−１７） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （１３−１７） ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （１３−１８） ５％
ＮＩ＝９６．１℃；Δｎ＝０．１４５；Δε＝２４．０；η＝４５．０ｍＰａ・ｓ．

[実施例２０]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈＢ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．３８） ４％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．１８） ４％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｏ１ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．１０７） ４％

１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ （５−１５） ６％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １２％
２−ＢＴＢ−１ （１２−１０） １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ （−） ３０％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （−） ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ （−） ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （１３−１７） ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （１３−１７） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （１３−１７） ４％
ＮＩ＝９１．７℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝４．５；η＝２４．１ｍＰａ・ｓ．

[実施例２１]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｏ１ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．１０７） ４％
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ６
（Ｎｏ．４８７） ４％

２−ＨＢ−Ｃ （５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１２−５） １１％
２−ＢＴＢ−１ （１２−１０） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１３−１） ５％
３−ＨＨＢ−３ （１３−１） １４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ５％
ＮＩ＝１０２．１℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝３．７；η＝２４．４ｍＰａ・ｓ．


[実施例２２]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．２６７） ３％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）２ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．６７） ３％

５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １３％
３−ＨＨ−４ （１２−１） １２％
３−ＨＨ−５ （１２−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （１４−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ２％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
ＮＩ＝１１９．４℃；Δｎ＝０．０９５；Δε＝２．７；η＝２４．３ｍＰａ・ｓ．

[実施例２３]

６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．２６７） ４％
６Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）２ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２
（Ｎｏ．６７） ４％

５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ （２−３） ７％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ （１２−２） ２３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） １０％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０９） ７％
ＮＩ＝８３．４℃；Δｎ＝０．０７２；Δε＝４．４；η＝２６．５ｍＰａ・ｓ．

Claims (20)

1. 式（１−１）で表される化合物。
   

   

   式（１−１）において、Ｒ¹およびＲ²は独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   環Ａ^１は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
   Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
   Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
2. 式（１−２）で表される請求項１に記載の化合物。
   

   

   式（１−２）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   環Ａ^２は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
   Ｌ^３およびＬ^４は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
   Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
3. 式（１−３）で表される請求項１に記載の化合物。
   

   

   式（１−３）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   環Ａ^３は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
   Ｌ^５およびＬ^６は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
   Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
4. 式（１−４）で表される請求項１に記載の化合物。
   

   

   式（１−４）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   環Ａ^４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレンであり；
   Ｌ^７およびＬ^８は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；
   Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
5. 式（１−５）および（１−６）のいずれか１つで表される請求項２に記載の化合物。
   
   

   

   式（１−５）および（１−６）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
6. 式（１−７）で表される請求項３に記載の化合物。
   

   

   式（１−７）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
7. 式（１−８）および（１−９）のいずれか１つで表される請求項４に記載の化合物。
   
   

   

   式（１−８）および（１−９）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
8. 式（１−１０）で表される請求項２に記載の化合物。
   

   

   式（１−１０）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   Ｚ^４は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
9. 式（１−１１）で表される請求項３に記載の化合物。
   

   

   式（１−１１）において、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
   Ｚ^５は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
10. 式（１−１２）で表される請求項４に記載の化合物。
    

    

    式（１−１２）において、Ｒ^７およびＲ^８は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
    Ｚ^６は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の化合物を含有する、液晶組成物。
12. 式（２）、（３）、および（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１１に記載の液晶組成物。
    

    

    式（２）〜（４）において、Ｒ^９は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
    Ｘ^１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
    環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１−ピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または３、５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
    Ｚ^７およびＺ^８は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または単結合であり；
    Ｌ^９およびＬ^１０は独立して、水素またはフッ素である。
13. 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１１に記載の液晶組成物。
    

    

    式（５）において、Ｒ^１０は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
    Ｘ^２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
    環Ｃ^１、環Ｃ^２、および環Ｃ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１−ピラン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
    Ｚ^９は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または単結合であり；
    Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素であり；
    ｏは、０、１または２であり、ｐは０または１であり、ｏ＋ｐは０、１、２または３である。
14. 式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）および（１１）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１１に記載の液晶組成物。
    

    

    式（６）〜（１１）において、Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
    環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、６−ピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり；
    Ｚ^１０、Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ₂）₂−、または単結合であり；
    Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、フッ素または塩素であり；
    ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、およびｖは独立して、０または１であり、ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕは１または２である。
15. 式（１２）、（１３）および（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１１に記載の液晶組成物。
    

    

    式（１２）〜（１４）において、Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
    環Ｅ^１、環Ｅ^２、および環Ｅ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ１，４−フェニレンであり；
    Ｚ^１４およびＺ^１５は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。
16. 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１２に記載の液晶組成物。
17. 式（１２）、（１３）および（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１４に記載の液晶組成物。
18. 少なくとも１つの光学活性化合物および／または重合可能な化合物をさらに含有する、請求項１１〜１７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
19. 少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤をさらに含有する請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
20. 請求項１１〜１９のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。