JPWO2010113756A1 - 二次元測定機および二次元測定方法 - Google Patents
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Abstract
二次元測定方法は、撮像部が備える互いに異なる倍率を有する2つの撮像系のうちその都度選択された一方の撮像系で基板の表面の1つの箇所を撮像することによって前記箇所の座標位置を測定するための二次元測定機を用いて、前記基板に設けられた基準パターンから得られる基準点の座標値を前記2つの撮像系の各々で測定する工程(S21)と、前記測定する工程によって得られた前記2つの撮像系による測定値同士のずれ量を算出する工程(S22)と、前記ずれ量を補正用パラメータとして設定する工程(S23)とを含み、一定枚数の前記基板の測定作業を行なう前ごとまたは行なった後ごとに、前記工程(S21)、前記工程(S22)、前記工程(S23)を行なう。
Description
本発明は、二次元測定機および二次元測定方法に関するものである。
たとえば液晶表示パネルの生産現場においては、ガラス基板の表面に必要な各種膜を成膜し、これをパターニングする工程などが行なわれる。この際に、ガラス基板の寸法などを管理するために二次元測定機が用いられる。
従来技術に基づく二次元測定機の一例が特開2003−243453号公報(特許文献1)に示されている。
一般的な二次元測定機の例を図12に示す。ここで示す二次元測定機100は、測定対象物としての基板を設置するためのステージ101と、基板に対して垂直な方向から撮像する撮像装置102と、この撮像装置102をステージ101の表面に平行な方向に相対移動させるための移動装置とを備えている。移動装置とは、たとえばX,Y方向のスライダ103,104などである。二次元測定機100は、撮像装置102から得られる画像を参考にして所望の点に撮像装置102の位置を合わせ、移動装置から得られる現在地点の情報を座標値として出力するものである。
ある種の二次元測定機においては、高低2種類の倍率で測定を行なうことを可能とするべく、互いに倍率の異なる2つの撮像系を備えている。図12に示す二次元測定機100も撮像装置102内に2つの撮像系を備えている。
撮像装置102を拡大したところを図13に示す。
撮像装置102は、ステージ101上面に対向するように設置された1つの対物レンズ111と、1つの光源113と、光を反射させるためのミラー112,114,115,116と、鏡筒121,122とを備える。鏡筒121,122の上部には受光素子117,118が設置されている。光源113から出射した光は、ミラー112によって反射されてステージ101上の基板(図示せず)に向かい、基板で反射したのちに、ミラー112を透過してミラー114で反射することによって、ミラー115,116に向かう。
撮像装置102は、ステージ101上面に対向するように設置された1つの対物レンズ111と、1つの光源113と、光を反射させるためのミラー112,114,115,116と、鏡筒121,122とを備える。鏡筒121,122の上部には受光素子117,118が設置されている。光源113から出射した光は、ミラー112によって反射されてステージ101上の基板(図示せず)に向かい、基板で反射したのちに、ミラー112を透過してミラー114で反射することによって、ミラー115,116に向かう。
この撮像装置102は2つの撮像系を備えているといえる。2つの撮像系をそれぞれ「第1撮像系」、「第2撮像系」と呼ぶものとする。第1撮像系は、対物レンズ111、光源113、ミラー112、ミラー114、ミラー115、鏡筒121および受光素子117によって構成されるものである。第2撮像系は、対物レンズ111、光源113、ミラー112、ミラー114、ミラー115、ミラー116、鏡筒122および受光素子118によって構成されるものである。
撮像装置102が移動装置によってステージ101の上面に平行な方向に相対移動することによって2つの撮像系は一体的なものとして相対移動することとなる。2つの撮像系のうちいずれを実際に撮像に使用するかは、ユーザが選択することができる。第1撮像系と第2撮像系とでは前者はミラー115によって反射され、後者はミラー116によって反射されるという点で異なる。また、2つの撮像系では用いられる鏡筒が異なる。これらの違いにより、各撮像系に生じる取付誤差、寸法誤差などはそれぞれ異なることとなるので、たとえ撮像装置102の位置が同一であったとしても、撮像系ごとに撮像できる領域の中心位置が若干異なることとなる。ユーザの利便性を考慮すれば、1つの撮像装置102内のいずれの撮像系で測定しても、基板上の同一の点については常に共通した座標値として出力されることが望ましい。2つの撮像系のうちいずれを使用しても共通した座標値を出力するためには、二次元測定機は、各撮像系固有の誤差によって第1撮像系と第2撮像系との間で生じている相対的な位置ずれ量の情報を保持しておく必要がある。
そこで、二次元測定機の設置当初には、第1撮像系が出力する座標値に対して第2撮像系が出力する座標値は実際にどの程度ずれているかを測定し、このずれ量の情報を二次元測定機に補正用パラメータとして設定する作業が行なわれる。この補正用パラメータは「初期パラメータ」とも呼ばれ、2つの撮像系から得られる測定値を測定機内部で自動的に補正するために用いられるパラメータであり、この補正の結果、第1,第2のいずれの撮像系で測定しても同一点からは常に同一の座標値を得られることが期待されている。
しかし、二次元測定機の設置当初に上記作業を正しく行なっていたとしても、実際には長期間使っていると、測定値が補正用パラメータによって補正されているにもかかわらず、第1,第2撮像系によって得られる座標値にずれが生じるようになってくる。この現象は、地震などの影響によって、第1,第2撮像系間の現実のずれ量が、当初設定した補正用パラメータから乖離してきたことによって生じていると考えられる。
そこで、本発明は、長期間使用した後でも、第1,第2のいずれの撮像系で測定しても同一点からは常に同一の座標値を得ることができる二次元測定機および二次元測定方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づく二次元測定方法は、撮像部が備える互いに異なる倍率を有する2つの撮像系のうちその都度選択された一方の撮像系で基板の表面の1つの箇所を撮像することによって平面内における上記箇所の座標位置を測定するための二次元測定機を用いて、上記基板の表面に設けられた基準パターンから得られる基準点の座標値を上記2つの撮像系の各々で測定する工程と、上記測定する工程によって得られた上記2つの撮像系による測定値同士のずれ量を算出する工程と、上記ずれ量を補正用パラメータとして設定する工程とを含み、一定枚数の上記基板の測定作業を行なう前ごとまたは行なった後ごとに、上記測定する工程、上記算出する工程、上記補正用パラメータとして設定する工程を行なう。
本発明によれば、一定枚数の前記基板の測定作業を行なう前ごとまたは行なった後ごとに、補正用パラメータを修正する一連の工程を行なうこととなるので、同一の二次元測定機を設置後長期間使用し続けている場合であっても、第1,第2のいずれの撮像系で測定しても同一点からは常に同一の座標値を得ることができる状態を維持しながら、二次元測定を行なうことができる。
(実施の形態1)
図1〜図3を参照して、本発明に基づく実施の形態1における二次元測定方法について説明する。この二次元測定方法のフローチャートを図1、図2に示す。図1に示すように、基板を測定する工程S1を繰り返す中に補正用パラメータを修正する工程S2が挿入されている。より長いスパンで見ると、図2に示すように、一定枚数の基板測定工程S1を繰り返すごとに、補正用パラメータを修正する工程S2が行なわれている。このように、定期的に工程S1から工程S2に切り替える行為は、手動で行なっても自動で行なってもよい。
図1〜図3を参照して、本発明に基づく実施の形態1における二次元測定方法について説明する。この二次元測定方法のフローチャートを図1、図2に示す。図1に示すように、基板を測定する工程S1を繰り返す中に補正用パラメータを修正する工程S2が挿入されている。より長いスパンで見ると、図2に示すように、一定枚数の基板測定工程S1を繰り返すごとに、補正用パラメータを修正する工程S2が行なわれている。このように、定期的に工程S1から工程S2に切り替える行為は、手動で行なっても自動で行なってもよい。
工程S2の内訳を図3に示す。工程S2は、基板の表面に設けられた基準パターンから得られる基準点の座標値を2つの撮像系の各々で測定する工程S21と、前記測定する工程によって得られた前記2つの撮像系による測定値同士のずれ量を算出する工程S22と、前記ずれ量を、前記2つの撮像系間の測定値同士のずれ量を補正用パラメータとして設定する工程S23とを含む。工程S21〜S23をひとまとまりの工程として捉えて工程S2と称している。
本実施の形態における二次元測定方法は、撮像部が備える互いに異なる倍率を有する2つの撮像系のうちその都度選択された一方の撮像系で基板の表面の1つの箇所を撮像することによって平面内における前記箇所の座標位置を測定するための二次元測定機を用いて、前記基板の表面に設けられた基準パターンから得られる基準点の座標値を前記2つの撮像系の各々で測定する工程S21と、前記測定する工程S21によって得られた前記2つの撮像系による測定値同士のずれ量を算出する工程S22と、前記ずれ量を補正用パラメータとして設定する工程S23とを含み、一定枚数の前記基板の測定作業(工程S1)を行なう前ごとまたは行なった後ごとに、前記測定する工程S21、前記算出する工程S22、前記補正用パラメータとして設定する工程S23を行なうものである。
本実施の形態における二次元測定方法では、一定枚数の前記基板の測定作業(工程S1)を行なう前ごとまたは行なった後ごとに、工程S21〜S23を含む工程S2すなわち補正用パラメータを修正する工程を行なうこととなるので、同一の二次元測定機を設置後長期間使用し続けている場合であっても、第1,第2のいずれの撮像系で測定しても同一点からは常に同一の座標値を得ることができる状態を維持しながら、二次元測定を行なうことができる。
本実施の形態における二次元測定方法においては、工程S21において基板の表面に設けられた基準パターンから得られる基準点の座標値を各撮像系によって測定することとしているが、この場合の「基準パターン」について以下詳しく述べる。
本実施の形態における二次元測定方法においては、前記基準パターンは、上下方向に延在する互いに平行な2辺と左右方向に延在する互いに平行な2辺とを含んでいることが好ましい。すなわち、好ましい形状としては、図4〜図9に示すようにさまざまな形状が考えられる。いずれの形状も上下方向に延在する互いに平行な2辺と左右方向に延在する互いに平行な2辺とを含んでいる。このような条件が好ましいのは、上下左右の平行な2辺を利用して基準点を正確に求めやすいからである。
図5に示した基準パターン1に注目して、工程S21での作業内容の詳細を説明する。
まず選択した1つの撮像系でこの基準パターン1を撮影し、上下方向に延在する互いに平行な2辺31,32を捕捉する。辺31,32の位置のX座標値を求め、両者を足して2で割った値として中心線35のX座標値を求める。次に、左右方向に延在する互いに平行な2辺33,34を捕捉する。辺33,34の位置のY座標値を求め、両者を足して2で割った値として中心線36のY座標値を求める。このようにして基準パターン1における縦横の中心線35,36同士の交点である中心点37のX,Y座標値を得ることができる。この中心点37が「基板の表面に設けられた基準パターンから得られる基準点」に相当する。各撮像系によって、このように基準点のX,Y座標値を求める。第1撮像系で求めた基準点のX,Y座標値を(X1,Y1)と呼ぶものとし、第2撮像系で求めた基準点のX,Y座標値を(X2,Y2)と呼ぶものとする。
まず選択した1つの撮像系でこの基準パターン1を撮影し、上下方向に延在する互いに平行な2辺31,32を捕捉する。辺31,32の位置のX座標値を求め、両者を足して2で割った値として中心線35のX座標値を求める。次に、左右方向に延在する互いに平行な2辺33,34を捕捉する。辺33,34の位置のY座標値を求め、両者を足して2で割った値として中心線36のY座標値を求める。このようにして基準パターン1における縦横の中心線35,36同士の交点である中心点37のX,Y座標値を得ることができる。この中心点37が「基板の表面に設けられた基準パターンから得られる基準点」に相当する。各撮像系によって、このように基準点のX,Y座標値を求める。第1撮像系で求めた基準点のX,Y座標値を(X1,Y1)と呼ぶものとし、第2撮像系で求めた基準点のX,Y座標値を(X2,Y2)と呼ぶものとする。
工程S22においては、第1撮像系で求めた基準点の座標値(X1,Y1)と、第2撮像系で求めた基準点の座標値(X2,Y2)との差を求める。すなわち、(Xa,Ya)=(X2−X1,Y2−Y1)を算出する。
工程S23では、この(Xa,Ya)を補正用パラメータとして設定する。
なお、本実施の形態における二次元測定方法においては、前記測定する工程S21は、通常、図10に例示するように、撮像部で撮像されている領域51を表示装置52に表示し、これを作業者53が視認しながら撮像位置を操作することによって、基準パターンの基準とすべき辺を特定する作業が行なわれる。すなわち、前記測定する工程S21は、前記撮像部で撮像されている領域51を表示装置52に表示したものを作業者53が視認しながら行なうものであり、前記撮像部で撮像されている領域を前記表示装置52に表示する際に同時に表示可能な前記撮像している領域の縦横各辺の長さDx,Dyに比べて、前記基準パターンの縦横各方向の寸法Px,Pyはそれぞれ1/4倍以上2/3倍以下となっていることが好ましい。なぜなら、このようになっていれば、作業者は表示装置52の画面内で基準パターンを捕捉しやすく、基準点を求める作業が行ないやすいからである。
なお、本実施の形態における二次元測定方法においては、前記測定する工程S21は、通常、図10に例示するように、撮像部で撮像されている領域51を表示装置52に表示し、これを作業者53が視認しながら撮像位置を操作することによって、基準パターンの基準とすべき辺を特定する作業が行なわれる。すなわち、前記測定する工程S21は、前記撮像部で撮像されている領域51を表示装置52に表示したものを作業者53が視認しながら行なうものであり、前記撮像部で撮像されている領域を前記表示装置52に表示する際に同時に表示可能な前記撮像している領域の縦横各辺の長さDx,Dyに比べて、前記基準パターンの縦横各方向の寸法Px,Pyはそれぞれ1/4倍以上2/3倍以下となっていることが好ましい。なぜなら、このようになっていれば、作業者は表示装置52の画面内で基準パターンを捕捉しやすく、基準点を求める作業が行ないやすいからである。
(実施の形態2)
図11を参照して、本発明に基づく実施の形態2における二次元測定機について説明する。
図11を参照して、本発明に基づく実施の形態2における二次元測定機について説明する。
本実施の形態における二次元測定機200は、主表面を有する基板を設置するためのステージ101と、前記ステージに設置した前記基板を前記主表面に垂直な方向から撮像するための撮像部としての撮像装置102と、前記撮像部で撮像されている部位の前記主表面上における二次元的座標位置を検出するための座標導出部211とを備え、前記撮像部は、第1の倍率の第1撮像系と、前記第1の倍率より高倍率である第2の倍率の第2撮像系とを含み、前記座標導出部は、前記第1撮像系と前記第2撮像系との間の測定値同士のずれ量を補正用パラメータとして保持するためのパラメータ保持部212を含む。さらに、この二次元測定機200は、前記主表面に設けられた基準パターンから得られる基準点の座標値を前記第1,第2撮像系の各々で測定する工程S21と、前記測定する工程によって得られた前記第1,第2撮像系による測定値同士のずれ量を算出する工程S22と、前記ずれ量を補正用パラメータとして設定する工程S23とを一定枚数の前記基板の測定作業を行なう前ごとまたは行なった後ごとに自動的に行なわせるための制御部213を備える。
工程S21〜S23は、実施の形態1で説明したとおりのものである。基板の主表面に設けられる基準パターンについても、詳細は実施の形態1で説明したとおりである。
スライダ103,104はエアスライダである。ステージ101は上面がガラスで形成されたものである。撮像装置102に備わる第1,第2撮像系は顕微鏡機能を備えている。第1,第2撮像系は、たとえばそれぞれ15倍と40倍との倍率で撮像するためのものであってよい。
本実施の形態における二次元測定機では、一定枚数の前記基板の測定作業を行なう前ごとまたは行なった後ごとに、工程S21〜S23すなわち補正用パラメータを修正する工程を行なうこととなるので、同一の二次元測定機を設置後長期間使用し続けている場合であっても、第1,第2のいずれの撮像系で測定しても同一点からは常に同一の座標値を得ることができる状態を維持しながら、二次元測定を行なうことができる。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
本発明は、二次元測定機および二次元測定方法に利用可能である。
1 基準パターン、31,32,33,34 辺、35,36 中心線、37 中心点、51 領域、52 表示装置、53 作業者、100,200 二次元測定機、101
ステージ、102 撮像装置、103,104 スライダ、111 対物レンズ、112,114,115,116 ミラー、113 光源、117,118 受光素子、121,122 鏡筒、211 座標導出部、212 パラメータ保持部、213 制御部。
ステージ、102 撮像装置、103,104 スライダ、111 対物レンズ、112,114,115,116 ミラー、113 光源、117,118 受光素子、121,122 鏡筒、211 座標導出部、212 パラメータ保持部、213 制御部。
Claims (4)
- 撮像部が備える互いに異なる倍率を有する2つの撮像系のうちその都度選択された一方の撮像系で基板の表面の1つの箇所を撮像することによって平面内における前記箇所の座標位置を測定するための二次元測定機を用いて、
前記基板の表面に設けられた基準パターンから得られる基準点の座標値を前記2つの撮像系の各々で測定する工程(S21)と、
前記測定する工程によって得られた前記2つの撮像系による測定値同士のずれ量を算出する工程(S22)と、
前記ずれ量を補正用パラメータとして設定する工程(S23)とを含み、
一定枚数の前記基板の測定作業を行なう前ごとまたは行なった後ごとに、前記測定する工程(S21)、前記算出する工程(S22)、前記補正用パラメータとして設定する工程(S23)を行なう、二次元測定方法。 - 前記基準パターンは、上下方向に延在する互いに平行な2辺と左右方向に延在する互いに平行な2辺とを含んでいる、請求の範囲第1項に記載の二次元測定方法。
- 前記測定する工程は、前記撮像部で撮像されている領域を表示装置に表示したものを作業者が視認しながら行なうものであり、
前記撮像部で撮像されている領域を前記表示装置に表示する際に同時に表示可能な前記撮像している領域の縦横各辺の長さに比べて、前記基準パターンの縦横各方向の寸法はそれぞれ1/4倍以上2/3倍以下となっている、請求の範囲第1項に記載の二次元測定方法。 - 主表面を有する基板を設置するためのステージ(101)と、
前記ステージに設置した前記基板を前記主表面に垂直な方向から撮像するための撮像部と、
前記撮像部で撮像されている部位の前記主表面上における二次元的座標位置を検出するための座標導出部(211)とを備え、
前記撮像部は、第1の倍率の第1撮像系と、前記第1の倍率より高倍率である第2の倍率の第2撮像系とを含み、
前記座標導出部は、前記第1撮像系と前記第2撮像系との間の測定値同士のずれ量を補正用パラメータとして保持するためのパラメータ保持部(212)を含む、二次元測定機であり、
さらに、
前記主表面に設けられた基準パターンから得られる基準点の座標値を前記第1,第2撮像系の各々で測定する工程と、
前記測定する工程によって得られた前記第1,第2撮像系による測定値同士のずれ量を算出する工程と、
前記ずれ量を補正用パラメータとして設定する工程とを一定枚数の前記基板の測定作業を行なう前ごとまたは行なった後ごとに自動的に行なわせるための制御部(213)を備える、二次元測定機。
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Publication Number | Publication Date |
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