JPWO2010089866A1 - 平面導波路型レーザおよびディスプレイ装置 - Google Patents

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Abstract

本発明に係る平面導波路型レーザは、平板状のレーザ媒質5と、レーザ媒質5の端面5aに励起光を入射する半導体レーザ1と、レーザ媒質5の下面および上面に接合されて鉛直方向に導波路を形成する第1および第2のクラッド4a,4bと、第1のクラッド4aの下面に接合された櫛型のヒートシンク2と、第2のクラッド4bの上面に接合された熱レンズ発生手段20とを備えている。この構成において、鉛直方向は、レーザ媒質5の導波路モードでレーザ発振し、水平方向は、熱レンズ発生手段20によりレーザ媒質5に周期的なレンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振する。これにより、励起による熱レンズの大きさによらず、周回損失の小さな共振器を形成することができ、パルス動作やCW動作の立ち上がり特性を平滑にし、高出力で安定した出力を得ることができる。

Description

この発明は平面導波路型レーザおよびそれを用いたディスプレイ装置に関し、特に、プリンターやレーザテレビ、レーザ加工機用光源に好適な、高出力レーザ装置および波長変換レーザ装置等の平面導波路型レーザおよびそれを用いたディスプレイ装置に関するものである。
プリンターやプロジェクションテレビでは、光源としてR(赤)、G(緑)、B(青)の3つの色の光源が要求される。この光源として、900nm帯、1μm帯、あるいは、1.3μm帯のレーザ光を基本波レーザ光として用い、当該基本波レーザ光を、非線形材料を用いて、第2次高調波(SHG:Second Harmonic Generation)や第3次高調波(THG:Third Harmonic Generation)などの高調波レーザ光に波長変換する波長変換レーザが開発されている。高調波において、基本波レーザ光から高調波レーザ光への高い変換効率を実現するためには、非線形材料上の基本波レーザ光のパワー密度を高くすること、および、波面収差の少ない高輝度なレーザ光が要求される。
2次元導波路型レーザでは、基本波レーザ光のパワー密度を高くすることができるので、高調波レーザ光への高い変換効率を実現することが可能となる。一方、高いパワー密度による破壊限界があるため、高出力化には制限がある。また、2次元導波路に結合可能な2次元方向に対してビーム品質がよいLD光にも制限があるため、高出力化には制限がある。
このような波長変換レーザ装置を実現する方法として、導波路を1次元とした平面導波路型レーザを用いることがある(例えば、特許文献1参照)。平面導波路型レーザでは、平板面内でレーザ光軸に鉛直な方向に空間モードでレーザ発振させ、この方向にレーザ光のビーム径を広げたり、マルチ化したりして、高出力化を図っている。このようなレーザでは、励起源であるLD光は平面導波路に1次元方向に結合すればよいので、高出力なブロードエリアLDを用いることができ、高出力なレーザ光を得ることができる。さらに、LD光の発光点を1次元方向に並べたマルチエミッタLDを用いることができるので、より大きなレーザ出力を得ることが可能となる。
ここで、1次元の平面導波路型レーザでは、レーザ光は導波路方向には導波路により閉じ込められるため、安定に動作できる。一方、平面方向には空間伝搬するため、安定な動作を得るためには、レーザ共振器内に曲率ミラーやレンズなどを配置する必要がある。
図13に従来の構成を示す。図13において、1は半導体レーザ、2は櫛型のヒートシンク、3は接合剤、4はヒートシンク2の上面に接合剤3により接合されたクラッド(低屈折率部)、5はクラッド4の上面に設けられたレーザ媒質、5a,5bはレーザ媒質5の端面、6は半導体レーザ1のレーザ発振方向を表す光学軸である。図13に示す構成において、半導体レーザ1からの励起光は、レーザ媒質5の端面5aから入射され、レーザ媒質5で吸収されて、レーザ媒質5内で、基本波レーザ光に対する利得を発生する。レーザ媒質5内で発生した利得により、基本波レーザ光は、レーザ媒質5の光学軸6に垂直な端面5bから出射される。
このとき、図13の構成では、レーザ媒質5で発生する熱を櫛型のヒートシンク2で排熱している。このように構成することで、レーザ媒質5内では、図14(a)に示すような温度分布が生じ、図14(b)に示すような熱の流れが生じる。レーザ媒質5は半導体レーザ1で励起されることにより、半導体レーザ1の励起光の波長とレーザ媒質5で発生する光の波長との間の波長差に依存して熱が発生する。このようにして、レーザ媒質5は励起により温度が上昇する。レーザ媒質5は温度の上昇に従い、屈折率が高くなることから、レンズ効果が生じる。このようなレンズを熱レンズと呼ぶ。レーザ動作とともに熱レンズが生じることから、平面方向に曲率ミラーやレンズなどの光学部品を配置する必要がなく、安定なレーザ動作が可能となる。このため、レーザ共振器の両端が平面で構成することができるため、簡単な構成でレーザ出力が得られるなどの特徴がある。
このような熱レンズにより共振器を形成するレーザでは、熱レンズの強さ(レンズパワー)は、レーザ共振器が安定に動作する範囲内に設定される必要がある。使用した熱レンズの強さが、レーザ安定動作条件が得られる熱レンズよりも小さい、または、大きい場合のいずれの場合にも、レーザは発振しない。一方、安定動作条件が得られる範囲内の熱レンズを使用したときは、レーザ出力が得られる。また、安定動作条件の範囲内の熱レンズでも、レーザが非発振となる条件に近い場合には、レーザ共振器でのレーザ共振損失が大きくなることから、レーザ出力が低いなどの特徴がある。このため、レーザ出力を安定に得るためには、熱レンズはレーザ共振器で決定される一定の範囲内のレンズパワーである必要がある。このため、レーザ媒質5で発生する熱量、櫛型のヒートシンク2の形状、熱容量などを適切に設定することで、熱レンズのレンズパワーを安定動作範囲内に設定することができる。このような場合、熱レンズが安定した定常状態では高出力なレーザ出力を安定に得ることができる。
しかし、パルス動作や、連続(CW)動作の立上がり時には、熱レンズの過渡応答が生じる。レーザ動作前は、発生熱はないため、熱レンズもない。半導体レーザによる励起により熱の発生が開始されると、熱量、櫛型のヒートシンク2の形状、熱容量などにより決定される時定数で、熱レンズのレンズパワーが大きくなり、一定の時間で定常状態のレンズパワーが生じる。このとき、熱レンズのレンズパワーは、励起が開始された瞬間は0であり、時間と共に徐々に強くなる。このため、励起が開始された瞬間からレーザの安定動作条件が得られる熱レンズとなるまではレーザは非発振となる。さらに、レンズパワーが大きくなると出力が増加し、定常状態のレンズパワーでは、損失の小さいレーザ共振器となることから、高い出力のレーザ光が安定に得られる。
国際公開第2005/033791号パンフレット
平面方向に熱レンズを利用することで安定動作を得ている平面導波路型レーザでは、パルス動作や、連続(CW)動作の立上がり時などの、熱レンズの過渡応答動作時には、レーザが非発振となったり、レーザ出力が小さいことがあるなど、出力の時間安定性が低いという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、励起が開始された瞬間から定常状態と同等のレーザ出力を得ることができる平面導波路型レーザおよびそれを用いたディスプレイ装置を得ることを目的とする。
この発明は、略々平板状のレーザ媒質と、上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の一方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質に励起光を入射する半導体レーザと、上記レーザ媒質の下面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第1のクラッドと、上記レーザ媒質の上面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第2のクラッドと、上記第1のクラッドの下面に接合されたヒートシンクと、上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の他方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質から出射された基本波レーザ光のうちの一部の所定の波長のレーザ光を反射し、その他の波長を透過する波長選択導波路と、上記第2のクラッドの上面に接合された熱レンズ発生手段とを備え、鉛直方向は、上記レーザ媒質または上記波長選択導波路の導波路モードでレーザ発振し、水平方向は、上記熱レンズ発生手段により上記レーザ媒質に周期的な熱レンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振し、上記波長選択導波路を非線形材料で構成して、上記波長選択導波路に入射された基本波レーザ光を異なる波長のレーザ光に変換して出力することを特徴とする平面導波路型レーザである。
この発明は、略々平板状のレーザ媒質と、上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の一方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質に励起光を入射する半導体レーザと、上記レーザ媒質の下面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第1のクラッドと、上記レーザ媒質の上面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第2のクラッドと、上記第1のクラッドの下面に接合されたヒートシンクと、上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の他方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質から出射された基本波レーザ光のうちの一部の所定の波長のレーザ光を反射し、その他の波長を透過する波長選択導波路と、上記第2のクラッドの上面に接合された熱レンズ発生手段とを備え、鉛直方向は、上記レーザ媒質または上記波長選択導波路の導波路モードでレーザ発振し、水平方向は、上記熱レンズ発生手段により上記レーザ媒質に周期的な熱レンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振し、上記波長選択導波路を非線形材料で構成して、上記波長選択導波路に入射された基本波レーザ光を異なる波長のレーザ光に変換して出力することを特徴とする平面導波路型レーザであるので、励起が開始された瞬間から定常状態と同等のレーザ出力を得ることができる。
この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザの構成を示す側面図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザの構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザの構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザの構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザの構成を示す拡大部分断面図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザにおける熱レンズを発生させていない場合の動作を説明した説明図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザにおける熱レンズを発生させた場合の動作を説明した説明図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザにおける熱レンズを発生させていない場合の半導体レーザ、発生熱、レンズパワー、レーザ繻子力のパルス動作の時間波形を説明した説明図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザにおける熱レンズを発生させた場合の半導体レーザ、発生熱、レンズパワー、レーザ繻子力のパルス動作の時間波形を説明した説明図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザにおける熱レンズ発生手段の動作が連続動作でない場合の半導体レーザ、発生熱、レンズパワー、レーザ繻子力のパルス動作の時間波形を説明した説明図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザにおいて光学軸に沿って出力側に非線形材料7を配置した構成を示す側面図である。 この発明の実施の形態2による平面導波路型レーザの構成を示す拡大部分断面図である。 この発明の実施の形態3による平面導波路型レーザの構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態3による平面導波路型レーザの構成を示す拡大部分断面図である。 この発明の実施の形態1〜3による平面導波路型レーザを光源として用いたディスプレイ装置の構成を示す構成図である。 従来の平面導波路型レーザの構成を示す図である。 従来の平面導波路型レーザにおける温度分布および熱の流れを示した説明図である。
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための最良の形態について、添付の図面に従ってこれを説明する。
実施の形態1.
図1A〜図1Dは、この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザの構成を示す図である。図1Aは、この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザの側面図、図1Bは、図1A記載のa−a’断面図、図1Cの(c1)および(c2)は、図1B記載のb−b’断面図、図1Dは、レーザ共振器の発振モードを示す上面図である。これらの図に示されるように、本実施の形態1による平面導波路型レーザは、半導体レーザ1と、櫛型のヒートシンク2と、接合剤3と、第1および第2のクラッド(低屈折率部)4a,4bと、レーザ媒質5と、熱レンズ発生手段20とから構成される。また、6はレーザ発振方向を表す光学軸である。なお、図1に示すように、さらに、接合剤21および基板22を、レーザ媒質5の強度を補強するために配置してもよい。また、図8に示すように、平面導波路型レーザの出力側に非線形材料7を配置する場合がある。非線形材料7は、平面導波路型レーザから出力される基本波レーザ光が入射され、その一部を反射し、残りの一部を波長の異なるレーザ光に変換して出力する。
レーザ媒質5は、水平方向に配置された、略々長方形の平板状の部材であり、光学軸6に対して垂直な端面5aおよび端面5bの形状は共に長方形である。端面5aおよび端面5bは、具体的には、y軸方向(鉛直方向)の厚さが数〜数十μm、x軸方向(水平方向)の幅が数百μm〜数mmの大きさを有する。なお、以下の説明においては、レーザ媒質5の長方形の長手方向をx軸、高さ方向をy軸、光学軸6方向をz軸とした座標系を用いる。
第1および第2のクラッド4a,4bは、レーザ媒質5に比べて小さな屈折率を有し、レーザ媒質5のxz平面に平行な面に、それぞれ、接合される。具体的には、第1のクラッド4aはレーザ媒質5の下面に接合され、第2のクラッド4bはレーザ媒質5の上面に接合されている。なお、第1および第2のクラッド4a,4bは、例えば、光学材料を原料とした膜をレーザ媒質5に蒸着するか、あるいは、光学材料をオプティカルコンタクト、または、拡散接合などによって、レーザ媒質5に光学的に接合することにより形成される。第1および第2のクラッド4a,4bは、レーザ媒質5のxz平面に対して鉛直な方向に導波路を形成するためのものである。
ヒートシンク2は、図1Bに示すように、櫛型形状を有している。ヒートシンク2は、熱伝導度の大きな材料で構成され、接合剤3を介して、第1のクラッド4aと接合される。
接合剤3は、レーザ媒質5で発生した熱を、第1のクラッド4aを介して、ヒートシンク2に排熱する。この接合剤3は、金属半田や光学接着剤、熱伝導接着剤等から構成される。第1のクラッド4aの下面、すなわち、接合剤3が塗布される面は、接合剤3との接合の強度を上げるため、メタライズ(金属膜を付着)を行っても良い。なお、ヒートシンク2を光学材料で構成した場合には、第1のクラッド4aとヒートシンク2とを、接合剤3を用いずに、例えば、オプティカルコンタクト、または、拡散接合などによって、直接接合しても良い。
半導体レーザ1は、図1Aに示すように、レーザ媒質5の端面5aに近接して配置され、レーザ媒質5の端面5aに励起光を入射する。図示は省略したが、必要に応じて、半導体レーザ1に対して、冷却用のヒートシンクを接合するようにしてもよい。半導体レーザ1のx軸方向の大きさは、図1Cに示すように、レーザ媒質5のx軸方向の大きさとほぼ等しい。これにより、半導体レーザ1は、x軸方向にほぼ一様に励起光を出力する。また、半導体レーザ1は、図1Cに示すように、LD光を出力する複数個の活性層1aをx軸方向に配列したマルチエミッタ半導体レーザであっても良い。この場合、複数個の活性層1aから複数のLD光が出力するので、x軸方向に複数並んだレーザ出力光が得られる。半導体レーザ1より出力されたLD光は、端面5aからレーザ媒質5にxz平面方向に入射して、レーザ媒質5に吸収される。
熱レンズ発生手段20は、レーザ媒質5の上面に配置された第2のクラッド4bの上面に配置されている。熱レンズ発生手段20は、図1A〜図1Cに示されるように、レーザ発振方向を示す光学軸6と平行な帯状の部材であり、上から見た場合、図1Cに示すように、櫛型のヒートシンク2の櫛歯の間に配置されている。なお、活性層1aが複数個あるマルチエミッタの半導体レーザである場合には、エミッタ数毎に帯状の熱レンズ発生手段20を設けてもよい。また、その場合に、熱レンズ発生手段20は、半導体レーザ1のそれぞれの活性層1aから出力される励起光のほぼ上面になるように配置する。
熱レンズ発生手段20は、帯状の薄膜抵抗で構成することができる。このとき、熱レンズ発生手段20は、帯状の薄膜抵抗の両端に電圧を印可することで熱を発生する。マルチエミッタの半導体レーザ1において、帯状の薄膜抵抗を複数個並べて熱レンズ発生手段を構成する例としては、図1C(c1)および(c2)に示す2例がある。すなわち、図1C(c1)のように、複数の帯状の薄膜抵抗を並列に接続してもよいし、あるいは、図1C(c2)のように、複数の帯状の薄膜抵抗を直列に接続してもよい。このようにして接続した薄膜抵抗の両端に電圧を印可することで、熱レンズ発生手段20は、複数の励起光の上部でそれぞれ熱を発生させることができる。
また、熱レンズ発生手段20を構成する帯状の薄膜抵抗は、第2のクラッド4bの上面全体に蒸着やメッキにより形成した後、エッチングにより選択的に残して帯状にすることができる。薄膜抵抗の材料は、例えば、Ni−PやCrなどを用いる。さらに、蒸着やメッキが可能な他の材料を用いてもよい。
ここで、レーザ媒質5の端面5aには基本波レーザ光を反射する全反射膜が施され、端面5bには基本波レーザ光を透過する反射防止膜が施されている。また、図8に示すように、平面導波路型レーザの出力側に非線形材料7を配置した場合には、レーザ出力が入射される端面を端面7aとし、第二高調波レーザ光を出力する端面を端面7bとすると、端面7aには、基本波レーザ光を透過して、第二高調波レーザ光を反射する光学膜が施され、端面7bには、基本波レーザ光を反射して、第二高調波レーザ光を透過する光学膜が施される。これらの全反射膜、反射防止膜、及び、光学膜は、例えば、誘電体薄膜を積層して構成される。なお、半導体レーザ1より出力される励起光を、レーザ媒質5の端面5aから入射する場合には、端面5aの全反射膜は、励起光を透過し、基本波レーザ光を反射する光学膜となる。
レーザ媒質5としては、一般的な固体レーザ材料を使用することができる。例えば、Nd:YAG、Nd:YLF、Nd:Glass、Nd:YVO4、Nd:GdVO4、Yb:YAG、Yb:YLF、Yb:KGW、Yb:KYW、Er:Glass、Er:YAG、Tm:YAG、Tm:YLF、Ho:YAG、Ho:YLF、Tm、Ho:YAG、Tm、Ho:YLF、Ti:Sapphire、Cr:LiSAFなどを用いる。
また、非線形材料7としては、一般的な波長変換用材料を用いることができる。例えば、KTP、KN、BBO、LBO、CLBO、LiNbO3、LiTaO3などを用いる。また、光損傷に強いMgO添加LiNbO3、MgO添加LiTaO3、定比LiNbO3、定比LiTaO3を用いれば、入射する基本波レーザ光のパワー密度を上げることができるため、高効率な波長変換が可能である。さらに、周期反転分極構造を持つMgO添加LiNbO3、MgO添加LiTaO3、定比LiNbO3、定比LiTaO3、KTPを用いれば、非線形定数が大きいため、さらに高効率な波長変換が可能である。
次に、レーザ媒質5の中で発生する温度分布について、図2を用いて説明する。図2は、図1Bに示した、ヒートシンク2から基板22までの構成を示した拡大部分断面図である。
図2に示すように、レーザ媒質5内では、発熱領域において、半導体レーザ1から入射されて吸収した励起光のパワーの一部が熱に変換されて、熱が発生される。発生した熱は、第1のクラッド4aおよび接合剤3を介して、ヒートシンク2に伝導され、ヒートシンクにより外部に排熱される。この時、ヒートシンク2が櫛型形状をしており、接合剤3により第1のクラッド4aに接合されている部分が、櫛歯の先端部のみであるため、2つの櫛歯の中間部には、2つの櫛歯のほぼ中心からx軸方向の両側に熱の流れが発生する。したがって、2つの櫛歯のほぼ中心の温度が最大となり、櫛歯の部分に近づくに従い、温度が低下する(図2(a)の温度分布を参照のこと)。
レーザ媒質5などの光学材料は、温度差にほぼ比例して屈折率が変化する。単位温度あたりの屈折率変化dn/dTが正の材料を用いた場合、温度の高い2つの櫛歯の中心部の屈折率が大きくなり、櫛歯の部分に近づくに従い屈折率が小さくなる。その結果、x軸方向には、2つの櫛歯の中心部を光軸とした熱レンズ(熱レンズ効果)が発生する。こうして、熱レンズ発生手段20により、各櫛歯の中心部を光軸とした熱レンズ(熱レンズ効果)が発生するため、レーザ媒質5に周期的な熱レンズ効果が形成される。
レーザ媒質5は、半導体レーザ1により複数の活性層1aから等間隔に励起されており、上面から見た場合、励起はヒートシンク2の櫛歯の間に位置している。ヒートシンク2の櫛歯も、x軸方向にほぼ等間隔に配置されている。したがって、熱レンズ効果も周期的に発生し、櫛歯の本数をm本とすると(m−1)個のレンズをほぼ等間隔に並べた効果が得られる。周期的に発生する熱レンズの強さ、および、周期は、ヒートシンク2の櫛歯の間隔、櫛歯の太さ、櫛歯の長さ、および、熱伝導度と、接合剤3の熱伝導度、および、厚さと、第1および第2のクラッド4aおよび4bの材料および厚さとにより、任意に調整可能である。
このように、半導体レーザ1の熱レンズは、半導体レーザ1の動作に依存して、レーザ媒質5内で発生する。一方、熱レンズ発生手段20は薄膜抵抗により構成しているため、電圧の印可により発熱させることができる。熱レンズ発生手段20は、半導体レーザ1で励起を行なう軸上に配置されているため、励起により発生する熱レンズのレンズパワーを強くすることができる。また、励起を行なっていない場合でも、熱レンズ発生手段20を構成している薄膜抵抗の発生熱により、レーザ媒質5に熱レンズを生じさせることができる。
次に動作について説明する。
レーザ媒質5の端面5aから入射した励起光は、レーザ媒質5で吸収されて、レーザ媒質5内部で基本波レーザ光に対する利得を発生する。図1A〜図1Bには、レーザ媒質5の端面5bに、基本波レーザ光の一部を反射する部分反射膜を形成し、レーザ媒質5の光学軸6に垂直な端面5aおよび端面5b間でレーザ発振する基本波レーザについて示す。さらに、図8には、レーザ媒質5の端面5bに、基本波レーザ光を透過する反射防止膜5cを形成し、光学軸6に沿って非線形材料7を配置した構成について示す。
図8の構成において、レーザ媒質5内部で発生した利得により、基本波レーザ光は、レーザ媒質5の端面5aおよび非線形材料7の端面7a間で、レーザ発振する。なお、非線形材料7は、基本波レーザ光が入射されたときに、非線形効果により基本波レーザ光が第2高調波レーザ光に変換されるように、結晶軸角度、温度、または、周期反転分極の周期が最適化されている。したがって、端面5aと端面7aとの間で発振した基本波レーザ光が、非線形材料7に入射すると、基本波レーザ光の一部が波長変換されて、第二高調波レーザ光に変換され、端面7bより外部に出力される。
また、第二高調波レーザ光に変換されずに残留した基本波レーザ光は、端面7bで全反射されて、再度、非線形材料7を通過して、第二高調波レーザ光に変換される。こうして残留した基本波レーザ光の一部が変換されて発生した第二高調波レーザ光は、端面7aで全反射して、端面7bより外部に出力される。
このように、非線形材料7は、レーザ媒質5の光学軸6上に、レーザ媒質5の端面5bに近接して配置され、所望の波長の基本波レーザ光の一部を反射し、その他の波長を透過する波長選択導波路として動作する。
本発明においては、基本波レーザを出力する構成、および、波長変換を行う高調波レーザ光を出力する構成のいずれにも適用可能であり、以降、基本波レーザを出力する構成について説明するが、波長変換素子である非線形材料7を配置することで、波長変換を行う高調波レーザ光を出力する構成にも同様の特徴を有する。
レーザ媒質5のy軸方向は、厚さが波長の数〜数十倍程度であり、レーザ媒質5よりも屈折率の小さな第1および第2のクラッド4a及び4b、および、空気により挟まれているため、屈折率の高いレーザ媒質5に基本波レーザ光が閉じ込められる導波路として動作し、基本波レーザ光は導波路のモードで選択的に発振する。導波路のモードは、第1および第2のクラッド4a及び4bの屈折率、および、レーザ媒質5のy軸方向の厚さを調整することにより任意に設定可能であり、低次のモード、または、単一モードのみを導波させて、高輝度発振が実現可能である。また、排熱により発生する熱分布により、y軸方向にも屈折率分布が発生するが、第1および第2のクラッド4a及び4bとレーザ媒質5との屈折率差、および、空気とレーザ媒質5との屈折率差が、熱分布による屈折率変化に比べて十分大きければ、導波路のモードが優勢となり、熱による影響は無視することができる。
非線形材料7は、y軸に垂直な上下面を空気、あるいは、非線形材料7に比べて小さな屈折率を有するクラッド(図示省略)で挟まれており、厚さが波長の数〜数十倍程度であるため、レーザ媒質5と同様に、y軸方向は導波路として動作する。また、非線形材料7がレーザ光を吸収して発熱する場合には、非線形材料7の下面、または、非線形材料7に接合したクラッドに、ヒートシンクを接合して排熱しても良い。なお、非線形材料7に直接ヒートシンクを接合する場合には、ヒートシンク材料に非線形材料7よりも小さな屈折率を有する光学材料を使用するか、または、非線形材料7よりも小さな屈折率を有する接合剤、例えば、光学接着剤などを用いて、非線形材料7のy軸方向を導波路として使用できるようにする。
レーザ共振器内のy軸方向におけるレーザ発振は、レーザ媒質5、または、非線形材料7の導波路のモードで、選択的に発振する。レーザ媒質5の導波モードと、非線形材料7の導波モードは、それぞれ、厚さ、および、クラッドとの屈折率差により、任意に設定可能であり、低次のモード、または、単一モードのみ導波させて、高輝度発振が実現可能である。
レーザ媒質5の導波モードと非線形材料7の導波路モードは、必ずしも一致する必要はなく、例えば、いずれかの導波モードをマルチモードとして、もう一方の導波モードを単一モードとすれば、レーザ発振のモードは最も低次のモードで制限されるため、単一モードで選択的に発振することが可能である。もちろん、同じ導波モードとなるように構成しても良い。
レーザ共振器内のx軸方向におけるレーザ発振は、レーザ媒質5、および、非線形材料7の幅が、基本波レーザ光、および、第二高調波レーザ光の波長に比べて十分大きいため、導波路によるモードの選択は行われず、空間型の共振器となる。すなわち、x軸方向は、熱レンズ発生手段20によりレーザ媒質5に周期的な熱レンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振する。
次に、熱レンズ発生手段20で熱レンズを発生させていない場合と、発生させた場合の動作について説明する。
はじめに、熱レンズ発生手段20で熱レンズを発生させていない場合について説明する。図5に、半導体レーザの動作、発生熱、レンズパワー(1/熱レンズ焦点距離)、レーザ出力のパルス動作の時間波形を示す。また、図3に、パルス、または、CW動作の立上がり時の動作についての説明図を示す。パルス動作、および、CW動作の立上がり時には、LD電流波形(図5(a))が矩形状であれば、固体レーザ媒質での発生熱(図5(b))もほぼLD電流波形に依存して矩形状になる。しかしながら、熱レンズの発生は、発生熱量、ヒートシンク2の櫛歯の間隔、櫛歯の太さ、櫛歯の長さ、熱伝導度、接合剤3の熱伝導度、厚さ、第1および第2のクラッド4の材料、厚さ、各材料の熱抵抗などにより、応答の遅れが生じる。このため、レンズパワー(1/熱レンズ焦点距離)(図5(c))は、LD電流の動作開始から徐々に増加し、時間t1後に定常状態のレンズパワーとなる。また、LD電流の停止後には、徐々にレンズパワー(図5(c))が弱くなる。図3に説明するように、レンズパワーが小さい場合には、レーザ共振のシングルモードビームサイズが大きくなることから、周回損失が大きくなり、レーザ媒質5の増幅利得よりも周回損失が大きいことから、非発振となる。一方、レンズパワーが徐々に強くなり、1/f1よりも強くなることで、レーザ発振が開始する。レーザ共振シングルモードビームサイズは小さくなり、共振損失は徐々に小さくなることからレーザ出力は増加する。レンズパワーが1/f2よりも強く1/f6よりも弱い範囲においては、ビーム径の大きさによる周回損失の発生が小さくなり、周回するレーザ光の他の損失要因(例えば導波路の導波損失やレーザ媒質5の端面コーティングの反射損、波長変換素子7との結合損失など)が支配的になることからビーム径に依存せずレーザ出力は一定になる。さらに、レンズパワーが強くなり、最終的に定常状態のレンズパワー1/f3となる動作点(1)で、レーザ動作は安定する。このようにレンズパワーがLD電流の動作開始から強くなることから、図5(d)に示すように、レンズパワーが1/f1になるまでの時間t2の間は、発振せず、レーザ出力が得られない。次に、レンズパワーが1/f1から1/f2まで強くなる間t3は、ビーム径が小さくなることで周回損失が小さくなるためにレーザ出力が増加する。レンズパワーが1/f2から定常状態の1/f3になる間は、レーザ出力はすでに定常状態で出力している。このため、レーザ出力が定常状態で安定に出力するためには、LD電流の動作開始から、時間(t2+t3)の経過を待たなければならない。このような光源を例えばレーザを光源に用いたTVに利用することを考えた場合、立上がり時の出力が小さいことから表示される色が変化し、低品質な画質になるなどの問題がある。
次に、熱レンズ発生手段20で熱レンズを発生させた場合について説明する。図6に、半導体レーザの動作、発生熱、レンズパワー(1/熱レンズ焦点距離)、レーザ出力のパルス動作の時間波形を示す。また、図4に、パルス、または、CW動作の立上がり時の動作についての説明図を示す。熱レンズ発生手段20で定常的に熱を発生させており(図6(b)記載のE2)、LDの動作前から1/f4のレンズパワーが生じる。1/f4のレンズパワーは定常状態のレーザ出力が得られるレンズパワー範囲(1/f2〜1/f6)の間となるように設定する。このため、レーザ動作開始時には、図4の動作点(2)で動作する。パルス動作、および、CW動作の立上がり時には、LD電流波形(図6(a))が矩形状であれば、固体レーザ媒質で発生する分の発生熱(図6(b)記載のE1)も、ほぼLD電流波形に依存して矩形状になる。このため、LD電流動作時には熱レンズ発生手段20と励起による発生熱の合計の熱量が生じる。LD電流の動作開始から励起による発生熱によりレンズパワーは徐々に強くなり、時間t1の経過後に定常状態のレンズパワー1/f5となる。LD電流の停止後は徐々にレンズパワーが弱くなり、熱レンズ発生手段20によるレンズパワーの1/f4となる。ここで、LD電流動作時の定常状態の熱レンズ1/f5を定常状態のレーザ出力が得られるレンズパワー範囲(1/f2〜1/f6)の間となるように設定しておくことで、LD電流の動作によるレンズパワーの変化に依存せず、常に一定のレーザ出力が得られる。このため、定常状態では図4の動作点(3)で動作する。したがって、LD電流動作開始直後から最大出力が得られ、パルス動作およびCW動作の立上がり時のいずれの時間においても出力の安定したレーザ光が得られるなどの効果がある。
レンズパワーが1/f2〜1/f6となる範囲においては、シングルモードビームサイズによる周回損失の発生が小さくなり、周回するレーザ光の他の損失要因(例えば導波路の導波損失やレーザ媒質5の端面コーティングの反射損、波長変換素子7との結合損失など)が支配的になることから、ビーム径に依存せず、レーザ出力は一定になる。一方、半導体レーザにより励起領域には変化はないため、シングルモードビームサイズが変化した場合、レーザ発振するビームの横モードは変化する。シングルモードビームサイズが小さくなることで、高次の横モードでのレーザ発振となる。従って、レーザ出力は変化がないが、ビーム品質は変化することとなる。このように熱レンズのレンズパワーが定常状態ではないパルス動作およびCW動作の立上がり時には、ビーム品質が一定ではなく変化するなどの特徴がある。
次に、熱レンズ発生手段20の動作が連続動作ではなく、半導体レーザが駆動していない時間でのみ動作するように設定した場合について説明する。図7(b)に示すように、熱レンズ発生手段20の発生熱をLD電流駆動時の励起による発生熱と同等の熱量で、半導体レーザが駆動していない時間でのみ動作するように設定する。このため、発生熱の合計はLD電流の動作に依存せず、常に一定となる。このため、パルス動作を行なった場合でも、レンズパワーの変化は生じない。従って、パルス動作およびCW動作の立上がり時のいずれの時間においても、出力の安定したレーザ光が得られ、さらに、熱レンズの変化がないことから、レーザ共振のシングルモードビーム径の変化もなく、レーザ出力のビーム品質が常に一定に保たれるなどの効果がある。
以上のように、本実施の形態1に係る平面導波路型レーザは、水平方向に配置された、略々平板状のレーザ媒質5と、レーザ媒質5の光学軸6上に、レーザ媒質5の一方の端面5aに近接して配置され、レーザ媒質5に励起光を入射する半導体レーザ1と、レーザ媒質5の下面に接合され、レーザ媒質5の鉛直方向に導波路を形成する第1のクラッド4aと、レーザ媒質5の上面に接合され、レーザ媒質5の鉛直方向に導波路を形成する第2のクラッド4bと、第1のクラッド4aの下面に接合されたヒートシンク2と、レーザ媒質5の光学軸6上に、レーザ媒質5の他方の端面5bに近接して配置され、レーザ媒質5から出射された基本波レーザ光のうちの一部の所定の波長のレーザ光を反射し、その他の波長を透過する波長選択導波路と、第2のクラッド4bの上面に接合された熱レンズ発生手段20とを備えている。また、波長選択導波路を非線形材料7で構成して、上記波長選択導波路に入射された基本波レーザ光を異なる波長のレーザ光に変換して出力するようにした。この構成により、本実施の形態1に係る平面導波路型レーザは、y軸方向(鉛直方向)は、レーザ媒質5の導波路モード(非線形材料7が設けられていれば、非線形材料7の導波路モード)でレーザ発振し、x軸方向(水平方向)は、熱レンズ発生手段20によりレーザ媒質5に周期的なレンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振するようにしたので、励起による熱レンズの大きさによらず、周回損失の小さな共振器を形成することができ、パルス動作やCW動作の立ち上がり特性を平滑にし、高出力で安定した出力を得ることができる。
また、本実施の形態1による平面導波路型レーザは、例えば、レーザを光源として用いたテレビやディスプレイ装置に利用することができる。レーザを光源として用いた例としては、リアプロジェクションTV、フロントプロジェクションTV、液晶TVのバックライトとしての利用などがあるが、これら以外の種々のテレビおよびディスプレイ装置にも利用可能である。代表例として、図12に、本発明の波長変換レーザを光源として用いたレーザテレビの構成を示す。図12に示すように、レーザテレビ25は、赤色光源26と、緑色光源27と、青色光源28と、これらの光源26〜28に接続された光伝搬手段29と、光伝搬手段29に接続された光学系30と、光学系30からの画像が投影されるスクリーン31とから構成される。赤色光源26、緑色光源27、および、青色光源28により出射される各光は、光伝搬手段29によって結合されて光学系30に出射され、光学系30によってスクリーン31に投影される。なお、これらの赤色光源26、緑色光源27、および、青色光源28を、本実施の形態1による平面導波路型レーザで構成する。このように、本実施の形態1の平面導波路型レーザをテレビ用光源及びディスプレイ装置用光源に用いることによって、色再現性に優れ、高輝度、高精細、高色域、低消費電力な、レーザテレビ及びディスプレイ装置が実現できる。
実施の形態2.
図9は、本発明の実施の形態2による平面導波路型レーザの構成を示す図である。図9に示す構成は、特に明記しない限り、図1で示した構成と基本的に同じである。従って、以下の説明においては、図1の構成と異なる点について説明する。図9は、図1A記載のa−a’断面図の一部を拡大した拡大部分断面図である。なお、本実施の形態2による平面導波路型レーザも、実施の形態1と同様に、レーザテレビ及びディスプレイ装置に利用可能である。
本実施の形態2においては、図9に示すように、熱レンズ発生手段20を第1のクラッド4aの下面に配置した。熱レンズ発生手段20は、実施の形態1と同様に、帯状の薄膜抵抗で構成することができる。熱レンズ発生手段20を構成する帯状の薄膜抵抗は、第1のクラッド4aの下面全面に蒸着やメッキにより形成した後、エッチングにより選択的に残して帯状にすることができる。なお、熱レンズ発生手段20を構成する帯状の薄膜抵抗は、図9に示すように、ヒートシンク2の櫛型構造の櫛歯の間に配置する。また、当該櫛歯の先端に施す接合剤3として、樹脂などの接着剤を用いることで、隣り合った薄膜抵抗間を絶縁することができるので、図1C(c1)および(c2)に示すように、薄膜抵抗を直列や並列に接続することができる。また、接合剤3として、はんだなどの金属系の接合剤を用いる場合には、ヒートシンク2の櫛歯の上部のみを選択的に接合することが望ましい。また、薄膜抵抗への配線を容易にするために、基板22および接合剤21(図示す省略)の大きさを、レーザ媒質5の平板面の大きさよりも、小さくしておくことが望ましい。
以上のように、本実施の形態2においても、上記の実施の形態1と同様に、y軸方向(鉛直方向)は、レーザ媒質5または波長選択導波路の導波路モードでレーザ発振し、x軸方向(水平方向)は、熱レンズ発生手段20によりレーザ媒質5に周期的なレンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振するようにしたので、励起による熱レンズの大きさによらず、周回損失の小さな共振器を形成することができ、パルス動作やCW動作の立ち上がり特性を平滑にし、高出力で安定した出力を得ることができる。
また、本実施の形態2においては、熱レンズ発生手段20を第1のクラッド4aの下面に配置し、熱の発生を連続的に行なうことにより、LD電流動作開始直後から最大出力が得られ、パルス動作およびCW動作の立上がり時のいずれの時間においても出力の安定したレーザ光が得られる。
また、熱レンズ発生手段20を半導体レーザ1が駆動していない時間でのみ動作することで、パルス動作およびCW動作の立上がり時のいずれの時間においても出力の安定したレーザ光が得られ、さらに、熱レンズの変化がないことからレーザ共振のシングルモードビーム径の変化もなく、レーザ出力のビーム品質が常に一定に保たれる。
また、熱レンズ発生手段20を第1のクラッド4aの下面に配置することで、第2のクラッド4bと基板22との接合面に段差がなく、強い接合強度が得られることから、素子全体の剛性が向上し、長期信頼性が向上する。また、段差がないことから、接合剤21も不要となり、その分だけ、製造工程が容易になるとともに、コスト削減が図れる。
実施の形態3.
図10および図11は、本発明の実施の形態3による平面導波路型レーザの構成を示す図である。図10に示す構成は、特に明記しない限り、図1で示した構成と基本的に同じである。従って、以下の説明においては、図1の構成と異なる点について説明する。図10は、図1A記載のa−a’断面図であり、図11は、図10のa−a’断面図の一部を拡大した拡大部分断面図である。なお、本実施の形態3による平面導波路型レーザも、実施の形態1及び2と同様に、レーザテレビ及びディスプレイ装置に利用可能である。
本実施の形態3においては、レーザ媒質5の下面に配置している第1のクラッド4aは接合材3によりヒートシンク2bと全面接合している。なお、本実施の形態3におけるヒートシンク2bは櫛型の形状をしておらず、接合面は平面形状である。このように、第1のクラッド4aの全面を接合剤3を介してヒートシンク2bに全面接合したため、平面導波路型レーザの剛性が向上し、長期信頼性が向上するなどの効果がある。
しかしながら、第1のクラッド4aを全面接合することで、半導体レーザ1の励起による熱レンズのレンズパワーは小さくなる。励起領域が発熱領域になり、熱は拡散しながら、ヒートシンク2bに排熱される。上記の実施の形態1および2で説明した櫛型の接合をしている場合に比べ、本実施の形態3においては、接合面が大きいため、熱抵抗が小さく、レーザ媒質5の温度上昇が小さい。このため、熱レンズのレンズパワーが小さく、熱レンズ発生手段20が動作してない場合は、定常状態の熱レンズでもレーザ発振可能なシングルモードビーム径よりも大きく、損失の大きい共振器となるため、レーザ発振が困難になる。
そのため、本実施の形態3においては、熱レンズ発生手段20に定常的に十分な発熱を電気的に発生させることで、熱抵抗が小さい場合でも、レーザ発振が可能な熱レンズが得られるようにした。パルス動作およびCW動作の立上がり時においては、励起LDによる発生熱により温度上昇し、熱レンズのレンズパワーが強くなるが、ヒートシンク2bが全面接合されており、熱抵抗が小さいため、櫛型のヒートシンク2で接合している場合に比べ、励起LDの動作によるレンズパワーの変化が小さい。このため、熱レンズ発生手段20で共振器損失が十分に小さくなるシングルモードビームサイズとなるような発生熱で動作させることで、高出力なレーザ出力がLD電流の駆動開始から安定に得られるとともに、励起LDによる発生熱によるレンズパワーの変化が小さいことからビーム品質の変化も小さいなどの効果がある。また、熱レンズ発生手段20は、DC電流を一定に印可しておけばよく、励起LDの動作に依存した制御を行う必要がないなど制御が簡便であるなどの効果もある。
以上のように、本実施の形態3においても、上記の実施の形態1および2と同様に、y軸方向(鉛直方向)は、レーザ媒質5または波長選択導波路の導波路モードでレーザ発振し、x軸方向(水平方向)は、熱レンズ発生手段20によりレーザ媒質5に周期的なレンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振するようにしたので、励起による熱レンズの大きさによらず、周回損失の小さな共振器を形成することができ、パルス動作やCW動作の立ち上がり特性を平滑にし、高出力で安定した出力を得ることができる。
また、本実施の形態3においては、ヒートシンク2bを櫛型とせずに、接合面を平面形状として、ヒートシンク2bを第1の4aに全面接合するようにしたので、熱抵抗が小さく、励起LDの動作によるレンズパワーの変化が小さくなるため、熱レンズ発生手段20で共振器損失が十分に小さくなるような発生熱で動作させることで、高出力なレーザ出力をLD電流の駆動開始から安定に得られるという効果が得られる。
なお、上記の説明においては、本実施の形態3を、図1に示した実施の形態1の構成に適用させた例について説明した。しかしながら、本実施の形態3を、図9に示した実施の形態2の構成に適用させるようにしてもよく、その場合においても、同様の効果が得られることは言うまでもない。

Claims (8)

  1. 略々平板状のレーザ媒質と、
    上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の一方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質に励起光を入射する半導体レーザと、
    上記レーザ媒質の下面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第1のクラッドと、
    上記レーザ媒質の上面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第2のクラッドと、
    上記第1のクラッドの下面に接合されたヒートシンクと、
    上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の他方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質から出射された基本波レーザ光のうちの一部の所定の波長のレーザ光を反射し、その他の波長を透過する波長選択導波路と、
    上記第2のクラッドの上面に接合された熱レンズ発生手段と
    を備え、
    鉛直方向は、上記レーザ媒質または上記波長選択導波路の導波路モードでレーザ発振し、
    水平方向は、上記熱レンズ発生手段により上記レーザ媒質に周期的な熱レンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振し、
    上記波長選択導波路を非線形材料で構成して、上記波長選択導波路に入射された基本波レーザ光を異なる波長のレーザ光に変換して出力する
    ことを特徴とする平面導波路型レーザ。
  2. 略々平板状のレーザ媒質と、
    上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の一方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質に励起光を入射する半導体レーザと、
    上記レーザ媒質の下面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第1のクラッドと、
    上記レーザ媒質の上面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第2のクラッドと、
    上記第1のクラッドの下面に接合されたヒートシンクと、
    上記第2のクラッドの上面に接合された熱レンズ発生手段と
    を備え、
    鉛直方向は、上記レーザ媒質の導波路モードでレーザ発振し、
    水平方向は、上記熱レンズ発生手段により上記レーザ媒質に周期的な熱レンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振する
    ことを特徴とする平面導波路型レーザ。
  3. 略々平板状のレーザ媒質と、
    上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の一方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質に励起光を入射する半導体レーザと、
    上記レーザ媒質の下面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第1のクラッドと、
    上記レーザ媒質の上面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第2のクラッドと、
    上記第1のクラッドの下面に接合されたヒートシンクと、
    上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の他方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質から出射された基本波レーザ光のうちの一部の所定の波長のレーザ光を反射し、その他の波長を透過する波長選択導波路と、
    上記第1のクラッドの下面に接合された熱レンズ発生手段と
    を備え、
    鉛直方向は、上記レーザ媒質または上記波長選択導波路の導波路モードでレーザ発振し、
    水平方向は、上記熱レンズ発生手段により上記レーザ媒質に周期的な熱レンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振し、
    上記波長選択導波路を非線形材料で構成して、上記波長選択導波路に入射された基本波レーザ光を異なる波長のレーザ光に変換して出力する
    ことを特徴とする平面導波路型レーザ。
  4. 略々平板状のレーザ媒質と、
    上記レーザ媒質の光学軸上に上記レーザ媒質の一方の端面に近接して配置され、上記レーザ媒質に励起光を入射する半導体レーザと、
    上記レーザ媒質の下面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第1のクラッドと、
    上記レーザ媒質の上面に接合され、上記レーザ媒質に対して鉛直方向に導波路を形成する第2のクラッドと、
    上記第2のクラッドの下面に接合されたヒートシンクと、
    上記第1のクラッドの下面に接合された熱レンズ発生手段と
    を備え、
    鉛直方向は、上記レーザ媒質の導波路モードでレーザ発振し、
    水平方向は、上記熱レンズ発生手段により上記レーザ媒質に周期的な熱レンズ効果を形成して複数の共振器モードでレーザ発振する
    ことを特徴とする平面導波路型レーザ。
  5. 上記ヒートシンクは上記光学軸に垂直な断面内で櫛型構造を有し、上記ヒートシンクの接合面は上記櫛型構造部の櫛歯の先端部であって、上記レーザ媒質で発生した熱が上記櫛歯の先端部に伝導されて排熱されることにより生じる周期的な温度分布で、上記周期的な熱レンズ効果を形成することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の平面導波路型レーザ。
  6. 上記熱レンズ発生手段は、上記光学軸に平行で、かつ、上記半導体レーザからの上記励起光に隣接する部分に選択的に形成される複数の帯状構造を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の平面導波路型レーザ。
  7. 上記熱レンズ発生手段の上記帯状構造は薄膜抵抗で構成されることを特徴とする請求項6に記載の平面導波路型レーザ。
  8. 請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の平面導波路型レーザを光源として用いたことを特徴とするディスプレイ装置。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2175533B1 (en) 2007-07-27 2019-06-19 Mitsubishi Electric Corporation Planar waveguide laser apparatus
JP5933246B2 (ja) * 2011-12-15 2016-06-08 三菱電機株式会社 モード制御平面導波路型レーザ装置
US9981124B2 (en) 2012-04-26 2018-05-29 Medtronic, Inc. Devices and techniques for detecting magnetic resonance imaging field
WO2017006395A1 (ja) * 2015-07-03 2017-01-12 三菱電機株式会社 レーザ装置
WO2017026005A1 (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 三菱電機株式会社 平面導波路型レーザ装置
CN105576492A (zh) * 2016-02-01 2016-05-11 西安电子科技大学 一种利用热效应控制激光光束指向角的方法
JP6627651B2 (ja) * 2016-06-09 2020-01-08 三菱電機株式会社 レーザ素子、レーザ素子の製造方法
US9972960B1 (en) * 2016-12-16 2018-05-15 Raytheon Company Reflection/absorption coating for metallurgical bonding to a laser gain medium
CN112332006B (zh) 2019-08-27 2021-09-17 宁德时代新能源科技股份有限公司 电池包
WO2021214897A1 (ja) * 2020-04-22 2021-10-28 日本電信電話株式会社 波長変換装置
CN114759062B (zh) * 2022-04-01 2024-06-21 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种热偶式高灵敏度微波功率传感芯片及传感器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58189553U (ja) 1982-06-14 1983-12-16 株式会社東芝 固体レ−ザ発振装置
JP2737180B2 (ja) 1988-11-29 1998-04-08 旭硝子株式会社 レーザダイオード励起固体レーザ
EP0499396A3 (en) 1991-02-13 1993-04-14 Coherent, Inc. Method and device for preconditioning a laser having a solid state gain medium
US5132980A (en) 1991-02-13 1992-07-21 Coherent, Inc. Method and device for preconditioning a laser having a solid state gain medium
DE19510713C2 (de) * 1995-03-15 2001-04-26 Laser Analytical Systems Las E Festkörperlaservorrichtung mit Mitteln zur Einstellung eines Temperaturprofils des Laserkörpers
DE19647677A1 (de) * 1996-11-19 1998-05-20 Daimler Benz Ag Laser- und Verstärkersystem zur Erzeugung einfrequenter Laserstrahlung
DE19755457A1 (de) * 1997-12-01 1999-06-10 Deutsche Telekom Ag Verfahren und Anordnung zur Wellenlängenabstimmung einer optoelektronischen Bauelemente-Anordnung
JP2001203410A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Hamamatsu Photonics Kk ジグザグスラブ固体レーザ増幅器、及びジグザグスラブ固体レーザの熱レンズ効果補償方法
GB0211202D0 (en) * 2002-05-16 2002-06-26 Univ Heriot Watt Novel waveguide resonator
US7403549B2 (en) 2003-10-01 2008-07-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wavelength conversion laser and image display
EP1763116B1 (en) * 2005-03-30 2015-04-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Mode control waveguide laser
WO2007013608A1 (ja) * 2005-07-28 2007-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. レーザ光源およびディスプレイ装置
US20080063016A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-13 Vikram Bhatia Thermal compensation in semiconductor lasers
EP2175533B1 (en) 2007-07-27 2019-06-19 Mitsubishi Electric Corporation Planar waveguide laser apparatus
JPWO2009028079A1 (ja) 2007-08-30 2010-11-25 三菱電機株式会社 固体レーザ素子

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