JPWO2010016098A1 - 採光型太陽電池モジュール - Google Patents

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Abstract

このモジュール20は、光透過性の第1,第2基板21,22と、複数の円環状のクラスター30とを備え、このクラスター30は、複数の球状の太陽電池セル32と、複数の太陽電池セル32の第1電極37が電気的に並列接続された複数の導電被膜31と、複数の太陽電池セル32の第2電極38が電気的に並列接続された複数の導電部材48と、導電被膜31と導電部材48を介して並列接続された複数のバイパスダイオード40と、導電被膜31を所定方向に隣接するクラスター30の導電部材48に電気的に接続する複数の導電接続部材50とを有する。クラスター30を円環状や雪の結晶状や1直線状パターンに構成し、複数のクラスター30を配設することで、採光率と発電能力の比率選択性の許容幅を向上させることができ、窓材としての意匠性を高め得ることができる。

Description

本発明は採光型太陽電池モジュールに関し、特に、複数の球状太陽電池セルを含むクラスターを複数形成し、これら複数のクラスターを複数行複数列のマトリックス状など様々なパターンに配設し、且つ1対の光透過性の基板に一体的に組み込んだ採光型太陽電池モジュールに関する。
従来、採光可能な窓材に太陽電池セルを組み込んだ種々の太陽電池モジュール或いは太陽電池パネルが既に実用化されている。一般的に、ウェハ状のシリコン結晶から製造された平板状のシリコン太陽電池セルを、2枚のガラス板と重ね合わせて作るシリコン型太陽電池モジュール(或いはパネル)がある。このモジュールは、太陽電池セルを適当な間隔を空けて平面状に並べ、リボン状の導体で各セルを結線したものを、2枚のガラス板の間にEVA(エチレンビニルアセテート)樹脂を用いて隙間を埋め込むようにして張り合わせたものである。
また、アモルファスと微結晶を組み合わせた薄膜型太陽電池モジュールがある。このモジュールを窓材に形成する為には、先ず、ガラス基板上に透明電極膜TCO(SnO2)を成膜し、セル電極部分を作るためレーザ光を用いて分離分割する。次いで、シリコン薄膜、アモルファスシリコン(a-Si)、シリコン薄膜微結晶を順次積層し、レーザ光でこの発電層を一定のピッチで分離分割する。さらに、裏面全体に電極となる金属薄膜を全面に被着し、再度レーザ光で金属層を絶縁分離して小さな薄膜太陽電池セルを一度に多数個直列接続する。
これら上記の太陽電池モジュールにおいては、受光面が太陽電池セルの片面に限られたものであり、モジュール周囲の光の利用範囲が狭く発電能力が低いものである。また、シリコン型太陽電池モジュールにおいては、大きなサイズの平板型太陽電池セルにより採光率を悪化させてしまう。さらに、薄膜型太陽電池モジュールにおいては、ガラス基板に薄膜を製造することに困難が伴うものである。
そこで、本願発明者は上記の問題を鑑みて特許文献1のような球状太陽電池セルを提案した。この球状太陽電池セルは、直径が1〜2mmのp形又はn形の球状半導体と、この球状半導体の表面近傍に形成された球面状のpn接合と、その球状半導体の表面の両端に球の中心を挟んで対向するように設けた1対の小さな正,負電極などで構成されている。この球状太陽電池セルは、上記のシリコン型太陽電池セルや薄膜型太陽電池セルと比較して、小型なものであって容易に且つ安価に製造できるものである。
この球状太陽電池セルは、表面が球面であるため、直射光のほか、反射光、散乱光が多い環境においてその効果を十分に発揮する。例えば、透明なパッケージ内に収めた場合には、その内部の反射光及び散乱光も発電に寄与でき、窓を兼ねた太陽電池モジュールをビルなどの建物に垂直に設置した場合、地面や周囲の建物などの反射光も吸収して発電することができる。太陽の直射光は、時間と共に入射角が変化するが受光面が球面状であるため、平面型と比較すると入射方向に依存せずに比較的安定した発電も期待できる。
また、本願発明者は、特許文献2や特許文献3に示すように、上記の球状太陽電池セルを複数行複数列配置のマトリックス状に配設し、フレキシブルな細い導線やプリント配線によって並列接続および直列接続し、1対の透明ケース板間に透明樹脂でモールドしたシースルー型の太陽電池モジュールを提案している。
国際公開WO98/15983号公報 国際公開WO03/36731号公報 国際公開WO2007/80631号公報
しかし、上記特許文献1〜3の複数の球状太陽電池セルは、略直線状に且つ密接状態に配設されているため、意匠性の向上を図る上では問題がある。例えば、上記の球状太陽電池モジュールが組み込まれた窓材の場合では、太陽電池セルが密接状態に配設されているので、窓材としての採光率と太陽電池モジュールとしての発電能力を適宜設定する設計の自由度が狭くなり、太陽電池セルにより視界が遮られてしまい意匠性を高めることができない、などの問題がある。
本発明は、窓材としての意匠性を向上させ得る採光型太陽電池モジュールを提供すること、窓材としての採光率を高め得る採光型太陽電池モジュールを提供すること、などである。
本発明に係る採光型太陽電池モジュールは、複数の球状の太陽電池セルにより発電する採光型太陽電池モジュールにおいて、光透過性の第1基板と、導電方向を第1基板と直交方向に揃え且つ複数クラスターにグループ化された複数の球状の太陽電池セルと、前記第1基板の内面に複数クラスターに対応させて形成され、各クラスターの複数の太陽電池セルの第1電極が電気的に並列接続された複数の導電被膜と、前記複数クラスターの各々における複数の太陽電池セルの第2電極が電気的に並列接続された複数の導電部材と、前記複数クラスターの各々における導電被膜を、所定方向に隣接するクラスターの導電部材に電気的に接続する複数の導電接続部材と、前記第1基板に対して複数の太陽電池セルを挟んで平行に配置された光透過性の第2基板と、前記第1,第2基板との間に充填されて複数の太陽電池セルと複数の導電部材と複数の導電接続部材を埋め込んだ状態にモールドする光透過性の合成樹脂モールド材と、を備えたことを特徴としている。
本発明の採光型太陽電池モジュールによれば、複数クラスターの各々が、複数の球状の太陽電池セルを有するので、各クラスターがセルの配設パターンを自由に形成することができる。このため、窓材としての意匠性を向上することができる。このクラスターが複数配設されているので、一定の配置パターンを太陽電池モジュールに付与することができ、意匠性を向上することができる。また、球状の太陽電池セルは非常に小さいため窓材に適用されても採光性を確保することができる。
本発明の上記の構成に加えて、次のような種々の構成を採用してもよい。
(1)前記第1基板の一端部に前記採光型太陽電池モジュールの正極端子を設け、第1基板の他端部に前記採光型太陽電池モジュールの負極端子を設ける。
(2)前記太陽電池セルは、p形又はn形の球状半導体と、この球状半導体の表層部に形成された球面状のpn接合と、球状半導体の中心を挟んで対向するように形成されて前記pn接合の両端に接合された1対の電極とを有する。
(3)前記複数クラスターに対応する複数のバイパスダイオードであって、前記複数の導電被膜及び導電部材を介して並列接続された複数のバイパスダイオードを備える。
(4)前記太陽電池セルは、逆電流をバイパスするバイパス機能を有する。
(5)前記導電接続部材は、導電被膜に連続する導電被膜延長部とこの導電被膜延長部の端部に接続された導電接続片とを有し、前記各クラスターにおける複数の太陽電池セルと前記導電接続片と前記バイパスダイオードは円環状に配設され、複数のクラスターが複数行複数列のマトリックス状に配設される。
(6)前記各行又は各列のクラスターの複数の太陽電池セルは、前記導電接続部材を介して直列接続され、前記複数列又は複数行のクラスターの各々における複数の導電被膜を電気的に接続する架橋導電被膜を設ける。
(7)前記各クラスターの複数の太陽電池セルは、内側六角形の頂点に配置された6個の太陽電池セル、前記内側六角形の外側の外側六角形の頂点に配置される。
(8)前記導電接続部材は導電被膜に連続する導電被膜延長部と、この導電被膜延長部の端部に接続された導電接続片とを有し、前記導電接続片は前記外側六角形の頂点に配置され、前記バイパスダイオードは前記内側六角形の中心部に配設される。
(9)前記複数のクラスターは、正三角形メッシュのメッシュ点に前記内側六角形の中心部を位置させるように複数行又は複数列に配置される。
(10)前記複数行又は複数列における行又は列方向と直交する方向にジグザグ状に並ぶ複数のクラスターにおける前記複数の導電被膜を電気的に接続する架橋導電被膜を設ける。
(11)前記各クラスターの複数の太陽電池セルは1直線状に配設される。
(12)前記第1,第2基板は、透明なガラス板で構成される。
(13)前記導電被膜により採光が遮断されない採光領域の全体の面積に占める比率が50%以上である。
(14)複数枚の前記採光型太陽電池モジュールを金属製の外周フレームに組み付けることで複数行又は複数列に配設される。
(15)前記複数の導電被膜の下地に着色及びパターン化した図柄のセラミック膜を形成する。
本発明の実施例1に係る採光型太陽電池モジュールが組み込まれた太陽電池パネルの裏面図である。 採光型太陽電池モジュールの一部切欠き正面図である。 太陽電池パネルの側面図である。 図1のIV−IV線断面図である。 図1のV−V線断面図である。 導電部材を除いた複数のクラスターが複数行複数列のマトリックス状に配設され配線された第1基板の正面図である。 図6の各クラスターに導電部材を接続した状態の第1基板の正面図である。 図2のVIII−VIII線断面図である。 図2のIX−IX線断面図である。 球状太陽電池セルの断面図である。 太陽電池モジュールの等価回路図である。 太陽電池モジュールに入射する光の挙動と太陽電池モジュールの要部拡大断面図である。 実施例2に係る太陽電池モジュールの導電部材を除いた複数のクラスターが雪の結晶状に配設され配線された第1基板の正面図である。 図13の各クラスターに導電部材を接続した状態の第1基板の正面図である。 図14のXV−XV線断面図である。 図14のXVI−XVI線断面図である。 図14の要部拡大正面図である。 図17のXVIII−XVIII線断面図である。 実施例3に係る太陽電池モジュールの複数のクラスターが玉簾状に配設され配線された第1基板の正面図である。 図19のXX−XX線断面図である。 図19のXXI−XXI線断面図である。 図20の太陽電池セルの要部拡大断面図である。 図19の太陽電池セルの要部拡大正面図である。 図20の導電接続片とバイパスダイオードの要部拡大断面図である。 図19の導電接続片とバイパスダイオードの要部拡大正面図である。 実施例4に係る太陽電池セルの断面図である。 太陽電池セルの要部拡大断面図である。 太陽電池セルの等価回路図である。
符号の説明
1 太陽電池パネル
3 外周フレーム
20,20A,20B 採光型太陽電池モジュール
21 第1基板
22,22B 第2基板
23 正極端子
24 負極端子
27 モールド材
29,29A,29B セラミック膜
30,30A,30B クラスター
31,31A,31B 導電被膜
32,32A,32B,32C 太陽電池セル
33 球状半導体層
34 平坦面
35 拡散層
36 pn接合
37 第1電極
38 第2電極
39 反射防止膜
40,40A,40B バイパスダイオード
48,48A,48B 導電部材
50,50A,50B 導電接続部材
51,51A,51B 導電被膜延長部
53,53A,53B 導電接続片
55,55A 架橋導電被膜
以下、本発明を実施するための最良の形態について実施例に基づいて説明する。
先ず、本発明が適用される太陽電池パネル1について説明する。
図1〜図5に示すように、太陽電池パネル1は、窓材として構成されるものであって、外周フレーム3と、3枚の採光型太陽電池モジュール20とから構成されている。3枚の採光型太陽電池モジュール20(以下、モジュールとする)を、長手方向を横向きにし、同一平面上に3行1列のマトリックス状に配設して外周フレーム3に組み付ける。
外周フレーム3とモジュール20との隙間、及び上下に隣り合うモジュール20との隙間には、シーリング材15(例えば、シリコン樹脂)が充填され、雨や有害なガスが内部に侵入するのを防止する。尚、モジュール20の枚数を3枚に限定する必要はなく、外周フレーム3のサイズを変更し、複数枚のモジュール20を外周フレームに組み付けることで複数行又は複数列に配設することも可能である。
図3〜図5に示すように、外周フレーム3は、アルミ製のものであって、上下1対の水平フレーム5a,5bと左右1対の垂直フレーム6a,6bとから構成されている。上側の水平フレーム5aには、水平フレーム5aの長手方向に沿って延設された導電性の内部端子8aと、この内部端子8aの両端部に接続された左右1対の出力端子9aと、これら出力端子9aを外周フレーム3から絶縁する絶縁部材11aと、内部端子8aを下側に付勢するリーフバネ12と、モジュール20を上側からバックアップし且つ内部端子8aを水平フレーム5aから絶縁するバックアップ部材13aとを備えている。
下側の水平フレーム5bには、水平フレーム5bの長手方向に沿って延設された導電性の内部端子8bと、この内部端子8bの両端部に接続された左右1対の出力端子9bと、出力端子9bを外周フレーム3から絶縁する絶縁部材11bと、モジュール20を下側からバックアップし且つ内部端子8bを水平フレーム5bから絶縁するバックアップ部材13bとを備えている。尚、外周フレーム3を構成する素材は、アルミに限らず種々の金属製の材料が適用可能である。
上側及び下側の出力端子9a,9bは、金属製の細長い薄板状のもので、一端部が内部端子8a,8bの左右両端部に夫々一体的に接続され、他端部が外周フレーム3からパネル1の裏側に向けて突出されている。リーフバネ12により、上側の出力端子9aの内部端子8aが上段モジュール20の負極端子24に押圧されると共に、上段モジュール20の正極端子23が中段モジュール20の負極端子24に押圧され、中段モジュール20の正極端子23が下段モジュール20の負極端子24に押圧され、電気的に確実に接続される。下段モジュール20の下側の出力端子9bの内部端子8bは、モジュール20の自重により正極端子23に押圧されることで、電気的に確実に接続される。隣り合うモジュール20間の電気的な接続は、上段モジュール20の自重により上段の正極端子23が中段モジュール20の負極端子24に押圧接触し、中段の正極端子23が下段モジュール20の負極端子24に押圧接触することでも接続される。
次に、3枚の採光型太陽電池モジュール20について説明するが、これら3枚のモジュール20は全て同様の構造を有するので、1枚のモジュール20についてのみ説明する。
図6〜図10に示すように、このモジュール20は、複数の球状の太陽電池セル32により発電するものであって、光透過性の第1基板21と、この第1基板21上に複数行複数列のマトリックス状に配設された複数の円環状のクラスター30と、第1基板21に対して複数の太陽電池セル32を挟んで平行に配置された光透過性の第2基板22と、基板21,22との間に充填されて複数のクラスター30を埋め込んだ状態にモールドする光透過性の合成樹脂モールド材27を備えている。
次に、第1基板21と第2基板22について説明する。
第1基板21は、周縁を面取りされた透明なガラスで構成され、例えば、厚さ2.8mm,縦210mm,横297mmに加工されたものである。第1基板21の下端部に外部接続用の断面逆L字状の正極端子23(正極バンバー)を設け、第1基板21の上端部に外部接続用の断面L字状の負極端子24(負極バンバー)を設けている(図8参照)。第2基板22は、第1基板21と同様に、周辺を面取りされた透明なガラスで構成され、例えば、厚さ2.8mm,縦210mm,横297mmに加工されたものである。基板21,22との隙間に充填される合成樹脂モールド材27は、例えばEVA(エチレンビニルアセテート)樹脂が使用される。
このように、光透過性の合成樹脂モールド材27が、基板21,22との間に充填されて複数の太陽電池セル32と複数の導電部材31と複数のバイパスダイオード40と複数の導電接続部材50を埋め込んだ状態にモールドし一体化されるため、太陽電池セル32が保護されると共に振動や機械的衝撃が強化され、モジュール20全体の破損を防止することができ、安全性を高めることができる。また、通常使われている合わせガラス、網入りガラスと同様、万一破損した場合でも破片が飛び散るのが防げる。
ここで、このモジュール20の製造方法を簡単に説明する。
第1基板21の上に複数のクラスター30を夫々設け、シート状のモールド材27を複数のクラスター30の上に載置し、その上に第2基板22を積み重ねて公知のラミネータ装置に収容する。このラミネータ装置は、伸縮性を持つ膜によって上下に仕切られた真空室を有する。下側は、プレートを通じて試料を加熱するヒータを有する。第2基板22を積み重ねた試料を加熱プレート上に置いて膜で仕切られた上下の空間のガスを排気しながらモールド材27を150℃程度で加熱し熱溶融する。
その後、真空にした膜の上側の真空室のみ空気を導入すると仕切り膜によって基板21,22の両面が導入した空気圧で押圧される。そして、そのまま冷却してモールド材27(EVA樹脂)を固化させる。この熱溶融と硬化によって固体で乳白色であったモールド材27は透明化し、基板21,22間の複数のクラスター30は接着し、両側がガラスで挟まれた一体化されたモジュール20が完成する。
次に、クラスター30の構造について説明する。
但し、複数のクラスター30は同じ構造のものであるため、1つのクラスター30について説明する。図2,図6〜図10に示すように、クラスター30は、円環状に形成されたものであって、第1基板21上に形成された導電被膜31と、10個の太陽電池セル32と、バイパスダイオード40と、導電接続部材50の導電接続片53と、これら太陽電池セル32とバイパスダイオード40と導電接続片53とを電気的に接続する導電部材48とから構成されている。
次に、導電被膜31について説明する。
導電被膜31は、第1基板21の内面に円環状に形成され、10個の太陽電池セル32の正電極37と、バイパスダイオード40の負電極45と、導電接続片53とが等間隔に配置され導電性ペースト31bを介して接続されている。バイパスダイオード40と導電接続片53は、お互い対向するように10個の太陽電池セル32間に配置され、導電接続片53が接続される分離導電被膜部31aは、2本のスリットにより電気的に切り離されている。この分離導電被膜部31aは、導電接続部材50の導電被膜延長部51と一体的に形成されている。尚、導電被膜31により採光が遮断されない採光領域の全体の面積に占める比率が50%以上である。
この導電被膜31は、先ず、導電被膜31の下地として第1基板21上に好みの色の顔料を混合したセラミックペーストをシルクスクリーン印刷して焼成し、セラミック膜29を形成する。次いで、セラミック膜29上にガラスフリットを含む銀ペーストをシルクスクリーン法で印刷し、550〜620℃の温度で焼成して導電被膜31が形成される。この導電被膜31の幅は2.4mm程度で太陽電池セル32の直径よりも大きい。厚さは0.25mm程度で使用状況に応じて厚さは0.01mm〜0.5mmの範囲で形成されても良い。尚、導電被膜31と同時に後述する導電接続部材50の導電被膜延長部51,51a,51bと、架橋導電被膜55も同様に形成される。
次に、球状太陽電池セル32の構造について説明する。
図10に示すように、太陽電池セル32は、導電方向を第1基板31と直交方向に揃えられたものであって、p形の球状半導体33と、この球状半導体33の表面の一部を研磨加工された平坦面34と、この球状半導体33の表層部にn形拡散層35を形成することで形成された球面状のpn接合36と、球状半導体33の中心を挟んで対向するように形成されてpn接合36の両端に接合された1対の正、負電極37,38(第1,第2電極)と、正,負電極37,38を除く部分に成膜された反射防止膜39とを有する。この正電極37が導電被膜31上に導電性ペースト31bを介して接続され、負電極38が導電部材48に導電性ペースト48aを介して接続されている。
この太陽電池セル32の製造方法について簡単に説明する。
この太陽電池セル32は、例えば、シリコンの液滴を自由落下し途中で凝固させる手法によって直径が約1.6mmの球状のp形シリコン単結晶33を作り、その後、表面の一部を研磨加工して平坦面34を設ける。この平坦面34とその周囲の一部を除いてn形不純物を表面から0.1μm程度の深さまで拡散しn形拡散層35を形成することで球面状のpn接合36を形成する。尚、球状のn形シリコン単結晶にp形の拡散層を形成することでpn接合を形成しても良い。
さらに、平坦面34を含む球面全体にシリコン酸化膜(SiO2)(必要に応じてシリコン窒化膜(SiN))を成膜して反射防止膜39とした後、次に、平坦面34と球面の頂部にある反射防止膜39に銀を含むペーストをドット状にプリントする。これをガス雰囲気内で800℃程度まで加熱し銀ペーストを反射防止膜39を貫通させてそれぞれp形の平坦面34、n形層の表面と低抵抗接触する正電極37と負電極38を設け、太陽電池セル32を完成させる。
この太陽電池セル32によると、図10に示すように、球面のpn接合36を有するため、平坦面34と電極37,38を除き太陽光の直射角度によらず常に一定の受光断面積が得られ安定した出力が得られる。さらに、電極37,38が球の中心を挟んでp形、n形表面の中央に設けられているため、電極37,38からpn接合36上の任意のa,b,c点とを結ぶ距離の和は等しく、a,b,c点で吸収し発生したキャリアの移動距離は等しく、流れる電流分布はほぼ均一となり曲線因子(CurveFill Factor)が大きくなる。また、受光範囲が3次元的であり直射光以外の反射光、拡散光をも同時に受光するため周囲の光の利用度も高く高出力が得られる。
次に、バイパスダイオード40について説明する。
図8に示すように、バイパスダイオード40は、その導電方向を第1基板21に対して直交方向になるように第1基板21上に固定され、10個の太陽電池セル32に導電被膜31と導電部材48を介して逆並列接続されている。このバイパスダイオード40は、太陽電池セル32と同様の直径と高さを有する円柱状のものであって、n形半導体41にp形不純物を拡散しp形拡散層42を形成することでpn接合43を形成し、n形半導体41の表面に負電極45を、p形拡散層42の表面に正電極46を夫々低抵抗接触させて設けたものである。
このバイパスダイオード40により、逆並列接続した同じクラスター30内の10個の太陽電池セル32が日陰などにより遮光され機能が停止した場合に、この機能停止したクラスター30内の太陽電池セル32に他の正常に機能(発電)しているクラスター30内の太陽電池セル32が起因となって逆方向に電圧が印加されても、このバイパスダイオード40が電流をバイパスすることで、逆並列接続した太陽電池セル32の破壊や損傷から保護することができ、クラスター30の部分遮光によるモジュール20全体の出力減少を最低限に留めることができる。
次に、導電部材48について説明する。
図7〜図9に示すように、導電部材48は、銀メッキした銅合金から、例えば直径0.3mmの円環状に形成された金属線であって、導電性ペースト48aを介して10個の太陽電池セル32の負電極38とバイパスダイオード40の正電極46と導電接続片53とを接続している。この導電部材48と導電被膜31により、10個の太陽電池セル32と導電接続片53が電気的に並列接続され、太陽電池セル32に対してバイパスダイオード40が電気的に逆並列接続され、1つの円環状のクラスター30が構成される。
次に、複数のクラスター30同士を電気的に接続する導電構造について説明する。
図6,図7に示すように、複数のクラスター30は、複数行複数列に配設され、各列の複数のクラスター30における複数の導電被膜31及び複数の導電部材48は導電接続部材50により直列接続され、各行の複数のクラスター30における複数の導電被膜31は架橋導電被膜55により並列接続されている。つまり、複数のクラスター30のうち各列のクラスター30の複数群の太陽電池セル32は、導電接続部材50を介して直列接続され、各行のクラスター30の複数群の太陽電池セル32は、架橋導電被膜55を介して並列接続されている。
導電接続部材50は、導電被膜31に連続する直線状の導電被膜延長部51と、この導電被膜延長部51に接続され且つクラスター30の一部を構成する導電接続片53とを有している。この導電被膜延長部51は、導電被膜31と同様に銀ペーストから形成されている。導電接続片53は、円柱状の金属片であってバイパスダイオード40と同様の直径と高さを有する。尚、導電被膜延長部51は必ずしも直線状である必要はなく、意匠に応じてジグザグ状や曲線状のものであっても良い。
各行の複数の導電被膜31を電気的に接続する架橋導電被膜55が設けられている。この架橋導電被膜55は、導電被膜31と同様に銀ペーストから形成される。尚、架橋導電被膜55は必ずしも直線状である必要はなく、ジグザグ状や曲線状のものであっても良い。各列の最も下側のクラスター30の導電被膜31は、導電被膜延長部51aを介して正極端子23に接続され、最も上側のクラスター30の導電被膜31は導電被膜延長部51bを介して負極端子24に接続されている。
このように、複数のクラスター30が、直列・並列接続されているので、一部のクラスター30が機能停止した場合などにおいても、それら機能を停止したクラスター30を迂回するように他のクラスターを通って電流が流れるため、その他の正常なクラスター30の発電機能が停止したり低下したりすることがなく、このモジュール20全体の出力低下に及ぼす影響を最低限に留めることができる。
次に、このモジュール20の等価回路図について説明する。
図11は、このモジュール20において、複数行複数列のマトリックス状に配設された複数のクラスター30を有する場合の等価回路を示すものである。
ここで、例えば、3行4列に配設された複数クラスター30が組み込まれたモジュールの出力について説明する。1個の太陽電池セル32の開放電圧が例えば0.6Vである場合、正極端子23と負極端子24の間に4個のクラスター30が直列接続されているので、2.4Vの電圧が発生する。そして各行の各クラスター30の1個の太陽電池セル32により発生する電流をIとすると、3個のクラスター30が並列接続されているので、正極端子23から30Iの電流が流出する。
つまり、3枚のモジュール20が組み付けられている太陽電池パネル1においては、7.2Vの電圧が発生し、正極端子から30Iの電流が流出する。尚、モジュール20の出力電圧を上げるには、クラスター30の直列接続数を増やし、モジュール20からの出力電流を上げる場合は、クラスター30の並列接続数を増やすことで実現できる。パネル1においても同様で、出力電圧を上げるには、モジュール20の直列接続数を増やし、モジュール20からの出力電流を上げる場合も、モジュール20の並列接続数を増やすことで実現できる。
次に、このモジュール20に入射する光の挙動について説明する。
図12は、このモジュール20に入射する光の挙動を示す為に、一部を拡大図示したものである。入射光aは、第2基板22から第1基板21へ素通りする光であり、入射光bは、第2基板22から太陽電池セル32に直接入射する光であり、入射光b’は、入射光bが第2基板22で反射した反射光である。
入射光cは、第2基板22から入射され太陽電池セル32周辺の導電被膜31で反射して太陽電池セル32に入射する光であり、入射光dは、太陽電池セル32周辺以外で多重反射して太陽電池セル32に入射する光であり、入射光eは、第1基板21から第2基板22へ素通りする光であり、入射光fは、第1基板21から入射し第2基板22で反射し太陽電池セル32に入射する光であり、入射光f’は、入射光fが第1基板21で反射した反射光である。つまり、室内への採光の為の基板21,22を素通りする光を除いて、基板21,22に垂直に入射する光は勿論、その他種々の方向から入射される光も太陽電池セル32の方へ導入されやすくなっており、入射光の利用効率を高めることができる。
このように、これら複数の太陽電池セル32は、直接入射される入射光以外に、基板21,22間の反射及び散乱によってもたらされる多方向から入射する光も吸収可能である。特に、銀を利用した導電被膜31は、電気伝導率と光反射率は高くなるため、配線による電気抵抗損失を少なくしながら内部反射により太陽電池セル32に到達する光の量を増やし、光起電力を高める効果がある。このクラスター30における太陽電池セル32が円の中心から放射状に等間隔に配置されているため、モジュール20の受光面の垂直軸の回転方向及び入射角に対する出力の方向依存性が少なくすることができる。
次に、この採光型太陽電池モジュール20の効果について説明する。
このモジュール20によれば、複数の太陽電池セル32が吸収した光は発電に、複数の太陽電池セル32間を透過した光は室内への採光とすることができる。モジュール20としての発電量と採光量の比率は、第1基板21に対する組み込んだ太陽電池セル32全体の投影面積に対して依存する。つまり、強い陽射しを和らげる場合には、太陽電池セル32の配置密度によって太陽電池セル32全体の投影面積を増やし、発電量をふやすことができる。
このモジュール20によれば、複数のクラスター30を配置するパターンを自由に設定することができるため、複数のクラスター30でもって意匠性の高い種々の模様を構成することができる。しかも、上記導電被膜31の下地として第1基板21の表面に好みの色の顔料を加えたセラミックペーストをシルクスクリーン印刷して焼成し、セラミック膜29を形成することにより基板21の下面(室内側)からみてカラフルな美しい模様を形成することも可能である。また、セラミック膜29により太陽電池セル32や導電被膜31を見えにくくすることができる。このため、光発電機能以外に建材としての意匠性の高いモジュールを実現することができる。さらに、セラミック膜29を形成することで、導電皮膜31との密着性を向上すると共にガラス基板21の強度を向上することができる。
このモジュール20によれば、複数行複数列のマトリックス状に配設された円環状のクラスター30が幾何学的な図柄を表現すると共に太陽光発電と採光を調和させた窓材として利用でき、円環状のクラスター30の内径と外径、及びこれらクラスター30の間隔は、意匠性、光透過率、発電出力を考慮した設計を可能とする。
このモジュール20によれば、導電被膜31と導電接続部材50と架橋導電被膜55による配線は、第1基板21の垂直方向から見て太陽電池セル32が隠れる程度の幅を持たせ、この配線の図柄あるいは絵柄が強調できるようにし、モジュール20の裏側から見た意匠性を高めるようにすると共に、表面から入射した光を反射させて太陽電池セル32の受光量を増やして出力を高めることができる。
このモジュール20によれば、複数の太陽電池セル32と、複数の導電被膜31のサイズは、従来の平板型太陽電池セルや薄膜太陽電池セルと比較すると、小さくかつ細かく分散して配置できるため、それ自体が大きな視野の妨げにならず均一な採光性と違和感のない内外の景観が見られるシースルー型の太陽電池モジュールとして利用できる。
このモジュール20によれば、光透過性の基板21,22の間に複数の太陽電池セル32を埋め込み、このモジュール20を窓材として使用することで、独立した太陽電池パネルを用いて発電する場合と比較して、ガラスなどの部材費用や設置にかかる諸費用を低減できる。また、第1基板21上に、複数の球状太陽電池セル32や複数の導電被膜31の部材を形成し、その上に第2基板22を積載するので、第2基板22には部品を形成する必要がなく組立が容易になる。
この実施例2は、前記実施例1の複数のクラスター30における複数の球状太陽電池セルの配置パターンを変更した採光型太陽電池モジュール20Aの例を示すものであり、前記実施例1と異なる構成についてのみ説明する。
図13〜図18に示すように、クラスター30Aは、雪の結晶のように形成されたものであって、第1基板21上に形成された導電被膜31Aと、11個の太陽電池セル32Aと、バイパスダイオード40Aと、導線接続部材50Aの導電接続片53Aと、これら太陽電池セル32Aとバイパスダイオード40Aと導電接続片53Aとを電気的に接続する導電部材48Aから構成されている。尚、このクラスター30Aを形成する雪の結晶状とは、内側六角形と、内側六角形の外側に同心状に配置された外側六角形とを有し、クラスターの中心と内側六角形の6頂点と外側六角形の6頂点とを6本の放射状直線で夫々結んだパターン状のものである。
導電被膜31Aは、第1基板21上に、中心点と内側六角形の各頂点と外側六角形の各頂点に形成された12個のドット状導電被膜61と、各ドット状導電被膜61をクラスター30Aの中心から外側に向けて結ぶ線状導電被膜62とから構成されている。このドット状導電被膜61は、太陽電池セル32の直径より大径に形成されている。線状導電被膜62のうち、導電接続片53Aが配設されるドット状導電被膜61とこの中心方向に隣接する太陽電池セル32Aが接続されるドット状導電被膜61との間の線状導電被膜62は省略される。この切り離されたドット状導電被膜62は、導電被膜延長部51Aの一端部と一体的に形成されている。
クラスター30Aの複数の太陽電池セル32Aは、内側六角形の頂点のドット状導電被膜61に配置された6個の太陽電池セル32Aと、内側六角形の外側の外側六角形の頂点のドット状導電被膜に配置された5個の太陽電池セル32Aとを有している。バイパスダイオード40Aは内側六角形の中心部のドット状導電被膜61に配設されている。つまり、11個の太陽電池セル32Aが並列接続され、これら太陽電池セル32Aに対してバイパスダイオード40Aが逆並列接続されている。導電部材48Aは、導電被膜31Aに対応するように雪の結晶状に形成され、この導電部材48Aを介して太陽電池セル32Aの負電極38とバイパスダイオード40Aの正電極46と導電接続片53Aとが電気的に接続されている。
次に、複数のクラスター30A同士を電気的に接続する導電構造について説明する。
図13,図14に示すように、複数のクラスター30Aは、正三角形メッシュのメッシュ点に内側六角形の中心部を位置させるように複数行複数列に配置され、導電接続部材50Aにより各クラスター30Aの複数の導電被膜31A及び導電部材48Aは直列接続され、架橋導電被膜55Aにより列方向と直交する方向にジグザグ状に並ぶ複数のクラスター30Aにおける複数の導電被膜31Aが電気的に並列接続されている。導電接続部材50Aは導電被膜31Aに連続する導電被膜延長部51Aと、この導電被膜延長部51Aの一端部に接続された導電接続片53Aとを有し、導電接続片53Aは外側六角形の頂点に配置されている。導電接続片53Aは、金属製の球状に形成されている。
次に、このモジュール20Aの効果について説明する。
このモジュール20Aによれば、11個の太陽電池セル32Aがクラスター30Aの中心から60°の間隔をあけて放射状に配設されているために、モジュール20Aに入射されてくる入射光に対する出力の方向依存性が前記実施例1と比較して少なくなる。
行方向のクラスター30Aをジグザグ状に配設している為に、直線状な日陰によって同一の並列接続された全ての太陽電池セル32Aが機能停止状態になる事態を減らすことができるので、バイパスダイオード40Aの代わりに太陽電池セル32Aを設け、モジュール20Aの出力を高めることができる。このモジュール20Aの表面または裏面からは導電被膜31Aと導電部材48Aにより雪の結晶状のような意匠性のあるパターンが見られ、太陽光を含む外来光を効率よく吸収し発電する太陽電池パネル1として利用できる。尚、その他の効果は、前記実施例1と同様であるので説明は省略する。
この実施例3は、前記実施例1の複数のクラスター30における複数の球状太陽電池セルの配置を変更した採光型太陽電池モジュール20Bの例を示すものであり、前記実施例1と異なる構成についてのみ説明する。
図19〜図25に示すように、このクラスター30Bは、横方向に1直線状に形成されたものであって、第1基板21の内面に形成された導電被膜31Bと、複数の球状太陽電池セル32Bと、バイパスダイオード40Bと、導電接続部材50Bの導電接続片53Bと、これら太陽電池セル32Bとバイパスダイオード40Bと導電接続片53Bとを電気的に接続する導電部材48Bから構成されている。
導電被膜31Bは、1直線状のものであって、複数の太陽電池セル32Aに対応する複数の円形導電被膜64と、これら円形導電被膜64の両側に設けられた2つの角形導電被膜65と、導電接続片53Bが接続される角形導電被膜65とそれと隣接する円形導電被膜64との間を除いて角形導電被膜65と円形導電被膜64及び円形導電被膜64同士を接続する線状導電被膜66とを有している。この導電被膜31Bは、縦方向に一定の間隔おきに複数本平行に第1基板21上に形成されている。尚、第2基板22Bの内面側の周辺部分22aは、サンドブラスト加工により粗面にしたすりガラス状に形成され、モジュール20Bの表面から正極端子23及び負極端子24、バイパスダイオード40Bや導電接続片53Bが見えにくい状態にされている。
各クラスター30Bの複数の太陽電池セル32Bは、円形導電被膜64上に1直線状に配設されて太陽電池セル32Bの正電極37が接続され、角形導電被膜65のうち円形導電被膜64から電気的に切り離されている一方に、導電接続片53Bが配設され、他方に太陽電池セル32Bとは逆並列接続になるようにバイパスダイオード40Bが接続されている。導電部材48Bは1直線状に形成され、この導電部材48Bを介して太陽電池セル32Bとバイパスダイオード40Bと導電接続片53Bとが電気的に接続されている。
次に、複数のクラスター30B同士を電気的に接続する導電構造について説明する。
この複数のクラスター30Bは、導電接続部材50Bを介して上側から下側に向けて直列接続されている。最上段のクラスター30Bの右側の角形導電被膜65は導電被膜延長部51bBを介して負極端子24に接続され、最下段のクラスター30Bの右側の角形導電被膜65は導電被膜延長部51aBを介して正極端子23に接続されている。
次に、このモジュール20Bの効果について説明する。
このモジュール20Bは、光が透過できるように太陽電池セル32Bを固着した1直線状の導電被膜31Bを間隔を設けて形成し、この導電被膜部分32Bを除いた透過部分の面積によって窓材としての採光率を決めることができる。表面または裏面から導電被膜31Bと導電部材48Bにより意匠性のあるパターンが見られ、且つ太陽光を含む外来光を効率よく吸収し発電する太陽電池パネル1として利用できる。尚、その他の効果は、前記実施例1と同様であるので説明を省略する。
この実施例4は、前記実施例1〜3の球状太陽電池セル32,32A,32Bの代わりに本実施例の太陽電池セル32Cを採用してもよい。また、この場合、前記バイパスダイオードを太陽電池セル32と置き替えることができる。図26〜図28に示すように、この太陽電池セル32Cは、球状のp形シリコン単結晶71と、シリコン単結晶71の一端部に形成された平坦面72と、この平坦面72を除いてシリコン単結晶71の表面部に形成されたn拡散層73と、シリコン単結晶71の中心を挟んで対向する正電極75,負電極76と、正電極75のシリコン単結晶71側の内面部に形成されたp拡散層77と、太陽電池セル32Cの表面のうちの正電極75及び負電極76以外の部分を覆う反射防止膜78とを備えている。
シリコン単結晶71の表面部には、光起電力を発生可能なpn接合として機能するpn74接合が形成されており、このpn接合74は、平坦面72を除く、シリコン単結晶71の表面から一定の深さ位置に実質的に球面状に形成されている。pn接合74の両端には、スポット状の1対の電極75,76が接続されている。正電極75の外周近傍部のうちの正電極75よりもシリコン単結晶側71部分には、トンネル効果によるバックワードダイオード特性を有するp接合79が環状に形成されている。つまり、この太陽電池セル32Cの等価回路は、図28のようになる。
このモジュールによると、並列接続された複数行のうちの1行のクラスターの一部又は全部の太陽電池セル32Cが影に入って、太陽電池セル32Cに逆電圧が印加されても、その行の太陽電池セル32Cのp接合79を通ってバイパス電流が流れる(図28参照)。従って、複数のクラスターをメッシュ状の直列並列回路により電気的に接続してなるモジュールにおいて、どのようなパターンの影が発生しても、発電電力をロスなく、取り出すことが可能になり、個々の太陽電池セルに悪影響が生ずることもない。また、バイパスダイオードを必要としないので、太陽電池セル数も増え、モジュールの出力を高めることができる。
次に、前記実施例を部分的に変更した種々の変更形態について説明する。
[1]このモジュールの出力電力と採光率(あるいは遮光率)の割合は、主として使用する複数の太陽電池セルの出力電力及びその使用数と、光透過性の第1基板上に設けた複数の導電被膜による遮光総面積に依存するので、窓材としての意匠性を高め付加価値を上げるため、複数の太陽電池セルの配置や使用数は、第1基板上の導電被膜の図柄あるいは絵柄に対応して種々設計することができる。
[2]このモジュールは、この採光型太陽電池パネル以外にも、利用が期待される窓材を含む建材、例えば、ガラス窓、アトリウム、トップライト、カーテンウォール、ファサード、キャノピー、ルーバー、ダブル・スキンの外面、バルコニーの手摺、高速道路や鉄道の防音壁などに適用することができる。
採光型太陽電池モジュールにおいて、複数の球状の太陽電池セルを含んだクラスターを複数配設し、各クラスターを円環状や雪の結晶状または1直線状に構成し、複数のクラスター配設することで、採光率と発電能力の比率選択性の許容幅を向上させることができ、窓材としての意匠性を高め得ることができる。
本発明は採光型太陽電池モジュールに関し、特に、複数の球状太陽電池セルを含むクラスターを複数形成し、これら複数のクラスターを複数行複数列のマトリックス状など様々なパターンに配設し、且つ1対の光透過性の基板に一体的に組み込んだ採光型太陽電池モジュールに関する。
従来、採光可能な窓材に太陽電池セルを組み込んだ種々の太陽電池モジュール或いは太陽電池パネルが既に実用化されている。一般的に、ウェハ状のシリコン結晶から製造された平板状のシリコン太陽電池セルを、2枚のガラス板と重ね合わせて作るシリコン型太陽電池モジュール(或いはパネル)がある。このモジュールは、太陽電池セルを適当な間隔を空けて平面状に並べ、リボン状の導体で各セルを結線したものを、2枚のガラス板の間にEVA(エチレンビニルアセテート)樹脂を用いて隙間を埋め込むようにして張り合わせたものである。
また、アモルファスと微結晶を組み合わせた薄膜型太陽電池モジュールがある。このモジュールを窓材に形成する為には、先ず、ガラス基板上に透明電極膜TCO(SnO )を成膜し、セル電極部分を作るためレーザ光を用いて分離分割する。次いで、シリコン薄膜、アモルファスシリコン(a-Si)、シリコン薄膜微結晶を順次積層し、レーザ光でこの発電層を一定のピッチで分離分割する。さらに、裏面全体に電極となる金属薄膜を全面に被着し、再度レーザ光で金属層を絶縁分離して小さな薄膜太陽電池セルを一度に多数個直列接続する。
これら上記の太陽電池モジュールにおいては、受光面が太陽電池セルの片面に限られたものであり、モジュール周囲の光の利用範囲が狭く発電能力が低いものである。また、シリコン型太陽電池モジュールにおいては、大きなサイズの平板型太陽電池セルにより採光率を悪化させてしまう。さらに、薄膜型太陽電池モジュールにおいては、ガラス基板に薄膜を製造することに困難が伴うものである。
そこで、本願発明者は上記の問題を鑑みて特許文献1のような球状太陽電池セルを提案した。この球状太陽電池セルは、直径が1〜2mmのp形又はn形の球状半導体と、この球状半導体の表面近傍に形成された球面状のpn接合と、その球状半導体の表面の両端に球の中心を挟んで対向するように設けた1対の小さな正,負電極などで構成されている。この球状太陽電池セルは、上記のシリコン型太陽電池セルや薄膜型太陽電池セルと比較して、小型なものであって容易に且つ安価に製造できるものである。
この球状太陽電池セルは、表面が球面であるため、直射光のほか、反射光、散乱光が多い環境においてその効果を十分に発揮する。例えば、透明なパッケージ内に収めた場合には、その内部の反射光及び散乱光も発電に寄与でき、窓を兼ねた太陽電池モジュールをビルなどの建物に垂直に設置した場合、地面や周囲の建物などの反射光も吸収して発電することができる。太陽の直射光は、時間と共に入射角が変化するが受光面が球面状であるため、平面型と比較すると入射方向に依存せずに比較的安定した発電も期待できる。
また、本願発明者は、特許文献2や特許文献3に示すように、上記の球状太陽電池セルを複数行複数列配置のマトリックス状に配設し、フレキシブルな細い導線やプリント配線によって並列接続および直列接続し、1対の透明ケース板間に透明樹脂でモールドしたシースルー型の太陽電池モジュールを提案している。
国際公開WO98/15983号公報 国際公開WO03/36731号公報 国際公開WO2007/80631号公報
しかし、上記特許文献1〜3の複数の球状太陽電池セルは、略直線状に且つ密接状態に配設されているため、意匠性の向上を図る上では問題がある。例えば、上記の球状太陽電池モジュールが組み込まれた窓材の場合では、太陽電池セルが密接状態に配設されているので、窓材としての採光率と太陽電池モジュールとしての発電能力を適宜設定する設計の自由度が狭くなり、太陽電池セルにより視界が遮られてしまい意匠性を高めることができない、などの問題がある。
本発明は、窓材としての意匠性を向上させ得る採光型太陽電池モジュールを提供すること、窓材としての採光率を高め得る採光型太陽電池モジュールを提供すること、などである。
本発明に係る採光型太陽電池モジュールは、複数の球状の太陽電池セルにより発電する採光型太陽電池モジュールにおいて、光透過性の第1基板と、導電方向を第1基板と直交方向に揃え且つ複数クラスターにグループ化された複数の球状の太陽電池セルと、前記第1基板の内面に複数クラスターに対応させて形成され、各クラスターの複数の太陽電池セルの第1電極が電気的に並列接続された複数の導電被膜と、前記複数クラスターの各々における複数の太陽電池セルの第2電極が電気的に並列接続された複数の導電部材と、前記複数クラスターの各々における導電被膜を、所定方向に隣接するクラスターの導電部材に電気的に接続する複数の導電接続部材と、前記第1基板に対して複数の太陽電池セルを挟んで平行に配置された光透過性の第2基板と、前記第1,第2基板との間に充填されて複数の太陽電池セルと複数の導電部材と複数の導電接続部材を埋め込んだ状態にモールドする光透過性の合成樹脂モールド材と、を備えたことを特徴としている。
本発明の採光型太陽電池モジュールによれば、複数クラスターの各々が、複数の球状の太陽電池セルを有するので、各クラスターがセルの配設パターンを自由に形成することができる。このため、窓材としての意匠性を向上することができる。このクラスターが複数配設されているので、一定の配置パターンを太陽電池モジュールに付与することができ、意匠性を向上することができる。また、球状の太陽電池セルは非常に小さいため窓材に適用されても採光性を確保することができる。
本発明の上記の構成に加えて、次のような種々の構成を採用してもよい。
(1)前記第1基板の一端部に前記採光型太陽電池モジュールの正極端子を設け、第1基板の他端部に前記採光型太陽電池モジュールの負極端子を設ける。
(2)前記太陽電池セルは、p形又はn形の球状半導体と、この球状半導体の表層部に形成された球面状のpn接合と、球状半導体の中心を挟んで対向するように形成されて前記pn接合の両端に接合された1対の電極とを有する。
(3)前記複数クラスターに対応する複数のバイパスダイオードであって、前記複数の導電被膜及び導電部材を介して並列接続された複数のバイパスダイオードを備える。
(4)前記太陽電池セルは、逆電流をバイパスするバイパス機能を有する。
(5)前記導電接続部材は、導電被膜に連続する導電被膜延長部とこの導電被膜延長部の端部に接続された導電接続片とを有し、前記各クラスターにおける複数の太陽電池セルと前記導電接続片と前記バイパスダイオードは円環状に配設され、複数のクラスターが複数行複数列のマトリックス状に配設される。
(6)前記各行又は各列のクラスターの複数の太陽電池セルは、前記導電接続部材を介して直列接続され、前記複数列又は複数行のクラスターの各々における複数の導電被膜を電気的に接続する架橋導電被膜を設ける。
(7)前記各クラスターの複数の太陽電池セルは、内側六角形の頂点に配置された6個の太陽電池セル、前記内側六角形の外側の外側六角形の頂点に配置される。
(8)前記導電接続部材は導電被膜に連続する導電被膜延長部と、この導電被膜延長部の端部に接続された導電接続片とを有し、前記導電接続片は前記外側六角形の頂点に配置され、前記バイパスダイオードは前記内側六角形の中心部に配設される。
(9)前記複数のクラスターは、正三角形メッシュのメッシュ点に前記内側六角形の中心部を位置させるように複数行又は複数列に配置される。
(10)前記複数行又は複数列における行又は列方向と直交する方向にジグザグ状に並ぶ複数のクラスターにおける前記複数の導電被膜を電気的に接続する架橋導電被膜を設ける。
(11)前記各クラスターの複数の太陽電池セルは1直線状に配設される。
(12)前記第1,第2基板は、透明なガラス板で構成される。
(13)前記導電被膜により採光が遮断されない採光領域の全体の面積に占める比率が50%以上である。
(14)複数枚の前記採光型太陽電池モジュールを金属製の外周フレームに組み付けることで複数行又は複数列に配設される。
(15)前記複数の導電被膜の下地に着色及びパターン化した図柄のセラミック膜を形成する。
本発明の実施例1に係る採光型太陽電池モジュールが組み込まれた太陽電池パネルの裏面図である。 採光型太陽電池モジュールの一部切欠き正面図である。 太陽電池パネルの側面図である。 図1のIV−IV線断面図である。 図1のV−V線断面図である。 導電部材を除いた複数のクラスターが複数行複数列のマトリックス状に配設され配線された第1基板の正面図である。 図6の各クラスターに導電部材を接続した状態の第1基板の正面図である。 図2のVIII−VIII線断面図である。 図2のIX−IX線断面図である。 球状太陽電池セルの断面図である。 太陽電池モジュールの等価回路図である。 太陽電池モジュールに入射する光の挙動と太陽電池モジュールの要部拡大断面図である。 実施例2に係る太陽電池モジュールの導電部材を除いた複数のクラスターが雪の結晶状に配設され配線された第1基板の正面図である。 図13の各クラスターに導電部材を接続した状態の第1基板の正面図である。 図14のXV−XV線断面図である。 図14のXVI−XVI線断面図である。 図14の要部拡大正面図である。 図17のXVIII−XVIII線断面図である。 実施例3に係る太陽電池モジュールの複数のクラスターが玉簾状に配設され配線された第1基板の正面図である。 図19のXX−XX線断面図である。 図19のXXI−XXI線断面図である。 図20の太陽電池セルの要部拡大断面図である。 図19の太陽電池セルの要部拡大正面図である。 図20の導電接続片とバイパスダイオードの要部拡大断面図である。 図19の導電接続片とバイパスダイオードの要部拡大正面図である。 実施例4に係る太陽電池セルの断面図である。 太陽電池セルの要部拡大断面図である。 太陽電池セルの等価回路図である。
1 太陽電池パネル
3 外周フレーム
20,20A,20B 採光型太陽電池モジュール
21 第1基板
22,22B 第2基板
23 正極端子
24 負極端子
27 モールド材
29,29A,29B セラミック膜
30,30A,30B クラスター
31,31A,31B 導電被膜
32,32A,32B,32C 太陽電池セル
33 球状半導体層
34 平坦面
35 拡散層
36 pn接合
37 第1電極
38 第2電極
39 反射防止膜
40,40A,40B バイパスダイオード
48,48A,48B 導電部材
50,50A,50B 導電接続部材
51,51A,51B 導電被膜延長部
53,53A,53B 導電接続片
55,55A 架橋導電被膜
以下、本発明を実施するための最良の形態について実施例に基づいて説明する。
先ず、本発明が適用される太陽電池パネル1について説明する。
図1〜図5に示すように、太陽電池パネル1は、窓材として構成されるものであって、外周フレーム3と、3枚の採光型太陽電池モジュール20とから構成されている。3枚の採光型太陽電池モジュール20(以下、モジュールとする)を、長手方向を横向きにし、同一平面上に3行1列のマトリックス状に配設して外周フレーム3に組み付ける。
外周フレーム3とモジュール20との隙間、及び上下に隣り合うモジュール20との隙間には、シーリング材15(例えば、シリコン樹脂)が充填され、雨や有害なガスが内部に侵入するのを防止する。尚、モジュール20の枚数を3枚に限定する必要はなく、外周フレーム3のサイズを変更し、複数枚のモジュール20を外周フレームに組み付けることで複数行又は複数列に配設することも可能である。
図3〜図5に示すように、外周フレーム3は、アルミ製のものであって、上下1対の水平フレーム5a,5bと左右1対の垂直フレーム6a,6bとから構成されている。上側の水平フレーム5aには、水平フレーム5aの長手方向に沿って延設された導電性の内部端子8aと、この内部端子8aの両端部に接続された左右1対の出力端子9aと、これら出力端子9aを外周フレーム3から絶縁する絶縁部材11aと、内部端子8aを下側に付勢するリーフバネ12と、モジュール20を上側からバックアップし且つ内部端子8aを水平フレーム5aから絶縁するバックアップ部材13aとを備えている。
下側の水平フレーム5bには、水平フレーム5bの長手方向に沿って延設された導電性の内部端子8bと、この内部端子8bの両端部に接続された左右1対の出力端子9bと、出力端子9bを外周フレーム3から絶縁する絶縁部材11bと、モジュール20を下側からバックアップし且つ内部端子8bを水平フレーム5bから絶縁するバックアップ部材13bとを備えている。尚、外周フレーム3を構成する素材は、アルミに限らず種々の金属製の材料が適用可能である。
上側及び下側の出力端子9a,9bは、金属製の細長い薄板状のもので、一端部が内部端子8a,8bの左右両端部に夫々一体的に接続され、他端部が外周フレーム3からパネル1の裏側に向けて突出されている。リーフバネ12により、上側の内部端子8aが上段モジュール20の負極端子24に押圧されると共に、上段モジュール20の正極端子23が中段モジュール20の負極端子24に押圧され、中段モジュール20の正極端子23が下段モジュール20の負極端子24に押圧され、電気的に確実に接続される。下段モジュール20の下側の内部端子8bは、モジュール20の自重により正極端子23に押圧されることで、電気的に確実に接続される。隣り合うモジュール20間の電気的な接続は、上段モジュール20の自重により上段の正極端子23が中段モジュール20の負極端子24に押圧接触し、中段の正極端子23が下段モジュール20の負極端子24に押圧接触することでも接続される。
次に、3枚の採光型太陽電池モジュール20について説明するが、これら3枚のモジュール20は全て同様の構造を有するので、1枚のモジュール20についてのみ説明する。
図6〜図10に示すように、このモジュール20は、複数の球状の太陽電池セル32により発電するものであって、光透過性の第1基板21と、この第1基板21上に複数行複数列のマトリックス状に配設された複数の円環状のクラスター30と、第1基板21に対して複数の太陽電池セル32を挟んで平行に配置された光透過性の第2基板22と、基板21,22との間に充填されて複数のクラスター30を埋め込んだ状態にモールドする光透過性の合成樹脂モールド材27を備えている。
次に、第1基板21と第2基板22について説明する。
第1基板21は、周を面取りされた透明なガラスで構成され、例えば、厚さ2.8mm,縦210mm,横297mmに加工されたものである。第1基板21の下端部に外部接続用の断面逆L字状の正極端子23(正極ババー)を設け、第1基板21の上端部に外部接続用の断面L字状の負極端子24(負極ババー)を設けている(図8参照)。第2基板22は、第1基板21と同様に、周縁を面取りされた透明なガラスで構成され、例えば、厚さ2.8mm,縦210mm,横297mmに加工されたものである。基板21,22との隙間に充填される合成樹脂モールド材27は、例えばEVA(エチレンビニルアセテート)樹脂が使用される。
このように、光透過性の合成樹脂モールド材27が、基板21,22との間に充填されて複数の太陽電池セル32と複数の導電被膜31と複数のバイパスダイオード40と複数の導電接続部材50を埋め込んだ状態にモールドし一体化されるため、太陽電池セル32が保護されると共に振動や機械的衝撃に対して強化され、モジュール20全体の破損を防止することができ、安全性を高めることができる。また、通常使われている合わせガラス、網入りガラスと同様、万一破損した場合でも破片が飛び散るのが防げる。
ここで、このモジュール20の製造方法を簡単に説明する。
第1基板21の上に複数のクラスター30を夫々設け、シート状のモールド材27を複数のクラスター30の上に載置し、その上に第2基板22を積み重ねて公知のラミネータ装置に収容する。このラミネータ装置は、伸縮性を持つ膜によって上下に仕切られた真空室を有する。下側は、プレートを通じて試料を加熱するヒータを有する。第2基板22を積み重ねた試料を加熱プレート上に置いて膜で仕切られた上下の空間のガスを排気しながらモールド材27を150℃程度で加熱し熱溶融する。
その後、真空にした膜の上側の真空室のみ空気を導入すると仕切り膜によって基板21,22の両面が導入した空気圧で押圧される。そして、そのまま冷却してモールド材27(EVA樹脂)を固化させる。この熱溶融と硬化によって固体で乳白色であったモールド材27は透明化し、基板21,22間の複数のクラスター30は接着し、両側がガラスで挟まれた一体化されたモジュール20が完成する。
次に、クラスター30の構造について説明する。
但し、複数のクラスター30は同じ構造のものであるため、1つのクラスター30について説明する。図2,図6〜図10に示すように、クラスター30は、円環状に形成されたものであって、第1基板21上に形成された導電被膜31と、10個の太陽電池セル32と、バイパスダイオード40と、導電接続部材50の導電接続片53と、これら太陽電池セル32とバイパスダイオード40と導電接続片53とを電気的に接続する導電部材48とから構成されている。
次に、導電被膜31について説明する。
導電被膜31は、第1基板21の内面に円環状に形成され、10個の太陽電池セル32の正電極37と、バイパスダイオード40の負電極45と、導電接続片53とが等間隔に配置され導電性ペースト31bを介して接続されている。バイパスダイオード40と導電接続片53は、お互い対向するように10個の太陽電池セル32間に配置され、導電接続片53が接続される分離導電被膜部31aは、2本のスリットにより電気的に切り離されている。この分離導電被膜部31aは、導電接続部材50の導電被膜延長部51と一体的に形成されている。尚、導電被膜31により採光が遮断されない採光領域の全体の面積に占める比率が50%以上である。
この導電被膜31は、先ず、導電被膜31の下地として第1基板21上に好みの色の顔料を混合したセラミックペーストをシルクスクリーン印刷して焼成し、セラミック膜29を形成する。次いで、セラミック膜29上にガラスフリットを含む銀ペーストをシルクスクリーン法で印刷し、550〜620℃の温度で焼成して導電被膜31が形成される。この導電被膜31の幅は2.4mm程度で太陽電池セル32の直径よりも大きい。厚さは0.25mm程度で使用状況に応じて厚さは0.01mm〜0.5mmの範囲で形成されても良い。尚、導電被膜31と同時に後述する導電接続部材50の導電被膜延長部51,51a,51bと、架橋導電被膜55も同様に形成される。
次に、球状太陽電池セル32の構造について説明する。
図10に示すように、太陽電池セル32は、導電方向を第1基板31と直交方向に揃えられたものであって、p形の球状半導体33と、この球状半導体33の表面の一部を研磨加工された平坦面34と、この球状半導体33の表層部にn形拡散層35を形成することで形成された球面状のpn接合36と、球状半導体33の中心を挟んで対向するように形成されてpn接合36の両端に接合された1対の正、負電極37,38(第1,第2電極)と、正,負電極37,38を除く部分に成膜された反射防止膜39とを有する。この正電極37が導電被膜31上に導電性ペースト31bを介して接続され、負電極38が導電部材48に導電性ペースト48aを介して接続されている。
この太陽電池セル32の製造方法について簡単に説明する。
この太陽電池セル32は、例えば、シリコンの液滴を自由落下し途中で凝固させる手法によって直径が約1.6mmの球状のp形シリコン単結晶33を作り、その後、表面の一部を研磨加工して平坦面34を設ける。この平坦面34とその周囲の一部を除いてn形不純物を表面から0.1μm程度の深さまで拡散しn形拡散層35を形成することで球面状のpn接合36を形成する。尚、球状のn形シリコン単結晶にp形の拡散層を形成することでpn接合を形成しても良い。
さらに、平坦面34を含む球面全体にシリコン酸化膜(SiO )(必要に応じてシリコン窒化膜(SiN))を成膜して反射防止膜39とした後、次に、平坦面34と球面の頂部にある反射防止膜39に銀を含むペーストをドット状にプリントする。これをガス雰囲気内で800℃程度まで加熱し銀ペーストを反射防止膜39を貫通させてそれぞれp形の平坦面34、n形拡散35の表面と低抵抗接触する正電極37と負電極38を設け、太陽電池セル32を完成させる。
この太陽電池セル32によると、図10に示すように、球面のpn接合36を有するため、平坦面34と電極37,38を除き太陽光の直射角度によらず常に一定の受光断面積が得られ安定した出力が得られる。さらに、電極37,38が球の中心を挟んでp形、n形表面の中央に設けられているため、電極37,38からpn接合36上の任意のa,b,c点とを結ぶ距離の和は等しく、a,b,c点で吸収し発生したキャリアの移動距離は等しく、流れる電流分布はほぼ均一となり曲線因子(CurveFill Factor)が大きくなる。また、受光範囲が3次元的であり直射光以外の反射光、拡散光をも同時に受光するため周囲の光の利用度も高く高出力が得られる。
次に、バイパスダイオード40について説明する。
図8に示すように、バイパスダイオード40は、その導電方向を第1基板21に対して直交方向になるように第1基板21上に固定され、10個の太陽電池セル32に導電被膜31と導電部材48を介して逆並列接続されている。このバイパスダイオード40は、太陽電池セル32と同様の直径と高さを有する円柱状のものであって、n形半導体41にp形不純物を拡散しp形拡散層42を形成することでpn接合43を形成し、n形半導体41の表面に負電極45を、p形拡散層42の表面に正電極46を夫々低抵抗接触させて設けたものである。
このバイパスダイオード40により、逆並列接続した同じクラスター30内の10個の太陽電池セル32が日陰などにより遮光され機能が停止した場合に、この機能停止したクラスター30内の太陽電池セル32に他の正常に機能(発電)しているクラスター30内の太陽電池セル32が起因となって逆方向に電圧が印加されても、このバイパスダイオード40が電流をバイパスすることで、逆並列接続した太陽電池セル32の破壊や損傷から保護することができ、クラスター30の部分遮光によるモジュール20全体の出力減少を最低限に留めることができる。
次に、導電部材48について説明する。
図7〜図9に示すように、導電部材48は、銀メッキした銅合金から、例えば直径0.3mmの円環状に形成された金属線であって、導電性ペースト48aを介して10個の太陽電池セル32の負電極38とバイパスダイオード40の正電極46と導電接続片53とを接続している。この導電部材48と導電被膜31により、10個の太陽電池セル32と導電接続片53が電気的に並列接続され、太陽電池セル32に対してバイパスダイオード40が電気的に逆並列接続され、1つの円環状のクラスター30が構成される。
次に、複数のクラスター30同士を電気的に接続する導電構造について説明する。
図6,図7に示すように、複数のクラスター30は、複数行複数列に配設され、各列の複数のクラスター30の各々における導電被膜31は、図6,図7において下方に隣接するクラスター30の導電部材48に導電接続部材50を介して直列接続され、各行の複数のクラスター30における複数の導電被膜31は架橋導電被膜55により並列接続されている。つまり、複数のクラスター30のうち各列のクラスター30の複数群の太陽電池セル32は、導電接続部材50を介して直列接続され、各行のクラスター30の複数群の太陽電池セル32は、架橋導電被膜55を介して並列接続されている。
導電接続部材50は、導電被膜31に連続する直線状の導電被膜延長部51と、この導電被膜延長部51に接続され且つクラスター30の一部を構成する導電接続片53とを有している。この導電被膜延長部51は、導電被膜31と同様に銀ペーストから形成されている。導電接続片53は、円柱状の金属片であってバイパスダイオード40と同様の直径と高さを有する。尚、導電被膜延長部51は必ずしも直線状である必要はなく、意匠に応じてジグザグ状や曲線状のものであっても良い。
各行の複数の導電被膜31を電気的に接続する架橋導電被膜55が設けられている。この架橋導電被膜55は、導電被膜31と同様に銀ペーストから形成される。尚、架橋導電被膜55は必ずしも直線状である必要はなく、ジグザグ状や曲線状のものであっても良い。各列の最も下側のクラスター30の導電被膜31は、導電被膜延長部51aを介して正極端子23に接続され、最も上側のクラスター30の導電被膜31の分離導電被膜部31aは導電被膜延長部51bを介して負極端子24に接続されている。
このように、複数のクラスター30が、直列・並列接続されているので、一部のクラスター30が機能停止した場合などにおいても、それら機能を停止したクラスター30を迂回するように他のクラスターを通って電流が流れるため、その他の正常なクラスター30の発電機能が停止したり低下したりすることがなく、このモジュール20全体の出力低下に及ぼす影響を最低限に留めることができる。
次に、このモジュール20の等価回路図について説明する。
図11は、このモジュール20において、複数行複数列のマトリックス状に配設された複数のクラスター30を有する場合の等価回路を示すものである。
ここで、例えば、3行4列に配設された複数クラスター30が組み込まれたモジュールの出力について説明する。1個の太陽電池セル32の開放電圧が例えば0.6Vである場合、正極端子23と負極端子24の間に4個のクラスター30が直列接続されているので、2.4Vの電圧が発生する。そして各行の各クラスター30の1個の太陽電池セル32により発生する電流をIとすると、3個のクラスター30が並列接続されているので、正極端子23から30Iの電流が流出する。
つまり、3枚のモジュール20が組み付けられている太陽電池パネル1においては、7.2Vの電圧が発生し、出力端子9bから30Iの電流が流出する。尚、モジュール20の出力電圧を上げるには、クラスター30の直列接続数を増やし、モジュール20からの出力電流を上げる場合は、クラスター30の並列接続数を増やすことで実現できる。パネル1においても同様で、出力電圧を上げるには、モジュール20の直列接続数を増やし、モジュール20からの出力電流を上げる場合も、モジュール20の並列接続数を増やすことで実現できる。
次に、このモジュール20に入射する光の挙動について説明する。
図12は、このモジュール20に入射する光の挙動を示す為に、一部を拡大図示したものである。入射光aは、第2基板22から第1基板21へ素通りする光であり、入射光bは、第2基板22から太陽電池セル32に直接入射する光であり、入射光b’は、入射光bが第2基板22で反射した反射光である。
入射光cは、第2基板22から入射され太陽電池セル32周辺の導電被膜31で反射して太陽電池セル32に入射する光であり、入射光dは、太陽電池セル32周辺以外で多重反射して太陽電池セル32に入射する光であり、入射光eは、第1基板21から第2基板22へ素通りする光であり、入射光fは、第1基板21から入射し第2基板22で反射し太陽電池セル32に入射する光であり、入射光f’は、入射光fが第1基板21で反射した反射光である。つまり、室内への採光の為の基板21,22を素通りする光を除いて、基板21,22に垂直に入射する光は勿論、その他種々の方向から入射される光も太陽電池セル32の方へ導入されやすくなっており、入射光の利用効率を高めることができる。
このように、これら複数の太陽電池セル32は、直接入射される入射光以外に、基板21,22間の反射及び散乱によってもたらされる多方向から入射する光も吸収可能である。特に、銀を利用した導電被膜31は、電気伝導率と光反射率は高くなるため、配線による電気抵抗損失を少なくしながら内部反射により太陽電池セル32に到達する光の量を増やし、光起電力を高める効果がある。このクラスター30における太陽電池セル32が円の中心から放射状に等間隔に配置されているため、モジュール20の受光面の垂直軸の回転方向及び入射角に対する出力の方向依存性が少なくすることができる。
次に、この採光型太陽電池モジュール20の効果について説明する。
このモジュール20によれば、複数の太陽電池セル32が吸収した光は発電に、複数の太陽電池セル32間を透過した光は室内への採光とすることができる。モジュール20としての発電量と採光量の比率は、第1基板21に対する組み込んだ太陽電池セル32全体の投影面積に対して依存する。つまり、強い陽射しを和らげる場合には、太陽電池セル32の配置密度によって太陽電池セル32全体の投影面積を増やし、発電量をふやすことができる。
このモジュール20によれば、複数のクラスター30を配置するパターンを自由に設定することができるため、複数のクラスター30でもって意匠性の高い種々の模様を構成することができる。しかも、上記導電被膜31の下地として第1基板21の表面に好みの色の顔料を加えたセラミックペーストをシルクスクリーン印刷して焼成し、セラミック膜29を形成することにより基板21の下面(室内側)からみてカラフルな美しい模様を形成することも可能である。また、セラミック膜29により太陽電池セル32や導電被膜31を見えにくくすることができる。このため、光発電機能以外に建材としての意匠性の高いモジュールを実現することができる。さらに、セラミック膜29を形成することで、導電皮膜31との密着性を向上すると共にガラス基板21の強度を向上することができる。
このモジュール20によれば、複数行複数列のマトリックス状に配設された円環状のクラスター30が幾何学的な図柄を表現すると共に太陽光発電と採光を調和させた窓材として利用でき、円環状のクラスター30の内径と外径、及びこれらクラスター30の間隔は、意匠性、光透過率、発電出力を考慮した設計を可能とする。
このモジュール20によれば、導電被膜31と導電接続部材50と架橋導電被膜55による配線は、第1基板21の垂直方向から見て太陽電池セル32が隠れる程度の幅を持たせ、この配線の図柄あるいは絵柄が強調できるようにし、モジュール20の裏側から見た意匠性を高めるようにすると共に、表面から入射した光を反射させて太陽電池セル32の受光量を増やして出力を高めることができる。
このモジュール20によれば、複数の太陽電池セル32と、複数の導電被膜31のサイズは、従来の平板型太陽電池セルや薄膜太陽電池セルと比較すると、小さくかつ細かく分散して配置できるため、それ自体が大きな視野の妨げにならず均一な採光性と違和感のない内外の景観が見られるシースルー型の太陽電池モジュールとして利用できる。
このモジュール20によれば、光透過性の基板21,22の間に複数の太陽電池セル32を埋め込み、このモジュール20を窓材として使用することで、独立した太陽電池パネルを用いて発電する場合と比較して、ガラスなどの部材費用や設置にかかる諸費用を低減できる。また、第1基板21上に、複数の球状太陽電池セル32や複数の導電被膜31の部材を形成し、その上に第2基板22を積載するので、第2基板22には部品を形成する必要がなく組立が容易になる。
この実施例2は、前記実施例1の複数のクラスター30における複数の球状太陽電池セルの配置パターンを変更した採光型太陽電池モジュール20Aの例を示すものであり、前記実施例1と異なる構成についてのみ説明する。
図13〜図18に示すように、クラスター30Aは、雪の結晶のように形成されたものであって、第1基板21上に形成された導電被膜31Aと、11個の太陽電池セル32Aと、バイパスダイオード40Aと、導線接続部材50Aの導電接続片53Aと、これら太陽電池セル32Aとバイパスダイオード40Aと導電接続片53Aとを電気的に接続する導電部材48Aから構成されている。尚、このクラスター30Aを形成する雪の結晶状とは、内側六角形と、内側六角形の外側に同心状に配置された外側六角形とを有し、クラスターの中心と内側六角形の6頂点と外側六角形の6頂点とを6本の放射状直線で夫々結んだパターン状のものである。
導電被膜31Aは、第1基板21上に、中心点と内側六角形の各頂点と外側六角形の各頂点に形成された12個のドット状導電被膜61と、各ドット状導電被膜61をクラスター30Aの中心から外側に向けて結ぶ線状導電被膜62とから構成されている。このドット状導電被膜61は、太陽電池セル32の直径より大径に形成されている。線状導電被膜62のうち、導電接続片53Aが配設されるドット状導電被膜61とこの中心方向に隣接する太陽電池セル32Aが接続されるドット状導電被膜61との間の線状導電被膜62は省略される。この切り離されたドット状導電被膜61は、導電被膜延長部51Aの一端部と一体的に形成されている。
クラスター30Aの複数の太陽電池セル32Aは、内側六角形の頂点のドット状導電被膜61に配置された6個の太陽電池セル32Aと、内側六角形の外側の外側六角形の頂点のドット状導電被膜61に配置された5個の太陽電池セル32Aとを有している。バイパスダイオード40Aは内側六角形の中心部のドット状導電被膜61に配設されている。つまり、11個の太陽電池セル32Aが並列接続され、これら太陽電池セル32Aに対してバイパスダイオード40Aが逆並列接続されている。導電部材48Aは、導電被膜31Aに対応するように雪の結晶状に形成され、この導電部材48Aを介して太陽電池セル32Aの負電極38とバイパスダイオード40Aの正電極46と導電接続片53Aとが電気的に接続されている。
次に、複数のクラスター30A同士を電気的に接続する導電構造について説明する。
図13,図14に示すように、複数のクラスター30Aは、正三角形メッシュのメッシュ点に内側六角形の中心部を位置させるように複数行複数列に配置され、各列の複数のクラスター30Aの各々における導電被膜31Aは、図13,図14において下方に隣接するクラスター30Aの導電部材48Aに導電接続部材50Aを介して直列接続され、架橋導電被膜55Aにより列方向と直交する方向にジグザグ状に並ぶ複数のクラスター30Aにおける複数の導電被膜31Aが電気的に並列接続されている。導電接続部材50Aは導電被膜31Aに連続する導電被膜延長部51Aと、この導電被膜延長部51Aの一端部に接続された導電接続片53Aとを有し、導電接続片53Aは外側六角形の頂点に配置されている。導電接続片53Aは、金属製の球状に形成されている。
次に、このモジュール20Aの効果について説明する。
このモジュール20Aによれば、11個の太陽電池セル32Aがクラスター30Aの中心から60°の間隔をあけて放射状に配設されているために、モジュール20Aに入射されてくる入射光に対する出力の方向依存性が前記実施例1と比較して少なくなる。
行方向のクラスター30Aをジグザグ状に配設している為に、直線状な日陰によって同一の並列接続された全ての太陽電池セル32Aが機能停止状態になる事態を減らすことができるので、バイパスダイオード40Aの代わりに太陽電池セル32Aを設け、モジュール20Aの出力を高めることができる。このモジュール20Aの表面または裏面からは導電被膜31Aと導電部材48Aにより雪の結晶状のような意匠性のあるパターンが見られ、太陽光を含む外来光を効率よく吸収し発電する太陽電池パネル1として利用できる。尚、その他の効果は、前記実施例1と同様であるので説明は省略する。
この実施例3は、前記実施例1の複数のクラスター30における複数の球状太陽電池セルの配置を変更した採光型太陽電池モジュール20Bの例を示すものであり、前記実施例1と異なる構成についてのみ説明する。
図19〜図25に示すように、このクラスター30Bは、横方向に1直線状に形成されたものであって、第1基板21の内面に形成された導電被膜31Bと、複数の球状太陽電池セル32Bと、バイパスダイオード40Bと、導電接続部材50Bの導電接続片53Bと、これら太陽電池セル32Bとバイパスダイオード40Bと導電接続片53Bとを電気的に接続する導電部材48Bから構成されている。
導電被膜31Bは、1直線状のものであって、複数の太陽電池セル32Aに対応する複数の円形導電被膜64と、これら円形導電被膜64の両側に設けられた2つの角形導電被膜65と、導電接続片53Bが接続される角形導電被膜65とそれと隣接する円形導電被膜64との間を除いて角形導電被膜65と円形導電被膜64及び円形導電被膜64同士を接続する線状導電被膜66とを有している。この導電被膜31Bは、縦方向に一定の間隔おきに複数本平行に第1基板21上に形成されている。尚、第2基板22Bの内面側の周辺部分22aは、サンドブラスト加工により粗面にしたすりガラス状に形成され、モジュール20Bの表面から正極端子23及び負極端子24、バイパスダイオード40Bや導電接続片53Bが見えにくい状態にされている。
各クラスター30Bの複数の太陽電池セル32Bは、円形導電被膜64上に1直線状に配設されて太陽電池セル32Bの正電極37が接続され、角形導電被膜65のうち円形導電被膜64から電気的に切り離されている一方に、導電接続片53Bが配設され、他方に太陽電池セル32Bとは逆並列接続になるようにバイパスダイオード40Bが接続されている。導電部材48Bは1直線状に形成され、この導電部材48Bを介して太陽電池セル32Bとバイパスダイオード40Bと導電接続片53Bとが電気的に接続されている。
次に、複数のクラスター30B同士を電気的に接続する導電構造について説明する。
この複数のクラスター30Bは、導電接続部材50Bを介して上側から下側に向けて直列接続されている。最上段のクラスター30Bの右側の角形導電被膜65は導電被膜延長部51bBを介して負極端子24に接続され、最下段のクラスター30Bの右側の角形導電被膜65は導電被膜延長部51aBを介して正極端子23に接続されている。
次に、このモジュール20Bの効果について説明する。
このモジュール20Bは、光が透過できるように太陽電池セル32Bを固着した1直線状の導電被膜31Bを間隔を設けて形成し、この導電被膜部分31Bを除いた透過部分の面積によって窓材としての採光率を決めることができる。表面または裏面から導電被膜31Bと導電部材48Bにより意匠性のあるパターンが見られ、且つ太陽光を含む外来光を効率よく吸収し発電する太陽電池パネル1として利用できる。尚、その他の効果は、前記実施例1と同様であるので説明を省略する。
この実施例4は、前記実施例1〜3の球状太陽電池セル32,32A,32Bの代わりに本実施例の太陽電池セル32Cを採用してもよい。また、この場合、前記バイパスダイオードを太陽電池セル32と置き替えることができる。図26〜図28に示すように、この太陽電池セル32Cは、球状のp形シリコン単結晶71と、シリコン単結晶71の一端部に形成された平坦面72と、この平坦面72を除いてシリコン単結晶71の表面部に形成されたn拡散層73と、シリコン単結晶71の中心を挟んで対向する正電極75,負電極76と、シリコン単結晶71の平坦面72の外面部に正電極75に臨むように形成されたp拡散層77と、太陽電池セル32Cの表面のうちの正電極75及び負電極76以外の部分を覆う反射防止膜78とを備えている。
シリコン単結晶71の表面部には、光起電力を発生可能なpn接合として機能するpn74接合が形成されており、このpn接合74は、平坦面72を除く、シリコン単結晶71の表面から一定の深さ位置に実質的に球面状に形成されている。pn接合74の両端には、スポット状の1対の電極75,76が接続されている。正電極75の外周近傍部のうちの正電極75よりもシリコン単結晶側71部分には、トンネル効果によるバックワードダイオード特性を有するp接合79が環状に形成されている。つまり、この太陽電池セル32Cの等価回路は、図28のようになる。
このモジュールによると、並列接続された複数行のうちの1行のクラスターの一部又は全部の太陽電池セル32Cが影に入って、太陽電池セル32Cに逆電圧が印加されても、その行の太陽電池セル32Cのp接合79を通ってバイパス電流が流れる(図28参照)。従って、複数のクラスターをメッシュ状の直列並列回路により電気的に接続してなるモジュールにおいて、どのようなパターンの影が発生しても、発電電力をロスなく、取り出すことが可能になり、個々の太陽電池セルに悪影響が生ずることもない。また、バイパスダイオードを必要としないので、太陽電池セル数も増え、モジュールの出力を高めることができる。
次に、前記実施例を部分的に変更した種々の変更形態について説明する。
[1]このモジュールの出力電力と採光率(あるいは遮光率)の割合は、主として使用する複数の太陽電池セルの出力電力及びその使用数と、光透過性の第1基板上に設けた複数の導電被膜による遮光総面積に依存するので、窓材としての意匠性を高め付加価値を上げるため、複数の太陽電池セルの配置や使用数は、第1基板上の導電被膜の図柄あるいは絵柄に対応して種々設計することができる。
[2]このモジュールは、この採光型太陽電池パネル以外にも、利用が期待される窓材を含む建材、例えば、ガラス窓、アトリウム、トップライト、カーテンウォール、ファサード、キャノピー、ルーバー、ダブル・スキンの外面、バルコニーの手摺、高速道路や鉄道の防音壁などに適用することができる。
採光型太陽電池モジュールにおいて、複数の球状の太陽電池セルを含んだクラスターを複数配設し、各クラスターを円環状や雪の結晶状または1直線状に構成し、複数のクラスター配設することで、採光率と発電能力の比率選択性の許容幅を向上させることができ、窓材としての意匠性を高め得ることができる。

Claims (16)

  1. 複数の球状の太陽電池セルにより発電する採光型太陽電池モジュールにおいて、
    光透過性の第1基板と、
    導電方向を第1基板と直交方向に揃え且つ複数クラスターにグループ化された複数の球状の太陽電池セルと、
    前記第1基板の内面に複数クラスターに対応させて形成され、各クラスターの複数の太陽電池セルの第1電極が電気的に並列接続された複数の導電被膜と、
    前記複数クラスターの各々における複数の太陽電池セルの第2電極が電気的に並列接続された複数の導電部材と、
    前記複数クラスターの各々における導電被膜を、所定方向に隣接するクラスターの導電部材に電気的に接続する複数の導電接続部材と、
    前記第1基板に対して複数の太陽電池セルを挟んで平行に配置された光透過性の第2基板と、
    前記第1,第2基板との間に充填されて複数の太陽電池セルと複数の導電部材と複数の導電接続部材を埋め込んだ状態にモールドする光透過性の合成樹脂モールド材と、
    を備えたことを特徴とする採光型太陽電池モジュール。
  2. 前記第1基板の一端部に前記採光型太陽電池モジュールの正極端子を設け、第1基板の他端部に前記採光型太陽電池モジュールの負極端子を設けたことを特徴とする請求項1に記載の採光型太陽電池モジュール。
  3. 前記太陽電池セルは、p形又はn形の球状半導体と、この球状半導体の表層部に形成された球面状のpn接合と、球状半導体の中心を挟んで対向するように形成されて前記pn接合の両端に接合された1対の電極とを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の採光型太陽電池モジュール。
  4. 前記複数クラスターに対応する複数のバイパスダイオードであって、前記複数の導電被膜及び導電部材を介して並列接続された複数のバイパスダイオードを備えたことを特徴とする請求項3に記載の採光型太陽電池モジュール。
  5. 前記太陽電池セルは、逆電流をバイパスするバイパス機能を有することを特徴とする請求項3に記載の採光型太陽電池モジュール。
  6. 前記導電接続部材は、導電被膜に連続する導電被膜延長部とこの導電被膜延長部の端部に接続された導電接続片とを有し、
    前記各クラスターにおける複数の太陽電池セルと前記導電接続片と前記バイパスダイオードは円環状に配設され、複数のクラスターが複数行複数列のマトリックス状に配設されたことを特徴とする請求項4に記載の採光型太陽電池モジュール。
  7. 前記各行又は各列のクラスターの複数の太陽電池セルは、前記導電接続部材を介して直列接続され、前記複数列又は複数行のクラスターの各々における複数の導電被膜を電気的に接続する架橋導電被膜を設けたことを特徴とする請求項6に記載の採光型太陽電池モジュール。
  8. 前記各クラスターの複数の太陽電池セルは、内側六角形の頂点に配置された6個の太陽電池セル、前記内側六角形の外側の外側六角形の頂点に配置された5個の太陽電池セルとを有することを特徴とする請求項3に記載の採光型太陽電池モジュール。
  9. 前記導電接続部材は導電被膜に連続する導電被膜延長部と、この導電被膜延長部の端部に接続された導電接続片とを有し、前記導電接続片は前記外側六角形の頂点に配置され、
    前記バイパスダイオードは前記内側六角形の中心部に配設されたことを特徴とする請求項8に記載の採光型太陽電池モジュール。
  10. 前記複数のクラスターは、正三角形メッシュのメッシュ点に前記内側六角形の中心部を位置させるように複数行又は複数列に配置されたことを特徴とする請求項8に記載の採光型太陽電池モジュール。
  11. 前記複数行又は複数列における行又は列方向と直交する方向にジグザグ状に並ぶ複数のクラスターにおける前記複数の導電被膜を電気的に接続する架橋導電被膜を設けたことを特徴とする請求項10に記載の採光型太陽電池モジュール。
  12. 前記各クラスターの複数の太陽電池セルは1直線状に配設されたことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の採光型太陽電池モジュール。
  13. 前記第1,第2基板は、透明なガラス板で構成されたことを特徴とする請求項1に記載の採光型太陽電池モジュール。
  14. 前記導電被膜により採光が遮断されない採光領域の全体の面積に占める比率が50%以上であることを特徴とする請求項1に記載の採光型太陽電池モジュール。
  15. 複数枚の前記採光型太陽電池モジュールを金属製の外周フレームに組み付けることで複数行又は複数列に配設したことを特徴とする請求項1に記載の採光型太陽電池モジュール。
  16. 前記複数の導電被膜の下地に着色及びパターン化した図柄のセラミック膜を形成したことを特徴とする請求項1に記載の採光型太陽電池モジュール。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2008365516B2 (en) * 2008-12-19 2012-07-26 Sphelar Power Corporation Solar cell module and method for producing the same
US9525097B2 (en) * 2013-03-15 2016-12-20 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Photovoltaic module having printed PV cells connected in series by printed conductors
TWI656653B (zh) * 2014-07-10 2019-04-11 日商住友電氣工業股份有限公司 Solar power generation module and solar power generation device
FR3037089B1 (fr) * 2015-06-05 2020-09-25 Richard Dziewolski Dispositifs et procedes de fabrication pour structure flottante de grandes dimensions
CN104917449B (zh) * 2015-06-12 2017-03-08 陈惠远 一种柔性太阳能电池组件
US10490682B2 (en) 2018-03-14 2019-11-26 National Mechanical Group Corp. Frame-less encapsulated photo-voltaic solar panel supporting solar cell modules encapsulated within multiple layers of optically-transparent epoxy-resin materials
CN113327994B (zh) * 2021-07-06 2023-01-24 友达光电股份有限公司 太阳能模块
KR102500233B1 (ko) * 2021-11-12 2023-02-16 (주)소프트피브이 코어쉘 구조의 광발전 파티클을 포함하는 반도체 패키징

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4173494A (en) * 1977-02-14 1979-11-06 Jack S. Kilby Glass support light energy converter
EP0106854A1 (en) * 1982-04-27 1984-05-02 The Australian National University Arrays of polarised energy-generating elements
DE3307202A1 (de) * 1983-03-01 1984-09-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Solarzellenmodul
EP0343628B1 (en) * 1988-05-24 1993-12-08 Asahi Glass Company Ltd. Method for producing a glass substrate for a solar cell
US5616185A (en) * 1995-10-10 1997-04-01 Hughes Aircraft Company Solar cell with integrated bypass diode and method
US6204545B1 (en) * 1996-10-09 2001-03-20 Josuke Nakata Semiconductor device
CA2239626C (en) 1996-10-09 2003-09-02 Josuke Nakata Semiconductor device
US6635507B1 (en) * 1999-07-14 2003-10-21 Hughes Electronics Corporation Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly
AU767581B2 (en) * 1999-08-25 2003-11-20 Kaneka Corporation Thin film photoelectric conversion module and method of manufacturing the same
US7205626B1 (en) * 2000-10-20 2007-04-17 Josuke Nakata Light-emitting or light-receiving with plurality of particle-shaped semiconductor devices having light-emitting or light-receiving properties
WO2002035612A1 (en) * 2000-10-20 2002-05-02 Josuke Nakata Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for fabricating the same
AU2001277778B2 (en) * 2001-08-13 2005-04-07 Sphelar Power Corporation Light-emitting or light-receiving semiconductor module and method of its manufacture
EP1445804A4 (en) * 2001-10-19 2008-03-05 Josuke Nakata LIGHT EMISSION OR LIGHT RECEPTACLE SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
AU2002255303B2 (en) * 2002-05-02 2006-07-06 Sphelar Power Corporation Light-Receiving panel or light-emitting panel, and manufacturing method thereof
US6660930B1 (en) * 2002-06-12 2003-12-09 Rwe Schott Solar, Inc. Solar cell modules with improved backskin
EP1553638B1 (en) * 2002-06-21 2008-12-10 Kyosemi Corporation Light receiving or light emitting device and its production method
JP2005142285A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Seiko Epson Corp 太陽電池装置とその製造方法及び電子機器
JP4827471B2 (ja) * 2005-09-09 2011-11-30 シャープ株式会社 バイパス機能付き太陽電池およびその製造方法
EP1973169A1 (en) * 2006-01-11 2008-09-24 Kyosemi Corporation Semiconductor module for light reception or light emission
AU2008365516B2 (en) * 2008-12-19 2012-07-26 Sphelar Power Corporation Solar cell module and method for producing the same

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