JPWO2009110039A1 - 高精度マッハツェンダー干渉計を有する光変調器の特性評価方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 第1のマッハツェンダー干渉計
3 第2のマッハツェンダー干渉計
5 分波部
6 第1のアーム
7 第2のアーム
8 合波部
Claims (20)
- マッハツェンダー干渉計(MZ干渉計)を含む,光変調器の特性を評価する方法であって,
前記MZ干渉計は,分波部と,2つのアームと,合波部と,電極とを含み,
前記2つのアームは,前記分波部と接続され,
前記合波部は,前記2つのアームと接続され,
前記電極は,前記2つのアームにバイアス電圧を印加でき,
前記電極は,前記2つのアームに変調信号を印加でき,
バイアス電圧を調整する工程と,0次成分を消去する工程と,出力強度を測定する工程と,特性を評価する工程とを含み,
前記バイアス電圧を調整する工程は,前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程であり;
前記0次成分を消去する工程は,前記MZ干渉計からの出力光の0次成分の強度が0となるように光変調器を調整する工程であり;
前記出力強度を測定する工程は,前記0次成分を消去する工程により0次成分が消去されたMZ干渉計からの出力光に含まれる1次成分の強度及び2次成分の強度を求める工程であり;
前記特性を評価する工程は,前記出力強度を測定する工程で測定された1次成分の強度及び2次成分の強度を用いて,前記MZ干渉計の特性を評価する工程である,
方法。 - 前記MZ干渉計を,第1のMZ干渉計とすると,
前記光変調器は,
さらに,第2のMZ干渉計を含み,
前記第2のMZ干渉計は,前記第1のMZ干渉計とは別のMZ干渉計である,
請求項1に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の特性が,
前記2つのアーム間の光振幅のアンバランスに関する特性を含む,
請求項1に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の特性が,
チャープパラメータに関する特性と,
変調指数に関する特性と,
を含む,
請求項1に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程は,前記MZ干渉計からの出力光の奇数次成分が最大になり,0次以外の偶数次成分が最小になるようにバイアス電圧を調整する工程である,
請求項1に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程は,
前記MZ干渉計からの出力光の1次成分が最大となるようにバイアス電圧を調整する工程,
又は,前記MZ干渉計からの出力光の2次成分が最小となるようバイアス電圧を調整する工程である,
請求項1に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程は,
前記2つのアームにスキューを有する信号を印加する工程と,
前記スキューを掃引した場合の前記MZ干渉計からの出力を測定する工程と,
前記測定したMZ干渉計からの出力が対称性を維持しているか判断する工程と,
前記MZ干渉計からの出力が対称性を維持していると判断したときに,バイアス電圧の位相差がπであると判断し,前記MZ干渉計からの出力が対称性を維持していないと判断したときに,バイアス電圧の位相差がπでないと判断する工程と,
を含む,
請求項1に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程は,
前記2つのアームにスキューを有する信号を印加する工程と,
前記スキューを掃引した場合の前記MZ干渉計からの出力を測定する工程と,
前記測定したMZ干渉計からの出力のうち1次成分の強度と−1次成分との強度の差が,一定の範囲内であるか判断する工程を含む,
請求項1に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程は,
前記2つのアームにスキューを有する信号を印加する工程と,
前記スキューを掃引した場合の前記MZ干渉計からの出力を測定する工程と,
前記測定したMZ干渉計からの出力のうち2次成分の強度と−2次成分との強度の差が,一定の範囲内であるか判断する工程を含む,
請求項1に記載の方法。 - マッハツェンダー干渉計(MZ干渉計)を含む,光変調器の特性を評価する方法であって,
前記MZ干渉計は,分波部と,2つのアームと,合波部と,電極とを含み,
前記2つのアームは,前記分波部と接続され,
前記合波部は,前記2つのアームと接続され,
前記電極は,前記2つのアームにバイアス電圧を印加でき,
前記電極は,前記2つのアームに変調信号を印加でき,
バイアス電圧を調整する工程と,1次成分を消去する工程と,出力強度を測定する工程と,特性を評価する工程を含み,
前記バイアス電圧を調整する工程は,前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差を0とする工程であり;
前記1次成分を消去する工程は,前記MZ干渉計からの出力光の1次成分の強度が0となるように光変調器を調整する工程であり;
前記出力強度を測定する工程は,前記1次成分を消去する工程により1次成分が消去されたMZ干渉計からの出力光に含まれる2次成分の強度及び3次成分の強度を求める工程であり;
前記特性を評価する工程は,前記出力強度を測定する工程で測定された2次成分の強度及び3次成分の強度を用いて,前記MZ干渉計の特性を評価する工程である,
方法。 - 前記MZ干渉計を,第1のMZ干渉計とすると,
前記光変調器は,
さらに,第2のMZ干渉計を含み,
前記第2のMZ干渉計は,前記第1のMZ干渉計とは別のMZ干渉計である,
請求項10に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の特性が,
前記2つのアーム間の光振幅のアンバランスに関する特性を含む,
請求項10に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の特性が,
チャープパラメータに関する特性と,
変調指数に関する特性と,
を含む,
請求項10に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差を0とする工程は,前記MZ干渉計からの出力光の奇数次成分が最小になり,0次以外の偶数次成分が最大になるようにバイアス電圧を調整する工程である,
請求項10に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差を0とする工程は,
前記MZ干渉計からの出力光の1次成分が最小となるようにバイアス電圧を調整する工程,
又は,前記MZ干渉計からの出力光の2次成分が最大となるようバイアス電圧を調整する工程である,
請求項10に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程は,
前記2つのアームにスキューを有する信号を印加する工程と,
前記スキューを掃引した場合の前記MZ干渉計からの出力を測定する工程と,
前記測定したMZ干渉計からの出力が対称性を維持しているか判断する工程と,
前記MZ干渉計からの出力が対称性を維持していると判断したときに,バイアス電圧の位相差が0であると判断し,前記MZ干渉計からの出力が対称性を維持していないと判断したときに,バイアス電圧の位相差が0でないと判断する工程と,
を含む,
請求項10に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程は,
前記2つのアームにスキューを有する信号を印加する工程と,
前記スキューを掃引した場合の前記MZ干渉計からの出力を測定する工程と,
前記測定したMZ干渉計からの出力のうち1次成分の強度と−1次成分との強度の差が,一定の範囲内であるか判断する工程を含む,
請求項10に記載の方法。 - 前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程は,
前記2つのアームにスキューを有する信号を印加する工程と,
前記スキューを掃引した場合の前記MZ干渉計からの出力を測定する工程と,
前記測定したMZ干渉計からの出力のうち2次成分の強度と−2次成分の強度の差が一定の範囲内であるか判断する工程を含む,
請求項10に記載の方法。
- マッハツェンダー干渉計(MZ干渉計)を含む,光変調器の特性を評価する方法であって,
前記MZ干渉計は,分波部と,2つのアームと,合波部と,電極とを含み,
前記2つのアームは,前記分波部と接続され,
前記合波部は,前記2つのアームと接続され,
前記電極は,前記2つのアームにバイアス電圧を印加でき,
前記電極は,前記2つのアームに変調信号を印加でき,
バイアス電圧を調整する工程と,出力強度を測定する工程と,特性を評価する工程を含み,
前記バイアス電圧を調整する工程は,前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差が0となる電圧と,位相差がπとなる電圧の中間の電圧になるように設定する工程であり;
前記出力強度を測定する工程は,前記MZ干渉計からの出力光に含まれる高次成分の強度を求める工程であり;
前記特性を評価する工程は,前記出力強度を測定する工程で測定された高次成分の比を用いて,前記MZ干渉計の特性を評価する工程である,
方法。 - 光変調器に含まれるマッハツェンダー干渉計(MZ干渉計)のスキューを求める方法であって,
前記MZ干渉計は,分波部と,2つのアームと,合波部と,電極とを含み,
前記2つのアームは,前記分波部と接続され,
前記合波部は,前記2つのアームと接続され,
前記電極は,前記2つのアームにバイアス電圧を印加でき,
前記電極は,前記2つのアームに変調信号を印加でき,
前記2つのアームに印加されるバイアス電圧の位相差を1種類または複数種類となるようにして,バイアス電圧を印加するとともに,バイアス電圧の位相差ごとに,前記MZ干渉計からの出力を測定する測定工程と,
前記測定工程で測定されたMZ干渉計からの出力を用いて,前記MZ干渉計のスキューを求める工程と,
を含む,
方法。
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