JPWO2008108399A1 - 光モジュール - Google Patents

Abstract

ユーザの任意のシステムで駆動条件を最適化するための情報を自ら内蔵し、取扱性および簡易交換修理性の高い超小型（十数ｍｍ角以下のサイズ）光モジュールを提供する。小型光モジュール１０１において、光電変換素子と、送信ＬＳＩまたは受信ＬＳＩ１０２の少なくともいずれか一方と、１または２以上の不揮発性記憶素子１０３と、前記不揮発性記憶素子１０３の記憶情報を読み書きするための入出力端子と、を備え、前記不揮発性記憶素子１０３は、システムへの搭載時における前記光モジュール１０１にとって最適な駆動条件情報として、前記光モジュール１０１の所定の駆動条件もしくは製造情報その他の前記光モジュール１０１に固有の基本データまたは駆動条件もしくはその補正因子のテーブルが出荷前に記録された第１の記憶領域と、累積使用時間などの履歴情報が出荷後に記録された第２の記憶領域と、をさらに備える。

Description

（関連出願についての記載）本願は、先の日本特許出願２００７−０５４３７９号（２００７年３月５日出願）の優先権を主張するものであり、前記先の出願の全記載内容は、本書に引用をもって繰込み記載されているものとみなされる。
本発明は、光モジュールに関し、特に、光インターコネクションにおいて使用され、取扱性および簡易交換修理性（すなわち、故障時における交換と復帰に要する手間が少ないこと）を向上させた光モジュールに関する。

コンピュータ、サーバ、ルータ、ストレージ等の装置間または装置内において、従来電気配線で行われていた高速インターコネクション（Ｇｂｐｓ以上の伝送レートによる接続をいう。）を光配線に置き換える、光インターコネクションに関する研究開発が活発化してきている。

電気配線において１配線あたり１０Ｇｂｐｓ以上の伝送レートを実現する場合には、伝送可能な距離が高々数ｃｍ〜数十ｃｍに制限される上、一般に、波形整形回路が必要とされるために総消費電力が増大するという問題がある。

また、信号線を並列化して総伝送容量を増加させた場合には、信号線のピン数の増加、伝送路の占有面積の増加、ケーブルの断面積の増加等の実装上の問題が顕在化する。

これらの問題は、今後の情報通信機器の発展を阻害する要因となる。

光インターコネクションの研究開発が活発化している理由の一つは、これらの問題を克服することができるものと期待されるからである。

ところで、光インターコネクション用の光モジュールに対する要求性能は、基幹通信系において用いられる光モジュールに対する要求性能とは異なっている。

すなわち、光インターコネクション用の光モジュールは、他の電子回路と共にボード（電子回路基板）上に実装されるため、実装面積、発熱量、価格等が特に重要な要素となる。すなわち、基幹通信系用の光モジュールにおいて要求される以上に、小型化、低消費電力化、低価格化が要求される。例えば、光インターコネクション用の小型の光モジュール（小型光Ｉ／Ｏ、Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ（ＯＳＡ）等）のサイズは、一般のＬＳＩ等と同様に、十数ｍｍ角程度以下のサイズであることが望ましい。

また、開発から量産初期の段階における光モジュールは、素子特性、実装若しくは組立状態のばらつき、又は、累積使用時間の違いなどによって、モジュール毎に最適な駆動条件が異なっている。

さらに、光インターコネクション用の小型光モジュールの場合には、それが適用されるシステム内部における使用環境（実装条件、他のデバイスとの電気的接続環境、電気伝送路の長さや特性、温度（冷却・放熱環境）、光伝送路の長さや特性等）や、要求性能（伝送レート、品質信頼度および消費電力等）がモジュール毎に異なる。したがって、これらの使用環境や要求性能によって、一般に、モジュール毎に最適な駆動条件が異なってくる。

駆動条件を記録した記憶素子を備える光モジュールの例として、例えば、特許文献１において、レーザダイオードアレイと、レーザダイオードアレイに関する動作情報を格納した一体型メモリ装置と、を備えるレーザダイオードアレイアセンブリが開示されている。また、特許文献２において、複数の自発光素子と、自発光素子の発光輝度を調整するためのデータが格納されたメモリと、メモリに格納されたデータに基づいて各自発光素子の発光輝度を調整する駆動電流生成機能を備えたドライブユニットと、からなる自発光モジュールが開示されている。また、特許文献３において、レーザチップとメモリデバイスがレーザ制御システムとは別のパッケージに具備され、そのメモリデバイスがレーザチップに対する必要な動作パラメータを記憶するように構成されたレーザモジュールが開示されている。

特開２００１−２０３４１８号公報 特開２００４−３５４６８４号公報 特開２００１−１９６６９０号公報

以上の特許文献１〜３の開示事項は、本書に引用をもって繰り込み記載されているものとする。以下に本発明による関連技術の分析を与える。
現状では、十数ｍｍ角サイズの小型光モジュールに内蔵される従来の送受信ＬＳＩは、自らの固有情報を記録するとともに、起動時において読み出すための記憶素子を内蔵していない。

また、従来の送受信ＬＳＩのみでは、光モジュールがシステムに実装されたとき、駆動状態を最適化することができない。すなわち、個別のシステムに実装されたときの光モジュール毎の最適な駆動条件は、ユーザが個別に入手しまたは導出するとともに管理しなければならない。

すなわち、従来の光モジュールは、図１（Ａ）および図２に示すように、光モジュール１とは別に、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等の不揮発性記憶素子３を内蔵したマイコン４ａおよびその周辺回路９を単一のボード５上に搭載し、ボード５を単位としてユーザに提供する必要があった（特許文献１、２）。ここで、マイコン４ａはＡＳＩＣまたはＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）その他の演算処理デバイスのこともある。また、周辺回路９に含まれる素子や回路としては、例えば、バッファＩＣ、抵抗、容量、光モジュールの駆動を最適化するフィードバックループ回路などが挙げられる。

また、不揮発性記憶素子３を含まない構成によって光モジュール１を提供する場合には、図１（Ｂ）に示すように、光モジュール１とは別に、駆動条件データ（文書または電子データ）６を、別途添付してユーザに提供する必要があった。

前者（図１（Ａ）および図２）の場合には、ユーザは、光モジュール１として、常にマイコン４ａおよび周辺回路９がセットにされたボード５の形で供給される。したがって、そのサイズが小型光モジュール１そのものと比較して倍以上の面積となり、光モジュール１が搭載されるシステムのレイアウト設計における自由度が制限されるという問題がある。

一方、後者（図１（Ｂ））の場合には、光モジュール１を含むシステムを構築する際のみならず、光モジュール１を立ち上げる度に駆動条件データ６を書き込む手間が発生し、さらに、光モジュール１が故障した場合には、その交換および復帰時にも手間がかかるという問題がある。

さらに、不揮発性記憶素子３を搭載したマイコン４ａおよび周辺回路９の全てを、十数ｍｍ角以下のサイズの小型光モジュール１に内蔵させることは、現時点の回路サイズでは物理的に不可能であるという問題もある。

本発明の目的は、ユーザの任意のシステムに実装する際に、駆動条件を最適化するための情報（出荷時に記憶されたモジュール固有の基本データ（基本駆動条件、使用環境に応じた駆動条件またはその補正因子のテーブルなど）、および、時間と共に変化する使用履歴データ（累積使用時間など））を自ら内蔵し、取扱性および簡易交換修理性の高い超小型（十数ｍｍ角以下のサイズ）の光モジュールを提供することである。

本発明の第１の視点に係る光モジュールは、光電変換素子と、送信ＬＳＩまたは受信ＬＳＩの少なくともいずれか一方と、１または２以上の記憶素子と、前記記憶素子の記憶情報を読み書きするための入出力端子と、を備える光モジュールであって、前記記憶素子は、システムへの搭載時における前記光モジュールにとって好適な駆動条件情報として、前記光モジュールの所定の駆動条件もしくは製造情報その他の前記光モジュールに固有の基本データまたは駆動条件もしくはその補正因子のテーブルが出荷前に記録された第１の記憶領域と、累積使用時間などの履歴情報が出荷後に記録された第２の記憶領域と、をさらに備えることを特徴とする。

第１の展開形態に係る光モジュールは、前記記憶素子の少なくともいずれか１つが、不揮発性記憶素子であることを特徴とする。

第２の展開形態に係る光モジュールは、前記不揮発性記憶素子が、マスクＲＯＭであることを特徴とする。

第３の展開形態に係る光モジュールは、前記不揮発性記憶素子が、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）であることを特徴とする。

第４の展開形態に係る光モジュールは、前記ＰＲＯＭが、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＲＯＭ）であることを特徴とする。

第５の展開形態に係る光モジュールは、前記ＰＲＯＭが、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤ）またはＲＦタグであることを特徴とする。

本発明の第２の視点に係る光モジュールは、１または２以上の記憶素子を備える光モジュールであって、前記記憶素子は、前記光モジュールに固有の基本データを出荷前において記録するように構成された第１の記憶領域と、前記光モジュールに対する履歴情報が出荷後において記録されるように構成された第２の記憶領域と、を備えることを特徴とする。

本発明の第３の視点に係る光モジュールは、１または２以上の記憶素子を備える光モジュールであって、前記記憶素子が、前記光モジュールに固有の駆動条件又はその補正因子のテーブルを出荷前において記録するように構成された第１の記憶領域と、前記光モジュールに対する履歴情報が出荷後において記録されるように構成された第２の記憶領域と、を備えることを特徴とする。

第６の展開形態の光モジュールは、前記記憶素子が、不揮発性記憶素子であることが好ましい。

第７の展開形態の光モジュールは、前記履歴情報は、前記光モジュールの累積使用時間を含むことが好ましい。

第１の効果として、本発明によって、サイズを抑えつつ、取扱性および簡易交換修理性を向上した超小型光モジュールを提供することができる。

すなわち、マイコンなどの演算処理素子およびその周辺回路を設けることなく超小型パッケージとするとともに、駆動条件等の文書データを添付することなく、光モジュールをユーザへ提供することが可能となる。したがって、光モジュールのユーザによる取り扱いも簡便となる。

特に、光モジュール故障時には、そのモジュールを交換することによって、同時に駆動条件などの情報も交換されることとなる。したがって、改めてユーザによって、光モジュールへ情報を書き込むなどの作業は必要とされない。

第２の効果として、本発明のモジュール構成を採用することによって、小型光モジュールのパフォーマンスをシステムに合わせて最適化（ないし好適化）することが容易となり、モジュールの長寿命化、高信頼化にも繋がる。

つまり、各システムにおけるモジュールの最適な駆動によって、パフォーマンスを最大限に引き出すことが可能になる。また、過剰な出力パワーなど、システム要求以上の無駄な動作を抑制することもできる。さらに、経時劣化を考慮した条件の補正によって、性能の低下をより長い時間に亘って抑えることが可能となる。

また、モジュールのベンダー側の立場からは、出荷前に、基準となる駆動条件と性能（基本データ）のみを保証（記憶素子に記録）するだけで、幅広いユーザのニーズ／システム要求に対応できる可能性があるため、特殊仕様を抑えた量産・汎用化にも繋がり易い。

第３の効果として、本発明のモジュール構成を採用することによって、複数の光モジュールの一括管理および制御が行いやすくなる。

各光モジュール自身がデータを保有していない場合、多数の光モジュールを一括管理および制御するには、その多数の光モジュールに対するデータを１箇所（１つのＣＰＵ：マイコン、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡなど）で保管し、かつ、処理しなければならない。しかし、本発明の構成であれば、各光モジュールに固有の基本データは光モジュール自身が不揮発性記憶素子に保有しているため、一括管理および制御を行うデバイスの負担が軽減される。

例えば、マイコン等に比べて総信号ピン数が少ないシリアルインターフェイス（例えば、Ｉ２ＣやＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ））内蔵のシリアルＥＥＰＲＯＭを不揮発性記憶素子として採用することによって、光モジュール内外における情報読み込みおよび書き出し用の電気信号配線を省スペースで行うことが可能となる。

特に、各小型光モジュールに内蔵された複数の不揮発性記憶素子をＤａｉｓｙ−ｃｈａｉｎ（デイジーチェーン）型に繋いで制御することが可能である場合、マイコン、ＡＳＩＣやＦＰＧＡなどによる複数モジュールの一括制御を、電気配線数の増加を抑えつつ、行うことが可能となる。

第４の効果として、本発明のモジュール構成において、シール状のＲＦ−ＩＤ（ＴＡＧ）を不揮発性記憶素子として採用することによって、光モジュールのリフロー対応、在庫管理、多数・高密度実装モジュール群の集中制御が容易な小型光モジュールを提供することが可能となる。

つまり、シール状のＲＦ−ＩＤ（ＴＡＧ）は、搭載場所を選ばず、着脱も自由であるため、リフローなどによって光モジュール全体を加熱する場合であっても、それを一時的に取り外すことにより、記憶情報消去の危険を回避することができる。また、無線の使用によって、信号配線のレイアウトを気にしなくても済むため、多数のモジュール群の在庫管理や集中制御も容易となる。

小型光モジュールをユーザに提供する従来の形態を説明するための図である。 小型光モジュールをユーザに提供する従来の形態を説明するための図である。 本発明に係る小型光モジュールの基本構成を示すブロック図である。 本発明に係る小型光モジュールの基本構成を示すイメージ図である。 本発明に係る小型光モジュールを複数個一括して制御する際の構成を説明するための図である。 本発明に係る小型光モジュールの第１の実施例を示す図である。 本発明に係る小型光モジュールの第２の実施例を示す図である。 本発明に係る小型光モジュールの第３の実施例を示す図である。

符号の説明

１、１０１ （小型）光モジュール
２、１０２ 送信（または受信）ＬＳＩ
３、１０３ 不揮発性記憶素子
４ａ、４ｂ、１０４ｂ、１０４ｃ マイコン
５、１０５ ボード（電子回路基板）
６ 駆動条件データ（文書または電子データ）
７ 光信号出射窓
８ 高速信号線
９、１３０ マイコンの周辺回路
１０２ａ 送信ＬＳＩ
１０２ｂ 受信ＬＳＩ
１０７ 光信号出射窓
１０８ 高速信号線
１１０ フレキシブル電気基板
１１１ 発光素子
１１２ 受光素子
１１３ ＡＣ結合用コンデンサ
１１４ 小型光モジュール内高速信号線
１１５ 光コネクタピン勘合用孔
１２０ ＲＯＭ用信号線

本発明の小型光モジュール１０１は、図３および図４に示すように、内部に、不揮発性記憶素子１０３（マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ、Ｆｕｓｅ−ＲＯＭ）、ＵＶ−ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＲＯＭ）、ＲＦＩＤ（ＴＡＧ）など）を１つ備えるか、または、種類や特性の異なる複数の不揮発性記憶素子１０３を備える。さらに、不揮発性記憶素子１０３に、少なくとも、出荷時に固定（決定）されるモジュール固有の基本データや各使用環境に応じた駆動条件やその補正因子のテーブルを格納する記憶領域Ａと、使用履歴（時間）に応じて書き換えられる記憶領域Ｂと、を備える。

一方、不揮発性記憶素子１０３に関する読み書き（演算）処理を行うためのマイコン４ｂおよびその周辺回路９は、光モジュール１０１には含まれない。ここで、マイコン４ｂは、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡなどの演算処理デバイスであっても良く、記憶素子を含まないものであっても良い。

一般に、駆動条件等の通信を行う信号線（クロック周波数が高々１００ＭＨｚ程度）に対しては、高速信号線８（Ｇｂｐｓ以上）のように配線に関する厳しい要求は無い。したがって、不揮発性記憶素子１０３の搭載位置は、例えば、基板の隅もしくは裏、金属遮蔽枠やヒートシンクの上もしくは内部など、配線が可能な箇所であればいずれであっても良い。

さらにＲＦＩＤ（ＲＦタグ）を不揮発性記憶素子１０３として使用する場合には、不揮発性記憶素子１０３の搭載位置は、モジュールパッケージ表面などの電気配線が不可能な場所であってもよい。

光モジュール１０１に内蔵された不揮発性記憶素子１０３の記憶領域Ａに対して、光モジュール１０１に固有の基本データ（例えば、常温、常湿、常圧の標準的な環境下において光信号消光比３ｄＢ及び光出力パワー０ｄＢｍを実現するための条件その他製造情報などの基本データをいう。但し、必ずしも駆動条件自体である必要は無く、標準値からの偏差値であってもよい。）と、様々な環境に対応した駆動条件テーブル（または条件補正因子テーブル）と、を出荷時において書き込む。

ユーザは、この記憶領域Ａの読み出しを、小型光モジュール１０１の外部（光モジュール１０１が搭載されたものと同一のボード５上もしくは他のボード）に設置されたマイコン４ｂ（例えば、ＡＳＩＣまたはＦＰＧＡであってもよい。）によって行い、それと同時に、記憶領域Ｂに記録された光モジュール１０１の使用履歴情報（例えば、累積使用時間など）を読み込む。

光モジュール１０１は、記憶領域Ａと記憶領域Ｂとに書き込まれた条件に基づいて最適に駆動させることが可能となる。使用履歴情報（累積使用時間など）は、随時、記憶領域Ｂへ追記可能とすることが好ましい。なお、光モジュール１０１の使用環境および使用履歴情報は、基本データへの補正因子（係数）という形で駆動条件へ反映させてもよく、複数格納されている駆動条件の中からの選択によって反映させてもよい。ここで、使用環境に対する最適化のための補正因子（係数）は、光モジュール１０１の出荷時に書き込まれる以外に、光モジュール１０１のベンダーからインターネットやその他の媒体を介して供給されてもよく、ユーザが独自に導き出してもよい。

なお、出荷時に記憶領域Ａに記憶させる情報の内容も、随時記憶領域Ｂに記憶させる情報の内容も上記の内容には限定されず、また、上記の内容の全てを含む必要も無い。

いずれにしても、ユーザは、光モジュール１０１に内蔵された情報に基づいて、任意のシステムにおける光モジュール１０１のパフォーマンスを最適化（ないし好適化）することが可能となる。

さらに、図５を参照すると、各光モジュール１０１自身がデータを保有していない場合、多数の光モジュール１０１を一括管理および制御するには、その多数の光モジュールに対するデータを１つのマイコン４ｂ（ＡＳＩＣまたはＦＰＧＡであってもよい。）で保管し、かつ、処理しなければならない。しかしながら、本発明の構成であれば、各光モジュール１０１に固有の基本データは、光モジュール１０１自身が不揮発性記憶素子１０３に保有しているため、一括管理および制御を行うマイコン４ｂの負担は軽減される。

次に、本発明の第１の実施例について図面を参照して詳細に説明する。

図６に、光インターコネクション用の小型光モジュール１０１を示す。

内部のフレキシブル電気基板１１０上には、発光素子（ＬＤ）１１１、受光素子（ＰＤ）１１２、送信ＬＳＩ（ＬＤＤ）１０２ａ、受信ＬＳＩ（ＲＣＶ）１０２ｂが搭載されている。

さらに、この上に、金属の電磁遮蔽枠が被せられる。

尚、この小型光モジュール１０１のサイズは、例えば、１５ｍｍ角程度である。

光モジュール１０１は、光信号出射窓１０７を通して、光ファイバとの光信号の受け渡しを行う。

本発明では、この小型光モジュール１０１に、従来は含まれていなかった、不揮発性記憶素子１０３が搭載されている。なお、図６には、ＡＣ結合用コンデンサ１１３、小型光モジュール内高速信号線１１４、光コネクタピン勘合用孔１１５も併せて示した。

不揮発性記憶素子１０３は、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）、Ｆｕｓｅ−ＲＯＭ、ＵＶ−ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）等の不揮発性記憶素子であれば、いずれの素子であってもよい。

不揮発性記憶素子１０３の記憶領域Ａには、光モジュール１０１に固有の基本データ（常温、常湿、常圧などの標準環境下において、光信号消光比３ｄＢ、光出力パワー０ｄＢｍを実現するための条件および製造情報に関するデータなどを指す。但し、必ずしも駆動条件そのものである必要は無く、標準値からの偏差値のようなデータであってもよい。）と、様々な環境に対応した駆動条件テーブル（または条件補正因子テーブル）を出荷時に書き込む。

ユーザは、記憶領域Ａの読み出しを小型光モジュール１０１の外部（当該光モジュール１０１が搭載されたものと同一のボード１０５上もしくは他のボード）に設置されたマイコン、ＡＳＩＣやＦＰＧＡなどによって行う。それと同時に、記憶領域Ｂに記録された光モジュール１０１の使用履歴情報（累積使用時間など）も読み込む。光モジュール１０１は、記憶領域Ａと記憶領域Ｂとに書き込まれた情報に基づいて最適（ないし好適）に駆動させることが可能となる。累積使用時間は、随時、記憶領域Ｂへ書き込まれるものとする。なお、光モジュール１０１の使用環境および使用履歴情報は、基本データへの補正係数という形で駆動条件へ反映させてもよく、複数格納されている駆動条件の中からの選択によって反映させてもよい。ここで、使用環境に対する最適化（ないし好適化）のための補正係数は、光モジュール１０１の出荷時に書き込まれる以外に、光モジュール１０１のベンダーからインターネットやその他の媒体を介して供給されてもよく、ユーザが独自に導き出してもよい。

なお、出荷時に記憶領域Ａに記憶させる情報の内容も、随時記憶領域Ｂに記憶させる情報の内容も上記の内容には限定されず、また、上記の内容の全てを含む必要も無い。

いずれにしても、ユーザは、光モジュール１０１に内蔵された情報に基づいて、システムにおける光モジュール１０１のパフォーマンスを最適化（ないし好適化）することが可能となる。

ここで、駆動条件等の通信を行う信号線（クロック周波数は高々１００ＭＨｚ）に対しては、高速信号線１１４（Ｇｂｐｓ以上のビットレート）のように配線に関する厳しい要求は無い。したがって、不揮発性記憶素子１０３の搭載位置は、フレキシブル電気基板１１０上に限定されず、配線が可能な箇所であればいずれであっても良い。

例えば、不揮発性記憶素子１０３の搭載位置は、基板の隅や裏、金属枠やヒートシンクの上や内部などであってもよい。

さらに、不揮発性記憶素子１０３としてＲＦＩＤ（ＴＡＧ）を使用する場合には、モジュールパッケージ表面などの電気配線が不可能な場所に搭載してもよい。

本発明による、以上の光モジュール構成を採用することによって、サイズを小さく抑えつつ、取扱性および簡易交換修理性を向上させた超小型光モジュールを提供することができる。

つまり、マイコンなどの演算処理素子およびその周辺回路を設けることなく超小型パッケージとするとともに駆動条件等の文書データを添付することなく、光モジュールをユーザへ提供することが可能となる。したがって、光モジュールのユーザによる取り扱いも簡便となる。

特に、光モジュール故障時には、そのモジュールを交換することによって、同時に駆動条件などの情報も交換されることとなる。したがって、改めてユーザによって、情報を書き込むなどの作業は必要とされない。

また、本発明のモジュール構成を採用することによって、小型光モジュールのパフォーマンスをシステムに合わせて最適化（ないし好適化）することが容易となり、モジュールの長寿命化、高信頼化にも繋がる。

つまり、各システムにおけるモジュールの最適な駆動によって、過剰な出力パワーなど、システム要求以上の無駄な動作を抑制することもできる。さらに、経時劣化を考慮した条件の補正によって、性能の低下をより長い時間に亘って抑えることが可能となる。

モジュールのベンダー側の立場からは、出荷前に、ある基準となる駆動条件と性能（基本データ）のみを保証（記憶素子に記録）するだけで、幅広いユーザのニーズ／システム要求に対応できる可能性があるため、特殊仕様を抑えた量産・汎用化にも繋がり易いと考えられる。

なお、一つの光モジュールに内蔵する不揮発性記憶素子１０３は、１つに限らず、種類または特性の異なる２つ以上の不揮発性記憶素子であっても構わない。

例えば、製造日やロット番号など不変の情報はマスクＲＯＭに記録し、駆動情報や総使用時間などの随時書き換えが行われる情報はＰＲＯＭに記録してもよい。また、インターフェイス、アクセス方式、耐環境性の異なる複数のＲＯＭに対して同一の情報を記録しておいて、記録情報のアクセシビリティや保護性を向上させることも可能となる。

上記実施例において、駆動条件等のデータは個々の光モジュール自身が保有している。したがって、複数の光モジュールの一括管理および制御をさらに行いやすくすることができる。

図７は、光モジュールを一括管理および制御するための構成（第２の実施例）を示す。

一つのマイコン（ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡであってもよい。）１０４ｂが、複数の小型光モジュール１０１内部の不揮発性記憶素子１０３および送受信ＬＳＩに接続され、マイコン１０４ｂによって、駆動条件等のデータの一括管理および制御を行う。なお、マイコン１０４ｂは、記憶素子を含まないものであってもよい。

ここで、従来のように、各光モジュール１０１自身が各々の固有データを保有していない場合、多数の光モジュール１０１に対するデータの全てを１箇所（１つのＣＰＵ：マイコン、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡなど）で保管し、かつ、処理しなければならない。しかし、本実施形態では、各々の光モジュールに対するデータを光モジュール１０１自身が保有しているため、一括管理および制御を行うデバイスの負担を大きく軽減することができる。

マイコン１０４ｂの負担を軽減する効果は、管理する光モジュール１０１の数が多くなればなるほど顕著となる。

ここで、マイコン１０４ｂ等に比べて総信号ピン数が少ないシリアルインターフェイス（Ｉ２ＣやＳＰＩ）を内蔵したシリアルＥＥＰＲＯＭを、不揮発性記憶素子１０３として採用することによって、光モジュール１０１の内外における情報の読み出しおよび書き込み用の電気信号配線を省スペースで実現することも可能となる。

特に、各小型光モジュール１０１に内蔵された複数の不揮発性記憶素子１０３をＤａｉｓｙ−ｃｈａｉｎ（デイジーチェーン）型に繋いで制御することが可能な場合、マイコン１０４ｂ（ＡＳＩＣやＦＰＧＡであってもよい。）によって、複数モジュールの一括制御を電気配線数の増加を抑えつつ行うことができる。

さらに上記第２の実施例において、シール状のＲＦＩＤ（ＴＡＧ）を、不揮発性記憶素子１０３として採用することによって、リフロー対応、在庫管理、多数・高密度実装モジュール群の集中制御を容易とする小型光モジュール１０１を提供することができる。

この際の構成を、第３の実施例として、図８に示す。

この場合も、上記第２の実施例と同様に、一つのマイコン（もしくはＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ）１０４ｃによって、複数の小型光モジュール１０１を制御する。マイコン１０４ｃは、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡなどの演算処理デバイスであっても良い。また、マイコン１０４ｃは、ＲＦＩＤ通信用回路を含むものの、記憶素子は含まないものであってもよい。

本実施例においては、無線が使用されるため、不揮発性記憶素子１０３とマイコン１０４ｃとの間には配線が必要とされない。すなわち、配線のレイアウトを考慮する必要がないため、多数のモジュール群の在庫管理や集中制御をさらに容易なものとすることができる。

なお、図８において、マイコン１０４ｃの周辺回路（バッファＩＣ、抵抗、要領、フィードバックループ回路）１３０、光信号出射窓１０７、高速信号線１０８も併せて示した。

また、シール状のＲＦＩＤ（ＴＡＧ）は、搭載される場所を選ぶこともなく、着脱も自由である。したがって、リフローなどにおいて光モジュール１０１全体を加熱する場合であっても、そのＲＦＩＤを一時的に取り外すことによって、記憶された情報が消去される危険を回避することができる、という利点も持つ。
本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。

Claims (10)

1. 光電変換素子と、
   送信ＬＳＩまたは受信ＬＳＩの少なくともいずれか一方と、
   １または２以上の記憶素子と、
   前記記憶素子の記憶情報を読み書きするための入出力端子と、を備える光モジュールであって、
   前記記憶素子は、システムへの搭載時における前記光モジュールにとって好適な駆動条件情報として、
   前記光モジュールの所定の駆動条件もしくは製造情報その他の前記光モジュールに固有の基本データまたは駆動条件もしくはその補正因子のテーブルが出荷前に記録された第１の記憶領域と、
   累積使用時間などの履歴情報が出荷後に記録された第２の記憶領域と、をさらに備えることを特徴とする光モジュール。
2. 前記記憶素子の少なくともいずれか１つは、不揮発性記憶素子であることを特徴とする、請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記不揮発性記憶素子は、マスクＲＯＭであることを特徴とする、請求項２に記載の光モジュール。
4. 前記不揮発性記憶素子は、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）であることを特徴とする、請求項２に記載の光モジュール。
5. 前記ＰＲＯＭは、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＲＯＭ）であることを特徴とする、請求項４に記載の光モジュール。
6. 前記ＰＲＯＭは、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤ）またはＲＦタグであることを特徴とする、請求項４に記載の光モジュール。
7. １または２以上の記憶素子を備える光モジュールであって、
   前記記憶素子は、前記光モジュールに固有の基本データを出荷前において記録するように構成された第１の記憶領域と、
   前記光モジュールに対する履歴情報が出荷後において記録されるように構成された第２の記憶領域と、を備えることを特徴とする光モジュール。
8. １または２以上の記憶素子を備える光モジュールであって、
   前記記憶素子は、前記光モジュールに固有の駆動条件又はその補正因子のテーブルを出荷前において記録するように構成された第１の記憶領域と、
   前記光モジュールに対する履歴情報が出荷後において記録されるように構成された第２の記憶領域と、を備えることを特徴とする光モジュール。
9. 前記記憶素子は、不揮発性記憶素子であることを特徴とする、請求項７又は８に記載の光モジュール。
10. 前記履歴情報は、前記光モジュールの累積使用時間を含むことを特徴とする、請求項７ないし９のいずれか一に記載の光モジュール。

Images