JPWO2007116524A1 - Field emission power generator - Google Patents

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J45/00Discharge tubes functioning as thermionic generators

Abstract

従来の発電方法とは異なる新しい概念に基づき、投入エネルギーが少なく、発電効率が良く、クリーンで、枯渇する心配のない、安定した発電を可能とする。自由電子を保有する電子供給体20と、電子供給体20に電気導通状態に設けられる電子放出ポート30と、電子放出ポート30に電気絶縁場Fを介して対向配置されると共に電界を付加して電子を吸引放出させる電子引出電極40と、電子引出電極40によって放出された電子を受け取る電子受容体50と、電子放出ポート30からの放出電子が電子引出電極40に吸収されるのを防止する電子吸収防止手段とを備え、電子引出電極40に正電圧を加えることで電子放出ポート30から電子を電界放出させ、この放出電子を、電子受容体50で受け取らせて集める構成とした。Based on a new concept different from the conventional power generation method, it enables stable power generation with less energy input, good power generation efficiency, cleanness, and no fear of exhaustion. An electron supply body 20 that holds free electrons, an electron emission port 30 provided in an electrically conductive state in the electron supply body 20, an electron emission port 30 that is opposed to the electron emission port 30 via an electric insulation field F, and an electric field is added thereto An electron extraction electrode 40 that sucks and emits electrons, an electron acceptor 50 that receives the electrons emitted by the electron extraction electrode 40, and an electron that prevents the electrons emitted from the electron emission port 30 from being absorbed by the electron extraction electrode 40. A structure in which electrons are emitted from the electron emission port 30 by applying a positive voltage to the electron extraction electrode 40, and the emitted electrons are received by the electron acceptor 50 and collected.

Description

本発明は電界放出(放射)を利用した発電装置に関する。   The present invention relates to a power generation apparatus using field emission (radiation).

電気エネルギーを得る方法としての発電には、古くから行われている水力発電、風力発電の他、太陽光発電、潮力発電等の自然エネルギーを利用する発電が知られている。また化石燃料を用いた火力発電や、原子力を用いた原子力発電が知られている。
前記化石燃料を用いた発電においては、原料となる化石燃料が有限であることから、何れ枯渇し、社会のニーズに応えられなくなるという問題をかかえている。
また前記太陽光や風力等の自然エネルギーを利用した発電においては、利用する自然エネルギーである太陽光や風力の供給は自然条件に依存するので、我々が電力を必要とする際に必ず発電が行われる保障がないという欠点がある。
また原子力発電の場合は、安全性の問題や設備等の問題がある。
As power generation as a method for obtaining electric energy, generation using natural energy such as solar power generation and tidal power generation is known in addition to hydroelectric power generation and wind power generation that have been performed for a long time. Thermal power generation using fossil fuel and nuclear power generation using nuclear power are also known.
The power generation using the fossil fuel has a problem that the fossil fuel as a raw material is limited, and will eventually be depleted and cannot meet the needs of society.
In addition, in power generation using natural energy such as sunlight and wind power, the supply of solar energy and wind power, which are the natural energy used, depends on the natural conditions, so power generation is always performed when we need power. There is a drawback that there is no guarantee that it will be.
In the case of nuclear power generation, there are safety problems and equipment problems.

一方、本発明者は、太陽光を物質に受光させて熱エネルギーに変換し、これによって加熱された物質から熱電子を放出させ、この熱電子放出を利用して熱エネルギーを電気エネルギーに変換することによる発電方法を提供した(特許文献1〜4)。
また熱エネルギーを電気エネルギーに変換する装置としては、次の特許文献5も提供されている。
一方、電界を加えて電子を放出させる電界電子放出を用いた装置として、次の特許文献6が提供されている。
特許第3449623号公報 特開2003−189646号公報 特開2003−250285号公報 特開2004−140288号公報 特開2003−258326号公報 特表平11−510307号公報
On the other hand, the present inventor receives sunlight into a substance and converts it into thermal energy, thereby emitting thermal electrons from the heated substance, and using this thermal electron emission, converts the thermal energy into electrical energy. The power generation method by this was provided (patent documents 1-4).
The following Patent Document 5 is also provided as an apparatus for converting thermal energy into electrical energy.
On the other hand, the following Patent Document 6 is provided as an apparatus using field electron emission that emits electrons by applying an electric field.
Japanese Patent No. 3449623 JP 2003-189646 A JP 2003-250285 A JP 2004-140288 A JP 2003-258326 A Japanese National Patent Publication No. 11-510307

ところが上記特許文献1〜4の発明は、何れも熱エネルギーを物体に与え、これによって加熱された物体中から熱電子を放出させ、放出された電子を回収して発電を行う方法を採用したものである。即ち外部から熱エネルギーを与えて、これを電気エネルギーに変換する方式の発電装置であり、大きな電気エネルギーを得るためには、それ相当の大きな熱エネルギーの投入を必要とする。
また上記特許文献5の発明には、電界放出を利用した素子や装置が開示されている。しかし、あくまでも電気エネルギーと熱エネルギーとの変換装置である。また発電に関しては、加熱による熱電子放出を利用した発電にとどまるものである。
また特許文献6の発明には、電界電子放出材料、電界電子放出装置が開示されている。しかし電界電子放出装置において示されたものは、電子の電界放出を放電装置、電子ガン、ディスプレイ等、何れも放出電子そのものを利用した装置であり、発電に利用するといった技術思想が全く存在しないものである。
However, all of the inventions of Patent Documents 1 to 4 adopt a method in which thermal energy is given to an object, thermal electrons are emitted from the heated object, and the emitted electrons are collected to generate power. It is. In other words, this is a power generation device that converts heat into electric energy by applying heat energy from the outside. In order to obtain large electric energy, it is necessary to input a considerable amount of heat energy.
The invention of Patent Document 5 discloses an element or device using field emission. However, it is only a conversion device between electric energy and heat energy. As for power generation, it is limited to power generation using thermionic emission by heating.
The invention of Patent Document 6 discloses a field electron emission material and a field electron emission device. However, what is shown in the field electron emission device is a device that uses the emitted electron itself, such as a discharge device, an electron gun, a display, etc., and has no technical idea of using it for power generation. It is.

そこで本発明は従来における発電方法とは全く異なる新しい概念に基づき、投入エネルギーが少なく、且つ十分に効率のよい発電を得ることができると共に、クリーンで、枯渇する心配のない、安定した発電が可能な新たな発電装置の提供を課題とする。   Therefore, the present invention is based on a new concept that is completely different from the conventional power generation method, and it is possible to obtain a sufficiently efficient power generation with less input energy, and a stable power generation that is clean and does not have to be exhausted. An object is to provide a new power generator.

上記課題を達成するため、本発明者は種々の実験と検討を重ねた結果、電界が物質に作用することで物質中の電子が物質の表面から放出される電界放出現象をうまく利用することで、熱電子放出による発電とは異なる、より効率のよい新たな発電が可能であることを知得し、本発明を完成した。
電界が、例えば自由電子が多い物質の狭い領域に集中すると、物質表面から電子が真空中等に放出される。この現象は電界放出として知られている。この場合は外部から熱エネルギーを加えなくとも、電界によって電子が放出される。放出された電子をうまく収集することにより、電子による電気エネルギーを外部に取り出すことができる。
物質に加える電界については、前記電界の集中度を高くすることで、加える正電荷の強さを低く抑えることができる。
また電界を加えられる材料は、自由電子が多く、電子を放出する放出領域のエネルギー障壁を低くすることで、電界放出を行いやすくすることができる。
一方、電界を発生させる電界の発生源については、電界を材料に及ぼすだけで電流が流れない限り、電荷の消耗、即ちエネルギー消費は理論的には生じない。別の言い方をすれば、材料から電界放出された電子が電界発生源に到達して吸収されない限りにおいて、電界発生源でのエネルギー消費は生じない。
以上のようにして本発明では、材料中の自由電子を効率よく電界放出させ、且つこの電界放出させた電子を電界発生源以外の受電子材料に適切に収集して蓄積することで、実用可能な発電を完成させている。このとき電子放出材料に電界を加える電界発生源でのエネルギー消費は最小限に抑えられる。
In order to achieve the above object, the present inventor has conducted various experiments and studies, and as a result, has successfully utilized the field emission phenomenon in which electrons in a substance are emitted from the surface of the substance by the action of an electric field on the substance. As a result, it was learned that a more efficient new power generation different from the power generation by thermionic emission was possible, and the present invention was completed.
When the electric field is concentrated in, for example, a narrow region of a substance with many free electrons, electrons are emitted from the surface of the substance into a vacuum or the like. This phenomenon is known as field emission. In this case, electrons are emitted by the electric field without applying heat energy from the outside. By successfully collecting the emitted electrons, the electrical energy from the electrons can be extracted outside.
With respect to the electric field applied to the substance, the strength of the positive charge applied can be kept low by increasing the concentration of the electric field.
In addition, a material to which an electric field can be applied has many free electrons, and it is possible to facilitate field emission by lowering the energy barrier of the emission region that emits electrons.
On the other hand, with respect to an electric field generating source that generates an electric field, charge consumption, that is, energy consumption does not theoretically occur unless an electric current flows only by applying an electric field to a material. In other words, as long as the electrons emitted from the material reach the electric field generation source and are not absorbed, energy consumption at the electric field generation source does not occur.
As described above, in the present invention, free electrons in a material can be efficiently field-emitted, and the field-emitted electrons can be practically collected and stored in an electron-receiving material other than the electric field generation source. Complete power generation. At this time, energy consumption at the electric field generating source that applies an electric field to the electron emission material can be minimized.

本発明の電界放出発電装置は、自由電子を保有する材料からなる電子供給体と、該電子供給体に対して電気導通状態に設けられた電子放出ポートと、該電子放出ポートに電気絶縁場を介して対向配置されると共に電界を付加して電子を吸引放出させるための電子引出電極と、該電子引出電極によって放出された電子を受け取るための電子受容体と、前記電子放出ポートから放出された電子が前記電子引出電極に吸収されるのを防止するための電子吸収防止手段とを備え、前記電子引出電極に正電圧を加えることで前記電子放出ポートから電子を電界放出させると共に、この電界放出した電子を、前記電子引出電極に吸収させることなく、別に配置した前記電子受容体で受け取らせて集める構成としたことを第1の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子放出ポートは、電子放出に対するエネルギー障壁の小さい材料及び/若しくは形状で構成されていることを第2の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子放出ポートは、電子供給体の表面に準1次元物質をその長手方向が電子放出方向となるように立設して構成されていることを第3の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第3の特徴に加えて、準1次元物質は、カーボン・ナノチューブであることを第4の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電気絶縁場は、絶縁空間若しくは絶縁物質により構成されることを第5の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子吸収防止手段は、電子引出電極の材料を準2次元物質とし、電子放出ポートから放出された電子が量子トンネル現象によって前記電子引出電極に吸収されることなく貫通されるようにして構成してあることを第6の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子吸収防止手段は、電子放出ポートから放出されて電子引出電極に向かう電子の軌道を変更する電子軌道変更電極であることを第7の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子吸収防止手段は、電子受容体を電子引出電極の前に配置することで、電子放出ポートから放出され電子引出電極に向かう電子を電子引出電極の手前で受け取るように構成してあることを第8の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子受容体に向かう電子を加速する加速電極を設けたことを第9に特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子受容体に向かう電子の軌道を分散させて電子受容体での受電子位置が集中するのを防止する受電子位置分散手段を設けたことを第10の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子受容体は複数個を相互に絶縁状態にして設け、電子放出ポートから放出された電子を前記複数個の電子受容体に振り分ける電子振り分け手段を設けたことを第11の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子受容体に到達した電子が2次放出するのを防止するための2次放出防止手段を設けたことを第12の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子受容体と電子供給体とを電気接続し途中に電気的負荷を配する構成としたことを第13の特徴としている。
また本発明の電界放出発電装置は、上記第1の特徴に加えて、電子引出電極に交流電圧を加えることで、電子放出ポートから放出される電子の量を変化させて、交流発電させる構成としたことを第14の特徴としている。
The field emission power generation device of the present invention includes an electron supply body made of a material having free electrons, an electron emission port provided in an electrically conductive state with respect to the electron supply body, and an electric insulation field at the electron emission port. And an electron extraction electrode for attracting and emitting electrons by applying an electric field, an electron acceptor for receiving electrons emitted by the electron extraction electrode, and an electron emission port emitted from the electron emission port An electron absorption preventing means for preventing the electrons from being absorbed by the electron extraction electrode, and by applying a positive voltage to the electron extraction electrode, the field emission of the electron from the electron emission port is achieved. The first feature is that the collected electrons are received by the electron acceptor arranged separately without being absorbed by the electron extraction electrode.
In addition to the first feature, the field emission power generation device of the present invention has a second feature that the electron emission port is made of a material and / or shape having a small energy barrier against electron emission.
In the field emission power generation device of the present invention, in addition to the first feature, the electron emission port has a quasi-one-dimensional substance standing on the surface of the electron supply body so that its longitudinal direction is the electron emission direction. The third feature is that it is configured.
In addition to the third feature, the field emission power generator of the present invention has a fourth feature that the quasi-one-dimensional substance is a carbon nanotube.
In addition to the first feature described above, the field emission power generation device of the present invention has a fifth feature in that the electrical insulating field is formed of an insulating space or an insulating material.
In addition to the first feature described above, the field emission power generation device of the present invention is characterized in that the electron absorption preventing means uses a quasi-two-dimensional material as the material of the electron extraction electrode, and electrons emitted from the electron emission port are caused by a quantum tunnel phenomenon. A sixth feature is that the electron extraction electrode is configured to penetrate without being absorbed.
In the field emission power generator of the present invention, in addition to the first feature, the electron absorption preventing means is an electron trajectory changing electrode that changes the trajectory of electrons emitted from the electron emission port toward the electron extraction electrode. Is the seventh feature.
In the field emission power generator of the present invention, in addition to the first feature described above, the electron absorption preventing means is arranged so that the electron acceptor is disposed in front of the electron extraction electrode, and is emitted from the electron emission port to the electron extraction electrode. An eighth feature is that the configuration is configured to receive the electrons traveling in front of the electron extraction electrode.
In addition to the first feature described above, the field emission power generator of the present invention is characterized in that an acceleration electrode for accelerating electrons toward the electron acceptor is provided.
In addition to the first feature described above, the field emission power generation device of the present invention disperses the electron trajectory toward the electron acceptor to prevent the electron acceptor positions from being concentrated in the electron acceptor. The tenth feature is that the means is provided.
According to the field emission power generator of the present invention, in addition to the first feature, a plurality of electron acceptors are provided so as to be insulated from each other, and electrons emitted from an electron emission port are supplied to the plurality of electron acceptors. The eleventh feature is that an electronic distribution means for distributing to each other is provided.
In addition to the first feature described above, the field emission power generator according to the present invention is provided with a secondary emission preventing means for preventing secondary emission of electrons that have reached the electron acceptor. It is a feature.
In addition to the first feature described above, the field emission power generator of the present invention has a thirteenth feature in which the electron acceptor and the electron supplier are electrically connected and an electric load is arranged in the middle. .
In addition to the first feature described above, the field emission power generation device of the present invention is configured to generate AC power by changing the amount of electrons emitted from the electron emission port by applying an AC voltage to the electron extraction electrode. This is the fourteenth feature.

請求項1に記載の電界放出発電装置によれば、電子引出電極に正電圧が加えられることで該電子引出電極と電子供給体の電子放出ポートとの間に電界が生じ、電子放出ポートに拘束されている自由電子に加わるクーロン力が増大し、電子の運動エネルギーが上昇する。これによって電子のもつエネルギーが電子放出ポートの表面のエネルギー障壁を超えると、その電子は電子放出ポートから電気絶縁場に放出される。このときの条件としては、電子放出ポートにおけるエネルギー障壁ができるだけ低くなるように、材料やポートの形状を考慮することが重要となる。また電子引出電極による電界で生じるクーロン力を電子放出に必要な強さにまで増大させるために、且つ付加される正電圧を低く抑えるために、前記電子引出電極をできるだけ電子放出ポートに近接させることが重要である。
前記電子引出電極による正電圧付加によって電子放出ポートから電界放出された電子は、電気絶縁場を前記電子引出電極に向けて吸引されて飛翔するが、電子吸収防止手段によって、電子引出電極に到達して吸収されるのが阻止され、代わって電子受容体に受け取られる。これによって電子放出された電子は電子受容体に集められ、電子受容体における電子数が増大する。即ち、発電状態となる。
電子受容体の状態は、電気的に中性乃至マイナス状態にするのが、電子と原子核との結合を防ぎ、効率のよい発電を行うのに好ましい。しかしその一方、電子受容体のマイナス電荷が増大するに従って反発力が増し、電子の受け入れが難しくなる。これを解消するには、電子の飛翔速度を増大させて運動エネルギーを増加させること、或いは電子受容体のマイナス電荷を電子受容体の表面から他の位置に移動させて表面のマイナス電荷を小さく保持することが重要となる。
前記電子引出電極に加えられる正電荷は、電界放出して電子が電子引出電極に到達しない限りにおいて、理論上において消費されることがないので、必要なエネルギー(付加電圧)の消費を十分に抑制することが可能である。
以上より請求項1に記載の発明の電界放出発電によれば、電子の電界放出現象を利用して、電界放出に必要なエネルギーの消費を少なく抑制しながら、電界放出した電子を電子受容体に収集し、効率よく発電を行うことが可能となる。
また請求項1に記載の発明の電界放出発電装置によれば、熱エネルギーを付加し、この熱エネルギーによって熱電子を放出させて発電に供する従来の方式、即ち熱エネルギーを電気エネルギーに変換させる方式の従来の発電に比較して、十分に省エネルギーでの発電が可能である。
しかも請求項1に記載の発明の電界放出発電装置によれば、太陽光などの自然エネルギーを用いた場合の不安定な発電ではなく、運転制御が容易で且つ安定した電力の取得が可能な発電を得ることができる。
According to the field emission power generator according to claim 1, when a positive voltage is applied to the electron extraction electrode, an electric field is generated between the electron extraction electrode and the electron emission port of the electron supply body, and the electron emission port is restrained. The Coulomb force applied to the free electrons is increased and the kinetic energy of the electrons is increased. As a result, when the energy of the electrons exceeds the energy barrier on the surface of the electron emission port, the electrons are emitted from the electron emission port to the electric insulating field. As a condition at this time, it is important to consider the material and the shape of the port so that the energy barrier at the electron emission port is as low as possible. In addition, in order to increase the Coulomb force generated by the electric field generated by the electron extraction electrode to the intensity necessary for electron emission and to keep the applied positive voltage low, the electron extraction electrode should be as close as possible to the electron emission port. is important.
Electrons emitted from the electron emission port by applying a positive voltage by the electron extraction electrode fly while being attracted toward the electron extraction electrode through the electric insulation field, but reach the electron extraction electrode by the electron absorption preventing means. Is blocked from being absorbed and received by the electron acceptor instead. As a result, the emitted electrons are collected in the electron acceptor, and the number of electrons in the electron acceptor increases. That is, it will be in the power generation state.
It is preferable that the electron acceptor is electrically neutral or negative in order to prevent the bonding between electrons and nuclei and to perform efficient power generation. However, on the other hand, as the negative charge of the electron acceptor increases, the repulsive force increases and it becomes difficult to accept electrons. To solve this problem, increase the kinetic energy by increasing the flight speed of the electrons, or move the negative charge of the electron acceptor from the surface of the electron acceptor to another position to keep the negative charge on the surface small. It is important to do.
The positive charge applied to the electron extraction electrode is theoretically not consumed unless the electrons are field-emitted and the electrons reach the electron extraction electrode, so the consumption of necessary energy (additional voltage) is sufficiently suppressed. Is possible.
As described above, according to the field emission power generation of the invention of the first aspect, the field emission electron is used as the electron acceptor while suppressing the consumption of energy necessary for the field emission by utilizing the electron field emission phenomenon. It is possible to collect and efficiently generate power.
According to the field emission power generator of the invention described in claim 1, a conventional system in which thermal energy is added and thermal electrons are emitted by this thermal energy for use in power generation, that is, a system in which thermal energy is converted into electrical energy. Compared with the conventional power generation, power generation with sufficient energy saving is possible.
In addition, according to the field emission power generation device of the first aspect of the present invention, the power generation is not unstable power generation using natural energy such as sunlight, and operation control is easy and stable power acquisition is possible. Can be obtained.

また請求項2に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子放出ポートを電子放出に対するエネルギー障壁の小さい材料及び/若しくは形状とすることで、電界放出を容易にすることができる。
固体中の電子は原子中の電子と同様に束縛されており、通常の状態では固体中から電子が分離されることはない。電界などにより固体中から電子を真空中に放出させるために必要な最少のエネルギーを仕事関数E(work function)と呼ぶ。この仕事関数Eが、前記固体が有する電子放出に対するエネルギー障壁である。
エネルギー障壁の小さい材料、即ち仕事関数Eの小さい材料としては、例えば原子の例としてセシウム(E=1.81ev)、カルシウム(E=3.2ev)、トリウム(E=3.4ev)、モリブデン(E=4.3ev)、タングステン(E=4.52ev)がある。更に、仕事関数Eの小さい化合物の例としては、酸化バリウム(E=1.6ev)、酸化カルシウム(E=1.61ev)、酸化トリウム(E=1.66ev)がある。
またエネルギー障壁の小さい形状、即ち仕事関数Eの小さい形状(結晶構造を含む)としては、例えば後述するカーボン・ナノチューブ、カーボン・ウォール、カーボン・ナノホーン、ダイヤモンド、BNナノチューブ(ウィスカ)がある。
なお電子放出ポートの表面層が量子トンネル現象の期待される積層構造になされたものも、エネルギー障壁の小さい物質及び/若しくは形状に含むものとする。
According to the field emission power generator of claim 2, in addition to the function and effect of the configuration of claim 1, the electron emission port is made of a material and / or shape having a small energy barrier against electron emission. Field emission can be facilitated.
The electrons in the solid are constrained in the same manner as the electrons in the atom, and the electrons are not separated from the solid in a normal state. The minimum energy required to emit electrons from a solid into a vacuum by an electric field or the like is called a work function E W (work function). The work function E W is the energy barrier for electron emission in which the solid has.
Material having a small energy barrier, i.e. as a material having a low work function E W, for example, cesium Examples of atoms (E W = 1.81ev), calcium (E W = 3.2ev), thorium (E W = 3.4 eV ), Molybdenum (E W = 4.3 ev), and tungsten (E W = 4.52 ev). Furthermore, examples of the compound having a small work function E W include barium oxide (E W = 1.6ev), calcium oxide (E W = 1.61ev), and thorium oxide (E W = 1.66ev).
The small form energy barrier, i.e. as a work function E W small shape (including a crystal structure), described below, for example carbon nanotubes, carbon wall, carbon nanohorn, a diamond, BN nanotubes (whiskers).
It should be noted that the surface layer of the electron emission port having a stacked structure in which a quantum tunnel phenomenon is expected is also included in the substance and / or shape having a small energy barrier.

また請求項3に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子放出ポートは準1次元物質により、その準1次元物質の長手方向が電子放出方向になるように立設して構成される。
準1次元物質とは、電子の放出に関して1次元物質としての作用と実質的に同様の作用をなす物質を意味する。この準1次元物質としては、例えばカーボン・ナノチューブを用いることができるが、十分に細く(ナノオーダ乃至ミクロンオーダ)微細加工された導電物質を用いることが可能である。
準1次元物質の場合には、電子は1次元方向にのみ移動し、その先端から電界放出される。準1次元物質の長手方向を電子放出方向と一致させることで、電子の電界放出が容易となる。また電子の電界放出に対する準1次元物質によるエネルギー障壁が低くなると考えられる。
準1次元物質は多数本を電子放出ポートに立設して構成することができる。多数本を立設構成することで、その各々から電子の電界放出がなされ、全体として多数の電子を効率よく電界放出させることができる。
According to the field emission power generator of claim 3, in addition to the operational effect of the configuration of claim 1, the electron emission port is made of a quasi-one-dimensional material, and the longitudinal direction of the quasi-one-dimensional material is an electron. It is constructed upright so as to be in the discharge direction.
A quasi-one-dimensional substance means a substance that has substantially the same action as that of a one-dimensional substance with respect to electron emission. As this quasi-one-dimensional material, for example, carbon nanotubes can be used, but a sufficiently thin (nano-order to micron-order) finely processed conductive material can be used.
In the case of a quasi-one-dimensional material, electrons move only in the one-dimensional direction and are field-emitted from the tip. By making the longitudinal direction of the quasi-one-dimensional substance coincide with the electron emission direction, electron field emission is facilitated. In addition, it is considered that the energy barrier due to the quasi-one-dimensional substance against electron field emission is lowered.
A large number of quasi-one-dimensional materials can be constructed by standing at the electron emission port. By arranging a large number of them upright, field emission of electrons from each of them can be performed, and a large number of electrons can be efficiently emitted as a whole.

また請求項4に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項3に記載の構成による作用効果に加えて、準1次元物質がカーボン・ナノチューブであることにより、電子の(自由)移動性を十分に良好にすることができる。またカーボン・ナノチューブをその長手方向を電子放出方向に一致するようにして電子放出ポートに立設することで、効率のよい電子放出を可能とすることができる。   According to the field emission power generator of claim 4, in addition to the function and effect of the configuration of claim 3, the quasi-one-dimensional substance is a carbon nanotube, so that (free) mobility of electrons Can be made sufficiently good. In addition, it is possible to efficiently emit electrons by standing the carbon nanotubes at the electron emission port so that the longitudinal direction thereof coincides with the electron emission direction.

また請求項5に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電気絶縁場が絶縁空間若しくは絶縁物質により構成されることにより、絶縁空間の場合には電子は絶縁空間に電界放出され、絶縁空間を飛翔する。この絶縁空間を真空空間或いはそれに準ずる空間とすることで、真空管的な発電装置或いは発電モジュールを構成することが可能となる。
また絶縁物質を電気絶縁場とすることで、固体チップからなる発電モジュールを容易に構成することができる。
前記の発電モジュールを多数個集合させることで、発電出力を増大させることが可能である。
According to the field emission power generator of claim 5, in addition to the function and effect of the configuration of claim 1, in the case of an insulating space, the electric insulating field is formed of an insulating space or an insulating material. Electrons are field-emitted into the insulating space and fly through the insulating space. By forming this insulating space as a vacuum space or a space equivalent thereto, a vacuum tube-like power generation device or power generation module can be configured.
Moreover, the electric power generation module which consists of a solid chip can be easily comprised by using an insulating substance as an electrical insulation field.
It is possible to increase the power generation output by collecting a large number of the power generation modules.

また請求項6に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子吸収防止手段は、電子引出電極の物質を準2次元物質とし、電子放出ポートから放出された電子が量子トンネル現象によって前記電子引出電極に吸収されることなく貫通されるようにして構成してあるので、電子放出ポートから放出された電子は、電子引出電極に達しても、該電子引出電極において原子核等に拘束される(電子が吸収される)ことなく、背後に貫通して、電子受容体に受け取られることができる。従って電子受容体を電子引出電極の背後に配置することで、何ら特別な電子受け取りの手段を別に施すことなく、電界放出された電子を確実に電子受容体で受け取ることができる。電子受容体には正電圧を加える必要がないので、受け取られた電子が自由電子として利用できなくなるのを抑制することができ、発電効率を上げることができる。
前記準2次元物質とは、電子の貫通に関して2次元物質としての作用と実質的に同様の作用をなす物質を意味し、より具体的には厚みが非常に薄くて電子の量子トンネル現象が期待できる材料を意味する。量子トンネル現象の効果を上げるには、飛翔する電子の速度(運動エネルギー)を増大すること、及び準2次元物質の厚みを薄くして電子を拘束する確率を低下することが重要となる。
According to the field emission power generator of claim 6, in addition to the function and effect of the configuration of claim 1, the electron absorption preventing means uses a quasi-two-dimensional material as the electron extraction electrode material, and emits electrons. Since electrons emitted from the port are penetrated without being absorbed by the electron extraction electrode due to quantum tunneling, electrons emitted from the electron emission port may reach the electron extraction electrode. The electron extraction electrode can be penetrated behind and received by the electron acceptor without being restricted by the nucleus or the like (electron is absorbed). Therefore, by disposing the electron acceptor behind the electron extraction electrode, it is possible to reliably receive the electron emitted by the electron acceptor without any special means for receiving the electron. Since it is not necessary to apply a positive voltage to the electron acceptor, it is possible to prevent the received electrons from being used as free electrons, and the power generation efficiency can be increased.
The quasi-two-dimensional substance means a substance that has substantially the same action as that of a two-dimensional substance with respect to the penetration of electrons. More specifically, the thickness is very thin and an electron quantum tunneling phenomenon is expected. It means a material that can be made. In order to increase the effect of the quantum tunnel phenomenon, it is important to increase the velocity (kinetic energy) of the flying electrons and to reduce the probability of restraining the electrons by reducing the thickness of the quasi-two-dimensional material.

また請求項7に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子吸収防止手段は、電子放出ポートから放出されて電子引出電極に向かう電子の軌道を変更する電子軌道変更電極であるので、電子放出ポートから放出された電子は、電子引出電極に達することなく、その途中で飛翔軌道を変更され、電子受容体に受け取られることができる。この装置の場合は電子軌道変更電極が別に必要となるが、電子引出電極を準2次元物質で構成する等の特別な材料にする必要がなくなるメリットがある。また電子軌道変更電極についても、正電圧や負電圧を保持できるものであれば、特別な材料で構成する必要がないというメリットがある。   According to the field emission power generator of claim 7, in addition to the function and effect of the configuration of claim 1, the electron absorption preventing means emits electrons from the electron emission port to the electron extraction electrode. Since the electron trajectory changing electrode changes the trajectory, the electrons emitted from the electron emission port can be received by the electron acceptor without changing the flight trajectory in the middle without reaching the electron extraction electrode. In the case of this device, an electron orbit changing electrode is required separately, but there is an advantage that it is not necessary to use a special material such as a quasi-two-dimensional material for the electron extraction electrode. The electron trajectory changing electrode also has an advantage that it does not need to be made of a special material as long as it can hold a positive voltage or a negative voltage.

また請求項8に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子吸収防止手段は、電子受容体を電子引出電極の前に配置することで、電子放出ポートから放出され電子引出電極に向かう電子を電子引出電極の手前で受け取るように構成してあるので、電子放出ポートから放出された電子は、電子引出電極に達することなく、その手前で電子受容体に受け取られることができる。この装置の場合は電子受容体を配置するスペースを確保する必要があるが、そのようなスペースが確保できれば、他に何ら特別な電子受け取りの手段を施すことなく、電界放出された電子を確実に電子受容体で受け取ることができる。電子受容体には正電圧を加える必要がないので、受け取られた電子が原子核等に吸収されて自由電子として利用できなくなる割合を少なく抑制することができ、発電効率を上げることができる。   According to the field emission power generator of claim 8, in addition to the function and effect of the configuration of claim 1, the electron absorption preventing means arranges the electron acceptor in front of the electron extraction electrode. Since the electron emitted from the electron emission port and directed to the electron extraction electrode is received in front of the electron extraction electrode, the electron emitted from the electron emission port does not reach the electron extraction electrode and is in front of it. Can be received by an electron acceptor. In the case of this device, it is necessary to secure a space for placing the electron acceptor. If such a space can be secured, the field-emitted electrons can be reliably obtained without any other means for receiving electrons. Can be received by an electron acceptor. Since it is not necessary to apply a positive voltage to the electron acceptor, the rate at which received electrons are absorbed by nuclei or the like and cannot be used as free electrons can be suppressed, and the power generation efficiency can be increased.

また請求項9に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子受容体に向かう電子を加速する加速電極を設けたので、電子受容体に向かう電子速度の増大による運動エネルギーの増大を図ることができ、電子受容体が負電圧状態に帯電している場合においても、該負電圧によって発生するクーロンの法則の反発作用に電子が打ち勝って、電子が電子受容体に到達する確率を上げることができる。即ち、発電効率を向上させることができる。   According to the field emission power generator of claim 9, in addition to the operational effect of the structure of claim 1, the acceleration electrode for accelerating the electrons toward the electron acceptor is provided. The kinetic energy can be increased by increasing the electron velocity toward the electron, and even when the electron acceptor is charged in a negative voltage state, the electron overcomes the repulsive action of Coulomb's law generated by the negative voltage, The probability that electrons reach the electron acceptor can be increased. That is, power generation efficiency can be improved.

また請求項10に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子受容体に向かう電子の軌道を分散させて電子受容体での受電子位置が集中するのを防止する受電子位置分散手段を設けたので、該受電子位置分散手段により、電子が電子受容体の一部に集中的して衝突することによって電子受容体の破損を招くような不都合を防止し、装置の耐久性を増すことができる。   According to the field emission power generator of claim 10, in addition to the function and effect of the configuration of claim 1, the electron receiving position in the electron acceptor is dispersed by dispersing the electron trajectory toward the electron acceptor. Since the electron receiving position dispersing means for preventing the concentration of the electrons is provided, the electron receiving position dispersing means causes the electrons to collide with a part of the electron acceptor so that the electron acceptor is damaged. Inconvenience can be prevented and the durability of the apparatus can be increased.

また請求項11に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子受容体は複数個を相互に絶縁状態にして設け、電子放出ポートから放出された電子を前記複数個の電子受容体に振り分ける電子振り分け手段を設けたので、該電子振り分け手段により、電子放出ポートから放出された電子が複数の電子受容体に振り分けられて受け取られるので、電子受容体に蓄積する電子による飛翔電子への反発作用を少なくすることができ、個々の電子受容体での電子受け取りをより容易に効率よく行うことができる。
1つの電子受容体のみで全ての放出電子を受け取る場合には、多数の電子を急激に受け取ることで電子受容体の負電荷の蓄積が急増しやすく、よって飛来電子を反発する等、電子の受け取り率が悪くなる事態が生じ得る。一方、複数の電子受容体を用いて電子を振り分けて受け取る場合には、個々の電子受容体においては、電子の増加が急激には行われないことから、受け取った電子を他の場所に移行させ或いは使用に供することで、負電荷の増加を適当に防止することが可能となる。従って引き続き飛来する電子を、負電荷によって反発させることなく、電子受容体で効率よく受け取ることができる。
According to the field emission power generator of claim 11, in addition to the function and effect of the structure of claim 1, a plurality of electron acceptors are provided in an insulated state, and emitted from the electron emission port. Since the electron distributing means for distributing the emitted electrons to the plurality of electron acceptors is provided, electrons emitted from the electron emission port are distributed to the plurality of electron acceptors and received by the electron distributing means. It is possible to reduce the repulsive action of the electrons accumulated in the acceptor on the flying electrons, and it is possible to more easily and efficiently receive the electrons at the individual electron acceptors.
When all the emitted electrons are received by only one electron acceptor, the accumulation of negative charges in the electron acceptor tends to increase rapidly by receiving a large number of electrons, thereby repelling incoming electrons. A situation where the rate goes down can occur. On the other hand, when electrons are distributed and received using a plurality of electron acceptors, the increase in electrons does not occur abruptly at each electron acceptor. Alternatively, by using it, it is possible to appropriately prevent an increase in negative charge. Accordingly, electrons that subsequently fly can be efficiently received by the electron acceptor without being repelled by the negative charge.

また請求項12に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子受容体に到達した電子が2次放出するのを防止するための2次放出防止手段を設けたので、電界放出された電子受容体に飛来した電子を確実に拘束して受け取ることができる。よって発電効率を上げることができる。   According to the field emission power generator of claim 12, in addition to the function and effect of the structure of claim 1, a secondary for preventing secondary emission of electrons reaching the electron acceptor. Since the emission preventing means is provided, the electrons flying to the electron-emitted electron acceptor can be reliably restrained and received. Therefore, power generation efficiency can be increased.

また請求項13に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子受容体と電子供給体とを電気接続し途中に負荷を配する構成としたので、電子受容体で受け取った電子を電気的負荷に供給して仕事を行わせることができる。電気的負荷を経た電子は電子供給体に戻る。即ち、電子の循環を行うことができる。   According to the field emission power generator of claim 13, in addition to the function and effect of the configuration of claim 1, the electron acceptor and the electron supplier are electrically connected, and a load is arranged in the middle. Therefore, the electrons received by the electron acceptor can be supplied to an electrical load to perform work. The electrons that have passed through the electrical load return to the electron supplier. That is, electron circulation can be performed.

また請求項14に記載の電界放出発電装置によれば、上記請求項1に記載の構成による作用効果に加えて、電子引出電極に交流電圧を加えることで、電子放出ポートから放出される電子の量を変化させて、交流発電させる構成としたので、電子引出電極に加える交流電圧の周期と振幅を調整することで、所望の交流を発電することが可能となる。   According to the field emission power generator of claim 14, in addition to the operational effect of the configuration of claim 1, by applying an AC voltage to the electron extraction electrode, electrons emitted from the electron emission port can be obtained. Since AC power generation is performed by changing the amount, it is possible to generate desired AC power by adjusting the period and amplitude of the AC voltage applied to the electron extraction electrode.

本発明は第1の実施形態に係る電界放出発電装置を示す概略断面構成図である。The present invention is a schematic cross-sectional configuration diagram showing a field emission power generation device according to a first embodiment. 本発明の第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に加速電極を付加した例を示す概略断面構成図である。It is a schematic sectional block diagram which shows the example which added the acceleration electrode to the structure of the field emission power generation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 電子引出電極をカーボン・ナノチューブの組み合わせで構成した場合に、電子引出電極を電子が貫通する状態を説明する図である。It is a figure explaining the state which an electron penetrates an electron extraction electrode, when an electron extraction electrode is comprised by the combination of a carbon nanotube. 電子放出ポート及び電子引出電極の具体的構成の1例を示す図である。It is a figure which shows an example of the specific structure of an electron emission port and an electron extraction electrode. 電子引出電極をカーボン・ナノチューブの架橋現象を用いて構成する途中の状態を説明する図である。It is a figure explaining the state in the middle of comprising an electron extraction electrode using the bridge | crosslinking phenomenon of a carbon nanotube. 電子引出電極をカーボン・ナノチューブの架橋によって構成した具体的1例を示す図である。It is a figure which shows one specific example which comprised the electron extraction electrode by bridge | crosslinking of the carbon nanotube. 電子受容体の具体的構成の1例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the specific structure of an electron acceptor. 本発明の第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に受電子位置分散手段を付加した例を説明する図である。It is a figure explaining the example which added the receiving electron position dispersion | distribution means to the structure of the field emission power generation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に電子振り分け手段を付加した例を説明する図である。It is a figure explaining the example which added the electronic distribution means to the structure of the field emission power generation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に、電子振り分け手段を付加した場合に対応して構成される電力取出回路の具体的構成の1例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the specific structure of the electric power extraction circuit comprised corresponding to the case where an electronic distribution means is added to the structure of the field emission power generation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に2次放出防止手段を付加した1例を説明する図である。It is a figure explaining an example which added the secondary emission prevention means to the structure of the field emission power generation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に2次放出防止手段を付加した他の1例を説明する図である。It is a figure explaining another example which added the secondary emission prevention means to the structure of the field emission power generator concerning the 1st Embodiment of this invention. 図13は第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に2次放出防止手段を付加した更に他の1例を説明する図である。FIG. 13 is a diagram for explaining still another example in which secondary emission preventing means is added to the configuration of the field emission power generation device according to the first embodiment. 図12に示す2次放出防止手段を適用した本発明の第2の実施形態に係る電界放出発電装置の1例を示す概略断面構成図である。It is a schematic sectional block diagram which shows one example of the field emission power generation device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention to which the secondary emission prevention means shown in FIG. 12 is applied. 図13に示す2次放出防止手段を適用した本発明の第2の実施形態に係る電界放出発電装置の他の例を示す概略断面構成図である。It is a schematic sectional block diagram which shows the other example of the field emission power generation device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention to which the secondary emission prevention means shown in FIG. 13 is applied. 交流電源を用いて電界放出される電子の方向を交互に反対方向に変更することできるようにした本発明の第2実施形態に係る電界放出発電装置の更に他の例を示す概略奪面構成図である。Schematic configuration diagram showing still another example of the field emission power generation device according to the second embodiment of the present invention in which the direction of the field emitted electrons can be alternately changed to the opposite direction using an AC power source. It is. 図16に示す装置において、交流電源が正の半サイクルにある状態での電界放出電子の動きを説明する図である。In the apparatus shown in FIG. 16, it is a figure explaining the motion of the field emission electron in the state which has an alternating current power supply in a positive half cycle. 図16に示す装置において、交流電源が負の半サイクルにある状態での電界放出電子の動きを説明する図である。In the apparatus shown in FIG. 16, it is a figure explaining the motion of the field emission electron in the state which has an alternating current power supply in a negative half cycle. 本発明の第3の実施形態に係る電界放出発電装置を説明する概略構成図である。It is a schematic block diagram explaining the field emission electric power generating apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る電界放出発電装置の具体的な1例を説明する断面構成図である。It is a cross-sectional block diagram explaining a specific example of the field emission power generation device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図20の一部拡大図である。FIG. 21 is a partially enlarged view of FIG. 20. 本発明の第4の実施形態に係る電界放出発電装置を説明する概略構成図である。It is a schematic block diagram explaining the field emission power generation device which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 電子を電界放出する電圧の閾値を説明する図である。It is a figure explaining the threshold value of the voltage which carries out field emission of an electron.

符号の説明Explanation of symbols

10 真空容器
20 電子供給体
30 電子放出ポート
31 準1次元物質
40 電子引出電極
41 電子引出電源
42 準1次元物質
50 電子受容体
60 電子取出回路
61 電気的負荷
70 絶縁隔離部材
80 加速電極
90 受電子位置分散手段
100 電子振り分け手段
110 2次放出防止手段
130 電子収集ポート
140 電子収集電極
151、152 第1の電子軌道変更電極
154、155 第2の電子軌道変更電極
157 電子軌道変更電極
160 フレーム
F 電気絶縁場
e 電子
n 原子核
s 引き込み空間
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Vacuum container 20 Electron supply body 30 Electron emission port 31 Quasi-one-dimensional substance 40 Electron extraction electrode 41 Electron extraction power supply 42 Quasi-one-dimensional substance 50 Electron acceptor 60 Electron extraction circuit 61 Electrical load 70 Insulating isolation member 80 Acceleration electrode 90 Receiving Electron position dispersion means 100 Electron distribution means 110 Secondary emission prevention means 130 Electron collection port 140 Electron collection electrodes 151 and 152 First electron orbit change electrodes 154 and 155 Second electron orbit change electrodes 157 Electron orbit change electrodes 160 Frame F Electric insulation field e electron n nucleus s lead-in space

図1を参照して、本発明の第1の実施形態に係る電界放出発電装置を説明する。
第1の実施形態では、電界放出された電子eは電子引出電極40をトンネル現象により貫通し、電子受容体50に達する。
A field emission power generator according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In the first embodiment, the field-emission electron e penetrates the electron extraction electrode 40 by a tunnel phenomenon and reaches the electron acceptor 50.

図1は電界放出発電装置の概略断面構成図である。
真空容器10内に電子供給体20、電子放出ポート30、電子引出電極40、電子受容体50が設けられている。
また真空容器10外に電子引出電源41、電力取出回路60が設けられている。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a field emission power generator.
An electron supply body 20, an electron emission port 30, an electron extraction electrode 40, and an electron acceptor 50 are provided in the vacuum container 10.
In addition, an electronic extraction power supply 41 and a power extraction circuit 60 are provided outside the vacuum vessel 10.

前記真空容器10はその内部を真空乃至十分に減圧された状態にする容器で、材料の種類は特に限定されるものではない。
前記電子供給体20は、電子を供給する源となる物質で構成され、金属材料、その他の自由電子を豊富に保有する材料で構成される。
前記電子放出ポート30は、電子をそこから電界放出する機能を果たすもので、前記電子供給体20と電気的に導通状態に設けられる。
電子放出ポート30は、電子の電界放出に対するエネルギー障壁の小さい材料で構成することが好ましい。またエネルギー障壁の小さい形状で構成することが好ましい。
前記電子引出電極40は、前記電子放出ポート30に対して電界を付加し、電子放出ポート30から電子eを電界放出させるための電極である。この電子引出電極40は絶縁隔離部材70により、電気絶縁場Fを介して、電子放出ポート30と対向配置されている。
前記絶縁隔部材70は、絶縁物質で構成することができる。
本実施形態の場合、電界放出された電子eが電子引出電極40に到達して吸収されるのを防止するための電子吸収防止手段として、電子引出電極40を準2次元物質で構成している。
前記電子受容体50は、電界放出された電子を受け取るためのもので、前記電子引出電極40の後方に電気絶縁場Fを介して配置されている。この電子受容体50は金属材料等の自由電子の保有能力が大きい材料で構成することができる。
前記電子引出電源41は、前記電子引出電極40に正電圧を加える機能を果たすもので、本実施形態では前記電子供給体20に負電極、前記電子引出電極40に正電極が加わるように接続している。
前記電力取出回路60は、前記電子受容体50に集められた電子eを外部に取り出すための回路である。前記電子受容体50と前記電子供給体20との間で電気接続されており、その途中に電気的負荷61が配された構成になされている。
前記電気絶縁場Fは、本実施形態では真空若しくは十分な減圧された空間からなる絶縁空間で構成している。
The vacuum vessel 10 is a vessel that keeps the inside of the vacuum vessel in a vacuum or sufficiently reduced pressure, and the type of material is not particularly limited.
The electron supply body 20 is made of a substance that is a source for supplying electrons, and is made of a metal material or other material that has abundant free electrons.
The electron emission port 30 functions to emit electrons from the field, and is provided in an electrically conductive state with the electron supply body 20.
The electron emission port 30 is preferably made of a material having a small energy barrier against electron field emission. Moreover, it is preferable to comprise in the shape with a small energy barrier.
The electron extraction electrode 40 is an electrode for applying an electric field to the electron emission port 30 and emitting electrons e from the electron emission port 30. The electron extraction electrode 40 is disposed opposite to the electron emission port 30 by an insulating isolation member 70 via an electric insulation field F.
The insulating partition member 70 may be made of an insulating material.
In the case of this embodiment, the electron extraction electrode 40 is made of a quasi-two-dimensional material as an electron absorption prevention means for preventing the field-emission electron e from reaching the electron extraction electrode 40 and being absorbed. .
The electron acceptor 50 is for receiving field emitted electrons, and is disposed behind the electron extraction electrode 40 via an electric insulating field F. The electron acceptor 50 can be made of a material having a large free electron holding capacity such as a metal material.
The electron extraction power source 41 functions to apply a positive voltage to the electron extraction electrode 40. In this embodiment, the electron extraction power source 41 is connected so that a negative electrode is applied to the electron supply body 20 and a positive electrode is applied to the electron extraction electrode 40. ing.
The power extraction circuit 60 is a circuit for extracting the electrons e collected in the electron acceptor 50 to the outside. The electron acceptor 50 and the electron supply body 20 are electrically connected, and an electrical load 61 is arranged in the middle thereof.
In the present embodiment, the electric insulating field F is constituted by an insulating space consisting of a vacuum or a sufficiently decompressed space.

上記第1の実施形態に係る電界放出発電装置では、真空容器10中に配置した電子供給体20の中に存在する電子eが、電子引出電極40による正の電圧を付加されることによって、電子放出ポート30から電気絶縁場Fに電界放出される。
電気絶縁場Fに電界放出された電子eは、厚さが非常に薄い準2次元物質からなる電子引出電極40を、量子トンネル現象によって貫通する。即ち、電界放出された電子eは電子引出電極40によって吸収されるのが防止される。
電子引出電極40を貫通した電子eは、電子受容体50に達して衝突、吸収される。
電子eが吸収された電子受容体50と前記電子供給体20との間には、電力取出回路60が接続されており、電子eを吸収した電子受容体50から電子供給体20に電子eがフィードバックされる。その際、電子eが電気的負荷61の中を移動することにより、電流iが流れる。即ち、発電された電気が電気エネルギーとして電気的負荷61に供給され、エネルギーが利用され、仕事を行う。
In the field emission power generation device according to the first embodiment, the electrons e existing in the electron supply body 20 disposed in the vacuum vessel 10 are added with a positive voltage by the electron extraction electrode 40, whereby the electrons e Electric field is emitted from the emission port 30 to the electric insulation field F.
The electrons e field-emitted to the electric insulating field F penetrate through the electron extraction electrode 40 made of a quasi-two-dimensional material having a very thin thickness by a quantum tunnel phenomenon. That is, the electron e emitted by the field emission is prevented from being absorbed by the electron extraction electrode 40.
The electrons e that have penetrated the electron extraction electrode 40 reach the electron acceptor 50 and are collided and absorbed.
A power extraction circuit 60 is connected between the electron acceptor 50 in which the electron e is absorbed and the electron supply body 20, and the electron e is transferred from the electron acceptor 50 that has absorbed the electron e to the electron supply body 20. Provide feedback. At that time, the current i flows as the electron e moves in the electrical load 61. That is, the generated electricity is supplied as electric energy to the electric load 61, and the energy is used to perform work.

図2は図1に示す構成に加速電極80を付加構成した電界放出発電装置を示す。
加速電極80は、電子受容体50に向かう電界放出電子を加速させるための電極である。加速電極80は、絶縁隔離部材71により、前記電子引出電極40の後方に電気絶縁場Fを介して設けられる。
加速電極80に対しては正電圧を加える加速電源81が設けられる。この加速電源81は、この例では前記電子引出電源41と直列に結合されており、加速電極80に対して電子引出電極40よりも高い正電圧が加わるようにしている。
加速電源81は、準2次元物質で構成している。
図2の他の構成、機能は図1に示す構成、機能と同じであるので、同じ構成、機能を有する部材、要素には同じ符号を付して、説明を省略する。
この第2の実施形態の装置では、電子供給体20の電子放出ポート30から電界放出され且つ準2次元物質からなる電子引出電極40を貫通した電子eは、正電圧が加えられた加速電極80の持つ電荷のクーロン力によって更に加速される。そして準2次元物質である電子引出電極40を量子トンネル現象によって貫通し、より高い運動エネルギーをもって電子受容体50に到達することができる。この場合、電子eのもつ運動エネルギーが高いと、電子受容体50に蓄積された負電荷によるクーロンの法則に従う反発力に打ち勝って電子受容体50に到達できる可能性が高まり、電子受容体50での電子eの収集効率がよくなる。即ち、発電効率がよくなる。
FIG. 2 shows a field emission power generation device in which an acceleration electrode 80 is added to the configuration shown in FIG.
The acceleration electrode 80 is an electrode for accelerating field emission electrons toward the electron acceptor 50. The acceleration electrode 80 is provided behind the electron extraction electrode 40 by an insulating isolation member 71 via an electric insulating field F.
An acceleration power supply 81 for applying a positive voltage is provided for the acceleration electrode 80. In this example, the acceleration power supply 81 is coupled in series with the electron extraction power supply 41 so that a positive voltage higher than that of the electron extraction electrode 40 is applied to the acceleration electrode 80.
The acceleration power supply 81 is composed of a quasi-two-dimensional material.
The other configurations and functions in FIG. 2 are the same as the configurations and functions shown in FIG. 1, so members and elements having the same configurations and functions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
In the apparatus according to the second embodiment, an electron e emitted from the electron emission port 30 of the electron supply body 20 and penetrating the electron extraction electrode 40 made of a quasi-two-dimensional material is applied to the acceleration electrode 80 to which a positive voltage is applied. It is further accelerated by the Coulomb force of the charge of. The electron extraction electrode 40, which is a quasi-two-dimensional substance, can penetrate through the quantum tunnel phenomenon and reach the electron acceptor 50 with higher kinetic energy. In this case, if the kinetic energy of the electron e is high, the possibility of reaching the electron acceptor 50 by overcoming the repulsive force according to Coulomb's law due to the negative charge accumulated in the electron acceptor 50 increases. The collection efficiency of the electron e is improved. That is, the power generation efficiency is improved.

図3は電子引出電極40に用いられる準2次元物質を、準1次元物質であるカーボン・ナノチューブを略平行に並べて構成した場合において、電界放出された電子eが電子引出電極40に接近する場合を示す。
カーボン・ナノチューブは炭素の6員環などが結合して構成される。電子eが準2次元物質からなる電子引出電極40に電子軌道orbに沿って接近する場合、電子eは運動エネルギーをもっているので、非常に薄い物質中をトンネル現象により突き抜ける。即ち、準2次元物質の中の原子核nに電子eが接近しても、飛翔電子eは速度を持っているので、原子核nに捕獲される確率は低く、大部分の電子は突き抜ける可能性が高いので、トンネル現象により電子eが準2次元物質に殆ど吸収されずに飛翔を続行する確率が高い。
FIG. 3 shows a case where a field emission electron e approaches the electron extraction electrode 40 in the case where the quasi-two-dimensional material used for the electron extraction electrode 40 is configured by arranging carbon nanotubes which are quasi-one-dimensional materials substantially in parallel. Indicates.
Carbon nanotubes are composed of carbon 6-membered rings. When the electron e approaches the electron extraction electrode 40 made of a quasi-two-dimensional material along the electron trajectory orb, the electron e has kinetic energy, and therefore penetrates through a very thin material by a tunnel phenomenon. That is, even if the electron e approaches the nucleus n in the quasi-two-dimensional material, the flying electron e has a velocity, so the probability of being captured by the nucleus n is low, and most of the electrons may penetrate. Since it is high, there is a high probability that electrons e are hardly absorbed by the quasi-two-dimensional material due to the tunnel phenomenon and continue to fly.

図4は電子放出ポート30及び電子引出電極40の構成例を示す図である。
この例では、電子放出ポート30を準1次元物質31により構成し、電子供給体20の表面に対して準1次元物質31の長手方向が垂直になるようにして(電子放出方向となるようにして)立設する。準1次元物質31は複数を立設することができる。複数とすることで、多数の電界放出電子eの放出を速やかに行うことができる。
またこの例では、複数個の準1次元物質42を略平行に間隔をもって配し、端部を基板43で一体化することで準2次元物質を構成し、電子引出電極40としている。基板43と電子供給体20との間に電子引出電源41が接続され、電子引出電極40に正電圧が加えられる。
準1次元物質31よりなる電子放出ポート30から電気絶縁場Fに電界放出された電子eは、電子引出電極40に向かって飛翔するが、電子引出電極40の準1次元物質42の隙間をトンネル現象によりすり抜ける。これによって電界放出電子eが電子引出電極40に吸収されるのを殆ど防止することができる。
なお前記準1次元物質42を略平行に配する代わりに、準1次元物資を網目状に配して、準2次元物質を構成するようにしてもよい。
準1次元物質31、42としてはカーボン・ナノチューブを用いることができる。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of the electron emission port 30 and the electron extraction electrode 40.
In this example, the electron emission port 30 is composed of a quasi-one-dimensional material 31 so that the longitudinal direction of the quasi-one-dimensional material 31 is perpendicular to the surface of the electron supply body 20 (the electron emission direction is the same). E). A plurality of the quasi-one-dimensional materials 31 can be erected. By using a plurality, it is possible to quickly emit a large number of field emission electrons e.
In this example, a plurality of quasi-one-dimensional materials 42 are arranged substantially in parallel with intervals, and the end portions are integrated with the substrate 43 to form a quasi-two-dimensional material, which is used as the electron extraction electrode 40. An electron extraction power supply 41 is connected between the substrate 43 and the electron supply body 20, and a positive voltage is applied to the electron extraction electrode 40.
Electrons e that are field-emitted from the electron emission port 30 made of the quasi-one-dimensional material 31 to the electric insulation field F fly toward the electron extraction electrode 40, but tunnel through the gap between the quasi-one-dimensional material 42 of the electron extraction electrode 40. It slips through the phenomenon. As a result, the field emission electrons e can be almost prevented from being absorbed by the electron extraction electrode 40.
Instead of arranging the quasi-one-dimensional material 42 substantially in parallel, a quasi-two-dimensional material may be configured by arranging quasi-one-dimensional materials in a network.
As the quasi-one-dimensional materials 31 and 42, carbon nanotubes can be used.

図5、図6を参照して、電子引出電極40をカーボン・ナノチューブの架橋によって構成する例を説明する。
電子供給体20と絶縁隔離部材70を介して配置される電子引出電極40として、その基体44を1対、相互に対向させて配置する。この基体44は、具体的には鉄、コバルト、ニッケル等の触媒物質とし、絶縁隔離部材70の上面に積層することで電子供給体20とは電気的に非導通状態とする。
雰囲気を650℃付近に設定すると共に、気体としてメタン、アセチレン等の炭素系ガスを適切に供給し、条件を適切に維持することで、前記基体44上にカーボン・ナノチューブ、若しくはこれに類する準1次元物質を成長させ、基体44、44間に架橋体45を生成させる。個々のカーボン・ナノチューブは準1次元物質であるが、多数のカーボン・ナノチューブが1対の基体44間に架橋体45を構成することで、準2次元物質からなる電子引出電極40を構成する。
電子供給体20と前記基体44との間に電子引出電源41が接続され、電子引出電源41により基体44に正電圧が加えられることで、架橋体45内の正電荷により電子放出ポート30(複数の準1次物質を立設構成)内の電子eがクーロン力により引き寄せられ、電界放出される。
電界放出された電子eは電子引出電極4に向けて飛翔するが、準2次元物質の架橋体45をトンネル現象によりすり抜け、電子受容体50に向かう。
With reference to FIG. 5 and FIG. 6, an example in which the electron extraction electrode 40 is constituted by cross-linking of carbon nanotubes will be described.
A pair of base bodies 44 are arranged opposite to each other as the electron extraction electrode 40 arranged via the electron supply body 20 and the insulating isolation member 70. Specifically, the base 44 is made of a catalytic material such as iron, cobalt, nickel, etc., and is laminated on the upper surface of the insulating isolation member 70 so as to be electrically non-conductive with the electron supply body 20.
The atmosphere is set to around 650 ° C., a carbon-based gas such as methane or acetylene is appropriately supplied as a gas, and the conditions are appropriately maintained, so that carbon nanotubes on the substrate 44 or similar quasi-1 A dimensional material is grown to form a cross-linked body 45 between the substrates 44 and 44. Each carbon nanotube is a quasi-one-dimensional material, but a large number of carbon nanotubes constitute a cross-linked body 45 between a pair of base bodies 44 to constitute an electron extraction electrode 40 made of a quasi-two-dimensional material.
An electron extraction power source 41 is connected between the electron supply body 20 and the base body 44, and a positive voltage is applied to the base body 44 by the electron extraction power source 41, so that the electron emission port 30 (a plurality of electron discharge ports 30) The electron e in the quasi-primary material is drawn up by Coulomb force and is field-emitted.
The field-emission electron e flies toward the electron extraction electrode 4, but passes through the cross-linked body 45 of the quasi-two-dimensional substance by a tunnel phenomenon and goes to the electron acceptor 50.

図7を参照して、電子受容体50の具体的構成の1例を説明する。
この例では、電子受容体50は、正電荷部材51と絶縁部材52と導電部材53と受電部材54とからなる。
図示しない電源により正電荷を加えられる正電荷部材51の前面に絶縁部材52の層を介して導電部材53の層が積層され、この導電部材53に受電部材54が多数整列した状態に配設されている。前記導電部材53は導電性透明膜(ITO)とすることができる。
電子供給体20の電子放出ポート30から電界放出され、準2次元物質からなる電子引出電極40をトンネル現象によって貫通した電子eは、電子受容体50の正電荷部材51により引かれ、受電部材54に接近し、それに吸収される。吸収されなかった電子eは導電部材53に吸収される。このとき、正電荷部材51と導電部材53との間は絶縁部材52により電子の移動が阻止されている。よって最終的には、受電部材54に移動する。その結果として、受電部材54には電子eが負電荷として蓄積される。この蓄積された電子eは、電力取出回路60(図1、図2参照)の電気的負荷61を通過させることにより電気エネルギーとして利用可能となる。
An example of a specific configuration of the electron acceptor 50 will be described with reference to FIG.
In this example, the electron acceptor 50 includes a positive charge member 51, an insulating member 52, a conductive member 53, and a power receiving member 54.
A layer of a conductive member 53 is laminated on the front surface of a positively charged member 51 to which a positive charge is applied by a power source (not shown) via a layer of an insulating member 52, and a large number of power receiving members 54 are arranged in this conductive member 53. ing. The conductive member 53 may be a conductive transparent film (ITO).
Electrons e which are field-emitted from the electron emission port 30 of the electron supply body 20 and penetrate the electron extraction electrode 40 made of a quasi-two-dimensional material by a tunnel phenomenon are attracted by the positive charge member 51 of the electron acceptor 50 and are received by the power reception member 54. Approaches and is absorbed into it. The electrons e that have not been absorbed are absorbed by the conductive member 53. At this time, movement of electrons is blocked by the insulating member 52 between the positively charged member 51 and the conductive member 53. Therefore, it finally moves to the power receiving member 54. As a result, electrons e are accumulated as negative charges in the power receiving member 54. The accumulated electrons e can be used as electric energy by passing the electric load 61 of the power extraction circuit 60 (see FIGS. 1 and 2).

図8を参照して、第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に受電子位置分散手段90を付加した例を説明する。
受電位置分散手段90は、電界放出された電子eを収集する電子受容体50に対して、電子受容体50に向かう電子eの軌道orbを分散させることで、電子受容体50での受電子位置が集中するのを防止するためのものである。
受電子位置分散手段90は、電子受容体50の手前に配置され、電子受容体50に向かう電子eの軌道を周期的に或いはランダムに変更する。
図8では、電子受容体50を、図1や図2に示す状態から90度回転させて示している。しかしながら、これは説明がしやすいように回転して示しているだけである。
受電子位置分散手段90は、水平方向の2枚の偏向板92、92と垂直方向の2枚の偏向板94、94と水平方向の走査電子回路91と垂直方向の走査電子回路93によって構成され、水平方向の2枚の偏向板92、92は水平方向の走査電子回路91によって水平方向にスキャンする電気信号が加えられ、垂直方向の2枚の偏向板94、94は垂直方向の走査電子回路93によって垂直方向にスキャンする電気信号が加えられる。水平方向の走査信号により発生する水平方向の電界の変化によって、電子eの軌道orbは水平方向に曲げられる。また垂直方向の走査信号により発生する垂直方向の電界の変化によって、電子eの軌道orbは垂直方向に曲げられる。水平方向走査と垂直方向走査の組み合わせによって、電子eの軌道orbは周期的に或いはランダムに変更され、結果として電子eは電子受容体50の広い範囲に分散して受電される。これによって、電子eが電子受容体50の狭い範囲に集中して受電されることによって生じる電子受容体50の破損、破壊が防止され、耐久性を増すことができる。
With reference to FIG. 8, an example in which the electron receiving position dispersion unit 90 is added to the configuration of the field emission power generation device according to the first embodiment will be described.
The power receiving position dispersion means 90 disperses the orbits orb of the electrons e toward the electron acceptor 50 with respect to the electron acceptors 50 that collect the field emitted electrons e, thereby receiving the electron receiving positions in the electron acceptor 50. Is intended to prevent the concentration of
The electron receiving position dispersion means 90 is disposed in front of the electron acceptor 50 and changes the trajectory of the electrons e toward the electron acceptor 50 periodically or randomly.
In FIG. 8, the electron acceptor 50 is shown rotated by 90 degrees from the state shown in FIGS. However, this is only shown rotated for ease of explanation.
The electron receiving position distribution means 90 includes two horizontal deflecting plates 92, 92, two vertical deflecting plates 94, 94, a horizontal scanning electronic circuit 91, and a vertical scanning electronic circuit 93. The two horizontal deflection plates 92, 92 are applied with an electrical signal to be scanned in the horizontal direction by the horizontal scanning electronic circuit 91, and the two vertical deflection plates 94, 94 are the vertical scanning electronic circuit. An electrical signal scanning in the vertical direction is applied by 93. Due to the change in the horizontal electric field generated by the horizontal scanning signal, the orbit of electron e is bent in the horizontal direction. Further, the orbit of electron e is bent in the vertical direction by the change in the vertical electric field generated by the vertical scanning signal. By the combination of horizontal scanning and vertical scanning, the trajectory orb of the electrons e is changed periodically or randomly, and as a result, the electrons e are dispersed and received in a wide range of the electron acceptor 50. As a result, the electron acceptor 50 is prevented from being damaged or destroyed by being concentrated and received by the electron e in a narrow range of the electron acceptor 50, and the durability can be increased.

図9を参照して、第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に電子振り分け手段100を付加した例を説明する。
真空中を飛翔する電子eの電荷が−qクーロンであり、その速度がvであり、電子eが電子受容体50に接近する場合を考察する。電子受容体50に蓄えられた電荷が−Qクーロンであれば、両者の電荷の積q×Qに比例するクーロンの反発力が働く。電子eの速度vが大きい場合には、電子eはクーロンの反発力に打ち勝って電子受容体50に衝突することは可能である。しかし速度vが小さい場合には、クーロン力の反発力の作用により電子eは電子受容体50に到達することが不可能となる。従って電子受容体50に蓄積される負電荷の量が限定され、クーロンの反発力により衝突しなかった電子は加えた電源の正極に吸収される等、電気エネルギーの発生効率が低下する。従って真空中を飛翔する電子eの全てを電子受容体50に吸収させることが重要となる。
電子振り分け手段100は、電子受容体50の手前に配置し、電子引出電極40を貫通して電子受容体50に向かう電子eを振り分けるものである。即ち、電子引出電極40と電子受容体50との間の電気絶縁場F(図1、図2を参照)に、1対の振り分け電極101、102を対向させて配し、その電極101、102間を電子eが通過するように構成する。前記1対の振り分け電極101、102に対しては交流電源103を接続し、片方の振り分け電極101(102)に正電圧が加わる場合には、他方の振り分け電極102(101)には負電圧が加わるようにする。
前記電子振り分け手段100を設ける場合には、前記電子受容体50の構成として、振り分けられた電子を受け取る複数個の電子受容体50を設ける。即ち図9において、電子受容体50は、絶縁部材55により相互に絶縁した状態にして、第1電子受容体56と第2電子受容体57とを配置する。
With reference to FIG. 9, the example which added the electronic distribution means 100 to the structure of the field emission electric power generating apparatus which concerns on 1st Embodiment is demonstrated.
Consider the case where the charge of an electron e flying in a vacuum is −q coulomb, its velocity is v, and the electron e approaches the electron acceptor 50. If the charge stored in the electron acceptor 50 is −Q coulomb, a coulomb repulsive force proportional to the product of the charges q × Q of both is applied. When the velocity v of the electron e is high, the electron e can overcome the coulomb repulsive force and collide with the electron acceptor 50. However, when the velocity v is small, the electron e cannot reach the electron acceptor 50 due to the action of the repulsive force of the Coulomb force. Therefore, the amount of negative charge accumulated in the electron acceptor 50 is limited, and electrons that have not collided due to Coulomb's repulsive force are absorbed by the positive electrode of the added power source. Therefore, it is important that the electron acceptor 50 absorb all the electrons e flying in the vacuum.
The electron distribution means 100 is arranged in front of the electron acceptor 50 and distributes electrons e that pass through the electron extraction electrode 40 and travel toward the electron acceptor 50. That is, a pair of sorting electrodes 101 and 102 are arranged opposite to each other in an electric insulating field F (see FIGS. 1 and 2) between the electron extraction electrode 40 and the electron acceptor 50, and the electrodes 101 and 102 are arranged. The configuration is such that electrons e pass between them. When the AC power source 103 is connected to the pair of distribution electrodes 101 and 102 and a positive voltage is applied to one distribution electrode 101 (102), a negative voltage is applied to the other distribution electrode 102 (101). Let them join.
When the electron distributing means 100 is provided, a plurality of electron acceptors 50 for receiving the distributed electrons are provided as the structure of the electron acceptor 50. That is, in FIG. 9, the electron acceptor 50 is insulated from each other by the insulating member 55, and the first electron acceptor 56 and the second electron acceptor 57 are arranged.

以上のような構成において、前記交流電源103をオンすると、1対の振り分け電極101、102には一定の周期で正電位と負電位とが加えられる。
今、図面上、左の振り分け電極101に正電位、右の振り分け電極102に負電位が加えられている期間には、飛翔電子eは正電位の方向(左方向)に軌道を曲げられ、左の第1電子受容体56に衝突、吸収される。また右の振り分け電極102に正電位、左の振り分け電極101に負電位が加えられている期間には、飛翔電子eは右方向に軌道を曲げられ、右の第2電子受容体57に衝突、吸収される。このようにして、一定の周期で左右の第1電子受容体56と第2電子受容体57とに電子が振り分けられて収集される。
電子eの収集が1対の電子受容体56、57により交互に行われることで、第1電子受容体56と第2電子受容体57のそれぞれでは、電子eの受容が行われていない期間においては、溜まっている電子eを外部に流出させて電力に供すると共に、電子受容体56、57内の電子e量を減じて次の周期での電子受け取りの準備とすることができる。
In the configuration as described above, when the AC power supply 103 is turned on, a positive potential and a negative potential are applied to the pair of sorting electrodes 101 and 102 at a constant cycle.
In the drawing, during a period in which a positive potential is applied to the left distribution electrode 101 and a negative potential is applied to the right distribution electrode 102, the flying electrons e are bent in the direction of the positive potential (leftward) and left The first electron acceptor 56 collides and is absorbed. Further, during a period in which a positive potential is applied to the right distribution electrode 102 and a negative potential is applied to the left distribution electrode 101, the flying electrons e are bent in the right direction and collide with the right second electron acceptor 57. Absorbed. In this way, electrons are distributed and collected between the left and right first electron acceptors 56 and second electron acceptors 57 at a fixed period.
The collection of the electrons e is alternately performed by the pair of electron acceptors 56 and 57, so that each of the first electron acceptor 56 and the second electron acceptor 57 is in a period in which no electron e is accepted. In this case, the accumulated electrons e can flow out to be used for electric power, and the amount of electrons e in the electron acceptors 56 and 57 can be reduced to prepare for receiving electrons in the next cycle.

図10を参照して、振り分け手段100により前記第1電子受容体56及び第2電子受容体57に振り分けられて蓄積された電子eを取り出し、電力供給に供する電力取出回路60の具体例の1つを説明する。
電力取出回路60には、変圧器62を設け、その1次巻線63の一端63aを第1電子受容体56に接続し、1次巻線63の他端63bを第2電子受容体57に接続する。また1次巻線63の中央部に中間端子63cを設け、この中間端子63cを電子供給体20に接続するように構成する。変圧器62の2次巻線64の両端64a、64b間に電圧が出力される。よってこの両端64a、64b間に電気的負荷65を接続することで、電気的負荷に対して電力を供給して仕事をさせることができる。
Referring to FIG. 10, one example of a power extraction circuit 60 that takes out the electrons e distributed and stored in the first electron acceptor 56 and the second electron acceptor 57 by the distribution means 100 and supplies them to the power supply. Explain one.
The power extraction circuit 60 is provided with a transformer 62, one end 63 a of the primary winding 63 is connected to the first electron acceptor 56, and the other end 63 b of the primary winding 63 is connected to the second electron acceptor 57. Connecting. Further, an intermediate terminal 63 c is provided at the center of the primary winding 63, and the intermediate terminal 63 c is configured to be connected to the electron supply body 20. A voltage is output between both ends 64 a and 64 b of the secondary winding 64 of the transformer 62. Therefore, by connecting the electric load 65 between the both ends 64a and 64b, it is possible to supply electric power to the electric load to work.

前記電子振り分け手段100により左の振り分け電極101に正電位が加えられている期間は、電子は第1電子受容体56に受け入れられて蓄積される。第1電子受容体56に蓄積された電子eは、電力取出回路60の1次巻線63へその一端63aから流れてゆき、中間端子63cを通って電子供給体20へ移動する(循環する)。この際、変圧器62の2次巻線64には磁束が発生し、電圧が発生する。通常は2次巻線64側に電気的負荷65が接続されるので、電気的負荷65に電流が流れることによって逆起電力が発生し、この逆起電力によって、第1電子受容体56から1次巻線63を通って電子供給体20に移動する電子の量が制限される。このため第1電子受容体56に蓄積された電子eが十分に放電されるまでには時間を必要とする。
一方、所定のサイクルで前記交流電源103の電圧が変化することで、前記電子振り分け手段100の左の振り分け電極101が負電位となり、右の振り分け電極102が正電位となると、飛翔電子eは第2電子受容体57に受け入れられて蓄積される。第2電子受容体57に蓄積された電子eは、電力取出回路60の1次巻線63へその他端63bから流れてゆき、中間端子63cを通って電子供給体20へ移動する(循環する)。この際、変圧器62の2次巻線64には、前回とは逆の磁束が発生し、正負が逆の電圧が発生する。即ち、電気的負荷65に流れる電流が前回とは逆方向となる。2次巻線64の電気的負荷65に電流が流れることによって逆起電力が発生し、この逆起電力によって、第2電子受容体57から1次巻線63を通って電子供給体20に移動する電子の量が制限される。このため第2電子受容体57に蓄積された電子eが十分に放電されるまでには時間を必要とする。
他方、この期間では、前記第1電子受容体56に到達する電子eは存在しないので、第1電子受容体56に蓄えられた電子eの殆ど全ては変圧器62の1次巻線63を経由して電子供給体20に帰還する。即ち、この期間に第1電子受容体56に蓄えられた電子eは殆ど放電される。よって第1電子受容体56は、この期間に次の周期における電子eの受け入れ態勢が整う。
第2電子受容体57の場合も同様な経過を経て、電子の受け入れと放電による受け入れ態勢の整えが行われる。
なお前記電力取出回路60の2次巻線64側では交流電圧が発電される。
During a period in which a positive potential is applied to the left sorting electrode 101 by the electron sorting means 100, electrons are received by the first electron acceptor 56 and stored. The electrons e accumulated in the first electron acceptor 56 flow from the one end 63a to the primary winding 63 of the power extraction circuit 60, and move (circulate) to the electron supply body 20 through the intermediate terminal 63c. . At this time, a magnetic flux is generated in the secondary winding 64 of the transformer 62 to generate a voltage. Usually, since the electrical load 65 is connected to the secondary winding 64 side, a back electromotive force is generated by the current flowing through the electrical load 65, and this back electromotive force causes the first electron acceptor 56 to 1. The amount of electrons that move to the electron supplier 20 through the next winding 63 is limited. For this reason, it takes time until the electrons e accumulated in the first electron acceptor 56 are sufficiently discharged.
On the other hand, when the voltage of the AC power supply 103 changes in a predetermined cycle, the left distribution electrode 101 of the electron distribution means 100 becomes a negative potential, and the right distribution electrode 102 becomes a positive potential, the flying electrons e Accepted and stored in the two-electron acceptor 57. The electrons e accumulated in the second electron acceptor 57 flow from the other end 63b to the primary winding 63 of the power extraction circuit 60, and move (circulate) to the electron supply body 20 through the intermediate terminal 63c. . At this time, in the secondary winding 64 of the transformer 62, a magnetic flux opposite to that of the previous time is generated, and a voltage having a reverse polarity is generated. That is, the current flowing through the electrical load 65 is in the opposite direction to the previous time. A counter electromotive force is generated by a current flowing through the electrical load 65 of the secondary winding 64, and the counter electromotive force moves from the second electron acceptor 57 through the primary winding 63 to the electron supply body 20. The amount of electrons played is limited. For this reason, it takes time until the electrons e accumulated in the second electron acceptor 57 are sufficiently discharged.
On the other hand, since there is no electron e that reaches the first electron acceptor 56 during this period, almost all of the electron e stored in the first electron acceptor 56 passes through the primary winding 63 of the transformer 62. And return to the electron supplier 20. That is, most of the electrons e stored in the first electron acceptor 56 during this period are discharged. Therefore, the first electron acceptor 56 is ready to accept electrons e in the next period during this period.
In the case of the second electron acceptor 57, after the same process, the acceptance of electrons and the arrangement of acceptance by discharge are performed.
An AC voltage is generated on the secondary winding 64 side of the power extraction circuit 60.

以上のように、電子振り分け手段100により、電界放出電子eを、2つの電子受容体、即ち第1電子受容体56と第2電子受容体57とに交互に振り分けて受容させることで、電子受容体に大量の電子eが蓄積されることが防止でき、よって更なる電子eの受容が妨げられるといった不都合を回避することができ、良好に効率よく電界放出電子eを受け入れて、且つ電子供給体20に帰還させることが可能となる。
従って本発明の発電装置における最大の問題点である電荷の蓄積現象による電気エネルギー発生の効率の低下を阻止することが可能となり、高効率の発電装置を提供することができる。
As described above, the electron distribution means 100 distributes and accepts the field emission electrons e to the two electron acceptors, that is, the first electron acceptor 56 and the second electron acceptor 57, thereby accepting the electrons. It is possible to prevent the accumulation of a large amount of electrons e in the body, thereby avoiding the disadvantage that the acceptance of further electrons e can be avoided, accepting the field emission electrons e efficiently, and the electron supply body 20 can be returned.
Therefore, it is possible to prevent a reduction in the efficiency of electric energy generation due to the charge accumulation phenomenon, which is the biggest problem in the power generator of the present invention, and it is possible to provide a highly efficient power generator.

図11を参照して、第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に、電子受容体に到達した電子が2次放出されるのを防止するための2次放出防止手段110を付加した1例を説明する。
この例では、電子受容体50の前面50a、即ち飛翔してくる電子eを受け取る面50aの周囲を囲むようにして絶縁部材からなる絶縁周壁111を設け、絶縁周壁111の開口部にゲート部材112を配置する。ゲート部材112の中央付近には電子受入口113を設けている。また電子受容体50の前面50aは中央部が高く周縁が低くなるような傾斜面にする。
そして電源114を設けて、絶縁周壁111で隔離された前記ゲート部材112に負電圧、前記電子受容体50に正電圧がそれぞれ加わるようにする。
ゲート部材112の電子受入口113を通過した電子eは、電子受容体50の表面50aに衝突する。衝突した電子e或いは2次的に飛び出した電子eは曲がった電子軌道orbに進み、最終的には電子受容体50に吸収される。ゲート部材112と電子受容体50との間に発生する電界は、飛翔電子eを電子受容体50に接近させる力となって働くので、ゲート部材112の電子受入口113を通過した電子eの全てが電子受容体50に吸収される。
電子受容体50に吸収された電子eは、電力取出回路60を経て電子供給体20に帰還すると共に、途中の電気的負荷61で利用される。
なお前記電子受容体50に加わる正電圧は低く或いはゼロに近い方が、収集した電子の利用効率がよくなる。
Referring to FIG. 11, secondary emission preventing means 110 for preventing secondary emission of electrons that have reached the electron acceptor is added to the configuration of the field emission power generation device according to the first embodiment. An example will be described.
In this example, the insulating peripheral wall 111 made of an insulating member is provided so as to surround the front surface 50 a of the electron acceptor 50, that is, the surface 50 a that receives flying electrons e, and the gate member 112 is disposed in the opening of the insulating peripheral wall 111. To do. An electron receiving port 113 is provided near the center of the gate member 112. The front surface 50a of the electron acceptor 50 is inclined so that the central portion is high and the peripheral edge is low.
A power supply 114 is provided so that a negative voltage is applied to the gate member 112 isolated by the insulating peripheral wall 111 and a positive voltage is applied to the electron acceptor 50.
The electrons e that have passed through the electron receiving port 113 of the gate member 112 collide with the surface 50 a of the electron acceptor 50. The collided electron e or the secondary ejected electron e travels to the bent electron orbit orb and is finally absorbed by the electron acceptor 50. Since the electric field generated between the gate member 112 and the electron acceptor 50 acts as a force that causes the flying electrons e to approach the electron acceptor 50, all of the electrons e that have passed through the electron acceptor 113 of the gate member 112. Is absorbed by the electron acceptor 50.
The electrons e absorbed by the electron acceptor 50 return to the electron supply body 20 via the power extraction circuit 60 and are used by the electrical load 61 on the way.
The utilization efficiency of the collected electrons is improved when the positive voltage applied to the electron acceptor 50 is low or close to zero.

図12を参照して、第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に、電子受容体50に到達した電子が2次放出されるのを防止するための2次放出防止手段110を付加した他の1例を説明する。
この例では、電子受容体50の前面に準2次元絶縁物質115を介して準2次元導電物質116を積層している。そして、電源117aを設けて、準2次元絶縁物質115で隔離された前記準2次元導電物質116に負電圧、前記電子受容体50に正電圧がそれぞれ加わるように構成している。
電子受容体50に向かう飛翔電子eは、準2次元導電物質116に衝突すると、準2次元導電物質116中をトンネル現象により通り抜け、更に準2次元絶縁物質115もトンネル現象により通り抜けて、電子受容体50に衝突し、吸収される。
電子受容体50に衝突した電子eは速度が低下し、また準2次元導電物質116に蓄えられた負電荷によるクーロン力を受けるので、電子受容体50から再び準2次元絶縁物質115や準2次元導電物質116を通過して外部に飛び出ることが防止される。即ち、電子受容体50に到達した電子eが2次放出されるのが防止される。
Referring to FIG. 12, secondary emission preventing means 110 is added to the configuration of the field emission power generator according to the first embodiment to prevent secondary emission of electrons that have reached electron acceptor 50. Another example will be described.
In this example, a quasi-two-dimensional conductive material 116 is laminated on the front surface of the electron acceptor 50 via a quasi-two-dimensional insulating material 115. A power source 117 a is provided so that a negative voltage is applied to the quasi-two-dimensional conductive material 116 isolated by the quasi-two-dimensional insulating material 115, and a positive voltage is applied to the electron acceptor 50.
When the flying electron e toward the electron acceptor 50 collides with the quasi-two-dimensional conductive material 116, it passes through the quasi-two-dimensional conductive material 116 by a tunnel phenomenon, and further, the quasi-two-dimensional insulating material 115 also passes through the tunnel phenomenon, thereby accepting electrons. It collides with the body 50 and is absorbed.
The electron e colliding with the electron acceptor 50 has a reduced velocity and receives a Coulomb force due to the negative charge stored in the quasi-two-dimensional conductive material 116, so that the quasi-two-dimensional insulating material 115 and quasi-2 are again transmitted from the electron acceptor 50. It is prevented from jumping out through the dimension conductive material 116. That is, secondary release of the electrons e that have reached the electron acceptor 50 is prevented.

図13を参照して、第1の実施形態に係る電界放出発電装置の構成に、電子受容体50に到達した電子が2次放出されるのを防止するための2次放出防止手段110を付加した更に他の1例を説明する。
この例では、電子受容体50の背面に絶縁部材118を介して導電物質119を配置し、この導電物質119に電源117bからの正電圧が加わるように構成している。
導電物質119に蓄えられた正電荷によって、電子受容体50の前記導電物質119側の表面(背面)に負電荷が誘導され、電子受容体50の前面(電子eを受け取る面)に正電荷が誘導される。
前記電子受容体50の前面に誘導された正電荷によって、飛翔電子eが引き寄せられ、電子受容体50の前面に確実に到達する。電子受容体50に到達して収集された電子eは、電力取出回路60を経て、電気エネルギーとして利用することができる。
Referring to FIG. 13, secondary emission preventing means 110 for preventing secondary emission of electrons reaching electron acceptor 50 is added to the configuration of the field emission power generation device according to the first embodiment. Another example will be described.
In this example, a conductive material 119 is disposed on the back surface of the electron acceptor 50 via an insulating member 118, and a positive voltage from the power source 117b is applied to the conductive material 119.
Due to the positive charge stored in the conductive material 119, a negative charge is induced on the surface (back surface) of the electron acceptor 50 on the conductive material 119 side, and the positive charge is charged on the front surface (surface receiving the electron e) of the electron acceptor 50. Be guided.
The flying electrons e are attracted by the positive charges induced on the front surface of the electron acceptor 50 and reliably reach the front surface of the electron acceptor 50. The electrons e that reach the electron acceptor 50 and are collected can be used as electric energy via the power extraction circuit 60.

図14を参照して、図12に示す2次放出防止手段を適用した本発明の第2の実施形態に係る電界放出発電装置を説明する。
この第2の実施形態に係る電界放出発電装置では、電界放出された電子eが電子引出電極40に吸収されるのを防止する電子吸収防止手段として、電子引出電極40を準2次元物質とし、これによって電子が電子引出電極40をトンネル現象により通過するようにした点において、上記第1の実施形態と共通する。
その一方、第1の実施形態では、電子供給体20と電子引出電極40との間の電気絶縁場Fを絶縁空間としたのに対し、この第2の実施形態では電子供給体20と電子引出電極40との間の電気絶縁場Fを、絶縁物質の層で構成した点において異なる。実際には電気絶縁場Fを準2次元絶縁物質層で構成し、電子供給体20から電界放出された電子eがトンネル現象により準2次元の絶縁物質からなる電気絶縁場Fを貫通するようにしている。
電気絶縁場Fを空間ではなく絶縁物質で構成することで、固体チップからなる発電装置やそのモジュールを容易に構成することが可能になる。発電モジュールを多数個集合させることで、発電出力を増大させることが可能となる。
A field emission power generation apparatus according to a second embodiment of the present invention to which the secondary emission preventing means shown in FIG. 12 is applied will be described with reference to FIG.
In the field emission power generation device according to the second embodiment, the electron extraction electrode 40 is a quasi-two-dimensional substance as an electron absorption prevention means for preventing the field-emission electron e from being absorbed by the electron extraction electrode 40. This is common to the first embodiment in that electrons pass through the electron extraction electrode 40 by a tunnel phenomenon.
On the other hand, in the first embodiment, the electric insulation field F between the electron supply body 20 and the electron extraction electrode 40 is an insulating space, whereas in the second embodiment, the electron supply body 20 and the electron extraction field. The difference is that the electric insulation field F between the electrodes 40 is composed of a layer of an insulating material. Actually, the electric insulating field F is composed of a quasi-two-dimensional insulating material layer so that the electrons e emitted from the electron supplier 20 penetrate the electric insulating field F made of a quasi-two-dimensional insulating material by a tunnel phenomenon. ing.
By configuring the electric insulating field F with an insulating material instead of a space, it is possible to easily configure a power generation device made of a solid chip and its module. By collecting a large number of power generation modules, the power generation output can be increased.

電子供給体20の前記電気絶縁場Fに面する表面には、図示していないが、準1次元物質からなる電子放出ポート30を構成し、電子eが電界放出しやすいようにしている。この場合、電子供給体20の上面の中央領域に準1次元物質が物理的或いは化学的に立設されて電子放出ポート30が構成され、電子供給体20の上面の周辺では電気絶縁場Fが電子供給体20上に直接的に積層されて一体化された構成とすることができる。
前記電子引出電極40と電子供給体20との間には電子引出電源41による電圧が付加される。
電子引出電極40の背後は、2酸化シリコン等の絶縁隔離部材72の積層により電気絶縁場Fが真空空間(減圧空間)として構成され、この電気絶縁場F及び絶縁隔離部材72を介して、2次放出防止手段110(115、116、117a、)が設けられ、更にその背後に電子受容体50が配置されている。
前記2次放出防止手段110は、既に図12で説明したように、準2次元絶縁物質115が電子受容体50に積層され、更にその上に準2次元導電物質116が積層される形で構成されている。そして電源117aにより準2次元導電物質116が負電圧、電子受容体50が正電圧になるようになされている。
前記絶縁隔離部材72と電子引出電極40と準2次元導電物質116で囲まれた真空の電気絶縁場Fは、外部から完全に隔離された空間とされている。即ちこの図14に示す装置は、周囲を真空容器10で囲む必要のない固体装置として構成することができる。
Although not shown in the figure, an electron emission port 30 made of a quasi-one-dimensional material is formed on the surface of the electron supply body 20 facing the electric insulation field F so that electrons e can be easily emitted in the field. In this case, the electron emission port 30 is configured by physically or chemically standing a quasi-one-dimensional substance in the central region of the upper surface of the electron supply body 20, and an electric insulating field F is formed around the upper surface of the electron supply body 20. It can be set as the structure laminated | stacked directly on the electron supply body 20, and integrated.
A voltage from an electron extraction power source 41 is applied between the electron extraction electrode 40 and the electron supply body 20.
Behind the electron extraction electrode 40, an electric insulating field F is formed as a vacuum space (decompressed space) by laminating insulating isolation members 72 such as silicon dioxide. The next emission preventing means 110 (115, 116, 117a) is provided, and the electron acceptor 50 is arranged behind it.
The secondary emission preventing means 110 has a configuration in which a quasi-two-dimensional insulating material 115 is laminated on the electron acceptor 50 and a quasi-two-dimensional conductive material 116 is further laminated thereon, as already described with reference to FIG. Has been. Then, the quasi-two-dimensional conductive material 116 is set to a negative voltage and the electron acceptor 50 is set to a positive voltage by the power source 117a.
A vacuum electric insulation field F surrounded by the insulating isolation member 72, the electron extraction electrode 40, and the quasi-two-dimensional conductive material 116 is a space completely isolated from the outside. That is, the apparatus shown in FIG. 14 can be configured as a solid apparatus that does not need to be surrounded by the vacuum vessel 10.

電子引出電極41によって形成される電界によって、電子eが電子供給体20から電子放出ポート30を経て電界放出される。電界放出された電子eは準2次元物質からなる電気絶縁場Fをトンネル現象で通過し、準2次元物質からなる電子引出電極40もトンネル現象で通過し、絶縁隔離部材72で囲まれた真空の電気絶縁場Fに入る。更に電気絶縁場Fを飛翔して準2次元導電物質116に到達するが、準2次元導電物質116は厚さが極めて薄いので、これをトンネル現象で通過する。更に準2次元絶縁部室115もトンネル現象で通過して、電子受容体50に到達し、吸収される。電子受容体50に一旦到達した電子eは準2次元導電物質115の負電位によって、再び2次放出されるのが防止される。
電子受容体50に吸収された電子eには依然として電荷が存在するので、電子eを電気取出回路60を用いて外部に取り出し、電気的負荷61を介して電気エネルギーとして利用することが可能となる。
Due to the electric field formed by the electron extraction electrode 41, the electrons e are emitted from the electron supply body 20 through the electron emission port 30. The field-emission electron e passes through an electric insulating field F made of a quasi-two-dimensional material by a tunnel phenomenon, and the electron extraction electrode 40 made of a quasi-two-dimensional material also passes by a tunnel phenomenon, and is surrounded by an insulating isolation member 72. Enters the electric insulation field F. Further, it flies through the electric insulating field F and reaches the quasi-two-dimensional conductive material 116. The quasi-two-dimensional conductive material 116 is extremely thin and passes through the tunnel phenomenon. Further, the quasi-two-dimensional insulating portion chamber 115 also passes through the tunnel phenomenon, reaches the electron acceptor 50, and is absorbed. The electron e that has once reached the electron acceptor 50 is prevented from being secondary emitted again by the negative potential of the quasi-two-dimensional conductive material 115.
Since the electron e absorbed in the electron acceptor 50 still has a charge, the electron e can be taken out using the electric extraction circuit 60 and used as electric energy through the electric load 61. .

図15を参照して、図13に示す2次放出防止手段を適用した本発明の第2の実施形態に係る電界放出発電装置の他の例を説明する。
この図15に示す装置は、図14に示す2次放出手段110(115、116、117a)を図13に示すものに代えている。
本装置では、図14に示す装置の場合と同様に、電子供給体20と電子引出電極40との間の電気絶縁場Fを、絶縁物質の層で構成している。即ち電子供給体20、電子放出ポート30(図示せず)、準2次元絶縁物質の層で構成した電気絶縁場F、電子引出電極40、電子引出電源41を設ける構成は、図14に示す構成と同じである。
With reference to FIG. 15, another example of the field emission power generation apparatus according to the second embodiment of the present invention to which the secondary emission preventing means shown in FIG. 13 is applied will be described.
In the apparatus shown in FIG. 15, the secondary discharge means 110 (115, 116, 117a) shown in FIG. 14 is replaced with that shown in FIG.
In the present apparatus, as in the case of the apparatus shown in FIG. 14, the electric insulating field F between the electron supply body 20 and the electron extraction electrode 40 is formed of a layer of an insulating material. That is, the configuration shown in FIG. 14 is provided with an electron supply body 20, an electron emission port 30 (not shown), an electric insulating field F composed of a quasi-two-dimensional insulating material layer, an electron extraction electrode 40, and an electron extraction power source 41. Is the same.

電子引出電極40の背後は、2酸化シリコン等の絶縁隔離部材73の積層により電気絶縁場Fが真空空間(減圧空間)として構成され、この電気絶縁場F及び絶縁隔離部材73を介して電子受容体50が配置されている。更に電子受容体50の背後に2次放出防止手段110(118、119、117b)が設けられている。
前記2次放出防止手段110は、既に図13において説明したように、電子受容体50の背面に絶縁物質118及び該絶縁物質118で囲まれた真空の電気絶縁場Fを介して導電物質119が配置され、この導電物質119に電源117bによる正電圧が加わるように構成している。電源117bの負電極は電子引出電源41の正電極と接続され、中間位置で電子引出電極40に接続されている。
導電物質119に蓄えられた正電荷によって、電子受容体50の前記導電物質119側の表面(背面)に負電荷が誘導され、電子受容体50の前面(電子eを受け取る面)に正電荷が誘導される。この電子受容体50の前面に誘導された正電荷によって、電気絶縁場Fを飛翔する電子eが引き寄せられ、電子受容体50の前面に確実に到達する。電子受容体50に到達して収集された電子eは、電力取出回路60を経て、電気エネルギーとして利用することができる。
前記絶縁隔離部材73と電子引出電極40と電子受容体50とで囲まれた真空の電気絶縁場F、前記絶縁物質118と電子受容体50と導電物質119とで囲まれた真空の電気絶縁場Fは、外部から完全に隔離された空間とされている。即ち、この図15に示す装置の場合も上記図14に示す装置と同様に、周囲を真空容器10で囲む必要のない固体装置として構成することができる。
Behind the electron extraction electrode 40, an insulating field F is formed as a vacuum space (decompressed space) by stacking an insulating isolation member 73 such as silicon dioxide, and an electron is received through the electrical isolation field F and the insulating isolation member 73. A body 50 is arranged. Further, secondary emission preventing means 110 (118, 119, 117b) is provided behind the electron acceptor 50.
As described above with reference to FIG. 13, the secondary emission preventing means 110 includes the insulating material 118 on the back surface of the electron acceptor 50 and the conductive material 119 via the vacuum electric insulating field F surrounded by the insulating material 118. The conductive material 119 is configured to be applied with a positive voltage from the power source 117b. The negative electrode of the power supply 117b is connected to the positive electrode of the electron extraction power supply 41, and is connected to the electron extraction electrode 40 at an intermediate position.
Due to the positive charge stored in the conductive material 119, a negative charge is induced on the surface (back surface) of the electron acceptor 50 on the conductive material 119 side, and the positive charge is charged on the front surface (surface receiving the electron e) of the electron acceptor 50. Be guided. The positive charge induced on the front surface of the electron acceptor 50 attracts the electrons e flying in the electric insulating field F and reliably reaches the front surface of the electron acceptor 50. The electrons e that reach the electron acceptor 50 and are collected can be used as electric energy via the power extraction circuit 60.
A vacuum electric insulation field F surrounded by the insulating isolation member 73, the electron extraction electrode 40 and the electron acceptor 50, and a vacuum electric insulation field surrounded by the insulating material 118, the electron acceptor 50 and the conductive material 119. F is a space completely isolated from the outside. That is, the apparatus shown in FIG. 15 can also be configured as a solid apparatus that does not need to be surrounded by the vacuum vessel 10 as in the apparatus shown in FIG.

図16を参照して、交流電源を用いて、電界放出される電子eの方向を交互に反対方向に変更することできるようにした本発明の第2の実施形態に係る電界放出発電装置の更に他の1例を説明する。
電子供給体20と準2次元物質からなる電気引出電極40を備え、該電子供給体20と電気引出電極40との間に準2次元絶縁物質からなる電気絶縁場Fが積層されている。前記電子供給体20の前記電気絶縁場Fに面する表面には、図示していないが、多数の準1次元物質を電子放出方向に立設してなる電子放出ポート30を構成し、電子eが電界放出しやすいようにしている。電子供給体20、電子放出ポート30、電気引出電極40の構成は図14、図15に示す装置と同じである。
電子受容体50の前面には準2次元絶縁物質からなる電気絶縁場Fを介して準2次元物質からなる電子収集電極140が積層されている。前記電子受容体50の前記電気絶縁場Fに面する表面には、図示していないが、準1次元物質からなる電子収集ポート130を構成して、電子eを受け取りやすくしている。
この電子収集ポート130の生成或いは構成は、既述した電子放出ポート30の生成或いは構成と同様にすることができる。
Referring to FIG. 16, the field emission power generation device according to the second embodiment of the present invention, which is capable of alternately changing the direction of the field-emission electron e to the opposite direction by using an AC power source, is further described. Another example will be described.
The electron supply body 20 and an electric extraction electrode 40 made of a quasi-two-dimensional material are provided, and an electric insulation field F made of a quasi-two-dimensional insulation material is laminated between the electron supply body 20 and the electric extraction electrode 40. Although not shown in the drawing, the surface of the electron supply body 20 facing the electric insulation field F constitutes an electron emission port 30 in which a large number of quasi-one-dimensional substances are erected in the electron emission direction, and the electron e Is easy to emit field. The structure of the electron supply body 20, the electron emission port 30, and the electrical extraction electrode 40 is the same as that of the apparatus shown in FIGS.
An electron collecting electrode 140 made of a quasi-two-dimensional material is laminated on the front surface of the electron acceptor 50 via an electric insulating field F made of a quasi-two-dimensional insulating material. Although not shown in the drawing, the surface of the electron acceptor 50 facing the electric insulation field F is configured with an electron collection port 130 made of a quasi-one-dimensional material so that electrons e can be easily received.
The generation or configuration of the electron collection port 130 can be the same as the generation or configuration of the electron emission port 30 described above.

前記電子引出電極40と電子収集電極140とは絶縁隔離部材74を介して相互に接合され、その間に絶縁隔離部材74で囲まれた真空若しくは減圧空間からなる電気絶縁場Fを介在させている。   The electron extraction electrode 40 and the electron collection electrode 140 are joined to each other via an insulating isolation member 74, and an electric insulating field F composed of a vacuum or a reduced pressure space surrounded by the insulating isolation member 74 is interposed therebetween.

前記電子供給体20と電子引出電極40との間には電子引出及び電子収集のための交流電源121が接続され、前記電子受容体50と電子収集電極140との間にも電子引出及び収集のための交流電源122が接続されている。
交流電源121と交流電源122は周期を同期させており、電子引出電極40が正電位の期間は電子収集電極140が負電位となり、電子引出電極40が負電位の期間は電子収集電極140が正電位となるように構成している。
以上の構成に係る装置では、電子供給体20と電子引出電極40との間の電気絶縁場F及び電子受容体50と電子収集電極140との間の電気絶縁場Fが何れも絶縁物質で構成され、且つ絶縁隔離部材74で囲まれた真空若しくは減圧空間からなる電気絶縁場Fも固体内に構成することが可能であるから、結局のところ、真空容器10等のケースを必要とすることなく、固体の発電装置や固体の発電モジュール、発電素子を構成することができる。
An AC power supply 121 for electron extraction and electron collection is connected between the electron supply body 20 and the electron extraction electrode 40, and an electron extraction and collection electrode is also connected between the electron acceptor 50 and the electron collection electrode 140. AC power source 122 is connected.
The AC power supply 121 and the AC power supply 122 are synchronized in period. When the electron extraction electrode 40 is at a positive potential, the electron collection electrode 140 is at a negative potential, and when the electron extraction electrode 40 is at a negative potential, the electron collection electrode 140 is at a positive potential. It is configured to have a potential.
In the apparatus according to the above configuration, the electric insulating field F between the electron supply body 20 and the electron extraction electrode 40 and the electric insulating field F between the electron acceptor 50 and the electron collection electrode 140 are both formed of an insulating material. In addition, since an electric insulating field F consisting of a vacuum or a decompressed space surrounded by the insulating isolation member 74 can also be configured in the solid, after all, without requiring a case such as the vacuum vessel 10 or the like. A solid power generation device, a solid power generation module, and a power generation element can be configured.

今、交流電源121、122として、パルス状波形をもつ正負の電圧を交互に加えた場合の状況を、図17、図18を参照して説明する。   Now, a situation where positive and negative voltages having a pulse waveform are alternately applied as the AC power supplies 121 and 122 will be described with reference to FIGS. 17 and 18.

先ず交流電源121、122が、正の半期として、電子引出電極40及び電子受容体50に正電圧、電子供給体20及び電子収集電極140に負電圧が加えられている場合は、図17に示す状態となる。
即ちこの場合には、電子引出電極40の正電荷によって、電子供給体20から電子放出ポート30を経て電子eが電気絶縁場Fに電界放出される。電気絶縁場Fは準2次元物質からなるので、電子eはトンネル現象により電気絶縁場Fを通過する。更に準2次元物質からなる電子引出電極40もトンネル効果で通過し、2酸化シリコンからなる絶縁隔離部材74で囲まれた真空若しくは減圧空間からなる電気絶縁場Fに入る。このとき、電子受容体50には正電位が、電子収集電極140には負電位が加えられている。前記電気絶縁場Fに入って飛翔する電子eは電子収集電極140に到達するが、電子収集電極140が準2次元物からなるので、トンネル現象により通過する。更に準2次元絶縁物質からなる電気絶縁場Fもトンネル現象により通過し、電子収集ポート130を介して電子受容体50に到達する。電子受容体50から2次放出しようとする電子eは、負電位にある電子収集電極140によって抑制される。
電子受容体50に収集された電子eは、電力取出回路60に移動されることで、電気的負荷61にて電気エネルギーとして利用される。
First, when the AC power supplies 121 and 122 are applied with positive voltage to the electron extraction electrode 40 and the electron acceptor 50 and negative voltage to the electron supply body 20 and the electron collection electrode 140 in the positive half-period, as shown in FIG. It becomes a state.
That is, in this case, the electron e is emitted from the electron supply body 20 through the electron emission port 30 to the electric insulating field F by the positive charge of the electron extraction electrode 40. Since the electric insulating field F is made of a quasi-two-dimensional material, the electrons e pass through the electric insulating field F by a tunnel phenomenon. Further, the electron extraction electrode 40 made of a quasi-two-dimensional material also passes through the tunnel effect, and enters the electric insulating field F made up of a vacuum or reduced pressure space surrounded by an insulating isolation member 74 made of silicon dioxide. At this time, a positive potential is applied to the electron acceptor 50 and a negative potential is applied to the electron collection electrode 140. The electrons e flying in the electric insulation field F reach the electron collecting electrode 140, but pass through the tunnel phenomenon because the electron collecting electrode 140 is made of a quasi-two-dimensional object. Further, an electric insulating field F made of a quasi-two-dimensional insulating material also passes through the tunnel phenomenon and reaches the electron acceptor 50 through the electron collecting port 130. The electrons e that are to be secondarily emitted from the electron acceptor 50 are suppressed by the electron collecting electrode 140 at a negative potential.
The electrons e collected by the electron acceptor 50 are moved to the power extraction circuit 60 and are used as electric energy by the electric load 61.

次に交流電源121、122が、負の半期として、電子収集電極140及び電子供給体20に正電圧、電子受容体50と電子引出電極40に負電圧が加えられている場合は、図18に示す状態となる。
即ちこの半期においては、前記電子受容体50が電子供給体となり、前記電子収集電極140が電子引出電極となる。また前記電子受容体50の表面に構成される電子収集ポート130は電子放出ポートとなる。そして前記電子供給体20は電子受容体となり、前記電子引出電極40は電子収集電極となる。また前記電子供給体20の表面に構成された電子放出ポート30は電子収集ポートとなる。
電子収集電極140に加えられた正電圧によって、電子受容体50から電子収集ポート130を経て電子eが電気絶縁場Fに電界放出される。電気絶縁場Fは準2次元物質からなるので、電子eはトンネル現象により電気絶縁場Fを通過する。更に準2次元物質からなる電子収集電極140もトンネル効果で通過し、2酸化シリコンからなる絶縁隔離部材74で囲まれた真空若しくは減圧空間からなる電気絶縁場Fに入る。このとき、電子供給体20には正電位が、電子引出電極40には負電位が加えられている。前記電気絶縁場Fに入って飛翔する電子eは電子引出電極40に到達するが、電子引出電極40が準2次元物からなるので、トンネル現象により通過する。更に準2次元絶縁物質からなる電気絶縁場Fもトンネル現象により通過し、電子放出ポート30を介して電子供給体20に到達する。電子供給体20から2次放出しようとする電子eは負電位にある電子引出電極40によって抑制される。
電子供給体20に収集された電子eは、電力取出回路60に移動されることで、電気的負荷61にて電気エネルギーとして利用される。
Next, when the AC power supplies 121 and 122 are in the negative half-period, a positive voltage is applied to the electron collection electrode 140 and the electron supply body 20, and a negative voltage is applied to the electron acceptor 50 and the electron extraction electrode 40. It will be in the state shown.
That is, in this half year, the electron acceptor 50 becomes an electron supplier, and the electron collection electrode 140 becomes an electron extraction electrode. The electron collection port 130 formed on the surface of the electron acceptor 50 is an electron emission port. The electron supply body 20 serves as an electron acceptor, and the electron extraction electrode 40 serves as an electron collection electrode. The electron emission port 30 formed on the surface of the electron supply body 20 serves as an electron collection port.
Due to the positive voltage applied to the electron collecting electrode 140, electrons e are emitted from the electron acceptor 50 through the electron collecting port 130 to the electric insulating field F. Since the electric insulating field F is made of a quasi-two-dimensional material, the electrons e pass through the electric insulating field F by a tunnel phenomenon. Furthermore, the electron collecting electrode 140 made of a quasi-two-dimensional material also passes through the tunnel effect, and enters the electric insulating field F made up of a vacuum or reduced pressure space surrounded by an insulating isolation member 74 made of silicon dioxide. At this time, a positive potential is applied to the electron supply body 20 and a negative potential is applied to the electron extraction electrode 40. Electrons e flying in the electric insulation field F reach the electron extraction electrode 40, but pass through the tunnel phenomenon because the electron extraction electrode 40 is made of a quasi-two-dimensional object. Further, an electric insulating field F made of a quasi-two-dimensional insulating material also passes through the tunnel phenomenon and reaches the electron supply body 20 through the electron emission port 30. The electrons e that are to be secondarily emitted from the electron supply body 20 are suppressed by the electron extraction electrode 40 at a negative potential.
The electrons e collected in the electron supplier 20 are moved to the power extraction circuit 60 and are used as electric energy by the electric load 61.

上記のようにして、交流電源121、122の正の半周期では、電子供給体20内の電子eが電界放出されて、電子受容体50に達し、電力取出回路60には電流iが下から上(電子供給体20側から電子受容体50側)に流れる。また交流電源121、122の負の半周期では、電子受容体50内の電子eが電界放出されて、電子供給体20に達し、電力取出回路60には電流iが上から下(電子受容体50側から電子供給体20側)に流れる。即ち、電力取出回路60の電気的負荷61には、交流の電流iが流れる。
前記電気的負荷61として変圧器等を用いて、電圧と電流を調整し、家庭用電源、或いは工場用電源として利用することが可能となる。
上記した本発明では、太陽光等を利用する場合と異なり、雨天でも夜間でも何時でも発電して、これを利用することができる。また熱源等も必要としないので、熱サイクルによる劣化も問題とならない。勿論、静止装置である。よって本発明の装置は、耐久性、実用性、利便性等においてもまた従来の発電装置にはない優れた面を有している。
As described above, in the positive half cycle of the AC power supplies 121 and 122, the electrons e in the electron supply body 20 are field-emitted to reach the electron acceptor 50, and the current i is applied to the power extraction circuit 60 from below. It flows upward (from the electron supplier 20 side to the electron acceptor 50 side). In the negative half cycle of the AC power supplies 121 and 122, the electrons e in the electron acceptor 50 are field-emitted to reach the electron supply 20, and the current i flows from the top to the bottom (electron acceptor) in the power extraction circuit 60. From the 50 side to the electron supply body 20 side). That is, an alternating current i flows through the electrical load 61 of the power extraction circuit 60.
Using the transformer or the like as the electrical load 61, the voltage and current can be adjusted and used as a household power source or a factory power source.
In the present invention described above, unlike the case of using sunlight or the like, it is possible to generate power at any time in the rain or at night and use it. Moreover, since a heat source or the like is not required, deterioration due to thermal cycling is not a problem. Of course, it is a stationary device. Therefore, the device of the present invention has excellent aspects that are not found in conventional power generation devices in terms of durability, practicality, convenience, and the like.

図19を参照して、本発明の第3の実施形態に係る電界放出発電装置を説明する。
この第3の実施形態は、電子供給体20の電子放出ポート30から電子引出電極40により電界放出された電子eが、電子引出電極40に吸収されるのを防止する電子吸収防止手段として、電子引出電極40に向かって飛翔する電子eの軌道を変更する電子軌道変更電極を設けた点に特徴がある。
即ち、上記の第1、第2の実施形態では、電界放出した電子eが電子引出電極40に吸収されるのを防止するため、電子引出電極40を準2次元物質で構成し、これによって電子eがトンネル現象によって電子引出電極40を通過するようにしていた。しかし本第3の実施形態では、電子吸収防止手段として電子軌道変更電極を用いている。
本第3の実施形態では、電子引出電極40は、飛翔電子eが貫通する必要がないので、準2次元物質とする必要はない。
With reference to FIG. 19, a field emission power generation device according to a third embodiment of the present invention will be described.
In this third embodiment, electrons e emitted from the electron emission port 30 of the electron supply body 20 by the electron extraction electrode 40 are prevented from being absorbed by the electron extraction electrode 40 as electron absorption preventing means. It is characterized in that an electron trajectory changing electrode for changing the trajectory of the electrons e flying toward the extraction electrode 40 is provided.
That is, in the first and second embodiments described above, in order to prevent the electron e emitted from the field emission from being absorbed by the electron extraction electrode 40, the electron extraction electrode 40 is formed of a quasi-two-dimensional material, thereby e passes through the electron extraction electrode 40 by a tunnel phenomenon. However, in the third embodiment, the electron trajectory changing electrode is used as the electron absorption preventing means.
In the third embodiment, the electron extraction electrode 40 does not need to be a quasi-two-dimensional substance because the flying electrons e do not need to penetrate therethrough.

真空乃至減圧された空間からなる電気絶縁場Fに、電子供給体20が配置されている。この電子供給体20に対して電子引出電極40が対向して配置されている。電子引出電極40と電子供給体20には電子引出電源41が、電子引出電極40が正電圧で電子供給体20が負電圧になるように加えられている。
前記電子供給体20と電子引出電極40との間隙に対して直角な側方位置に、第1の電子軌道変更電極151、152が電源153と共に配置されている。また別に第2の電子軌道変更電極154、155が電源156と共に配置され、飛翔電子eを電子受容体50に導くようにしている。
電界放出電子eは図に示す電子軌道orbを経て電子受容体50に到達される。
An electron supply body 20 is disposed in an electric insulating field F composed of a vacuum or a decompressed space. An electron extraction electrode 40 is disposed to face the electron supply body 20. An electron extraction power source 41 is added to the electron extraction electrode 40 and the electron supply body 20 so that the electron extraction electrode 40 has a positive voltage and the electron supply body 20 has a negative voltage.
First electron trajectory changing electrodes 151 and 152 are disposed together with a power source 153 at a lateral position perpendicular to the gap between the electron supply body 20 and the electron extraction electrode 40. Separately, second electron trajectory changing electrodes 154 and 155 are arranged together with the power source 156 so as to guide the flying electrons e to the electron acceptor 50.
The field emission electrons e reach the electron acceptor 50 through the electron orbit shown in the figure.

前記電子供給体20は、既述の実施形態においても説明したが、金属材料やその他の自由電子を豊富に保有する材料で構成される。
前記電子供給体20の電気引出電極40に対向する面には、図19には図示しないが、電子放出ポート30が設けられている。また電子放出ポート30は、電子をそこから電界放出する機能を果たすもので、前記電子供給体20と電気的に導通状態に設けられる。電子放出ポート30は、電子の電界放出に対するエネルギー障壁の小さい材料で構成することが好ましい。またエネルギー障壁の小さい形状で構成することが好ましい。電子放出ポート30はカーボン・ナノチューブ等の準1次元物質を複数本、電子供給体20の表面に立設して構成することができる。
前記電子引出電極40は、前記電子放出ポート30に対して電界を付加し、電子放出ポート30から電子eを電界放出させるための電極である。
この実施形態の場合は、電子引出電極40を準2次元物質で構成する必要がない。よって電子引出電極40の設備が容易に提供できる。
前記電子受容体50は、電界放出された電子を受け取るためのもので、金属材料等の自由電子の保有能力が大きい材料で構成することができる。電子受容体50の構成としては、上記図7で説明した符号51〜54からなる構成とすることができる。また電子受容体50には、図8で説明した受電子位置分散手段90、図9で説明した電子振り分け手段100、図11〜図13で説明した2次放出防止手段110を付設してもよい。
Although the electron supply body 20 has been described in the above-described embodiment, the electron supply body 20 is made of a metal material or other material that has abundant free electrons.
Although not shown in FIG. 19, an electron emission port 30 is provided on the surface of the electron supply body 20 facing the electrical extraction electrode 40. The electron emission port 30 fulfills the function of field emission of electrons from the electron emission port 30 and is provided in an electrically conductive state with the electron supply body 20. The electron emission port 30 is preferably made of a material having a small energy barrier against electron field emission. Moreover, it is preferable to comprise in the shape with a small energy barrier. The electron emission port 30 can be constituted by standing a plurality of quasi-one-dimensional substances such as carbon nanotubes on the surface of the electron supply body 20.
The electron extraction electrode 40 is an electrode for applying an electric field to the electron emission port 30 and emitting electrons e from the electron emission port 30.
In the case of this embodiment, it is not necessary to configure the electron extraction electrode 40 with a quasi-two-dimensional material. Therefore, equipment for the electron extraction electrode 40 can be easily provided.
The electron acceptor 50 is for receiving field-emitted electrons, and can be made of a material having a large free electron holding capacity such as a metal material. As a structure of the electron acceptor 50, it can be set as the structure which consists of the codes | symbols 51-54 demonstrated in the said FIG. Further, the electron acceptor 50 may be provided with the electron receiving position dispersing means 90 described with reference to FIG. 8, the electron distributing means 100 described with reference to FIG. 9, and the secondary emission preventing means 110 described with reference to FIGS. .

電子引出電極40に正電圧が加えられることで、電子供給体20から電子放出ポート30を経て電子eが電界放出され、電子引出電極40に向かう。このとき、電子供給体20と電子引出電極40との間隙を電子eが飛翔する際に、第1の電子軌道変更電極151、152からのクーロン力を受けて、電子eが正電圧の加わった第1の電子軌道変更電極151に向けて軌道を変更する。これによって電界放出電子eが電子引出電極40に吸収されるのが防止される。
前記正電圧の加わった第1の電子軌道変更電極151に向けて向かう軌道の両側方に第2の電子軌道変更電極154、155が配置されている。この第2の電子軌道変更電極154、155によって、飛翔電子eの軌道は更に変更され、電子軌道変更電極151にも衝突することなく電子受容体50に衝突し、吸収される。
なお前記第1の電子軌道変更電極151、152と第2の電子軌道変更電極154、155は、必ずしも2対を設ける必要はない。要するに、電子引出電極40に向かう電子eを、電子引出電極40から電子受容体50に軌道変更させる手段として1乃至複数の電子軌道変更電極を配置すればよい。
By applying a positive voltage to the electron extraction electrode 40, electrons e are emitted from the electron supply body 20 through the electron emission port 30 and directed toward the electron extraction electrode 40. At this time, when the electron e flies through the gap between the electron supply body 20 and the electron extraction electrode 40, the electron e receives a Coulomb force from the first electron trajectory changing electrodes 151 and 152, and the electron e is applied with a positive voltage. The trajectory is changed toward the first electron trajectory changing electrode 151. This prevents the field emission electrons e from being absorbed by the electron extraction electrode 40.
Second electron trajectory changing electrodes 154 and 155 are arranged on both sides of the trajectory toward the first electron trajectory changing electrode 151 to which the positive voltage is applied. The orbits of the flying electrons e are further changed by the second electron trajectory changing electrodes 154 and 155, and collide with and be absorbed by the electron acceptor 50 without colliding with the electron trajectory changing electrode 151.
The first electron orbit change electrodes 151 and 152 and the second electron orbit change electrodes 154 and 155 do not necessarily need to be provided in two pairs. In short, one or a plurality of electron trajectory changing electrodes may be arranged as means for changing the trajectory of electrons e going to the electron extracting electrode 40 from the electron extracting electrode 40 to the electron acceptor 50.

電子eを収集した電子受容体50は負電荷にチャージされるので、電力取出回路60により外部に取り出して、電気エネルギーとして利用できる。   Since the electron acceptor 50 that has collected the electrons e is charged to a negative charge, it can be taken out by the power extraction circuit 60 and used as electric energy.

図20、図21を参照して、第3の実施形態に係る電界放出発電装置の具体的な1例を説明する。
真空容器10の中に電気絶縁物質からなるフレーム160が設備され、該フレーム160に電子供給体20が取り付けられている。またこの電子供給体20に対向して電子引出電極40がフレーム160に取り付けられている。電子引出電源41により電子引出電極40に正電圧、電子供給体20に負電圧が加えられている。図示しないが、前記電子供給体20には準1次元物質からなる電子放出ポート30が構成されている。
電子引出電極40により電子供給体20から電子放出ポート30を介して電子eが電界放出される。
A specific example of the field emission power generator according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.
A frame 160 made of an electrically insulating material is installed in the vacuum vessel 10, and the electron supply body 20 is attached to the frame 160. Further, an electron extraction electrode 40 is attached to the frame 160 so as to face the electron supply body 20. A positive voltage is applied to the electron extraction electrode 40 and a negative voltage is applied to the electron supply body 20 by the electron extraction power source 41. Although not shown, the electron supply body 20 includes an electron emission port 30 made of a quasi-one-dimensional material.
Electrons e are emitted from the electron supply body 20 through the electron emission port 30 by the electron extraction electrode 40.

前記電子供給体20と電子引出電極40の間隙の側方に対向して、電子軌道変更電極157がフレーム160に取り付けられている。電子軌道変更電極157と電子供給体20とは電源158によって、電子軌道変更電極157が正電圧、電子供給体20が負電圧になるように電圧が加えられている。
電子供給体20から真空中に電界放出された電子eは、電子軌道変更電極157により軌道を変更され、矢印の方向に飛行して、一対のゲート部材171、172で構成された開口173から引き込み空間Sに入る。引き込み空間Sの奥には電子受容体50がフレーム160に取り付けられている。
前記ゲート部材171、172はフレーム160に取り付けられ、電源174、175によって負電圧が加えられている。また前記電子受容体50には電源174、175によって正電圧が加えられている。
An electron trajectory changing electrode 157 is attached to the frame 160 so as to face the side of the gap between the electron supply body 20 and the electron extraction electrode 40. A voltage is applied to the electron trajectory changing electrode 157 and the electron supply body 20 by a power source 158 so that the electron trajectory changing electrode 157 has a positive voltage and the electron supply body 20 has a negative voltage.
The electron e emitted from the electron supplier 20 into the vacuum is changed in trajectory by the electron trajectory changing electrode 157, flies in the direction of the arrow, and is drawn from the opening 173 formed by the pair of gate members 171 and 172. Enter space S. An electron acceptor 50 is attached to the frame 160 in the interior of the drawing space S.
The gate members 171 and 172 are attached to the frame 160, and a negative voltage is applied by power sources 174 and 175. A positive voltage is applied to the electron acceptor 50 by power sources 174 and 175.

前記引き込み空間Sに入った電子eは、正電荷を有する電子受容体50に引かれて到達する一方、ゲート部材172、173に反発され、開口173からでることができなくなる。
電子受容体50に収集された電子eは電力取出回路60(第1、第2実施形態を参照)によって取り出され、電気的負荷61に流れることで電気エネルギーとして利用される。
The electrons e that have entered the drawing space S are attracted to the electron acceptor 50 having a positive charge and reach, while being repelled by the gate members 172 and 173 and cannot be emitted from the opening 173.
Electrons e collected in the electron acceptor 50 are taken out by a power extraction circuit 60 (see the first and second embodiments) and flow to the electric load 61 to be used as electric energy.

図22、23を参照して、本発明の第4の実施形態に係る電界放出発電装置を説明する。
この第4の実施形態は、電子供給体20の電子放出ポート30から電子引出電極40により電界放出された電子eが、電子引出電極40に吸収されるのを防止する電子吸収防止手段として、電子受容体50を電子引出電極40の手前に配置することで、電子引出電極40に向かって飛翔する電子eを電子引出電極40の手前で受け取るようにした点に特徴がある。
即ち、上記の第1、第2の実施形態では、電界放出した電子eが電子引出電極40に吸収されるのを防止するため、電子引出電極40を準2次元物質で構成し、また第3の実施形態では電子軌道変更電極を用いた。しかし本第4の実施形態では、電子吸収防止手段として電子引出電極40の前に電子受容体50を配置している。
本第4の実施形態では、電子引出電極40は、飛翔電子eが貫通する必要がないので、準2次元物質で構成する必要はない。
A field emission power generator according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In the fourth embodiment, electrons e emitted from the electron emission port 30 of the electron supply body 20 by the electron extraction electrode 40 are prevented from being absorbed by the electron extraction electrode 40 as electron absorption preventing means. It is characterized in that the electron e flying toward the electron extraction electrode 40 is received before the electron extraction electrode 40 by arranging the acceptor 50 in front of the electron extraction electrode 40.
That is, in the first and second embodiments, the electron extraction electrode 40 is made of a quasi-two-dimensional material in order to prevent the field-emission electron e from being absorbed by the electron extraction electrode 40. In this embodiment, an electron orbit change electrode is used. However, in the fourth embodiment, the electron acceptor 50 is arranged in front of the electron extraction electrode 40 as an electron absorption preventing means.
In the fourth embodiment, the electron extraction electrode 40 does not need to be formed of a quasi-two-dimensional material because it is not necessary for the flying electrons e to penetrate therethrough.

図22において、電子供給体20に電子放出ポート30が電気導通状態に配置されている。電子放出ポート30に対して、電子受容体50を対向させて配置させており、その電子受容体50の背後に電子引出電極40が配置されている。前記電子供給体20、電子放出ポート30、電子引出電極40、電子受容体50は、図示しない真空容器(図1の真空容器10参照)内に設備され、雰囲気が真空乃至減圧状態の空間からなる電気絶縁場Fとされている。
前記電子引出電極40と電子供給体20との間は電子引出電源41によって、電子引出電極40に正電圧が加わるようになされている。また前記電子受容体50と電子供給体20との間に電力取出回路60が配設され、電気的負荷61が途中に設けられている。
In FIG. 22, the electron emission port 30 is disposed in the electron supply body 20 in an electrically conductive state. An electron acceptor 50 is disposed opposite to the electron emission port 30, and an electron extraction electrode 40 is disposed behind the electron acceptor 50. The electron supply body 20, the electron emission port 30, the electron extraction electrode 40, and the electron acceptor 50 are provided in a vacuum container (not shown) (see the vacuum container 10 in FIG. 1), and the atmosphere is a vacuum or reduced pressure space. It is an electric insulation field F.
Between the electron extraction electrode 40 and the electron supply body 20, a positive voltage is applied to the electron extraction electrode 40 by an electron extraction power source 41. Further, a power extraction circuit 60 is disposed between the electron acceptor 50 and the electron supply body 20, and an electrical load 61 is provided in the middle.

既に図1に示す装置の説明の際に説明したが、前記電子供給体20は、電子を供給する源となる物質で構成され、金属材料やその他の自由電子を豊富に保有する材料で構成される。また前記電子放出ポート30は、電子をそこから電界放出する機能を果たすもので、前記電子供給体20と電気的に導通状態に設けられる。電子放出ポート30は、電子の電界放出に対するエネルギー障壁の小さい材料で構成することが好ましい。またエネルギー障壁の小さい形状で構成することが好ましい。この電子放出ポート30は、カーボン・ナノチューブ等の準1次元物質を電子供給体20の表面に成長させるなどして、多数の準1次元物質が電子供給体20の表面に立設した状態に構成する。
前記電子引出電極40は、前記電子放出ポート30に対して電界を付加し、電子放出ポート30から電子eを電界放出させるための電極である。
前記電子受容体50は円錐形状とし、その円錐形状の先端側を電子放出ポート30側に、円錐形状の後端側の背面を前記電子引出電極40側にして配置している。この電子受容体50は金属材料等の自由電子の保有能力が大きい材料で構成することができる。
As already described in the description of the apparatus shown in FIG. 1, the electron supply body 20 is made of a substance that is a source for supplying electrons, and is made of a metal material or other material that has abundant free electrons. The The electron emission port 30 has a function of emitting electrons from the electron emission field 30 and is electrically connected to the electron supply body 20. The electron emission port 30 is preferably made of a material having a small energy barrier against electron field emission. Moreover, it is preferable to comprise in the shape with a small energy barrier. The electron emission port 30 is configured such that a large number of quasi-one-dimensional substances are erected on the surface of the electron supply body 20 by growing quasi-one-dimensional substances such as carbon nanotubes on the surface of the electron supply body 20. To do.
The electron extraction electrode 40 is an electrode for applying an electric field to the electron emission port 30 and emitting electrons e from the electron emission port 30.
The electron acceptor 50 has a conical shape, and the front end side of the conical shape is disposed on the electron emission port 30 side, and the back surface on the rear end side of the conical shape is disposed on the electron extraction electrode 40 side. The electron acceptor 50 can be made of a material having a large free electron holding capacity such as a metal material.

正電圧が加えられた電子引出電極40によって、電子供給体20から電子放出ポート30を経て、電子eが電界放出される。この電界放出電子eは電子受容体50に衝突し、吸収される。電子eを吸収した電子受容体50には電子eが負電荷として蓄積される。蓄積された電子eは電力取出回路60を、電気的負荷61を介して電子供給体20にフィード・バックすることにより、電気エネルギーとして利用可能となる。   Electrons e are emitted from the electron supply body 20 through the electron emission port 30 by the electron extraction electrode 40 to which a positive voltage is applied. The field emission electrons e collide with the electron acceptor 50 and are absorbed. In the electron acceptor 50 that has absorbed the electron e, the electron e is accumulated as a negative charge. The accumulated electrons e can be used as electric energy by feeding back the power extraction circuit 60 to the electron supplier 20 via the electric load 61.

図23には、電子eが電界放出される場合の電圧と電流の関係が示されている。この図には2種類の電界放出特性が記載されている。電子がエミッション(電界放出)を開始する電圧を閾値電圧と呼ぶ。閾値電圧Vaより高い電圧が加えられると、電界放出による電流Iが流れ始める場合には、これを低い閾値電圧Vaと呼ぶ。閾値電圧Vbよりも高い電圧が加えられると、電界放出による電流Iが流れ始める場合には、これを高い閾値電圧Vbと呼ぶ。図22において、円錐形状の電子受容体50は電子引出電極40と電子放出ポート30との間に位置する。電界が電子引出電極40と電子供給体20とに加えられているので、電子引出電極40と電子受容体50との間に電界が存在する。更に電子受容体50と電子放出ポート30との間にも存在する。
本実施形態の場合、電子引出電極40と電子受容体50とが向き合う面は互いに殆ど平面であり、電界の集中現象が発生しないので、電子eの電界放出は起こりにくい。即ち、その領域における電子の電界放出特性は図23において高い閾値電圧Vbとなり、電子受容体50から電子引出電極40に電子eが移動することは殆どない。ところが、電子受容体50と電子放出ポート30は互いに細く尖って向き合い。両者の距離も短いので、電界の集中現象が発生し、この場合には低い閾値電圧Vaによって電子放出ポート30から電子eが電界放出される。従って、電界放出電子eは電子受容体50に蓄えられることになる。
FIG. 23 shows the relationship between voltage and current when electrons e are field-emitted. In this figure, two types of field emission characteristics are described. A voltage at which electrons start emission (field emission) is called a threshold voltage. If a current I due to field emission starts to flow when a voltage higher than the threshold voltage Va is applied, this is referred to as a low threshold voltage Va. If a current I due to field emission starts flowing when a voltage higher than the threshold voltage Vb is applied, this is called a high threshold voltage Vb. In FIG. 22, the cone-shaped electron acceptor 50 is located between the electron extraction electrode 40 and the electron emission port 30. Since an electric field is applied to the electron extraction electrode 40 and the electron supply body 20, an electric field exists between the electron extraction electrode 40 and the electron acceptor 50. Further, it exists between the electron acceptor 50 and the electron emission port 30.
In the case of the present embodiment, the surfaces where the electron extraction electrode 40 and the electron acceptor 50 face each other are almost flat with each other, and the electric field concentration phenomenon does not occur. That is, the field emission characteristic of electrons in that region becomes a high threshold voltage Vb in FIG. 23, and the electrons e hardly move from the electron acceptor 50 to the electron extraction electrode 40. However, the electron acceptor 50 and the electron emission port 30 face each other with a fine point. Since the distance between the two is short, an electric field concentration phenomenon occurs. In this case, the electron e is emitted from the electron emission port 30 by the low threshold voltage Va. Accordingly, the field emission electrons e are stored in the electron acceptor 50.

電子の電界放出を利用した本発明の装置は、従来の火力発電、水力発電、原子力発電、太陽光等の自然エネルギーを用いた発電に代わり、或いは新たに加わるべき発電手段として、投入エネルギーが少なく、クリーンで、安定した電気エネルギーを低コストで供給することが可能であり、産業上の利用可能性が非常に大きいものである。   The device of the present invention using electron field emission has little input energy as a power generation means to be newly added instead of, or as a new power generation means using natural energy such as conventional thermal power generation, hydroelectric power generation, nuclear power generation, and sunlight. It is possible to supply clean and stable electric energy at a low cost, and the industrial applicability is very large.

Claims (14)

自由電子を保有する材料からなる電子供給体と、該電子供給体に対して電気導通状態に設けられた電子放出ポートと、該電子放出ポートに電気絶縁場を介して対向配置されると共に電界を付加して電子を吸引放出させるための電子引出電極と、該電子引出電極によって放出された電子を受け取るための電子受容体と、前記電子放出ポートから放出された電子が前記電子引出電極に吸収されるのを防止するための電子吸収防止手段とを備え、前記電子引出電極に正電圧を加えることで前記電子放出ポートから電子を電界放出させると共に、この電界放出した電子を、前記電子引出電極に吸収させることなく、別に配置した前記電子受容体で受け取らせて集める構成としたことを特徴とする電界放出発電装置。   An electron supply body made of a material holding free electrons, an electron emission port provided in an electrically conductive state with respect to the electron supply body, and an electric field that is disposed opposite to the electron emission port via an electric insulation field In addition, an electron extraction electrode for attracting and emitting electrons, an electron acceptor for receiving electrons emitted by the electron extraction electrode, and electrons emitted from the electron emission port are absorbed by the electron extraction electrode. An electron absorption preventing means for preventing the electron emission, and applying a positive voltage to the electron extraction electrode causes field emission of the electron from the electron emission port, and the field emission electron is supplied to the electron extraction electrode. A field emission power generation device characterized in that it is received and collected by the electron acceptor separately arranged without being absorbed. 請求項1において、電子放出ポートは、電子放出に対するエネルギー障壁の小さい材料及び/若しくは形状で構成されていることを特徴とする電界放出発電装置。   2. The field emission power generation device according to claim 1, wherein the electron emission port is made of a material and / or shape having a small energy barrier against electron emission. 請求項1において、電子放出ポートは、電子供給体の表面に準1次元物質をその長手方向が電子放出方向となるように立設して構成されていることを特徴とする電界放出発電装置。   2. The field emission power generation device according to claim 1, wherein the electron emission port is configured such that a quasi-one-dimensional substance is erected on the surface of the electron supply body so that the longitudinal direction thereof is the electron emission direction. 請求項3において、準1次元物質は、カーボン・ナノチューブであることを特徴とする電界放出発電装置。   4. The field emission power generator according to claim 3, wherein the quasi-one-dimensional substance is a carbon nanotube. 請求項1において、電気絶縁場は、絶縁空間若しくは絶縁物質により構成されることを特徴とする電界放出発電装置。   2. The field emission power generator according to claim 1, wherein the electric insulating field is constituted by an insulating space or an insulating material. 請求項1において、電子吸収防止手段は、電子引出電極の材料を準2次元物質とし、電子放出ポートから放出された電子が量子トンネル現象によって前記電子引出電極に吸収されることなく貫通されるようにして構成してあることを特徴とする電界放出発電装置。   2. The electron absorption preventing means according to claim 1, wherein the electron extraction electrode is made of a quasi-two-dimensional material, and electrons emitted from the electron emission port are penetrated without being absorbed by the electron extraction electrode due to quantum tunneling. A field emission power generator characterized by comprising: 請求項1において、電子吸収防止手段は、電子放出ポートから放出されて電子引出電極に向かう電子の軌道を変更する電子軌道変更電極であることを特徴とする電界放出発電装置。   2. The field emission power generation device according to claim 1, wherein the electron absorption preventing means is an electron trajectory changing electrode that changes the trajectory of electrons emitted from the electron emission port toward the electron extraction electrode. 請求項1において、電子吸収防止手段は、電子受容体を電子引出電極の前に配置することで、電子放出ポートから放出され電子引出電極に向かう電子を電子引出電極の手前で受け取るように構成してあることを特徴とする電界放出発電装置。   The electron absorption preventing means according to claim 1, wherein the electron accepting means is arranged in front of the electron extraction electrode by disposing the electron acceptor in front of the electron extraction electrode so as to receive the electrons emitted from the electron emission port toward the electron extraction electrode. A field emission power generator characterized by the above. 請求項1において、電子受容体に向かう電子を加速する加速電極を設けたことを特徴とする電界放出発電装置。   2. The field emission power generator according to claim 1, further comprising an acceleration electrode for accelerating electrons toward the electron acceptor. 請求項1において、電子受容体に向かう電子の軌道を分散させて電子受容体での受電子位置が集中するのを防止する受電子位置分散手段を設けたことを特徴とする電界放出発電装置。   2. The field emission power generator according to claim 1, further comprising: an electron receiving position dispersion unit that disperses the electron trajectory toward the electron acceptor to prevent concentration of the electron receiving position on the electron acceptor. 請求項1において、電子受容体は複数個を相互に絶縁状態にして設け、電子放出ポートから放出された電子を前記複数個の電子受容体に振り分ける電子振り分け手段を設けたことを特徴とする電界放出発電装置。   2. An electric field according to claim 1, wherein a plurality of electron acceptors are provided in an insulated state, and electron distribution means for distributing electrons emitted from the electron emission port to the plurality of electron acceptors is provided. Emission generator. 請求項1において、電子受容体に到達した電子が2次放出するのを防止するための2次放出防止手段を設けたことを特徴とする電界放出発電装置   2. The field emission power generator according to claim 1, further comprising secondary emission preventing means for preventing secondary emission of electrons that have reached the electron acceptor. 請求項1において、電子受容体と電子供給体とを電気接続し途中に電気的負荷を配する構成としたことを特徴とする電界放出発電装置。   2. The field emission power generator according to claim 1, wherein the electron acceptor and the electron supplier are electrically connected and an electric load is arranged in the middle. 請求項1において、電子引出電極に交流電圧を加えることで、電子放出ポートから放出される電子の量を変化させて、交流発電させる構成としたことを特徴とする電界放出発電装置。   2. The field emission power generator according to claim 1, wherein an AC voltage is applied to the electron extraction electrode to change the amount of electrons emitted from the electron emission port, thereby generating AC power.
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