JPWO2007091351A1 - Sputtering target, sputtering target material, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

[課題]アーキングの発生をより一層効果的に低減し得るスパッタリングターゲット、これに好適なスパッタリングターゲット材およびこれらの製造方法を提供することを課題としている。[解決手段]油分の存在下で切削加工が行なわれたスパッタリングターゲット材であって、スパッタリング前の該ターゲット材表面に付着している油膜の厚みが1.5nm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材、上記スパッタリングターゲット材とバッキングプレートとを備えてなることを特徴とするスパッタリングターゲット、ターゲット材の表面にスチームを接触させて、該ターゲット材表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする、スパッタリングターゲット材の製造方法ならびにスパッタリングターゲットの製造方法。[Problem] An object of the present invention is to provide a sputtering target capable of more effectively reducing the occurrence of arcing, a sputtering target material suitable for the sputtering target, and a method for producing them. [Solution] A sputtering target material cut in the presence of oil, wherein the thickness of the oil film adhering to the surface of the target material before sputtering is 1.5 nm or less. A sputtering target comprising the target material, the sputtering target material and a backing plate, and a cleaning process for cleaning the surface of the target material by bringing steam into contact with the surface of the target material The manufacturing method of a sputtering target material and the manufacturing method of a sputtering target.

Description

本発明は、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット材およびこれらの製造方法に関する。より詳しくは、アーキングを効果的に低減させたスパッタリングターゲット、これに好適なスパッタリングターゲット材およびこれらの製造方法に関する。   The present invention relates to a sputtering target, a sputtering target material, and a manufacturing method thereof. More specifically, the present invention relates to a sputtering target in which arcing is effectively reduced, a sputtering target material suitable for the sputtering target, and a manufacturing method thereof.

従来、スパッタリングターゲットのターゲット材表面、とくにそのスパッタリングに供される面(スパッタ面)に付着している研削粉などの異物が、スパッタリング時のアーキングの発生原因となることは知られていた。アーキングが多発すると、ターゲット材の一部が溶融して四方八方に飛散し、スプラッシュと呼ばれる飛散沫が、基板や成膜した膜上に付着する現象が起こり、成膜の歩留まりを下げ、コスト高の要因の1つとなる。   Conventionally, it has been known that foreign matters such as grinding powder adhering to the surface of a target material of a sputtering target, in particular, the surface used for sputtering (sputtering surface) cause arcing during sputtering. When arcing occurs frequently, part of the target material melts and scatters in all directions, and splashes called splash are deposited on the substrate and the deposited film, reducing the deposition yield and increasing costs. This is one of the factors.

いままでにターゲット材のスパッタ面に付着している研削粉を除去しようとする試みは種々提案されている。たとえば、ターゲット材のスパッタ面に粘着テープを貼った後引き剥がす方法やターゲット材を多重発振超音波洗浄する方法(特許文献1参照)、ターゲット材に所定圧力の水を噴射する方法(特許文献2参照)などである。   Various attempts to remove grinding powder adhering to the sputtering surface of the target material have been proposed so far. For example, a method in which an adhesive tape is applied to the sputter surface of a target material and then peeled off, a method in which the target material is subjected to multiple oscillation ultrasonic cleaning (see Patent Document 1), and a method in which water of a predetermined pressure is jetted onto the target material (Patent Document 2) See).

しかし、成膜の歩留まりをさらに向上させる観点からは、これらの方法により実現される程度のアーキング抑制効果ではいまだ充分とはいえず、アーキングの発生をより一層効果的に低減させる方法の開発が望まれていた。   However, from the viewpoint of further improving the yield of film formation, the effect of suppressing arcing to the extent achieved by these methods is still not sufficient, and the development of a method for further reducing the occurrence of arcing is desired. It was rare.

しかし、研削材を使用するブラスト処理では、研削材がターゲット材のスパッタ面に固着したり、却って微細なクラックや傷などのダメージを与えたりする恐れがあり、また、ターゲット材とエッチング剤とを接触させるエッチング処理では、ターゲット材の表面組成が変化し、成膜した膜の物性に影響を与える恐れがあった。   However, in blasting using an abrasive, the abrasive may stick to the sputtered surface of the target material, or may cause damage such as fine cracks or scratches. In the etching treatment to be contacted, the surface composition of the target material is changed, which may affect the physical properties of the formed film.

ところで、金属ターゲット材や合金ターゲット材の表面の切削加工は、フライスや旋盤で行なわれるのが一般的である。この場合、切削の際に切削油などの油分が使用されるため、切削加工直後のターゲット材の表面には、切削油が残存している。したがって、通常は、切削加工後にターゲット材の表面を有機溶剤で拭き取るなどしている。
特開平11−117062号 特開2005−42169号
By the way, cutting of the surface of a metal target material or an alloy target material is generally performed by a milling machine or a lathe. In this case, since oil such as cutting oil is used during cutting, the cutting oil remains on the surface of the target material immediately after the cutting. Therefore, usually, the surface of the target material is wiped with an organic solvent after cutting.
JP 11-117062 A JP-A-2005-42169

本発明は、アーキングの発生をより一層効果的に低減し得るスパッタリングターゲット、これに好適なスパッタリングターゲット材およびこれらの製造方法を提供することを課題としている。   This invention makes it a subject to provide the sputtering target which can reduce generation | occurrence | production of arcing still more effectively, a sputtering target material suitable for this, and these manufacturing methods.

本発明者らは、有機溶剤によるターゲット材表面の拭き取り処理を経てもなお、切削加工後のターゲット材表面に微量に残存している油分がアーキング発生の要因の一つであり、ターゲット材表面にスチームを接触させて洗浄すれば、該油分を有効に除去してアーキングの発生をより一層効果的に低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。   The inventors of the present invention are one of the causes of arcing because oil remaining in a trace amount on the target material surface after cutting is one of the causes of arcing even after wiping treatment of the target material surface with an organic solvent. It has been found that if cleaning is performed by bringing steam into contact, the oil can be effectively removed to reduce the occurrence of arcing more effectively, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、以下の事項に関する。   That is, the present invention relates to the following matters.

本発明に係るスパッタリングターゲット材は、油分の存在下で切削加工が行なわれたスパッタリングターゲット材であって、スパッタリング前のターゲット材表面に付着している油膜の厚みが1.5nm以下であることを特徴としている。   The sputtering target material according to the present invention is a sputtering target material that has been cut in the presence of oil, and the thickness of the oil film adhering to the surface of the target material before sputtering is 1.5 nm or less. It is a feature.

前記ターゲット材は、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材であることが望ましい。   The target material is preferably a metal target material or an alloy target material.

また、本発明に係るスパッタリングターゲットは、前記スパッタリングターゲット材とバッキングプレートとを備えてなることを特徴としている。   Moreover, the sputtering target according to the present invention is characterized by comprising the sputtering target material and a backing plate.

また、本発明に係るスパッタリングターゲット材の製造方法ならびにスパッタリングターゲットの製造方法は、ターゲット材の表面にスチームを接触させて、該ターゲット材表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴としている。   Moreover, the sputtering target material manufacturing method and the sputtering target manufacturing method according to the present invention are characterized by having a cleaning step of cleaning the target material surface by bringing steam into contact with the surface of the target material.

前記洗浄工程は、前記ターゲット材の表面100mm×100mmあたりに3秒間以上、40℃以上の温度のスチームを接触させて該ターゲット材表面を洗浄する工程であることが好ましい。   The cleaning step is preferably a step of cleaning the surface of the target material by contacting steam at a temperature of 40 ° C. or higher for 3 seconds or more per 100 mm × 100 mm of the surface of the target material.

また、前記スチームは、好ましくは、水、有機溶剤、およびこれらの混合物のいずれかを含んでなる。   The steam preferably comprises any one of water, an organic solvent, and a mixture thereof.

さらに、前記ターゲット材は、油分の存在下で切削加工が行なわれた、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材であることが望ましい。   Furthermore, the target material is preferably a metal target material or an alloy target material that has been cut in the presence of oil.

本発明のスパッタリングターゲット材は、その表面に付着していた油分が可能な限り除去されて、油膜の厚みが減らされている。したがって、該スパッタリングターゲット材を備えたスパッタリングターゲットによれば、スパッタリング時のアーキングの発生をより一層効果的に低減でき、その結果として、スプラッシュの発生を抑制し、成膜の歩留まりを飛躍的に向上させることができる。   As for the sputtering target material of this invention, the oil component adhering to the surface is removed as much as possible, and the thickness of the oil film is reduced. Therefore, according to the sputtering target equipped with the sputtering target material, the occurrence of arcing during sputtering can be further effectively reduced, and as a result, the occurrence of splash is suppressed and the yield of film formation is dramatically improved. Can be made.

また、本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法によれば、油分が付着していたターゲット材であっても、該油分を可能な限り除去し、清浄なスパッタリングターゲット材を得ることができる。しかも、油分を除去するための洗浄処理は、ターゲット材表面にスチームを短時間接触させるだけでよく、大掛かりな設備が不要であることから、低コストかつ高い生産効率で高品質のスパッタリングターゲット材が製造できる。   Moreover, according to the manufacturing method of the sputtering target material of this invention, even if it is the target material to which oil content adhered, this oil content can be removed as much as possible and a clean sputtering target material can be obtained. Moreover, the cleaning process for removing the oil only needs to bring the steam into contact with the surface of the target material for a short time, and no large-scale equipment is required. Therefore, a high-quality sputtering target material can be produced at low cost and high production efficiency. Can be manufactured.

また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法によれば、油分の存在下で切削加工が行なわれたターゲット材を備えたスパッタリングターゲットであっても、該ターゲット材の表面に付着していた油分を可能な限り除去できるため、アーキングの発生をより低減し得る、優れたスパッタリングターゲットを提供できる。しかも、油分を除去するための洗浄処理は、ターゲット材表面にスチームを短時間接触させるだけでよく、大掛かりな設備が不要であることから、低コストかつ高い生産効率で高品質のスパッタリングターゲットが製造できる。   Further, according to the sputtering target manufacturing method of the present invention, even if the sputtering target includes a target material that has been cut in the presence of oil, the oil that has adhered to the surface of the target material can be obtained. Since it can remove as much as possible, the outstanding sputtering target which can reduce generation | occurrence | production of arcing can be provided. In addition, the cleaning process to remove the oil only needs to bring the steam into contact with the surface of the target material for a short period of time, and no large-scale equipment is required, so a high-quality sputtering target can be produced at low cost and high production efficiency. it can.

図1は、ターゲット材に付着していた油膜の厚みとアーキング発生回数との関係を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing the relationship between the thickness of the oil film adhering to the target material and the number of arcing occurrences.

以下、本発明について具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described.

まずは本発明のスパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲットについて述べ、次に本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法およびスパッタリングターゲットの製造方法について述べる。   First, the sputtering target material and the sputtering target of the present invention will be described, and then the manufacturing method of the sputtering target material and the manufacturing method of the sputtering target of the present invention will be described.

<スパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲット>
本発明のスパッタリングターゲット材は、油分の存在下で切削加工が行なわれたスパッタリングターゲット材であって、スパッタリング前のターゲット材表面に付着している油膜の厚みが1.5nm以下であることを特徴としている。
<Sputtering target material and sputtering target>
The sputtering target material of the present invention is a sputtering target material that has been cut in the presence of oil, and the thickness of the oil film adhering to the surface of the target material before sputtering is 1.5 nm or less. It is said.

本発明者らの知見によれば、フライスや旋盤などといった、油分の存在下で行なわれる切削加工が施されたターゲット材の表面には、有機溶剤による拭き取り処理を経てもなお、微量に油分が残存しており、該油分が厚み3.5〜4.5nm程度の油膜を形成し付着している。   According to the knowledge of the present inventors, the surface of the target material that has been cut in the presence of oil, such as a milling machine or a lathe, has a small amount of oil even after wiping with an organic solvent. It remains, and the oil component forms and adheres to an oil film having a thickness of about 3.5 to 4.5 nm.

この油分を可能な限り除去し、油膜の厚みを薄くすればする程、アーキングの発生回数を低減できるが、その厚みを0nmとすることは事実上難しく、スプラッシュの抑制の観点からは、油膜の厚みは通常1.5nm以下、好ましくは1.0nm以下であればよい。また、油膜の厚みの下限値はとくに限定されないが、0nmを超える。   As the oil content is removed as much as possible and the thickness of the oil film is reduced, the number of occurrences of arcing can be reduced. However, it is practically difficult to reduce the thickness to 0 nm. From the viewpoint of suppressing splash, The thickness is usually 1.5 nm or less, preferably 1.0 nm or less. Moreover, the lower limit of the thickness of the oil film is not particularly limited, but exceeds 0 nm.

なお、本発明において油膜の厚みとはグロー放電発光分析(GDS)装置を用いて測定されたカーボンの検出ピーク位置(極大値)を意味する。   In the present invention, the thickness of the oil film means a detection peak position (maximum value) of carbon measured using a glow discharge emission analysis (GDS) apparatus.

油膜が形成される箇所のうち、とくに問題となるのは、実際にスパッタリングされる、ターゲット材のスパッタ面であり、このスパッタ面の油膜の厚みを上記数値以下に低減させることが望ましい。   Of the portions where the oil film is formed, the problem is particularly the sputtering surface of the target material that is actually sputtered, and it is desirable to reduce the thickness of the oil film on the sputtering surface to the above value or less.

油分の存在下で行なわれる切削加工が施されたターゲット材としては、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材が挙げられる。これらのターゲット材は、一般にフライスや旋盤などで切削加工されるため、その表面には油分が残存し、油膜が形成されている。   Examples of the target material subjected to cutting performed in the presence of oil include a metal target material or an alloy target material. Since these target materials are generally cut by a milling machine or a lathe, oil remains on the surface and an oil film is formed.

金属ターゲット材としては、具体的には、たとえば、Mo、Al、Ti、Ta、Cr、W、Ni、Cu、Ag、Au、Pt、Fe、Co、Mgなどが挙げられる。また合金ターゲット材としては、具体的には、たとえば、Al-Mg、Al-Ti、Ni-Fe、Ni-Cr、Fe-Co、Fe-Ta、Co-Cr、Co-Cr-Pt、Co-Zr、Co-Pt、Pt-Mn、Ir-Mn、Ti-Wなどが挙げられる。これらのうちでも、Alターゲット材は、融点が低く、比較的、スプラッシュが生じやすいため、本発明の効果が顕著に現れる。   Specific examples of the metal target material include Mo, Al, Ti, Ta, Cr, W, Ni, Cu, Ag, Au, Pt, Fe, Co, and Mg. Specific examples of the alloy target material include Al—Mg, Al—Ti, Ni—Fe, Ni—Cr, Fe—Co, Fe—Ta, Co—Cr, Co—Cr—Pt, and Co—. Zr, Co—Pt, Pt—Mn, Ir—Mn, Ti—W, and the like can be given. Among these, since the Al target material has a low melting point and is relatively easy to cause splash, the effect of the present invention is remarkably exhibited.

また、本発明のスパッタリングターゲットは、上記ターゲット材に加えて、冷却板であるバッキングプレートを備えており、さらに必要に応じてボンディング材層を備えていてもよい。   Moreover, the sputtering target of this invention is provided with the backing plate which is a cooling plate in addition to the said target material, and may be further provided with the bonding material layer as needed.

バッキングプレートは、通常スパッタリングターゲットのバッキングプレートとして用いられるものであればよいが、熱伝導性が良好である点からは、銅製や銅合金製のバッキングプレートが挙げられる。またその形状も公知のものでよく、とくに限定されない。   Although the backing plate should just be normally used as a backing plate of a sputtering target, from the point with favorable heat conductivity, the backing plate made from copper or a copper alloy is mentioned. Moreover, the shape may be a known one and is not particularly limited.

ボンディング材は、ターゲット材とバッキングプレートとの組合せに応じて、公知のボンディング材から適宜選択して、必要に応じて使用できる。ボンディング材としては、具体的には、In半田とよばれるボンディング材、たとえば、In-Sn、In-Pb、In-Ag、In-ZnなどのIn系合金、Inが挙げられる。これらのうちでは、ハンドリングの良さからInが広く用いられており、好ましく挙げられる。   The bonding material can be appropriately selected from known bonding materials according to the combination of the target material and the backing plate, and can be used as necessary. Specific examples of the bonding material include a bonding material called In solder, for example, In-based alloys such as In—Sn, In—Pb, In—Ag, and In—Zn, and In. Among these, In is widely used because of good handling, and is preferably mentioned.

なお、上記スパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲットは、以下の特定の洗浄工程を有する、スパッタリングターゲット材の製造方法およびスパッタリングターゲットの製造方法で好適に製造できる。
<スパッタリングターゲット材の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法>
本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法およびスパッタリングターゲットの製造方法は、ターゲット材の表面にスチームを接触させて、該ターゲット材表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴としている。この洗浄工程以外の工程は、公知のスパッタリングターゲット材あるいはスパッタリングターゲットの製造方法および製造条件と同じ工程によればよく、とくに制限されない。
In addition, the said sputtering target material and sputtering target can be suitably manufactured with the manufacturing method of a sputtering target material and the manufacturing method of a sputtering target which have the following specific cleaning processes.
<Manufacturing method of sputtering target material, manufacturing method of sputtering target>
The method for producing a sputtering target material and the method for producing a sputtering target according to the present invention are characterized by having a cleaning step of cleaning the surface of the target material by bringing steam into contact with the surface of the target material. Steps other than this cleaning step may be the same steps as known sputtering target materials or sputtering target manufacturing methods and manufacturing conditions, and are not particularly limited.

具体的には、たとえば、ターゲット材は、原料を大気溶解あるいは真空溶解後、鋳造し、塑性加工した後、機械研削する真空溶解法;原料粉末をHP法(ホットプレス法)、HIP(ホットアイソスタティックプレス)法もしくはCIP(コールドアイソスタティックプレス)法などにより成形後、焼結、塑性加工する粉末冶金法;その他、原料を溶融し、スプレーフォーミングでプリフォームを作った後、塑性加工し、機械研削する方法などにより、製造することができる。   Specifically, for example, the target material is a vacuum melting method in which the raw material is melted in the atmosphere or vacuum melted, cast, plastic processed, and then mechanically ground; the raw material powder is HP (hot press method), HIP (hot isolator) Powder metallurgy method in which molding is performed by static pressing (CIP) method or CIP (cold isostatic pressing) method, followed by sintering and plastic processing; other materials are melted, preforms are formed by spray forming, and then plastic processing is performed. It can be manufactured by a grinding method or the like.

本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法およびスパッタリングターゲットの製造方法では、これら公知の方法で製造された種々のターゲット材を、上記洗浄工程で洗浄する。   In the method for producing a sputtering target material and the method for producing a sputtering target of the present invention, various target materials produced by these known methods are washed in the washing step.

より具体的には、上記ターゲット材としては、ITO(Indium−Tin Oxide)などの金
属酸化物ターゲット材、金属ターゲット材または合金ターゲット材などが挙げられる。なお、金属ターゲット材、合金ターゲット材の具体的な例は既に述べたとおりである。
More specifically, examples of the target material include metal oxide target materials such as ITO (Indium-Tin Oxide), metal target materials, and alloy target materials. Specific examples of the metal target material and the alloy target material are as described above.

これらのターゲット材のうち、油分の存在下で切削加工が行なわれたターゲット材であると、本発明の効果がより明確に発揮されて好ましい。この観点からは、一般に油分の存在下で切削加工が行なわれることの多い、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材が好ましく挙げられる。さらに金属ターゲット材のうちでも、Alターゲット材は、融点が低く、比較的、スプラッシュが生じやすいため、本発明の効果が顕著に発揮されやすく、本発明を適用するのに好適である。   Among these target materials, a target material that has been cut in the presence of oil is preferable because the effects of the present invention are more clearly exhibited. From this viewpoint, a metal target material or an alloy target material, which is generally often cut in the presence of oil, is preferably mentioned. Further, among the metal target materials, the Al target material has a low melting point and is relatively easily splashed. Therefore, the effect of the present invention is easily exhibited and is suitable for applying the present invention.

本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法およびスパッタリングターゲットの製造方法では、その洗浄工程において、これらいずれかの種類のターゲット材の表面にスチームを接触させることで、該ターゲット材表面を洗浄する。したがって、本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法およびスパッタリングターゲットの製造方法には、既存のターゲット材あるいはスパッタリングターゲットの洗浄方法としての側面もある。   In the sputtering target material manufacturing method and the sputtering target manufacturing method of the present invention, the target material surface is cleaned by bringing steam into contact with the surface of any one of these types of target materials in the cleaning step. Therefore, the method for producing a sputtering target material and the method for producing a sputtering target of the present invention also have an aspect as a cleaning method for an existing target material or sputtering target.

上記洗浄工程に使用されるスチームは、公知の方法により発生させればよく、その方法はとくに限定されない。たとえば、タンク内にスチームの原料となる液体を充填し、加圧、常圧または減圧のいずれかの状態で、常法により加熱することによって、スチームを発生させる方法などが挙げられる。スチームの原料となる液体には、スチームの状態でターゲット材に接触させた後、ターゲット材から速やかに除去できることに加えて、取り扱いの容易さを備えていることが望まれ、その観点から、水、有機溶剤、およびこれらの混合物のいずれかを含んでなることが好ましい。これらのうち、それ自体が油分を溶解でき、油分の除去効率の向上が期待できる点からは有機溶剤を含んでいるものがより好ましく、安全性や取り扱いの容易さを考慮すると、有機溶剤と水との混合溶液が更に好ましく、水溶性の有機溶剤と水との混合溶液がとくに好ましい。   The steam used in the washing step may be generated by a known method, and the method is not particularly limited. For example, a method of generating steam by filling a tank as a raw material for steam and heating it in a pressurized, normal pressure or reduced pressure state by a conventional method may be used. It is desirable that the liquid used as the raw material for steam should be easy to handle in addition to being able to be quickly removed from the target material after being brought into contact with the target material in the state of steam. , An organic solvent, and a mixture thereof. Of these, those containing an organic solvent are more preferable in that they can dissolve the oil and can be expected to improve the removal efficiency of the oil. Considering safety and ease of handling, the organic solvent and the water are preferable. Is more preferable, and a mixed solution of a water-soluble organic solvent and water is particularly preferable.

水としては、蒸留水、イオン交換水、精製水などの精製工程を経た水が好ましい。有機溶剤としては、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコールなどの炭素数2〜5の低級アルコール、アセトン、酢酸エチルなどの水溶性の有機溶剤;トルエン、ヘキサン、石油ベンジン、エチレングリコールなどの非水溶性の有機溶剤;が挙げられる。   The water is preferably water that has undergone a purification process such as distilled water, ion-exchanged water, or purified water. Examples of the organic solvent include water-soluble organic solvents such as ethanol, propyl alcohol, isopropyl alcohol and the like having 2 to 5 carbon atoms, acetone and ethyl acetate; water-insoluble solvents such as toluene, hexane, petroleum benzine and ethylene glycol. An organic solvent.

有機溶剤と水との混合比率は、使用する有機溶剤によっても異なるが、爆発下限界以下の混合溶液とする。たとえば、有機溶剤としてエタノールを用いる場合には、通常は1〜4.3vol%の水溶液とするとよい。   The mixing ratio of the organic solvent and water varies depending on the organic solvent used, but it is a mixed solution below the lower explosion limit. For example, when ethanol is used as the organic solvent, the aqueous solution is usually 1 to 4.3 vol%.

発生させたスチームをターゲット材表面に噴射する際の圧力はとくに限定されず、被洗浄物であるターゲット材表面との距離との兼ね合いで、以下のスチーム温度を達成できる公知の手段を適宜採用すればよい。   The pressure at which the generated steam is sprayed onto the surface of the target material is not particularly limited, and known means that can achieve the following steam temperature is appropriately employed in consideration of the distance to the surface of the target material that is the object to be cleaned. That's fine.

被洗浄物であるターゲット材表面に到達する際のスチームの温度は、通常は室温(25℃)以上であればよいが、油分を加熱してその除去効果を高め、油膜の厚みをより低減して、アーキングの発生を有効に抑制する観点からは、40℃以上が好ましく、60℃以上がより好ましく、70℃以上が更に好ましい。被洗浄物であるターゲット材表面に到達する際のスチーム温度の上限はとくに限定されず、油分の除去効率を考えると高温の方がよい。ただし、油分の除去効率とコストとの兼ね合いを考慮すると、通常は90℃以下でよい。なお、このスチームの到達温度は、予め、スチーム噴射口から所定の距離ごとの地点に到達するスチームの温度を温度計で測定して求める。   The temperature of the steam when reaching the surface of the target material to be cleaned is usually room temperature (25 ° C.) or higher, but the oil is heated to increase its removal effect and reduce the thickness of the oil film. From the viewpoint of effectively suppressing the occurrence of arcing, 40 ° C. or higher is preferable, 60 ° C. or higher is more preferable, and 70 ° C. or higher is even more preferable. The upper limit of the steam temperature when reaching the surface of the target material that is the object to be cleaned is not particularly limited, and higher temperature is better considering oil removal efficiency. However, considering the balance between the oil removal efficiency and the cost, the temperature is usually 90 ° C. or lower. The temperature reached by the steam is obtained in advance by measuring the temperature of the steam that reaches a point at a predetermined distance from the steam injection port with a thermometer.

被洗浄物であるターゲット材の表面と、スチームの噴射口との距離は、とくに限定されず、上記のスチーム温度を達成し得る距離でよいが、通常は、20mm〜200mm程度である。   The distance between the surface of the target material to be cleaned and the steam injection port is not particularly limited, and may be a distance at which the above steam temperature can be achieved, but is usually about 20 mm to 200 mm.

さらに、本発明では、上記温度のスチームを、上記ターゲット材の表面100mm×100mmあたりに通常は3秒間以上、好ましくは6秒間以上、継続的に接触させることが好ましい。スチームを接触させつづける時間にとくに上限はないが、油分の除去効率と作業効率とのバランスを考慮すると、通常は60秒間以下で充分である。   Furthermore, in the present invention, it is preferable that the steam having the above temperature is continuously contacted with the surface of the target material of 100 mm × 100 mm for usually 3 seconds or more, preferably 6 seconds or more. Although there is no particular upper limit to the time for which the steam is kept in contact, 60 seconds or less is usually sufficient in consideration of the balance between the oil removal efficiency and the work efficiency.

また、上記洗浄工程の後には、乾燥工程を設け、スチームが冷却されて凝縮した液滴をターゲット材表面から積極的に除去することが生産効率の観点から好ましい。乾燥工程における乾燥手段およびその条件は、公知の手段および条件によればよく、とくに限定されない。たとえば、圧縮したエアーを室温あるいは加温して、洗浄工程を経たターゲット材に吹きつけるエアーブロー、乾燥機の使用などが好ましく挙げられる。   Moreover, it is preferable from a viewpoint of production efficiency to provide a drying process after the said washing | cleaning process, and to positively remove the droplet which the steam cooled and condensed from the target material surface. The drying means and its conditions in the drying step may be known means and conditions, and are not particularly limited. For example, it is preferable to use compressed air, which is heated at room temperature or heated, and blown onto the target material that has undergone the cleaning process, use of a dryer, or the like.

なお、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法においては、上記洗浄工程(乾燥工程を設ける場合には洗浄工程と乾燥工程)は、ターゲット材をバッキングプレートと接合する前後のいずれの時点で行なっても良い。このうち、洗浄工程を、接合後に行なった場合には、ターゲット材とバッキングプレートとの接合工程で、洗浄したターゲット材表面に新たな油分や塵などが付着するのを防止できて好ましい。   In the method for producing a sputtering target of the present invention, the above-described cleaning step (in the case where a drying step is provided, the cleaning step and the drying step) may be performed at any time before and after the target material is joined to the backing plate. . Among these, when the cleaning process is performed after joining, it is preferable that new oil or dust can be prevented from adhering to the surface of the cleaned target material in the joining process of the target material and the backing plate.

ターゲット材とバッキングプレートとの接合方法についても公知の方法を適宜採用することができる。バッキングプレートは、通常スパッタリングターゲットのバッキングプレートとして用いられるものであればよく、熱伝導性が良好である点からは、銅製や銅合金製のバッキングプレートが挙げられる。またその形状も公知のものでよく、とくに限定されない。   As a method for joining the target material and the backing plate, a known method can be appropriately employed. The backing plate is not particularly limited as long as it is normally used as a backing plate for a sputtering target. From the viewpoint of good thermal conductivity, a backing plate made of copper or copper alloy can be used. Moreover, the shape may be a known one and is not particularly limited.

ターゲット材とバッキングプレートとの接合は、特に限定されないが、コストや生産性の点からは、In半田などのボンディング材を介して接合する方法が好ましく挙げられる。具体的には、切削加工前または切削加工後のターゲット材を、In半田の融点以上の温度に加熱し、該温度を保持した状態で、該ターゲット材のバッキングプレートと接合する面に溶融したIn半田を塗布し、バッキングプレートと貼り合せ、加圧しながら放冷して室温まで冷却するなどの方法により接合できる。   The bonding between the target material and the backing plate is not particularly limited, but a method of bonding via a bonding material such as In solder is preferable from the viewpoint of cost and productivity. Specifically, the target material before cutting or after cutting is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of In solder, and the In material melted on the surface of the target material to be bonded to the backing plate is maintained. Solder can be applied, bonded to a backing plate, allowed to cool while being pressurized, and then cooled to room temperature.

以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further more concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples.

[実施例1〜7]
フライス加工が行なわれたAlターゲット材(5N(99.999%)、590×730×8tmm、Alターゲット;住友化学株式会社製)をφ152.4mm×8mmの大きさに切断した後、そのスパッタ面に切削油を塗布した。スチーム発生噴射装置(東芝スチーム洗浄機JQ-25;日本電産シバウラ株式会社製)にイオン交換水を供給して、スチームを発生させ、該装置に付属品のガン(スチームホース2mm一体型)とノズルヘッドを装着して、発生したスチームを該ノズルヘッドから上記Alターゲット材のスパッタ面に表1に記載の条件で噴射し、洗浄を行なった。
[Examples 1-7]
After the milled Al target material (5N (99.999%), 590 × 730 × 8 tmm, Al target; manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was cut into a size of φ152.4 mm × 8 mm, the sputter surface Cutting oil was applied to the surface. Ion-exchanged water is supplied to a steam generating and spraying device (Toshiba Steam Washing Machine JQ-25; manufactured by Nidec Shibaura Co., Ltd.) to generate steam, and a gun (steam hose 2 mm integrated type) attached to the device A nozzle head was mounted, and the generated steam was sprayed from the nozzle head onto the sputtering surface of the Al target material under the conditions shown in Table 1 for cleaning.

その後、エアーガン(3kgf/cm2)を用いて20cmの距離からターゲット材にエアーを吹き付け、ターゲット材表面の液滴を除去した。ついで、該ターゲット材を80℃で4時間乾燥した。Thereafter, air was blown onto the target material from a distance of 20 cm using an air gun (3 kgf / cm 2 ) to remove droplets on the surface of the target material. Next, the target material was dried at 80 ° C. for 4 hours.

乾燥後の上記Alターゲット材のスパッタ面に残存している油膜の厚みを、グロー放電発光分析(GDS)装置(JY-5000RF;堀場製作所製)を用いて測定した。   The thickness of the oil film remaining on the sputtering surface of the Al target material after drying was measured using a glow discharge emission analysis (GDS) apparatus (JY-5000RF; manufactured by Horiba, Ltd.).

また、GDSに使用したのとは別のAlターゲット材を上記と同じ方法および条件で準備し、このAlターゲット材を、In半田を介して銅製バッキングプレートと接合し、スパッタリングターゲットを作製した。   Further, an Al target material different from that used for GDS was prepared by the same method and conditions as described above, and this Al target material was joined to a copper backing plate via In solder to produce a sputtering target.

このスパッタリングターゲットを用いて、以下のスパッタリング条件でスパッタリングを行ない、μアーキングモニター(ランドマークテクノロジー社製)を使用して、アーク検出電圧100V、大中アークエネルギー境界50mJ、中小アークエネルギー境界10mJの条件で、スパッタリング開始から30分間のアーキングの発生回数を評価した。   Using this sputtering target, sputtering is performed under the following sputtering conditions, and using a μ arcing monitor (manufactured by Landmark Technology), conditions of arc detection voltage 100V, large / medium arc energy boundary 50 mJ, medium / small arc energy boundary 10 mJ Then, the number of occurrences of arcing for 30 minutes from the start of sputtering was evaluated.

これらの結果を表1にまとめて示す。   These results are summarized in Table 1.

<スパッタリング条件>
装置;DCマグネトロンスパッタ装置、排気系;クライオポンプ、ロータリーポンプ
到達真空度;4×10-4Pa
スパッタ圧力;0.5Pa、
投入電力;2kW
[実施例8〜9]
スチーム発生噴射装置に3vol%エタノール水溶液を供給し、発生したスチームを表1に示した条件でターゲット材のスパッタ面に噴射した他は、実施例1〜7と同様に行ない、同様に評価した。
<Sputtering conditions>
Equipment: DC magnetron sputtering equipment, exhaust system; cryopump, rotary pump Ultimate vacuum: 4 × 10 −4 Pa
Sputtering pressure: 0.5 Pa,
Input power: 2kW
[Examples 8 to 9]
Evaluations were similarly made in the same manner as in Examples 1 to 7 except that a 3 vol% aqueous ethanol solution was supplied to the steam generating and jetting apparatus and the generated steam was jetted onto the sputtering surface of the target material under the conditions shown in Table 1.

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

[参考例1〜2]
表1に示した条件でターゲット材のスパッタ面にスチームを噴射した他は実施例1〜7と同様に洗浄を行ない、同様に評価した。
[Reference Examples 1-2]
Cleaning was performed in the same manner as in Examples 1 to 7 except that steam was sprayed onto the sputtering surface of the target material under the conditions shown in Table 1, and evaluation was performed in the same manner.

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

[比較例1]
Alターゲット材のスパッタ面に切削油を塗布した後、スチームを噴射せず、トルエンを用いてターゲット材を拭き取ったほかは実施例1〜7と同様に行ない、同様に評価した。
[Comparative Example 1]
After applying cutting oil to the sputtering surface of the Al target material, steam was not sprayed, but the target material was wiped off using toluene, and the same evaluation was performed as in Examples 1 to 7.

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

[比較例2]
Alターゲット材のスパッタ面に切削油を塗布した後、スチームを噴射せず、30MPaの圧力で15℃のイオン交換水をターゲット材のスパッタ面に60秒間噴射したほかは実施例1〜7と同様に行ない、同様に評価した。
[Comparative Example 2]
After applying cutting oil to the sputtering surface of the Al target material, steam was not sprayed, but the same as in Examples 1-7, except that 15 ° C. ion-exchanged water was sprayed onto the sputtering surface of the target material for 60 seconds at a pressure of 30 MPa. And evaluated in the same manner.

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

[比較例3]
Alターゲット材のスパッタ面に切削油を塗布した後、スチームを噴射せず、30MPaの圧力で15℃のイオン交換水を50mmの距離からターゲット材のスパッタ面に噴射したほかは実施例1〜7と同様に行ない、同様に評価した。
[Comparative Example 3]
After applying cutting oil to the sputtering surface of the Al target material, steam was not sprayed, but 15 ° C. ion exchange water was sprayed from a distance of 50 mm onto the sputtering surface of the target material at a pressure of 30 MPa. And the same evaluation was made.

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

[比較例4]
Alターゲット材のスパッタ面に切削油を塗布した後、スチームを噴射せず、ターゲット材を、イオン交換水を用いた超音波洗浄機(UT-205S;シャープ社製、最大出力200W)で、出力レベルを80%に設定し、35kHzで30分間、超音波洗浄処理したほかは実施例1〜7と同様に行ない、同様に評価した。
[Comparative Example 4]
After applying cutting oil to the sputter surface of the Al target material, steam is not sprayed, and the target material is output with an ultrasonic cleaner (UT-205S; manufactured by Sharp Corporation, maximum output 200 W) using ion-exchanged water. The level was set at 80%, and ultrasonic cleaning treatment was carried out at 35 kHz for 30 minutes.

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

[比較例5]
Alターゲット材のスパッタ面に切削油を塗布した後、スチームを噴射せず、ターゲット材を、99.5vol%エタノール水溶液を用いた超音波洗浄機(UT-205S;シャープ社製、最大出力200W)で、出力レベルを80%に設定し、35kHzで10分間、超音波洗浄処理したほかは実施例1〜7と同様に行ない、同様に評価した。
[Comparative Example 5]
After applying cutting oil to the sputter surface of the Al target material, steam was not sprayed, and the target material was an ultrasonic cleaner using a 99.5 vol% ethanol aqueous solution (UT-205S; manufactured by Sharp Corporation, maximum output 200 W). Then, except that the output level was set to 80% and ultrasonic cleaning was performed at 35 kHz for 10 minutes, the same evaluation was performed as in Examples 1-7.

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

[比較例6]
Alターゲット材のスパッタ面に切削油を塗布した後、スチームを噴射せず、ターゲット材を、99.5vol%エタノール水溶液を用いた超音波洗浄機(UT-205S;シャープ社製、最大出力200W)で、出力レベルを80%に設定し、35kHzで5分間、超音波洗浄処理したほかは実施例1〜7と同様に行ない、同様に評価した。
[Comparative Example 6]
After applying cutting oil to the sputter surface of the Al target material, steam was not sprayed, and the target material was an ultrasonic cleaner using a 99.5 vol% ethanol aqueous solution (UT-205S; manufactured by Sharp Corporation, maximum output 200 W). Then, except that the output level was set to 80% and ultrasonic cleaning was performed at 35 kHz for 5 minutes, the same evaluation was performed as in Examples 1-7.

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

Figure 2007091351
Figure 2007091351

表1より、ターゲット材にスチームを噴射して洗浄した場合には、いずれも比較例1のトルエン拭き取り洗浄と比較して、油分の除去効果が高いことがわかる。また、実施例1〜9より、スチームの到達温度が40℃以上であると、さらにスチームに有機溶剤が含まれていると、油分の除去効果がより一層高まり、それによってアーキング発生の抑制効果も格段に高まることがわかる。   It can be seen from Table 1 that when the target material is cleaned by spraying steam, the oil removal effect is high as compared with the toluene wiping cleaning of Comparative Example 1. In addition, from Examples 1 to 9, when the ultimate temperature of the steam is 40 ° C. or higher, and when the organic solvent is contained in the steam, the oil removal effect is further enhanced, thereby suppressing the occurrence of arcing. It turns out that it increases markedly.

一方、比較例2のイオン交換水を用いた流水洗浄および比較例3の高圧水洗浄では、60秒間処理を行なっているにもかかわらず、油分の除去効果が低く、アーキングを効果的に抑制できていないことが分かる。   On the other hand, in running water cleaning using ion-exchanged water in Comparative Example 2 and high-pressure water cleaning in Comparative Example 3, the oil removal effect is low and arcing can be effectively suppressed despite the treatment for 60 seconds. I understand that it is not.

また比較例4〜6の超音波洗浄では、油分の除去効果およびアーキング発生の抑制効果が認められるものの、スチーム洗浄と比較すると処理時間が5〜10分間と長く、生産効率が劣る。さらに、超音波処理をするにはターゲット材を浸漬する浴が必要であり、大型のターゲット材を洗浄するのは困難であり、また有機溶剤を使用する場合には浴に多量の有機溶剤を供給する必要があるため、安全上および環境上の観点から好ましくない。これに対し、スチーム洗浄はターゲット材表面に短時間、スチームを接触させればよく、生産効率に優れる上に、有機溶剤を使用する場合であっても、少量でよいという利点がある。   Moreover, in the ultrasonic cleaning of Comparative Examples 4-6, although the oil removal effect and the suppression effect of arcing are recognized, compared with steam cleaning, processing time is long as 5-10 minutes, and production efficiency is inferior. Furthermore, a bath in which the target material is immersed is necessary for ultrasonic treatment, and it is difficult to clean a large target material. When using an organic solvent, a large amount of organic solvent is supplied to the bath. This is not preferable from the viewpoint of safety and environment. On the other hand, the steam cleaning has an advantage that the surface of the target material may be brought into contact with the steam for a short time, and the production efficiency is excellent, and even when an organic solvent is used, a small amount is required.

なお、表1に示したデータに基づき、ターゲット材に付着していた油膜の厚さとアーキング発生回数とを両軸にとってその関係を調べたところ、図1に示すように両者の間には明確な相関が認められた。   Based on the data shown in Table 1, the relationship between the thickness of the oil film adhering to the target material and the number of occurrences of arcing was examined for both axes. As shown in FIG. Correlation was observed.

Claims (13)

油分の存在下で切削加工が行なわれたスパッタリングターゲット材であって、スパッタリング前の該ターゲット材表面に付着している油膜の厚みが1.5nm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材。   A sputtering target material that has been cut in the presence of oil, wherein the thickness of an oil film adhering to the surface of the target material before sputtering is 1.5 nm or less. 前記ターゲット材が、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。   The sputtering target material according to claim 1, wherein the target material is a metal target material or an alloy target material. 請求項1または2に記載のスパッタリングターゲット材とバッキングプレートとを備えてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。   A sputtering target comprising the sputtering target material according to claim 1 or 2 and a backing plate. ターゲット材の表面にスチームを接触させて、該ターゲット材表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方法。   A method for producing a sputtering target material, comprising: a step of cleaning the surface of the target material by bringing steam into contact with the surface of the target material. 前記洗浄工程が、前記ターゲット材の表面100mm×100mmあたりに3秒間以上、40℃以上の温度のスチームを接触させて該ターゲット材表面を洗浄する工程であることを特徴とする請求項4に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。   5. The cleaning step is a step of cleaning the surface of the target material by bringing steam at a temperature of 40 ° C. or more into contact with the surface of the target material 100 mm × 100 mm for 3 seconds or more for 5 seconds or more. Manufacturing method of sputtering target material. 前記スチームが、水、有機溶剤、およびこれらの混合物のいずれかを含んでなることを特徴とする請求項4または5に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。   The method for producing a sputtering target material according to claim 4, wherein the steam comprises any one of water, an organic solvent, and a mixture thereof. 前記ターゲット材が、油分の存在下で切削加工が行なわれた、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材であることを特徴とする請求項4または5に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。   6. The method of manufacturing a sputtering target material according to claim 4, wherein the target material is a metal target material or an alloy target material that has been cut in the presence of oil. 前記ターゲット材が、油分の存在下で切削加工が行なわれた、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材であることを特徴とする請求項6に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。   The method for producing a sputtering target material according to claim 6, wherein the target material is a metal target material or an alloy target material that has been cut in the presence of oil. ターゲット材の表面にスチームを接触させて、該ターゲット材表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。   A method for producing a sputtering target, comprising: a step of cleaning the surface of the target material by bringing steam into contact with the surface of the target material. 前記洗浄工程が、前記ターゲット材の表面100mm×100mmあたりに3秒間以上、40℃以上の温度のスチームを接触させて該ターゲット材表面を洗浄する工程であることを特徴とする請求項9に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。   10. The process according to claim 9, wherein the cleaning step is a step of cleaning the surface of the target material by contacting steam at a temperature of 40 ° C. or more for 3 seconds or more per 100 mm × 100 mm of the surface of the target material. A method for manufacturing a sputtering target. 前記スチームが、水、有機溶剤、およびこれらの混合物のいずれかを含んでなることを特徴とする請求項9または10に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。   The method for producing a sputtering target according to claim 9 or 10, wherein the steam comprises any one of water, an organic solvent, and a mixture thereof. 前記ターゲット材が、油分の存在下で切削加工が行なわれた、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材であることを特徴とする請求項9または10に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。   The method of manufacturing a sputtering target according to claim 9 or 10, wherein the target material is a metal target material or an alloy target material that has been cut in the presence of oil. 前記ターゲット材が、油分の存在下で切削加工が行なわれた、金属ターゲット材あるいは合金ターゲット材であることを特徴とする請求項11に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。   The method of manufacturing a sputtering target according to claim 11, wherein the target material is a metal target material or an alloy target material that has been cut in the presence of oil.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5611886B2 (en) * 2011-04-19 2014-10-22 Jx日鉱日石金属株式会社 Laminated structure and manufacturing method thereof
CN104694887A (en) * 2013-12-09 2015-06-10 财团法人金属工业研究发展中心 Coating equipment
JP5902333B1 (en) * 2015-02-27 2016-04-13 Jx金属株式会社 Sputtering target and manufacturing method thereof
CN107761064A (en) * 2016-08-15 2018-03-06 合肥江丰电子材料有限公司 The processing method of copper target material
CN110885963B (en) * 2019-10-09 2022-03-04 安泰天龙钨钼科技有限公司 Tungsten-nickel alloy target material and preparation method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6462463A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Seiko Epson Corp Method for cleaning sputtering target
JPH06256984A (en) * 1993-12-21 1994-09-13 Mitsubishi Kasei Corp Washing device for object stained with oil
JP4270971B2 (en) * 2003-07-24 2009-06-03 三井金属鉱業株式会社 Manufacturing method of sputtering target
JP4213611B2 (en) * 2004-03-18 2009-01-21 日鉱金属株式会社 ITO sputtering target

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