JPWO2005031930A1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
6 半導体レーザ
7 フォトダイオード
20,30,40,50 半導体レーザ装置
21 パッケージ
31 前段光路
32 分岐光路
33 後段光路
41 分岐部
61 双方向性光結合器
62 ループ光路
FBG1〜FBGn ファイバブラッググレーティング(光帰還部)
L1〜Ln,Lα 光学距離
本発明に係る半導体レーザモジュールの構成例を図1に示す。半導体レーザモジュール20には、パッケージ21、光ファイバ5、半導体レーザ6およびフォトダイオード7等が収納されている。パッケージ21の外部には、光帰還部となるFBG1およびFBG2が形成されている。
つぎに、本発明の実施の形態2について説明する。上述した実施の形態1では、1本の光ファイバ5上にFBG1〜FBGnである複数の光帰還部を直列に設けるようにしていたが、この実施の形態2では、少なくともFBG2〜FBGnを並列接続するようにしている。
つぎに、本発明の実施の形態3について説明する。この実施の形態3では、実施の形態2に示した構成に、直交偏波合成部を設け、偏光度が低減された光として出力できるようにしている。
つぎに、本発明の実施の形態4について説明する。上述した実施の形態1〜3では、いずれも複数のFBG1〜nを設け、各FBG1〜nの光学距離を各FBG1〜nの光ファイバの配置位置によって得るようにしていたが、この実施の形態4では、1つのFBGのみによって複数の光学距離を得るようにしている。
Claims (22)
- 出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、
前記出力光の光路上において前記前端面からの光学距離がL1の位置に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還する第1の光帰還部と、
前記出力光の光路上において前記前端面からの光学距離がLi(i=2,3,…,n;Li>L1)の位置に配置され、前記第1の光帰還部の反射中心波長と略同一の反射中心波長を有し、前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還する(n−1)個(n≧2)の第iの光帰還部と、
を備えた半導体レーザ装置であって、
光学距離比Li/L1は、
M−1<Li/L1≦M
を満たす自然数M(M≧2)に対して
(M−1)+0.01<Li/L1<M−0.01
の関係を満たすことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記光学距離比Li/L1は、
(M−1)+0.027<Li/L1<M−0.027
の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記光学距離比Li/L1は、4.01以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザから出射された前記出力光が入射され伝搬する前記光路を含む光ファイバをさらに備え、前記第1および第i(i=2,3,…,n)の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記出力光の波長は、1480nm帯であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記光路は、前記半導体レーザから出射された前記出力光が入射する前段光路と、該前段光路が分岐してなるm個(m≧2)の第j(j=1,2,…,m)の分岐光路を備え、
前記第1および第i(i=2,3,…,n)の光帰還部は、前記前段光路または前記第j(j=1,2,…,m)の分岐光路のいずれかの光路上に配設されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、
前記出力光の光路上において前記前端面からの光学距離がL1の位置に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還する第1の光帰還部と、
前記出力光の光路上において前記前端面からの光学距離がLi(i=2,3,…,n;Li>L1)の位置に配置され、前記第1の光帰還部の反射中心波長と略同一の反射中心波長を有し、前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還する(n−1)個(n≧2)の第iの光帰還部と、
を備えた半導体レーザ装置であって、
光学距離比Li/L1は、
p+q≦5かつp>qを満たすように選択された互いに素な自然数p,qの組み合わせすべてについて、次の不等式のいずれかを満たすことを特徴とする半導体レーザ装置。
Li/L1<p/q−0.01
Li/L1>p/q+0.01 - 前記光学距離比Li/L1は、
すべての自然数Nに対して、p+q≦Nかつp>qを満たすように選択された互いに素な自然数p,qの組み合わせすべてについて、次の不等式のいずれかを満たすことを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ装置。
Li/L1<p/q−0.01
Li/L1>p/q+0.01 - 前記光学距離比Li/L1は、4.01以上であることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザから出射された前記出力光が入射され伝搬する前記光路を含む光ファイバをさらに備え、前記第1および第i(i=2,3,…,n)の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ装置。
- 前記出力光の波長は、1480nm帯であることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ装置。
- 前記光路は、前記半導体レーザから出射された前記出力光が入射する前段光路と、該前段光路が分岐してなるm個(m≧2)の第j(j=1,2,…,m)の分岐光路を備え、
前記第1および第i(i=2,3,…,n)の光帰還部は、前記前段光路または前記第j(j=1,2,…,m)の分岐光路のいずれかの光路上に配設されることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ装置。 - 出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、
前記出力光の光路上において前記前端面からの光学距離がL1の位置に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還する第1の光帰還部と、
前記出力光の光路上において前記前端面からの光学距離がLi(i=2,3,…,n;Li>L1)の位置に配置され、前記第1の光帰還部の反射中心波長と略同一の反射中心波長を有し、前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還する(n−1)個(n≧2)の第iの光帰還部と、
を備えた半導体レーザ装置であって、
前記光路は、前記半導体レーザから出射された前記出力光が入射する前段光路と、該前段光路が分岐してなるm個(m≧2)の第j(j=1,2,…,m)の分岐光路を備え、
前記第1および第i(i=2,3,…,n)の光帰還部は、前記前段光路または前記第j(j=1,2,…,m)の分岐光路のいずれかの光路上に配設されることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 光学距離比Li/L1は、
M−1<Li/L1≦M
を満たす自然数M(M≧2)に対して
(M−1)+0.01<Li/L1<M−0.01
の関係を満たすことを特徴とする請求項13に記載の半導体レーザ装置。 - 光学距離比Li/L1は、
p+q≦5かつp>qを満たすように選択された互いに素な自然数p,qの組み合わせすべてについて、次の不等式のいずれかを満たすことを特徴とする請求項13に記載の半導体レーザ装置。
Li/L1<p/q−0.01
Li/L1>p/q+0.01 - 前記光学距離比Li/L1は、4.01以上であることを特徴とする請求項13記載の半導体レーザ装置。
- 前記m個の第jの分岐光路を伝搬する光を直交偏波合成出力する後段光路をさらに備えたことを特徴とする請求項13に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザから出射された前記出力光が入射され伝搬する前記光路を含む光ファイバをさらに備え、前記第1および第i(i=2,3,…,n)の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項13に記載の半導体レーザ装置。
- 前記出力光の波長は、1480nm帯であることを特徴とする請求項13に記載の半導体レーザ装置。
- 出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、
前記出力光の光路上において前記前端面からの光学距離がL1の位置に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還する第1の光帰還部と、
前記出力光の光路上において前記前端面からの光学距離がLi(i=2,3,…,n;Li>L1)の位置に配置され、前記第1の光帰還部の反射中心波長と略同一の反射中心波長を有し、前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還する(n−1)個(n≧2)の第iの光帰還部と、
を備えた半導体レーザ装置であって、
光学距離比Li/L1は、4.01以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、
前記半導体レーザから出射された前記出力光が入射され伝搬する前段光ファイバと、
所定の分岐比を有し、前記前段光ファイバの終端が入力端の一つに接続された双方向性光結合器と、
前記双方向性光結合器の出力端の一つに接続された出力光ファイバと、
前記出力光ファイバに形成され、所定の反射中心波長を有するファイバグレーティングと、
を備えた半導体レーザ装置であって、
前記双方向性光結合器の入力端の他の一つと、出力端の他の一つとが光学的に連結されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 半導体レーザから出射されるレーザ光の光路に、波長選択された前記レーザ光を前記半導体レーザに帰還する光帰還部を設け、
前記光帰還部の光学的上流の一点において前記光路を伝搬する光を分岐し、前記一点よりも光学的上流において前記光路に合流するループ光路を設けることを特徴とする半導体レーザの出力光安定化方法。
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