JPS6448921U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6448921U JPS6448921U JP14395587U JP14395587U JPS6448921U JP S6448921 U JPS6448921 U JP S6448921U JP 14395587 U JP14395587 U JP 14395587U JP 14395587 U JP14395587 U JP 14395587U JP S6448921 U JPS6448921 U JP S6448921U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- drain
- source
- whose
- impedance
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
第１図は本考案に係るＧａＡｓＦＥＴ回路の一
実施例を示す構成図、第２図は本考案の他の実施
例を示す構成図、第３図および第４図はＦＥＴの
特性を示す特性曲線図、第５図は従来のＧａＡｓ
ＦＥＴ回路の構成を示す構成図、第６図はその等
価回路である。 ３……信号源、１０……第１のＦＥＴ、１１…
…第２のＦＥＴ、１２……電圧源、１３……第３
のＦＥＴ、１４〜１９……ＦＥＴ、ＶＤ……正電
源、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３……ドレイン、Ｇ１，Ｇ２
，Ｇ３……ゲート、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３……ソース
。
実施例を示す構成図、第２図は本考案の他の実施
例を示す構成図、第３図および第４図はＦＥＴの
特性を示す特性曲線図、第５図は従来のＧａＡｓ
ＦＥＴ回路の構成を示す構成図、第６図はその等
価回路である。 ３……信号源、１０……第１のＦＥＴ、１１…
…第２のＦＥＴ、１２……電圧源、１３……第３
のＦＥＴ、１４〜１９……ＦＥＴ、ＶＤ……正電
源、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３……ドレイン、Ｇ１，Ｇ２
，Ｇ３……ゲート、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３……ソース
。
Claims (1)
- そのゲートに入力が印加されそのソースが交流
的に低インピーダンスで共通電位点に接続された
第１のＦＥＴと、この第１のＦＥＴのドレインに
そのソースが接続されそのゲートが交流的に低イ
ンピーダンスで共通電位点に接続された第２のＦ
ＥＴと、この第２のＦＥＴのドレインにそのソー
スが接続された第３のＦＥＴとを有し、この第３
のＦＥＴのソースと前記第２のＦＥＴのドレイン
の接続点から出力を取り出すことを特徴とするＧ
ａＡｓＦＥＴ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14395587U JPS6448921U (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14395587U JPS6448921U (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6448921U true JPS6448921U (ja) | 1989-03-27 |
Family
ID=31411239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14395587U Pending JPS6448921U (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6448921U (ja) |
-
1987
- 1987-09-21 JP JP14395587U patent/JPS6448921U/ja active Pending