JPS6410111B2 - - Google Patents
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- JPS6410111B2 JPS6410111B2 JP18747182A JP18747182A JPS6410111B2 JP S6410111 B2 JPS6410111 B2 JP S6410111B2 JP 18747182 A JP18747182 A JP 18747182A JP 18747182 A JP18747182 A JP 18747182A JP S6410111 B2 JPS6410111 B2 JP S6410111B2
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体圧力センサのダイヤフラム製
造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method for manufacturing a diaphragm for a semiconductor pressure sensor.
従来より圧力変換器に用いられる半導体圧力セ
ンサは、第１図に示すように、円板状のシリコン
単結晶基板１の一方の主面にSi3N4層２を円環状
に被着させるとともに、他方の主面に拡散抵抗層
４を拡散形成したのち、円環状の円周部分のみを
残し、Si3N4層２が欠除している中央部のみをフ
ツ硝酸からなるエツチング液でエツチング加工し
て凹部５を形成することにより得られたダイヤフ
ラム６を用いている。
As shown in FIG. 1, a semiconductor pressure sensor conventionally used in a pressure transducer is made by depositing a Si 3 N 4 layer 2 in an annular shape on one main surface of a disk-shaped silicon single crystal substrate 1. After forming a diffusion resistance layer 4 on the other main surface, only the annular circumferential portion is left, and only the central portion where the Si 3 N 4 layer 2 is missing is etched with an etching solution made of hydrofluoric nitric acid. A diaphragm 6 obtained by processing to form a recess 5 is used.
しかるに、上記エツチング液による凹部５のエ
ツチング加工には、以下の問題点があつた。 However, the etching process of the recess 5 using the above-mentioned etching solution had the following problems.
(イ) エツチング加工による場合、Si3N4層とシリ
コン単結晶基板とのエツチング速度との差を用
いて凹部を形成するので、凹部５の除去深さは
300μm程度が限度である。(b) In the case of etching, the recess is formed using the difference in etching speed between the Si 3 N 4 layer and the silicon single crystal substrate, so the removal depth of the recess 5 is
The limit is about 300μm.
(ロ) エツチング加工による場合、深さのばらつき
が大きいのみならず、凹部５の内壁面と底面と
の交差部分が丸みを帯びてしまい、圧力センサ
の特性が低下する。(b) When etching is used, not only is there a large variation in depth, but also the intersection between the inner wall surface and the bottom surface of the recess 5 becomes rounded, degrading the characteristics of the pressure sensor.
(ハ) 上記(イ)の理由により、凹部５を深く加工でき
ないので、ダイヤフラム６に台座をガラスなど
で接着したときに発生する熱歪により拡散抵抗
層が影響を受け、圧力センサの特性低下や歩留
低下を惹起する。(c) Due to the reason in (a) above, it is not possible to deeply machine the recess 5, so the diffusion resistance layer is affected by the thermal strain that occurs when the pedestal is bonded to the diaphragm 6 with glass, etc., and the characteristics of the pressure sensor may deteriorate. This causes a decrease in yield.
(ニ) 圧力測定は、ダイヤフラム６の両面にかかる
圧力P1，P2の差圧を拡散抵抗層４の歪変化に
より電気量に変換することにより行つている。(d) Pressure measurement is performed by converting the differential pressure between pressures P 1 and P 2 applied to both sides of the diaphragm 6 into an electrical quantity by changing the strain of the diffusion resistance layer 4.
ところで本来、半導体圧力センサからは、差圧
（P1−P2）に直線的に比例した電圧を有する信号
が出力されるのが理想的であるが、実際には、差
圧（P1−P2）と出力電圧とには完全な直線的比
例関係はなく非直線的となる。このような半導体
圧力センサの感度の非直線性△ｌは、差圧の正負
により対称的となるのが好ましいが、ダイヤフラ
ム６が平坦な場合には、上記感度の非直線性△ｌ
は、第２図の曲線７のように非対称的となる。こ
れは、差圧（P1−P2）が正のときと、負のとき
とで、ダイヤフラム６のたわみ量がわずかに異な
ることにより生じる。このような感度の非直線性
△ｌの差圧の正負による非対称性は、低圧測定及
びダイヤフラムが逆方向に変形する圧力測定の際
の測定精度低下の一因となるので、対称となるよ
うにせねばならない。そこで、従来においては、
エツチング加工によりダイヤフラム６の中央部に
ふくらみを形成することにより上記問題を解決し
ていた。ところが、エツチング加工では上記ふく
らみを十分な加工精度と再現性をもつて形成する
ことは困難であり、信頼性の高いダイヤフラムを
得ることができなかつた。 By the way, it is ideal for a semiconductor pressure sensor to output a signal having a voltage linearly proportional to the differential pressure (P 1 - P 2 ), but in reality, the voltage difference is linearly proportional to the differential pressure (P 1 - P 2 ). P 2 ) and the output voltage do not have a perfectly linear proportional relationship, but are nonlinear. It is preferable that the sensitivity non-linearity Δl of such a semiconductor pressure sensor is symmetrical depending on the sign of the differential pressure, but if the diaphragm 6 is flat, the sensitivity non-linearity Δl
becomes asymmetrical as shown by curve 7 in FIG. This occurs because the amount of deflection of the diaphragm 6 is slightly different when the differential pressure ( P1 - P2 ) is positive and when it is negative. Such asymmetry due to the positive and negative differential pressure of sensitivity nonlinearity △l causes a decrease in measurement accuracy during low pressure measurements and pressure measurements where the diaphragm deforms in opposite directions, so it is necessary to make it symmetrical. Must be. Therefore, conventionally,
The above problem was solved by forming a bulge in the center of the diaphragm 6 by etching. However, in the etching process, it is difficult to form the above-mentioned bulge with sufficient processing accuracy and reproducibility, and a highly reliable diaphragm cannot be obtained.
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので
半導体圧力センサ用のダイヤフラム形成のための
加工を高精度かつ高能率で行うとともに、差圧の
正負において非直線性が対称となる高性能かつ高
信頼性の半導体圧力センサを得ることのできるダ
イヤフラム製造方法を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and not only performs processing for forming a diaphragm for a semiconductor pressure sensor with high precision and high efficiency, but also provides high performance and It is an object of the present invention to provide a diaphragm manufacturing method that allows a highly reliable semiconductor pressure sensor to be obtained.
シリコン単結晶基板に対して研削砥石を遊星運
動させる際、上記研削砥石の自転軸を公転軸に対
してわずかに傾かせて研削加工し、ダイヤフラム
の中央部に周辺部に対してふくらみを有するよう
に凹部を形成したのち、この凹部内面のみをエツ
チング加工するようにしたものである。
When the grinding wheel is made to make planetary motion with respect to the silicon single crystal substrate, the rotation axis of the grinding wheel is slightly tilted with respect to the revolution axis, and the grinding process is performed so that the central part of the diaphragm has a bulge relative to the peripheral part. After a recess is formed in the recess, only the inner surface of the recess is etched.
以下、本発明を図面を参照して、実施例に基づ
いて詳述する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples with reference to the drawings.
第３図は、本実施例において用いられる研削装
置の要部を示すもので、第４図に示すカツプ形砥
石８は、自転用スピンドル９に同軸に固定されて
いる。上記自転用スピンドル９は、偏心軸受１０
により軸支されている。この偏心軸受１０は、介
挿体１１を介して円柱状の支持体１２に取付けら
れている。この支持体１２の外周面には、図示せ
ぬ環装体が装着され、高圧空気源から供給された
高圧空気を偏心軸受１０内に設けられているエ
ア・タービン機構に導入して、自転用スピンドル
９を高速回転させるようになつている。さらに、
支持体１２は図示せぬ軸受に軸支された公転用ス
ピンドル１３に同軸に固定されている。この公転
用スピンドル１３は、図示せぬ電動機により回転
駆動されるようになつている。上記自転用スピン
ドル９の軸線１４は、公転用スピンドル１３の軸
線１５に対して角度θ（好ましくは、0.05〜0.3
度）傾斜するようになつている。すなわち、軸線
１４の一端は軸線１４のカツプ形砥石８側の交点
１６において交差し、他端は支持体１２の下端面
上において、軸線１５からe0だけ偏心した位置と
交差するようになつている。したがつて、軸線１
４は公転用スピンドル１３の回転にともない交点
１６を頂点とする円錐を形成するようになつてい
る。なお、図示せぬが、本実施例の研削装置に
は、円板状のシリコン・ウエハである被加工物１
７を、この被加工物１７の主面が公転用スピンド
ル１３の軸線１５と直交するように、保持固定す
る保持装置が設けられている。また、カツプ形砥
石８は、図示せぬ送りテーブルにより公転用スピ
ンドル１３の軸線１５に沿つて昇降されるように
なつている。このカツプ形砥石８は、第４図に示
すように、先端部中央には凹部１８が設けられて
いて、先端周縁部は、円環状の研削作用面１９と
なつている。そして、この研削作用面１９の外径
r1は、研削加工面１９上における自転用スピンド
ル９の軸線１４の公転用スピンドル１３の軸線１
５に対する偏心量ｅよりも大きく、研削作用面１
９の内径r2は、偏心量ｅよりも小さく設定され、
研削中に研削作用面１９を軸心１５が通るように
設定されている（第３図参照）。 FIG. 3 shows the main parts of the grinding device used in this embodiment, and the cup-shaped grindstone 8 shown in FIG. 4 is coaxially fixed to a rotating spindle 9. The rotation spindle 9 has an eccentric bearing 10
It is pivoted by. This eccentric bearing 10 is attached to a cylindrical support 12 via an insert 11. An annular body (not shown) is attached to the outer peripheral surface of the support 12, and high pressure air supplied from a high pressure air source is introduced into the air turbine mechanism provided in the eccentric bearing 10 for rotation. The spindle 9 is designed to rotate at high speed. moreover,
The support body 12 is coaxially fixed to a revolution spindle 13 which is supported by a bearing (not shown). This revolution spindle 13 is rotatably driven by an electric motor (not shown). The axis 14 of the rotation spindle 9 is at an angle θ (preferably 0.05 to 0.3
degree) has become inclined. That is, one end of the axis 14 intersects at the intersection 16 of the axis 14 on the cup-shaped grindstone 8 side, and the other end intersects at a position eccentric from the axis 15 by e 0 on the lower end surface of the support 12. There is. Therefore, axis 1
4 forms a cone with the intersection point 16 as the apex as the revolution spindle 13 rotates. Although not shown, the grinding apparatus of this embodiment has a workpiece 1 which is a disk-shaped silicon wafer.
A holding device is provided for holding and fixing the workpiece 7 so that the main surface of the workpiece 17 is perpendicular to the axis 15 of the revolution spindle 13. Further, the cup-shaped grindstone 8 is moved up and down along the axis 15 of the revolution spindle 13 by a feed table (not shown). As shown in FIG. 4, this cup-shaped grindstone 8 is provided with a recess 18 at the center of its tip, and has an annular grinding surface 19 at its periphery. The outer diameter of this grinding surface 19 is
r 1 is the axis 1 of the revolution spindle 13 between the axis 14 of the rotation spindle 9 on the grinding surface 19
Greater than the eccentricity e with respect to 5, the grinding surface 1
The inner diameter r 2 of 9 is set smaller than the eccentricity e,
The shaft center 15 is set so as to pass through the grinding surface 19 during grinding (see FIG. 3).
つぎに、本実施例のダイヤフラム製造方法につ
いて述べると、まず、例えば厚み１mm、直径22mm
の円板状のシリコン単結晶基板である被加工物１
７の一方の主面に拡散抵抗層２０を拡散形成する
とともに、被加工物１７の他方の主面に、Si3N4
層２１を形成する。しかして、上記構成の研削装
置を用いて、まず、被加工物１７を保持装置に固
定し、公転用スピンドル１３を電動機により１〜
50r・ｐ・ｍで回転駆動させるとともに、自転用
スピンドル９をエア・タービン機構により20000
〜100000r・ｐ・ｍで高速回転させ、送りテーブ
ルを矢印２２方向に下降させて、カツプ形砥石８
を被加工物１７に向つて切込ませる。すると、カ
ツプ形砥石８は、第６図のように、矢印２３方向
に自転運動しながら、矢印２４方向に公転運動す
る。その結果、例えば深さ875μm、直径17mmの丸
穴２５が形成される。また、カツプ形砥石８の研
削作用面１９は、つねに丸穴２５の中心２６を通
過するので、第７図に示すような中央部分に△Ｈ
（５〜30μm）及び底部周縁から中央部にかけての
傾斜角θが0.05〜0.3度の円錐状のふくらみを有
し厚みが中心部で例えば125μmのダイヤフラム２
７が形成される。しかして、第８図に示すよう
に、被加工物２７の下底面、外周面、上端面にホ
トレジスト、ワツクス等をマスク２８として被着
させ、例えばフツ硝酸からなるエツチング液によ
り丸穴２５の内面をエツチング加工する。そし
て、２〜5μm／分の加工速度で徐々に50μm程度
加工しダイヤフラム２７を±1μmの公差範囲内
で、中央部が例えば75μmになるように仕上げる。
しかして、第９図に示すように、被加工物１７の
丸穴２５側の上端面に、ガラス接着により、中央
部に貫通孔である受圧孔２９が形成された円柱状
の台座３０を接着する。このように、本実施例
は、ダイヤフラム２７が中央部にふくらみを有し
ているので、差圧（P1−P2）が正のときと、負
のときとで、たわみが等しくなり、第２図の曲線
３１のように、感度の非直線性△ｌが対称とな
る。本実施例のような研削加工によるダイヤフラ
ム２７へのふくらみ形成は、従来のエツチング加
工による方法に比べて、加工精度が高く、再現性
がすぐれている。さらに、本実施例は、研削加工
により高速で丸穴２５を形成するとともに、引き
続いて５〜50μmの範囲でエツチング加工を行う
ことにより、研削加工により生じた丸穴２５内壁
面の破砕層を除去できる。また、丸穴２５の底部
と側壁との交差部分に丸みが生じることなく、ダ
イヤフラム２７の厚みを全域にわたつて所定寸法
になるように制御することができるようになる。
さらに、丸穴２５を研削加工により形成している
ので、ダイヤフラム２７の側壁を高くすることが
できるので、台座３０をガラス接着した際の熱歪
の影響を回避することができる。 Next, to describe the method for manufacturing the diaphragm of this example, first, for example, the thickness is 1 mm and the diameter is 22 mm.
Workpiece 1 is a disk-shaped silicon single crystal substrate of
A diffusion resistance layer 20 is diffused and formed on one main surface of the workpiece 17, and a Si 3 N 4 film is formed on the other main surface of the workpiece 17.
Form layer 21. Using the grinding device having the above configuration, first, the workpiece 17 is fixed to the holding device, and the revolution spindle 13 is moved from 1 to 1 by an electric motor.
In addition to rotating at 50 r/p/m, the rotating spindle 9 is rotated at 20,000 rpm using an air turbine mechanism.
Rotate at a high speed of ~100,000 r/p/m, lower the feed table in the direction of arrow 22, and press the cup-shaped grindstone 8.
is cut toward the workpiece 17. Then, the cup-shaped grindstone 8 rotates in the direction of arrow 23 and revolves in the direction of arrow 24, as shown in FIG. As a result, a round hole 25 having a depth of 875 μm and a diameter of 17 mm is formed, for example. Moreover, since the grinding surface 19 of the cup-shaped grindstone 8 always passes through the center 26 of the round hole 25, the center part △
(5 to 30 μm) and a conical bulge with an inclination angle θ of 0.05 to 0.3 degrees from the bottom periphery to the center, and a thickness of, for example, 125 μm at the center 2.
7 is formed. As shown in FIG. 8, photoresist, wax, or the like is applied as a mask 28 to the lower bottom surface, outer peripheral surface, and upper end surface of the workpiece 27, and the inner surface of the round hole 25 is etched using an etching solution made of, for example, difluoric nitric acid. Etching process. Then, the diaphragm 27 is gradually machined to a depth of about 50 μm at a processing speed of 2 to 5 μm/min, and the diaphragm 27 is finished to a thickness of, for example, 75 μm at the center within a tolerance range of ±1 μm.
As shown in FIG. 9, a cylindrical pedestal 30 with a pressure receiving hole 29, which is a through hole, formed in the center is bonded to the upper end surface of the workpiece 17 on the side of the round hole 25 by glass bonding. do. In this way, in this embodiment, since the diaphragm 27 has a bulge in the center, the deflection is the same when the differential pressure (P 1 - P 2 ) is positive and when it is negative. As shown by the curve 31 in FIG. 2, the sensitivity nonlinearity Δl is symmetrical. Forming the bulge in the diaphragm 27 by grinding as in this embodiment has higher processing precision and better reproducibility than the conventional etching method. Furthermore, in this embodiment, the round hole 25 is formed at high speed by grinding, and the fractured layer on the inner wall surface of the round hole 25 caused by the grinding is removed by subsequently etching in the range of 5 to 50 μm. can. Moreover, the thickness of the diaphragm 27 can be controlled to a predetermined dimension over the entire area without causing roundness at the intersection between the bottom of the round hole 25 and the side wall.
Further, since the round hole 25 is formed by grinding, the side wall of the diaphragm 27 can be made high, so that the influence of thermal distortion when the pedestal 30 is bonded to glass can be avoided.
なお、上記実施例においては、仕上げ加工を化
学的エツチング加工により行つているが、これに
限ることなく、イオンエツチング、プラズマエツ
チング等のドライエツチングにより行つてもよ
い。この場合、化学的エツチングよりも加工精度
が向上し、加工工程が簡略になるという格別の効
果を奏する。 In the above embodiment, the finishing process is performed by chemical etching, but the finishing process is not limited to this, and dry etching such as ion etching or plasma etching may be used. In this case, the processing accuracy is improved and the processing process is simplified compared to chemical etching, which is a special effect.
本発明のダイヤフラム製造方法は、ふくらみを
有するダイヤフラムの形成を研削加工とエツチン
グとを組合わせて行うようにしたので、以下に記
す顕著な効果を奏する。
The method for manufacturing a diaphragm of the present invention uses a combination of grinding and etching to form a diaphragm having a bulge, so that the following remarkable effects can be achieved.
(イ) 研削加工により丸穴の形成及び丸穴底部であ
るダイヤフラムのふくらみを高能率で形成して
いるので、各種用途に応じた各種寸法のダイヤ
フラムを大量生産することが可能となり、本発
明によるダイヤフラムを用いた圧力センサの価
格低減に大幅に寄与する。(a) Since the grinding process forms the round hole and the bulge of the diaphragm, which is the bottom of the round hole, with high efficiency, it is possible to mass produce diaphragms of various sizes according to various uses. This greatly contributes to reducing the price of pressure sensors using diaphragms.
(ロ) 従来のエツチング加工のみによる丸穴形成に
比べて、ダイヤフラムの側壁の高さを高くする
ことができ、ダイヤフラムに台座をガラス接着
した際の熱歪の拡散抵抗層への影響を防止する
ことができる。(b) Compared to conventional round hole formation using only etching processing, the height of the side wall of the diaphragm can be increased, and the effect of thermal strain on the diffusion resistance layer when the pedestal is bonded to the diaphragm with glass can be prevented. be able to.
(ハ) 研削加工により丸穴を形成するので、丸穴の
底部と側壁との交差部分に丸みが生じることが
なく、かつダイヤフラムにふくらみを所定寸法
に高度の再現性をもつて形成することができ
る。(c) Since the round hole is formed by grinding, there is no rounding at the intersection of the bottom of the round hole and the side wall, and it is possible to form a bulge in the diaphragm to a predetermined size with a high degree of reproducibility. can.
(ニ) エツチング加工を研削加工に引続いて行うこ
とにより、丸穴内壁面に生じている研削加工に
よる破砕層を除去して、ダイヤフラムの仕上げ
加工を高精度で行うことができる。(d) By performing the etching process subsequent to the grinding process, it is possible to remove the fractured layer caused by the grinding process that has formed on the inner wall surface of the round hole, and to perform the finishing process of the diaphragm with high precision.
(ホ) 上記(ロ)，(ハ)，(ニ)の諸効果が相俟つて、ダイ
ヤ
フラムの歩留が高くなるとともに、本発明によ
るダイヤフラムを用いた圧力センサの性能及び
信頼性が著しく向上する。(e) The effects of (b), (c), and (d) above combine to increase the yield of diaphragms and significantly improve the performance and reliability of the pressure sensor using the diaphragm according to the present invention. .
第１図は従来のダイヤフラム製造方法を説明す
るための断面図、第２図は差圧と非直線性との関
係を示す図、第３図は本発明の一実施例のダイヤ
フラム製造に用いられる研削装置の要部説明図、
第４図は同じくカツプ形砥石の要部断面図、第５
図は本発明の一実施例における拡散抵抗層及びガ
ラス膜の形成を示す断面図、第６図は第４図のカ
ツプ形砥石の遊星運動を示す図、第７図は第３図
の研削装置により得られた被加工物の断面図、第
８図は第７図の被加工物に対するエツチング加工
の説明図、第９図はエツチング加工された被加工
物への受圧台の取付けを示す断面図である。
１７……被加工物（シリコン単結晶基板）、２
５……丸穴、２７……ダイヤフラム。
Figure 1 is a cross-sectional view for explaining a conventional diaphragm manufacturing method, Figure 2 is a diagram showing the relationship between differential pressure and nonlinearity, and Figure 3 is a diagram used to manufacture a diaphragm according to an embodiment of the present invention. An explanatory diagram of the main parts of the grinding device,
Figure 4 is also a sectional view of the main part of the cup-shaped grindstone, and Figure 5
The figure is a cross-sectional view showing the formation of the diffusion resistance layer and the glass film in one embodiment of the present invention, FIG. 6 is a diagram showing the planetary motion of the cup-shaped grindstone in FIG. 4, and FIG. 7 is the grinding apparatus shown in FIG. 3. FIG. 8 is an explanatory diagram of the etching process for the workpiece shown in FIG. 7, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing the attachment of the pressure receiving table to the etched workpiece. It is. 17... Workpiece (silicon single crystal substrate), 2
5...Round hole, 27...Diaphragm.
Claims (1)
て遊星運動させながら切込ますことにより丸穴を
形成しこの丸穴の底部にダイヤフラムを形成する
ダイヤフラム製造方法において、上記遊星運動す
る砥石の自転軸を公転軸に対して傾斜させて研削
加工することにより上記丸穴の底部に円錐状のふ
くらみを形成する研削工程と、上記ふくらみが形
成された丸穴の内面をエツチングにより仕上げ加
工する仕上げ工程とを具備することを特徴とする
ダイヤフラム製造方法。1. In a diaphragm manufacturing method in which a round hole is formed by cutting a silicon single crystal substrate with a cup-shaped grinding wheel while making a planetary movement, and a diaphragm is formed at the bottom of the round hole, the rotation axis of the grinding wheel making a planetary movement is a grinding process in which a conical bulge is formed at the bottom of the round hole by grinding it at an angle with respect to the revolution axis, and a finishing process in which the inner surface of the round hole in which the bulge is formed is finished by etching. A method for manufacturing a diaphragm, comprising:
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18747182A JPS5978578A (en) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | Manufacture of diaphragm |
| GB08327236A GB2130435B (en) | 1982-10-27 | 1983-10-12 | Semiconductor strain sensor and method for manufacturing the same |
| DE19833338384 DE3338384A1 (en) | 1982-10-27 | 1983-10-21 | SEMICONDUCTOR STRETCH SENSOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US06/820,598 US4622098A (en) | 1982-10-27 | 1986-01-21 | Method for manufacturing semiconductor strain sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18747182A JPS5978578A (en) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | Manufacture of diaphragm |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978578A JPS5978578A (en) | 1984-05-07 |
| JPS6410111B2 true JPS6410111B2 (en) | 1989-02-21 |
Family
ID=16206658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18747182A Granted JPS5978578A (en) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | Manufacture of diaphragm |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978578A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4758222B2 (en) * | 2005-12-21 | 2011-08-24 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method and apparatus |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP18747182A patent/JPS5978578A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5978578A (en) | 1984-05-07 |
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