JPS6395376A - 放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出装置Info
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- JPS6395376A JPS6395376A JP24175186A JP24175186A JPS6395376A JP S6395376 A JPS6395376 A JP S6395376A JP 24175186 A JP24175186 A JP 24175186A JP 24175186 A JP24175186 A JP 24175186A JP S6395376 A JPS6395376 A JP S6395376A
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- Japan
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- temperature
- inflection point
- circuit
- thermosensitive resistance
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 12
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は放射線検出器の周囲温度による出力変動の温度
補償に関するものである。
補償に関するものである。
[従来の技術]
放射線検出器において出力信号波高値が周囲温度によっ
て変化することは周知であり、その温度補償の方法とし
て様々な改良がなされてている。
て変化することは周知であり、その温度補償の方法とし
て様々な改良がなされてている。
例えば、もっとも一般的に用いられているNa1(TJ
りシンチレーション検出器に関して述べれば、温度変化
に対する出力変動の要因としてシンチレータ及び光電子
増倍管の温度特性と前置増幅器の時定数などがあげられ
、検出器の温度特性はそれらを組み合わせた第5図のA
、B、Cに代表される種々の温度特性となる。
りシンチレーション検出器に関して述べれば、温度変化
に対する出力変動の要因としてシンチレータ及び光電子
増倍管の温度特性と前置増幅器の時定数などがあげられ
、検出器の温度特性はそれらを組み合わせた第5図のA
、B、Cに代表される種々の温度特性となる。
Aのように正の温度特性と負の温度特性との切替点、す
なわち変曲点が通常の測定温度よりはずれた低温部に存
在する場合には、常温では負の温度特性のみが聞届とな
り、特開昭55−50179に示されるように負の特性
領域に対する温度補償だけが必要とされる。
なわち変曲点が通常の測定温度よりはずれた低温部に存
在する場合には、常温では負の温度特性のみが聞届とな
り、特開昭55−50179に示されるように負の特性
領域に対する温度補償だけが必要とされる。
すなわち、Na1(TJりシンチレーション検出器がA
のように負の特性のみが問題となる温度特性を示す場合
には、正の温度係数をもつ感温抵抗素子を帰還増幅器の
帰還回路中に挿入し、周囲温度が上昇すると帰還回路の
抵抗値が増加することにより変曲点の温度以上の領域に
おける出力を一定にしている。
のように負の特性のみが問題となる温度特性を示す場合
には、正の温度係数をもつ感温抵抗素子を帰還増幅器の
帰還回路中に挿入し、周囲温度が上昇すると帰還回路の
抵抗値が増加することにより変曲点の温度以上の領域に
おける出力を一定にしている。
同様に、負の温度係数を持つ感温抵抗素子を帰還増幅器
の入力インピーダンス回路中に挿入し、周囲温度が上昇
すると入力インピーダンス回路の抵抗値が減少すること
により出力を変曲点の温度以上の領域において一定にし
ている。
の入力インピーダンス回路中に挿入し、周囲温度が上昇
すると入力インピーダンス回路の抵抗値が減少すること
により出力を変曲点の温度以上の領域において一定にし
ている。
第5図のBやCのように正と負の両特性が問題となる場
合には、特開昭58−184565に示されるような変
曲点を含む正と負の両温度特性に′対する温度補償が必
要となる。
合には、特開昭58−184565に示されるような変
曲点を含む正と負の両温度特性に′対する温度補償が必
要となる。
すなわち、正の温度特性に対して温度補償をする回路と
、負の温度特性に対して温度補償をする回路とを、切替
信号発生回路を用いて変曲点の温度で切替えることで全
ての領域に亘っての温度補償をしている。
、負の温度特性に対して温度補償をする回路とを、切替
信号発生回路を用いて変曲点の温度で切替えることで全
ての領域に亘っての温度補償をしている。
[発明が解決しようとする問題点]
従来の問題点
帰還増幅器の帰還回路中に正の温度係数をもつ感温抵抗
素子を挿入し、あるいは帰還増幅器の入力インピーダン
ス回路中に負の温度係数をもつ感温抵抗素子を挿入する
という簡単な回路構成により、第5図のAのように負の
温度特性のみが問題となる場合の温度補償は可能である
。
素子を挿入し、あるいは帰還増幅器の入力インピーダン
ス回路中に負の温度係数をもつ感温抵抗素子を挿入する
という簡単な回路構成により、第5図のAのように負の
温度特性のみが問題となる場合の温度補償は可能である
。
しかし、Na I (Tjりシンチレーション検出器
においては、前述したように幾つかの要因の組み合わせ
によってBやCなどのように変曲点を含む正と負の両温
度特性が問題となる場合がある。
においては、前述したように幾つかの要因の組み合わせ
によってBやCなどのように変曲点を含む正と負の両温
度特性が問題となる場合がある。
従って、負の温度特性のみを対象とする温度補償では、
変曲点の温度以下の領域に対する温度補償が不可能であ
るため周囲温度が常に変曲点の温度以上になるように、
例えばヒータなどで加温するなどの対策が必要である。
変曲点の温度以下の領域に対する温度補償が不可能であ
るため周囲温度が常に変曲点の温度以上になるように、
例えばヒータなどで加温するなどの対策が必要である。
また、正と負の両温度特性に対する2つの補償回路を、
変曲点の温度で切替える方法によって全領域に回る温度
補償は可能となるが温度補償回路及び切替信号発生回路
などの複雑な回路を必要とする玉検出器の構成も複雑に
なる。
変曲点の温度で切替える方法によって全領域に回る温度
補償は可能となるが温度補償回路及び切替信号発生回路
などの複雑な回路を必要とする玉検出器の構成も複雑に
なる。
発明の目的
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、そ
の目的は簡単な回路構成により、全ての領域に亘って温
度補償の可能な放射線検出装置を提供することにある。
の目的は簡単な回路構成により、全ての領域に亘って温
度補償の可能な放射線検出装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段および作用]上記目的を
達成するために、本発明は、帰還増幅器を含む放射線検
出装置において、異なる温度係数をもち所定の温度で温
度特性が交差する2個の感温抵抗素子を帰還増幅器の帰
還回路と入力インピーダンス回路中にそれぞれ挿入する
ことにより、簡単な回路構成で出力信号の変曲点を含む
温度特性の温度補償を行うことを可能とするものである
。
達成するために、本発明は、帰還増幅器を含む放射線検
出装置において、異なる温度係数をもち所定の温度で温
度特性が交差する2個の感温抵抗素子を帰還増幅器の帰
還回路と入力インピーダンス回路中にそれぞれ挿入する
ことにより、簡単な回路構成で出力信号の変曲点を含む
温度特性の温度補償を行うことを可能とするものである
。
[実施例]
以下図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する。
本発明において特徴的なことは、簡単な回路構成により
、変曲点を含む正と負の両温度特性に対する温度補償を
可能にすることである。
、変曲点を含む正と負の両温度特性に対する温度補償を
可能にすることである。
第5図からも明らかなように、A、B、Cなどの温度特
性を示す検出器の出力波高値を一定とするには、変曲点
より離れるに従い増幅を大きくすることで可能となる。
性を示す検出器の出力波高値を一定とするには、変曲点
より離れるに従い増幅を大きくすることで可能となる。
第1図には本発明に係る回路の一構成例を示し、帰還増
幅器10の帰還回路中に感温抵抗素子RT 2を挿入す
ると共に、入力インピーダンス回路中に感温抵抗素子R
T rを挿入し、R1−R4は抵抗素子である。
幅器10の帰還回路中に感温抵抗素子RT 2を挿入す
ると共に、入力インピーダンス回路中に感温抵抗素子R
T rを挿入し、R1−R4は抵抗素子である。
第1図に示される回路の増幅度Gは
で示され、抵抗索子R1−R3−ooとすると、増幅度
Gは となる。
Gは となる。
上式から明らかなように、増幅度Gの増減は2つの感温
抵抗素子RT とRT2によって決定さ■ れ、変曲点以下の領域では増幅度Gが減少傾向となり、
変曲点以上の領域では増加傾向となる2つの感温抵抗素
子を組み合わせることによって増幅度Gの増減を調整す
ることができる。
抵抗素子RT とRT2によって決定さ■ れ、変曲点以下の領域では増幅度Gが減少傾向となり、
変曲点以上の領域では増加傾向となる2つの感温抵抗素
子を組み合わせることによって増幅度Gの増減を調整す
ることができる。
本発明において特徴的なことは、感温抵抗素子RT
とRT 2を変曲点の温度で交差する温度時。
とRT 2を変曲点の温度で交差する温度時。
■
性を示し異なる温度係数をもつ2個の素子とすることで
、変曲点を境とする増幅度Gの増減を可能とするもので
ある。
、変曲点を境とする増幅度Gの増減を可能とするもので
ある。
具体例で、更に本発明を説明すると、第2図の実線で示
される20℃に変曲点が存在する場合の温度補償におい
て、出力波高値を3Vの一定値にするには第3図のよう
な増幅が必要となる。
される20℃に変曲点が存在する場合の温度補償におい
て、出力波高値を3Vの一定値にするには第3図のよう
な増幅が必要となる。
第3図のように20°C以下では減少傾向を示し、20
℃以上では増加傾向を示す増幅度Gは第4図に示される
各々負の温度係数をもつ2個の感温抵抗素子RT と
RT 2及び抵抗素子Rt −Rs ””■ 囚、R−0Ω、R4−10にΩを第1図の回路中に挿入
することにより得られる。
℃以上では増加傾向を示す増幅度Gは第4図に示される
各々負の温度係数をもつ2個の感温抵抗素子RT と
RT 2及び抵抗素子Rt −Rs ””■ 囚、R−0Ω、R4−10にΩを第1図の回路中に挿入
することにより得られる。
2個のRT とRT 2は20℃で同一抵抗値10に
Ωを示し、第4図のように変曲点の温度20°Cで交差
する特性を示す負の温度係数をもつ素子である。
Ωを示し、第4図のように変曲点の温度20°Cで交差
する特性を示す負の温度係数をもつ素子である。
上記のような構成の回路とすることにより、検出器の出
力波高値は第2図の波線のように全ての領域に亘って温
度補償のされた一定の値3vとすることが可能である。
力波高値は第2図の波線のように全ての領域に亘って温
度補償のされた一定の値3vとすることが可能である。
実施例では便宜上Na I (Tf)シンチレーショ
ン検出器で説明したが、他の半導体検出器などの放射線
検出器にも本発明を適用することは可能である。
ン検出器で説明したが、他の半導体検出器などの放射線
検出器にも本発明を適用することは可能である。
従って、本発明によれば、帰還増幅器の帰還回路と人力
インピーダンス回路中に異なる温度係数をもつ2個の感
温抵抗素子を各々挿入する簡単な回路構成により、出力
信号の変曲点を含む温度特性の温度補償を行うことが可
能である。
インピーダンス回路中に異なる温度係数をもつ2個の感
温抵抗素子を各々挿入する簡単な回路構成により、出力
信号の変曲点を含む温度特性の温度補償を行うことが可
能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、簡単な回路構成
により、全領域に亘って温度補償の可能な放射線検出装
置が得られるので温度変化の大きな野外用の放射線検出
器、例えば野外モニタリングポストなどに有用である。
により、全領域に亘って温度補償の可能な放射線検出装
置が得られるので温度変化の大きな野外用の放射線検出
器、例えば野外モニタリングポストなどに有用である。
第1図〜第4図は本発明に係る実施例に関する図であり
、 第1図は実施例の回路図、 第2図は出力波高値の温度特性の説明図、第3図は温度
による増幅度の変化の説明図、第4図は感温抵抗素子の
温度特性の説明図、第5図は出力波高値の温度特性の説
明図である。 10 ・・・ 帰還増幅器 R1−R4・・・ 抵抗素子
、 第1図は実施例の回路図、 第2図は出力波高値の温度特性の説明図、第3図は温度
による増幅度の変化の説明図、第4図は感温抵抗素子の
温度特性の説明図、第5図は出力波高値の温度特性の説
明図である。 10 ・・・ 帰還増幅器 R1−R4・・・ 抵抗素子
Claims (1)
- (1)放射線検出器と検出器からの出力信号を増幅する
帰還増幅器を含む放射線検出装置において、異なる温度
係数をもち所定の温度で温度特性が交差する2個の感温
抵抗素子を、一方は帰還増幅器の帰還回路中に挿入し、
他方は帰還増幅器の入力インピーダンス回路中に挿入し
、両感温抵抗素子により周囲温度を検出し、出力信号の
変曲点を含む温度特性の温度補償を行うことを特徴とす
る放射線検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24175186A JPS6395376A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24175186A JPS6395376A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 放射線検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6395376A true JPS6395376A (ja) | 1988-04-26 |
JPH0518391B2 JPH0518391B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=17078991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24175186A Granted JPS6395376A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 放射線検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6395376A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004347368A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線モニタ |
JP2013015439A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線モニタ |
US9817136B2 (en) | 2014-06-09 | 2017-11-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Radiation monitoring device |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP24175186A patent/JPS6395376A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004347368A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線モニタ |
JP4540301B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2010-09-08 | 三菱電機株式会社 | 放射線モニタ |
JP2013015439A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線モニタ |
US9817136B2 (en) | 2014-06-09 | 2017-11-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Radiation monitoring device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0518391B2 (ja) | 1993-03-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |