JPS6394670A - Solid-state image sensing device and manufacture of the same - Google Patents
Solid-state image sensing device and manufacture of the sameInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 229920002189 poly(glycerol 1-O-monomethacrylate) polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 5
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 abstract description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract 1
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 11
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 10
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 10
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 10
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 10
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 10
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 230000000711 cancerogenic effect Effects 0.000 description 2
- 231100000357 carcinogen Toxicity 0.000 description 2
- 239000003183 carcinogenic agent Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 2
- WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound CC(=C)C(=O)C(C)=C WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- FLDALJIYKQCYHH-UHFFFAOYSA-N plutonium(IV) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[Pu+4] FLDALJIYKQCYHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
色彩画像を撮像する固体撮像素子とその製造方法との改
良である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] This is an improvement of a solid-state image sensor that captures color images and a method of manufacturing the same.
各色に対応する受光素子上に、その色の色素を含有する
PMMA −PGMA等の高分子化合物の膜を形成し、
この高分子化合物の膜をカラーフィルタとして機能させ
ることにした固体撮像素子と、固体撮像素子の各画素を
構成する受光素子のそれぞれの上にリフトオフ法、また
は、レジストのアッシングレートとPMMAのアッシン
グレートとの相違を利用するエツチング法を使用して色
素を含有するPMMA −PGMA等の高分子化合物の
膜を形成して固体撮像素子を製造する方法とである。Forming a film of a polymer compound such as PMMA-PGMA containing a pigment of that color on a light-receiving element corresponding to each color,
A solid-state image sensor in which this polymer compound film functions as a color filter and a light-receiving element constituting each pixel of the solid-state image sensor are coated using a lift-off method or a resist ashing rate and a PMMA ashing rate. This is a method of manufacturing a solid-state imaging device by forming a film of a polymer compound such as PMMA-PGMA containing a dye using an etching method that takes advantage of the difference between the two.
本発明は、色彩画像を撮像する固体撮像素子とその製造
方法との改良に関する。特に、固体撮像素子の解像度を
向上し、厚さを減少するとともに、固体撮像素子の製造
方法においては、毒性物質を使用する必要をなくし、製
造歩留りを向上する改良に関する。The present invention relates to improvements in a solid-state image sensor that captures color images and a method for manufacturing the same. In particular, the present invention relates to improvements that improve the resolution and reduce the thickness of solid-state imaging devices, eliminate the need to use toxic substances, and improve manufacturing yields in methods of manufacturing solid-state imaging devices.
(従来の技術〕
COD等を使用する固体撮像素子をもって色彩固体撮像
素子を実現するには、複数の受光素子をもって各画素を
構成しておき、その受光素子のそれぞれをもって、加色
混合方式または減色混合方式における三原色のそれぞれ
の画像を撮像することが必要である。(Prior art) In order to realize a color solid-state image sensor using a solid-state image sensor using COD or the like, each pixel is configured with a plurality of light-receiving elements, and each of the light-receiving elements is used in an additive color mixing method or a subtractive color mixing method. It is necessary to capture images of each of the three primary colors in the mixed method.
これを可能にするため、各画素の構成要素である複数の
受光素子のそれぞれにはカラーフィルタが設けられる必
要があるが、カラーフィルタ配置の例を、原色系と補色
系とについて、それぞれ、第1θ図と第11図とに図示
する0図において、Rは赤を、Gは緑を、Bは青を、Y
は黄を、Cはシアンを、Mはマジェンタを、それぞれ示
す。In order to make this possible, it is necessary to provide a color filter to each of the plurality of light-receiving elements that are the constituent elements of each pixel. In the 1θ diagram and the 0 diagram shown in Figure 11, R represents red, G represents green, B represents blue, and Y
indicates yellow, C indicates cyan, and M indicates magenta.
ところで、従来、上記のカラーフィルタはCCD等の上
に貼り付けられるガラスフィルタをもって構成される場
合と、COD等の上に直接形成される染色されたゼラチ
ン膜をもって構成される場合とがあり、本発明は後者の
改良である。後者すなわち、COD等の上に直接ゼラチ
ン膜を形成しこれを染色してカラーフィルタを形成する
従来技術に係る固体撮像素子の製造方法について説明す
る。By the way, conventionally, the above-mentioned color filters are composed of a glass filter pasted onto a CCD or the like, or a dyed gelatin film formed directly on a COD or the like. The invention is an improvement on the latter. The latter, that is, a method of manufacturing a solid-state imaging device according to the prior art in which a gelatin film is directly formed on a COD or the like and dyed to form a color filter will be described.
第12図参照
COD$1上にPSGS簿膜を形成し、分離層としての
PMMA膜またはPGMAl193を形成し、選択され
た受光素子上に重クロム酸カリウムとゼラチン感材との
膜4を形成し、紫外線露光し、その後現像により目的の
パターン形成されたゼラチン膜4を選択された色に染色
し、再び分離層としてのPMMA膜またはPGMA膜3
を形成し、他の選択された受光素子上に重クロム酸カリ
ウムとゼラチン感材との膜4を形成し、紫外線露光し、
その後現像により目的のパターン形成されたゼラチン膜
4を他の選択された色に染色し、さらに、分離層として
のPMMA膜またはPGMA I’?23を形成し、第
3の選択された受光素子上に重クロム酸カリウムとゼラ
チン感材との膜4を形成し、紫外線露光し、その後現像
により目的のパターン形成されたゼラチンllI24を
第3の選択された色に染色し、その上に保護膜としての
PMMA膜またはPGMA膜3を形成していた。この例
は原色系にもとづき示されているが、補色系でも可能で
ある。Refer to FIG. 12. A PSGS film is formed on COD$1, a PMMA film or PGMAl193 is formed as a separation layer, and a film 4 of potassium dichromate and gelatin sensitive material is formed on the selected light receiving element. , the gelatin film 4 with the desired pattern formed thereon is exposed to ultraviolet rays, and then developed to be dyed in a selected color, and the PMMA film or PGMA film 3 is again used as a separation layer.
A film 4 of potassium dichromate and gelatin sensitive material is formed on the other selected light-receiving elements, and exposed to ultraviolet light.
Thereafter, the desired patterned gelatin film 4 is dyed with another selected color by development, and then a PMMA film or PGMA I'? 23, a film 4 of potassium dichromate and gelatin sensitive material is formed on the third selected light-receiving element, exposed to ultraviolet rays, and then developed to form the desired pattern gelatin llI24 on the third selected light receiving element. It was dyed in a selected color, and a PMMA film or PGMA film 3 was formed thereon as a protective film. Although this example is shown based on primary color systems, complementary color systems are also possible.
この従来技術に係る色彩固体撮像素子においては、カラ
ーフィルタとしてゼラチン膜を使用しているため解像限
界が5〜6終麿と低く、また。In the color solid-state imaging device according to this prior art, since a gelatin film is used as a color filter, the resolution limit is as low as 5 to 6 degrees.
分離層が必要であるからカラーフィルタの膜厚が全体と
して厚くなり色彩固体撮像素子の膜厚が全体として厚く
なるという欠点があった。Since the separation layer is required, there is a drawback that the color filter becomes thicker as a whole, and the color solid-state image sensor becomes thicker as a whole.
また、従来技術に係る固体撮像素子の製造方法において
は、発癌物質である重クロム酸カリウムを使用するため
、管理上特別な配慮を必要とする欠点があり、ゼラチン
膜の染色時に塵等が付着しやすく欠陥発生の原因となり
やすく製造歩留りが低下し、さらに、ゼラチンは250
℃程度の温度をもって分解するので400℃程度の温度
を必要とするガラス封止法等の使用が制限される簿の欠
点があった。In addition, the conventional manufacturing method for solid-state imaging devices uses potassium dichromate, which is a carcinogen, so it has the drawback of requiring special care in terms of management, and dust etc. adhere to it when dyeing the gelatin film. gelatin is easily removed, which can easily cause defects and reduce manufacturing yield.
Since it decomposes at a temperature of about 400° C., it has the drawback of restricting the use of glass sealing methods that require a temperature of about 400° C.
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
解像度が高く、厚さが薄い色彩固体撮像素子と毒性物質
の使用を必要とせず、製造歩留りが高く、制限温度が高
くガラス封止法等の使用が制限されない固体撮像素子の
製造方法を提供することにある。The purpose of the present invention is to eliminate these drawbacks,
To provide a color solid-state image sensor with high resolution and thin thickness, and a method for manufacturing a solid-state image sensor that does not require the use of toxic substances, has a high manufacturing yield, has a high temperature limit, and is not limited in the use of glass sealing methods. There is a particular thing.
上記の目的を達成するために本発明が採った第1の手段
は、各画素の構成要素である複数の受光素子のそれぞれ
の上に、色素があらかじめ添加されている高分子化合物
例えばPMMA。The first means taken by the present invention to achieve the above object is to use a polymer compound such as PMMA to which a dye is added in advance onto each of a plurality of light-receiving elements that are constituent elements of each pixel.
PGMA等の膜を形成し、この色素を含有する高分子化
合物の膜をカラーフィルタとして機能させることにある
。The purpose is to form a film of PGMA or the like and make this film of a polymer compound containing a dye function as a color filter.
上記の色は、加色混合方式における三原色(赤、緑、青
)の組か、減色混合方式におけるE原色(黄、シアン、
マジェンタ)の組であることが望ましい。The above colors are either a set of three primary colors (red, green, blue) in an additive color mixing method, or a set of E primary colors (yellow, cyan, cyan,
Magenta) is preferable.
受光素子はCODをもって構成していることが現実的で
ある。It is realistic that the light receiving element is constructed using COD.
上記の目的を達成するために本発明が採った第2の手段
は、各画素を構成する複数の受光素子のそれぞれの上に
、リフトオフ法を使用して、色素を含有しカラーフィル
タをなす高分子化合物の膜を、順次、形成して固体撮像
素子を製造する方法にある。The second means taken by the present invention to achieve the above object is to use a lift-off method to apply a color filter to each of the plurality of light-receiving elements constituting each pixel. A method for manufacturing a solid-state imaging device by sequentially forming films of molecular compounds.
上記の目的を達成するために本発明が採った第3の手段
は、各画素を構成する複数の受光素子の上に、色素を含
有しカラーフィルタをなす高分子化合物の膜と二酸化シ
リコン等の中間層とレジスト膜との三重層を形成し、こ
の三重層を構成する二酸化シリコン等の中間層とレジス
ト膜とを、一部領域から除去し、露出した領域から色素
を含有しカラーフィルタをなす高分子化合物の膜をアッ
シングして除去する工程を、各色に対応する受光素子の
上に繰り返えして固体撮像素子を製造する方法にある。The third means taken by the present invention to achieve the above object is to coat a plurality of light-receiving elements constituting each pixel with a film of a polymer compound containing a dye and forming a color filter, and a film of silicon dioxide or the like. A triple layer consisting of an intermediate layer and a resist film is formed, and the intermediate layer such as silicon dioxide and the resist film constituting this triple layer are removed from a part of the region, and the exposed region contains dye to form a color filter. The method involves repeating the process of ashing and removing a polymer compound film on a light receiving element corresponding to each color to manufacture a solid-state image sensor.
本発明の第1の手段は、PMMA、PGMA等の高分子
化合物が安定に色素を含有することができ、しかも、こ
れらの高分子化合物の膜はパターニングしやすい点に着
目して、染色されたゼラチン膜に代えて、色素を含む高
分子化合物の膜をカラーフィルタの要素として使用した
ものであり1本発明の第2の手段は、上記と同様の着想
にもとづき、重クロム酸ゼラチンの膜をパターニングし
てから染色する工程に代えて、あらかじめ色素を含有す
る高分子化合物の膜をリフトオフ法を使用してパターニ
ングする工程を使用するものであり、本発明の第3の手
段は、第2の手段の改良であり、二酸化シリコン、Pt
O2,ARC等の中間層とレジスト膜を重ねて使用する
多層レジスト法とレジストと高分子化合物とのアッシン
グ速度の差を利用するパターニング法との組み合わせを
利用し、高分子化合物膜をより均一にするものである。The first means of the present invention focuses on the fact that polymer compounds such as PMMA and PGMA can stably contain dyes, and that films of these polymer compounds can be easily patterned. Instead of a gelatin film, a film of a polymer compound containing a dye is used as an element of the color filter.1 The second means of the present invention is based on the same idea as above, and uses a film of dichromate gelatin. Instead of the step of patterning and then dyeing, a step of patterning a film of a polymer compound containing a dye in advance using a lift-off method is used. It is an improvement of means, silicon dioxide, Pt
By using a combination of a multilayer resist method that uses an intermediate layer such as O2, ARC, etc. and a resist film, and a patterning method that utilizes the difference in ashing speed between the resist and the polymer compound, we can make the polymer compound film more uniform. It is something to do.
以下、図面を参照しつ\、本発明の第2の手段と第3の
手段とに係る固体撮像素子の製造方法を説明し、本発明
に係る固体撮像素子の構成と特有の効果とをさらに説明
する。Hereinafter, with reference to the drawings, a method for manufacturing a solid-state image sensor according to the second means and third means of the present invention will be explained, and the structure and unique effects of the solid-state image sensor according to the present invention will be further explained. explain.
l1j(第2の手段に対応)
第2図参照
CCD′:gl上にPSG膜等膜上2成し、レジスト膜
5を形成した後、第1の色(本例においてはシアン)の
カラーフィルタが形成される受光素子上の領域Aのみま
たはその反対の領域のみを露光し、領域Aのみからレジ
スト膜5を除去する。l1j (corresponds to the second means) See Figure 2 CCD': After forming a PSG film or the like on gl and forming a resist film 5, a color filter of the first color (cyan in this example) is applied. The resist film 5 is removed only from the region A by exposing only the region A on the light receiving element where the rays are formed or only the region opposite thereto.
この工程に対応する工程では、従来技術においては、ゼ
ラチン膜のパターニングがなされていたが、この実施例
の工程では、フォトリソグラフィー法を使用してなされ
るので、高精度のパターニングが可能である。In the process corresponding to this process, patterning of the gelatin film was performed in the prior art, but in the process of this embodiment, highly accurate patterning is possible because it is performed using a photolithography method.
第1の色(本例においてはシアン)が添加されたPMM
Aを塗布して、シアン色のPMMA膜6を形成する。PMM doped with a first color (cyan in this example)
A is applied to form a cyan PMMA film 6.
第3図参照
リフトオフ法を使用してシアン色のPMMA膜6を望城
A上のみに残留する。すなわち、レジスト膜5を溶解し
て、シアン色のPMMAM6を領域A上のみに残留する
。その後、ベーキングをなしてシアン色のPMMAJI
Q6を硬化する。The cyan PMMA film 6 is left only on the castle A by using the lift-off method shown in FIG. That is, the resist film 5 is dissolved and the cyan PMMAM 6 remains only on the region A. After that, it is baked to give a cyan color to PMMAJI.
Cure Q6.
第4図参照
レジスト膜7を形成した後、上記のシアン色のPMMA
膜6の領域Aと一方に隣接する領域Bまたはその反対領
域のみを露光し、上記の領域(上記のシアン色のPMM
A膜6の領域Aと一方に隣接する領域B)のみからレジ
スト膜7を除去する。After forming the resist film 7 as shown in FIG.
Only the area A and the adjacent area B or the opposite area of the film 6 are exposed, and the above area (the above cyan PMM) is exposed.
The resist film 7 is removed only from the area A and the adjacent area B) of the A film 6.
上記せる理由と同一の理由により、このパターニングも
高精度になしうる。This patterning can also be done with high precision for the same reasons as mentioned above.
第2の色(本例においては黄)が添加されたPMMAを
塗布して、黄色のPMMAM8を形成する。PMMA doped with a second color (yellow in this example) is applied to form yellow PMMAM8.
第5図参照
レジスト膜7を溶解(リフトオフ法)して、黄色のPM
MA膜8を領域A、B上のみに残留し、ベーキングをな
して黄色のPMMA膜8を硬化する。Refer to FIG. 5. Dissolve the resist film 7 (lift-off method) to remove yellow PM.
The MA film 8 remains only on areas A and B and is baked to harden the yellow PMMA film 8.
領域Aは黄色とシアンとが重なるので緑色となる。その
結果、緑色・黄色や白色をもって構成される画素が形成
される。Area A is green because yellow and cyan overlap. As a result, pixels composed of green, yellow, and white are formed.
第1a図参照
保護膜としての二酸化シリコン膜またはPLO3W29
を形成する。See Figure 1a Silicon dioxide film or PLO3W29 as a protective film
form.
以上の工程のおいては、毒性の重クロム酸カリウムは使
用されておらず管理玉有利であり、染色工程を含まない
ので欠陥発生の機会が少なく、カラーフィルタ材として
ゼラチンを使用しないので温度制限もない。In the above process, toxic potassium dichromate is not used, which is advantageous for control, and since there is no dyeing process, there is less chance of defects occurring.Gelatin is not used as a color filter material, so there is no temperature limit. Nor.
また、以上の工程をもって製造した色彩固体撮像素子の
カラーフィルタは色素を含有するPMMAであり、パタ
ーニングが正確になされており、色ずれやにじみがなく
、分離層が不必要なため、厚さが■くなっている。In addition, the color filter of the color solid-state image sensor manufactured through the above process is made of PMMA containing a dye, and is accurately patterned, has no color shift or bleeding, and does not require a separation layer, so it has a small thickness. ■It has become.
l1j(第3の手段に対応)
第6図参照
CCD等l上に230111g等2を形成し、第1の色
(本例においてはシアン)が添加されたPMMAを塗布
して、シアン色のPMMA膜6を形成し、二酸化シリコ
ン、PLO3等の中間層10を形成し、その後、レジス
ト膜5を形成する。シアン層が形成されない領域Cのみ
からレジスト膜5と中間層10とを除去する。l1j (corresponding to the third means) Refer to Figure 6. Form 230111g, etc. 2 on a CCD etc. l, apply PMMA added with the first color (cyan in this example), and apply cyan-colored PMMA. A film 6 is formed, an intermediate layer 10 of silicon dioxide, PLO3, etc. is formed, and then a resist film 5 is formed. The resist film 5 and the intermediate layer 10 are removed only from the region C where the cyan layer is not formed.
この工程に対応する工程は、従来技術においては、ゼラ
チン膜のパターニングをなされていたが、この工程はフ
ォトリソグラフィー法を使用してなされるので、高精度
にパターニングが可能である。In the prior art, a step corresponding to this step involves patterning a gelatin film, but since this step is performed using a photolithography method, highly accurate patterning is possible.
第7図参照
酸素プラズマを使用してなすアッシングをなして、領域
C上からシアン色のPMMA膜6を除去し、使用済みの
レジスト膜5と中間層10とを除去し、ベーキングをな
してシアン色のPMMAII!6を硬化する。Refer to FIG. 7. The cyan PMMA film 6 is removed from the area C by ashing using oxygen plasma, the used resist film 5 and the intermediate layer 10 are removed, and the cyan color is removed by baking. PMMA II of color! 6.
第8図参照
7fS2の色(本例においては員)が添加されたPMM
Aを塗布して、黄色のPMMA膜8を形成し、二酸化シ
リコン、PLO3等の中間810を形成し、レジスト膜
5を形成する。黄色のψ域と緑色の領域(シアン上に黄
色が重ねられる領域)上のみに、レジスト膜5と中間層
lOとを残留して、その他の領域からレジストll95
と中間層10とを除去する。PMM to which the color of 7fS2 (in this example, member) is added, see Figure 8.
A is applied to form a yellow PMMA film 8, an intermediate 810 of silicon dioxide, PLO3, etc. is formed, and a resist film 5 is formed. The resist film 5 and the intermediate layer 10 are left only on the yellow ψ region and the green region (the region where yellow is superimposed on cyan), and the resist 1195 is removed from the other regions.
and the intermediate layer 10 are removed.
第9図参照
酸素プラズマを使用してなすアッシングをなして、上記
黄色の領域と緑色の領域(シアン上に黄色が重ねられる
領域)上のみに黄色のPMMA膜8を残留し、ベーキン
グをなして黄色のPMMA膜8を硬化する。その結果、
緑色・黄色・白色・シアンを構成される画素が形成され
る。Refer to FIG. 9. After performing ashing using oxygen plasma, the yellow PMMA film 8 remains only on the above-mentioned yellow area and green area (the area where yellow is superimposed on cyan), and baking is performed. The yellow PMMA film 8 is cured. the result,
Pixels consisting of green, yellow, white, and cyan are formed.
第1b図参照
保護膜としての二酸化シリコン膜またはPLOS膜9を
形成する。Referring to FIG. 1b, a silicon dioxide film or PLOS film 9 is formed as a protective film.
以上の工程においては、毒性の重クロム酸カリウムは使
用されておらず管理上有利であり、染色工程を含まない
ので欠陥発生の機会が少なく、カラーフィルタ材として
ゼラチンを使用しないので温度制限もない。In the above process, toxic potassium dichromate is not used, which is advantageous in terms of management.Since there is no dyeing process involved, there is less chance of defects occurring, and since gelatin is not used as the color filter material, there are no temperature restrictions. .
また、以上の工程をもって製造した色彩固体撮像素子の
カラーフィルタは色素を含有するPMMAであり、パタ
ーニングが正確になされており、色ずれやにじみがなく
、分離層が不必要なため、厚さが薄くなっている。第1
例に加えて、この第2例にあっては、製造工程において
中間層が使用されているので、平坦化がより容易である
。In addition, the color filter of the color solid-state image sensor manufactured through the above process is made of PMMA containing a dye, and is accurately patterned, has no color shift or bleeding, and does not require a separation layer, so it has a small thickness. It's getting thinner. 1st
Additionally, in this second example, planarization is easier because an intermediate layer is used in the manufacturing process.
以上の例のいづれも補色系をもって説明されているが、
原色系でも製造可能である。All of the above examples are explained using complementary colors, but
It can also be manufactured in primary colors.
以上説明せるとおり、本発明に係る色彩固体撮像素子に
は、色素を含有するPMMA、PGMA、シリコン樹脂
、エポキシ樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリメタクリル
酸エステル共重合体。As explained above, the color solid-state imaging device according to the present invention includes PMMA, PGMA, silicone resin, epoxy resin, polysiloxane resin, and polymethacrylic acid ester copolymer containing a dye.
ポリメタクリアミド、ポリメチルイソプロペニルケトン
等の高分子化合物の膜がカラーフィルタとして使用され
ており、この高分子化合物の膜は高精度にパターニング
できるので、高い分解能を実現することができ、また1
色ずれやにじみもなく、画素を微細化することができ、
厚さも薄くできる。Films made of polymer compounds such as polymethacryamide and polymethyl isopropenyl ketone are used as color filters, and since these films can be patterned with high precision, high resolution can be achieved.
There is no color shift or blurring, and pixels can be made smaller.
The thickness can also be reduced.
また1本発明に係る色彩固体撮像素子の製造方法には、
発癌物質である重クロム酸カリウムが使用されていない
ので管理上有利であり、ゼラチンのようにパターン精度
を期待しえない材料でなく、高いパターン精度を期待し
うる高分子化合物をもってフォトリソグラフィー法を使
用してカラーパターンが形成されることとされているの
で、高解像度が実現し、製造工程中に染色の必要がない
ので欠陥発生のおそれが少なく、温度制限もない。Further, a method for manufacturing a color solid-state image sensor according to the present invention includes:
Since potassium dichromate, which is a carcinogen, is not used, it is advantageous in terms of management, and photolithography can be performed using a polymer compound that can be expected to have high pattern accuracy, rather than a material that cannot be expected to have pattern accuracy, such as gelatin. Since a color pattern is formed using this method, high resolution is achieved, there is no need for dyeing during the manufacturing process, there is less risk of defects, and there are no temperature restrictions.
第1a図は、本発明の一実施例に係る固体撮像素子の断
面図である。
第1b図は、本発明の他の実施例に係る固体撮像素子の
断面図である。
第2〜5図は、本発明の一実施例に係る固体撮像素子の
製造方法の主要工程完了後の断面図である。
第6〜9図は、本発明の他の実施例に係る固体撮像素子
の製造方法の主要工程完了後の断面図である。
第10図は、原色系のカラーフィルタ配数例を示す図で
ある。
第11図は、補色系のカラーフィルタ配置例を示す図で
ある。
第12図は、従来技術に係る固体撮像素子の断面図であ
る。
l・・拳CCD、
2ΦΦ・PSGII12.
3争・・分離層(PGMA膜)、
4轡・・ゼラチン感材の膜、
5・・・レジスト膜、
6・拳Φシアン色のPMMAIt!、
70φ・レジスト膜、
8I111・黄色のPMMA、
9・・・保護膜(PuO3膜)、
10@命・中間Pf!!(二酸化シリコン、PuO2等
のl1r2)。FIG. 1a is a sectional view of a solid-state image sensor according to an embodiment of the present invention. FIG. 1b is a sectional view of a solid-state imaging device according to another embodiment of the present invention. 2 to 5 are cross-sectional views after completion of the main steps of a method for manufacturing a solid-state image sensor according to an embodiment of the present invention. 6 to 9 are cross-sectional views after completing the main steps of a method for manufacturing a solid-state image sensor according to another embodiment of the present invention. FIG. 10 is a diagram showing an example of the arrangement of primary color color filters. FIG. 11 is a diagram showing an example of arrangement of complementary color filters. FIG. 12 is a cross-sectional view of a solid-state image sensor according to the prior art. l...Fist CCD, 2ΦΦ・PSGII12. 3. Separation layer (PGMA film), 4. Gelatin sensitive material film, 5. Resist film, 6. Cyan-colored PMMAIt! , 70φ・Resist film, 8I111・Yellow PMMA, 9...Protective film (PuO3 film), 10@Life・Intermediate Pf! ! (l1r2 of silicon dioxide, PuO2, etc.).
Claims (1)
、前記複数の受光素子のそれぞれの上には、色素を含有
しカラーフィルタをなす高分子化合物の膜が形成されて
なることを特徴とする固体撮像素子。 [2]前記色素の色は、加色混合方式または減色混合方
式における基本色であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の固体撮像素子。 [3]前記複数の受光素子はチャージカプルドデバイス
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
2項記載の固体撮像素子。 [4]前記高分子化合物は、PMMA、PGMA、シリ
コン樹脂、エポキシ樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリメ
タクリル酸エステル共重合体、ポリメタクリアミド、ま
たは、ポリメチルイソプロペニルケトンであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項、第2項、または、第3
項記載の固体撮像素子。 [5]各画素を構成する複数の受光素子のそれぞれの上
に、リフトオフ法を使用して、色素を含有しカラーフィ
ルタをなす高分子化合物の膜を、順次、形成することを
特徴とする固体撮像素子の製造方法。 [6]各画素を構成する複数の受光素子の上に、色素を
含有しカラーフィルタをなす高分子化合物の膜と二酸化
シリコン等の中間層とレジスト膜との三重層を形成し、
該三重層を構成する二酸化シリコン等の中間層とレジス
ト膜とを、一部領域から除去し、該露出した領域から前
記色素を含有しカラーフィルタをなす高分子化合物の膜
をアッシングして除去する工程を、各色に対応する受光
素子の上に繰り返すことを特徴とする固体撮像素子の製
造方法。[Claims] [1] Each pixel is composed of a plurality of light-receiving elements, and a film of a polymer compound containing a dye and forming a color filter is formed on each of the plurality of light-receiving elements. A solid-state image sensor characterized by: [2] The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the color of the dye is a basic color in an additive color mixing method or a subtractive color mixing method. [3] The solid-state imaging device according to claim 1 or 2, wherein the plurality of light receiving elements are charge coupled devices. [4] A patent characterized in that the polymer compound is PMMA, PGMA, silicone resin, epoxy resin, polysiloxane resin, polymethacrylate copolymer, polymethacryamide, or polymethylisopropenylketone. Claim 1, 2, or 3
The solid-state image sensor described in . [5] A solid state characterized in that a film of a polymer compound containing a dye and forming a color filter is sequentially formed on each of a plurality of light-receiving elements constituting each pixel using a lift-off method. A method for manufacturing an image sensor. [6] Forming a triple layer of a polymer compound film containing a dye and forming a color filter, an intermediate layer such as silicon dioxide, and a resist film on the plurality of light receiving elements constituting each pixel,
The intermediate layer such as silicon dioxide and the resist film constituting the triple layer are removed from a partial region, and the polymer compound film containing the dye and forming the color filter is removed by ashing from the exposed region. A method for manufacturing a solid-state image sensor, characterized in that the process is repeated on a light receiving element corresponding to each color.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61240507A JPS6394670A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Solid-state image sensing device and manufacture of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61240507A JPS6394670A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Solid-state image sensing device and manufacture of the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6394670A true JPS6394670A (en) | 1988-04-25 |
Family
ID=17060544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61240507A Pending JPS6394670A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Solid-state image sensing device and manufacture of the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6394670A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2655501A1 (en) * | 1989-12-02 | 1991-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | COLOR FILTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61105506A (en) * | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Canon Inc | Production of color filter |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61240507A patent/JPS6394670A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS61105506A (en) * | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Canon Inc | Production of color filter |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2655501A1 (en) * | 1989-12-02 | 1991-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | COLOR FILTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
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