JP2573382B2 - Manufacturing method of solid-state image sensor - Google Patents
Manufacturing method of solid-state image sensorInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、光電変換部の近傍にボンディングパッド
部を有する固体撮像素子の製法に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a solid-state imaging device having a bonding pad near a photoelectric conversion unit.
［従来の技術］ 第２図は、光電変換部の近傍にボンディングパッド部
を有するカラー固体撮像素子の一例の断面構造を示して
いる。[Prior Art] FIG. 2 shows a cross-sectional structure of an example of a color solid-state imaging device having a bonding pad portion near a photoelectric conversion portion.
同図において、１は固体撮像素子基板であり、２は画
像情報となる入射光を受けて電荷を発生蓄積する受光部
2aおよび受光部2aで発生蓄積した電荷を転送するための
転送部2bからなる光電変換部であり、３は光電変換部２
の近傍の固体撮像素子基板１上に形成されたボンディン
グパッド部としてのアルミ電極である。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a solid-state imaging device substrate;
2a and a photoelectric conversion unit including a transfer unit 2b for transferring electric charges generated and accumulated in the light receiving unit 2a;
Is an aluminum electrode as a bonding pad formed on the solid-state imaging device substrate 1 in the vicinity of.
４は光電変換部２の表面の凹凸を一定値以下に抑える
ために形成された平坦化膜である。５はこの平坦化膜４
上に光電変換部２の受光部2aに対応して形成された３原
色のカラーフィルタであり、5rは第１染色層（レッド
層）、5gは第２染色層（グリーン層）、5bは第３染色層
（ブルー層）である。６はカラーフィルタ５上に形成さ
れた保護膜である。そして、７はアルミ電極３にボンデ
ィングするために開けられたパッド窓である。Reference numeral 4 denotes a flattening film formed to suppress irregularities on the surface of the photoelectric conversion unit 2 to a certain value or less. 5 is the flattening film 4
Above is a color filter of three primary colors formed corresponding to the light receiving section 2a of the photoelectric conversion section 2, 5r is a first stained layer (red layer), 5g is a second stained layer (green layer), and 5b is a second stained layer (green layer). Three dyed layers (blue layer). Reference numeral 6 denotes a protective film formed on the color filter 5. Reference numeral 7 denotes a pad window opened for bonding to the aluminum electrode 3.
第３図は、光電変換部の近傍にボンディングパッド部
を有するカラー固体撮像素子の他の例の断面構造を示し
ている。この第３図において、第２図と対応する部分に
は同一符号を付して示している。FIG. 3 shows a cross-sectional structure of another example of a color solid-state imaging device having a bonding pad section near a photoelectric conversion section. 3, parts corresponding to those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.
第３図例は、保護膜６上に光電変換部２の各受光部2a
に対応してマイクロレンズ８が形成されるものである。
このマイクロレンズ８によって入射光は各受光部2aに集
光されるため、感度の向上が図られる。FIG. 3 shows an example in which each light receiving unit 2a of the photoelectric conversion unit 2 is formed on the protective film 6.
The micro lens 8 is formed corresponding to the above.
The incident light is condensed on each light receiving portion 2a by the microlens 8, so that the sensitivity is improved.
第２図例のカラー固体撮像素子は、以下のような工程
で製造される。The color solid-state image sensor of FIG. 2 is manufactured by the following steps.
まず、光電変換部２が形成された固体撮像素子基板１
にボンディングパッド部としてのアルミ電極３を所定の
パターンで被着形成する（第４図Ａに図示）。First, the solid-state imaging device substrate 1 on which the photoelectric conversion unit 2 is formed
Then, an aluminum electrode 3 as a bonding pad portion is adhered and formed in a predetermined pattern (shown in FIG. 4A).
次に、固体撮像素子基板１上の光電変換部２およびア
ルミ電極３上に平坦化膜４を塗布し、加熱等の処理によ
って硬化させる（同図Ｂに図示）。この平坦化膜４は、
例えばアクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、
エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、シリ
コーン樹脂、ガラスレジン、尿素樹脂、ポリエステル樹
脂等の合成樹脂をもって形成される。Next, a flattening film 4 is applied on the photoelectric conversion unit 2 and the aluminum electrode 3 on the solid-state imaging device substrate 1 and cured by a process such as heating (shown in FIG. B). This flattening film 4
For example, acrylic resin, urethane resin, polyimide resin,
It is formed of a synthetic resin such as an epoxy resin, an alkyd resin, a phenol resin, a silicone resin, a glass resin, a urea resin, and a polyester resin.
次に、平坦化膜４上にカラーフィルタ５を構成する第
１染色層5rを被着させる（同図Ｃに図示）。この第１染
色層5rは、例えばゼラチン、カイゼン、グリュー、ポリ
ビニルアルコール等と重クロム酸塩からなる被染色感光
液を塗布し、選択露光、現像を行なってパターン形成
し、このパターンを基板ごとレッドの染色液に浸漬して
形成する。そして、パターン染色後、タンニン酸水溶
液、酒石酸アンチモニルカリウム水溶液、ホルムアルデ
イド水溶液等により、染料の定着や染色層の硬化を行な
って以降の染色層の混色を回避する。Next, a first staining layer 5r constituting the color filter 5 is applied on the flattening film 4 (shown in FIG. C). The first dyed layer 5r is formed by applying a photosensitive liquid to be dyed made of, for example, gelatin, kaizen, glue, polyvinyl alcohol, etc. and a dichromate, and performing selective exposure and development to form a pattern. It is formed by immersing in a dyeing solution. After pattern dyeing, the dye is fixed and the dyed layer is cured with an aqueous solution of tannic acid, an aqueous solution of potassium antimonyl tartrate, an aqueous solution of formaldehyde, and the like to avoid color mixing in the dyed layer thereafter.
次に、第１染色層5rの形成と同様の工程を染色液の種
類を変えて繰り返すことにより、平坦化膜４上に第２染
色層5gおよび第３染色層5bを形成する。これによって３
原色のカラーフィルタ５が形成される（同図Ｂに図
示）。Next, the same process as the formation of the first stained layer 5r is repeated by changing the type of the staining solution to form the second stained layer 5g and the third stained layer 5b on the flattened film 4. This gives 3
A primary color filter 5 is formed (shown in FIG. B).
次に、カラーフィルタ５上に保護膜６を形成する（同
図Ｅに図示）。この保護膜６の材料は、例えば平坦化膜
４と同じものが使用され、平坦化膜４と同様に加熱等の
処理をして硬化させる。Next, a protective film 6 is formed on the color filter 5 (illustrated in FIG. E). As the material of the protective film 6, for example, the same material as that of the flattening film 4 is used.
次に、保護膜６上にパッド窓開け用レジスト膜11を塗
布すると共に、フォトリソグラフィによりパターニング
を行なう（同図Ｆに図示）。Next, a pad window opening resist film 11 is applied on the protective film 6 and patterned by photolithography (shown in FIG. F).
次に、フッ化炭素CF4と酸素O2からなるプラズマ雰囲
気でドライエッチングを行なってアルミ電極３上の平坦
化膜４および保護膜６を除去してパッド窓７を形成する
（同図Ｇに図示）。Next, dry etching is performed in a plasma atmosphere composed of fluorocarbon CF 4 and oxygen O 2 to remove the planarizing film 4 and the protective film 6 on the aluminum electrode 3 to form a pad window 7 (see FIG. Illustrated).
最後に、パッド窓開け用レジスト膜11を剥離除去する
（同図Ｈに図示）。Finally, the resist film 11 for opening the pad window is peeled off (shown in FIG. H).
また、第３図例のカラー固体撮像素子は、以下のよう
な工程で製造される。Further, the color solid-state imaging device of FIG. 3 is manufactured by the following steps.
上述した第２図例の製造工程と同様にカラーフィルタ
５上に保護膜６を形成したのち、この保護膜６上にマイ
クロレンズ用レジスト膜８′を塗布すると共に、フッ化
炭素CF4と酸素O2からなるプラズマ雰囲気でドライエッ
チングを行なってパターニングを行なう（第４図Ｉに図
示）。レジスト膜８′は、例えば紫外線あるいは遠紫外
線用のネガ型の感光性樹脂をスピンコート法等によって
塗布する。After a protective film 6 is formed on the color filter 5 in the same manner as in the manufacturing process of FIG. 2 described above, a microlens resist film 8 ′ is applied on the protective film 6, and carbon fluoride CF 4 and oxygen Patterning is performed by performing dry etching in a plasma atmosphere of O 2 (illustrated in FIG. 4I). The resist film 8 'is formed by applying, for example, a negative photosensitive resin for ultraviolet light or far ultraviolet light by a spin coating method or the like.
次に、加熱処理でレジスト膜８′を熱変形させて球状
のマイクロレンズ８を形成する（同図Ｊに図示）。そし
て、紫外線あるいは遠紫外線を照射して露光処理をする
ことにより、マイクロレンズ８を硬化させる。Next, the resist film 8 'is thermally deformed by a heat treatment to form a spherical microlens 8 (shown in FIG. J). Then, the microlenses 8 are cured by irradiating ultraviolet rays or far ultraviolet rays to perform exposure processing.
次に、マイクロレンズ８上にパッド窓開け用レジスト
膜11を塗布すると共に、フォトリソグラフィによりパタ
ーニングを行なう（同図Ｋに図示）。Next, a resist film 11 for opening a pad window is applied on the microlens 8 and patterned by photolithography (shown in FIG. K).
次に、フッ化炭素CF4と酸素O2からなるプラズマ雰囲
気でドライエッチングを行なってアルミ電極３上の平坦
化膜４および保護膜６を除去してパッド窓７を形成する
（同図Ｌに図示）。Next, dry etching is performed in a plasma atmosphere composed of fluorocarbon CF 4 and oxygen O 2 to remove the planarizing film 4 and the protective film 6 on the aluminum electrode 3 to form a pad window 7 (see FIG. L). Illustrated).
最後に、パッド窓開け用レジスト膜11を剥離除去する
（同図Ｍに図示）。Finally, the resist film 11 for opening the pad window is peeled off (shown in FIG. M).
［発明が解決しようとする課題］ 上述したように、パッド窓７を形成する工程で２層レ
ジスト膜（保護膜６またはマイクロレンズ８（マイクロ
レンズ用レジスト膜８′）とパッド窓開け用レジスト膜
11）を用いる場合、いずれのレジスト膜も一般的に有機
溶剤を使用しているため、レジスト膜の界面で一部が混
合し、その後にパッド窓開け用レジスト膜11の剥離を行
なっても、剥離液に対して不溶な界面層が形成される。
この界面層は不均一に形成されると共に透過率を減少さ
せるので、透過率の不均一による撮像ムラが増加して歩
留りを低下させる。[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the step of forming the pad window 7, the two-layer resist film (the protection film 6 or the microlens 8 (the microlens resist film 8 ') and the pad window opening resist film are formed.
In the case of using 11), since any resist film generally uses an organic solvent, even if a part of the resist film is mixed at the interface of the resist film and then the pad window opening resist film 11 is peeled off, An interface layer insoluble in the stripping solution is formed.
Since this interface layer is formed non-uniformly and reduces the transmittance, the unevenness of the transmittance due to the non-uniformity of the transmittance increases and the yield decreases.
なお上述せずも、パッド窓開け用レジスト膜11を塗布
してパッド窓７を形成する工程を平坦化膜４を形成後に
行なうことも考えられている。この場合にも、レジスト
膜の界面層が形成され、この界面層が次工程のカラーフ
ィルタの形成の妨げとなり、また透過率の不均一による
撮像ムラの原因となる。Although not described above, it is considered that the step of forming the pad window 7 by applying the pad window opening resist film 11 is performed after the formation of the flattening film 4. Also in this case, an interface layer of the resist film is formed, and this interface layer hinders the formation of a color filter in the next step, and also causes imaging unevenness due to nonuniform transmittance.
ここで、２つのレジスト膜の間に水溶性樹脂膜を介在
させることによって、レジスト膜間の相溶、不溶な界面
層の生成を防止することが提案されている（特開昭59−
175725号公報）。Here, it has been proposed that a water-soluble resin film is interposed between two resist films to prevent the formation of a compatible or insoluble interface layer between the resist films (Japanese Patent Laid-Open No. 59-1984).
No. 175725).
しかし、上層レジスト膜（パッド窓開け用レジスト
膜）のパターニング後、露出した水溶性樹脂膜部分を水
または水を含む溶液で除去する際、サイド方向の溶解が
進行するので精度のよいレジストパターンを形成が困難
であり、またパターンのリフトオフによる上層レジスト
膜の剥がれがダストの原因となる。However, when the exposed water-soluble resin film portion is removed with water or a solution containing water after the patterning of the upper resist film (the resist film for opening the pad window), the dissolution proceeds in the side direction, so that an accurate resist pattern is formed. Formation is difficult, and peeling of the upper resist film due to lift-off of the pattern causes dust.
そこで、この発明では、レジスト膜間に撮像ムラとな
る不溶な界面層が形成されないようにすると共に、パッ
ド窓開け用レジスト膜のパターンを精度よく形成できる
ようにしたものである。Therefore, in the present invention, an insoluble interface layer that causes imaging unevenness is not formed between resist films, and a pattern of a resist film for opening a pad window can be formed with high accuracy.
［課題を解決するための手段］ この発明は、光電変換部の近傍にボンディングパッド
部を有する固体撮像素子を製造する方法であって、平坦
化膜、保護膜、マイクロレンズ用レジスト膜等の第１の
レジスト膜上にパッド窓開け用の第２のレジスト膜を形
成してパターニングし、ボンディングパッド部に通じる
パッド窓を形成する際、第１のレジスト膜上に水溶性樹
脂膜および第２のレジスト膜の現像液に不溶な水溶性樹
脂膜保護レジスト膜をこの順序で形成したのち第２のレ
ジスト膜を形成することを特徴とするものである。Means for Solving the Problems The present invention is a method for manufacturing a solid-state imaging device having a bonding pad portion near a photoelectric conversion portion, and includes a flattening film, a protective film, a resist film for a microlens, and the like. When a second resist film for opening a pad window is formed on the first resist film and patterned to form a pad window leading to a bonding pad portion, a water-soluble resin film and a second resist film are formed on the first resist film. A second resist film is formed after forming a water-soluble resin film protective resist film insoluble in a developing solution of the resist film in this order.
［作 用］ 上述方法においては、第１のレジスト膜とパッド窓開
け用の第２のレジスト膜11の間に水溶性樹脂膜９が介在
されるので、２つのレジスト膜が混合することはなく、
不溶な界面層の生成が防止される。[Operation] In the above method, since the water-soluble resin film 9 is interposed between the first resist film and the second resist film 11 for opening the pad window, the two resist films are not mixed. ,
The formation of an insoluble interface layer is prevented.
また、水溶性樹脂膜９とパッド窓開け用の第２のレジ
スト膜11の間に第２のレジスト膜11の現像液に不溶な水
溶性樹脂膜保護レジスト膜10が介在されるので、第２の
レジスト膜11のパターニングの際に現像液より水溶性樹
脂膜９が保護され、この水溶性樹脂膜９のサイド方向の
溶解が防止される。Further, since the water-soluble resin film protection resist film 10 insoluble in the developing solution of the second resist film 11 is interposed between the water-soluble resin film 9 and the second resist film 11 for opening the pad window, the second When the resist film 11 is patterned, the water-soluble resin film 9 is protected by the developer, and the water-soluble resin film 9 is prevented from being dissolved in the side direction.
［実 施 例］ 以下、この発明に係る固体撮像素子の製法の一例につ
いて説明する。本例は、第２図に示すようなカラー固体
撮像素子を製造する例である。[Example] Hereinafter, an example of a method for manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention will be described. This example is an example of manufacturing a color solid-state imaging device as shown in FIG.
まず、第１図Ａ〜Ｅ（第４図Ａ〜Ｅと同じ）に示すよ
うに、従来と同様に光電変換部２の形成された固体撮像
素子基板１にアルミ電極３を形成し、これら光電変換部
２およびアルミ電極３上に平坦化膜４を形成し、この平
坦化膜４上にカラーフィルタ５を形成し、さらに、この
カラーフィルタ５上に保護膜６を形成する。First, as shown in FIGS. 1A to 1E (the same as FIGS. 4A to 4E), an aluminum electrode 3 is formed on a solid-state imaging device substrate 1 on which a photoelectric conversion unit 2 is formed in the same manner as in the prior art. A flattening film 4 is formed on the converter 2 and the aluminum electrode 3, a color filter 5 is formed on the flattening film 4, and a protective film 6 is formed on the color filter 5.
次に、保護膜６上に水溶性樹脂膜９を塗布し、さら
に、この水溶性樹脂膜９上に水溶性樹脂膜保護レジスト
膜10を塗布する。そして、この水溶性樹脂膜保護レジス
ト膜10上にパッド窓開け用レジスト膜11を塗布すると共
に、フォトリソグラフィによりパターニングを行なう
（第１図Ｆに図示）。Next, a water-soluble resin film 9 is applied on the protective film 6, and a water-soluble resin film protective resist film 10 is further applied on the water-soluble resin film 9. Then, a pad window opening resist film 11 is applied on the water-soluble resin film protective resist film 10, and is patterned by photolithography (shown in FIG. 1F).
水溶性樹脂膜９は、保護膜６とパッド窓開け用レジス
ト膜11とを隔絶し、２つのレジスト膜間に界面層が生成
しないようにするためのものであり、例えばポリビニル
アルコール、メチルセルロース等で形成される。The water-soluble resin film 9 separates the protective film 6 from the resist film 11 for opening a pad window and prevents an interface layer from being formed between the two resist films. It is formed.
水溶性樹脂膜保護レジスト膜10は、パッド窓開け用レ
ジスト膜11の現像液に不溶な合成樹脂であることが必要
である。例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリイ
ミド樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、フェノール
樹脂、シリコーン樹脂、ガラスレジン、尿素樹脂、ポリ
エステル樹脂等で形成される。The water-soluble resin film protective resist film 10 needs to be a synthetic resin that is insoluble in the developing solution of the pad window opening resist film 11. For example, it is formed of an acrylic resin, urethane resin, polyimide resin, epoxy resin, alkyd resin, phenol resin, silicone resin, glass resin, urea resin, polyester resin, or the like.
この水溶性樹脂膜保護レジスト膜10は、パッド窓開け
用レジスト膜11の現像液を遮断するだけの膜厚が必要で
あるが、水溶性樹脂膜９の厚さ以下の膜厚とすることが
望ましい。その理由は、後述するボンディングパッド部
のエッチングによるパッド窓の形成の後、これら水溶性
樹脂膜９や水溶性樹脂膜保護レジスト膜10の剥離を容易
にするためである。つまり、水溶性樹脂膜保護レジスト
膜10は水溶性樹脂膜９の剥離時のリフトオフによって剥
離されるので、水溶性樹脂膜保護レジスト膜10が厚すぎ
るとリフトオフしにくくなるからである。The water-soluble resin film protective resist film 10 needs to have a thickness enough to block the developing solution of the pad window opening resist film 11, but it is preferable that the film thickness be equal to or less than the thickness of the water-soluble resin film 9. desirable. The reason for this is to make it easier to peel off the water-soluble resin film 9 and the water-soluble resin film protection resist film 10 after the pad window is formed by etching the bonding pad portion described later. That is, since the water-soluble resin film protective resist film 10 is peeled off by lift-off when the water-soluble resin film 9 is peeled off, the lift-off becomes difficult when the water-soluble resin film protective resist film 10 is too thick.
次に、フッ化炭素CF4と酸素O2からなるプラズマ雰囲
気でドライエッチングを行なってアルミ電極３上の平坦
化膜４、保護膜６、水溶性樹脂膜９および水溶性樹脂膜
保護レジスト膜10を除去してパッド窓７を形成する（同
図Ｇに図示）。Next, dry etching is performed in a plasma atmosphere composed of fluorocarbon CF 4 and oxygen O 2 to make the flattening film 4, the protective film 6, the water-soluble resin film 9 and the water-soluble resin film protective resist film 10 on the aluminum electrode 3. Is removed to form a pad window 7 (shown in FIG. G).
最後に、パッド窓開け用レジスト膜11を剥離除去する
と共に、温水スピンエッチング装置により水溶性樹脂膜
９および水溶性樹脂膜保護レジスト膜10を剥離する（同
図Ｈに図示）。この際、水溶性樹脂膜保護レジスト膜10
は、水溶性樹脂膜９が温水によって溶出してリフトオフ
されて剥離される。Finally, the resist film 11 for opening a pad window is peeled off and the water-soluble resin film 9 and the water-soluble resin film protective resist film 10 are peeled off by a hot water spin etching apparatus (shown in FIG. H). At this time, the water-soluble resin film protective resist film 10
The water-soluble resin film 9 is eluted by warm water, lifted off, and peeled off.
このような本方法においては、保護膜６とパッド窓開
け用レジスト膜11との間に水溶性樹脂膜９が介在される
ので、２つのレジスト膜が混合することはなく、不溶な
界面層が生成されるのを防止することができ、界面層に
起因する撮像ムラによる歩留りの低下を回避することが
できる。In this method, since the water-soluble resin film 9 is interposed between the protective film 6 and the resist film 11 for opening a pad window, the two resist films are not mixed and an insoluble interface layer is formed. Generation can be prevented, and a decrease in yield due to uneven imaging caused by the interface layer can be avoided.
また、水溶性樹脂膜９とパッド窓開け用レジスト膜11
との間に、パッド窓開け用レジスト膜11の現像液に不溶
な水溶性樹脂膜保護レジスト膜10が介在されるので、パ
ッド窓開け用レジスト膜11のパターニングの際にその現
像液より水溶性樹脂膜９が保護され、この水溶性樹脂膜
９のサイド方向の溶解を防止でき、パッド窓７を形成す
るためのパターンを精度よく形成することができる。Further, a water-soluble resin film 9 and a resist film 11 for opening a pad window are provided.
Since the water-soluble resin film protective resist film 10 insoluble in the developing solution of the pad window opening resist film 11 is interposed between the pad window opening resist film 11 and the pad window opening resist film 11, The resin film 9 is protected, the dissolution of the water-soluble resin film 9 in the side direction can be prevented, and a pattern for forming the pad window 7 can be accurately formed.
次に、この発明に係る固体撮像素子の製法の他の例に
ついて説明する。本例は、第３図に示すようなカラー固
体撮像素子を製造する例である。Next, another example of the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the present invention will be described. This example is an example of manufacturing a color solid-state imaging device as shown in FIG.
まず、第１図Ａ〜Ｊ（第４図Ａ〜Ｊと同じ）に示すよ
うに、従来と同様に光電変換部２の形成された固体撮像
素子基板１にアルミ電極３を形成し、これら光電変換部
２およびアルミ電極３上に平坦化膜４を形成し、この平
坦化膜４上にカラーフィルタ５を形成し、このカラーフ
ィルタ５上に保護膜６を形成し、さらに、この保護膜６
上にマイクロレンズ８を形成する。First, as shown in FIGS. 1A to 1J (same as FIGS. 4A to 4J), an aluminum electrode 3 is formed on a solid-state imaging device substrate 1 on which a photoelectric conversion unit 2 is formed in the same manner as in the prior art. A flattening film 4 is formed on the conversion part 2 and the aluminum electrode 3, a color filter 5 is formed on the flattening film 4, a protective film 6 is formed on the color filter 5, and further a protective film 6 is formed on the color filter 5.
The micro lens 8 is formed thereon.
次に、マイクロレンズ８上に水溶性樹脂膜９を塗布
し、さらに、この水溶性樹脂膜９上に水溶性樹脂膜保護
レジスト膜10を塗布する。そして、この水溶性樹脂膜保
護レジスト膜10上にパッド窓開け用レジスト膜11を塗布
すると共に、フォトリソグラフィによりパターニングを
行なう（第１図Ｋに図示）。Next, a water-soluble resin film 9 is applied on the microlens 8, and a water-soluble resin film protective resist film 10 is applied on the water-soluble resin film 9. Then, a resist film 11 for opening a pad window is applied on the water-soluble resin film protective resist film 10, and is patterned by photolithography (shown in FIG. 1K).
次に、フッ化炭素CF4と酸素O2からなるプラズマ雰囲
気でドライエッチングを行なってアルミ電極３上の平坦
化膜４、保護膜６、水溶性樹脂膜９および水溶性樹脂膜
保護レジスト膜10を除去してパッド窓７を形成する（同
図Ｌに図示）。Next, dry etching is performed in a plasma atmosphere composed of fluorocarbon CF 4 and oxygen O 2 to make the flattening film 4, the protective film 6, the water-soluble resin film 9 and the water-soluble resin film protective resist film 10 on the aluminum electrode 3. Is removed to form a pad window 7 (shown in FIG. L).
最後に、パッド窓開け用レジスト膜11を剥離除去する
と共に、温水スピンエッチング装置により水溶性樹脂膜
９および水溶性樹脂膜保護レジスト膜10を剥離する（同
図Ｍに図示）。この際、水溶性樹脂膜保護レジスト膜10
は、水溶性樹脂膜９が温水によって溶出してリフトオフ
されて剥離される。Finally, the resist film 11 for opening the pad window is peeled off and the water-soluble resin film 9 and the water-soluble resin film protective resist film 10 are peeled off by a hot water spin etching apparatus (illustrated in FIG. M). At this time, the water-soluble resin film protective resist film 10
The water-soluble resin film 9 is eluted by warm water, lifted off, and peeled off.
このような本方法においては、マイクロレンズ８（マ
イクロレンズ用レジスト膜８′）とパッド窓開け用レジ
スト膜11との間に水溶性樹脂膜９が介在されるので、２
つのレジスト膜が混合することはなく、不溶な界面層が
生成されるのを防止することができ、界面層に起因する
撮像ムラによる歩留りの低下を回避することができる。In this method, since the water-soluble resin film 9 is interposed between the microlens 8 (resist film 8 'for microlenses) and the resist film 11 for opening a pad window, 2
The two resist films do not mix with each other, so that an insoluble interface layer can be prevented from being generated, and a reduction in yield due to uneven imaging caused by the interface layer can be avoided.
また、水溶性樹脂膜９とパッド窓開け用レジスト膜11
との間に、パッド窓開け用レジスト膜11の現像液に不溶
な水溶性樹脂膜保護レジスト膜10が介在されるので、パ
ッド窓開け用レジスト膜11のパターニングの際に現像液
より水溶性樹脂膜９が保護され、この水溶性樹脂膜９の
サイド方向の溶解を防止でき、パッド窓７を形成するた
めのパターンを精度よく形成することができる。Further, a water-soluble resin film 9 and a resist film 11 for opening a pad window are provided.
Since a water-soluble resin film-protecting resist film 10 insoluble in the developing solution for the pad window opening resist film 11 is interposed between the pad window opening resist film 11 and the pad window opening resist film 11, The film 9 is protected, the dissolution of the water-soluble resin film 9 in the side direction can be prevented, and a pattern for forming the pad window 7 can be accurately formed.
なお、上述例においては、第１レジスト膜が保護膜６
あるいはマイクロレンズ８である例を示したものである
が、パッド窓開け用レジスト膜11を塗布してパッド窓７
を形成する工程を平坦化膜４を形成後に行なうものにも
同様に適用することができる。この場合、第１レジスト
膜は平坦化膜４であり、同様の作用効果を得ことができ
る他、界面層がカラーフィルタの形成を妨げることもな
くなる。In the above-described example, the first resist film is formed of the protective film 6.
Alternatively, a microlens 8 is shown as an example.
Can be similarly applied to the case where the step of forming is performed after the formation of the flattening film 4. In this case, the first resist film is the flattening film 4 and can obtain the same function and effect, and the interface layer does not hinder the formation of the color filter.
また、上述例においては、カラーフィルタ５を有する
カラー固体撮像素子の製法について述べたものである
が、この発明は白黒用の固体撮像素子を製造する際にも
同様に適用できることは勿論である。要は、光電変換部
の近傍にボンディングパッド部を有する固体撮像素子で
あって、第１のレジスト膜上にパッド窓開け用の第２の
レジスト膜を形成してパターニングし、ボンディングパ
ッド部に通じるパッド窓を形成するものに良好に適用す
ることができる。Further, in the above-described example, the method of manufacturing a color solid-state imaging device having the color filter 5 has been described. However, it is needless to say that the present invention can be similarly applied to the case of manufacturing a black-and-white solid-state imaging device. In short, a solid-state imaging device having a bonding pad portion near the photoelectric conversion portion, in which a second resist film for opening a pad window is formed on the first resist film and patterned to communicate with the bonding pad portion. It can be applied favorably to those forming pad windows.
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によれば、第１のレジ
スト膜とパッド窓開け用の第２のレジスト膜の間に水溶
性樹脂膜が介在されるので、２つのレジスト膜が混合す
ることはなく、不溶な界面層の生成を防止でき、界面層
に起因する撮像ムラによる歩留りの低下を回避すること
ができる。また、水溶性樹脂膜とパッド窓開け用の第２
のレジスト膜の間に第２のレジスト膜の現像液に不溶な
水溶性樹脂膜保護レジスト膜が介在されるので、第２の
レジスト膜のパターニングの際にその現像液より水溶性
樹脂膜が保護され、この水溶性樹脂膜のサイド方向の溶
解を防止でき、パッド窓を形成するためのパターンを精
度よく形成することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since the water-soluble resin film is interposed between the first resist film and the second resist film for opening the pad window, two resist films are formed. Are not mixed, the generation of an insoluble interface layer can be prevented, and a reduction in yield due to imaging unevenness caused by the interface layer can be avoided. Also, a water-soluble resin film and a second pad opening pad window are provided.
Since a water-soluble resin film-protecting resist film insoluble in the developing solution of the second resist film is interposed between the resist films, the water-soluble resin film is protected by the developing solution when patterning the second resist film. Thus, the dissolution of the water-soluble resin film in the side direction can be prevented, and the pattern for forming the pad window can be accurately formed.
第１図はこの発明の実施例を説明する製造工程図、第２
図および第３図は固体撮像素子の一例の構成図、第４図
は従来例を説明する製造工程図である。 １……固体撮像素子基板 ２……光電変換部 ３……アルミ電極 ４……平坦化膜 ５……カラーフィルタ ６……保護膜 ７……パッド窓 ８……マイクロレンズ ９……水溶性樹脂膜 10……水溶性樹脂膜保護レジスト膜 11……パッド窓開け用レジスト膜FIG. 1 is a manufacturing process diagram for explaining an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 and FIG. 3 are configuration diagrams of an example of a solid-state imaging device, and FIG. 4 is a manufacturing process diagram illustrating a conventional example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Solid-state image sensor board 2 ... Photoelectric conversion part 3 ... Aluminum electrode 4 ... Flattening film 5 ... Color filter 6 ... Protective film 7 ... Pad window 8 ... Microlens 9 ... Water-soluble resin Film 10: Water-soluble resin film protective resist film 11: Resist film for opening pad windows
Claims (1)
を有する固体撮像素子の製法において、 第１のレジスト膜上にパッド窓開け用の第２のレジスト
膜を形成してパターニングし、上記ボンディングパッド
部に通じるパッド窓を形成する際、 上記第１のレジスト膜上に水溶性樹脂膜および上記第２
のレジスト膜の現像液に不溶な水溶性樹脂膜保護レジス
ト膜をこの順序で形成したのち上記第２のレジスト膜を
形成することを特徴とする固定撮像素子の製法。In a method of manufacturing a solid-state imaging device having a bonding pad in the vicinity of a photoelectric conversion unit, a second resist film for opening a pad window is formed on a first resist film and patterned. When forming a pad window leading to a portion, a water-soluble resin film and the second resin film are formed on the first resist film.
Forming a second resist film after forming a water-soluble resin film protective resist film insoluble in a developing solution of the resist film in this order.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006904A JP2573382B2 (en) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | Manufacturing method of solid-state image sensor |
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| JP2006904A JP2573382B2 (en) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | Manufacturing method of solid-state image sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211768A JPH03211768A (en) | 1991-09-17 |
| JP2573382B2 true JP2573382B2 (en) | 1997-01-22 |
Family
ID=11651225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006904A Expired - Fee Related JP2573382B2 (en) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | Manufacturing method of solid-state image sensor |
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| JP (1) | JP2573382B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866252B1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-10-30 | 주식회사 동부하이텍 | Method for fabrication the image senser |
| JP5668324B2 (en) * | 2010-05-14 | 2015-02-12 | Jsr株式会社 | Method for forming pad window leading to bonding pad and composition for forming protective film |
-
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03211768A (en) | 1991-09-17 |
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