JPS6394101A - 変位検出装置 - Google Patents

変位検出装置

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JPS6394101A
JPS6394101A JP23992286A JP23992286A JPS6394101A JP S6394101 A JPS6394101 A JP S6394101A JP 23992286 A JP23992286 A JP 23992286A JP 23992286 A JP23992286 A JP 23992286A JP S6394101 A JPS6394101 A JP S6394101A
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JP
Japan
Prior art keywords
magnet
magnetoresistive element
thin film
piston
resistance
Prior art date
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Pending
Application number
JP23992286A
Other languages
English (en)
Inventor
Morio Tamura
田村 盛雄
Hisanori Hashimoto
久儀 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
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Publication date
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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばシリンダ装置のピストン等の変位を検
出するのに用いて好適な変位検出装置に関し、特に、磁
気抵抗素子を組込むことによって構造を簡素化できる上
に、性能を向上させ得るようにした変位検出装置に関す
る。
〔従来技術〕
例えば、シリンダ装置を自動制御によって作動させる場
合には、ピストンのストローク、即ちピストンの変位を
検出する変位検出装置が必要となる。
そこで、第7図に従来技術による変位検出装置として、
ストローク検出機構を備えたシリンダ装置を例に挙げて
示す。
図において、lはシリンダを構成する金属製のチューブ
で、該チューブ1の両端はヘッド力バー2、ロッドカバ
ー3によって施蓋されている。そして、該チューブlの
一端側および他端側にはそれぞれ径方向に給排ボート4
,5が穿設されている。6はチューブl内に摺動可能に
挿嵌されたピストンで、該ピストン6はチューブl内を
2つの油室A、Hに画成している。そして、該各油室A
、B内には各給排ボート4,5を介して油液が給排され
、各油室A、B間の差圧によってピストン6はチューブ
l内を摺動変位されるようになっている。7は一端がチ
ューブ1内でピストン6に固着され、他端がロッドカバ
ー3を介して外部に突出したピストンロッドで、該ピス
トンロッド7の突出端には取付アイ8が設けられている
9はL字状に形成された検出口7ドで、該検出ロッド9
の基端9Aはピストンロッド7の取付アイ8にねじ等に
よって固設されている。そして、該検出ロッド9の先端
9B側は前記ロッドカバー3、チューブlの径方向に突
設されたガイド10.10を介してチューブ1の軸方向
に伸長している。11.11はチューブlの一端側外周
およびヘッドカバー2の外周に設けられたリミットスイ
ッチで、該各リミットスイッチ11は検出ロッド9がピ
ストン6と共に軸方向に変位するとき、検出ロッド9の
先端9BによってON、OFFされ、これによって、ピ
ストン6のストロークを検出するようになっている。
このように構成されるシリンダ装置では、給排ボート4
から油液を供給し、油室A内が高圧になると、ピストン
6が図中左側に変位し、油室B内の油液が給排ボート5
から排出され、逆に給排ボート5から油液を供給すると
、油室B内が高圧となってピストン6が図中右側に変位
し、油室A内の油液が給排ボート4から排出される。そ
して、該ピストン6が図中右側に変位するとき、これに
応じて検出ロッド9も右側に変位するから、該検出ロッ
ド9の先端9Bを各リミットスイッチ11によって検出
でき、これによって、ピストン6のストロークを検出す
ることができる。
然るに、上述した従来技術では、各リミットスイッチ1
1によってピストン6のストロークを検出しているから
、該ピストン6のストロ−クラ連続的に検出できないと
いう欠点がある。
また、他の従来技術として、第8図に示すようにピスト
ンロッド7の先端にポテンショメータ21の摺動部21
Aを取付け、ピストンロッド7の伸縮に対応して変位す
るピストン6のストロークをポテンショメータ21によ
って検出するようにしたもの等が知られている。
しかし、この従来技術では、ポテンショメータ21に長
さの制限があるから、ピストン6のストロークを一定範
囲内でしか検出できない上に、外部環境の変化、例えば
温度変化等により検出誤差が生じるという欠点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は上述した各従来技術の欠点に鑑みなされたもの
で、本発明は、例えばピストン等のストロークを全範囲
に亘って連続的に検出でき、性能を向上させることがで
きる上に、構造を簡素化できるようにした変位検出装置
を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上述した間通点を解決するために本発明は、所定寸法離
間して配置され、少なくともいずれか一方が抵抗線から
なる2本の導線と、該各導線間を埋めるように該各導線
間に配設された帯状の磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子
を磁界下に納めるべく、該磁気抵抗素子の一面側に重ね
合わせるように配設された帯状マグネットと、前記磁気
抵抗素子の他面側を該磁気抵抗素子に沿って変位し、該
帯状マグネットと対面する側が該帯状マグネットと同一
の極性を有する可動マグネットとからなり、該可動マグ
ネットによって前記磁気抵抗素子に磁界の反発作用によ
る導通領域を形成して、前記各導線間を短絡させ、該可
動マグネットの変位を各導線間の抵抗値の変化として検
出するようにしてなる構成を採用している。
〔作用〕
帯状マグネットにより磁界下におかれた磁気抵抗素子は
大きな抵抗値を示し、各導線間を非導通とするものの、
可動マグネットが対面する部位には磁界の反発作用によ
り抵抗値が小さくなって、導通領域が形成され、この磁
気抵抗素子の導通領域によって各導線間は短絡されるよ
うになる。そして、可動マグネットの変位に応じて磁気
抵抗素子の導通領域も移動し、各導線間の抵抗値が変化
する。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を第1図ないし第6図に基づいて
説明する。
第1図ないし第4図は本発明の第1の実施例を示してい
る。
図において、31は基板となるプレートを示し、該プレ
ート31は、例えばCFRP、 GFRP等の強化プラ
スチックまたはステンレス鋼等の非磁性材料によって第
3図中に示すように板状に形成されている。そして、該
プレート31はその一端31A側が、例えばシリンダ装
置のチューブ32等に固定され、他端31B側がピスト
ンロッド33の最大伸長位置まで延びるように形成され
ている。34.34は相互に所定寸法離間して、プレー
ト31の両側部側を平行に伸長するように配置された導
線としての抵抗線で、該各抵抗線34は、例えばN t
 −Cr系の抵抗体を真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング等の手段を用いてプレー)31上に薄
膜成形することにより形成され、後述する薄[36の両
側縁に接続されるようになっている(第3図参照)、そ
して、該各抵抗線34の一端にはリード線35.35が
それぞれ接続されている。
36は各抵抗線34間を埋めるように該各抵抗線34間
に配設された磁気抵抗素子の薄膜を示し、該薄膜36は
磁気抵抗素子の材料であるIn5b (インジウムアン
チモン)等を真空蒸着、スパッタリング等の手段を用い
てプレート31上に薄膜成形することにより帯状に形成
されている。即ち、該薄ll5I36はプレー)31の
両側部側に予め各抵抗線34を配設した後、該各抵抗線
34間を埋めるようにプレート31上に薄膜成形され、
該薄膜36および各抵抗線34の厚みは数JLm程度に
形成される。ここで、該薄膜36は磁界下におかれると
磁気抵抗素子としてその抵抗値が十数倍となって、各抵
抗線34間を非導通とし、部分的に無磁界あるいは無磁
界に近い状態におかれると、抵抗値が小さくなって、こ
の部分が導通領域Eとなり、各抵抗線34間を短絡させ
るようになっている(第2図、第3図参照)。
37は磁気抵抗素子の薄膜36を所定の磁界下に納める
べく、該薄膜36の上面側に重ね合わせるように配設さ
れた帯状マグネットを示し、該帯状マグネット37はプ
ラスチック磁石または磁性薄膜等によって薄膜36とほ
ぼ同じ大きさに形成され、該薄膜36上に積層されるよ
うになっている。そして、該帯状マグネット37はその
下面側が第2図中に示す如く、例えばN極とって下向き
に磁力線Fl を走らせるようになっている。なお、第
1図ないし第3図では帯状マグネット37、プレート3
1および薄膜36等を説明の都合上分離して示している
が、こ、Mらは相互に積層化されるものである。
さらに、38はプレート31の下面側を該プレー) 3
.1に沿って変位する可動マグネットを示し、該可動マ
グネット38は第3図中に示す如く、例えば薄膜36の
幅寸法に対応する寸法をもって板状に形成され、ピスト
ンロッド33の先端側に一体的に設けられるようになっ
ている。ここで、該可動マグネット38は帯状マグネッ
ト37と対面する上面側がN極となって、第2図中の上
向きに磁力線F2 を走らせ、該磁力1i!F 2 に
より帯状マグネット37の磁力線Fl を部分的に反発
させて、例えばこの部分を無磁界状態におくようになっ
ている。この結果、該可動マグネット38が対面する薄
膜36の部位には磁界の反発作用によって抵抗値の小さ
くなる導通領域Eが形成され、各抵抗線34間はこの導
通領域Eを介して短絡される。そして、該可動マグネッ
ト38がピストンロッド33の伸縮によって矢示G、H
方向に変位されるときには、薄膜36の導通領域Eも同
方向に変位して、各抵抗線34間の抵抗値が変化する。
本実施例は上述の如き構成を有するもので、帯状マグネ
ット37の磁界下におかれた磁気抵抗素子の薄膜36に
は可動マグネット38による磁界の反発作用によって、
該可動マグネット38が対面する部位に導通領域Eが形
成され、該導通領域Eを介して各抵抗線34間は短絡さ
れ、第4図中に示す導電性の短絡体39と同等の作用を
得ることができる。即ち、短絡体39は各抵抗線34間
を矢示G、H方向に摺動変位して、該各抵抗線34間を
その変位位置で短絡させ、該各抵抗線34間の抵抗値を
変化させるようになっている。
かくして、本実施例によれば、ピストンロッド33を伸
縮させて、可動プグネー、ト38を矢示G、H方向に変
位させれば、これに応じて薄膜36の導通領域Eも同方
向に移動し、その移動位置で各抵抗線34間を短絡させ
ることができ、ピストンロッド33の変位、即ちビスト
ンストロークを各抵抗線34間の抵抗値の変化として検
出することができ、全ストロークを連続的に検出するこ
とが可能となる。また、プレート31、各抵抗線34、
薄膜36および帯状マグネット37は相互に積層される
から、全体の構造を簡素化して、コンパクトに形成でき
る上に、第4図に示す短絡体39のように各抵抗線34
間を摺動させる必要がなくなり、寿命を大幅に向上させ
ることができる。
さらに、磁気抵抗素子の薄膜36はプレート31と帯状
ヤグネット37との間に積層化されているから、該薄膜
36を外部に対して保護できる上に、外部環境の変化に
よって検出誤差等が生じるのを防止することができる等
、種々の効果を奏する。
第5図および第6図は本発明の第2の実施例を示し、本
実施例の特徴は磁気抵抗素子の薄膜や帯状マグネット等
をシリンダ装置のチューブ内に設け、可動マグネットを
ピストンに埋設して、ビストンストロークを検出するよ
うにしたことにある。
図中、41はシリンダ装置の本体を構成するチューブを
示し、該チューブ41は、例えばCFI’lP、GFR
P等の強化プラスチックまたはステンレス鋼等の非磁性
材料によって形成された内筒42と、該内筒42の外周
面に炭素am入り強化プラスチック材料等をフィラメン
トワインディング法等の手段を用いて巻付けることによ
って形成した外筒43とからなり、該外筒43は、例え
ば炭素繊維等の糸状m維材料にポリイミド樹脂やエポキ
シ樹脂等の熱硬化性樹脂材料を含浸させて、これらを内
筒42の外周面に所定の巻角をもって交差巻付けし、必
要な厚みに仕上げて、これらを熱硬化させることによっ
て形成されている。44゜45はチューブ41の軸方向
両端側を施蓋しているヘッドカバーおよびロッドカバー
をそれぞれ示し、ヘッドカバー44には後述のリード線
50を導出する小孔44Aが穿設されている。
46は内筒42内に摺動回部に挿嵌されたピストンを示
し、該ピストン46は、例えば強化プラスチックまたは
ステンレス鋼等の非磁性材料によって形成され、該ピス
トン46の外周側には後述の可動でグネット52が埋設
されている。47は一端がピストン46に固着され、他
端がロッドカバー45を介して外部に突出したピストン
ロッドを示し、該ピストンロッド47はピストン46の
摺動変位に応じてチューブ41から伸縮し、このときに
他端側から出力を導出するようになっている。
48.48は導線としての抵抗線、49は磁気抵抗素子
の薄膜を示し、該各抵抗線48および薄膜49は前記第
1の実施例で述べた各抵抗線34および薄膜36とほぼ
同様に形成され、内筒42の外周面上に軸方向に伸長し
て配設されている。
そして、該各抵抗線48の一端には小孔44Aを介して
外部に導出されたリード線50.50が接続され、該各
リード線50の端子C,D間には所定の電圧が印加され
るようになっている。51は磁気抵抗素子の薄膜49の
上面側に積層された帯状マグネットを示し、該帯状マグ
ネット51は前記第1の実施例で述べた帯状マグネット
37とほぼ同様にプラスチック磁石または磁性g膜等に
よって形成され、磁気抵抗素子のS膜49を所定の磁界
下におくようになっている。
なお、帯状マグネット51を磁性薄膜によって形成する
場合には、予め磁気抵抗素子の薄膜49上に、例えばC
r  I cu l st  t sl 02等の非磁
性薄膜を蒸着させた後に、この上から例えばFe −N
i  、Bi2O3、Ni−Cr等の磁性薄膜を蒸着さ
せるようにすればよい、また、該帯状マグネッ)51お
よび薄膜49等は、第1の実施例で述べたプレート31
に替えて内筒42の外周面上に積層されており、該内筒
42の外周面に沿って湾曲して形成されている。そして
、該帯状マグネット51の上面側には前記外筒43がフ
ィラメントワインディング法等の手段を用いて密着して
形成されている。
さらに、52はピストン46の外周側に埋設された可動
マグネットを示し、該可動マグネット52は前記第1の
実施例で述べた可動マグネット38とほぼ同様に形成さ
れるものの、該可動マグネット52はピストン46の全
周に亘って伸長するようにリング状に形成され、その外
周面側か帯状マグネット51の下面側と同一の磁極を有
するようになっている。なお、ピストン46が内筒42
に対して相対回転しない場合には、該可動マグネット5
2をピストン46の全周に亘ってリング状に形成する必
要はなく、帯状マグネット51や薄膜49と対応する部
分にのみ設けるようにすればよい。
かくして、このように構成される本実施例でも前記第1
の実施例とほぼ同様の作用効果を得ることができるが、
特に、本実施例では、磁気抵抗素子の薄膜49、各抵抗
線48および帯状マグネット51等をチューブ41の内
筒42と外筒43との間に埋込むようにして設けたから
、検出対象物であるシリンダ装置のチューブ41内に薄
膜49および帯状マグネット51等からなる変位検出装
置を内蔵させることができ、全体をさらにコンパクトに
形成することが可能となる。また、薄膜49をより確実
に保護することができ、外部環境の変化によって検出誤
差等が生じるのをさらに確実に防止できる。そして、ピ
ストン46と一体的に変位する可動マグネット52によ
り磁気抵抗素子の薄膜49に導通領域を形成して、各抵
抗線48間を短絡させることによって、ピストン46の
ストロークを全範囲に亘って連続的に各抵抗線48間の
抵抗値の変化として検出できる。
なお、前記各実施例では、2本の抵抗線34(48)を
用いるものとして述べたが、該各抵抗線34(48)の
うちいずれか一方を導電性の高い導線によって形成して
もよい。
また、前記第1の実施例では、可動マグネット38をピ
ストンロッド33に設けるものとして述べたが、該ピス
トンロッド33が鉄等の磁性材料によって形成される場
合には、該ピストン33と可動マグネット38との間に
非磁性材を介在させるようにすればよい。
また、前記第2の実施例では、外筒43をフィラメント
ワインディング法を用いて形成するものとして述べたが
、これに替えて、外筒43をテープワインディング法等
、種々の成形方法を用いて形成するようにしてもよい、
内筒42についても外筒43と同様に成形してもよい。
〔発明の効果〕
以上詳述した通り、本発明によれば2本の導線間に帯状
の磁気抵抗素子を配設し、該磁気抵抗素子の一面側に帯
状マグネットを重ね合わせて、該磁気抵抗素子を磁界下
に納めるようにし、可動マグネットにより磁気抵抗素子
に導通領域を形成して、各導線間を短絡させることによ
って、可動マグネットの変位を各導線間の抵抗値の変化
として検出するようにしたから、構造を簡素化できる上
に、性能を向上させて、例えばシリンダ装置等のビスト
ンストロークを全範囲に亘って連続的に検出することが
可撓となる等、種々の作用効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図は本発明の第1の実施例を示し、第
1図は変位検出装置をシリンダ装置に組付けた状態を示
す全体図、第2図は第1図中に示す変位検出装置の動作
説明図、第3図は第1図中に示す変位検出装置の分解斜
視図、第4図は第1図中に示す変位検出装置の原理説明
図、第5図および第6図は第2の実施例を示し、第5図
は変位検出装置を組込んだシリンダ装置を示す縦断面図
、第6図は第5図中の矢示VI−V1方向断面図、第7
図は従来技術によるストローク検出機構付シリンダ装置
を示す縦断面図、第8図は他の従来技術によるストロー
ク検出機構付シリンダ装置を示す縦断面図である。 31・・・プレート、32.41・・・チューブ、33
.47・・・ピストンロッド、34.48・・・抵抗線
、35.50・・・リード線、36.49・・・薄膜(
磁気抵抗素子)、37.51・・・帯状マグネット、3
8.52・・・可動マグネット、42・・・内筒、43
・・・外筒、46・・・ピストン、C,D・・・端子、
Fl、F2・・・磁力線。 特許出願人    日立建機株式会社 代理人 弁理士    広 瀬 和 彦同      
    中  村  直  横笛1図 第2図 38′

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 所定寸法離間して配置され、少なくともいずれ
    か一方が抵抗線からなる2本の導線と、該各導線間を埋
    めるように該各導線間に配設された帯状の磁気抵抗素子
    と、該磁気抵抗素子を磁界下に納めるべく、該磁気抵抗
    素子の一面側に重ね合わせるように配設された帯状マグ
    ネットと、前記磁気抵抗素子の他面側を該磁気抵抗素子
    に沿って変位し、該帯状マグネットと対面する側が該帯
    状マグネットと同一の極性を有する可動マグネットとか
    らなり、該可動マグネットによって前記磁気抵抗素子に
    磁界の反発作用による導通領域を形成して、前記各導線
    間を短絡させ、該可動マグネットの変位を各導線間の抵
    抗値の変化として検出するように構成してなる変位検出
    装置。
  2. (2) 前記可動マグネットはシリンダ装置のピストン
    に埋設され、該シリンダ装置のチューブには前記各導線
    、磁気抵抗素子および帯状マグネットを設けてなる特許
    請求の範囲(1)項記載の変位検出装置。
JP23992286A 1986-10-08 1986-10-08 変位検出装置 Pending JPS6394101A (ja)

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JP23992286A JPS6394101A (ja) 1986-10-08 1986-10-08 変位検出装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008530541A (ja) * 2005-02-08 2008-08-07 コンティネンタル オートモーティヴ フランス 非接触位置センサにおける磁気インピーダンスの利用及び関連するセンサ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008530541A (ja) * 2005-02-08 2008-08-07 コンティネンタル オートモーティヴ フランス 非接触位置センサにおける磁気インピーダンスの利用及び関連するセンサ

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