JPS6392055A - Image reading apparatus - Google Patents

Image reading apparatus

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JPS6392055A
JPS6392055A JP61237069A JP23706986A JPS6392055A JP S6392055 A JPS6392055 A JP S6392055A JP 61237069 A JP61237069 A JP 61237069A JP 23706986 A JP23706986 A JP 23706986A JP S6392055 A JPS6392055 A JP S6392055A
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JP
Japan
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light
image reading
switch part
optical sensor
section
Prior art date
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Pending
Application number
JP61237069A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuto Kawai
達人 川合
Noriyuki Umibe
紀之 海部
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6392055A publication Critical patent/JPS6392055A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer

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Abstract

PURPOSE:To secure sufficient image reading performance, by inputting illumina tion light through a part, which is closer to a switch part viewed from a posi tion to be read, directing the component of the light reflected from the position to be read on an original toward the direction that is distant from the switch part, and reducing the amount of light reaching the switch part. CONSTITUTION:A light source 230 is arranged on the side of a switch part 213 viewed from a position to be lighted on the surface of an original. There fore, the position to be lighted on the surface of the original P is distant from the switch part 213. The component of the light, which undergoes mirror reflec tion at the interface of a protective layer 229 of the light and the component of the light, which undergoes mirror reflection at the surface of the original P, are directed toward the direction distant from the switch part 213. Therefore almost no luminous flux or a very small amount of luminous flux propagates in the protective layer 229 and reaches the switch part 213. Thus, a special member for blocking the input of the light into the switching part is not required. The incident light into the switch part 213 is decreased with a simple constitution, and stability in image reading can be secured.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、画像読取装置に関し、例えば−次元ラインセ
ンサを有し、その−次元ラインセンサ上に対し密着させ
た状態で画像読取りに係る原稿を相対的に8動させつつ
画像情報を読取るファクシミリ装置、イメージリーダ等
に適用して好適な画像読取装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an image reading device, which includes, for example, a -dimensional line sensor, and which reads an image of a document in close contact with the -dimensional line sensor. The present invention relates to an image reading device suitable for application to facsimile machines, image readers, etc., which reads image information while relatively moving the image information.

[従来の技術] 従来より、この種密着型と呼ばれる画像読取装置として
は、ロッドレンズアレイを用いて、原稿面上の画像を光
電変換素子を有する光センサもしくはその群上に投影す
ることにより読取りを行うものが多く作成されてきた。
[Prior Art] Conventionally, this type of image reading device called a close-contact type uses a rod lens array to read an image on a document surface by projecting it onto an optical sensor having a photoelectric conversion element or a group thereof. Many things have been created that do this.

これに対し、最近では、コストダウンおよび一層の小型
化等を目的として、ロッドレンズアレイを使用せず、光
センサ上に薄い透明保護層を被覆したものを直接原稿に
接触させて画像を読取るようにしたものの開発が盛んで
ある。
In contrast, recently, with the aim of reducing costs and further downsizing, images have been read by using an optical sensor coated with a thin transparent protective layer and directly contacting the document, without using a rod lens array. There is active development of new products.

また、光センサを駆動してその出力をスイッチングする
ためのスイッチ素子を薄膜トランジスタ(TPT)で構
成し、これを光センサと同一の基板上に同一の製造工程
で同時に形成するようにしたものが知られている。
In addition, it is known that the switching element for driving the optical sensor and switching its output is composed of a thin film transistor (TPT), and this is formed simultaneously on the same substrate as the optical sensor in the same manufacturing process. It is being

第5図はこの種従来の画像読取装置の一例を示す。ここ
で、1は光センサ部、2は光センサ部1の出力を蓄積す
るコンデンサである。3はコンデンサ部2に蓄積された
電荷を転送して信号処理に供するためのスイッチ部であ
り、光センサ部1とほぼ同様の積層構造を有するTPT
で構成されている。これら各部1〜3は透明の基板4上
に設けた遮光層5の上に形成されており、基板4の裏面
側に配置した光源8より窓部(遮光層5の非形成部分)
9を介して入射し、原稿P面で反射された光りを光セン
サ部1において受容する。
FIG. 5 shows an example of a conventional image reading device of this type. Here, 1 is an optical sensor section, and 2 is a capacitor that accumulates the output of the optical sensor section 1. 3 is a switch section for transferring the charge accumulated in the capacitor section 2 for signal processing, and is a TPT having almost the same laminated structure as the optical sensor section 1.
It consists of Each of these parts 1 to 3 is formed on a light shielding layer 5 provided on a transparent substrate 4, and the window portion (portion where the light shielding layer 5 is not formed) is located from the light source 8 disposed on the back side of the substrate 4.
The light that enters through the light source 9 and is reflected by the surface of the document P is received by the optical sensor section 1 .

一方、原稿Pとセンサ部1との間の間隔は、通常0.1
mm程度として4〜8木/mo+の読取り解像力が得ら
れるが、このような解像力を確保するために上記間隔は
厳密に制御されなければならない。
On the other hand, the distance between the original P and the sensor unit 1 is usually 0.1
A reading resolution of 4 to 8 wood/mo+ can be obtained for approximately 4 mm, but in order to ensure such resolution, the above-mentioned spacing must be strictly controlled.

該間隔の制御は、透明の保護層20をセンサ部lの上面
に被覆形成することによって行われる。
The spacing is controlled by coating the upper surface of the sensor part l with a transparent protective layer 20.

このような構成において、光しは光センサ部1・に入射
したあと、この先センサ部1や原稿P面。
In such a configuration, the light beam enters the optical sensor section 1, and then reaches the sensor section 1 and the surface of the document P.

保護層20界面等で反射され、拡散するので、この光束
の一部がスイッチ部3にまで至ることがある。
Since it is reflected and diffused at the interface of the protective layer 20 and the like, a part of this luminous flux may reach the switch section 3.

ところが、スイッチ部3は光センサ部1とほぼ同様の構
成であるので、光が入射するとその特性が変化し、画像
読取性能に重大な悪影響を与えることになる。
However, since the switch section 3 has substantially the same configuration as the optical sensor section 1, its characteristics change when light is incident, which has a serious adverse effect on image reading performance.

[発明が解決しようとする問題点コ このようなスイッチ部3への光の入射を防止するために
は、第6図に示すように、スイッチ部3上に絶縁層3A
を介して金属等の遮光層3Bを設けたり、あるいは第7
図に示すように、スイッチ部3への光の反射を除くべく
保護層20上に光吸収層2〇八を設けることが考えられ
る。
[Problems to be Solved by the Invention] In order to prevent such light from entering the switch section 3, as shown in FIG.
A light shielding layer 3B made of metal or the like may be provided through the
As shown in the figure, it is conceivable to provide a light absorption layer 208 on the protective layer 20 in order to eliminate the reflection of light toward the switch section 3.

しかしながら、これらのような構成とすることは、画像
読取装置の製造工程を徒らに複雑化し、高価格化の要因
ともなるので、各部1〜3を同一の製造工程で作成する
ことによる利点を最大限に生かしたものであると言い難
い。
However, using such a configuration unnecessarily complicates the manufacturing process of the image reading device and increases the price. It's hard to say that I made the most of it.

本発明は、従来何ら考慮されていなかった光の入射方向
に着目し、これを適切に定めて、厳重な遮光を施すこと
なくスイッチ部への光の入射を皆無ないしは著しく低減
化できるようになし、以て上記問題点を解決することを
目的とする。
The present invention focuses on the incident direction of light, which has not been considered in the past, and determines the direction appropriately, thereby making it possible to eliminate or significantly reduce the incidence of light into the switch section without strict light shielding. , the purpose is to solve the above problems.

[問題点を解決するための手段] かかる目的を達成するために、本発明は、基板基板トに
設けられた光センサと、基板上に光センサと同様の構成
で設けられ光センサの出力のスイッチングを行うスイッ
チ部とを具え、基板の裏面側より窓部を介して照明光を
原稿面の被読取位置に照射し、その反射光を光センサに
受容する画像読取装置において、照明光が、被読取位置
から見て前記スイッチ部に近い側より入射されるように
したことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention includes an optical sensor provided on a substrate, and an optical sensor provided on the substrate with the same configuration as the optical sensor. In an image reading device that includes a switch section that performs switching, illuminates a position to be read on a document surface with illumination light from the back side of a substrate through a window section, and receives the reflected light on an optical sensor, the illumination light is It is characterized in that the light is incident from the side closer to the switch section when viewed from the position to be read.

[作 用コ すなわち、本発明によれば、原稿の被読取位置で反射さ
れる光の成分はスイッチ部から遠い方向へ向うため、ス
イッチ部に至る光の光量は著しく低減化する。
[Operations] That is, according to the present invention, the component of the light reflected at the reading position of the document is directed in a direction far from the switch section, so that the amount of light reaching the switch section is significantly reduced.

[実施例] 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図(^) 、 (B)および(C)は、それぞれ光
センサ部、電荷蓄積部(コンデンサ部)およびスイッチ
部等を一体に形成した形態の画像読取装置の一実hζ例
を示す平面図、そのB−B線断面図およびC−C線断面
図を示す。
FIGS. 1(^), (B) and (C) are plane views showing an example of an image reading device in which an optical sensor section, a charge storage section (capacitor section), a switch section, etc. are integrally formed, respectively. , its BB sectional view and CC line sectional view are shown.

本例では、画像読取りの1ビツトに対応した光センサ部
208等を、基板上にライン状に複数個数整列させて、
1次元ラインセンサを構成したものである。例えば、原
稿Pの幅方向(原fA Pの移動方向と直交する方向)
に、A4サイズ相当の216mmにわたって8木/mm
の解像度をもたせるとすれば、1728個の光センサ部
208を配列することができる。
In this example, a plurality of optical sensor sections 208 and the like corresponding to one bit of image reading are arranged in a line on the substrate.
This is a one-dimensional line sensor. For example, the width direction of the original P (direction perpendicular to the moving direction of the original fA P)
8 wood/mm over 216mm equivalent to A4 size
If the resolution is to be provided, 1728 optical sensor sections 208 can be arranged.

また、本例では光センサ部と、光センサ部の出力を蓄積
するコンデンサ部と、当該蓄積された電荷を転送して信
号処理に供するためのスイッチ部と、必要な配線パター
ン等とを同一の製造工程で基板上に形成しである。
In addition, in this example, the optical sensor section, the capacitor section that accumulates the output of the optical sensor section, the switch section that transfers the accumulated charge and uses it for signal processing, and the necessary wiring pattern etc. It is formed on the substrate during the manufacturing process.

第1図(A)〜(C)において、201は透明な基板、
210はマトリクス配線部、208は光センサ部、21
2は電荷蓄積部、213は転送用スイッチ213aおよ
び電荷蓄積部212の電荷をリセットする放電用スイッ
チ213bを含むスイッチ部、214は転送用スイッチ
の信号出力を適宜の信号処理部に接続する配線、223
は転送用スイッチ213aによって転送される電荷を蓄
積し、読み出すための負荷コンデンサである。
In FIGS. 1(A) to (C), 201 is a transparent substrate;
210 is a matrix wiring section, 208 is a light sensor section, 21
2 is a charge storage unit; 213 is a switch unit including a transfer switch 213a and a discharge switch 213b for resetting the charge in the charge storage unit 212; 214 is a wiring that connects the signal output of the transfer switch to an appropriate signal processing unit; 223
is a load capacitor for accumulating and reading out the charge transferred by the transfer switch 213a.

性半導体層14としてa−5i:If膜が用いらね、絶
縁層203としてグロー放電による窒化シリコン膜(S
iNH)が用いられている。
An a-5i:If film is used as the semiconductor layer 14, and a silicon nitride film (S) is used as the insulating layer 203.
iNH) is used.

なお、第1図(八)においては、煩雑さを避けるために
、上下二層の電極配線のみ示し、光4電性半導体層14
、絶縁層203および保護層229は図示していない。
In addition, in FIG. 1 (8), in order to avoid complexity, only the upper and lower two layers of electrode wiring are shown, and the photoconductive semiconductor layer 14 is
, the insulating layer 203 and the protective layer 229 are not shown.

また光導電性半導体層14および絶縁層203は光セン
サ部208、電荷蓄積部212)転送用スイッチ213
aおよび放電用スイッチ213bに形成されているほか
、上層電極配線と基板との間にも形成されている。さら
に上層型8i配線と光導電性半導体層との界面にはn3
にドープされたa−5i:H層205が形成され、オー
ミック接合がとられている。
Furthermore, the photoconductive semiconductor layer 14 and the insulating layer 203 include a photosensor section 208, a charge storage section 212) and a transfer switch 213.
In addition to being formed on the discharge switch 213b and the discharge switch 213b, it is also formed between the upper layer electrode wiring and the substrate. Furthermore, at the interface between the upper type 8i wiring and the photoconductive semiconductor layer, n3
A doped a-5i:H layer 205 is formed to form an ohmic contact.

また、本実施例のラインセンサの配線パターンにおいて
は、各センサ部から出力される信号経路はすべて他の配
線と交差しないように配線されており、各イ8号成分間
のクロストーク並びにゲート電極配線からの誘導ノイズ
の発生を防いでいる。
In addition, in the wiring pattern of the line sensor of this embodiment, all signal paths output from each sensor section are wired so as not to intersect with other wiring, and crosstalk between each No. 8 component and the gate electrode Prevents induced noise from wiring.

光センサ部208において、218および217は上層
電極配線である。画像読取位置から見て、スイッチ部2
13に近い側に配置された光源230から入射窓219
を介して入射され、原稿面で反射された光はa−5i:
Hたる光導電性半導体層14の導電率を変化させ、くし
状に対向する上層電極配線216゜217間に流れる電
流を変化させる。なお、202は金属等の遮光層である
In the optical sensor section 208, 218 and 217 are upper layer electrode wirings. Switch section 2 when viewed from the image reading position
From the light source 230 located on the side closer to the entrance window 219
The light incident on the document surface and reflected on the document surface is a-5i:
By changing the conductivity of the photoconductive semiconductor layer 14, the current flowing between the upper layer electrode wirings 216 and 217 facing each other in a comb shape is changed. Note that 202 is a light shielding layer made of metal or the like.

電荷蓄積部212は下層電極配線214と、この下層電
極配線214上に形成された絶縁層203と光導電性半
導体14との麩電体と、光導電性半導体層14上に形成
され、光センサ部の上層電極配線2!7に連続した配線
とから構成される。この電荷蓄積部212の構造はいわ
ゆる旧S(Metal−1nsulater−5emi
conductor)  :7ンデンサと同じ構造であ
る。バイアス条件は正負いずれても用いることができる
が、下層電極配線214を常に負にバイアスする状態て
用いることにより、安定な容量と周波数特性を得ること
かできる。
The charge storage section 212 is formed on the lower electrode wiring 214, the insulating layer 203 formed on the lower electrode wiring 214, the photoconductive semiconductor 14, and the photoconductive semiconductor layer 14, and serves as an optical sensor. The upper layer electrode wirings 2 and 7 are connected to each other. The structure of this charge storage section 212 is the so-called old S (Metal-1nsulater-5emi) structure.
conductor): Same structure as the 7 conductor. Although either positive or negative bias conditions can be used, stable capacitance and frequency characteristics can be obtained by always biasing the lower electrode wiring 214 negatively.

図中(C)は転送用スイッチ213aおよび放電用スイ
ッチ213bを含むTFT構造のスイッチ部213を示
し、転送用スイッチ213aは、ケート電極たる下層電
極配線224(スイッチ213aに対する遮光層として
も機能する)と、ゲート絶縁層をなす絶縁層203と、
光導電性半導体層14と、ソース電柵たる上層電極配線
225 と、トレイン電極たる上層電極配線217等と
から構成される。放電用スイッチ213bのゲート絶縁
層および光導電性半導体層は絶縁層203および光導電
性半導体層14と同一層であり、ソース電極は上層電極
配線217、ゲート電極は下層電極配線227(スイッ
チ213bの遮光層としても機能する)、ドレイン電極
は上層電極配線226である。また、234は転送用ス
イッチ213aのゲート電極に接続される下層配線であ
る。
In the figure, (C) shows a switch section 213 having a TFT structure including a transfer switch 213a and a discharge switch 213b. and an insulating layer 203 forming a gate insulating layer,
It is composed of a photoconductive semiconductor layer 14, an upper layer electrode wiring 225 serving as a source electric fence, an upper layer electrode wiring 217 serving as a train electrode, and the like. The gate insulating layer and photoconductive semiconductor layer of the discharge switch 213b are the same layer as the insulating layer 203 and the photoconductive semiconductor layer 14, the source electrode is the upper layer electrode wiring 217, and the gate electrode is the lower layer electrode wiring 227 (of the switch 213b). (also functions as a light shielding layer), and the drain electrode is the upper electrode wiring 226. Moreover, 234 is a lower layer wiring connected to the gate electrode of the transfer switch 213a.

前述したように、上層電極配線217 、225および
226 と光導電性半導体層14との界面には、a−5
t:Hのn+層205が介在し、オーミック接触を形成
している。
As mentioned above, at the interface between the upper electrode wirings 217, 225, and 226 and the photoconductive semiconductor layer 14, a-5
A t:H n+ layer 205 is interposed to form an ohmic contact.

以上のように本例に係るラインセンサは、光センサ部、
電荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マトリ
クス配線部の各構成部のすべてが光導電性半導体層およ
び絶縁層等の積層構造を有するので、各部を同一プロセ
スにより同時形成することができる。
As described above, the line sensor according to this example includes an optical sensor section,
Since each component of the charge storage section, transfer switch, discharge switch, and matrix wiring section all has a laminated structure of a photoconductive semiconductor layer, an insulating layer, etc., each component can be formed simultaneously by the same process.

第2図は第1図示の画像読取装置を模式的に示し、本図
を用いて第1図示の実施例の作用効果を説明する。
FIG. 2 schematically shows the image reading device shown in the first drawing, and the effects of the embodiment shown in the first drawing will be explained using this figure.

従来装置(第5図)では、原fA P面で反射された光
束の一部は保護層界面、光電変換素子付近の配線パター
ン等によりくり返し反射され、スイッチ部に到るのに対
し、本実施例では、光源230は原稿面め被照明位置か
らみてスイッチ部213側に配置されているので、原稿
P面の被照明位置が第5図示の構成に比してスイッチ部
213から遠い。
In the conventional device (Fig. 5), a part of the light beam reflected by the original fAP plane is repeatedly reflected by the protective layer interface, the wiring pattern near the photoelectric conversion element, etc., and reaches the switch section. In the example, since the light source 230 is arranged on the switch section 213 side when viewed from the illuminated position on the document surface, the illuminated position on the document P side is farther from the switch section 213 than in the configuration shown in FIG.

しかも光の保護層229界面で鏡面反射される成分、原
fA P表面で鏡面反射される成分がスイッチ部213
からより遠い方向に向うので、保護層229内を伝播し
てスイッチ部213に到る光束がほとんど無いか、少な
くとも従来例に比して著しく少ない。
In addition, the component that is specularly reflected at the interface of the light protective layer 229 and the component that is specularly reflected at the surface of the original fAP are
Since the light beam is directed in a direction further away from the light beam, there is almost no light flux that propagates within the protective layer 229 and reaches the switch section 213, or at least it is significantly smaller than in the conventional example.

すなわち、本例によれば、スイッチ部213への光の入
射を阻止する特別の部材を設けることなく、簡単な構成
でスイッチ部213への入射光を低減化し、画像読取り
の安定性を確保できる。
In other words, according to this example, the light incident on the switch section 213 can be reduced with a simple configuration and the stability of image reading can be ensured without providing a special member to prevent light from entering the switch section 213. .

第3図および第4図は、それぞれ、本発明の他の実施例
を示す斜視図、およびそのA−A’線断面を模式的に示
す説明図であり、ここで第1図(A)〜(C)および第
2図に示した実施例と同様の各部については対応個所に
同一の符号を付しである。本例では、原稿Pの照明光り
を導入する窓部を光センサ部208 とスイッチ部21
3との間に設けである。
3 and 4 are respectively a perspective view showing another embodiment of the present invention and an explanatory view schematically showing a cross section taken along the line AA', and FIGS. Components similar to those in the embodiment shown in FIG. 2 and FIG. 2 are designated by the same reference numerals. In this example, the window for introducing the illumination light of the original P is the optical sensor section 208 and the switch section 21.
It is provided between 3 and 3.

本実施例に係る画像読取装置では、保護層229界面や
原稿2表面での鏡面反射光が直接光センサ部208に入
射するために、解像度は幾分劣化する傾向にあるが、原
稿Pが保護層229表面に密着せず、図示のように多少
浮いた状態で搬送されているときでも、あるいは保護層
229の厚みが均一でない場合にも、原稿Pの地の部分
を読取っているときにセンサ部208に入射する光量は
さほど変化しないので、安定した画像読取りが行えると
いう利点がある。
In the image reading device according to this embodiment, since specular reflection light from the interface of the protective layer 229 and the surface of the original 2 directly enters the optical sensor unit 208, the resolution tends to deteriorate somewhat; Even when the layer 229 is not in close contact with the surface and is being transported slightly floating as shown in the figure, or when the thickness of the protective layer 229 is not uniform, the sensor may Since the amount of light incident on the section 208 does not change much, there is an advantage that stable image reading can be performed.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、原稿照明光束の
入射方向を原稿面上の被読取位置に対して、よりスイッ
チ部に近い側から入射せしめるように構成したので、簡
単な構成でスイッチ部に入射する光量を低減化できる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the incident direction of the document illumination light beam is made to enter from the side closer to the switch section with respect to the position to be read on the document surface. The amount of light incident on the switch section can be reduced with a simple configuration.

すなわち、本発明によれば、スイッチ部に関して、従来
の如き特別な遮光手段を施さずとも、十分な画像読取性
能を確保せしめることができるという優れた効果が得ら
れる。
That is, according to the present invention, it is possible to obtain the excellent effect that sufficient image reading performance can be ensured with respect to the switch portion without providing a special light shielding means as in the prior art.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(A) 、 (B)および(C)は、それぞれ、
光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一体に形成
した形態の画像読取装置の一実施例を示す平面図、その
B−B線断面図、およびC−C線断面図、 第2図は第1図示の実施例の作用効果を説明するために
、その断面を模式的に示す説明図、第3図は本発明の他
の実施例を示す斜視図、第4図は第3図示の実施例の作
用効果を説明するためにその断面を模式的に示す説明図
、第5図は従来の画像読取装置の一例を模式的に示す説
明図、 第6図および第7図は第5図示の従来例におけるスイッ
チ部に対して遮光部材を設けた形態の画像読取装置の2
例を示す説明図である。 1.208・・・光センサ部、 2.212・・・コンデンサ部、 3.213・・・スイッチ部、 4.201・・・透明基板、 5.20’2,214,224,227・・・遮光層、
8.230・・・光源、 9.219・・・入射窓、 14・・・半導体層、 20.229・・・保護層、 216.217・・・電極(配線)、 P・・・原稿、 し・・・光。 第1図 第5図 第6図
Figures 1 (A), (B) and (C) are, respectively,
FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of an image reading device in which an optical sensor section, a charge storage section, a switch section, etc. are integrally formed, a sectional view taken along the line B-B, and a sectional view taken along the line C-C. is an explanatory diagram schematically showing a cross section of the embodiment shown in the first figure in order to explain the function and effect thereof, FIG. 3 is a perspective view showing another embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram schematically showing an example of a conventional image reading device; FIG. 6 and FIG. 2 of an image reading device in which a light shielding member is provided for a switch section in the conventional example of
It is an explanatory diagram showing an example. 1.208... Optical sensor section, 2.212... Capacitor section, 3.213... Switch section, 4.201... Transparent substrate, 5.20'2, 214, 224, 227...・Light blocking layer,
8.230... Light source, 9.219... Entrance window, 14... Semiconductor layer, 20.229... Protective layer, 216.217... Electrode (wiring), P... Document, S...light. Figure 1 Figure 5 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)基板と、該基板上に設けられた光センサと、前記基
板上に前記光センサと同様の構成で設けられ前記光セン
サの出力のスイッチングを行うスイッチ部とを具え、前
記基板の裏面側より窓部を介して照明光を原稿面の被読
取位置に照射し、その反射光を前記光センサに受容する
画像読取装置において、 前記照明光が、前記被読取位置から見て前記スイッチ部
に近い側より入射されるようにしたことを特徴とする画
像読取装置。 2)特許請求の範囲第1項記載の画像読取装置において
、前記基板は光透過性を有し、前記光センサおよび前記
スイッチ部は遮光層を介して前記基板上に配置されてい
ることを特徴とする画像読取装置。 3)特許請求の範囲第1項または第2項記載の画像読取
装置において、前記照明光を照射する光源を、前記基板
裏面側の前記スイッチ部近傍に配置したことを特徴とす
る画像読取装置。
[Claims] 1) A device comprising: a substrate, an optical sensor provided on the substrate, and a switch section provided on the substrate with the same configuration as the optical sensor and switches the output of the optical sensor. , an image reading device in which illumination light is irradiated from the back side of the substrate through a window to a position to be read on a document surface, and the reflected light is received by the optical sensor, wherein the illumination light is transmitted from the position to be read. An image reading device characterized in that light is incident from a side closer to the switch section when viewed from above. 2) The image reading device according to claim 1, wherein the substrate has a light transmitting property, and the optical sensor and the switch section are arranged on the substrate with a light shielding layer interposed therebetween. image reading device. 3) The image reading device according to claim 1 or 2, wherein a light source for irradiating the illumination light is arranged near the switch section on the back side of the substrate.
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