JPS6386593A - エキシマレ−ザの出力制御方法およびその装置 - Google Patents

エキシマレ−ザの出力制御方法およびその装置

Info

Publication number
JPS6386593A
JPS6386593A JP61232417A JP23241786A JPS6386593A JP S6386593 A JPS6386593 A JP S6386593A JP 61232417 A JP61232417 A JP 61232417A JP 23241786 A JP23241786 A JP 23241786A JP S6386593 A JPS6386593 A JP S6386593A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amount
gas
laser
exposure
energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61232417A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Nozue
野末 康博
Noritoshi Itou
伊藤 仙聡
Osamu Wakabayashi
理 若林
Junichi Fujimoto
准一 藤本
Masahiko Kowaka
雅彦 小若
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP61232417A priority Critical patent/JPS6386593A/ja
Publication of JPS6386593A publication Critical patent/JPS6386593A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体製造装置の露光用光源として好適な■
−キシマレーザに関し、特にJキシ7レーIf′の出力
制御方法およびその装置に関する。
〔従来の技術) ]−キシマレーザは、希ガス(Ar 、 Kr 。
−つ    − Xe)、ハ[1ゲン(Fe、HCfl)お」二Uバ・ン
)パルス(He、Ne)の混合ガスをレーリーガスとし
てブヤンバ内に封入し、全反射ミラーと田川ミラーとか
ら成る共振器間で前記レーザガスをパルス放電等によっ
て励起させることによりレー!J′jff振を行なうも
のであり、高効率、高量カッを振を行なうことができ、
特にその非」ヒーレン1へイffI質からフォトリソグ
ラフィー等への応用が進められている。
従来、このようなエキシマレーザでは、第3図のフロー
ヂ17−1”に示すように、出力制御を行うものがある
。図において、ますスーツツブ101て1パルス当りの
出力エネルギーを検出し、スフ−ツブ102て所定のサ
ンプル回数Nだけ検出した出力エネルギーをサンプリン
グづる。次にスーツツブ103て1パルス当りの出力1
ネルギーの平均(直を粋出し、この平均値と予め設定さ
れた出力エネルギーの平均値の比較を行う(ステップ1
0 ’I )。
そしてステップ105で比較結果に応じて、充電電圧、
レーザガスの交換量、レーザガスへのハ【」ゲンカスの
追加φを調整して露光時間が切れるまて(ステップ10
6)に出力エネルギーの平均値が設定平均(ぽ1になる
ようにフィードバック制街1していた3、 (北門が解決しようとする問題点) ところがこのような■キシンレーザの場合、露光時間は
0.2秒程度、露光中止時間は0.8秒程度て周期的に
二lン1〜0−ルされているため1パルス当りの出力エ
ネルギーが安定覆る前に露光が終了してしまう。このた
めレーザ出力が安定しにりく、高精度な露光量制御が困
九であった。また、1記出力制御法で高精度な露光量を
得ようとすると、赤光時間が長り4【つて高精度な露光
時間の維持が困ガになる。
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、高精I豆な^
光φと露光時間を得ることのできるJキシンレーザの出
力制御方法およびその装置を提供することを1」的とす
る。
(問題点を解決lるための手段および作用)本発明は、
所定露光量になるまで・パルス放電の回数を■数し、該
パルス放電の回数に応じてパルス放電の充電電圧、レー
ザガスへのハロゲンガスの追加量およびレーザガスの交
換量を11J設定しで前記パルス放電の回数が所望の範
囲内の&8(こ<−、るように制御することによって次
のレーザ露光時における露光量および露光時間を高精度
に制9:IJることができる。
〔実施例〕
本発明の実施例を第1図乃至第2図の図面にもとづき詳
細に説明する。
第1図は本yと明に係るエキシマレーザの出力制御装置
を縮小投影露光装置に用いた一実施例を示すものである
。第1図において、■4−シマレーザ10からのレーザ
光は、光軸調整がなされたインチグレー9112反射ミ
ラー12および]ンjンザーレンズ13を介してレブク
ル14に導かれる。
これによりレヂクル14に形成された微細パターンは、
レヂクル14から縮小投影レンズ13)を介してつ1ハ
16上に転写され′Cいる。」二記つ■ハコ6の近傍に
は、フ4トダイA−ド等のfイjり一  4 − ター17が配置されており、このディテクター17Gよ
露光時につ■ハコ6から反射する散乱光を検出しでいる
。−j′イテクタ−17の出力は、露光量検出回路18
に人力され、露光ω検出回路18はディテクター17の
出力からつ■ハコ6を露光するレーザ光の1パルス当り
の出力エネルギー量を演舜し、その値を中央処理回路(
CPU)19に出力する。CPU 19は入力するエネ
ルギー量が所望のパルス放電の回数で一定の露光けに達
するように充電電圧制御部20およびガス循環制御部2
1を制御する。
次にレーザ出力の制御を第2図のフローチャートにもと
づき説明する。まずレーザ露光時にステップ201で、
露光量検出回路18で検出された1パルス当りの出力エ
ネルギー量をf3紳するとともにその時のパルス数も計
数する(ステップ202)。次にCI) U 19は、
ステップ203で上記栢篩したエネルギー量と予め設定
されたウェハの最適露光量を示ザ所定エネルギーとを比
較し、槓粋エネルギー吊が所定のエネルギー量になるま
で・−に記王ネルギーの積篩を(jう。そしC栢tJ 
]−ネルギー量と所定■ネルギーf峰が等しくなると、
CP U 19はレーザブト振を中止さゼ、スーiツブ
204で上記計数したパルス数と予め設定された所定の
最適パルス数との比較を(jう。この比較結果にもとづ
き、充電電圧制御部20およびガス循環11.’J11
1部21を制御し、充電電圧、レー(アガスへのハロゲ
ンガスの追加量およびレーザガスの交換量を調整させる
ことにより(ステップ205)、所定時間後の次のレー
If光振における露光量d3よびパルス数を制御する。
ところで上記ステップ20bにおける(’、 l−’ 
U3Oの制御動作には、所定の優先順位が(−J fJ
られており、CPU 19はディテクター17の検出出
力によりレーザ出力の低下を検出づると、ト記調整を行
わゼる制御動作を所定の優先順位に従−)て1つづつ実
行し、レーザ出力が回復したlLj 員でこの制御動作
を中止する。
すなわち、CPU 19は第2図のフD−ブヤー1〜に
もとづきレーザ出力の低下を検出しノζ場合、例えば、
第1のステップとして充電電圧制御部20を制御して充
電電圧を十げる調整を行わ氾る。
この調整によって、レーザ出力が回復した場合、この部
員で制御を終了する。しかし、レーザ出力が回復し4r
い場合は、次に例えばガス循環制御部21を制御しレー
ザガスにハロゲンガスを追加させる第2のステップの調
整を行わゼる。このハロゲンガス追加調整によつCレー
ザ出力が回復した場合、この時点で制御を終了する。し
かしこの制御によってもレーザ出力が回復しない場合は
、次のステップの例えば、ガス循環制御部21を制御し
、レーザガスの交換を行わ氾、次回以降のレーザ出力の
回復を図る。
そして、つIハコ6上に露光される所定のチップ数に達
Jるまで′上記制御が繰り返される(ステップ206)
なiJ3、CPU19の制御によって調整される項目は
上記3種に限らず、例えば、■ガスの循環量を制御する
ことにより不純物の除去母を調整する、■バッファガス
にネオンガスを追加づる、■ガス循環速度を調シする等
の項目を加え、この調斬IQ目の中から適宜に選択する
ようにしてもよい。また実施例ではウェハからの散乱光
をディj−クターて検出したが、レチクル上からもれる
光を検出するようにディテクターの位置を調整してしよ
い3、さらに露光吊胴を用いてつ■ハを露光するレーザ
光の露光量を直接検出し、レーザ出力の制ulをするこ
とも可能である。
したがって、本発明では、レーザの充HB電斤、レーザ
ガス交換量およびハロゲンガス追加量の調整をレーザの
露光中止時に行うので、高速処理のICを使用しなくて
もよく、コストの削減と小型化を図ることができる。
(弁明の効果) 以上説明したごとく、本発明は、所定の露光φになるパ
ルス放電の回数を所望のパルス放電の回数に制御すべく
レーザの充電電圧、レーザガス交換聞およびハロゲンガ
ス追加量を再設定するので、高IFi度な露光量および
露光時間を有ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る14−シマレーザの出力制御3
1装置を縮小投影露光装置に用いた一実施例を承り図、
第2図は第1図の出力制御の70−ヂV−トを示す図、
第3図は同じ〈従来のフローチP−1−を示ダー図であ
る。 10・・・■キシマレーザ、17・・・ディテクター、
18・・・霧光量検出回路、19・・・中央処理回路(
CPU)、20・・・充電電圧制御部、21・・・ガス
循環制i11部。 第2図 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 少なくとも希ガス、ハロゲンガスおよびバッフ
    アガスの混合ガスからなるレーザガスをパルス放電によ
    つて励起させることによりレーザ発振を行うエキシマレ
    ーザの出力制御方法において、露光時に、露光量が所定
    値になる前記パルス放電の回数を計数し、 露光中止時に、該計数したパルス放電の回数に応じて前
    記パルス放電の充電電圧、レーザガスへの前記ハロゲン
    ガスの追加量およびレーザガスの交換量を再設定し、も
    って前記パルス放電の回数が所望の範囲内の値になるよ
    う制御することを特徴とするエキシマレーザの出力制御
    方法。
  2. (2) 少なくとも希ガス、ハロゲンガスおよびバッフ
    アガスの混合ガスからなるレーザガスをパルス放電によ
    て励起させることによりレーザ発振を行うエキシマレー
    ザの出力制御装置において、露光量が所定量になるまで
    の前記パルス放電の回数を計数する手段と、 前記パルス放電の回数を所望の回数に制御すべく前記パ
    ルス放電の充電電圧、レーザガスへの前記ハロゲンガス
    の追加量およびレーザガスの交換量を前記計数する手段
    による計数値に対応して再設定する手段と を具えたことを特徴とするエキシマレーザの出力制御装
    置。
JP61232417A 1986-09-30 1986-09-30 エキシマレ−ザの出力制御方法およびその装置 Pending JPS6386593A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61232417A JPS6386593A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 エキシマレ−ザの出力制御方法およびその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61232417A JPS6386593A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 エキシマレ−ザの出力制御方法およびその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6386593A true JPS6386593A (ja) 1988-04-16

Family

ID=16938924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61232417A Pending JPS6386593A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 エキシマレ−ザの出力制御方法およびその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6386593A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0511467U (ja) * 1991-07-24 1993-02-12 日新電機株式会社 エキシマレーザ装置
JPH05102555A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Komatsu Ltd エキシマレーザ装置のガス補給方法及びエキシマレーザ装置
US6456643B1 (en) 1999-03-31 2002-09-24 Lambda Physik Ag Surface preionization for gas lasers
US6618422B2 (en) 1999-02-10 2003-09-09 Lambda Physik Ag Preionization arrangement for a gas laser
US6671302B2 (en) 2000-08-11 2003-12-30 Lambda Physik Ag Device for self-initiated UV pre-ionization of a repetitively pulsed gas laser
US6757315B1 (en) 1999-02-10 2004-06-29 Lambda Physik Ag Corona preionization assembly for a gas laser
WO2015098985A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0511467U (ja) * 1991-07-24 1993-02-12 日新電機株式会社 エキシマレーザ装置
JPH05102555A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Komatsu Ltd エキシマレーザ装置のガス補給方法及びエキシマレーザ装置
US6618422B2 (en) 1999-02-10 2003-09-09 Lambda Physik Ag Preionization arrangement for a gas laser
US6650679B1 (en) 1999-02-10 2003-11-18 Lambda Physik Ag Preionization arrangement for gas laser
US6757315B1 (en) 1999-02-10 2004-06-29 Lambda Physik Ag Corona preionization assembly for a gas laser
US6456643B1 (en) 1999-03-31 2002-09-24 Lambda Physik Ag Surface preionization for gas lasers
US6671302B2 (en) 2000-08-11 2003-12-30 Lambda Physik Ag Device for self-initiated UV pre-ionization of a repetitively pulsed gas laser
WO2015098985A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム
WO2015097790A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム
US9837780B2 (en) 2013-12-25 2017-12-05 Gigaphoton Inc. Excimer laser apparatus and excimer laser system
US10177520B2 (en) 2013-12-25 2019-01-08 Gigaphoton Inc. Excimer laser apparatus and excimer laser system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6721039B2 (en) Exposure method, exposure apparatus and device producing method
US6084897A (en) Laser processing device and laser device
US5250797A (en) Exposure method and apparatus for controlling light pulse emission using determined exposure quantities and control parameters
JPH06260384A (ja) 露光量制御方法
JPS6386593A (ja) エキシマレ−ザの出力制御方法およびその装置
US6219367B1 (en) Method for determining life of laser light source
JP2902172B2 (ja) 露光装置
JPH10144985A (ja) レーザ装置
JPS63241925A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2779566B2 (ja) エキシマレーザ装置の制御装置
JP2000235945A (ja) 走査型露光装置及び走査露光方法
JPH10116778A (ja) スキャン露光装置
JP2785157B2 (ja) 光量制御装置および露光装置
EP1010040B1 (en) Laser-illuminated stepper or scanner with energy sensor feedback
US7212276B2 (en) Exposure apparatus
KR100239628B1 (ko) 엑시머레이저 출력제어방법, 엑시머레이저, 노광장치와 방법, 및 디바이스 제조방법
JPH0513305A (ja) 投影露光装置
JP2526983B2 (ja) 露光装置
JPH0426176A (ja) エキシマレーザの出力制御方法
JPH0992611A (ja) 走査型露光装置および方法
JPH0715875B2 (ja) 露光装置及び方法
JP3197486B2 (ja) 露光量制御方法および装置
JPH09214039A (ja) エネルギ量制御方法
JPH03207586A (ja) レーザ加工装置
JP2915078B2 (ja) エネルギー制御方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法