JPH0426176A - エキシマレーザの出力制御方法 - Google Patents

エキシマレーザの出力制御方法

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JPH0426176A
JPH0426176A JP13214990A JP13214990A JPH0426176A JP H0426176 A JPH0426176 A JP H0426176A JP 13214990 A JP13214990 A JP 13214990A JP 13214990 A JP13214990 A JP 13214990A JP H0426176 A JPH0426176 A JP H0426176A
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JP
Japan
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laser
charging voltage
gas
output
laser output
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Pending
Application number
JP13214990A
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English (en)
Inventor
Kenichi Yasuda
憲一 安田
Masahiko Ishihara
正彦 石原
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体製造装置の露光用光源等に使用され
るエキシマレーザの出力制御方法に関するものである。
[従来の技術] 第5図は例えば特開昭63−86593号公報に示され
た従来のエキシマレーザの出力制御装置を縮小投影露光
装置に用いた装置の構成図であり、図において、1はエ
キシマレーザで、このエキシマレーザ1は、希ガス(A
r、Kr、Xe) 、ハロゲンガス(Fe、IIcI)
およびバッファガス(He、Ne)の混合ガスをレーザ
ガスとしてチャンバ内に封入し、そのレーザガスをパル
ス放電によって励起させることによりレーザ発振を行な
うものである。
そして、エキシマレーザ1からのレーザ光は、光軸調整
がなされたインチグレー922反射ミラー3およびコン
デンサレンズ4を介してレチクル5に導かれる。これに
より、レチクル5に形成された微細パターンは、レチク
ル5から縮小投影レンズ6を介してウェハ7上に転写さ
れている。
このウェハ7の近傍には、フォトダイオード等のディテ
クタ8が配置されており、このディテクタ8は、n売時
にウェハ7から反射する散乱光を検出している。
ディテクタ8の出力は、露光量検出回路9に入力され、
この露光量検出回路9は、ディテクタ8の出力に基づい
て、ウェハ7を露光するレーザ光の1パルス当たりの出
力エネルギー量を演算し。
その値を中央処理回路(CPU)10へ出力する。
中央処理回路10は、入力されエネルギー量が所望のパ
ルス放電の回数で一定の露光量に達するように、充電電
圧制御部11およびガス循環制御部12を制御する。
次に、レーザ出力の制御を第6図のフローチャートに基
づいて説明する。まず、レーザ露光時に、ステップA1
で露光量検出回路9で検出された1パルス当たりの出力
エネルギー量を積算するとともに、その時のパルス数も
計測する(ステップA2)。
ついで、中央処理@路10は、ステップA2で積算した
エネルギー量と、予め設定されたウェハ7の最適霧光量
を示す所定のエネルギー量とを比較し、積算エネルギー
量が所定のエネルギー量になるまで、ステップA2によ
るエネルギー量の積算を行なう(ステップA3)。そし
て、積算エネルギー量と所定エネルギー量とが等しくな
ると、中央処理回路10は、レーザの発振を中止させ、
計数されたパルス数と予め設定された最適パルス数との
比較を行なう(ステップA4)。この比較結果に基づき
、充電電圧制御部11およびガス′Wi環制御部12を
制御し、充電電圧、レーザガスへのハロゲンガスの追加
量およびレーザガスの交換量を調整させることにより(
ステップA5)、所定時間後の次のレーザ発振における
露光量およびパルス数を制御する。
ところで、ステップA5における中央処理回路10の制
御動作には、所定の優先順位が付けられており、中央処
理回路10は、ディテクタ8の検出出力によりレーザ出
力の低下を検出すると、上記!I!+整を行なわせる制
御動作を所定の優先順位に従って1つずつ実行し、レー
ザ出力が回復した時点でこの制御動作を中止する。
即ち、中央処理回路10は、第6図のフローチャートに
基づき1ノーザ出力の低下を検出した場合、例えば、第
1のステップとして充電電圧制御部11を制御して充電
電圧を」二げる調整を行なわせる。この調整によって、
レーザ出力が回復した場合、この時点で制御を終了する
。一方、レーザ出力が回復しない場合には、次に1例え
ば、ガス循環制御部12を制御し、レーザガスにハロゲ
ンガスを追加させる第2のステップ調整を行なわせる。
このハロゲンガス追加調整によってレーザ出力が回復し
た場合、この時点で制御を終了する。しかし、この制御
によってもレーザ出力が回復しない場合は、次のステッ
プの例えば、ガス循環制御部12を制御しレーザガスの
交換を行なわせ、次回以降のレーザ出力の回復をはかる
。そして、ウェハ7上に露光される所定のチップ数に達
するまで、上記制御が繰り返される(ステップ八6)。
[発明が解決しようとする課題] 従来のエキシマレーザの出力制御方法では、露光停止時
に充電電圧、レーザガス交換量、ハロゲンガス追加量の
調整を行なうため、露光時間にバラツキが生じ、ウェハ
位置決め機構に影響を及ぼす。また、単発パルス当たり
の出力が一定でなく、且つ、停止時間中に、上記tAI
I処理を行なうため、停止時間に時間的制約が生じるな
どの課題もあった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、単発パルス当たりの出力バラツキを安定化する
とともに、レーザガス寿命(全ガス交換を行なう)の範
囲内で停止時間に時間的制約を設けず露光することので
きる。エキシマレーザの出力制御方法を得ることを目的
とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係るエキシマレーザの出力制御方法は、発振
中のレーザ出力が一定になるようにパルス放電の充電電
圧を制御するとともに1発振中に充電電圧が第1の設定
値に達したら、所定量のハロゲンガスを所定時間かけて
レーザガスに追加する部分ガス制御を、充電電圧が第2
の設定値になるまで繰返し行ない、レーザ出力を一定に
M#するものである。
[作   用コ この発明におけるエキシマレーザの出力制御方法では、
レーザ出力をモニタして充電電圧(励起強度)を制御す
ることにより、単パルス当たりおよび比較的長期的なレ
ーザ出力を一定に保つことができるとともに、充電電圧
をモニタしてこの充電電圧が第1の設定値に達したら、
所定量のハロゲンガスを所定時間かけて補給する部分ガ
ス制御を行なうことにより、レーザガスの劣化が回復し
て、所定のレーザ出力に必要な充電電圧が低下するため
、長期的にレーザ出力を一定に制御することが可能にな
る。
[発明の実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図において、1はエキシマレーザ、13はエキシマ
レーザlから出力されるレーザビーム、14はレーザビ
ーム13の一部分を反射させるとともに残りの部分を透
過させるビームスプリッタ、15はビームスプリッタ1
4で反射された一部分のレーザビーム13Aに基づきレ
ーザビーム13の出力情報Pをモニタする出力モニタ部
、16はCPUおよびメモリ等を有しレーザ装置のシス
テム全体を制御するための制御手段、17はエキシマレ
ーザ1のレーザガスを制御するガス制御部である。ここ
で、制御手段16は、出力モニタ部15からの出力情報
Pに基づいてエキシマレーザ11に供給する充電電圧V
を設定するとともに、充電電圧Vに基づいてガス制御部
17に部分ガス補給指令Gsを出力するものである。
次に、上述のごとく構成された本実施例の装置によるレ
ーザ出力の制御方法について、第2,3図を参照しなが
ら説明する。この出力制御方法は、大きく2つの制御(
第2図、第3図にそれぞれ示す処理)に分割され、それ
ぞれの制御は、並行して実行される。
まず、第2図により第1の制御を説明する。レーザの発
振が開始されると、出力モニタ部15で測定した1パル
ス当たりのレーザ出力を出力情報Pとして取得しくステ
ップSl)、レーザ出力設定値Ps(外部設定値)と現
在のレーザ出力値Pとを比較する(ステップS2)。そ
の比較の結果、P>psの時には、充電電圧Vをv=■
−八V(Δ■は設定値)の式により、ΔVだけ下げて新
しい充電電圧とする(ステップS3)。P < P s
の時には、充電電圧をv=v+ΔVの式により、ΔVだ
け上げて新しい充電電圧とする(ステップ34)。また
、P=Psの時には充電電圧は変更しない。
そして、レーザの発振を停止すべきか否かを判断しくス
テップS5)、発振が継続されている場合には、ステッ
プS1へ戻り、上述した制御処理を繰り返すことにより
、エキシマレーザ1からのレーザ出力を一定(設定値P
s)に制御することができる。
次に、第3,4図により第2の制御について説明する。
ここで、第4図は充電電圧■と発振時間Tとの関係を示
すグラフであり、特性Aは上記第1の制御だけで出カ一
定制御を行なった場合であり、発振時間Tとともにレー
ザガスが劣化(ハロゲンガス成分が減少)して、充電電
圧Vが上昇していく。
従って、充[電圧■をモニタして、充電電圧■が所定値
まで上昇すると1部分ガス制御にて所定量のハロゲンガ
スを補給することにより、レーザガスの劣化が回復し、
充電電圧■が下がり特性Bが得られる。しかし、ハロゲ
ンガス成分だけを繰返し補給していくと、レーザガス全
体の組成が変わってしまうため、部分ガス制御の回数を
制限している。
第3図において、まず、レーザの発振が開始されると、
充電電圧■をモニタしくステップs6)。
充電電圧Vと第1の設定値V、とを比較しくステップS
7)、V<V、の場合には、後述するステップS13へ
進む一方、■≧V、の場合には、現在までの部分ガス制
御回数Nと設定値Mとを比較する(ステップS8)。そ
して、N2Mの場合には、レーザガス全体の組成が変わ
ってしまうため、部分ガス制御は行なわず、後述するス
テップs13へ進み一方、N<Mの場合には、部分ガス
補給指令Gsをガス制御部17へ出力する(ステップs
9)。
ガス制御部17は、制御手段16から部分ガス補給指令
Gsを受けると、所定量のハロゲンガスを所定時間をか
けて補給し、補給が完了すると、ガス制御部17は、部
分ガス補給完了指令GEを制御手段16へ出力する。制
御手段16は、ガス制御部17から部分ガス補給完了指
令GEが送られてくるのを待ち(ステップ5IO)、部
分ガス補給完了指令G、を受けると、部分ガス制御回数
Nを1回増やすとともに、充電電圧Vをモニタする(ス
テップ5ll)、そして、充電電圧Vと第2の設定値■
2とを比較しくステップ512)、V>V2の場合には
、ステップS8に戻る一方、V≦v2の場合には、ステ
ップS13に進み、レーザの発振を停止すべきか否かを
判断する。発振が継続されている場合には、ステップS
6に戻って上述したステップ86〜S12までの制御処
理を繰り返すことにより、レーザ出力を長期的に一定に
制御する。また、ステップS13でレーザの発振を停止
すると判断した場合には、部分ガス制御回数の判断を行
ない(ステップ514)、N2Mの場合には、エキシマ
レーザ1のタンク内の全ガス交換制御を行ない(ステッ
プ515)、部分ガス制御回数NをOにリセットして(
ステップ816)、制御を終了する。
なお、本発明の出力制御を行なうに当たり、エキシマレ
ーザ1のタンク内への初期封入混合ガス成分において、
ハロゲンガス成分だけを最適値よりも0〜20%の範囲
で少なく封入することが望ましい。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、レーザ出力をモニタ
しながら充電電圧を制御する第1の制御と、充電電圧を
モニタしながら所定量のハロゲンガスを所定時間かけて
補給する第2の制御とを併用することにより、単パルス
当たりのレーザ出力を一定に制御できるとともに、長時
間に亘すレーザ出力を一定に制御できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるエキシマレーザの出
力制御方法を適用される装置を示すブロック図、第2,
3図は本実施例の制御処理を説明するためのフローチャ
ート、第4図はレーザ出力を一定で制御した場合の充電
電圧−発振時間特性を示すグラフ、第5図は従来のエキ
シマレーザの出力制御装置を縮小投影露光装置に用いた
装置の構成図、第6図は従来装置の動作を説明するため
のフローチャートである。 図において、1−エキシマレーザ、15−出力モニタ部
、16−制御手段、17−ガス制御部。 なお1図中、同一の符号は同一、又は相当部分を示して
いる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少なくとも希ガス、ハロゲンガスおよびバッファガスの
    混合ガスからなるレーザガスをパルス放電によって励起
    させることによりレーザ発振を行なうエキシマレーザの
    出力制御方法において、発振中のレーザ出力が一定にな
    るように前記パルス放電の充電電圧を制御するとともに
    、発振中に前記充電電圧が第1の設定値に達したら、所
    定量のハロゲンガスを所定時間かけて前記レーザガスに
    追加する部分ガス制御を、前記充電電圧が第2の設定値
    になるまで繰返し行ない、レーザ出力を一定に制御する
    ことを特徴とするエキシマレーザの出力制御方法。
JP13214990A 1990-05-21 1990-05-21 エキシマレーザの出力制御方法 Pending JPH0426176A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995018477A1 (fr) * 1993-12-24 1995-07-06 Komatsu Ltd. Procede permettant de completer l'apport en gaz dans un dispositif a laser excimere
JP2006182321A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nsk Ltd ラックアンドピニオン式ステアリングギヤ装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995018477A1 (fr) * 1993-12-24 1995-07-06 Komatsu Ltd. Procede permettant de completer l'apport en gaz dans un dispositif a laser excimere
US6130904A (en) * 1993-12-24 2000-10-10 Komatsu Ltd. Gas supplementation method of excimer laser apparatus
KR100361931B1 (ko) * 1993-12-24 2003-02-11 고마쯔 리미티드 엑시머레이저장치의가스보급방법
JP2006182321A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nsk Ltd ラックアンドピニオン式ステアリングギヤ装置

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