JPS6386541A - 半導体チツプの実装法 - Google Patents
半導体チツプの実装法Info
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- JPS6386541A JPS6386541A JP61232330A JP23233086A JPS6386541A JP S6386541 A JPS6386541 A JP S6386541A JP 61232330 A JP61232330 A JP 61232330A JP 23233086 A JP23233086 A JP 23233086A JP S6386541 A JPS6386541 A JP S6386541A
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- semiconductor chip
- bonding tool
- film carrier
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- semiconductor
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的1
(産業上の利用分野)
この発明は、例えばデー11119111式にJ、る半
導体チップの実装法に関づる。
導体チップの実装法に関づる。
(従来の技術)
近年、半導体技術の発展により、電子装置IM7を小型
で高機能に覆る要求から、″+半導体チップ薄型高密度
実装化が進んでいる。この薄型高密Iα実装化を実現す
るための手段として、例えば半導体チップをフィルムキ
トリアに取付(Jて実HMる所謂テープギヤリア方式(
丁△B)がある。
で高機能に覆る要求から、″+半導体チップ薄型高密度
実装化が進んでいる。この薄型高密Iα実装化を実現す
るための手段として、例えば半導体チップをフィルムキ
トリアに取付(Jて実HMる所謂テープギヤリア方式(
丁△B)がある。
このようなテープキャリア方式は、例えば第5図および
第6図に示すようにフィルム4:Pリアに半導体チップ
を搭載覆る。づ−なわち、フィルム−1ニヤリア101
には半導体チップ103を搭載寸ろ孔部105が形成さ
れ、フィルムキャリj’ 101の一面には回路パター
ンから孔部1055に突出するり一ド107が設けられ
ている。−h、半導体チップ103はステージ109十
に載置され、孔部105との位置合せを行なった後、ボ
ンディングツール111によりフィルムギヤリフ 10
1 tこ接合される(所謂11 B I稈)1.そし−
C、フィルムー1−セリ;i’lo1に半導体Jツブ1
03を接合した二接、例えばフィルムキャリア101を
反転させ次の工程でリード107にプローブ113を接
触さ1!て半導体素子の機能検査を行なう。
第6図に示すようにフィルム4:Pリアに半導体チップ
を搭載覆る。づ−なわち、フィルム−1ニヤリア101
には半導体チップ103を搭載寸ろ孔部105が形成さ
れ、フィルムキャリj’ 101の一面には回路パター
ンから孔部1055に突出するり一ド107が設けられ
ている。−h、半導体チップ103はステージ109十
に載置され、孔部105との位置合せを行なった後、ボ
ンディングツール111によりフィルムギヤリフ 10
1 tこ接合される(所謂11 B I稈)1.そし−
C、フィルムー1−セリ;i’lo1に半導体Jツブ1
03を接合した二接、例えばフィルムキャリア101を
反転させ次の工程でリード107にプローブ113を接
触さ1!て半導体素子の機能検査を行なう。
ところで・このような従来の半導体チップの実装法にあ
っては、フィルムキャリア101に半導体デツプ103
を接合するT稈と半導体素子の機能検査を行なう■稈と
を別工稈で行なっていたため、]−稈管理が煩雑となる
と共に実@装置全体の小型化に不利とイfる。
っては、フィルムキャリア101に半導体デツプ103
を接合するT稈と半導体素子の機能検査を行なう■稈と
を別工稈で行なっていたため、]−稈管理が煩雑となる
と共に実@装置全体の小型化に不利とイfる。
(発明が解決しJ、うとする問題点)
以l−説明したように従来の半導体チップの実に2人で
(ま、フィル11キヤリアと半導体チップとの接合T稈
と半導体素子の機能検査■稈とを別々に行なっていたた
め、煩鈴な■程管理を行なっている3、 この発明の上記問題に着目してなされたもので、作業]
稈を簡略化づることができる半導体チップの実装法を提
供することを目的とする。
(ま、フィル11キヤリアと半導体チップとの接合T稈
と半導体素子の機能検査■稈とを別々に行なっていたた
め、煩鈴な■程管理を行なっている3、 この発明の上記問題に着目してなされたもので、作業]
稈を簡略化づることができる半導体チップの実装法を提
供することを目的とする。
[発明の構成1
(問題点を達成づるための手段)
上記目的を達成するためにこの発明は、フィルムキャリ
アに形成された孔部に半導体fツーfを搭載し、この半
導体デツプに配設された複数の電極パッドと、前記フィ
ルムA−17リアに設置Jられ先端部が前記孔部に臨む
複数のリードとを接続りる半導体チップの実装法にJ3
いC1前記電極パッドとリードとを接続した直後に前記
フィルム1セリアに半導体ブップを搭載しlJ状態で半
導体系rの機能検査を行なうことどした。
アに形成された孔部に半導体fツーfを搭載し、この半
導体デツプに配設された複数の電極パッドと、前記フィ
ルムA−17リアに設置Jられ先端部が前記孔部に臨む
複数のリードとを接続りる半導体チップの実装法にJ3
いC1前記電極パッドとリードとを接続した直後に前記
フィルム1セリアに半導体ブップを搭載しlJ状態で半
導体系rの機能検査を行なうことどした。
(作用)
上記構成において、フィル11キヤリアの孔部に半導体
チップを搭載し、半導体チップの電極パッドとフィルム
キャリアのリードとを接続した直後に、フィルムキャリ
)ノに半導体チップを搭lIv、1ノだ状態で半導体素
子の機能検査を行7rう、。
チップを搭載し、半導体チップの電極パッドとフィルム
キャリアのリードとを接続した直後に、フィルムキャリ
)ノに半導体チップを搭lIv、1ノだ状態で半導体素
子の機能検査を行7rう、。
(実施例)
以下図面に基づき、この発明の実施例をiγ細に説明す
る。
る。
第1図乃至第3図は、この発明の一実施例に係=3−
ねる半導体Jツブの実装法を示している。
第1図乃↑第3図において、ポリイミド等の絶縁f’l
樹脂−1−ブからなるフィルムキャリア1には半導体デ
ツプ3を搭載する孔部5が形成され、半導体デツプ3は
孔部5の図中下方からフィルムキャリア1に搭載される
。また、フィルムキャリア1の左右縁部には長さ方向に
送り孔が設けられ、フィルム1セリア1は図外の送り装
置により孔部50) 1 ]マ毎に移動可能となってい
る。
樹脂−1−ブからなるフィルムキャリア1には半導体デ
ツプ3を搭載する孔部5が形成され、半導体デツプ3は
孔部5の図中下方からフィルムキャリア1に搭載される
。また、フィルムキャリア1の左右縁部には長さ方向に
送り孔が設けられ、フィルム1セリア1は図外の送り装
置により孔部50) 1 ]マ毎に移動可能となってい
る。
フィルハキ1フリア1の一面(図中上面)には銅等の金
属石からなるリード9が孔部5の各辺に沿い所定のピッ
チを持つで複数配設されている。リード9の基部はフィ
ルムキャリア1上で回路パターンを構成し、リード9の
先端部は半導体チップ3の電極パッド11との接続部と
して孔部5に突出して臨/Vでいる。
属石からなるリード9が孔部5の各辺に沿い所定のピッ
チを持つで複数配設されている。リード9の基部はフィ
ルムキャリア1上で回路パターンを構成し、リード9の
先端部は半導体チップ3の電極パッド11との接続部と
して孔部5に突出して臨/Vでいる。
一方、半導体チップ3はステージ13上に所定間隔を右
して載置されている。半導体チップ3の一1面には回路
パターン15および前記電極パッド11が設けられ、例
えば電極パッド11の上部には金等からなる接続媒体と
してバンブ17が設(3られている。
して載置されている。半導体チップ3の一1面には回路
パターン15および前記電極パッド11が設けられ、例
えば電極パッド11の上部には金等からなる接続媒体と
してバンブ17が設(3られている。
そして、フィルムキャリア1の移動途中には上下動可能
なボンディングツール19が配5Qされている。ボンデ
ィングツール19には図外のに−タが設けられ、フィル
ムキャリア1のリード9と半導体チップ3の電極パッド
11とを熱ffるして接合させる構成となっている。
なボンディングツール19が配5Qされている。ボンデ
ィングツール19には図外のに−タが設けられ、フィル
ムキャリア1のリード9と半導体チップ3の電極パッド
11とを熱ffるして接合させる構成となっている。
また、ボンディングツール19の両側には半導体素子の
各種機能検査を行なうためのプローブ21が設けられて
いる。このプローブ21は、例えばボンディングツール
19が下降りるのと連動して下降し、ボンディングツー
ル19が19イして数秒(例えば接合金属間の共晶結合
が終了する時間)粁過した後に上昇する構成となってい
る。
各種機能検査を行なうためのプローブ21が設けられて
いる。このプローブ21は、例えばボンディングツール
19が下降りるのと連動して下降し、ボンディングツー
ル19が19イして数秒(例えば接合金属間の共晶結合
が終了する時間)粁過した後に上昇する構成となってい
る。
このようなフィルムキャリj’ 1への半導体チップ3
の搭載は次のようにしてbなう。
の搭載は次のようにしてbなう。
まず、フィルムキャリア1の孔部5と半導体チップ3と
の位冒合わせを行な−)た後(第1図参照)、ボンディ
ングツール19を下降させリード9)と電極パッド11
とをバンブ17を介して熱圧着接合させる(第2図参照
)。この際、半導体素子の機能検査用のプローブ21が
下降してリード9に接触し、その後、ボンディングツー
ル19が上昇してからプローブ21で半導体素子の機能
検査を行なう(第3図参照)。そして、このようにして
フィルムキャリア1に搭載された半導体チップ3が各種
機器に実装されることになる。
の位冒合わせを行な−)た後(第1図参照)、ボンディ
ングツール19を下降させリード9)と電極パッド11
とをバンブ17を介して熱圧着接合させる(第2図参照
)。この際、半導体素子の機能検査用のプローブ21が
下降してリード9に接触し、その後、ボンディングツー
ル19が上昇してからプローブ21で半導体素子の機能
検査を行なう(第3図参照)。そして、このようにして
フィルムキャリア1に搭載された半導体チップ3が各種
機器に実装されることになる。
上記のようにこの実施例では、ボンディングツール19
によりフィルムキャリア1に半導体チップ3を搭載した
直後にボンディングツール19に連動してプローブ21
が半導体素子の機能検査を行なうため、作業工程を簡略
化することができ工程管理が煩雑になるのを抑えると共
に、実装装置全体の小型化に寄与することができる。
によりフィルムキャリア1に半導体チップ3を搭載した
直後にボンディングツール19に連動してプローブ21
が半導体素子の機能検査を行なうため、作業工程を簡略
化することができ工程管理が煩雑になるのを抑えると共
に、実装装置全体の小型化に寄与することができる。
また、この発明は第4図に示すようにフィルムギヤリ)
71の他面側にリード9を設(プたものにあっても適用
することができる。すなわち、例えば半導体素子の機能
検査用プローブ21が貫通可能なスルーホール23を形
成するか、又はボンディングツール19に連動してプロ
ーブ21が図中下方から上背するような構成にする。こ
れにより、前述の実施例と同様の効果を得ることができ
る。
71の他面側にリード9を設(プたものにあっても適用
することができる。すなわち、例えば半導体素子の機能
検査用プローブ21が貫通可能なスルーホール23を形
成するか、又はボンディングツール19に連動してプロ
ーブ21が図中下方から上背するような構成にする。こ
れにより、前述の実施例と同様の効果を得ることができ
る。
なお、この発明は上記実施例のものに限定されず、例え
ばプローブ21はボンディングツール19と連動させる
必要はなく他の駆動装置により駆動される構成としても
よい。
ばプローブ21はボンディングツール19と連動させる
必要はなく他の駆動装置により駆動される構成としても
よい。
[発明の効果]
以上説明したようにこの発明によれば、フィルムキャリ
アに半導体チップを搭載した状態で半導体素子の機能検
査を行なうため、作業]−稈を簡略化することができ工
程管理が煩雑になるのを抑えると共に、実装装置全体の
小型化に寄!:5Jることかできる。
アに半導体チップを搭載した状態で半導体素子の機能検
査を行なうため、作業]−稈を簡略化することができ工
程管理が煩雑になるのを抑えると共に、実装装置全体の
小型化に寄!:5Jることかできる。
第1図乃至第3図はこの発明の一実施例に係わる半導体
チップの実装法を示す図、第4図は他の実施例を示す図
、第5図および第6図は従来例を示す図である。 1・・・フィルムキャリア 3・・・半導体チップ 5・・・孔部 9・・・電極パッド
チップの実装法を示す図、第4図は他の実施例を示す図
、第5図および第6図は従来例を示す図である。 1・・・フィルムキャリア 3・・・半導体チップ 5・・・孔部 9・・・電極パッド
Claims (2)
- (1)フィルムキャリアに形成された孔部に半導体チッ
プを搭載し、この半導体チップに配設された複数の電極
パッドと、前記フィルムキャリアに設けられ先端部が前
記孔部に臨む複数のリードとを接続する半導体チップの
実装法において、前記電極パッドとリードとを接続した
直後に前記フィルムキャリアに半導体チップを搭載した
状態で半導体素子の機能検査を行なう半導体チップの実
装法。 - (2)前記半導体素子の機能検査は、前記電極パッドと
リードとを接続させるボンディングツールの動きに連動
して行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の半導体チップの実装法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61232330A JPS6386541A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体チツプの実装法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61232330A JPS6386541A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体チツプの実装法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6386541A true JPS6386541A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16937505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61232330A Pending JPS6386541A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体チツプの実装法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6386541A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7573256B2 (en) | 2005-07-25 | 2009-08-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor wafer examination method and semiconductor chip manufacturing method |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61232330A patent/JPS6386541A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7573256B2 (en) | 2005-07-25 | 2009-08-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor wafer examination method and semiconductor chip manufacturing method |
US7598730B2 (en) | 2005-07-25 | 2009-10-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor wafer examination method and semiconductor chip manufacturing method |
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