JPS6386437A - 光化学気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は改良された光化学気相［長装置（光ＣＶＤ装
置と称する）に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来の光ＣＶＤ装置を示す図で、（１）は反応
室、＋２１　ｔｉ励起光源、・３１は透過窓で励起光源
（２１からの励起光（１乃が導入される。１４）は不活
性ガス’ｋ　７％過窓１３１に吹き付けこの透過窓（３
］への反応生成物の付着を防止する不活性ガス導入口、
（６）は反応室１１１内に原料ガスを導入する原料ガス
導入口、（７）は半導体基板、（１０）は半導体基板（
７）を加熱するヒータ、（ＩＩＩＨ反応室ＩＩ＋からガ
スを排出するガス排出口、ａ４は励起光源（２）から励
起光１１７１を半導体基板（〕）の水平方回全体に広げ
るためのレンズ、ａａｆ′ｉ半導体基板１７＋を支持す
る基板支持台である。

次に第２図に示す元ＣＶＤ装置の動作について説明する
。

ここでは、ｓｉｏ、４を形成する場合について説明する
。原料ガス導入口１６）よりＳｉ　Ｈ，とＮ、Ｏを反応
室＋１１内Ｋａ人させ半導体基板（力士に吠き付ける。

励起光源（２１より発せられた励起光Ｑ７またとへばＡ
ｒＦレーザ装置を用いた場合波長１９８　ｎｍのレーザ
光は、レンズＩにより半導体基板（〕）の幅までひろげ
られ透過窓１３）を透過して半導体基板（７）上に達し
半導体基板（７）上の原料ガスに吸収される。これによ
り原料ガスは分解され、ヒータ（］０）により半導体基
板＋７１　ｆ　逸切な温度に保持することにより、半導
体基板（７）上にはｓｉｏｗ幌が堆積される。反応室１
１１円の残留ガスはガス排出口（川より排気される。

その際、反応室Ｈ１内の残留ガスが透過窓１３１の付近
で反応を起こし、透過窓（３）にもＳｉ　Ｏ，幌等が堆
積し、励起″Ｊｔ、ｑηの入射強度を減少させる・この
透過窓；３１への５１ｏｔ＃８の堆積を防ぐ丸めに、不
活性ガス導入口（４）よりＨｅ−Ａｒ”Ｎ！等の不活性
ガス２４人し、不活性ガスを透過窓１３１の全体に吠き
付ける。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の光ＣＶＤ装置は、以上のように構成されているの
で、透過窓１３）への暎の堆積に毬力抑見られてｈるも
のの、透過窓１３）がひろいため不活性ガスの吹きつけ
にむらができたり薄膜形成回数が多くなれば、入射強度
をかなり減少させるよりなＳｉｎ、模等が堆積するので
、薄膜形成ごとの入射光強度の再現性に問題が生じる。

したがって薄膜形成ごとの入射光強度の再現性を良くす
るためには、薄膜形成する度に透過窓１３１？洗浄する
ことが望しいが、これでは、装置のメインテナンスにか
なりの時間を費すことになり、１産性に問題が生じる。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、装置のメインテナンスに要する時間？増大さ
せないで、薄膜形成ごとの入射光強度の再現性を保つこ
とのできる光ＣＶＤ装置會得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る光ＣＶＤ装置は、反応容器の外部から反
応容器の一部に設けられた光透過部を虚して、半導体基
板にこの表面に平行な＋１線状のｆ、を照射する光源と
、光透過部の内壁に不活性ガスを吹き付けるガス吹き付
け手段と、基板支持手段を光に対して変位できる移動手
段とを備えたものである。

〔作用〕

この発明による光ＣＶＤ装置は、直線状の光を照射する
光源を使用することにより光透過部を極力小さくするこ
とができ光透過部を不活性ガスで吹きつけることによっ
て反応生成物の付着が確実に防止できる。

〔実施例〕

以下この発明の一実施例を図について説明する。なお第
２図と同一符号し・１同−または相当部分？示す。第１
図はこの発明の一実施例の光ＣＶＤ装置で、第１図１ｌ
Ｌｌは上面図、第１図１ｂ＋は側面図、第１凶（０１は
透過窓（３１の構造を示す。第１図１ｂｌにおいて、反
応室：１１と励起光源（２１が設けられ、励起光ａηは
透過窓＋３１により反応室１１１に導入される。透過窓
（３１には不活性ガス導入口（４）が設けられる。αａ
ｈ導管で原料ガス導入口ｔ５１　ｔ６１から導入された
原料ガスは導管Ｑ６１を通すノＪ４菅■に設けられた多
数の噴出口（９）から原料ガスが噴出される。第１図１
ｂ＋　において、（８）はコンベアで半導体基板；７）
を図の右から左へ蓮ぶものである。（（１）は円筒ドラ
ム、０２）はドラムうけ、！Ｉ鋤げ励起光出射口である
。

次Ｋ　％　１図に示す元ＣＶＤ装置の動作について説明
する。半導体基板１フ）はヒータ（１０）で適切に加熱
されてコンベア（８）で反応室（１）内に導入される。

反応室１１）の内と外は円筒ドラムにより遮断されてｒ
る。次に半導体基板１７）の表面に薄膜形成を行なうが
、薄膜形成の過程は従来例と同一であるのでその説明は
省略する。

第１図１ｂｌに示すように、半導体基板（７）上に膜が
堆積するのに、励起光ＦＩＧ＋の下の細長い部分だけで
ある。したがって半導体基板（力の表面全面に膜を堆積
させるためには半導体基板（７）を励起光ＩＩ力の照射
位置に対して変位させなければならない。

この発明の一実施例においては、半４体基板（７１をコ
ンベア（８）で移動することにより半導体装置（７）全
体に膜が堆積するようにしたものである。

第１図＋ｂ＋では半ｊμ体基板１７）の左から右へ連続
的に膜が堆積する。

このような−実施的では、励起光０７１の幅が極めて小
さいため透過窓１３１の面積を小さくすることができ不
活性ガスが不活性ガス導入口（４１から吹きつけられる
透過窓１３）の部分の面積も小さくできるので、透過窓
１３１への反応生成物の付着防止が確実にできる。これ
により透過窓１３１を透過する光の強度は常に一定とな
る。

なお上記実施例でＶｉ透過窓（３１に第１図（０）のよ
うな不活性ガス吹き付け部を設けたが、これに代えＩｇ
１図ｉｄｌおよびｔｅｌのような不活性ガスの吹き付け
部を設けても同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、半導体基板表面に平
行な直線状の光を照射する光源と、反応室の一部である
光透過窓の内壁に不活性ガスを吹き付ける手段と、基板
支持手段を光に灯して変位できる移動手段とを備えたの
で、入射する光の強度の再現性を保つ効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の光ＣＶＤ装置を示す図で
ある。第２図は従来の元ＣＶＤ装置を示す図である。 図において、＋１１は反応室、（２１は励起光源、（３
；は透過窓、１４）は不活性ガス導入口、＋６）および
（６）は原料ガス導入口、（７）は半メ体基板、＋ｓ＋
Ｖｉコンベア、（９）は噴出口、（ｌＩｌげ円筒ドラム
、０匂は励起光出射口、Ｑｏは導管、１７１は励起光を
示す。 なお図中、同一符号は同一、またげ相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面に薄膜が形成される半導体基板をを設置する
   基板支持手段と、この基板支持手段を収容する反応容器
   と、この反応容器の外部から反応ガスが導入される反応
   ガス導入口と、前記反応容器の外部から前記反応容器の
   一部に設けられた光透過部を通して前記半導体基板にこ
   の表面に平行な直線状の光を照射する光源と、前記光透
   過部の内壁に不活性ガスを吹き付けるガス吹き付け手段
   と、前記基板支持手段を前記光に対して変位できる移動
   手段とを備えた光化学気相成長装置。
2. （２）移動手段はコンベアであもことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の光化学気相成長装置。