JPS6383258A - Sputtering device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明はスパッタリング装置に係り、特にターゲットの
寿命検知機構を備えたスパッタリング装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a sputtering apparatus, and particularly to a sputtering apparatus equipped with a target life detection mechanism.
(従来の技術)
近年、薄膜形成装置としてターゲットをイオン粒子等の
高エネルギー粒子によりスパッタしてターゲットから飛
翔した粒子を基板例えば半導体ウェハに付着させて薄膜
を形成するスパッタリング装置が盛んに使用されている
。(Prior Art) In recent years, sputtering apparatuses have been widely used as thin film forming apparatuses, which sputter a target with high-energy particles such as ion particles and attach the particles flying from the target to a substrate, such as a semiconductor wafer, to form a thin film. There is.
このようなスパッタリング装置ではスパッタ処理量が増
加するに従いターゲットが次第に消耗し、ターゲットの
スパッタ面形状が変化して正常な成膜作業ができなくな
ること、作業初期の膜厚値が得られなくなること等から
ターゲットの定期的な交換が必要とされている。In such sputtering equipment, as the amount of sputtering increases, the target gradually wears out, and the shape of the sputtering surface of the target changes, making it impossible to perform normal film deposition, and making it impossible to obtain the initial film thickness value. Regular replacement of targets is required.
従来、スパッタリング装置におけるターゲットの交換時
期の判定手段は、スパッタリング装置への基板の導入枚
数や、スパッタリング装置内に装着されているシャッタ
の開閉回数等いずれも基板の処理枚数からターゲット寿
命を判定してターゲットの交換時期を求めていた。Conventionally, methods for determining when to replace a target in a sputtering device have determined the target life based on the number of substrates processed, such as the number of substrates introduced into the sputtering device and the number of times a shutter installed in the sputtering device is opened and closed. I was looking for a time to replace the target.
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら上述したような基板の処理枚数に依存した
ターゲットの寿命検知手段では、シャツタ閉時における
プラズマ放電時間いわゆるアイドリング稼動時における
ターゲットの消耗分を考慮することができないこと、ま
た作業中にスパッタ条件例えばターゲットへの電力供給
量やスパッタ処理時間等を変更した場合にはウェハ処理
枚数とターゲットの消耗状態との相関関係が一致しなく
なることから正確なターゲット寿命を検知することがで
きないという問題があった。またこの問題のためターゲ
ットが使用可能な状態であっても不良品発生防止の観点
から余裕をもって堅めに交換しなければならず、経済性
が悪いという問題もあった。(Problem to be Solved by the Invention) However, with the target life detection means that depends on the number of substrates processed as described above, it is difficult to take into account the amount of wear of the target during the plasma discharge time when the shutter is closed, so-called idling operation. In addition, if sputtering conditions such as power supply to the target or sputtering time are changed during work, the correlation between the number of wafers processed and the state of target wear will no longer match, making it difficult to accurately determine the target lifespan. The problem was that it could not be detected. Furthermore, due to this problem, even if the target is in a usable condition, it must be replaced with sufficient time to prevent the occurrence of defective products, which is disadvantageous in terms of economy.
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、あらゆるスパッタ処理条件下でスパッタ処理作業を
行なっても正確なターゲット寿命を検知できるスパッタ
リング装置を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a sputtering apparatus that can accurately detect target life even when sputtering is performed under any sputtering conditions.
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明によれば、ターゲットをスパッタして飛翔した粒
子により基板上に薄膜を形成するスパッタリング装置に
おいて、上記ターゲットへの供給電力量とターゲットへ
の電力供給時間との積算電力値からターゲラI・の寿命
を検出する手段を備えたことを特徴どするスパッタリン
グ装置が得られる。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) According to the present invention, in a sputtering apparatus that forms a thin film on a substrate using particles sputtered by a target, the amount of power supplied to the target and the target There is obtained a sputtering apparatus characterized in that it includes means for detecting the lifespan of Targetera I from the integrated power value and the power supply time to Targetera I.
電力供給時間としてはプラズマ放電時間が好適である。The plasma discharge time is suitable as the power supply time.
(作 用)
本発明では、スパッタ処理条件であるターゲットへの供
給電力量と電力供給時間との積算電力値からターゲット
の弁台検知を行なうため、スパッタ処理条件の変化に拘
らず常に正確なターゲット寿命が検知できる。(Function) In the present invention, since the valve stand of the target is detected from the integrated power value of the amount of power supplied to the target and the power supply time, which are sputtering conditions, it is possible to always accurately target the target regardless of changes in the sputtering conditions. Lifespan can be detected.
(実施例)
以下本発明をマグネトロンスパッタリング装置に適用し
た一実施例について説明する。(Example) An example in which the present invention is applied to a magnetron sputtering apparatus will be described below.
気密を保持する円柱状の反応槽1内にはそれぞれ円筒状
に構成されたウェハ処理室例えばウェハ挿脱室2、エツ
チング処理室3、ウェハ加熱室4、第1スパツタ処理室
5および第2スパツタ処理室6がそれぞれ半導体ウェハ
の処理工程順に並置されている。そして、半導体ウェハ
はウェハ挿脱室2から図示を省略したウェハ搬送装置に
より反応槽1内に挿入され、各処理室間を順に送られな
がら所定の処理が施され、一方つエバ挿脱室2からは順
次処理の完了した半導体ウェハを取り出すとともに新た
な半導体ウェハを挿入する。Inside the cylindrical reaction tank 1, which maintains airtightness, there are cylindrical wafer processing chambers, such as a wafer insertion/removal chamber 2, an etching processing chamber 3, a wafer heating chamber 4, a first sputter processing chamber 5, and a second sputter processing chamber. The processing chambers 6 are arranged in parallel in the order of semiconductor wafer processing steps. Then, the semiconductor wafer is inserted into the reaction tank 1 from the wafer insertion/removal chamber 2 by a wafer transfer device (not shown), and is sequentially sent between the processing chambers and subjected to a predetermined process. From there, semiconductor wafers that have been processed are sequentially taken out, and new semiconductor wafers are inserted.
上記スパッタ処理室のさらに具体的な構成を第2図を参
照にして説明する。A more specific configuration of the sputtering chamber will be described with reference to FIG. 2.
スパッタ処理室5内にはスパッタ電極部7が反応槽1内
壁面と平行に設けられており、このスパッタ電極部7と
対向して半導体ウェハ8が配置されている。A sputter electrode section 7 is provided in the sputter processing chamber 5 in parallel to the inner wall surface of the reaction chamber 1, and a semiconductor wafer 8 is placed facing the sputter electrode section 7.
スパッタ電極部7側面方向にはこれを覆うように円筒状
の隔壁9がスパッタ電極部7背面の反応槽1内壁から延
設されており、この隔壁9の前縁部と反応槽1内壁との
間には、反応槽1内の雰囲気気体が各処理室間を流通可
能となるように間隙10が設けられている。A cylindrical partition wall 9 extends from the inner wall of the reaction tank 1 on the back side of the sputter electrode part 7 so as to cover the sputter electrode part 7 in the side direction. A gap 10 is provided between them so that the atmospheric gas within the reaction tank 1 can flow between the respective processing chambers.
スパッタ電極部7は供給電源30と接続された逆円錐リ
ング状スパッタ面のターゲット11と、このターゲット
11の中心部に配置された円板状の一方極例えばN磁極
12と、ターゲット11の外周部を取り囲むように隔壁
9前縁部に装着された環状の他方径例えばS磁極13と
から構成されており、これら磁極12および13により
ターゲット11のスパッタ面近傍に弧状の磁界Aを形成
する。この弧状の磁界Aは後述する生成されたプラズマ
粒子を一時閉じ込める作用をする。The sputter electrode section 7 includes a target 11 having an inverted conical ring-shaped sputtering surface connected to a power supply 30, a disc-shaped one pole, for example, an N magnetic pole 12, arranged at the center of the target 11, and an outer peripheral part of the target 11. For example, an S magnetic pole 13 is attached to the front edge of the partition wall 9 so as to surround it, and these magnetic poles 12 and 13 form an arc-shaped magnetic field A in the vicinity of the sputtering surface of the target 11. This arc-shaped magnetic field A acts to temporarily confine generated plasma particles, which will be described later.
隔壁9前縁部とわずかな間隙をおいて駆動機構14によ
り隔壁開口を開閉する円板状のシャッタ15が設けられ
ている。A disk-shaped shutter 15 is provided with a slight gap from the front edge of the partition wall 9 and is opened and closed by a drive mechanism 14 to open and close the partition opening.
隔壁9前縁部と反応槽1内壁面との間隙10には、ウェ
ハ固定用孔17にクリップ18で半導体ウェハ8を保持
した回転可能な円板状のトランスファープレート19と
、トランスファープレート1つの隔壁9側に位置し図示
を省略した密着機構によりトランスファープレート1つ
を押圧する円板状のプレッシャープレート20が反応槽
1内壁と平行に設けられている。これらトランスファー
プレー1・1つ、プレッシャープレート20および反応
槽1内壁面はそれぞれ離間可能に取り付けられており、
半導体ウェハ8を他の処理室例えば第2スパツタ処理室
6に移動する際には、プレッシャープレート20を隔壁
9側に後退させてトランスファープレート1つが回転可
能な状態とする。In the gap 10 between the front edge of the partition wall 9 and the inner wall surface of the reaction chamber 1, there is a rotatable disk-shaped transfer plate 19 holding the semiconductor wafer 8 with a clip 18 in the wafer fixing hole 17, and a partition wall with one transfer plate. A disk-shaped pressure plate 20 is provided parallel to the inner wall of the reaction chamber 1 and presses one transfer plate by a close contact mechanism (not shown) located on the 9 side. These transfer plates 1, 1, pressure plate 20, and the inner wall surface of reaction tank 1 are each attached so that they can be separated from each other,
When moving the semiconductor wafer 8 to another processing chamber, for example, the second sputtering processing chamber 6, the pressure plate 20 is moved back toward the partition wall 9 so that one transfer plate can rotate.
なお図示した状態はスパッタ処理中を示しており、トラ
ンスファープレート19がプレッシャープレート20に
押圧されてその移動が拘束されている状態を示している
。Note that the illustrated state shows that the sputtering process is in progress, and shows a state in which the transfer plate 19 is pressed by the pressure plate 20 and its movement is restricted.
半導体ウェハ8裏面にはウェハ予備加熱用のし−タブロ
ック21が配置されており、このヒータブロック21を
貫通してスパッタリングカス導入管22が設けられてい
る。反応気体発生器35で生成されたスパッタリングガ
スはこのガス導入管22内を流れて半導体ウェハ8裏面
外周に設けられた排出口22aより反応槽1内に流入す
る。A heater block 21 for preheating the wafer is arranged on the back surface of the semiconductor wafer 8, and a sputtering waste introduction pipe 22 is provided passing through the heater block 21. The sputtering gas generated by the reaction gas generator 35 flows through the gas introduction pipe 22 and flows into the reaction chamber 1 through an outlet 22 a provided on the outer periphery of the back surface of the semiconductor wafer 8 .
反応槽1外部には、ターゲット検出機構とじて供給電源
30からターゲット8への電力供給量と電力供給時間の
積算値を測定して積算電力測定値を出力するための積算
電力測定装置と、ターゲラ1へ寿命の基準として設定し
た積算電力設定値を予め設定入力するための積算電力測
定値入力装W32と、積算電力測定値と積算電力設定値
とを入力しこの両者を比較してターゲットの寿命を判定
するターゲット寿命検出装置33とが設けられている。Externally, the reaction tank 1 includes a target detection mechanism as well as an integrated power measuring device for measuring the integrated value of the power supply amount and power supply time from the power source 30 to the target 8 and outputting the integrated power measurement value, and a target detector. 1. Input the integrated power measurement value input device W32 for presetting and inputting the integrated power setting value set as the life standard, and input the integrated power measurement value and the integrated power setting value, and compare the two to determine the target lifespan. A target life detection device 33 for determining the target life is provided.
このようなスパッタリング装置のスパッタ作業は、まず
スパッタ処理室5内に半導体ウェハ8を搬送した後、反
応槽1内を真空ポンプ34により高真空例えば1O−7
Torrとし、高温のスパッタリングガス例えばアルゴ
ンガスをガス導入管22から導入する。このときスパッ
タリングガスの熱がヒータブロック21を介して半導体
ウェハ8に伝達されこれを加熱する。次に予め定められ
たプログラムによる適当なタイミングでターゲット11
に電力を印加して反応槽1内に導入したスパッタリング
ガスをターゲット11近傍でプラズマ化する。The sputtering operation of such a sputtering apparatus is performed by first transporting the semiconductor wafer 8 into the sputtering chamber 5, and then vacuuming the inside of the reaction chamber 1 to a high vacuum, e.g., 10-7
Torr, and a high-temperature sputtering gas, such as argon gas, is introduced from the gas introduction pipe 22. At this time, the heat of the sputtering gas is transferred to the semiconductor wafer 8 via the heater block 21 and heats it. Next, at an appropriate timing according to a predetermined program, the target 11
The sputtering gas introduced into the reaction tank 1 is turned into plasma near the target 11 by applying electric power to the reactor 1 .
プラズマ化したスパッタリングガスはターゲット11近
傍に発生した磁界Aにより図中Bで示ず如くターゲット
11のスパッタ面近傍にドーナツ状に一時閉じ込められ
、このとき励起されたプラズマ粒子がターゲット11に
衝突して飛翔粒子aをたたき出す。そしてシャッタ15
が回転して開いたとき、たたき出された飛翔粒子aはス
パッタ処理室内に飛翔し、この飛翔粒子の一部が半導体
ウェハ8上に付着堆積して飛翔の薄膜の形成が達成され
る。The sputtering gas turned into plasma is temporarily confined in a donut shape near the sputtering surface of the target 11 as shown by B in the figure due to the magnetic field A generated near the target 11, and the plasma particles excited at this time collide with the target 11. Knock out flying particles a. and shutter 15
When it rotates and opens, the ejected flying particles a fly into the sputtering chamber, and some of these flying particles adhere and deposit on the semiconductor wafer 8, thereby achieving the formation of a flying thin film.
ところで上記したようなスパッタ作業が進行すると、タ
ーゲットか次第に消耗して、成膜効率の低下や形成した
薄膜のM厚分布が不均一になるという問題が発生ずる。However, as the above-described sputtering operation progresses, the target gradually wears out, causing problems such as a decrease in film-forming efficiency and an uneven distribution of the M thickness of the formed thin film.
このためスパッタリング装置では、定期的にターゲット
を交換する必要があり、ターゲットの寿命を検出して交
換時期を知らせるためのターゲット寿命検出装置が備え
られている。For this reason, it is necessary to periodically replace the target in the sputtering apparatus, and a target lifespan detection device is provided to detect the lifespan of the target and notify when to replace it.
以下に本例のターゲット寿命検出装置の動作について第
3図のフローチャートを参照にしながら説明する。The operation of the target life detection device of this example will be explained below with reference to the flowchart of FIG.
まず積算電力設定値入力装置32により予めターゲット
寿命の基準となる積算電力設定値をターゲット寿命検出
装置33に入力して記憶する(101)。次に使用中の
ターゲットの積算電力を測定し、この測定結果をターゲ
ット寿命検出装置33に供給する。このターゲット寿命
検出袋rl 33ではこの積算電力設定値と積算電力測
定装置から入力された積算電力測定値(102)とを比
較しく103)、積算電力測定値が積算電力設定値より
も小さければターゲット寿命は未だであると判断して現
状のスパッタ作業を継続しく 104)、積算電力測定
値が積算電力設定値よりも大きい場合にはターゲットの
寿命が終了したと判断してターゲット寿命アラームを出
力する( 107)。このとき不良品発生防止のなめに
自動的にスパッタ作業を中止しなければ(105)、電
源停止信号を出力して(108)、電力の供給を停止さ
せればよい。なお上記ターゲット寿命検出装置をターゲ
ット消耗状態のモニタ機構として使用してももちろんよ
い。First, the integrated power set value input device 32 inputs in advance into the target life detecting device 33 an integrated power setting value that serves as a reference for the target lifespan and stores it (101). Next, the integrated power of the target in use is measured, and the measurement result is supplied to the target life detection device 33. In this target life detection bag RL 33, compare this integrated power setting value with the integrated power measurement value (102) input from the integrated power measuring device (103), and if the integrated power measurement value is smaller than the integrated power setting value, the It determines that the life of the target is not yet reached and continues the current sputtering work.104) If the cumulative power measurement value is larger than the cumulative power setting value, it determines that the target life has ended and outputs a target life alarm. (107). At this time, if the sputtering operation is not automatically stopped in order to prevent the occurrence of defective products (105), a power supply stop signal may be output (108) to stop the power supply. Of course, the target life detection device described above may also be used as a monitoring mechanism for the target consumption state.
ところで、ターゲット寿命の基準となる積算出力設定値
は、ターゲットの形状、材質等により変化するため予じ
め積算電力値とターゲット寿命との相関関係を求めてお
く必要がある。ターゲット寿命と積算電力値との相関関
係を求めるための一例として実験を行ったので第4図お
よび第5図を参照にしながら説明する。なお、第4図と
第5図とは対応しているため、同一説明部には同一符号
を付した。Incidentally, since the integrated power setting value, which serves as a reference for the target life, changes depending on the shape, material, etc. of the target, it is necessary to determine the correlation between the integrated power value and the target life in advance. An experiment was conducted as an example for determining the correlation between the target life and the integrated power value, and will be explained with reference to FIGS. 4 and 5. Note that since FIG. 4 and FIG. 5 correspond to each other, the same explanatory parts are given the same reference numerals.
実験に使用したターゲットは逆円錐リング形状のスパッ
タ面を有し、その大きさは内径的95IIIIIl、外
径的18011n 、厚さ約35mnで、高純度のアル
ミニウム材から構成されている。スパッタリングガスに
はアルゴンガスを使用した。また積算電力値としてプラ
ズマ放電時間と電力供給量の積を用いている。上記条件
下でスパッタ作業を行ない積算電力値とウェハ処理枚数
の関係を求めた。The target used in the experiment had a sputtering surface in the shape of an inverted conical ring, had an inner diameter of 95 mm, an outer diameter of 18011 mm, and a thickness of about 35 mm, and was made of high-purity aluminum. Argon gas was used as the sputtering gas. Furthermore, the product of plasma discharge time and power supply amount is used as the integrated power value. Sputtering work was performed under the above conditions, and the relationship between the integrated power value and the number of wafers processed was determined.
図示したようにターゲット消耗によるスパッタ面形状の
変化は、使用前は平坦であったものが(第4図(a))
、積算電力値が約130kW11でウェハ処理−11=
枚数が1000枚のときにはスパッタ面中央部がターゲ
ットの消耗により上方に挾られるように侵食されている
(第4図(b))。そして積算電力値が270kwHで
ウェハ処理枚数が1800枚のときにはさらに消耗が進
行しスパッタ面が横り字状となり(第4図(C))、も
はや正常なスパッタ作業を行なう限界であった。従って
本実験に用いたターゲットの寿命は270KwHと判明
し、このターゲットを使用する場合には積算電力設定値
を270kwHとしておけば常に一定の消耗状態でター
ゲット交換の時期を知ることができる。As shown in the figure, the shape of the sputtered surface changes due to target consumption, although it was flat before use (Figure 4 (a)).
When the integrated power value is about 130 kW11 and the number of wafers processed -11 is 1000, the center of the sputtering surface is eroded upward by the wear of the target (FIG. 4(b)). When the integrated power value was 270 kwH and the number of wafers processed was 1800, the consumption progressed further and the sputtering surface became horizontally shaped (FIG. 4(C)), which was the limit for normal sputtering work. Therefore, the lifespan of the target used in this experiment was found to be 270 KwH, and when using this target, if the integrated power setting value is set to 270 KwH, it is possible to always know when to replace the target while it is in a constant state of consumption.
ところで、本実験ではスパッタ処理条件例えば電力供給
量やスパッタ処理時間やシャツタ閉時におけるスパッタ
作業が行なわれていない状態すなわちアイドリング運転
状態の時間等を一定としたため、積算電力値とウェハ処
理枚数との関係は第5図に示したように比例関係となっ
たが、実際のスパッタ作業では、これらスパッタ処理条
件をスパッタ作業中に変更することがあり、このような
場合には比例関係は成立しない。従って従来のウエバ処
理枚数によりターゲット寿命を検出する手段ではターゲ
ット寿命を正確に求めることができなくなるが、本例で
はウェハ処理枚数には全く依存せずに積算電力値により
ターゲット寿命の判定をしているので、このような場合
でも正確なターゲットが命を検出することができる。Incidentally, in this experiment, the sputtering processing conditions, such as the amount of power supplied, the sputtering time, and the time in which the sputtering operation is not performed when the shirt shirt is closed, that is, the time in the idling state, were kept constant, so the cumulative power value and the number of wafers processed were Although the relationship is proportional as shown in FIG. 5, in actual sputtering operations, these sputtering conditions may be changed during the sputtering operation, and in such cases, the proportional relationship does not hold. Therefore, the conventional means of detecting target life based on the number of wafers processed cannot accurately determine the target life, but in this example, the target life is determined based on the integrated power value without depending on the number of wafers processed. Therefore, accurate target life can be detected even in such cases.
[発明の効果]
以上説明したように本発明のスパッタリング装置によれ
ば、スパッタ処理条件の変化に拘らず常に正確なターゲ
ット寿命を検知できるので正確なターゲット交換時期を
知ることができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the sputtering apparatus of the present invention, it is possible to always accurately detect the target life regardless of changes in sputtering conditions, so it is possible to accurately know when to replace the target.
第1図は本発明による一実施例のスパッタリング装置の
スパッタ処理室の配置を示すを示す図、第2図はスパッ
タ処理室の詳細を示す部分断面図、第3図は実施例のタ
ーゲット寿命検出装置の動作を示すフローチャート、第
4図はターゲットの消耗状態の経時的変化を示す図、第
5図は積算電力量とウェハ処理枚数との相関関係を示す
図である。
1・・・・・・反応槽、5・・・・・・スパッタ処理室
、8・・・・・・半導体ウェハ、11・・・・・・ター
ゲット、3o・・・・・・供給電源、31・・・・・・
積算電力測定装置、・・・・・・32・・・・・・積算
電力設定値入力装置、33・旧・・ターゲット寿命検出
装置。
出願人 東京エレク1ヘロン株式会社代理人
弁理士 須 山 佐 −
第2図
第3図FIG. 1 is a diagram showing the arrangement of a sputtering chamber of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial sectional view showing details of the sputtering chamber, and FIG. 3 is a target life detection diagram of an embodiment. FIG. 4 is a flow chart showing the operation of the apparatus, FIG. 4 is a chart showing changes over time in the consumption state of the target, and FIG. 5 is a chart showing the correlation between the integrated power amount and the number of wafers processed. 1...Reaction tank, 5...Sputter processing chamber, 8...Semiconductor wafer, 11...Target, 3o...Power supply, 31...
Integral power measuring device, 32... Integral power setting value input device, 33. Old target life detection device. Applicant Tokyo Elec 1 Heron Co., Ltd. Agent Patent Attorney Sasu Suyama - Figure 2 Figure 3
Claims (2)
板上に薄膜を形成するスパッタリング装置において、 前記ターゲットへの供給電力量と前記ターゲットへの電
力供給時間との積算電力値からターゲットの寿命を検出
する手段を備えたことを特徴とするスパッタリング装置
。(1) In a sputtering device that sputters a target and forms a thin film on a substrate using flying particles, the life of the target is detected from the integrated power value of the amount of power supplied to the target and the time of power supply to the target. A sputtering device characterized by comprising means.
徴とする特許請求の範囲第1項記載のスパッタリング装
置。(2) The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the power supply time is the plasma discharge time.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22659186A JPS6383258A (en) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22659186A JPS6383258A (en) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | Sputtering device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6383258A true JPS6383258A (en) | 1988-04-13 |
Family
ID=16847580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22659186A Pending JPS6383258A (en) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | Sputtering device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6383258A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02139437U (en) * | 1989-04-24 | 1990-11-21 | ||
WO2012070195A1 (en) * | 2010-11-24 | 2012-05-31 | 株式会社アルバック | Sputtering method |
Citations (1)
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JPS54139892A (en) * | 1978-04-17 | 1979-10-30 | Varian Associates | Method and apparatus for regulating coated speed by computercontrol in sputtering apparatus |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP22659186A patent/JPS6383258A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS54139892A (en) * | 1978-04-17 | 1979-10-30 | Varian Associates | Method and apparatus for regulating coated speed by computercontrol in sputtering apparatus |
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JP5795002B2 (en) * | 2010-11-24 | 2015-10-14 | 株式会社アルバック | Sputtering method |
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