JPS6382172A - Semiconductor scanning circuit - Google Patents

Semiconductor scanning circuit

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JPS6382172A
JPS6382172A JP61227704A JP22770486A JPS6382172A JP S6382172 A JPS6382172 A JP S6382172A JP 61227704 A JP61227704 A JP 61227704A JP 22770486 A JP22770486 A JP 22770486A JP S6382172 A JPS6382172 A JP S6382172A
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flip
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Kenzo Nakamura
中村 健三
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Abstract

PURPOSE:To vary number of delay stages of a semiconductor scanning circuit by an external control signal by adding 3rd and 4th FETs for control to a flip-flop circuit. CONSTITUTION:One stage of the flip-flop consists of the 1st-4th FETs 1-4 and 1st and 2nd inverters 5, 6. In operating the 4-stage as a 2stage semiconductor scanning circuit, it is attained by having only to set control inputs 21 and 23. With the control inputs 21, 23 to be set, the 3rd and 4th FETs of the flip-flop circuit are turned on, the flip-flop circuit of the stage acts like a single buffer, the output lines 14,15 have the same delay output and output lines 16,17 have the identical delay output.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 杢発明は半導体基板上に多数の7リツグフロツプ回路か
らなる走査回路を集積化した半導体装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor device in which a scanning circuit consisting of a large number of 7 logic flop circuits is integrated on a semiconductor substrate.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

杢発明は半導体走査回路のフリップフロップにコントロ
ール用の第37ΣTと第41FETを付加し・たことに
より、外部からのコントロール信号で半導体走査回路の
遅延段数を可変出来る様にした電 ものである。
The present invention is an electric device in which the number of delay stages of the semiconductor scanning circuit can be varied by an external control signal by adding a 37th ΣT and a 41st FET for control to the flip-flop of the semiconductor scanning circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図に従来の半導体走査回路の回路図を示す。従来の
半導体走査回路は7リングフロップ1段が第1FBT1
と第2FF!T2と第1インバータ5と第2インバータ
6により構成され、走査回路の必要段数に応じて7リツ
グ70ツブをシリーズに接続し走査回路を構成するもの
であった。
FIG. 3 shows a circuit diagram of a conventional semiconductor scanning circuit. In a conventional semiconductor scanning circuit, one stage of 7 ring flops is the first FBT1.
And the second FF! The scanning circuit was composed of T2, a first inverter 5, and a second inverter 6, and 7 rigs and 70 tubes were connected in series according to the required number of stages of the scanning circuit to form a scanning circuit.

該走査回路の動作を説明すると、データ人力13により
入力された信号は第1FET、tと第1クロック1によ
り入力され、第1クロックがオン状態からオフ状態にな
る事により第1インバータの入力に保持される。次に第
1インバータにより伝達された信号は第27FiTと第
2クロックの開閉により第2インバータの入力に保持さ
れる。第2インバータの出力に伝達された信号は次段の
フリップフロップに入力される。上記の動作によりデー
タ人力15に入力された信号が、各フリップフロップに
伝達され、必要な段数を通過する事により所望の段数だ
け遅延された出力信号が得られる。
To explain the operation of the scanning circuit, the signal inputted by the data input 13 is inputted by the first FET, t, and the first clock 1, and as the first clock changes from the on state to the off state, it becomes the input of the first inverter. Retained. Next, the signal transmitted by the first inverter is held at the input of the second inverter by opening and closing the 27th FiT and the second clock. The signal transmitted to the output of the second inverter is input to the next stage flip-flop. Through the above operation, the signal input to the data input 15 is transmitted to each flip-flop, and by passing through the required number of stages, an output signal delayed by the desired number of stages is obtained.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従来の半導体走査回路において、例えば100段の7リ
ツプフロツプで半導体走査回路が構成されている場合、
途中の段の50段からの出力を得たい時は50段目の出
力を取シ出す配線が必要になる。またある定まった段数
の走査回路のそれぞれの出力が結線されている場合、そ
れぞれの出力における走査回路の遅延時間を変更する為
には結線を変更するか、走査回路の遅延段数を変更しな
ければならなかった。そこで本発明の目的は上記の問題
を解決し、結線の変更あるいは半導体走査回路の遅延段
数を変更することなしに外部からのコントロール信号に
より遅延時間を変更することが可能な半導体走査回路を
提供する事である。
In a conventional semiconductor scanning circuit, for example, if the semiconductor scanning circuit is configured with 100 stages of 7 lip-flops,
If you want to get the output from the 50th stage in the middle, you will need wiring to take out the output from the 50th stage. Furthermore, if the outputs of a scanning circuit with a certain number of stages are connected, in order to change the delay time of the scanning circuit at each output, the wiring must be changed or the number of delay stages of the scanning circuit must be changed. did not become. SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide a semiconductor scanning circuit in which the delay time can be changed by an external control signal without changing the wiring or the number of delay stages of the semiconductor scanning circuit. That's a thing.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明゛の半導体走査回路は、 α) 二次元状に配列した複数個のフリップフロップ回
路をもつ半導体走査回路において、b) フリップフロ
ップは第1 FETと第2FETと第3FETと第4 
FET及び第1インバータと第2インバータより構成さ
れ、 C) 第1 FF!Tと第4 FF1Tのソースは第1
インバータの入力に接続され、第1インバータの出力は
第211FETと第31FETのドレインに接続され、
第2FETと第3IFETのソースは第2インバータの
入力に接続され、第1 ynTのゲートは第1り四ツク
に接続され、第21FETのゲートは第2クロックに接
続され、第3IFETと第4FETのゲートはコントロ
ール入力に接続されるように構成したことを特徴とする
A semiconductor scanning circuit according to the present invention includes α) a semiconductor scanning circuit having a plurality of flip-flop circuits arranged in a two-dimensional manner, b) the flip-flops are a first FET, a second FET, a third FET, and a fourth FET;
C) First FF! T and the 4th FF1T source is the 1st
connected to the input of the inverter, and the output of the first inverter is connected to the drains of the 211th FET and the 31st FET;
The sources of the second and third IFETs are connected to the input of the second inverter, the gate of the first ynT is connected to the first clock, the gate of the 21st FET is connected to the second clock, and the sources of the third and fourth IFETs are connected to the second clock. The gate is characterized in that it is configured to be connected to a control input.

〔作用〕[Effect]

本発明の作用を述べれば、 第1図に示す様に7リツグ70ツブ1段は、第1〜第4
1FETと第1及び第2インバータで構成されている。
To describe the operation of the present invention, as shown in Fig. 1, one stage of 7 rigs and 70 tubes has
It is composed of one FET and first and second inverters.

第1図はクリップ70ツブを4段のみ4述した図である
が、例えばこの4段を2段の半導体走査回路として動作
させる場合コントロール人力21とコントロール人力2
3をオンさせれば良い。コントロール人力21と23が
オン状態になると7リツグ70ツブ回路の第37F!T
とlI4FETはオン状態となり、この段の7リツグ7
0ツブ回路は単なるバッファとして、働き、出力線14
と15は同一な遅延出力となりまた出力線16と17も
互いに同一な遅延出力となる。この状態を第4図の半導
体走査回路のタイミングチャートに示す。
FIG. 1 shows only four stages of the clip 70. For example, when these four stages are operated as a two-stage semiconductor scanning circuit, the control manual 21 and the control manual 2
Just turn on 3. When control human power 21 and 23 are turned on, the 37th F of the 7 rig 70 tube circuit! T
, the lI4FET turns on, and the 7 rig 7 of this stage
The 0 tube circuit acts simply as a buffer, and the output line 14
and 15 have the same delayed output, and output lines 16 and 17 also have the same delayed output. This state is shown in the timing chart of the semiconductor scanning circuit in FIG.

〔実施例〕〔Example〕

第1図に本発明の一実施例を示す。 FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.

本発明の半導体走査回路は一次元状に配列した複数個の
7リツプフロツプ回路で構成され、クリップ70ツブ回
路は、第1F11iT−1と第27FiT−2と第3T
!BT−3と第471!1T−4及び第1インバーター
5と第2インバーター6により構成される。第11FE
Tのゲートは第1クロック12に接続され、第21FE
Tのゲートは第2クロック12に接続され、第!i?E
Tと第jl?ETのゲートはコントロール入力21〜2
4に7リツプフロツプ1段毎にそれぞれ接続される。第
1FETと第41FMiTのソースは第1インバータ5
0入力に接続され、第2 FETと第3FETのドレイ
ンは第1インバータ5の出力に接続され、第2FETと
第3IFFiTのソースは第2インバータ60入力に接
続され、第2インバータ6の出力は次段の入力となる。
The semiconductor scanning circuit of the present invention is composed of a plurality of 7 lip-flop circuits arranged one-dimensionally.
! It is composed of the BT-3, the 471st!1T-4, the first inverter 5, and the second inverter 6. 11th FE
The gate of T is connected to the first clock 12, and the gate of the 21st FE
The gate of T is connected to the second clock 12, and the gate of T is connected to the second clock 12. i? E
T and Jl? ET gate is control input 21-2
4 and 7 lip-flops are connected to each stage. The sources of the first FET and the 41st FMiT are the first inverter 5.
0 input, the drains of the second FET and the third FET are connected to the output of the first inverter 5, the sources of the second FET and the third IFFiT are connected to the second inverter 60 input, and the output of the second inverter 6 is connected to the This is the input for the stage.

コントロール入力21(721)〜24(V24)が全
てオフの場合、データ人力13に入力された信号V13
は第1り四ツク11(Vll)と第2クロック12(7
12)により順次遅延され第4図のタイミングチャート
に示す様に1段毎に遅延された信号となり、出力線14
〜17にはそれぞれ異なったタイミングの信号V14 
、Vl 5 、Vl、6 、Vl7が出力される。コン
トロール人力21(V21)と23(723)がオンで
22(V22)と24(V24)がオフの場合、第1段
目と第3段目のフリップフロップ回路は単なるバッファ
として働らき、出力線15には出力線14と同一タイミ
ングの信号■14゜Vl5が出力され、また出力線17
には出力線16と同一タイミングの信号Vi 6 、V
l 7が出力され、全体の遅延段数はコントロール入力
21〜24が全てオフの場合の半分となる。
When all control inputs 21 (721) to 24 (V24) are off, the signal V13 input to the data input 13
is the first clock 11 (Vll) and the second clock 12 (7
12), resulting in a signal that is delayed one step at a time as shown in the timing chart of FIG.
~17 have different timing signals V14.
, Vl 5 , Vl,6 and Vl7 are output. When control inputs 21 (V21) and 23 (723) are on and 22 (V22) and 24 (V24) are off, the first and third stage flip-flop circuits act as mere buffers, and the output line A signal ■14°Vl5 having the same timing as the output line 14 is output to the output line 15, and the output line 17
There are signals Vi 6 and V at the same timing as the output line 16.
l7 is output, and the total number of delay stages is half that of the case where all control inputs 21 to 24 are off.

第1図の本発明の1実施例ではコントロール入力は21
〜24と4本で構成されているが、必要に応じ何本で構
成しても良い。また第1 FF!T−第41FETは説
明の都合上Nチャンネルで構成されているが、Pチャン
ネルでも良く、マたPチャンネルとNチャンネルの複合
でも同一動作の回路を構成できる。
In one embodiment of the invention shown in FIG. 1, the control inputs are 21
Although it is composed of 4 pieces, 24 to 24, it may be composed of as many pieces as necessary. Also the 1st FF! Although the T-41st FET is configured with N channels for convenience of explanation, it may also be configured with P channels, or a circuit with the same operation can be configured with a combination of P channels and N channels.

第2図に本発明の半導体走査回路を固体撮像装置に応用
した実施例を示す。第2図の200及び300は本発明
の半導体走査回路より構成され、31の水平スイッチは
一次元状に複数個配列された信号線選択用スイッチで、
32及び33はそれぞれ垂直スイッチ、フォトダイオー
ドで、32゜53は2次元状に複数個配列される。
FIG. 2 shows an embodiment in which the semiconductor scanning circuit of the present invention is applied to a solid-state imaging device. 200 and 300 in FIG. 2 are constituted by semiconductor scanning circuits of the present invention, and horizontal switches 31 are signal line selection switches arranged one-dimensionally;
32 and 33 are vertical switches and photodiodes, respectively, and 32.degree. 53 is a plurality of vertical switches arranged two-dimensionally.

従来の半導体走査回路を用いた固体撮像装置においては
、水平方向及び垂直方向のビット数を変えるには配線変
更等を実施しなければならなかったが、本発明の半導体
走査回路を用いれば、外部からの電気信号で、21〜2
4及び211〜214のコントロール入力を制御する事
により水平側。
In solid-state imaging devices using conventional semiconductor scanning circuits, it was necessary to change the wiring to change the number of bits in the horizontal and vertical directions, but with the semiconductor scanning circuit of the present invention, external With the electrical signal from 21-2
4 and the horizontal side by controlling the control inputs 211 to 214.

垂直側のビット数を自在に変える事が出来る。The number of bits on the vertical side can be changed freely.

従って、1台の固体撮像装置から複数の光学特性を取り
出す事が可能になり、応用範囲が非常に拡がる。
Therefore, it becomes possible to extract a plurality of optical characteristics from one solid-state imaging device, greatly expanding the range of applications.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の半導体走査回路は、外部からの電気的なコント
ロールにより走査回路の遅延段数を変更する事が出来る
為、結線変更や、遅延段数の変更等の設計変更が不要と
なり、設計の余裕度が拡がり、またコストダウンにも大
きな効果がある。
Since the semiconductor scanning circuit of the present invention can change the number of delay stages of the scanning circuit by external electrical control, there is no need for design changes such as changing wiring or changing the number of delay stages, increasing design margin. It has a great effect on expansion and cost reduction.

また固体撮像装置に応用した場合、光学特性を自在に変
更できる為、応用範囲が非常に拡がる効果がある。
Furthermore, when applied to a solid-state imaging device, the optical characteristics can be changed freely, which has the effect of greatly expanding the range of applications.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第11二本発明の実施例を示す半導体走査回路の回路図 第2図二本発明の実施例を示す回路図 第3図:従来の半導体走査回路の回路図第3図二本発明
の半導体走査回路のタイミングチャート ド・・・・・第i FF1T 2・・・・・・第2FET 3・・・・・・第3FET 4・・・・・・第4FET 5・・・・・・第1インバータ 6・・・・・・第2インバータ 11・・・第1り四ツク 12・・・第2クロック 13・・・データ入力 14・・・第1出力線 15・・・第2出力線 16・・・第3出力線 17・・・第4出力線 21・・・第1.コントロール人力 22・・・第2コントロール人力 23・・・第6コントロール人力 24・・・第4コントロール入力 200・・・水平側半導体走査回路 300・・・垂直側牛導体走査回路 111・・・・・・第1クロック 121・・・・・・第2クロック 131・・・・・・データ入力 211・・・・・・第1コントロール入力212・・・
・り第2コントロール人力213・・・・・・第3コン
トロール人力214・・・・・・第4コントロール人力
141・・・・・・第1出力線 151・・・・・・第2出力線 161・・・・・・第3出力線 171・・・・・・第4出力線 61・・・・・・・・・水平スイッチ 32・・・・・・・・・垂直スイッチ 63・・・・・・・・・フォトダイオード34.44,
54゜64・・・・・・垂直信号線60・・・・・・・
・・出力信号線 100・・・・・・7リツグフロツプ回路1段V11・
・・・・・第1クロック信号 712・・・・・・第2クロック信号 ’713・・・・・・データ入力信号 Vl 4.715 、Vl 6 、Vl 7・・・・・
・出力線の出力信号 V21 、V22 、V23 、V24・・・・・・コ
ントロール入力信号 ’75.V51 、VS2.VS2・・・・・・第1イ
ンバータ出力信号 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 F、F、 / bzr 葛l 図 萬2回 pPtbrt く−−−  lOO−−1〉 藩3図 軍7−1−1図
112. Circuit diagram of a semiconductor scanning circuit showing an embodiment of the present invention. FIG. 2. Circuit diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 3: Circuit diagram of a conventional semiconductor scanning circuit. Circuit timing chart...i-th FF1T 2...2nd FET 3...3rd FET 4...4th FET 5...1st inverter 6...Second inverter 11...First clock 12...Second clock 13...Data input 14...First output line 15...Second output line 16... ...Third output line 17...Fourth output line 21...First... Control human power 22...Second control human power 23...Sixth control human power 24...Fourth control input 200...Horizontal side semiconductor scanning circuit 300...Vertical side conductor scanning circuit 111... ...First clock 121...Second clock 131...Data input 211...First control input 212...
-Second control human power 213...Third control human power 214...Fourth control human power 141...First output line 151...Second output line 161...Third output line 171...Fourth output line 61...Horizontal switch 32...Vertical switch 63...・・・・・・Photodiode 34.44,
54゜64... Vertical signal line 60...
...Output signal line 100...7 Rig flop circuit 1 stage V11.
...First clock signal 712...Second clock signal '713...Data input signal Vl 4.715, Vl 6, Vl 7...
- Output signals of output lines V21, V22, V23, V24... Control input signal '75. V51, VS2. VS2...First inverter output signal or higher Applicant: Seiko Epson Corporation figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (a)一次元状に配列した複数個のフリップフロップ回
路を持つ半導体走査回路において、 (b)フリップフロップ回路が第1電解効果型トランジ
スタ(以下電解効果型トランジスタはFETと称する)
と第2FETと第3FETと第4FET及び第1インバ
ータと第2インバータより構成され、 (c)第1FETと第4FETのソースは第1インバー
タの入力に接続され、第1インバータの出力は第2FE
Tと第3FETのドレインに接続され、第2FETと第
3FETのソースは第2インバータの入力に接続され、
第1FETのゲートは第1クロックに接続され、第2F
ETのゲートは第2クロックに接続され、第3FETと
第4FETのゲートはコントロール入力に接続される様
に構成したことを特徴とする半導体走査回路。
[Claims] (a) In a semiconductor scanning circuit having a plurality of flip-flop circuits arranged in a one-dimensional manner, (b) in which the flip-flop circuit is a first field-effect transistor (hereinafter referred to as a field-effect transistor). )
(c) The sources of the first FET and the fourth FET are connected to the input of the first inverter, and the output of the first inverter is connected to the second FE.
T and the drain of the third FET, the sources of the second FET and the third FET are connected to the input of the second inverter,
The gate of the first FET is connected to the first clock, and the gate of the second FET
A semiconductor scanning circuit characterized in that a gate of an ET is connected to a second clock, and gates of a third FET and a fourth FET are connected to a control input.
JP61227704A 1986-09-26 1986-09-26 Semiconductor scanning circuit Expired - Lifetime JPH0813105B2 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5023840A (en) * 1989-02-03 1991-06-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device having testing function and testing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5023840A (en) * 1989-02-03 1991-06-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device having testing function and testing method thereof

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