JPS6381751A - 紫外光源用ランプ - Google Patents
紫外光源用ランプInfo
- Publication number
- JPS6381751A JPS6381751A JP22925586A JP22925586A JPS6381751A JP S6381751 A JPS6381751 A JP S6381751A JP 22925586 A JP22925586 A JP 22925586A JP 22925586 A JP22925586 A JP 22925586A JP S6381751 A JPS6381751 A JP S6381751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- light
- light source
- emitter
- luminous section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の利用分野
本発明は、産業分野、特に半導体装置作製技術分野にお
いて利用可能な紫外光源用ランプを提供するものである
。
いて利用可能な紫外光源用ランプを提供するものである
。
（ロ）従来の技術
産業分野、特に半導体装置作製技術分野において、紫外
光を用い５ｉｎＨｚ＋＋−ｚ（ｎ＝１．２．３ ＋
Ｈ＋ ）のシラン類を分解反応させ、薄膜を形成する光
ＣＶＤ法が超ＬＳＩ製造において注目されている。特に
大面積に均一に薄膜を形成しようとする時、基板面およ
びｖ１１！にの形成面への光の入射量、即ち放射照度は
基板上での膜厚の均一性に対し重要なパラメータとなる
。
光を用い５ｉｎＨｚ＋＋−ｚ（ｎ＝１．２．３ ＋
Ｈ＋ ）のシラン類を分解反応させ、薄膜を形成する光
ＣＶＤ法が超ＬＳＩ製造において注目されている。特に
大面積に均一に薄膜を形成しようとする時、基板面およ
びｖ１１！にの形成面への光の入射量、即ち放射照度は
基板上での膜厚の均一性に対し重要なパラメータとなる
。
第１図に示すように、基板上に形成された被膜の膜厚と
１８５ｎｍの光の放射照度との間には明らかに相関係数
が存在する。なお、相関係数はこの場合０．７である。
１８５ｎｍの光の放射照度との間には明らかに相関係数
が存在する。なお、相関係数はこの場合０．７である。
従来、大面積基板上を均一に被膜を形成しようとする場
合、膜を形成しようとする面積よりも広い面積の発光体
、理想的には面発光体が得られることを前提として発光
体の形、配置等が考えられてきた。例えば３００ｍｍ
Ｘ ３００ｍｍの面積に均一に成膜するには、発光長４
００Ｉの直管形の低圧水銀ランプを４００１１ＩＩ１１
の巾に等ピッチに配置するというようにである。
合、膜を形成しようとする面積よりも広い面積の発光体
、理想的には面発光体が得られることを前提として発光
体の形、配置等が考えられてきた。例えば３００ｍｍ
Ｘ ３００ｍｍの面積に均一に成膜するには、発光長４
００Ｉの直管形の低圧水銀ランプを４００１１ＩＩ１１
の巾に等ピッチに配置するというようにである。
これならば疑似的な面発光体が得られるわけであるが、
理論的には面発光体面積は無限大でなければならず、有
限の面積をもつ発光体の場合、照射面での放射照度分布
が発生してくる。
理論的には面発光体面積は無限大でなければならず、有
限の面積をもつ発光体の場合、照射面での放射照度分布
が発生してくる。
そのため、実際には照射面積に比べ発光体面積が十分大
きいとみなせる条件で用いることになる。
きいとみなせる条件で用いることになる。
ところが照射面積を大きくとろうとすれば相対的に発光
体面積もそれに伴って大きくしなければならず、小面積
の時には問題とならなかった発光体からの発熱、発光体
面積増大による装置コスト高等の問題が生じてきた。そ
こでできるだけ照射面積に対する発光面積の小さな、か
つ照射面における放射照度分布の少ない紫外光源用ラン
プが求められていた。
体面積もそれに伴って大きくしなければならず、小面積
の時には問題とならなかった発光体からの発熱、発光体
面積増大による装置コスト高等の問題が生じてきた。そ
こでできるだけ照射面積に対する発光面積の小さな、か
つ照射面における放射照度分布の少ない紫外光源用ラン
プが求められていた。
（ハ）発明の目的
本発明は、上記の要求を満たすものであり、従来の発光
体では得られなかった広い均一照射面の得られる紫外光
源用ランプを提供するものである。
体では得られなかった広い均一照射面の得られる紫外光
源用ランプを提供するものである。
（ニ）発明の構成
上記目的を達成するために、本発明は特許請求の範囲に
記載されているように、 「大気圧より減圧状態に保持された光源用パルプ内に水
銀のみ、もしくは水銀およびＡｒ、Ｋｒ等の希ガスを封
入した紫外光源用ランプにおいて、前記ランプ外形中に
非発光部を有しており、前記ランプを２次元的に見た場
合、非発光部を発光部が取り囲む構造を有することを特
徴とする紫外光源用ランプ。」 である。
記載されているように、 「大気圧より減圧状態に保持された光源用パルプ内に水
銀のみ、もしくは水銀およびＡｒ、Ｋｒ等の希ガスを封
入した紫外光源用ランプにおいて、前記ランプ外形中に
非発光部を有しており、前記ランプを２次元的に見た場
合、非発光部を発光部が取り囲む構造を有することを特
徴とする紫外光源用ランプ。」 である。
従来の思想、即ち面発光体を基本としてランプを設計し
た場合の１８５ｎｍの光の放射照度を計算によって求め
、３次元グラフ化したものを第２図に示す。この発光体
の大きさは、１５０ｍｍ Ｘ １５０ｍｍとした場合で
ある。Ｘ軸、Ｙ軸は照射面の位置を示し、Ｚ軸は発光体
からある距離離れた位置での１８５ｎｍの光の放射照度
を任意スケールで示す。同図より明らかなように、照射
面の中心部分の放射強度が強く、中心部分から離れ照射
面の周辺に近いほど放射強度は弱くなり、１６０ｍｍ
Ｘ １６０ｍｍの照射面内で、１８５ｎｍの光の放射強
度が±１０％の範囲に入る面積は１８％に満たない。そ
こで照射面での放射照度を均一にしようとすれば、中心
部分の放射照度を下げ、周辺部の照度と等しくなるよう
に発光体の形状及び配置を設計すればよい。照射面の中
心部分の照度は主に発光体の中心部分に支配されるから
、中心部に発光部のない発光体を考える。
た場合の１８５ｎｍの光の放射照度を計算によって求め
、３次元グラフ化したものを第２図に示す。この発光体
の大きさは、１５０ｍｍ Ｘ １５０ｍｍとした場合で
ある。Ｘ軸、Ｙ軸は照射面の位置を示し、Ｚ軸は発光体
からある距離離れた位置での１８５ｎｍの光の放射照度
を任意スケールで示す。同図より明らかなように、照射
面の中心部分の放射強度が強く、中心部分から離れ照射
面の周辺に近いほど放射強度は弱くなり、１６０ｍｍ
Ｘ １６０ｍｍの照射面内で、１８５ｎｍの光の放射強
度が±１０％の範囲に入る面積は１８％に満たない。そ
こで照射面での放射照度を均一にしようとすれば、中心
部分の放射照度を下げ、周辺部の照度と等しくなるよう
に発光体の形状及び配置を設計すればよい。照射面の中
心部分の照度は主に発光体の中心部分に支配されるから
、中心部に発光部のない発光体を考える。
実用的には一本のバルブで構成することのできるらせん
状の発光体が望ましい。らせん状のランプであれば、光
ＣＶＤ等に応用する場合、ランプを真空室内に設置する
場合が多いため、電流導入端子を最少にし、冷却も容易
になるからである。
状の発光体が望ましい。らせん状のランプであれば、光
ＣＶＤ等に応用する場合、ランプを真空室内に設置する
場合が多いため、電流導入端子を最少にし、冷却も容易
になるからである。
上記設計条件を満たす発光体形状を第３図に、該発光体
で照射した時の１８５ｎｍの光の照度計算結果を第４図
に示す。第４図より明らかなように、放射照度が均一と
なる部分が認められ、±１０％の範囲に入る照射面積は
５５％に広がる。
で照射した時の１８５ｎｍの光の照度計算結果を第４図
に示す。第４図より明らかなように、放射照度が均一と
なる部分が認められ、±１０％の範囲に入る照射面積は
５５％に広がる。
従来は均一な照射面を得るためには、均一な面発光体が
理想とされていたにもかかわらず、本発明は、このよう
に、均一な面発光体ではなく、ランプ外形中に非発光部
を設けることで均一な照射面を得た点において非常に大
きな特徴を有する。
理想とされていたにもかかわらず、本発明は、このよう
に、均一な面発光体ではなく、ランプ外形中に非発光部
を設けることで均一な照射面を得た点において非常に大
きな特徴を有する。
以下に実施例を示す。
第３図に示した形状の光源用バルブを作製した。
管径１８ｍｍΦ、発光長は６９０酊となる。光源用バル
ブの両端にそれぞれ電極部を設け、所定の水銀およびＡ
ｒ ＋ Ｋ ｒ等のバッファガスを封入した後、低圧
水銀ランプ用安定器（２００Ｗ）を接続し、放電、発光
を行わせた。ランプ面より５０１離れた位置での１８５
ｎｍの光の放射照度を測定した結果、±５χの誤差範囲
内で第４図の計算と一致した。
ブの両端にそれぞれ電極部を設け、所定の水銀およびＡ
ｒ ＋ Ｋ ｒ等のバッファガスを封入した後、低圧
水銀ランプ用安定器（２００Ｗ）を接続し、放電、発光
を行わせた。ランプ面より５０１離れた位置での１８５
ｎｍの光の放射照度を測定した結果、±５χの誤差範囲
内で第４図の計算と一致した。
本発明は、本実施例のみに限定されるものではなく、巾
広い応用が可能である。即ち、発光体の外形は実施例に
示されたらせん状以外に多角形の形状でも可能である。
広い応用が可能である。即ち、発光体の外形は実施例に
示されたらせん状以外に多角形の形状でも可能である。
しかし、この時、発光体のなす角度が９０°以下、また
は９０°に近い鈍角の場合は、その角付近にて光照射強
度が極度に低下する。この為、その角度を１２０ °
以上、理想的には円形とすることが照射面の放射照度分
布を均一にするに重要であった。
は９０°に近い鈍角の場合は、その角付近にて光照射強
度が極度に低下する。この為、その角度を１２０ °
以上、理想的には円形とすることが照射面の放射照度分
布を均一にするに重要であった。
（ホ）効果
本発明により、従来では得られなかった広い均一な照射
面が得られた。また中心部に発光体がないため、ランプ
作製コストを低減させることができた。
面が得られた。また中心部に発光体がないため、ランプ
作製コストを低減させることができた。
更に、発光体専有面積に比べ、均一な放射照度分布を持
つ照射面積を１倍以上とすることができた。
つ照射面積を１倍以上とすることができた。
第１図は照度対膜厚（ＳｉＯｚ）の相関関係を示す。
第２図は従来ランプの放射照度分布を示す。
第３図は中心部に発光体のないランプの一例である。
第４図は中心部に発光体のないランプの放射照度分布を
示す。
示す。
Claims (1)
- 大気圧より減圧状態に保持された光源用バルブ内に水銀
のみ、もしくは水銀及びＡｒ、Ｋｒ等の希ガスを封入し
た紫外光源用ランプにおいて、前記ランプ外形中に非発
光部を有しており、前記ランプを２次元的に見た場合、
非発光部を発光部が取り囲む構造を有することを特徴と
する紫外光源用ランプ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22925586A JPS6381751A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 紫外光源用ランプ |
| US07/097,188 US4768464A (en) | 1986-09-26 | 1987-09-16 | Chemical vapor reaction apparatus |
| US07/154,290 US4803095A (en) | 1986-09-26 | 1988-02-10 | Chemical vapor reaction process by virtue of uniform irradiation |
| US07/190,355 US4974542A (en) | 1986-09-26 | 1988-05-05 | Photochemical vapor reaction apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22925586A JPS6381751A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 紫外光源用ランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381751A true JPS6381751A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16889242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22925586A Pending JPS6381751A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 紫外光源用ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381751A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287516A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Iwasaki Electric Co Ltd | 紫外線光源体及び紫外線照射装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4921878B1 (ja) * | 1969-01-17 | 1974-06-04 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22925586A patent/JPS6381751A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4921878B1 (ja) * | 1969-01-17 | 1974-06-04 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287516A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Iwasaki Electric Co Ltd | 紫外線光源体及び紫外線照射装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10767817B2 (en) | LED light bulb and LED filament thereof | |
| US20070152561A1 (en) | Discharge lamp | |
| TW457532B (en) | Lamp unit and light radiating type heating device | |
| GB2203283A (en) | Lamp for generating ultraviolet radiation | |
| JP3528042B2 (ja) | 光加熱装置 | |
| JPS6381751A (ja) | 紫外光源用ランプ | |
| JP4567196B2 (ja) | 赤外線反射膜を有した電気的な白熱ランプ | |
| US5681394A (en) | Photo-excited processing apparatus and method for manufacturing a semiconductor device by using the same | |
| JP3437149B2 (ja) | 蛍光ランプおよび蛍光ランプ装置 | |
| JP2005184018A (ja) | 金属製フォトニック・ボックス及びその製造方法 | |
| JPH02256150A (ja) | 半導体ウエハー露光用ショートアーク水銀ランプ | |
| JPS6381752A (ja) | 光源用ランプ | |
| CN100490048C (zh) | 高压气体放电灯管的制造方法 | |
| US4803095A (en) | Chemical vapor reaction process by virtue of uniform irradiation | |
| JP3484427B2 (ja) | 発光素子 | |
| JPH05190152A (ja) | 表示用蛍光ランプ | |
| JP2014186987A (ja) | 紫外線ランプ及び照射装置 | |
| KR20040083378A (ko) | 램프 | |
| JPS6384019A (ja) | 半導体処理装置 | |
| TWI440065B (zh) | 紫外線放電燈 | |
| JP2011124000A (ja) | 深紫外発光素子及びその製造方法 | |
| JP4890343B2 (ja) | 光源装置 | |
| JP2008123817A (ja) | 蛍光ランプと蛍光ランプの製造方法 | |
| JPH05135743A (ja) | 微小ガス放電素子 | |
| JPH11219685A (ja) | ２重管形蛍光ランプ |