JPS6379961A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はイオンプレーティング装置に関し、特にその
蒸発源の蒸発材に照射する電子ビームのビームスポット
位置を制御して、蒸発材の蒸発分布を均一に保つように
したイオンプレーティング装置に関する。
蒸発源の蒸発材に照射する電子ビームのビームスポット
位置を制御して、蒸発材の蒸発分布を均一に保つように
したイオンプレーティング装置に関する。
従来、蒸着装置やスパッタリング装置では、水晶発振式
や干渉膜式の膜厚計を用いて、蒸発材の蒸発速度や蒸発
分布を測定して蒸発源の制御を行なっていた。
や干渉膜式の膜厚計を用いて、蒸発材の蒸発速度や蒸発
分布を測定して蒸発源の制御を行なっていた。
水晶発振式膜厚計は、水晶振動子を真空槽内に挿入し、
それに付着する蒸発物質の量によって発振周波数が変化
することを利用して膜厚を測定するものである。
それに付着する蒸発物質の量によって発振周波数が変化
することを利用して膜厚を測定するものである。
蒸発粒子をイオン化して、電界によって被処理物に吸引
付着させて薄膜を形成するイオンプレーティング装置に
おいても、所望の均一な膜厚の薄膜を形成するためには
、蒸発材の有効蒸発量を−定に保ち、且つその分布を均
一に保たなくてはならない。
付着させて薄膜を形成するイオンプレーティング装置に
おいても、所望の均一な膜厚の薄膜を形成するためには
、蒸発材の有効蒸発量を−定に保ち、且つその分布を均
一に保たなくてはならない。
しかしながら、従来のように膜厚計を用いて蒸発材の蒸
発分布を測定するのでは、複数の膜厚計が必要であるた
めイニシャルコストが高いばかりか、水晶振動子等のセ
ンサに蒸発粒子が付着しである厚さく例えば、蒸発粒子
がＡ１の場合４０μｍ。
発分布を測定するのでは、複数の膜厚計が必要であるた
めイニシャルコストが高いばかりか、水晶振動子等のセ
ンサに蒸発粒子が付着しである厚さく例えば、蒸発粒子
がＡ１の場合４０μｍ。
Ｔｉの場合２４μｍ）以上の被膜を形成すると使用でき
なくなるため、その交換部品代と交換作業に要するラン
ニングコストも高く、交換中の装置停止により稼働率も
低下するという問題点があった。
なくなるため、その交換部品代と交換作業に要するラン
ニングコストも高く、交換中の装置停止により稼働率も
低下するという問題点があった。
さらに、蒸発材がＴ ｉ （チタン）等の高融点金属の
場合には、蒸発源からの郁射熱により、またイオンプレ
ーティング装置においては、プラズマや各種電源の影響
によってセンサの設置位置が限定されるため、非常に使
用しにくいばかりか、検出精度もよくなかった。
場合には、蒸発源からの郁射熱により、またイオンプレ
ーティング装置においては、プラズマや各種電源の影響
によってセンサの設置位置が限定されるため、非常に使
用しにくいばかりか、検出精度もよくなかった。
この発明は、これらの問題点を解決して、従来のような
膜厚計を使用せずに、蒸発源の蒸発材に照射する電子ビ
ームのビームスポット位置を制御して均一な蒸発分布が
得られるようにしたイオンプレーティング装置を提供す
ることを目的とする。
膜厚計を使用せずに、蒸発源の蒸発材に照射する電子ビ
ームのビームスポット位置を制御して均一な蒸発分布が
得られるようにしたイオンプレーティング装置を提供す
ることを目的とする。
この発明は上記の目的を達成するため、真空槽内に配置
した蒸発源と、この蒸発源の蒸発材に電子ビームを照射
する電子銃と、この電子銃による電子ビームのビームス
ポット位置を制御信号に応じて制御する偏向装置とを備
えたイオンプレーティング装置において、蒸発源の近傍
上方の略同一の高さ位置で互いに略直交する方向に間隔
を置いて配置され、それぞれ蒸発源に対して正の電圧が
印加された２対の検出電極と、その各検出電極に流れる
電流値をそれぞれ検出する電流検出器と、値と比較して
、その結果に基づいて」−記制御信号を発生する制御信
号発生器とを設けたものである。
した蒸発源と、この蒸発源の蒸発材に電子ビームを照射
する電子銃と、この電子銃による電子ビームのビームス
ポット位置を制御信号に応じて制御する偏向装置とを備
えたイオンプレーティング装置において、蒸発源の近傍
上方の略同一の高さ位置で互いに略直交する方向に間隔
を置いて配置され、それぞれ蒸発源に対して正の電圧が
印加された２対の検出電極と、その各検出電極に流れる
電流値をそれぞれ検出する電流検出器と、値と比較して
、その結果に基づいて」−記制御信号を発生する制御信
号発生器とを設けたものである。
このように構成したイオンプレーティング装置によ九ば
、イオンプレーティング中に各検出電極に流れる電流値
は電子銃のパワーに略比例し、そのビームスポット位置
に応じて変化するため、各対の検出電極ごとの各検出電
流値の差によってその配置方向（互に略直交する方向）
の蒸発分布をそれぞれ検出することができ、その差又は
比がそれぞれ予め設定した値になるように制御信号を発
生して偏向装置を制御することによって、蒸発材の蒸発
分布を所望の状態（通常は均一な状態）に保つことがで
きる。
、イオンプレーティング中に各検出電極に流れる電流値
は電子銃のパワーに略比例し、そのビームスポット位置
に応じて変化するため、各対の検出電極ごとの各検出電
流値の差によってその配置方向（互に略直交する方向）
の蒸発分布をそれぞれ検出することができ、その差又は
比がそれぞれ予め設定した値になるように制御信号を発
生して偏向装置を制御することによって、蒸発材の蒸発
分布を所望の状態（通常は均一な状態）に保つことがで
きる。
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、この発明によるイオンプレーティング装置の
構成を概略的に示す図であり、第２図はその蒸発源付近
の拡大平面図である。
構成を概略的に示す図であり、第２図はその蒸発源付近
の拡大平面図である。
これらの図において、１は真空槽であり、真空ポンプ２
によって排気される。
によって排気される。
この真空槽１内には、るつぼ３ａ内に蒸発材３ｂを載置
した蒸発源３を下部に設置し、その」二方に薄膜を形成
すべき被処理物（ワーク）４を配置するが、その間にイ
オン化電極５を設けている。
した蒸発源３を下部に設置し、その」二方に薄膜を形成
すべき被処理物（ワーク）４を配置するが、その間にイ
オン化電極５を設けている。
また、蒸発源乙の下側部近傍に電子銃Ｓが設けられ、蒸
発源３内に第２図に示す電子銃６と蒸発源乙の中心を通
るＸ軸上で蒸発材３１）を挟んで電子銃６と反対側に電
磁コイル７が、電子銃６と蒸発材３ｂの間でＸ軸を挟ん
で対称な位置に一対の電磁コイル８ａ、８ｂがそれぞれ
段目られている。
発源３内に第２図に示す電子銃６と蒸発源乙の中心を通
るＸ軸上で蒸発材３１）を挟んで電子銃６と反対側に電
磁コイル７が、電子銃６と蒸発材３ｂの間でＸ軸を挟ん
で対称な位置に一対の電磁コイル８ａ、８ｂがそれぞれ
段目られている。
さらに、蒸発源３の近傍上方の略同一の高さ位置に、第
２図のＸ軸方向に間隔を置いて蒸発源３の中心に対して
略対称に一対の検知電極９ａ、９ｂを、同様に蒸発源３
の中心を通ってＸ軸に直交するＸ軸方向に間隔を置いて
蒸発源３の中心に対して略対称にもう一対の検知電極１
０ａ、１０ｂ（第１図では図示を省略している）を配設
している。
２図のＸ軸方向に間隔を置いて蒸発源３の中心に対して
略対称に一対の検知電極９ａ、９ｂを、同様に蒸発源３
の中心を通ってＸ軸に直交するＸ軸方向に間隔を置いて
蒸発源３の中心に対して略対称にもう一対の検知電極１
０ａ、１０ｂ（第１図では図示を省略している）を配設
している。
そして、電子銃６は蒸発用電源１１からヒータ電流と加
速用高電圧を供給されて電子ビームＥＢを発生し、それ
を蒸発材３ｂに照射して蒸発させるが、そのビームスポ
ット位置は、Ｘ軸方向の偏向手段である電磁コイル７と
Ｘ軸方向の偏向手段である一対の電磁コイル８ａ、８ｂ
（いずれも蒸発用電源１１から偏向電流を供給される）
によって発生される磁界によって制御される。
速用高電圧を供給されて電子ビームＥＢを発生し、それ
を蒸発材３ｂに照射して蒸発させるが、そのビームスポ
ット位置は、Ｘ軸方向の偏向手段である電磁コイル７と
Ｘ軸方向の偏向手段である一対の電磁コイル８ａ、８ｂ
（いずれも蒸発用電源１１から偏向電流を供給される）
によって発生される磁界によって制御される。
また、蒸発源３は真空槽１と共にアースされ、被処理物
４には直流電源１２により−２００〜−３００Ｖの負電
圧が印加され、イオン化電（が５にはイオン化電源１３
によって正電圧が印加される。
４には直流電源１２により−２００〜−３００Ｖの負電
圧が印加され、イオン化電（が５にはイオン化電源１３
によって正電圧が印加される。
したがって、蒸発源３で電子銃６によって電子ビームを
照射されて蒸発した蒸発材乙すの粒子は、イオン化電極
５によってイオン化されて正電荷を帯び、負電圧が印加
された被処理物＾４の表面に吸引伺着されて薄膜を形成
する。
照射されて蒸発した蒸発材乙すの粒子は、イオン化電極
５によってイオン化されて正電荷を帯び、負電圧が印加
された被処理物＾４の表面に吸引伺着されて薄膜を形成
する。
一方、一対の検出電極９ａ、９ｂには、それぞれ定電圧
源１４ｉ５によって蒸発源３に対して正の一定電圧が印
加され、その回路にそれぞれ直列に介挿したシャン１〜
抵抗１６．１７によって、各検出電極９ ａ ＋日すに
流れる電流を電圧に変換し、各増幅器１８．１９によっ
て増幅して、検出電極９ａ、９ｂにそれぞれ流れる電流
値の検出信号（電圧信号）Ｉａ、Ｔｂを得る。
源１４ｉ５によって蒸発源３に対して正の一定電圧が印
加され、その回路にそれぞれ直列に介挿したシャン１〜
抵抗１６．１７によって、各検出電極９ ａ ＋日すに
流れる電流を電圧に変換し、各増幅器１８．１９によっ
て増幅して、検出電極９ａ、９ｂにそれぞれ流れる電流
値の検出信号（電圧信号）Ｉａ、Ｔｂを得る。
これらの定電圧源１４，１５．シャン１〜抵抗１６．１
７．及び増幅器１８．１９によって２組の電流検出器を
構成している。
７．及び増幅器１８．１９によって２組の電流検出器を
構成している。
図示を省略しているが、もう一対の検出電極１０ａ、１
０ｂ （第２図）に対しても、それぞれ同様な電流検出
器が設【づられでおり、各検出電極１０ａ、１０ｂにそ
れぞれ流れる電流値の検出信号Ｉｃ、Ｔｄを得るように
なっている。
０ｂ （第２図）に対しても、それぞれ同様な電流検出
器が設【づられでおり、各検出電極１０ａ、１０ｂにそ
れぞれ流れる電流値の検出信号Ｉｃ、Ｔｄを得るように
なっている。
このようにして検出した各検出電極９ａ、９ｂ。
１０ａ、１０ｂに流れる電流値の検出信号Ｔａ。
Ｉｂ、 ■ｃ、Ｔｄを制御信号発生器２０に入力する
。この制御信号発生器２０には、標準値設定器２１によ
って予め設定さＪｔた２つの標準値Ａ ｘ 。
。この制御信号発生器２０には、標準値設定器２１によ
って予め設定さＪｔた２つの標準値Ａ ｘ 。
Ａｙも入力される。
そして、この制御信号発生器２０は、例えば第３図に示
すように一苅の差検出器２０１，２０２と比較器２０３
，２０４からなり、差検出器２０１は検出信号Ｔａ、Ｉ
ｂの差ΔＴ ｘ ＝ Ｉ ａ −Ｔ ｌ）を検出し、比
較器２０３はその差ΔＩｘを標準値Ａｘと比較して、そ
の結果に基づいて制御信号８ｘを発生する。
すように一苅の差検出器２０１，２０２と比較器２０３
，２０４からなり、差検出器２０１は検出信号Ｔａ、Ｉ
ｂの差ΔＴ ｘ ＝ Ｉ ａ −Ｔ ｌ）を検出し、比
較器２０３はその差ΔＩｘを標準値Ａｘと比較して、そ
の結果に基づいて制御信号８ｘを発生する。
一方、差検出器２０２は検出信号Ｉｃ、 Ｔｄの差Δ
Ｉ ｙ ＝ Ｔ ｃ −Ｉ ｄを検出し、比較器２０４
はその差Δ■ｙを標準値Ａ、 ｙと比較して、その結果
に基づいて制御信号Ｓｙを発生する。
Ｉ ｙ ＝ Ｔ ｃ −Ｉ ｄを検出し、比較器２０４
はその差Δ■ｙを標準値Ａ、 ｙと比較して、その結果
に基づいて制御信号Ｓｙを発生する。
これらの制御信号Ｓｘ、Ｓｙを蒸発用電源１１に入力し
て、電磁コイル７及び８ａ、８ｂへの偏向電流（励磁電
流）を制御する。
て、電磁コイル７及び８ａ、８ｂへの偏向電流（励磁電
流）を制御する。
なお、ΔＩｘ、ΔＩｙ、Ａｘ、Ａｙはいずれも正の場合
と負の場合がある。
と負の場合がある。
蒸発用電源１１は、例えば第３図に示すように電源回路
１１０と、電子銃駆動回路１１１と、Ｘ方向偏向電流供
給回路１１２及びＹ方向偏向電流供給回路１１３によっ
て構成されている。
１１０と、電子銃駆動回路１１１と、Ｘ方向偏向電流供
給回路１１２及びＹ方向偏向電流供給回路１１３によっ
て構成されている。
そして、電子銃駆動回路１１１は第１図の電子銃６ヘヒ
ータ電流と加速用高電圧を供給し、Ｘ方向偏向電流供給
回路１１２は電磁コイル７に制御信号Ｓｘに応じた偏向
電流を、Ｙ方向偏向電流供給回路１１３は電磁コイル１
３ａ、 ８ｂに制御信号Ｓｙに応じた偏向電流をそれぞ
れ供給する。
ータ電流と加速用高電圧を供給し、Ｘ方向偏向電流供給
回路１１２は電磁コイル７に制御信号Ｓｘに応じた偏向
電流を、Ｙ方向偏向電流供給回路１１３は電磁コイル１
３ａ、 ８ｂに制御信号Ｓｙに応じた偏向電流をそれぞ
れ供給する。
＝８−
ところで、検出電極９ａ、９ｂに流れる電流の和と電子
銃６のパワー（蒸発源３からの蒸発材３ｂの蒸発粒子の
濃度はこのパワーに依存ｔ ル）との間には、第４図に
示すように比例関係が成立することが判明した。
銃６のパワー（蒸発源３からの蒸発材３ｂの蒸発粒子の
濃度はこのパワーに依存ｔ ル）との間には、第４図に
示すように比例関係が成立することが判明した。
なお、第４図のデータは、イオン化電極５への印加電圧
が４５ｖ、検出電極９ａ、９ｂへの印加電圧が２５Ｖで
、蒸発材３）〕がチタン（Ｔｉ）の場合の例である。
が４５ｖ、検出電極９ａ、９ｂへの印加電圧が２５Ｖで
、蒸発材３）〕がチタン（Ｔｉ）の場合の例である。
さらに、検出電極９ａ、９ｂにそれぞれ流れる電流値Ｉ
ａ、Ｔｂは、電子銃６から蒸発材３ ＋〕に照射される
電子ビームＥＢのＸ軸方向のビームスポット位置によっ
て、第５図に示すように互いに反比例する関係で変化す
ることが判明した。
ａ、Ｔｂは、電子銃６から蒸発材３ ＋〕に照射される
電子ビームＥＢのＸ軸方向のビームスポット位置によっ
て、第５図に示すように互いに反比例する関係で変化す
ることが判明した。
なお、第５図のデータは、前述した第４図のデータに対
する条件と同じで、電子鏡のパワーが４ＫＷの場合の例
である。
する条件と同じで、電子鏡のパワーが４ＫＷの場合の例
である。
そこで、予め望ましい蒸発分布になった時に各検出電極
９ａ、９ｂに流れる電流値Ｔａ、Ｉｂを検出して、その
差（Ｔａ−Ｔｈ）を求めて、それを標準値設定器２１に
よって標準値Ａｘ（正負がある）として設定しておけば
、制御信号発生器２０の比較器２０３は実際に検出され
る電流値ＩａとＩｂの差ΔＴｘ（Ｉａ−Ｉｂ）を標準値
Ａｘと比較して、ΔＩｘをＡｘと一致させるように制御
信号Ｓｘを発生し、電磁コイル７の磁界を制御してビー
ムスポット位置を移動させる。
９ａ、９ｂに流れる電流値Ｔａ、Ｉｂを検出して、その
差（Ｔａ−Ｔｈ）を求めて、それを標準値設定器２１に
よって標準値Ａｘ（正負がある）として設定しておけば
、制御信号発生器２０の比較器２０３は実際に検出され
る電流値ＩａとＩｂの差ΔＴｘ（Ｉａ−Ｉｂ）を標準値
Ａｘと比較して、ΔＩｘをＡｘと一致させるように制御
信号Ｓｘを発生し、電磁コイル７の磁界を制御してビー
ムスポット位置を移動させる。
例えば、ビームスポット位置が蒸発源３の中心にある時
（第５図に破線で示す）のＩ ａ −１ｂの値がｒ−０
，５Ｊ であるとして、これを標準値Ａｘとして設定
した場合、実際に検出されたＩａとＩｂによるΔＩｘ（
Ｉａ−Ｉｂ）が−０，５より大きい時にはビームスポッ
ト位置が第２図でＸ軸の中心よりマイナス側にあるので
プラス方向へ移動させ、ΔＩｘが−０，５より小さい時
にはビームスポット位置がＸ軸の中心よりプラス側にあ
るのでマイナス方向へ移動させる。
（第５図に破線で示す）のＩ ａ −１ｂの値がｒ−０
，５Ｊ であるとして、これを標準値Ａｘとして設定
した場合、実際に検出されたＩａとＩｂによるΔＩｘ（
Ｉａ−Ｉｂ）が−０，５より大きい時にはビームスポッ
ト位置が第２図でＸ軸の中心よりマイナス側にあるので
プラス方向へ移動させ、ΔＩｘが−０，５より小さい時
にはビームスポット位置がＸ軸の中心よりプラス側にあ
るのでマイナス方向へ移動させる。
このようにすれば、ビームスポット位置が常に蒸発源乙
の中心になるように制御することができる。
の中心になるように制御することができる。
Ｙ軸方向についても、標準値Ａｙを所望の蒸発分布が得
られる時のΔＩ ｙ ＝ Ｉ ｃ −１ｄに相当する値
に設定すれば、ビームスポット位置をその時のＹ軸方向
の位置に常に制御することができる。
られる時のΔＩ ｙ ＝ Ｉ ｃ −１ｄに相当する値
に設定すれば、ビームスポット位置をその時のＹ軸方向
の位置に常に制御することができる。
この場合、第２図の電磁コイル８ａ、 ８ｂに供給する
偏向電流の大きさを異ならせることによって、電子ビー
ムをｖ軸のプラス方向又はマイナス方向に偏向させるこ
とができる。
偏向電流の大きさを異ならせることによって、電子ビー
ムをｖ軸のプラス方向又はマイナス方向に偏向させるこ
とができる。
なお、このビームスポットの制御目標位置は、蒸発源３
の中心位置に限るものではない。
の中心位置に限るものではない。
また、標準値Ａｘ、Ａｙを「０」又はそれに近い値にす
るのが好ましいが、実際には対の電極９ａと９ｂ及び１
０ａと１０ｂの設置位置や大きさのバラツキ等の各種条
件によりｒＯＪにならない場合が多いので、予め実検に
よって求めるのが望ましい。
るのが好ましいが、実際には対の電極９ａと９ｂ及び１
０ａと１０ｂの設置位置や大きさのバラツキ等の各種条
件によりｒＯＪにならない場合が多いので、予め実検に
よって求めるのが望ましい。
さらに、この実施例ではＩａとｒｂの差及びＩｃとＩｄ
の差をそれぞれ標準値Ａｘ、Ａｙと比較して制御信号Ｓ
ｘ、Ｓｙを発生するようにしたが、これに代えて、Ｉａ
とＩｂの比（Ｉａ／Ｉｂ）及びＩｃとＩｄの比（Ｉ ｃ
／ Ｉ ｄ、 ）をそれぞれ所望の蒸発分布が得られ
た時のこの比に相当する各標準値と比較して制御信号Ｓ
ｘ、Ｓｙを発生するようにしてもよい。
の差をそれぞれ標準値Ａｘ、Ａｙと比較して制御信号Ｓ
ｘ、Ｓｙを発生するようにしたが、これに代えて、Ｉａ
とＩｂの比（Ｉａ／Ｉｂ）及びＩｃとＩｄの比（Ｉ ｃ
／ Ｉ ｄ、 ）をそれぞれ所望の蒸発分布が得られ
た時のこの比に相当する各標準値と比較して制御信号Ｓ
ｘ、Ｓｙを発生するようにしてもよい。
以上説明してきたように、この発明によるイオンプレー
ティング装置は、蒸発源の蒸発材に照射する電子ビーム
のビームスポット位置を常に所望の蒸発分布が得られる
位置に制御できるので、被処理物の表面に高品質の薄膜
を形成することができる。
ティング装置は、蒸発源の蒸発材に照射する電子ビーム
のビームスポット位置を常に所望の蒸発分布が得られる
位置に制御できるので、被処理物の表面に高品質の薄膜
を形成することができる。
しかも、従来のように高価な膜厚計を使用せず、センサ
等を交換する必要もないので、イニシャルコストもラン
ニングコストも安価で済む。
等を交換する必要もないので、イニシャルコストもラン
ニングコストも安価で済む。
第１図はこの発明の一実施例を示すイオンプレーティン
グ装置の構成図、 第２図は同じくその蒸発源付近の拡大平面図、第３図は
第１図における蒸発用電源１１と制御信号発生器２０の
構成例を示すブロック図、＝１２− 第４図及び第５図はこの実施例の作用説明に供する検出
電極に流れる電流の曲線図である。 １・・・真空槽 ２・・・真空ポンプ ３・・・蒸
発源３ａ・・・るつぼ ３ｂ・・・蒸発材 ４・・
・被処理物５・・・イオン化電極 ６・・・電子銃
７．８８．８ｂ・・・電磁コイル ９ａ、９ｂ・・・検出電極 （Ｘ軸方向の蒸発分布検出用） １０ａ、１０ｂ・・・検出電極 （Ｙ軸方向の蒸発分布検出用） １１・・・蒸発用電源 １２・・・直流電源１３・
・・イオン化電源 １４．１５・・定電圧源１６．１
７・・・シャント抵抗 １８．１９・・・増幅器 ２０・・・制御信号発生器
２１・・・標準値設定器 第３図 電子銃６ 電 電 電磁
磁 磁 ８ 加 コ １ 速 １ イ イ
タ 電 ル 極 ７ｆｃＬｒｂ 電子銃 Ｘ方向 Ｙ方向 偏向電流 偏向電流 駆動０路 供給。あ 供給、路 電源回路 １１０ ２１ Ｓｘ ５ｙ 標 Ａｌ 準 比較器 比較器 値 設 Ａｌ 姦ｌχ ２
０２ ２０定
Δ１ｙ器 差検出器 ２０１ 差検出器 第４図 Ａｌ 第５図 ＩＭ−・−一一一甲＋１−）−４十 ｌ Ｗ −［］−１
グ装置の構成図、 第２図は同じくその蒸発源付近の拡大平面図、第３図は
第１図における蒸発用電源１１と制御信号発生器２０の
構成例を示すブロック図、＝１２− 第４図及び第５図はこの実施例の作用説明に供する検出
電極に流れる電流の曲線図である。 １・・・真空槽 ２・・・真空ポンプ ３・・・蒸
発源３ａ・・・るつぼ ３ｂ・・・蒸発材 ４・・
・被処理物５・・・イオン化電極 ６・・・電子銃
７．８８．８ｂ・・・電磁コイル ９ａ、９ｂ・・・検出電極 （Ｘ軸方向の蒸発分布検出用） １０ａ、１０ｂ・・・検出電極 （Ｙ軸方向の蒸発分布検出用） １１・・・蒸発用電源 １２・・・直流電源１３・
・・イオン化電源 １４．１５・・定電圧源１６．１
７・・・シャント抵抗 １８．１９・・・増幅器 ２０・・・制御信号発生器
２１・・・標準値設定器 第３図 電子銃６ 電 電 電磁
磁 磁 ８ 加 コ １ 速 １ イ イ
タ 電 ル 極 ７ｆｃＬｒｂ 電子銃 Ｘ方向 Ｙ方向 偏向電流 偏向電流 駆動０路 供給。あ 供給、路 電源回路 １１０ ２１ Ｓｘ ５ｙ 標 Ａｌ 準 比較器 比較器 値 設 Ａｌ 姦ｌχ ２
０２ ２０定
Δ１ｙ器 差検出器 ２０１ 差検出器 第４図 Ａｌ 第５図 ＩＭ−・−一一一甲＋１−）−４十 ｌ Ｗ −［］−１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空槽内に配置した蒸発源と、この蒸発源の蒸発材
に電子ビームを照射する電子銃と、この電子銃による電
子ビームのビームスポット位置を制御信号に応じて制御
する偏向装置とを備えたイオンプレーティング装置にお
いて、 前記蒸発源の近傍上方の略同一の高さ位置で互いに略直
交する方向に間隔を置いて配置され、それぞれ前記蒸発
源に対して正の電圧が印加された２対の検出電極と、 その各検出電極に流れる電流値をそれぞれ検出する電流
検出器と、 前記各対の検出電極ごとに前記電流検出器によつてそれ
ぞれ検出される電流値の差又は比を予め設定した値と比
較して、その結果に基づいて前記制御信号を発生する制
御信号発生器とを設けたことを特徴とするイオンプレー
ティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22532486A JPS6379961A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22532486A JPS6379961A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379961A true JPS6379961A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16827567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22532486A Pending JPS6379961A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6379961A (ja) |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22532486A patent/JPS6379961A/ja active Pending
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