JPS6377118A - レジストの乾燥方法 - Google Patents
レジストの乾燥方法Info
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- JPS6377118A JPS6377118A JP22256086A JP22256086A JPS6377118A JP S6377118 A JPS6377118 A JP S6377118A JP 22256086 A JP22256086 A JP 22256086A JP 22256086 A JP22256086 A JP 22256086A JP S6377118 A JPS6377118 A JP S6377118A
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- drying
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Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
超臨界ガスをレジストに接触させて乾燥する。
そうすると、レジスト膜は熱ダメージを受けない。
［産業上の利用分野］
本発明はレジストの新規な乾燥（プリベーク）方法に関
する。
する。
ＩＣなどの半導体装置の製造工程において、最も重要な
工程の一つに微細パターンを写真食刻法で形成する、所
謂リソグラフィ技術があり、このリソグラフィ技術では
エツチングの保護被膜として感光性塗膜材料（レジスト
）が用いられている。
工程の一つに微細パターンを写真食刻法で形成する、所
謂リソグラフィ技術があり、このリソグラフィ技術では
エツチングの保護被膜として感光性塗膜材料（レジスト
）が用いられている。
レジスト膜は加工が終わると除去されて、余り目立たな
いが、微細加工の性能を左右する重要なもので、そのた
め、レジスト材料については各方面で盛んに研究されて
いる。
いが、微細加工の性能を左右する重要なもので、そのた
め、レジスト材料については各方面で盛んに研究されて
いる。
しかし、一方、レジストを塗布した後、乾燥（プリベー
ク）して固化する方法も大切で、特に、レジスト膜厚が
被処理基板（ウェハー）の全面で均一化することが重要
である。
ク）して固化する方法も大切で、特に、レジスト膜厚が
被処理基板（ウェハー）の全面で均一化することが重要
である。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］従来、
レジスト膜は、スピンナー（回転塗布機）に取付けたウ
ェハーの面上に、所望のレジスト液を滴下しながら回転
して拡散した後、迅速に乾燥させるために、９０〜１０
０℃程度にウェハーを加熱して固化させている。この乾
燥工程、即ち、９０〜１００℃にウェハーを加熱し、有
機溶剤を揮発させて固化させる工程をレジストのプリベ
ータと呼んでおり、リソグラフィ技術では必須の処理工
程となっている。
レジスト膜は、スピンナー（回転塗布機）に取付けたウ
ェハーの面上に、所望のレジスト液を滴下しながら回転
して拡散した後、迅速に乾燥させるために、９０〜１０
０℃程度にウェハーを加熱して固化させている。この乾
燥工程、即ち、９０〜１００℃にウェハーを加熱し、有
機溶剤を揮発させて固化させる工程をレジストのプリベ
ータと呼んでおり、リソグラフィ技術では必須の処理工
程となっている。
しかしながら、有機材料からなるレジストに対して、１
００℃の温度に加熱すると、レジスト膜が熱ダメージを
受けて変形し易く、例えば、周囲がだれたり、また、全
面にゆるやかな凹凸が生じたりして好ましくない。従来
、これは余り問題でなかったが、粒子線リソグラフィを
使用してサブミクロン以下の微細パターンを形成するよ
うになると、この変形が微妙にパターン精度に影響する
ようになってきた。
００℃の温度に加熱すると、レジスト膜が熱ダメージを
受けて変形し易く、例えば、周囲がだれたり、また、全
面にゆるやかな凹凸が生じたりして好ましくない。従来
、これは余り問題でなかったが、粒子線リソグラフィを
使用してサブミクロン以下の微細パターンを形成するよ
うになると、この変形が微妙にパターン精度に影響する
ようになってきた。
また、１００℃程度の加熱処理によってレジスト膜の感
光性が悪くなるレジスト材料もある。
光性が悪くなるレジスト材料もある。
本発明は、このようなレジストの熱処理に代わる、新規
な乾燥方法を提案するものである。
な乾燥方法を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、ウェハー面上にレジストを塗布した後、超
臨界ガスを該レジストに接触させて乾燥するようにした
レジストの乾燥方法によって達成される。
臨界ガスを該レジストに接触させて乾燥するようにした
レジストの乾燥方法によって達成される。
［作用コ
即ち、超臨界ガスは有機物質の溶解度が急激に増加して
レジストの有機溶媒を抽出するために、本発明は、この
ような超臨界ガスをレジストに接触させて乾燥する方法
で、そうすれば、レジストは熱ダメージがなく乾燥でき
る。
レジストの有機溶媒を抽出するために、本発明は、この
ような超臨界ガスをレジストに接触させて乾燥する方法
で、そうすれば、レジストは熱ダメージがなく乾燥でき
る。
［実施例］
以下、図面を参照して詳細に説明すると、第１図は超臨
界ガスの概念を説明する状態図であるが、物質にはそれ
ぞれの臨界温度と臨界圧力があって、その臨界点を越え
ると超臨界ガス（Ｓｕｐｅｒ Ｃｒ１ｔｉｃａｌ Ｆｌ
ｕｉｄ）となる。この超臨界ガスは液体と気体との中間
の性質をもっており、第１図に示しているような気体・
液体間、固体・液体間、気体・固体間の変化はには熱の
出入り （蒸発熱など）が伴うが、気体・超臨界ガス間
、液体・超臨界ガス間では熱の出入りはない。
界ガスの概念を説明する状態図であるが、物質にはそれ
ぞれの臨界温度と臨界圧力があって、その臨界点を越え
ると超臨界ガス（Ｓｕｐｅｒ Ｃｒ１ｔｉｃａｌ Ｆｌ
ｕｉｄ）となる。この超臨界ガスは液体と気体との中間
の性質をもっており、第１図に示しているような気体・
液体間、固体・液体間、気体・固体間の変化はには熱の
出入り （蒸発熱など）が伴うが、気体・超臨界ガス間
、液体・超臨界ガス間では熱の出入りはない。
このような超臨界ガスに、例えば、−酸化二窒素（Ｎ２
０）があり、その臨界温度は３６℃、その臨界圧力は７
２ａ ｔｍである。このＮ２０に対する有機物質の溶解
度を第２図に示し、同図は温度を４０℃、４５℃とした
場合の溶解度曲線を図示している。
０）があり、その臨界温度は３６℃、その臨界圧力は７
２ａ ｔｍである。このＮ２０に対する有機物質の溶解
度を第２図に示し、同図は温度を４０℃、４５℃とした
場合の溶解度曲線を図示している。
図のように、有機物質に対する溶解度は臨界点付近から
急激に増加する。
急激に増加する。
本発明はこの性質を利用するもので、第３図はその実施
例としてのレジストの乾燥装置を示している。同図にお
いて、１はレジストを塗布したウェハー、２は乾燥室、
３は加圧ポンプ、４は分離室、５は貯蔵タンクで、ａ、
ｂ、ｃ、ｄは開閉バルブである。これらのチャンバおよ
び接続パイプの中にはガス状または液体のＮ２０が満た
されていて、且つ、乾燥室２は４０℃の低温度に保持さ
れている。
例としてのレジストの乾燥装置を示している。同図にお
いて、１はレジストを塗布したウェハー、２は乾燥室、
３は加圧ポンプ、４は分離室、５は貯蔵タンクで、ａ、
ｂ、ｃ、ｄは開閉バルブである。これらのチャンバおよ
び接続パイプの中にはガス状または液体のＮ２０が満た
されていて、且つ、乾燥室２は４０℃の低温度に保持さ
れている。
その処理操作は、まず、バルブｃ、ｄを閉じ、バルブａ
、ｂを開けて加圧ポンプ３により乾燥室２の中の圧力を
高め、７２気圧以上にする。必要なら、バルブａを閉じ
て、乾燥室２内を７２気圧以上にして暫時その状態を保
って、レジストの有機溶媒を抽出し、レジストを乾燥さ
せる。また、この時、バルブａを開けたままでポンプア
ップを続行してもおいても良い。
、ｂを開けて加圧ポンプ３により乾燥室２の中の圧力を
高め、７２気圧以上にする。必要なら、バルブａを閉じ
て、乾燥室２内を７２気圧以上にして暫時その状態を保
って、レジストの有機溶媒を抽出し、レジストを乾燥さ
せる。また、この時、バルブａを開けたままでポンプア
ップを続行してもおいても良い。
このようにして、レジストが乾燥すると、バルブｂを閉
じ、バルブＣを開いて、乾燥室２の超臨界Ｎ２０を分離
室４に送り、圧力を下げて超臨界状態から気体に戻す。
じ、バルブＣを開いて、乾燥室２の超臨界Ｎ２０を分離
室４に送り、圧力を下げて超臨界状態から気体に戻す。
そうすると、抽出した有機溶媒は液体になって、気体の
Ｎ２０と分離される。
Ｎ２０と分離される。
溜った有機溶媒は排出口から排出させる。
第３図に示す乾燥装置は、このような操作を繰り換えし
て、レジストを乾燥させる。そのため、Ｎ２０を繰り返
して使用できる。一方、貯蔵タンク５は予備用のＮ２０
を貯蔵しており、バルブｄは通常開じているが、Ｎ２０
が不足した時のみ送出する予備用のＮ２０である。
て、レジストを乾燥させる。そのため、Ｎ２０を繰り返
して使用できる。一方、貯蔵タンク５は予備用のＮ２０
を貯蔵しており、バルブｄは通常開じているが、Ｎ２０
が不足した時のみ送出する予備用のＮ２０である。
上記が本発明にかかる乾燥装置の概要説明であるが、こ
のような乾燥方法を採れば、加熱は僅かに４０℃程度で
あり、レジスト膜に熱的なダメージを与えることなく、
レジストを乾燥できる。従って、微細パターン形成に適
したレジストの乾燥方法と云える。
のような乾燥方法を採れば、加熱は僅かに４０℃程度で
あり、レジスト膜に熱的なダメージを与えることなく、
レジストを乾燥できる。従って、微細パターン形成に適
したレジストの乾燥方法と云える。
［発明の効果コ
以上の説明から明らかなように、本発明によればレジス
トにダメージを与えることなく、乾燥できて、ＩＣなど
のパターンニング精度の向上に顕著に寄与するものであ
る。
トにダメージを与えることなく、乾燥できて、ＩＣなど
のパターンニング精度の向上に顕著に寄与するものであ
る。
第１図は超臨界ガスを説明する図、
第２図はＮ２０に対する有機物質の溶解度を示す図、
第３図は本発明の方法によるレジストの乾燥装置の実施
例図である。 図において、 １はレジストを塗布したウェハー、 ２は乾燥室、 ３は加圧ポンプ、 ４は分離室、 ５は貯蔵タンク、 を示している。 第１ｒＡ Ｎ２Ｃ７１譜ｆシ市槻＃）訃りｐ棟 第２図 第３図
例図である。 図において、 １はレジストを塗布したウェハー、 ２は乾燥室、 ３は加圧ポンプ、 ４は分離室、 ５は貯蔵タンク、 を示している。 第１ｒＡ Ｎ２Ｃ７１譜ｆシ市槻＃）訃りｐ棟 第２図 第３図
Claims (1)
- ウェハー面上にレジストを塗布した後、超臨界ガスを該
レジストに接触させて乾燥するようにしたことを特徴と
するレジストの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22256086A JPS6377118A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | レジストの乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22256086A JPS6377118A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | レジストの乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377118A true JPS6377118A (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=16784365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22256086A Pending JPS6377118A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | レジストの乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6377118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185296A (en) * | 1988-07-26 | 1993-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming a dielectric thin film or its pattern of high accuracy on a substrate |
| EP0992852A2 (en) * | 1998-09-09 | 2000-04-12 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Pattern formation method and apparatus |
| JP2003045770A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22256086A patent/JPS6377118A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185296A (en) * | 1988-07-26 | 1993-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming a dielectric thin film or its pattern of high accuracy on a substrate |
| US5304515A (en) * | 1988-07-26 | 1994-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming a dielectric thin film or its pattern of high accuracy on substrate |
| EP0992852A2 (en) * | 1998-09-09 | 2000-04-12 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Pattern formation method and apparatus |
| KR20000023033A (ko) * | 1998-09-09 | 2000-04-25 | 미야즈 준이치로 | 패턴형성방법 및 패턴형성장치 |
| EP0992852A3 (en) * | 1998-09-09 | 2006-07-19 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Pattern formation method and apparatus |
| JP2003045770A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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