JPS637372B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS637372B2 JPS637372B2 JP11482782A JP11482782A JPS637372B2 JP S637372 B2 JPS637372 B2 JP S637372B2 JP 11482782 A JP11482782 A JP 11482782A JP 11482782 A JP11482782 A JP 11482782A JP S637372 B2 JPS637372 B2 JP S637372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric element
- infrared
- perot
- fabry
- modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、性能が高く、宇宙環境においても安
定な特性を有する高信頼性のフアブリペロ型赤外
線変調器を提供することを目的としている。
定な特性を有する高信頼性のフアブリペロ型赤外
線変調器を提供することを目的としている。
従来赤外線変調器は、モータなどの駆動によつ
て回転するセクタによつて、光線を断続する方式
が一般的であるが、この方式では機械的に回転す
る部分があり、高真空の宇宙空間では、安定な潤
滑材がなく、信頼性の高い変調器を得ることがで
きない。
て回転するセクタによつて、光線を断続する方式
が一般的であるが、この方式では機械的に回転す
る部分があり、高真空の宇宙空間では、安定な潤
滑材がなく、信頼性の高い変調器を得ることがで
きない。
そこで、機械的摩擦のない構造の赤外変調器が
多種にわたつて検討されてきており、その中でも
干渉現象を利用したフアブリペロ型赤外変調器は
比較的変調率が高く、注目されている。
多種にわたつて検討されてきており、その中でも
干渉現象を利用したフアブリペロ型赤外変調器は
比較的変調率が高く、注目されている。
フアブリペロ型赤外線変調器は、第１図に示す
ようにエタロン板等から成る２枚の平行平板１，
２の間に圧電素子より成るスペーサ３をはさみ、
圧電素子３の厚さを変動させて平行平板１，２間
の面間隔を変動させて透過波長特性を変調させ
る。
ようにエタロン板等から成る２枚の平行平板１，
２の間に圧電素子より成るスペーサ３をはさみ、
圧電素子３の厚さを変動させて平行平板１，２間
の面間隔を変動させて透過波長特性を変調させ
る。
第２図は第１図に示したフアブリペロ型変調器
の赤外透過率変調特性である。平行平板１，２の
面間隔に応じて赤外透過特性は第２図１１，１２
のように変化する。したがつて、いま使用波長領
域を第２図の２３で示した波長領域とすると、曲
線１１は使用波長領域２３で透明なとき、即ち変
調器が開のときの透過特性を、曲線１２は使用波
長領域２３で反射率の大きいとき、即ち変調器が
閉のときの透過特性を表わす。斜線部２１は変調
器が開時の透過率を、斜線部２２は変調器が閉時
の透過率を示す。従つて、この変調器は、ある波
長帯のみに限定して、その波長の赤外線を変調す
る機能を有している。
の赤外透過率変調特性である。平行平板１，２の
面間隔に応じて赤外透過特性は第２図１１，１２
のように変化する。したがつて、いま使用波長領
域を第２図の２３で示した波長領域とすると、曲
線１１は使用波長領域２３で透明なとき、即ち変
調器が開のときの透過特性を、曲線１２は使用波
長領域２３で反射率の大きいとき、即ち変調器が
閉のときの透過特性を表わす。斜線部２１は変調
器が開時の透過率を、斜線部２２は変調器が閉時
の透過率を示す。従つて、この変調器は、ある波
長帯のみに限定して、その波長の赤外線を変調す
る機能を有している。
これを式で表わすと、次のようになる。
Ｉ／I0＝１／（１＋Fsin2δ／２） ……(1)
ここで、
Ｆ＝4R／（１−Ｒ）2 ……(2)
δ＝（4πdcosθ）／λ ……(3)
であり、λは波長、θは入射角、ｄは平行平板の
面間隔、Ｒはｄなる間隔で向い合う面の反射率で
ある。Ｉ／I0は各波長での透過率を現わしてい
る。
面間隔、Ｒはｄなる間隔で向い合う面の反射率で
ある。Ｉ／I0は各波長での透過率を現わしてい
る。
この式から、Ｒは100％に近いほど赤外反射に
よる遮断率が良いが、透過領域の半値巾が狭くな
り透過ピークが鋭くなる。赤外変調器としては、
その用途により、赤外帯域巾が異るので、適当な
反射率を選ぶことになるが、ほとんど24％以上の
範囲でカバーできることになる。反射率が24％よ
り低い場合は、遮断率が62％以下で、38％以上の
透過光が残り実用的でない。
よる遮断率が良いが、透過領域の半値巾が狭くな
り透過ピークが鋭くなる。赤外変調器としては、
その用途により、赤外帯域巾が異るので、適当な
反射率を選ぶことになるが、ほとんど24％以上の
範囲でカバーできることになる。反射率が24％よ
り低い場合は、遮断率が62％以下で、38％以上の
透過光が残り実用的でない。
この変調器で大切なことは、この反射面の面間
隔ｄと平行度である。しかも、宇宙環境では60℃
から−30℃の温度範囲で安定な特性が要求される
ので、面間隔ｄと平行度は、その温度範囲で安定
でなければならない。
隔ｄと平行度である。しかも、宇宙環境では60℃
から−30℃の温度範囲で安定な特性が要求される
ので、面間隔ｄと平行度は、その温度範囲で安定
でなければならない。
従つて、熱膨脹や熱歪によるわずかな変動がエ
タロン板間隔及び平行度に影響を与えないような
構造が望まれ第３図に示すような構造にして、熱
膨脹を受けないような工夫がなされてきている。
タロン板間隔及び平行度に影響を与えないような
構造が望まれ第３図に示すような構造にして、熱
膨脹を受けないような工夫がなされてきている。
第３図において、３１は第１エタロン平板で、
積層圧電素子３３を介して基板３５にとりつけら
れている。３２は第２エタロン平板で、積層圧電
素子３４を介して基板３５にとりつけられてい
る。エタロン板３１，３２の面間隔は積層圧電素
子３３，３４により制御される。
積層圧電素子３３を介して基板３５にとりつけら
れている。３２は第２エタロン平板で、積層圧電
素子３４を介して基板３５にとりつけられてい
る。エタロン板３１，３２の面間隔は積層圧電素
子３３，３４により制御される。
この構成のうち積層圧電素子３３，３４は、従
来は各素子間を樹脂製接着剤で接着していたが、
接着の厚さを均一に塗布することが困難で、エタ
ロン板３１，３２間の平行度に悪影響を与えた
り、熱歪現象が大きく、温度特性の低下の原因に
なつていた。又宇宙環境においては、脱ガスの問
題があり、更に寿命に関して云えば、経時変化に
よる変調器の特性劣化が生じ、信頼性に難点があ
つた。
来は各素子間を樹脂製接着剤で接着していたが、
接着の厚さを均一に塗布することが困難で、エタ
ロン板３１，３２間の平行度に悪影響を与えた
り、熱歪現象が大きく、温度特性の低下の原因に
なつていた。又宇宙環境においては、脱ガスの問
題があり、更に寿命に関して云えば、経時変化に
よる変調器の特性劣化が生じ、信頼性に難点があ
つた。
本発明はこのような欠点を解消したもので、本
発明は、信頼性の高い安定な特性を有し、面の平
行度、平面度の高い圧電素子を実現し、より安定
で信頼性が高く、変調率の良いフアブリペロ型赤
外変調器を提供することにある。
発明は、信頼性の高い安定な特性を有し、面の平
行度、平面度の高い圧電素子を実現し、より安定
で信頼性が高く、変調率の良いフアブリペロ型赤
外変調器を提供することにある。
以下図面とともに詳細に説明する。第４図は本
発明によるフアブリペロ型赤外線検出器に使用さ
れる積層圧電素子の１単位を示す圧電素子４０
で、ａは正面図、ｂは断面側面図である。図にお
いて、４１は圧電ウエハ、４２，４３は電極であ
る。圧電ウエハ４１の両面の電極４２，４３は融
点100℃〜300℃の金属蒸着膜で形成し、両電極４
２，４３は各々ウエハ４１の縁及び側面の一部分
に延びるよう形成されており各々分離されるよう
配置されている。つぎに、第４図のような圧電素
子４０を第５図に示すように複数枚各々並列に電
圧印加できるように重ね合せ、蒸着膜金属の融点
以上に温度を上げて熱圧電させると、重ね合わさ
れた各電極は接合し、圧電素子４０の側面に延び
た部分も互いに接続される。したがつて、第５図
に見られるように、断面がくし歯状の一対の電極
４４，４５が形成されるようになる。これを室温
に戻したあと、側面に出ている蒸着金属４４，４
５を正、負各々の電極にまとめて、電圧印加用の
リード線４６，４７に接続することができる。４
８は電源である。
発明によるフアブリペロ型赤外線検出器に使用さ
れる積層圧電素子の１単位を示す圧電素子４０
で、ａは正面図、ｂは断面側面図である。図にお
いて、４１は圧電ウエハ、４２，４３は電極であ
る。圧電ウエハ４１の両面の電極４２，４３は融
点100℃〜300℃の金属蒸着膜で形成し、両電極４
２，４３は各々ウエハ４１の縁及び側面の一部分
に延びるよう形成されており各々分離されるよう
配置されている。つぎに、第４図のような圧電素
子４０を第５図に示すように複数枚各々並列に電
圧印加できるように重ね合せ、蒸着膜金属の融点
以上に温度を上げて熱圧電させると、重ね合わさ
れた各電極は接合し、圧電素子４０の側面に延び
た部分も互いに接続される。したがつて、第５図
に見られるように、断面がくし歯状の一対の電極
４４，４５が形成されるようになる。これを室温
に戻したあと、側面に出ている蒸着金属４４，４
５を正、負各々の電極にまとめて、電圧印加用の
リード線４６，４７に接続することができる。４
８は電源である。
第４図で形成する金属蒸着膜電極４２，４３の
膜厚は0.1〜1μmが適当である。膜厚が0.1μmより
小さいと第５図における熱圧着時に十分な熱圧着
強度が得られず、1μmより大きいと、第５図の熱
圧着時に、圧電素子４０側面で相互に接続しなか
つたり、積層圧電素子としての温度特性が劣化し
たりするので好ましくない。
膜厚は0.1〜1μmが適当である。膜厚が0.1μmより
小さいと第５図における熱圧着時に十分な熱圧着
強度が得られず、1μmより大きいと、第５図の熱
圧着時に、圧電素子４０側面で相互に接続しなか
つたり、積層圧電素子としての温度特性が劣化し
たりするので好ましくない。
なお、第５図で両端の圧電素子４９，５０は電
気的絶縁を考慮して片面のみ電極を蒸着したもの
を使用するとよい。
気的絶縁を考慮して片面のみ電極を蒸着したもの
を使用するとよい。
このような方法では蒸着膜の厚さは容易に均一
にできるので、出来上つた積層圧電素子の平面
度、平行度は高く、熱歪も少なく脱ガスもない、
長寿命で信頼度の高い積層圧電素子が得られる。
したがつて、この積層圧電素子を第３図のような
構成のフアブリペロ型赤外変調器に使用した場
合、前述したような欠点のない安定で信頼性の高
いフアブリペロ型赤外変調器が得られる。
にできるので、出来上つた積層圧電素子の平面
度、平行度は高く、熱歪も少なく脱ガスもない、
長寿命で信頼度の高い積層圧電素子が得られる。
したがつて、この積層圧電素子を第３図のような
構成のフアブリペロ型赤外変調器に使用した場
合、前述したような欠点のない安定で信頼性の高
いフアブリペロ型赤外変調器が得られる。
第６図は本発明に使用される積層圧電素子の１
単位の圧電素子の他の実施例を示すものである。
この実施例は、圧電ウエハ６１の中央部にドーナ
ツ状に穴６４を形成し、金属蒸着膜電極６２，６
３をリング状に形成したもので、第４図の圧電素
子４０の中央部に貫通孔を形成したものに相当す
る。この圧電素子６０の積層圧電体は円筒状とな
り、従来の樹脂製接着剤を用いた素子より、面の
平行度が１桁以上よく、良好な変調率を達成する
ことができる。
単位の圧電素子の他の実施例を示すものである。
この実施例は、圧電ウエハ６１の中央部にドーナ
ツ状に穴６４を形成し、金属蒸着膜電極６２，６
３をリング状に形成したもので、第４図の圧電素
子４０の中央部に貫通孔を形成したものに相当す
る。この圧電素子６０の積層圧電体は円筒状とな
り、従来の樹脂製接着剤を用いた素子より、面の
平行度が１桁以上よく、良好な変調率を達成する
ことができる。
次に具体的実施例について説明する。
（実施例 １）
圧電ウエハとして耐熱性の高いセラミツク焼結
体の0.1mm厚の円板を用い、第４図の構成で、圧
電ウエハ１枚１枚にインジウムを膜厚0.1μm程度
に真空蒸着して圧電素子を作成した。この圧電素
子を20枚重ねて190℃で10分間熱圧着して厚さ約
２mmの積層圧電素子を製作した。同様にして約４
mmの積層圧電素子を製作し、これらを厚さ約２
mm、反射率70％のゲルマニウムエタロン板と組み
合せて第３図に示した構成のフアブリペロ型赤外
線変調器を作製し、12〜14μmの赤外線を変調し
たところ、60％の変調率で温度安定性の高い赤外
線変調器が得られた。
体の0.1mm厚の円板を用い、第４図の構成で、圧
電ウエハ１枚１枚にインジウムを膜厚0.1μm程度
に真空蒸着して圧電素子を作成した。この圧電素
子を20枚重ねて190℃で10分間熱圧着して厚さ約
２mmの積層圧電素子を製作した。同様にして約４
mmの積層圧電素子を製作し、これらを厚さ約２
mm、反射率70％のゲルマニウムエタロン板と組み
合せて第３図に示した構成のフアブリペロ型赤外
線変調器を作製し、12〜14μmの赤外線を変調し
たところ、60％の変調率で温度安定性の高い赤外
線変調器が得られた。
（実施例 ２）
実施例１のインジウム金属のかわりにInSn（50
％―50％）合金を使用し、125℃10分間熱圧着し
た。その他の条件は実施例１と同様とした。この
場合も実施例１と略同等の変調特性を有し、従来
の接着剤を用いたものより１桁良好な温度安定性
の赤外線変調器を得ることが出来た。
％―50％）合金を使用し、125℃10分間熱圧着し
た。その他の条件は実施例１と同様とした。この
場合も実施例１と略同等の変調特性を有し、従来
の接着剤を用いたものより１桁良好な温度安定性
の赤外線変調器を得ることが出来た。
（実施例 ３）
実施例１と同材料、同一条件で第６図の圧電素
子を使用した積層圧電素子を製作し、以下実施例
１と同様にしてフアブリペロ型赤外変調器を作製
したところ、実施例１と略同等の特性の赤外線変
調器を得た。
子を使用した積層圧電素子を製作し、以下実施例
１と同様にしてフアブリペロ型赤外変調器を作製
したところ、実施例１と略同等の特性の赤外線変
調器を得た。
（実施例 ４）
実施例２と同材料、同一条件で第６図の圧電素
子を使用し、同様にフアブリペロ型赤外変調器を
作製した。この場合も実施例２と略同等の特性の
赤外線変調器を得ることが出来た。
子を使用し、同様にフアブリペロ型赤外変調器を
作製した。この場合も実施例２と略同等の特性の
赤外線変調器を得ることが出来た。
以上のように、本発明は赤外線に対して透明な
２枚のエタロン板を微少間隔をもつて平行配置し
この２枚のエタロン板間の間隔を圧電素子に印加
する電圧に応じて微変動させるように構成し、圧
電素子を複数枚の圧電素子板の積層体で形成し、
各圧電素子板は融点が100℃以上300℃以下の金属
蒸着膜で接続され、この金属蒸着膜が積層体の側
面に一部延びるよう形成されてリード線に接続さ
れるよう構成されフアブリペロ型赤外線変調器
で、エタロン板間隔の平行度が精度良く、変調率
が高く、温度特性が安定で、かつ宇宙環境での脱
ガスもなく、信頼性が高いすぐれた赤外線変調器
を得ることができる。
２枚のエタロン板を微少間隔をもつて平行配置し
この２枚のエタロン板間の間隔を圧電素子に印加
する電圧に応じて微変動させるように構成し、圧
電素子を複数枚の圧電素子板の積層体で形成し、
各圧電素子板は融点が100℃以上300℃以下の金属
蒸着膜で接続され、この金属蒸着膜が積層体の側
面に一部延びるよう形成されてリード線に接続さ
れるよう構成されフアブリペロ型赤外線変調器
で、エタロン板間隔の平行度が精度良く、変調率
が高く、温度特性が安定で、かつ宇宙環境での脱
ガスもなく、信頼性が高いすぐれた赤外線変調器
を得ることができる。
第１図は従来のフアブリペロ型赤外線変調器の
原理構造を示す側面図、第２図は、同変調器の赤
外透過率変調特性図、第３図は、積層圧電素子を
組み込んだフアブリペロ型赤外線変調器の構造の
１例を示す側面図、第４図ａ，ｂは本発明に使用
される圧電素子の実施例を示す正面図および断面
側面図、第５図は、本発明に使用される積層圧電
素子の実施例を示す断面側面図、第６図ａ，ｂは
本発明に使用される圧電素子の他の実施例を示す
正面図および断面側面図である。 ３１…第１エタロン板、３２…第２エタロン
板、３３，３４…積層圧電素子、３５…基板、４
０，４９，５０，６０…圧電素子、４１，６１…
圧電ウエハ、４２，４３，４４，４５，６２，６
３…電極、６４…穴。
原理構造を示す側面図、第２図は、同変調器の赤
外透過率変調特性図、第３図は、積層圧電素子を
組み込んだフアブリペロ型赤外線変調器の構造の
１例を示す側面図、第４図ａ，ｂは本発明に使用
される圧電素子の実施例を示す正面図および断面
側面図、第５図は、本発明に使用される積層圧電
素子の実施例を示す断面側面図、第６図ａ，ｂは
本発明に使用される圧電素子の他の実施例を示す
正面図および断面側面図である。 ３１…第１エタロン板、３２…第２エタロン
板、３３，３４…積層圧電素子、３５…基板、４
０，４９，５０，６０…圧電素子、４１，６１…
圧電ウエハ、４２，４３，４４，４５，６２，６
３…電極、６４…穴。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 赤外線に対して透明な２枚のエタロン板を微
小間隔をもつて平行配置し、前記２枚のエタロン
板の間隔を微変動させる積層圧電素子を有し、前
記積層圧電素子は圧電ウエハの両面に融点が100
℃以上300℃以下の金属膜を形成して構成された
複数枚の圧電素子を熱圧着して形成され、前記金
属膜が各圧電素子の電極として使用されることを
特徴とするフアブリペロ型赤外線変調器。 ２ 金属膜がインジウム又はインジウム合金の蒸
着膜である特許請求の範囲第１項記載のフアブリ
ペロ型赤外線変調器。 ３ 圧電素子の接着と電極の機能を有する金属蒸
着膜が、スズ、鉛を主体とする合金であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフアブリ
ペロ型赤外線変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114827A JPS595202A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | フアブリペロ型赤外線変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114827A JPS595202A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | フアブリペロ型赤外線変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595202A JPS595202A (ja) | 1984-01-12 |
| JPS637372B2 true JPS637372B2 (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=14647675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57114827A Granted JPS595202A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | フアブリペロ型赤外線変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595202A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5003624A (en) * | 1990-03-29 | 1991-03-26 | Hughes Aircraft Company | Automatic bias controller for electro-optic modulator |
-
1982
- 1982-07-01 JP JP57114827A patent/JPS595202A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS595202A (ja) | 1984-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7164199B2 (en) | Device packages with low stress assembly process | |
| WO2016170903A1 (ja) | 光学装置および光学装置の製造方法 | |
| US4266157A (en) | Piezoelectric resonator assembly with thin molybdenum mounting clips | |
| WO2015101049A1 (zh) | 一种可调谐激光器系统 | |
| JPH01300202A (ja) | 反射体および該反射体を用いた干渉装置 | |
| WO2014104110A1 (ja) | 圧電部品 | |
| JPS637372B2 (ja) | ||
| JPS58152201A (ja) | フアブリペロ型光学変調器 | |
| TW201407658A (zh) | 紅外光源 | |
| JPH0445431A (ja) | 可同調光導波装置 | |
| EP0466579B1 (fr) | Biréflecteur à grilles | |
| JPH03189631A (ja) | 光導波路装置 | |
| JPS6310594B2 (ja) | ||
| GB2040560A (en) | Piezoelectric tuning fork resonator | |
| JP5538834B2 (ja) | 液晶光学変調素子 | |
| JP3043933B2 (ja) | 記録素子 | |
| JPS5946368B2 (ja) | 複ビツト空間光位相変調板の製法 | |
| JP2791960B2 (ja) | 超音波送受波器 | |
| US3832236A (en) | Photoconductive cell structure | |
| JPH0132371Y2 (ja) | ||
| JPH02125510A (ja) | 圧電素子 | |
| JPS6310637Y2 (ja) | ||
| JPS63115412A (ja) | 弾性表面波素子の実装方法 | |
| JP2023011401A (ja) | 干渉フィルター、及び干渉フィルターの製造方法 | |
| JPS6016604B2 (ja) | 音響光学素子 |