JPS637069B2 - - Google Patents
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- JPS637069B2 JPS637069B2 JP57149254A JP14925482A JPS637069B2 JP S637069 B2 JPS637069 B2 JP S637069B2 JP 57149254 A JP57149254 A JP 57149254A JP 14925482 A JP14925482 A JP 14925482A JP S637069 B2 JPS637069 B2 JP S637069B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- signal
- sub
- anode
- sensor
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
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- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光学読取装置、更に詳しく言えばホ
トダイオードと分離ダイオードを直列に接続した
素子から成るイメージセンサを用いた光学読取装
置に関するものである。
トダイオードと分離ダイオードを直列に接続した
素子から成るイメージセンサを用いた光学読取装
置に関するものである。
フアクシミリやOCR等の原稿読取装置として、
第１図に示すように、分離ダイオード１とホトダ
イオード２を直列に接続した光学素子を主走査方
向に多数配列し、制御信号発生回路１１からの信
号の一部をパルスモータ駆動回路１２に加えて原
稿の副走査を行ない、他の一部はマトリクス駆動
回路１４に加えて、上記ホトダイオードアレイの
各ホトダイオードを主走査方向に順次走査し、画
像信号処理回路１３により走査出力信号を得る形
式のものが知られている。
第１図に示すように、分離ダイオード１とホトダ
イオード２を直列に接続した光学素子を主走査方
向に多数配列し、制御信号発生回路１１からの信
号の一部をパルスモータ駆動回路１２に加えて原
稿の副走査を行ない、他の一部はマトリクス駆動
回路１４に加えて、上記ホトダイオードアレイの
各ホトダイオードを主走査方向に順次走査し、画
像信号処理回路１３により走査出力信号を得る形
式のものが知られている。
このような光学読取装置では、詳しくは後で図
面を用いて説明するように、副走査方向の光量の
履歴によつて各素子の動作点がドリフトし、光応
答特性が劣化するという問題がある。
面を用いて説明するように、副走査方向の光量の
履歴によつて各素子の動作点がドリフトし、光応
答特性が劣化するという問題がある。
このような履歴現象によつて、原稿上の黒画素
が副走査方向に連続する場合、これに続く白画素
の出力が、実際よりも低くあらわれ、特に中間調
の読取装置などで問題となる。
が副走査方向に連続する場合、これに続く白画素
の出力が、実際よりも低くあらわれ、特に中間調
の読取装置などで問題となる。
この履歴現象は、ダイオードの整流特性に因る
ものであり、ダイオード特性の改良による対策に
は限界があつた。
ものであり、ダイオード特性の改良による対策に
は限界があつた。
したがつて本発明の目的はホトダイオードのよ
うな受光素子を配列して構成された光学読取装置
の総合的な光電変換特性を向上すること、すなわ
ち光電変換特性における履歴特性による影響を除
去した光学読取装置を実現することである。
うな受光素子を配列して構成された光学読取装置
の総合的な光電変換特性を向上すること、すなわ
ち光電変換特性における履歴特性による影響を除
去した光学読取装置を実現することである。
本発明は上記目的を達成するため、ホトダイオ
ードと分離ダイオードを直列に接続した素子多数
個を１次元に配列した光電変換部と、上記光電変
換部の各素子に空読み、光電流蓄積、信号読出し
の一連の動作を行なう主走査制御回路と原稿の副
走査を行なうための制御信号発生回路を有する光
学読取装置において、副走査制御信号発生後主走
査における最初の空読みのための制御信号を発生
する迄に一定時間、上記光電変換部の素子を光電
流蓄積動作状態に保持するように上記制御信号発
生回路を構成したものである。
ードと分離ダイオードを直列に接続した素子多数
個を１次元に配列した光電変換部と、上記光電変
換部の各素子に空読み、光電流蓄積、信号読出し
の一連の動作を行なう主走査制御回路と原稿の副
走査を行なうための制御信号発生回路を有する光
学読取装置において、副走査制御信号発生後主走
査における最初の空読みのための制御信号を発生
する迄に一定時間、上記光電変換部の素子を光電
流蓄積動作状態に保持するように上記制御信号発
生回路を構成したものである。
上記構成によれば、光量の履歴特性が最も問題
となる場合、すなわち副走査方向に黒の状態が連
続した後、白に移つた場合において、白の状態で
一定時間擬似光電流蓄積が行なわれるため光学素
子の動作点のずれが補正され、好ましい光電変換
特性が実現される。
となる場合、すなわち副走査方向に黒の状態が連
続した後、白に移つた場合において、白の状態で
一定時間擬似光電流蓄積が行なわれるため光学素
子の動作点のずれが補正され、好ましい光電変換
特性が実現される。
以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。ま
ず、本発明の原理の理解を容易にするため、本発
明が実施される光学読取装置の構成動作について
説明する。
ず、本発明の原理の理解を容易にするため、本発
明が実施される光学読取装置の構成動作について
説明する。
第２図は第１図に示した光学読取装置と同様の
もので、光電変換部の単一の光学素子部と他の回
路との関係について示したものであり、第３図は
その光学素子部の等価回路である。第２図におい
て、パルスモータ駆動回路１２の信号によつてス
テツプモータ２０が動作し、原稿１５の移動、す
なわち副走査を行う。
もので、光電変換部の単一の光学素子部と他の回
路との関係について示したものであり、第３図は
その光学素子部の等価回路である。第２図におい
て、パルスモータ駆動回路１２の信号によつてス
テツプモータ２０が動作し、原稿１５の移動、す
なわち副走査を行う。
原稿１５は光源１６により照明され、その反射
光はレンズ１７を介してホトダイオード２に結像
し、光電流を発生させる。このような状態におい
て、主走査が行なわれる。主走査の動作は、空読
み動作Ａ、光電流蓄積動作Ｂ、信号読出し動作Ｃ
から成る。これらの各動作を第３図及び、その各
部の波形を示す第４図の波形図によつて説明す
る。空読み動作Ａはダイオード電圧発生回路１８
のスイツチ３５をバイアス電源３６側に接続し、
積分器リセツト用スイツチ３９を閉じることによ
つて行なう。すなわち分離ダイオード１を介し
て、ホトダイオード２のカソード側に一定の電荷
を誘起し、ホトダイオード２のカソード電圧を一
定VAとする。一方演算増幅器３７の反転入力端
子は仮想接地の状態となる。蓄積動作Ｂはスイツ
チ３５をアース側に接続することによつて行な
う。このときダイオード１が逆バイアスされた状
態となり、ホトダイオード２のカソードとアース
間に等価容量３１と３２を並列に接続した形とな
るため一定電位となる。その後、ホトダイオード
１に入射した光量に応じた光電流３３を流すこと
によつて電位VAは降下する。信号読出し動作Ｃ
は、積分器１９のスイツチ３９を開いて、演算増
幅器３７と帰還コンデンサ３８が積分器を構成し
た後再びスイツチ３５をバイアス電源３６側に接
続することによつて行なう。このとき分離ダイオ
ード１が順方向にバイアスされて、VAはほぼ一
定の順にリセツトされ、スイツチ３９が開かれて
いるため、蓄積動作期間（ＢあるいはB′）にホ
トダイオード２に流れた光電流に対応する電荷が
コンデンサ３８に表われる。
光はレンズ１７を介してホトダイオード２に結像
し、光電流を発生させる。このような状態におい
て、主走査が行なわれる。主走査の動作は、空読
み動作Ａ、光電流蓄積動作Ｂ、信号読出し動作Ｃ
から成る。これらの各動作を第３図及び、その各
部の波形を示す第４図の波形図によつて説明す
る。空読み動作Ａはダイオード電圧発生回路１８
のスイツチ３５をバイアス電源３６側に接続し、
積分器リセツト用スイツチ３９を閉じることによ
つて行なう。すなわち分離ダイオード１を介し
て、ホトダイオード２のカソード側に一定の電荷
を誘起し、ホトダイオード２のカソード電圧を一
定VAとする。一方演算増幅器３７の反転入力端
子は仮想接地の状態となる。蓄積動作Ｂはスイツ
チ３５をアース側に接続することによつて行な
う。このときダイオード１が逆バイアスされた状
態となり、ホトダイオード２のカソードとアース
間に等価容量３１と３２を並列に接続した形とな
るため一定電位となる。その後、ホトダイオード
１に入射した光量に応じた光電流３３を流すこと
によつて電位VAは降下する。信号読出し動作Ｃ
は、積分器１９のスイツチ３９を開いて、演算増
幅器３７と帰還コンデンサ３８が積分器を構成し
た後再びスイツチ３５をバイアス電源３６側に接
続することによつて行なう。このとき分離ダイオ
ード１が順方向にバイアスされて、VAはほぼ一
定の順にリセツトされ、スイツチ３９が開かれて
いるため、蓄積動作期間（ＢあるいはB′）にホ
トダイオード２に流れた光電流に対応する電荷が
コンデンサ３８に表われる。
すなわち、蓄積動作期間ＢあるいはB′に、光
電流として流出したカソード電極の正の電荷と同
量の電荷が、これに引き続く信号読出し動作Ｃに
よつて外部より補充される。この電荷を積分器を
用いて検出することにより、光電変換系としての
出力信号が得られる。
電流として流出したカソード電極の正の電荷と同
量の電荷が、これに引き続く信号読出し動作Ｃに
よつて外部より補充される。この電荷を積分器を
用いて検出することにより、光電変換系としての
出力信号が得られる。
さて、上述の基本動作において空読み動作Ａ後
のカソード電圧VAと、信号読出し動作Ｃ後のカ
ソード電圧VA′が等しければ、光電流を蓄積した
電荷がそのまま積分器に読み取られるが、等しく
ない場合は積分器１９の出力に誤差が生じる。こ
の誤差は光量が急激に変化する場合特に遮光状態
から光量が急激に増加した場合に著しい。第５図
は、これを示したものであり、遮光状態で繰り返
し、空読みあるいは信号読出しを行なつた場合の
カソード電圧VAのドリフトを示したものである。
図より明らかなように、VAは読出し回数の対数
に比例して上昇しており、その勾配はブロツキン
グダイオード１の性質で決まり、理論上ηKT／
ｑ（η：勾配係数、Ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶
対温度、ｑ：電子の電荷量）となる。
のカソード電圧VAと、信号読出し動作Ｃ後のカ
ソード電圧VA′が等しければ、光電流を蓄積した
電荷がそのまま積分器に読み取られるが、等しく
ない場合は積分器１９の出力に誤差が生じる。こ
の誤差は光量が急激に変化する場合特に遮光状態
から光量が急激に増加した場合に著しい。第５図
は、これを示したものであり、遮光状態で繰り返
し、空読みあるいは信号読出しを行なつた場合の
カソード電圧VAのドリフトを示したものである。
図より明らかなように、VAは読出し回数の対数
に比例して上昇しており、その勾配はブロツキン
グダイオード１の性質で決まり、理論上ηKT／
ｑ（η：勾配係数、Ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶
対温度、ｑ：電子の電荷量）となる。
すなわち、ホトダイオード２にある程度の光量
が入射している場合は、空読みあるいは信号読出
し後のカソード電圧VAは、ほぼ一定のV1という
値に落ちついて、出力誤差は生じないが、入射す
る光量が極端に少ない状態が継続すると、VAは
図のように徐々に上昇してゆく。このようにした
蓄積動作前のダイオードのカソード電圧VAが上
昇した後、ある光量が入射する場合には、光電流
蓄積後信号読出し動作Ｃを行なつても、VAは図
のV1に到達するのみである。すなわち、この電
圧のずれが出力信号の誤差となる。以上が、履歴
現象の原因である。
が入射している場合は、空読みあるいは信号読出
し後のカソード電圧VAは、ほぼ一定のV1という
値に落ちついて、出力誤差は生じないが、入射す
る光量が極端に少ない状態が継続すると、VAは
図のように徐々に上昇してゆく。このようにした
蓄積動作前のダイオードのカソード電圧VAが上
昇した後、ある光量が入射する場合には、光電流
蓄積後信号読出し動作Ｃを行なつても、VAは図
のV1に到達するのみである。すなわち、この電
圧のずれが出力信号の誤差となる。以上が、履歴
現象の原因である。
本発明による光学読取装置では上述の信号誤差
の原因を除くため、副走査が完了した後、最も早
い空読みが行なわれるまでの時間を一定以上と
り、この間に擬似蓄積の時間を設けるように制御
信号発生回路を構成したものである。
の原因を除くため、副走査が完了した後、最も早
い空読みが行なわれるまでの時間を一定以上と
り、この間に擬似蓄積の時間を設けるように制御
信号発生回路を構成したものである。
第６図は本発明の光学読取装置における制御信
号発生回路の一実施例の構成を示すブロツク図
で、第７図はその動作説明のためのタイムチヤー
ト図である。
号発生回路の一実施例の構成を示すブロツク図
で、第７図はその動作説明のためのタイムチヤー
ト図である。
まず、ターゲツト電圧発生回路４０から順次
Y1，Y2，……Yoの信号が主走査線期間に亘つて
発生する（Y1，Y2，……Yoはそれぞれ第１図の
光学素子のブロツクに対応し、第３図のスイツチ
３５をバイアス電源３６側に接続するための信号
である。主走査における最終ブロツクの信号読出
しのための信号Yoが発生した直後にステツプモ
ータ起動パルスYnが発生し、副走査が行なう。
擬似蓄積時間計測回路４３は上記起動パルスYn
が発生した後一定時間、（本発明の効果を得るた
めには電荷蓄積時間Ｔ（空読みＡから信号読み出
しＣまでの時間）の少なくとも1/4以上であるこ
とが望ましい。）後に起動パルスYgを発生し読み
出し起動パルス発生回路４１に加える。起動パル
ス発生回路４１は端子４４から加えられる外部要
求信号（例えば前主走査の信号処理が終り、次の
主走査を開始して良いときに発生する）が加わ
り、かつ擬似蓄積時間計測回路４３からのパルス
Ygが加えられたとき、すなわち、副走査が行な
われた後少なくともＴ／４時間経て始めて起動パ
ルスYsを発生する。パルスYsがターゲツト電圧
信号発生回路４０に加えられると、空読みのため
の信号Y1，Y2，……Yoがそれぞれ光学素子ブロ
ツクに順次加えられる。副走査が行なわれ、空読
みのための信号Y1，Y2，……Yoが加えられるま
での間各光学素子には蓄積期間と同様の制御信号
が加えられる（すなわち第３図のスイツチ３５は
アースに接地され、スイツチ３９は閉じられる）。
Y1，Y2，……Yoの信号が主走査線期間に亘つて
発生する（Y1，Y2，……Yoはそれぞれ第１図の
光学素子のブロツクに対応し、第３図のスイツチ
３５をバイアス電源３６側に接続するための信号
である。主走査における最終ブロツクの信号読出
しのための信号Yoが発生した直後にステツプモ
ータ起動パルスYnが発生し、副走査が行なう。
擬似蓄積時間計測回路４３は上記起動パルスYn
が発生した後一定時間、（本発明の効果を得るた
めには電荷蓄積時間Ｔ（空読みＡから信号読み出
しＣまでの時間）の少なくとも1/4以上であるこ
とが望ましい。）後に起動パルスYgを発生し読み
出し起動パルス発生回路４１に加える。起動パル
ス発生回路４１は端子４４から加えられる外部要
求信号（例えば前主走査の信号処理が終り、次の
主走査を開始して良いときに発生する）が加わ
り、かつ擬似蓄積時間計測回路４３からのパルス
Ygが加えられたとき、すなわち、副走査が行な
われた後少なくともＴ／４時間経て始めて起動パ
ルスYsを発生する。パルスYsがターゲツト電圧
信号発生回路４０に加えられると、空読みのため
の信号Y1，Y2，……Yoがそれぞれ光学素子ブロ
ツクに順次加えられる。副走査が行なわれ、空読
みのための信号Y1，Y2，……Yoが加えられるま
での間各光学素子には蓄積期間と同様の制御信号
が加えられる（すなわち第３図のスイツチ３５は
アースに接地され、スイツチ３９は閉じられる）。
上記ブロツクは、上記空読み後、電荷蓄積時間
Ｔ後に、再び、信号読み出しのパルスY1c，Y2c，
……，Yocが順次時間をずらして加えられる。最
後の信号読み出しパルスYocが発生すると、前述
と同様にステツプモータ起動パルスYnを発生し、
副走査を行なう。以後同様の動作を繰り返す。な
お、説明の簡単のための受光素子の走査について
は第１図の各ブロツクの走査のためのY1，Y2，
……Yoのみ示したが、各ブロツク内の光学素子
の走査は、信号読み出しパルスの期間内に行なわ
れる。すなわち、第１図において各ブロツクの同
一位置に対応するホトダイオードを接続する配線
の出力部にそれぞれ同特性の積分器を設け、その
各積分器の出力をサンプルホールドしてそのブロ
ツク内の素子の出力を走査することによつて行な
われる。
Ｔ後に、再び、信号読み出しのパルスY1c，Y2c，
……，Yocが順次時間をずらして加えられる。最
後の信号読み出しパルスYocが発生すると、前述
と同様にステツプモータ起動パルスYnを発生し、
副走査を行なう。以後同様の動作を繰り返す。な
お、説明の簡単のための受光素子の走査について
は第１図の各ブロツクの走査のためのY1，Y2，
……Yoのみ示したが、各ブロツク内の光学素子
の走査は、信号読み出しパルスの期間内に行なわ
れる。すなわち、第１図において各ブロツクの同
一位置に対応するホトダイオードを接続する配線
の出力部にそれぞれ同特性の積分器を設け、その
各積分器の出力をサンプルホールドしてそのブロ
ツク内の素子の出力を走査することによつて行な
われる。
上述する如く、本発明では、副走査されて後最
初の受光素子ブロツクの空読み迄に一定の擬似蓄
積時間が必ず発生するように走査制御信号発生回
路が構成されるため、前述した分離ダイオードの
履歴特性による画質の劣化、特に、副走査方向に
黒信号が連続した後、急激に白信号に変つた場合
等も正しく原画像のレベルを正しく電気信号に変
換することができる。
初の受光素子ブロツクの空読み迄に一定の擬似蓄
積時間が必ず発生するように走査制御信号発生回
路が構成されるため、前述した分離ダイオードの
履歴特性による画質の劣化、特に、副走査方向に
黒信号が連続した後、急激に白信号に変つた場合
等も正しく原画像のレベルを正しく電気信号に変
換することができる。
第８図は本発明による効果を示す光電変換特性
図を示す。同図において横軸は副走査の回数を示
し、縦軸は信号レベルを示すもので、ａはホトダ
イオードに入射する光量、ｂは擬似蓄積を行なわ
ない従来の光電変換出力レベル、ｃは本発明によ
る擬似蓄積を行なつた場合の光電変換出力レベル
を示す。同図から明らかなように、白から黒に変
つた場合においては、ｂ，ｃの場合あまり差が認
められないが、黒から白に変つた白の第１回の主
走査のとき、ｂの場合は本来あるべき出力の約1/
２となつているが、本発明による擬似蓄積がある
場合ｃは、最初の主走査時において、所定の出力
を得ている。
図を示す。同図において横軸は副走査の回数を示
し、縦軸は信号レベルを示すもので、ａはホトダ
イオードに入射する光量、ｂは擬似蓄積を行なわ
ない従来の光電変換出力レベル、ｃは本発明によ
る擬似蓄積を行なつた場合の光電変換出力レベル
を示す。同図から明らかなように、白から黒に変
つた場合においては、ｂ，ｃの場合あまり差が認
められないが、黒から白に変つた白の第１回の主
走査のとき、ｂの場合は本来あるべき出力の約1/
２となつているが、本発明による擬似蓄積がある
場合ｃは、最初の主走査時において、所定の出力
を得ている。
本実施例では、説明の簡略化のため、特定の一
画素に着目して動作説明を行なつたが、複数の画
素、たとえば、1728画素（A4版）、2048画素
（B4版）についても同様の効果が得られることは
明白である。また、ホトダイオードのかわりに光
導電膜を用いた場合、あるいはホトダイオードと
容量を組み合わせた場合についても同様の効果が
ある。
画素に着目して動作説明を行なつたが、複数の画
素、たとえば、1728画素（A4版）、2048画素
（B4版）についても同様の効果が得られることは
明白である。また、ホトダイオードのかわりに光
導電膜を用いた場合、あるいはホトダイオードと
容量を組み合わせた場合についても同様の効果が
ある。
また、擬似蓄積期間中に、照明系の光量を増加
したり光学素子を直接照明するための手段を新た
に設けることにより、擬似蓄積期間の短縮をはか
つたり、履歴軽減の効果を一段と高めることも可
能である。
したり光学素子を直接照明するための手段を新た
に設けることにより、擬似蓄積期間の短縮をはか
つたり、履歴軽減の効果を一段と高めることも可
能である。
以上実施例によつて説明したように、本発明に
よれば、ホトダイオードと分離用のブロツキング
ダイオードを直列に接続した素子から成る固体イ
メージセンサを用いた光学読取装置において、各
素子の動作点の上昇を擬似蓄積動作により解除す
るため、光電変換特性の履歴現象を除去ないしは
軽減することができ、特に、中間調を含む原稿等
について、画質を著しく改善することが可能とな
る。
よれば、ホトダイオードと分離用のブロツキング
ダイオードを直列に接続した素子から成る固体イ
メージセンサを用いた光学読取装置において、各
素子の動作点の上昇を擬似蓄積動作により解除す
るため、光電変換特性の履歴現象を除去ないしは
軽減することができ、特に、中間調を含む原稿等
について、画質を著しく改善することが可能とな
る。
第１図は本発明が実施される光学読取装置の光
学素子配列を示す図、第２図および第３図はいず
れも上記第１図における単一の光学素子部とそれ
に接続される駆動回路の構成図、第４図は上記第
２図及び第３図の動作説明のための波形図、第５
図は光学素子の特性説明のための走査回数と出力
電圧の関係を示す図、第６図は本発明による光学
読取装置の要部をなす制御信号発生回路の一実施
例の構成図、第７図は本発明による光学読取装置
の一実施例の動作説明のためのタイムチヤート、
第８図は本発免および従来の光学読取装置におけ
る光電変換特性の比較を示す図である。 １……分離ダイオード、２……ホトダイオー
ド、１１……制御信号発生回路、１２……パルス
モータ駆動回路、１３……画像信号処理回路、１
４……マトリクス駆動回路、１５……原稿、１６
……光源、１７……レンズ、１８，４０……ダイ
オード電圧発生回路、１９……積分器、２０……
ステツプモータ、３１……分離ダイオードの容
量、３２……ホトダイオードの容量、３３……ホ
トダイオードに流れる光電流源、３５，３６……
アナログスイツチ、３７……演算増幅器、３８…
…帰還容量素子、４１……読出し起動パルス発生
回路、４２……基準クロツク発生回路、４３……
擬似蓄積時間計測回路。
学素子配列を示す図、第２図および第３図はいず
れも上記第１図における単一の光学素子部とそれ
に接続される駆動回路の構成図、第４図は上記第
２図及び第３図の動作説明のための波形図、第５
図は光学素子の特性説明のための走査回数と出力
電圧の関係を示す図、第６図は本発明による光学
読取装置の要部をなす制御信号発生回路の一実施
例の構成図、第７図は本発明による光学読取装置
の一実施例の動作説明のためのタイムチヤート、
第８図は本発免および従来の光学読取装置におけ
る光電変換特性の比較を示す図である。 １……分離ダイオード、２……ホトダイオー
ド、１１……制御信号発生回路、１２……パルス
モータ駆動回路、１３……画像信号処理回路、１
４……マトリクス駆動回路、１５……原稿、１６
……光源、１７……レンズ、１８，４０……ダイ
オード電圧発生回路、１９……積分器、２０……
ステツプモータ、３１……分離ダイオードの容
量、３２……ホトダイオードの容量、３３……ホ
トダイオードに流れる光電流源、３５，３６……
アナログスイツチ、３７……演算増幅器、３８…
…帰還容量素子、４１……読出し起動パルス発生
回路、４２……基準クロツク発生回路、４３……
擬似蓄積時間計測回路。
Claims (1)
- １ 光導電膜と分離用ダイオードのアノード、ま
たはホトダイオードのアノードと分離用ダイオー
ドのアノード、またはホトダイオードのアノード
と容量のいずれかを直列に接続した受光素子を１
次元に複数配列して得られるセンサと、前記セン
サのうち接続されていない一方の第１の電極を電
圧源もしくはグランドに選択的に接続する手段
と、前記センサの接続されていない第２の電極が
反転入力端子に接続され、出力端子と上記反転入
力端子間にコンデンサが接続された演算増幅器か
らなる積分器と、原稿を副走査方向へ間欠的に移
送する手段と、前記センサの第１の電極を、上記
電圧源に順次接続する空読み動作と、グランドに
順次接続する光電流蓄積動作と、前記電圧源に順
次接続する信号読出し動作で構成される一連の動
作に引続いて、原稿の副走査方向への移送を行な
い、前記空読み動作を再度開始するまでの間、前
記センサの各々について、上記第１の電極をグラ
ンドに接続した状態に保持するように制御する手
段とを有して構成されたことを特徴とする光学読
取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57149254A JPS5939160A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 光学読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57149254A JPS5939160A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 光学読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939160A JPS5939160A (ja) | 1984-03-03 |
| JPS637069B2 true JPS637069B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=15471236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57149254A Granted JPS5939160A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 光学読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939160A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH067659B2 (ja) * | 1984-05-12 | 1994-01-26 | 京セラ株式会社 | 読取り装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384410A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Fujitsu Ltd | Reading control system for solid state sensor |
| JPS5441626A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Tokyo Keiki Kk | Method of scanning optical character reader |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57149254A patent/JPS5939160A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5939160A (ja) | 1984-03-03 |
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