JPS6370525A - 塗布膜の固化,形成方法 - Google Patents

塗布膜の固化,形成方法

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Publication number
JPS6370525A
JPS6370525A JP61216343A JP21634386A JPS6370525A JP S6370525 A JPS6370525 A JP S6370525A JP 61216343 A JP61216343 A JP 61216343A JP 21634386 A JP21634386 A JP 21634386A JP S6370525 A JPS6370525 A JP S6370525A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating film
solidification
film
treatment
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61216343A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Seki
関 博司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6370525A publication Critical patent/JPS6370525A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、被塗布膜形成面に対する塗布膜の固化、形
成方法に関し、さらに詳しくは、例えば半導体素子製造
時において、被塗布膜形成面としての半導体基板上など
に塗布形成される塗布膜の固化、形成方法の改良に係る
ものである。
〔従来の技術〕
半導体素子製造時にあって、従来、半導体基板上などに
塗布される塗布膜1例えばこの場合、レジストとかペー
ストなどの塗布膜を固化、形成させるためには1通常、
前者では、露光、現像処理して、また、後者では、加熱
処理して、それぞれに固化させるようにしている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従って、前記のように処理される従来例での塗布膜の固
化、形成方法では、固化後の塗布膜の表面に、固化前の
状態、つまり塗布直後の形状が、そのま\に残されてい
ることが多く、その結果。
特に表面が凹凸であるなどのように、所期通りに平滑化
できなかったり、また、塗布時に生じた気孔とか気泡な
どが充分に消滅せずに固化されて了うなどの不都合を有
しており、このためにその後の上層膜の形成が困難にな
って、同上層膜の形状が均一になされず、膜特性が不安
定になるなどの問題点があった。
この発明は従来のこのような間厘点を解消するためにな
されたものであって、その目的とするところは、表面形
状が平滑で、かつ気孔とか気泡などの少ない塗布膜を得
るための、この種の塗布膜の固化、形成方法を提供する
ことである。
〔問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、この発明に係る塗布膜の固
化、形成方法は、半導体基板などの被塗布膜形成面に対
して、塗1a膜の塗布後、その固化前に、固化しない程
度に予熱処理した上で、固化処理するようにしたもので
ある。
〔作   用〕
すなわち、この発明方法においては、塗布膜の塗布後、
その固化前に固化しない程度に予熱することにより、固
化前の塗*Mの粘性が低下して、塗布時に生じた気孔と
か気泡などが消滅、減少されると共に、凹凸形状が平滑
化され、その後の固化処理によって、所期の表面形状を
もつ塗布膜を固化、形成し得るのである。
〔実 施 例〕
以下、この発明に係る塗布膜の固化、形成方法の一実施
例について詳細に説明する。
この実施例方法においては、被塗布膜形成面。
この場合は、半導体基板面に対して、印刷などの手段で
、レジスト、ペーストなどの塗布膜を塗布した後、その
固化処理に先立って、固化を生じない程度に予熱処理さ
せるようにし、その後、前者レジストでは、露光、現像
により、また、後者ペーストでは、加熱により固化処理
して、それぞれに所期のa*+taを形成させるもので
ある。
すなわち、この実施例方法では、固化処理に先立って、
塗布膜を固化しない程度に予熱処理させることにより、
この固化前の塗布膜の粘性が、一旦、充分に低下される
と共に、膜自体の表面が活性化されて、表面張力が作用
し易くなり、これらの作用に伴って、塗布時に生じた気
孔とか気泡などが消滅、減少されると共に、凹凸形状が
平滑化され、その後の固化処理によって、所期の表面形
状をもつ塗布膜を固化、形成し得るのである。
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明方法によれば、半導体基板
などの被塗布膜形成面に対して、塗布膜の塗布後、その
固化前に固化しない程度に予熱処理することにより、固
化前の塗布膜の粘性が、一旦、充分に低下され、かつ膜
自体が活性化されて表面張力が作用し易くなり、これら
の作用に伴って、塗布時に生じた気孔とか気泡などが効
果的に消滅、減少されると共に、凹凸形状が良好に平滑
化されて、いわゆるレベリング効果を得られるのであり
、また、これらの結果、その後の固化処理によって、所
期の表面形状、すなわち気孔とか気泡などがなく、かつ
平滑にレベリングされた表面形状の塗布膜を、極めて容
易に固化、形成し得る利点を有し、そしてまた、このよ
うに形成される塗布膜上への、その後の工程での上層膜
形成に際しても、その形成が頗る容易になるほか、塗布
膜自体の良質化によって、例えば絶縁特性などの物性を
良好に安定化でき、併せて塗布膜自体の膜厚をより一層
薄くし得られ、しかも工程的にも比較的部組で、容易に
実施し得るなどの優れた特長を有するものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体基板などの被塗布膜形成面上に、塗布膜を
    塗布した上で、固化処理するようにした塗布膜の固化、
    形成方法において、前記塗布膜の塗布後、その固化処理
    前に、固化しない程度に予熱することを特徴とする塗布
    膜の固化、形成方法。
JP61216343A 1986-09-12 1986-09-12 塗布膜の固化,形成方法 Pending JPS6370525A (ja)

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