JPS6369753A - フエライト組成物 - Google Patents
フエライト組成物Info
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- JPS6369753A JPS6369753A JP61214739A JP21473986A JPS6369753A JP S6369753 A JPS6369753 A JP S6369753A JP 61214739 A JP61214739 A JP 61214739A JP 21473986 A JP21473986 A JP 21473986A JP S6369753 A JPS6369753 A JP S6369753A
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、スイッチング電源の制御回路として使用され
ている高周波磁気増幅器等に用いる可飽和リアクトル用
磁心材料に関し、更に詳しくは、角型性が良くパワー損
失が低い特性を呈するニアケル−マグネシウム−亜鉛系
またはニッケルーマグネシウム−銅−亜鉛系のフェライ
ト組成物に関するものである。
ている高周波磁気増幅器等に用いる可飽和リアクトル用
磁心材料に関し、更に詳しくは、角型性が良くパワー損
失が低い特性を呈するニアケル−マグネシウム−亜鉛系
またはニッケルーマグネシウム−銅−亜鉛系のフェライ
ト組成物に関するものである。
[従来の技術]
安定化電源における制御回路の一種に磁気増幅器(マグ
アンプとも呼ばれる)を用いるものがある。その制御素
子には可飽和リアクトルが使用される。可飽和リアクト
ル用磁心として要求される材料特性は、磁気ヒステリシ
ス曲線における角型比が高いこと、保持力が小さく損失
が小さいことである。そこで従来技術ではこの種の可飽
和リアクトル用磁心材料として、専らパーマロイやアモ
ルファスのような金属系磁性材料が用いられてきた。
アンプとも呼ばれる)を用いるものがある。その制御素
子には可飽和リアクトルが使用される。可飽和リアクト
ル用磁心として要求される材料特性は、磁気ヒステリシ
ス曲線における角型比が高いこと、保持力が小さく損失
が小さいことである。そこで従来技術ではこの種の可飽
和リアクトル用磁心材料として、専らパーマロイやアモ
ルファスのような金属系磁性材料が用いられてきた。
しかし近年、電源のスイッチング周波数が増大するのに
伴い、酸化物磁性材料もその固有抵抗の大きさを生かし
て用いられるようになってきた。前述のように、この種
の用途では角型比(残留磁束密度Br/最大磁束密度B
m)が大きいことが重要であるため、メモリコア材系列
(マンガン−マグネシウム−亜鉛系フェライト。
伴い、酸化物磁性材料もその固有抵抗の大きさを生かし
て用いられるようになってきた。前述のように、この種
の用途では角型比(残留磁束密度Br/最大磁束密度B
m)が大きいことが重要であるため、メモリコア材系列
(マンガン−マグネシウム−亜鉛系フェライト。
マンガン−リチウム−亜鉛系フェライト、ニッケルー亜
鉛−コバルト系フェライト等)が主に検討されてきた。
鉛−コバルト系フェライト等)が主に検討されてきた。
[発明が解決しようとする問題点コ
一般にフェライト組成物は固有抵抗が大きいため高周波
特性が良好であるが、従来検討されてきた素材系列は直
流B−H曲線より求めた角型性が重視されているため、
パワー用材料として重要なパワー損失を低くする点が必
ずしも十分溝たされていない。
特性が良好であるが、従来検討されてきた素材系列は直
流B−H曲線より求めた角型性が重視されているため、
パワー用材料として重要なパワー損失を低くする点が必
ずしも十分溝たされていない。
本発明の目的は、上記のような従来技術の問題点を解消
し、角型性が良好で且つパワー損失の低い可飽和リアク
トル用フェライト組成物を提供することにある。
し、角型性が良好で且つパワー損失の低い可飽和リアク
トル用フェライト組成物を提供することにある。
[問題点を解決するための手段コ
前述の如く、従来技術では直流B−H曲線より求めた角
型比の大小が言及されていたが、本来の用途から考察す
ればフェライ)m心が動作している状態での角型比を取
り扱わねばならない。このため本発明者等は高周波のB
−H曲線を算出できる測定システムを構築し、種々のフ
ェライト組成物について交流B−)1曲線における角型
比を検討してきた。本発明はかかる実験の結果に基づき
なされたものである。
型比の大小が言及されていたが、本来の用途から考察す
ればフェライ)m心が動作している状態での角型比を取
り扱わねばならない。このため本発明者等は高周波のB
−H曲線を算出できる測定システムを構築し、種々のフ
ェライト組成物について交流B−)1曲線における角型
比を検討してきた。本発明はかかる実験の結果に基づき
なされたものである。
前記のような目的を達成することのできる本発明は、F
e20. 4.7〜50モル%、ZnO23〜31モ
ル%、Ni04〜21モル%。
e20. 4.7〜50モル%、ZnO23〜31モ
ル%、Ni04〜21モル%。
MgO 4〜18モル%を含む可飽和リアクトル用フェ
ライト組成物、または上記組成に更に ゛12モル%以
下のCuOを含有する可飽和リアクトル用フェライト組
成物である。
ライト組成物、または上記組成に更に ゛12モル%以
下のCuOを含有する可飽和リアクトル用フェライト組
成物である。
本発明において基本組成としてニッケルー亜鉛系フェラ
イトを用いているのは、この系列のフェライトは固有抵
抗が高く、高周波パワー材料として好ましい特性を呈す
るからである。酸化亜鉛ZnOの量を23〜31モル%
としたのは、ZnOが少ないと損失が大きくなるし、逆
に多いと角型性が劣化し、なおかつキュリ一温度が実用
上支障をきたす程度まで低下してしまうからである。ま
た酸化ニッケルNi○はこれを含有しないと十分な磁気
特性が生じないし、また多すぎると損失が多くなるから
である。
イトを用いているのは、この系列のフェライトは固有抵
抗が高く、高周波パワー材料として好ましい特性を呈す
るからである。酸化亜鉛ZnOの量を23〜31モル%
としたのは、ZnOが少ないと損失が大きくなるし、逆
に多いと角型性が劣化し、なおかつキュリ一温度が実用
上支障をきたす程度まで低下してしまうからである。ま
た酸化ニッケルNi○はこれを含有しないと十分な磁気
特性が生じないし、また多すぎると損失が多くなるから
である。
酸化マグネシウムMgOおよび酸化銅CuOは共に前記
のニッケルを置換する作用をする。
のニッケルを置換する作用をする。
MgOでニッケルを置換すると損失が改善されるが、そ
の置換量に応じてキュリ一温度が低下する。CuOによ
るニッケル置換は焼結温度を下げ焼結性を良好にするが
、これもやはり置換量に応じてキュリ一温度が低下する
。MgOならびにCu0O量は、これらの根拠に基づき
決定されている。
の置換量に応じてキュリ一温度が低下する。CuOによ
るニッケル置換は焼結温度を下げ焼結性を良好にするが
、これもやはり置換量に応じてキュリ一温度が低下する
。MgOならびにCu0O量は、これらの根拠に基づき
決定されている。
本発明においては、MgOは必ず含まれていなければな
らず、CuOは含まれている場合と含まれていない場合
の両方がある。
らず、CuOは含まれている場合と含まれていない場合
の両方がある。
[作用]
ニッケルーマグネシウム−亜鉛系フェライトを上記のよ
うな組成範囲にすると、良好な角型比を示し且つパワー
損失を減少させることができる。また可飽和リアクトル
用磁心は実用温度が高く通常60〜100℃程度で使用
されるから、比較的高いキュリ一点を有することが必要
である。上記の組成範囲とすればキュリ一温度は150
℃以上のものが得られ、この点から見ても好ましい範囲
である。本発明に係る可飽和リアクトル用フェライト組
成物は、100〜500kHz程度の高周波領域におい
て極めて良好な特性を呈する。
うな組成範囲にすると、良好な角型比を示し且つパワー
損失を減少させることができる。また可飽和リアクトル
用磁心は実用温度が高く通常60〜100℃程度で使用
されるから、比較的高いキュリ一点を有することが必要
である。上記の組成範囲とすればキュリ一温度は150
℃以上のものが得られ、この点から見ても好ましい範囲
である。本発明に係る可飽和リアクトル用フェライト組
成物は、100〜500kHz程度の高周波領域におい
て極めて良好な特性を呈する。
[実施例]
ごく一般的なフェライトの製造法である乾式法により試
料を製作し磁気特性を測定した。第1表で示すようにF
e2O3,ZnO,Nip。
料を製作し磁気特性を測定した。第1表で示すようにF
e2O3,ZnO,Nip。
MgO,CuOの各原料粉体を成分比率(モル%)を変
えて混合し、本発明(試料A、B)と比較例(試料C,
D)の4種類の試料を得た。
えて混合し、本発明(試料A、B)と比較例(試料C,
D)の4種類の試料を得た。
(以下、余白)
第1表
そして仮焼きし粉砕した後、成形し、大気中1000℃
で焼結した。得られた各試料についての磁気特性の測定
結果を第2表に示す。
で焼結した。得られた各試料についての磁気特性の測定
結果を第2表に示す。
第2表
第2表において、
B+o: 10 (Oe)の磁界下における最大磁束密
度CG) X :角型比(B r / B m ) (100k
tlz、500G)〔%〕 Tc:キュリ一温度〔°C〕 PL:パワー損失(100kHz、500G) (m
W/cc)である。
度CG) X :角型比(B r / B m ) (100k
tlz、500G)〔%〕 Tc:キュリ一温度〔°C〕 PL:パワー損失(100kHz、500G) (m
W/cc)である。
この実施例から、本発明品は飽和磁束密度が約3000
ガウス程度で、角型比も70%以上あり、キュリ一点も
180℃以上でパワー損失もかなり小さいものが得られ
、高周波で使用する可飽和リアクトル用磁心に適するこ
とが確認された。
ガウス程度で、角型比も70%以上あり、キュリ一点も
180℃以上でパワー損失もかなり小さいものが得られ
、高周波で使用する可飽和リアクトル用磁心に適するこ
とが確認された。
これに対して試料CのMgOとCuOを含まない磁心は
、キュリ一温度は高いものの角型比が劣り、パワー損失
が非常に大きくなる。また試料りに示すようにZnOが
多(MgOを含まない場合には、パワー損失は小さいも
のの角型性が悪化し、磁気増幅器として使用するには制
御可能な領域が狭くなり実用的でない。
、キュリ一温度は高いものの角型比が劣り、パワー損失
が非常に大きくなる。また試料りに示すようにZnOが
多(MgOを含まない場合には、パワー損失は小さいも
のの角型性が悪化し、磁気増幅器として使用するには制
御可能な領域が狭くなり実用的でない。
[発明の効果]
本発明は上記のようにニッケルーマグネシウム−亜鉛系
フェライト材をベースとし、その組成範囲を適正に選択
したから、磁束密度およびキュリ一温度が高く良好な角
型比が得られ、またパワー損失が少なくなり高周波の可
飽和リアクトル用磁心として極めて好ましい特性を呈す
る効果がある。
フェライト材をベースとし、その組成範囲を適正に選択
したから、磁束密度およびキュリ一温度が高く良好な角
型比が得られ、またパワー損失が少なくなり高周波の可
飽和リアクトル用磁心として極めて好ましい特性を呈す
る効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Fe_2O_347〜50モル%、ZnO23〜3
1モル%、NiO4〜21モル%、およびMgO4〜1
8モル%を含むことを 特徴とする可飽和リアクトル用のフェライト組成物。 2、Fe_2O_347〜50モル%、ZnO23〜3
1モル%、NiO4〜21モル%、MgO4〜18モル
%、および12モル% 以下のCuOを含むことを特徴とする可飽和リアクトル
用のフェライト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61214739A JPS6369753A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | フエライト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61214739A JPS6369753A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | フエライト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6369753A true JPS6369753A (ja) | 1988-03-29 |
Family
ID=16660793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61214739A Pending JPS6369753A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | フエライト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6369753A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999016090A1 (fr) * | 1997-09-25 | 1999-04-01 | Tdk Corporation | Absorbant d'ondes radioelectriques |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4832872A (ja) * | 1971-07-23 | 1973-05-02 |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61214739A patent/JPS6369753A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4832872A (ja) * | 1971-07-23 | 1973-05-02 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999016090A1 (fr) * | 1997-09-25 | 1999-04-01 | Tdk Corporation | Absorbant d'ondes radioelectriques |
US6210597B1 (en) | 1997-09-25 | 2001-04-03 | Tdk Corporation | Radio wave absorbent |
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