JPS6367327B2 - - Google Patents
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- JPS6367327B2 JPS6367327B2 JP55038155A JP3815580A JPS6367327B2 JP S6367327 B2 JPS6367327 B2 JP S6367327B2 JP 55038155 A JP55038155 A JP 55038155A JP 3815580 A JP3815580 A JP 3815580A JP S6367327 B2 JPS6367327 B2 JP S6367327B2
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- JP
- Japan
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- magnetic film
- magnetic
- yttrium
- film
- substrate
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリに使用する磁性膜に
関する。
関する。
磁気バブル素子用の磁性膜は、液相エピタキシ
ヤル成長などによつて基板上に形成する。この磁
性膜を利用する磁気バブルメモリは動作中の温度
変化による特性、特にコラプス磁界H0の変化、
すなわち1/H0(ΔH0/ΔT)の小さいことが必
要である。また基板のガドリニウム・ガリウム・
ガーネツト上にイツトリウム・鉄ガーネツト磁性
膜をエピタキシヤル成長させる場合に、基板と膜
との格子定数のマツチングが良好なことが必要で
ある。
ヤル成長などによつて基板上に形成する。この磁
性膜を利用する磁気バブルメモリは動作中の温度
変化による特性、特にコラプス磁界H0の変化、
すなわち1/H0(ΔH0/ΔT)の小さいことが必
要である。また基板のガドリニウム・ガリウム・
ガーネツト上にイツトリウム・鉄ガーネツト磁性
膜をエピタキシヤル成長させる場合に、基板と膜
との格子定数のマツチングが良好なことが必要で
ある。
ほぼ等モルのカルシウムおよびゲルマニウムを
含み、かつサマリウムおよびルテチウムを含むイ
ツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁性膜は、そ
のLu/Smのモル比が小さい程、コラプス磁界H0
の温度係数が小さいことが知られている。たとえ
ばY1.32Sm0.41Lu0.41Ca0.86Ge0.86Fe4.14O12のごとき
組成でLu/Smのモル比が1:1の場合には、−
20〜+100℃におけるコラプス磁界H0の温度係数
がほぼ−0.10%/℃と小さい特徴を有する(第1
図参照)。しかしこの型のガーネツトはLu/Sm
のモル比が小さい程、基板の格子常数一膜の格子
常数の差が大きく、上記組成の場合は−9×10-3
Åになる(第2図参照)。そのため磁性膜にクラ
ツクを生ずる欠点がある。
含み、かつサマリウムおよびルテチウムを含むイ
ツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁性膜は、そ
のLu/Smのモル比が小さい程、コラプス磁界H0
の温度係数が小さいことが知られている。たとえ
ばY1.32Sm0.41Lu0.41Ca0.86Ge0.86Fe4.14O12のごとき
組成でLu/Smのモル比が1:1の場合には、−
20〜+100℃におけるコラプス磁界H0の温度係数
がほぼ−0.10%/℃と小さい特徴を有する(第1
図参照)。しかしこの型のガーネツトはLu/Sm
のモル比が小さい程、基板の格子常数一膜の格子
常数の差が大きく、上記組成の場合は−9×10-3
Åになる(第2図参照)。そのため磁性膜にクラ
ツクを生ずる欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解消することであ
る。本発明の上記目的は、ほぼ等モルのカルシウ
ムおよびゲルマニウムを含み、かつサマリウムお
よびリテチウムを含むイツトリウム・鉄ガーネツ
トであつて、前記サマリウムとルテチウムとがほ
ぼ等モルであり、かつけい素を含むことを特徴と
するイツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁気バ
ブル素子用磁性膜によつて達成することができ
る。
る。本発明の上記目的は、ほぼ等モルのカルシウ
ムおよびゲルマニウムを含み、かつサマリウムお
よびリテチウムを含むイツトリウム・鉄ガーネツ
トであつて、前記サマリウムとルテチウムとがほ
ぼ等モルであり、かつけい素を含むことを特徴と
するイツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁気バ
ブル素子用磁性膜によつて達成することができ
る。
このような磁性膜は、たとえば次のごとく製造
する。融剤B2O3およびPbOにY2O3、Sm2O3、
Lu2O3、Fe2O3、CaCO3、GeO2およびSiO2の粉末
を白金坩堝内で温度1100〜1200℃に加熱して溶融
し、温度850〜950℃に過冷却した後、このなかに
Gd3Ga5O12基板を浸漬して液相成長法によつて磁
性膜をエピタキシヤル成長させた。このとき溶融
体を形成する成分のモル比は次のごとくであつ
た。
する。融剤B2O3およびPbOにY2O3、Sm2O3、
Lu2O3、Fe2O3、CaCO3、GeO2およびSiO2の粉末
を白金坩堝内で温度1100〜1200℃に加熱して溶融
し、温度850〜950℃に過冷却した後、このなかに
Gd3Ga5O12基板を浸漬して液相成長法によつて磁
性膜をエピタキシヤル成長させた。このとき溶融
体を形成する成分のモル比は次のごとくであつ
た。
Y2O3 0.004733
Sm2O3 0.001468
Lu2O3 0.001468
Fe2O3 0.230987
CaCO3 0.013360
GeO2 0.098376
SiO2 0.010000
B2O3 0.166621
PbO 1.850450
得られたガーネツト磁性膜はLu/Smのモル比
が1:1であつて、X線回折によつて基板と磁性
膜との格子常数を測定したところ基板の格子常数
一膜の格子常数の差は−2.5×10-3Åであつた。
これはけい素を含まない、従来知られている
Lu/Smのモル比1:1のガーネツト磁性膜の場
合の−9×10-3Åと比べて、磁性膜と基板とのマ
ツチングが良好であり、しかもコラプス磁界H0
の温度係数はけい素を含まない場合と同様に小さ
かつた。
が1:1であつて、X線回折によつて基板と磁性
膜との格子常数を測定したところ基板の格子常数
一膜の格子常数の差は−2.5×10-3Åであつた。
これはけい素を含まない、従来知られている
Lu/Smのモル比1:1のガーネツト磁性膜の場
合の−9×10-3Åと比べて、磁性膜と基板とのマ
ツチングが良好であり、しかもコラプス磁界H0
の温度係数はけい素を含まない場合と同様に小さ
かつた。
第1図はルテチウムおよびサマリウムを含むイ
ツトリウム・鉄ガーネツトのLu/Smのモル比と
コラプス磁界H0の温度係数との関係を示すグラ
フであり、第2図は第1図に示すガーネツトの
Lu/Smのモル比と基板の格子常数一膜の格子常
数の差との関係を示すグラフである。 1…本発明のけい素を含むガーネツト磁性膜、
2…従来のけい素を含まないガーネツト磁性膜。
ツトリウム・鉄ガーネツトのLu/Smのモル比と
コラプス磁界H0の温度係数との関係を示すグラ
フであり、第2図は第1図に示すガーネツトの
Lu/Smのモル比と基板の格子常数一膜の格子常
数の差との関係を示すグラフである。 1…本発明のけい素を含むガーネツト磁性膜、
2…従来のけい素を含まないガーネツト磁性膜。
Claims (1)
- 1 ほぼ等モルのカルシウムおよびゲルマニウム
を含み、かつサマリウムおよびルテチウムを含む
イツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁性膜であ
つて、前記サマリウムとルテチウムとがほぼ等モ
ルであり、かつけい素を含むことを特徴とするイ
ツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁気バブル素
子用磁性膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3815580A JPS56137573A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic film for magnetic bubble element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3815580A JPS56137573A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic film for magnetic bubble element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56137573A JPS56137573A (en) | 1981-10-27 |
JPS6367327B2 true JPS6367327B2 (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=12517511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3815580A Granted JPS56137573A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic film for magnetic bubble element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS56137573A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910007182B1 (ko) * | 1987-12-21 | 1991-09-19 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 스크리인장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5170496A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-18 | Nippon Electric Co | Entojikuzairyo |
-
1980
- 1980-03-27 JP JP3815580A patent/JPS56137573A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5170496A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-18 | Nippon Electric Co | Entojikuzairyo |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56137573A (en) | 1981-10-27 |
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