JPS6367327B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6367327B2 JPS6367327B2 JP55038155A JP3815580A JPS6367327B2 JP S6367327 B2 JPS6367327 B2 JP S6367327B2 JP 55038155 A JP55038155 A JP 55038155A JP 3815580 A JP3815580 A JP 3815580A JP S6367327 B2 JPS6367327 B2 JP S6367327B2
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- JP
- Japan
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- magnetic film
- magnetic
- yttrium
- film
- substrate
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリに使用する磁性膜に
関する。
関する。
磁気バブル素子用の磁性膜は、液相エピタキシ
ヤル成長などによつて基板上に形成する。この磁
性膜を利用する磁気バブルメモリは動作中の温度
変化による特性、特にコラプス磁界H0の変化、
すなわち１／H0（ΔH0／ΔT）の小さいことが必
要である。また基板のガドリニウム・ガリウム・
ガーネツト上にイツトリウム・鉄ガーネツト磁性
膜をエピタキシヤル成長させる場合に、基板と膜
との格子定数のマツチングが良好なことが必要で
ある。
ヤル成長などによつて基板上に形成する。この磁
性膜を利用する磁気バブルメモリは動作中の温度
変化による特性、特にコラプス磁界H0の変化、
すなわち１／H0（ΔH0／ΔT）の小さいことが必
要である。また基板のガドリニウム・ガリウム・
ガーネツト上にイツトリウム・鉄ガーネツト磁性
膜をエピタキシヤル成長させる場合に、基板と膜
との格子定数のマツチングが良好なことが必要で
ある。
ほぼ等モルのカルシウムおよびゲルマニウムを
含み、かつサマリウムおよびルテチウムを含むイ
ツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁性膜は、そ
のLu／Smのモル比が小さい程、コラプス磁界H0
の温度係数が小さいことが知られている。たとえ
ばY1.32Sm0.41Lu0.41Ca0.86Ge0.86Fe4.14O12のごとき
組成でLu／Smのモル比が１：１の場合には、−
20〜＋100℃におけるコラプス磁界H0の温度係数
がほぼ−0.10％／℃と小さい特徴を有する（第１
図参照）。しかしこの型のガーネツトはLu／Sm
のモル比が小さい程、基板の格子常数一膜の格子
常数の差が大きく、上記組成の場合は−９×10-3
Åになる（第２図参照）。そのため磁性膜にクラ
ツクを生ずる欠点がある。
含み、かつサマリウムおよびルテチウムを含むイ
ツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁性膜は、そ
のLu／Smのモル比が小さい程、コラプス磁界H0
の温度係数が小さいことが知られている。たとえ
ばY1.32Sm0.41Lu0.41Ca0.86Ge0.86Fe4.14O12のごとき
組成でLu／Smのモル比が１：１の場合には、−
20〜＋100℃におけるコラプス磁界H0の温度係数
がほぼ−0.10％／℃と小さい特徴を有する（第１
図参照）。しかしこの型のガーネツトはLu／Sm
のモル比が小さい程、基板の格子常数一膜の格子
常数の差が大きく、上記組成の場合は−９×10-3
Åになる（第２図参照）。そのため磁性膜にクラ
ツクを生ずる欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解消することであ
る。本発明の上記目的は、ほぼ等モルのカルシウ
ムおよびゲルマニウムを含み、かつサマリウムお
よびリテチウムを含むイツトリウム・鉄ガーネツ
トであつて、前記サマリウムとルテチウムとがほ
ぼ等モルであり、かつけい素を含むことを特徴と
するイツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁気バ
ブル素子用磁性膜によつて達成することができ
る。
る。本発明の上記目的は、ほぼ等モルのカルシウ
ムおよびゲルマニウムを含み、かつサマリウムお
よびリテチウムを含むイツトリウム・鉄ガーネツ
トであつて、前記サマリウムとルテチウムとがほ
ぼ等モルであり、かつけい素を含むことを特徴と
するイツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁気バ
ブル素子用磁性膜によつて達成することができ
る。
このような磁性膜は、たとえば次のごとく製造
する。融剤B2O3およびPbOにY2O3、Sm2O3、
Lu2O3、Fe2O3、CaCO3、GeO2およびSiO2の粉末
を白金坩堝内で温度1100〜1200℃に加熱して溶融
し、温度850〜950℃に過冷却した後、このなかに
Gd3Ga5O12基板を浸漬して液相成長法によつて磁
性膜をエピタキシヤル成長させた。このとき溶融
体を形成する成分のモル比は次のごとくであつ
た。
する。融剤B2O3およびPbOにY2O3、Sm2O3、
Lu2O3、Fe2O3、CaCO3、GeO2およびSiO2の粉末
を白金坩堝内で温度1100〜1200℃に加熱して溶融
し、温度850〜950℃に過冷却した後、このなかに
Gd3Ga5O12基板を浸漬して液相成長法によつて磁
性膜をエピタキシヤル成長させた。このとき溶融
体を形成する成分のモル比は次のごとくであつ
た。
Y2O3 0.004733
Sm2O3 0.001468
Lu2O3 0.001468
Fe2O3 0.230987
CaCO3 0.013360
GeO2 0.098376
SiO2 0.010000
B2O3 0.166621
PbO 1.850450
得られたガーネツト磁性膜はLu／Smのモル比
が１：１であつて、Ｘ線回折によつて基板と磁性
膜との格子常数を測定したところ基板の格子常数
一膜の格子常数の差は−2.5×10-3Åであつた。
これはけい素を含まない、従来知られている
Lu／Smのモル比１：１のガーネツト磁性膜の場
合の−９×10-3Åと比べて、磁性膜と基板とのマ
ツチングが良好であり、しかもコラプス磁界H0
の温度係数はけい素を含まない場合と同様に小さ
かつた。
が１：１であつて、Ｘ線回折によつて基板と磁性
膜との格子常数を測定したところ基板の格子常数
一膜の格子常数の差は−2.5×10-3Åであつた。
これはけい素を含まない、従来知られている
Lu／Smのモル比１：１のガーネツト磁性膜の場
合の−９×10-3Åと比べて、磁性膜と基板とのマ
ツチングが良好であり、しかもコラプス磁界H0
の温度係数はけい素を含まない場合と同様に小さ
かつた。
第１図はルテチウムおよびサマリウムを含むイ
ツトリウム・鉄ガーネツトのLu／Smのモル比と
コラプス磁界H0の温度係数との関係を示すグラ
フであり、第２図は第１図に示すガーネツトの
Lu／Smのモル比と基板の格子常数一膜の格子常
数の差との関係を示すグラフである。 １…本発明のけい素を含むガーネツト磁性膜、
２…従来のけい素を含まないガーネツト磁性膜。
ツトリウム・鉄ガーネツトのLu／Smのモル比と
コラプス磁界H0の温度係数との関係を示すグラ
フであり、第２図は第１図に示すガーネツトの
Lu／Smのモル比と基板の格子常数一膜の格子常
数の差との関係を示すグラフである。 １…本発明のけい素を含むガーネツト磁性膜、
２…従来のけい素を含まないガーネツト磁性膜。
Claims (1)
- １ ほぼ等モルのカルシウムおよびゲルマニウム
を含み、かつサマリウムおよびルテチウムを含む
イツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁性膜であ
つて、前記サマリウムとルテチウムとがほぼ等モ
ルであり、かつけい素を含むことを特徴とするイ
ツトリウム・鉄ガーネツトからなる磁気バブル素
子用磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3815580A JPS56137573A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic film for magnetic bubble element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3815580A JPS56137573A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic film for magnetic bubble element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56137573A JPS56137573A (en) | 1981-10-27 |
| JPS6367327B2 true JPS6367327B2 (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=12517511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3815580A Granted JPS56137573A (en) | 1980-03-27 | 1980-03-27 | Magnetic film for magnetic bubble element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56137573A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910007182B1 (ko) * | 1987-12-21 | 1991-09-19 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 스크리인장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5170496A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-18 | Nippon Electric Co | Entojikuzairyo |
-
1980
- 1980-03-27 JP JP3815580A patent/JPS56137573A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5170496A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-18 | Nippon Electric Co | Entojikuzairyo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56137573A (en) | 1981-10-27 |
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