JPS6367277B2

JPS6367277B2 -

Info

Publication number: JPS6367277B2
Application number: JP56146265A
Authority: JP
Inventors: Kazutoshi Yoshida; Tatsuji Iizuka
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1981-09-18
Filing date: 1981-09-18
Publication date: 1988-12-23
Also published as: JPS5850696A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は磁気バブルメモリ素子に係わり、特に
磁気バブル器出器からボンデイングパツドまでの
信号引き出線の構造に関するものである。

一般に磁気バブルメモリ素子は、磁気バブルが
存在する磁性結晶基板上にパーマロイの転送パタ
ーンを形成し、回転磁界を印加して駆動する方法
が用いられている。また、磁気バブルの発生、消
去および転送などの機能を実現するためには、ア
ルミニウムや金などの金属膜で形成したコンダク
タが用いられる。これらのコンダクタはパーマロ
イパターン層の下部にあり、この間には絶縁物が
スペーサとして用いられている。そして、これら
のコンダクタとパーマロイパターンとが重なる部
分ではコンダクタの膜厚大によりパーマロイパタ
ーンに段差が生ずる。この段差は磁気バブルの転
送に悪影響を与えるためにコンダクタによる段差
を平坦化する方法が用いられている。この方法
は、ポリイミド系などの耐熱性樹脂を用いる方法
があり、その例は特開昭55−22293に開示されて
いる。

通常、磁気バブルメモリ素子と、外部駆動回路
との電気的接続用信号線の引き出しをとるために
ボンデイングによる接続が行なわれ、そのために
磁気バブルメモリチツプ上にはボンデイングが形
成されている。しかしながら、ボンデイングパツ
ドの下層には上記樹脂膜がある場合、ボンデイン
グ時の超音波を樹脂膜が吸収するためにボンデイ
ングに悪影響を与えるので、ボンデイングパツド
下の樹脂膜を除去していた。

一方、磁気バブルの検出には、パーマロイの磁
気抵抗効果を用いており、この検出器からボンデ
イングパツドまでの信号線は、パーマロイパター
ンを用いて行なつてきた。そして、ボンデイング
パツド部では樹脂を除去しているためにパーマロ
イパターンから磁性結晶基板までの距離が小さ
く、回転磁界により生ずるパーマロイ磁極からの
磁界が樹脂を除去された部分で大きくなり、磁気
バブルが発生することがある。この現象は磁性結
晶基板の異方性磁界H_Kに関係するので、この異
方性磁界H_Kが小さくなる高温度領域で起り易い。
また、回転磁界強度が大きいほどパーマロイパタ
ーンから発生する磁界も大きくなるので、したが
つて回転磁界が大きくなるほど磁気バブルが発生
しやすくなる。

第１図は従来の磁気バブルメモリ素子の磁気バ
ブル検出器およびボンデイングパツド周辺部の一
例を示す要部拡大平面構成図である。同図におい
て、１は磁気バブルメモリチツプ、２ａ，２ｂは
チツプ１の端部に形成されたボンデイングパツ
ド、３は磁気バブル検出器、４ａ，４ｂは検出器
３から各ボンデイングパツド２ａ，２ｂまでの信
号引き出線であり、この信号引き出線４ａ，４ｂ
は検出器３と同じパーマロイパターンで形成され
ている。５は前述の高分子樹脂膜であり、この高
分子樹脂膜５はボンデイングパツド２ａ，２ｂ近
傍では削除されている。６はパーマロイパターン
で形成されたガードレールであり、このガードレ
ール６は不要な磁気バブルが磁気バブルメモリ素
子の動作領域に侵入するのを防止している。な
お、矢印Ｐ方向は磁気バブルの進行方向を示した
ものである。

また、第２図は従来の磁気バブルメモリ素子の
第１図に相当する部分を示す要部拡大断面図であ
る。同図において、１１は上記磁気バブルメモリ
チツプ１を形成しかつ磁気バブルが存在する磁性
結晶基板、１２は基板１１とコンダクタまでのス
ペーシングを形成すSiO₂からなる絶縁膜、１３
は第１図に示す高分子樹脂膜、１４は第１図に示
す磁気バブル検出器、１５は第１図に示す信号引
き出し線、１６はSiO₂からなる表面保護膜、１
７は第１図に示す信号引き出し線４ａ，４ｂに接
続されたAl材からなるボンデイングパツドであ
る。

このような構成において、第１図で示したよう
にボンデイングパツド２ａ，２ｂから検出器３ま
での信号引き出し線４ａ，４ｂは、検出器３の材
料であるパーマロイ材を用いて形成されているの
で、高分子樹脂膜５が除去された部分、すなわち
引き出し線４ａ，４ｂの高分子樹脂膜５のない部
分で磁気バブルが発生すると、パーマロイの引き
出し線４ａ，４ｂが回転磁界により磁化されるに
伴なつて検出器３へ磁気バブルが浸入し、このた
めに検出器３が誤動作を起すという問題があつ
た。

したがつて本発明は、高温度領域においても磁
気バブル検出器が誤動作なく安定した動作が得ら
れるようにした磁気バブルメモリ素子を提供する
ことを目的としている。

このような目的を達成するために本発明は、高
温度領域で回転磁界の影響により、不要が磁気バ
ブルが発生し、この磁気バブルが検出器に侵入し
て誤動作を起さないようにするために検出器の引
き出し線を改良することにある。こに現象は高分
子樹脂膜が除去された部分において発生した磁気
バブルが、引き出し線が磁化されることによつて
検出器に侵入するものであり、これを防ぐには引
き出し線を非磁性体とし、もし磁気バブルが発生
しても検出器に磁気バブルが侵入しないようにす
れば良い。すなわち従来、パーマロイにより形成
されていた検出器の一部を非磁性金属体で構成す
ることによつて対策できる。このようにすると、
不要な磁気バブルは、検出器の引き出し線に非磁
化部分が設置されることになり、引き出し線に沿
つて磁気バブルの浸入を阻止することができる。

以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。

第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
一例を示す磁気バブル検出器およびボンデイング
パツド周辺部の要部拡大平面構成図であり、第１
図と同一部分は同一要素となるのでその説明は省
略し同一記号を付す。同図において、７ａ，７ｂ
は検出器３の引き出し線であり、これらの引き出
し線７ａ，７ｂはそれぞれ一端部がボンデイング
パツド２ａ，２ｂに接続されており、従来と同様
に検出器３と同じパーマロイパターンで形成され
ている。また、この引き出し線７ａ，７ｂの他端
側は例えば金、アルミニウムなどの非磁性金属か
らなる配線パターン８ａ，８ｂにそれぞれ接続さ
れている。９ａ，９ｂは検出器３の引き出し線で
あり、これらの引き出し線７ａ，７ｂの一方は検
出器３に接続され、他端は非磁性金属からなる配
線パターン８ａ，８ｂにそれぞれ接続されてい
る。換言すれば、第１図の従来例において、検出
器３の信号引き出し線４ａ，４ｂを中断し、この
中断した部分に非磁性金属からなる配線パターン
８ａ，８ｂを挿入接続したことになる。この場
合、配線パターン８ａ，８ｂは検出器３側の引き
出し線９ａ，９ｂにそれぞれ接続されている部分
が高分子樹脂膜５が除去されていない部分であ
り、この部分は、部分的に配線パターン８ａ，８
ｂの上部の高分子樹脂膜５にコンタクト用の孔を
設け、パーマロイの引き出し線９ａ，９ｂとそれ
ぞれ接続されている。

第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
要部拡大断面図であり、第２図と同じ部分は同一
要素となるのでその説明は省略し同一記号を付
す。同図において、１８は第３図の高分子樹脂膜
５に相当する樹脂膜、１９は第３図のパーロマイ
引き出し線９ａ，９ｂに相当する配線パターン、
２０は第３図の非磁性金属配線パターン８ａ，８
ｂに相当する配線パターン、２１は第３図のパー
マロイ配線パターン７ａ，７ｂに相当する配線パ
ターンであり、上記パーマロイ配線パターン１９
と非磁性金属配線パターン２０とは高分子樹脂膜
１８のコンタクト用の孔１８ａを介して電気的に
接続されている。

このような構成によれば、高分子樹脂膜１８が
除去された部分で、磁気バブルが回転磁界の影響
により発生することがあつても検出器１４まで侵
入することはない。すなわち第３図において、ボ
ンデイングパツド２ａ，２ｂもしくはパーマロイ
配線パターン７ａ，７ｂのいずれかの部分で磁気
バブルが発生しても、その磁気バブルは配線パタ
ーン８ａ，８ｂが非磁性体であるために配線パタ
ーン８ａ，８ｂの周辺部に回転磁界による磁気バ
ブルを誘導するような磁界が発生することがな
く、また発生した磁気バブルは非磁性金属配線パ
ターン８ａ，８ｂの位置から移動することはな
い。もし仮にパーマロイ配線パターン７ａ，７ｂ
から離れた場合でも検出器３側の配線パターン８
ａ，８ｂは非磁性体であるためにこのパターン８
ａ，８ｂに沿つて検出器３へ磁気バブルが浸入す
ることはない。また、第３図において、検出器３
に一方が接続されたパーマロイ引き出し線９ａ，
９ｂと非磁性金属配線パターン８ａ，８ｂとの接
続点がガードレール６の内側に配置する構造とし
たことによつて、もし仮に高分子樹脂膜５がない
部分で発生した磁気バブルが浮遊していてもガー
ドレール６により、ガードレール６の内側に磁気
バブルが浸入することを妨げることになるので、
引き出し線９ａ，９ｂと配線パターン８ａ，８ｂ
との接続点をガードレール６の外側とするよりも
さらに確実に磁気バブルの侵入を防止することが
できる。すなわち、ガードレール６をパーマロイ
配線パターンが横切るところではパーマロイ配線
パターンが磁化されるためにガードレールの効果
が弱くなる。したがつて上記接続点をガードレー
ル６の内側に配置した方がガードレールの機能を
十分に果すことが可能となり、特性も向上でき
る。

以上説明したように本発明によれば、回転磁界
により不要な磁気バブルが発生しても検出器への
磁気バブルの侵入を確実に防止でき、高温度領域
においても安定かつ十分に動作余裕のある磁気バ
ブルメモル特性を得ることができるなどの極めて
優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブルメモリ素子の検出器
およびそのボンデイングパツド近傍の一例を示す
要部平面構成図、第２図は磁気バブルメモリ素子
の第１図に相当する部分の要部断面構成図、第３
図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一例を
示す第１図に相当する部分の要部平面構成図、第
４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一例
を示す第２図に相当する部分の要部断面構成図で
ある。１……磁気バブルメモリチツプ、２ａ，２ｂ…
…ボンデイングパツド、３……磁気バブル検出
器、４ａ，４ｂ……信号引き出し線、５……高分
子樹脂膜、６……ガードレール、１１……磁性結
晶基板、１２……SiO₂絶縁膜、１３……高分子
樹脂膜、１４……磁気バブル検出器、１５……信
号引き出し線、１６……表面保護膜、１７……ボ
ンデイングパツド、１８……高分子樹脂膜、１８
ａ……コンタクト用の孔、１９……パーマロイ配
線パターン、２０……非磁性金属配線パターン、
２１……パーマロイ配線パターン。

Claims

【特許請求の範囲】

１磁気バブルメモリ素子において、磁気バブル
検出器とボンデイングパツド間を接続する信号線
の一部を非磁性金属体で形成し、前記非磁性金属
体と検出器パターンとの接続部をガードレールの
内側に配置したことを特徴とする磁気バブルメモ
リ素子。