JPS6366537A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は表示装置に係わり、特に強誘電性、夜晶パネル
に関わるものである。

従来の技術 従来の技術を以下、図面を用いて説明する。

まず強誘電性液晶自体について説明する。

第２図は強誘電性液晶分子の模式図である０強誘電性液
晶は通常、スメクチ７り液晶と呼ばれる、層構造を有す
る液晶である０分子は層の垂線方向に対してθだけ傾い
た構造を取っている。また通常、強誘電性液晶はラセミ
体でない光学活性な液晶分子によって構成されている。

第２図に示すように強誘電性液晶分子は分子の　゛長軸
に垂直な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを
有しており、カイラルスメクチックＣ相においては第２
図の円錐形（以下コーンと呼ぶ）の外側を自由に動くこ
とができる。またコーンの中心点０より液晶分子に対し
て下したベクトルをＣダイレクタ−と呼ぶ。カイラルス
メクチックＣ相ではこのＣダイレクタ−はコーンの外側
を自由に動くことができる。

第２図において２１は液晶分子、２２は永久双極子、２
３はＣダイレクタ−１２４はコーン、２５は層構造、２
６は層法線方向、２７は傾き角θを示している。また強
誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常ねじれ
構造を有している。

このねじれ構造を第３図に示す。

第３図において３１は液晶分子、３２は永久双極子モー
メント、３３はねじれの周期を表すピンチ（Ｌ）、３４
は層構造、３５は層の法線方向、３６は傾き角θを表す
０強誘電性液晶パネルのセルＷ　（ｄ）がピッチより厚
いとき（ｄ＞Ｌ）、通常、強誘電性液晶はセル基板表面
の影響がセル中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持
った状態で存在する。しかしセル厚かピッチより小さい
とき（ｄ　＜　ｌ、）ねじれ構造は基板表面の力でほど
かれ第４図のような分子が基板表面と平行になった二つ
の領域が現れる。この二つの領域は分子の持つ永久双極
子モーメントがそれぞれ反対の方向を向いているもので
あり、一方は紙面裏から表方向へもう一方は紙面表から
裏方向へ向いている。これはそれぞれ層法線に対する分
子の傾き角に対応している。

第４図において４１は液晶分子、４２は紙面裏方向から
表方向を向いている永久双極子モーメント、４３は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
４４は層構造、４５は層法線方向、４６は傾き角を表し
ている。

次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。このように強誘電性液晶セルにピッチがセル厚より
も大きな強誘電性液晶（ｄ　＜　Ｌ）を封入すると第４
図のような二つの領域を持つ状態となる。このとき紙面
裏方向から表方向に電界を印加すると永久双極子モーメ
ントは全て電界の方向に向き第５図ａのように分子が全
て十〇の傾き角を持った状態となる。このような状態で
偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分子の長軸方向　
　　□に検光子（Ａ）の偏光軸方向を分子の短軸方向に
平行にすると（第５図ａ参照）偏光子（Ｐ）を通過した
直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子（Ａ）により
遮られ暗状態が得られる。また電界を逆方向に印加する
と第６図すのように分子が全て一〇の傾きを持つ状態と
なり偏光子をｉｉ１過した直線偏光は複屈折効果により
検光子を通り抜は明状態が得られる。

以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピンチより小
さいセル（ｄ　＜　Ｌ）においては通常ねじれ構造がほ
どけているため電界を取り除いた後も分子はそのままの
状態でいるというメモリー効果が生じるといわれている
。

第５図ａｂにおいて５１は電界の方向、５２は分子の永
久双極子モーメント、５３は層構造、５４は傾き角θ、
５５は偏光子（Ｐ）、検光子（Ａ）の偏光軸をそれぞれ
表している。

この明状態の透過光強度！は次式によって与えられる。

１＝Ｉ、ｓ　ｉｎ２４θ ｘｓｉｎ２　（ｎΔｎｄ／λ）・・・・・・（１）ここ
でΔｎは強誘電性液晶の屈折率の異方性、１、は偏光子
を通った後の入射光強度、λは波長、θは液晶分子の傾
き角、ｄは液晶層の厚みを表している。この表示方式は
一般に複屈折モードと呼ばれている。

この式を人間の眼によって怒じる明るさの量である輝度
（Ｙ値）で表すと次式のようになる。

Ｙ−１／に、／　［３（λ）　・１　（λ）・ｙ（λ）
ｌｄλ　・・・・・・（２）但し、Ｓ（λ）：光源の分
光分布（等エネルギー光源） ■　（λ）８強誘電性液晶パネルの分光分布ｙ“（））
：視感度曲線 積分範囲：３８０ｎｍ〜７００ｎｍ このＹ値をΔｎｄ（位相差）に対して計算式によりプロ
ットしたものを第６回に示す、このとき傾き角θは最も
明るい状態をとるようにθ＝２２．５°とした。

第６図より、Δｎｄ（位相差）によりＹ値が大きく変化
することがわかる。また、このときセル厚むらによる色
差ΔＥ＊（セル厚むらによる色むらを表す）をΔｎｄに
対してプロットしたものを第７図に示す。第７図におい
てセル厚むらは０．２μｍとして計算した０色差の計算
はＣＩＥＬΔＢ均等色差空間を用いて次式によって行っ
た。

ΔＥ＊諺［（ΔＬ＊）２＋（Δａ傘）２＋（Δｂ＊）２
］　　・・・・・・（３）但し、 Ｌｍ−１１６（Ｙ／Ｙ、）−１６ ａ　＊−５００［（Ｘ／Ｘ、　）　−（Ｙ／Ｙ、　）　
］ｂ＊−２００［（Ｙ／Ｙ、）−（Ｚ／Ｚ０）］ここで
Ｘ、、Ｙ０．Ｚ０は基準白色面の三刺激値であり、ｘ、
ｙ、ｚは測色物の三刺激値を示している。ΔＬ＊、Δａ
＊、Δｂ本は異なる測色物におけるｔ、＊、ａ＊、ｂ＊
の差を示しており、ここではあるセル厚（ｄ）とそれよ
り０．２μｍ厚いセル厚（ｄ＋０．２μｍ）との差を示
している。

第６図、第７図より、最も明る（、色差（色むら）の小
さいΔｎｄ（位相差）は約０．２８ｔｔｍであることが
わかる０強誘電性液晶の複屈折の異方性（Δｎ）は通常
、０．１３〜０．１８であるためセル厚は１．５〜２．
２μｍ程度と非常に薄くする必要があることがわかる。

（文献：幅用、性感、近藤、：強誘電性液晶を使った高
速ディスプレイ、オプトロニクス、９号、６４真、１９
８３年） しかし、以上のような表示方法を用いるためには第５図
ａｂのように強誘電性液晶層はある一定の方向付けがな
されていなければならない、ある一定の方向付けがなさ
れたセルはモノドメインセルと呼ばれている。

強誘電性液晶は層構造を有するため通常のネマチック液
晶よりも配向させにくいと言われていた。

従来では強誘電性液晶を配向させる手段としてシアリン
グ法、温度勾配法、ラビング法などが用いられていた。

これらの配向法でシアリング法、温度勾配法は生産性が
悪いという欠点があった。ラビング法はネマチック液晶
で広く用いられており強誘電性液晶でもよく用いられて
いる。このラビング法について図を用いて説明する。

第８図ａｂは等方性液体（Ｉｓｏ）からスメクチックＡ
相（ＳｍＡ）、を経て強誘電性を示すスメクチックＣカ
イラル相（Ｓｍ（、ｋ）となる相転移系列を有する強誘
電性液晶をラビング法にょうて配向させたときの模式図
である。配向について説明する前にスメクチックＡ相お
よびスメクチックＣカイラル相について図を用いて説明
する。

第８図ａｂはスメクチ７り人相とスメクチ７りＣカイラ
ル相の構造をそれぞれ模式化したものである。この図は
強誘電性液晶パネルとしてみると基板に対して垂直方向
から見た図である。スメクチ・ツク人相、スメクチック
Ｃカイラル相のどちらも層構造を有しているがスメクチ
ックＡ相では第８図ａのように分子の長軸方向が層重線
方向に対して平行になっており、第８図すのスメクチッ
クＣカイラル相では分子の長軸方向は層重線方向に対し
て千〇だけ１頃いていることがわかる。

第８図ａｂにおいて８１は液晶分子、８２は層構造、８
３は分子長軸方向、８４は層重線方向、８５は傾き角（
θ）、８６は上下基板のラビング方向を表している。

次にこのような相転移系列を有する強誘電性液晶の配向
について説明する。

第８図ａは等方性液体からスメクチック人相に転移した
ときの分子の配向の模式図で、ここで分子はスメクチッ
ク人相であるため層構造に対して垂直にその分子長軸を
存している。そのためラビングを施した場合そのラビン
グ方向（配向容易軸）に対して液晶分子長軸が平行に配
向し結果として第８図ａのように層重線方向と層は平行
となる０次にスメクチックＡ相から強誘電性を示すスメ
クチックＣカイラル相に相転移するときＮ構造は弾性変
形に要するエネルギーが大きいため分子が層内で傾き層
構造はそのまま保たれる。結果として第８図すのように
層重線方向はラビング方向に平行のままで分子がラビン
グ方向よりずれた配向状態となる。しかしながらこのよ
うな配向状態では強誘電性液晶分子は層内で第２図のよ
うにコーンの外側を自由に動くことができるため配向容
易軸であるラビング方向にもどってしまうことが考えら
れる。

斜方蒸着の従来例 斜方蒸着法はネマチック液晶の配向法として従来、一部
で用いられていたが現在はラビング法が主流を占めてい
る。斜め蒸着法について回を用いて説明する。

斜め蒸着法の実際のやり方を第９図に示す。

真空状態となる薄着釜（ペルジャー）内に藤着源があり
、抵抗加熱、あるいは電子ビームを照射することにより
加熱することができるようになっている。セル基板は基
板垂線方向から蒸着方向に対してθだけ（頃けてセット
される。９１はペルジャー、９２はセル基板、９３は蒸
着源、９４は傾き角θ、斜め蒸着を行うことによって表
面には第１Ｏ図に示すようなカラム状の小さな突起１０
１が無数に存在する構造ができる。これは通常、セルフ
ンヤドウイングと呼ばれる効果により生じるものと言わ
れている。この時、傾き角θ１０２を変化させることに
よりネマチ７り液晶分子の配向に違いが生しる。このこ
とについて図を用いて説明する。

■　蒸着角度（θ）７５°〜８５°のときθが７５度〜
８５度のとき第１１図ａに示すように液晶分子は蒸着方
向にその分子長軸方向（ｎ）１１１を平行に配向する。

このため液晶分子はプレチルト角を１５度から３０度程
度存するとされている。

■　蒸着角度（θ）〜６０度のとき θが〜６０度のとき第１１図すに示すように液晶分子は
蒸着方向にその分子長軸方向を垂直に配向する。このと
きプレチルト角は約０度である。

これらの蒸着角度の違いによる配向の違いは表面のカラ
ム構造に対して分子がどの方向に配列したとき最も弾性
変形のエネルギーが小さくですむかに依存していると言
われている。

スメクチック液晶、あるいは強誘電性液晶において配向
方法に斜め蒸着法が用いられた例は２〜３ある。しかし
、それらはセル厚が厚い状態（〜７μｍ以上）で用いて
おり、完全なメモリー性などについて電圧−輝度曲線（
Ｂ−Ｖ曲線）などは測定しておらず、またプレチルト角
の表示装置としての有用性についても殆ど言及していな
い。

斜め蒸着法の参考文献；■ダブリュ、アルバック、エム
、ボイクス、イー、ギイヨン：蒸着膜上のネマチック相
とスメクチック相の配向、アブライラド　フィジフクス
　レター、２５巻　９号＋１）４７９頁　１９７４年（
Ｗ、　Ｕｒｂａｃｈ、　　Ｍ。

Ｂｏｉｘ、　ａｎｄ　　Ｅ、　Ｇｕｙｏｎ　；　　Ａｌ
１ｇｎ５＋ｅｎｔ　　ｏｒｎｅｍａＬｉｃｓ　ａｎｄ　
ｓｍｅｃｔｉｃｓ　ｏｎ　ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ　ｆｉ
１ｍｓ＋Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ、　　Ｖｏｌ、　　２５　。

Ｎｏ、９．　　Ｉ　Ｐ、　　４７９　　Ｎｏｖｅｉｂｅ
ｒ　　１９７４）■上本勉、岩崎泰部、吉野勝己、大石
嘉雄；スメクチンク強誘電性ン夜晶の電気光学的性質（
２）、第４回　液晶討論会　予稿集（１９７８年）講演
番号　３Ｒ１３ 発明が解決しようとする問題点 （１１従来、強誘電性液晶の配向制（１Ｈには工業的に
有利なラビング法が用いられていたがこの方法では強誘
電性液晶分子に電圧が印加された場合、メモリー効果が
小さいことが問題であった。以下、図面を用いてこのこ
とを説明する。

第１２Ｐｌａｂｃはラビング配向された強誘電性液晶パ
ネルに電圧を印＋ＪＩ］　！、た状態を模式的に表した
ものである。ここで第１２図ａは紙面の裏から表方向に
電圧を印加した状態、第１２図すは紙面の表から裏方向
に電圧を印加した状態を示している。この二つの状態で
強誘電性液晶層の大部分は電界方向にそれぞれ向いてい
る。

そのため適当に偏光子と検光子の位置を決めてやれば明
暗の状態を電界の極性によって得ることができる。ここ
までは第５図ａｂと同じである。次に電界をゼロ、つま
り無印加状態にすると配向容易軸であるラビング軸に強
誘電性液晶分子はもどってしまい第１２図Ｃのような状
態になってしまう。これは結局、メモリー性が劣化して
いることを示している。

第１２図ａｂｃにおいて１２１は強誘電性液晶分子、１
２２は層構造、１２３はラビング方向、１２４は電界の
方向を表している。

これらのことを実際に示すため第１３図に示すようなラ
ビングによる液晶パネルを作成した。

ここで１３１は上下の偏光板、１３２は上下のガラス基
板、１３３は透明電極層、１３４は配向処理を施した有
機高分子膜層、１３５は強誘電性液晶層、１３６は対向
基板間の距離（セル厚）を一定にさせるためのスペーサ
ーを表している。このように対向電極間に強誘電性液晶
を封入し強誘電性液晶パネルを作成した。

実験に用いた強誘電性液晶材料はエステル系の温度範囲
がＯ℃〜５８℃まで強誘電性を示す液晶材料を用いて行
った。下に用いた強誘電性液晶の相転移温度を示す。

Ｃｒ　　　　ＳｍＣ＊　　　　ＳｍＡ　　　　Ｃｈ〜０
℃　　　　５８℃　　　８２℃ −−−一→ｌｓ。

９５℃ ここで、Ｃｒ　　：結晶相 ＳｍＣ＊：スメクチックＣカイラル相 ＳｍＡ　　：スメクチックＡ相 Ｃｈ　　：コレステリック相 ｌｓｏ　　：等方性液体 また、この液晶の複屈折異方性（Δｎ）はセナルモン型
コンベンセイターを用いて測定したところ０．１３であ
った。

配向方法はガラス基板上に設けた有機高分子膜をラビン
グし、液晶注入後、１００℃までパネルを加熱し等方性
液体とした後、ゆっくりと徐冷する（０．６℃／ｍ１ｎ
）ことによりスメクチックＣカイラル相のモノドメイン
を得た。

次にこのパネルを用いて電圧−ｉ３過率曲線（以下、Ｂ
−Ｖ曲線とする）を測定した。

Ｂ−Ｖ曲線の測定に用いた光学実験系を第１４圀に示す
、第１４図において光源１４１より発せられた白色光は
偏光子１４２を通り液晶セル１４３に直線偏光として入
射した後、検光子１４４を通って集光レンズ１４５によ
って集光され光電子倍増管１４６で感知され、ストレー
ジオシロ１４７によりＢ−Ｖ曲線として測定される。な
お液晶セルにはプログラマブルパルスジェネレーター１
４８により任意の波形を加えることができるようにした
。

このような実験系において前述の構成を有する強誘電性
液晶パネルのＢ−Ｖ曲線を測定した。

また強誘電性液晶パネルのセル厚は２．８μｍのものを
用いた。得られたＢ−Ｖ曲線を第１５図に示す、第１５
図において横軸は時間（１）であり、縦軸は電圧（Ｖ）
あるいは輝度（Ｂ）である、上図は印加した電圧波形で
あり、下図は対応する輝度曲線である。第１５図を電圧
波形の順に従って説明するとまずパルス高さ＋１０Ｖ、
幅２．Ｏｍｓの電圧が印加されたときに輝度は約３２％
と大きく明状態が得られた０次に電圧が無印加（Ｏｖ）
のときに輝度は小さくなり、分子がラビング方向にもど
っていることがわかる。またーｌＯｖの電圧が印加され
たとき輝度は小さくなり約１％と最も暗い状態となる。

しかし、また電圧無印加の状態となると輝度は再び大き
くなり先程の無印加の状態と同じ輝度となってしまう、
これは電界無印加時に分子がもどってしまうことに起因
することでメモリー効果の無いことを示している。

（２）従来、強誘電性液晶パネルは複屈折効果を利用す
るため明るさ、色むらの点でセル厚を〜２μｍ程度と非
常に薄くする必要があった。生産性から考えると非常に
不利なことであった。

問題点を解決するための手段 前記、問題点を解決するため酸化アルミニウムを斜め方
向から蒸着することにより生産性のよい、またメモリー
効果の大きい強誘電性液晶パネルを実現できる。

作用 ｆｉｌ　　ラビング法による一軸処理とは異なり無機物
（ＡＪ２０３）を斜め方向から蒸着することにより無機
物（Ａ１２０．）がある一定方向に微細な突起群を持つ
ような表面構造にする。この表面構造により、液晶分子
は弾性変形の最も少ない構造に配向することになる。

この効果による配向はラビング法による強い一軸処理と
は異なり、メモリー効果の大きい強誘電性液晶パネルを
実現できる。

（２）　　基板表面に対して大きなプレチルト角を持た
せることにより見掛けのΔｎを小さくすることでセル厚
を厚くしても明るい、色づきの少ない強誘電性液晶パネ
ルを得ることができ、生産性が良い強誘電性液晶パネル
を実現できる。

実施例 一実施例について図面を用いて説明する。

実施例１ 一実施例に用いた斜方蒸着法の行い方は従来例で述べた
第９図の構成を用いた。蒸着物質として酸化アルミニウ
ム（ＡＪ２０３）を用い、これに電子ビームを照射する
ことにより加熱し、蒸着を行った。基板はガラス基板上
に導電性インジウム・スズ酸化物を蒸着したもの（！Ｔ
Ｏ基板）を用いた。蒸着角度は８５度と６０度の両方を
用いた。

蒸着速度は約２０人／　ｓ　ｅ　ｃ　、膜厚は基板垂直
方向からの厚さで約３０００人とした。このように斜方
蒸着を行ったＩＴＯ基板を用いて強誘電性液晶パネルを
作成した。セル構成は第１３図に示したセル構成と本質
的に同じである。上下基板の蒸着方向は上下で反平行と
なるようにした。

実施例に用いた強誘電性液晶材Ｉｔは従来例で用いたも
のと同じエステル系の混合物である。このようなセルに
強誘電性液晶を真空中で注入し徐冷することにより良好
に配向したモノドメインの強誘電性液晶パネルを得た。

セル厚は２．５μｍとした。このときの配向は蒸着角度
により異なっていた。蒸着角度が８５度のとき液晶分子
の長軸方向は蒸着方向と一致していたが６０度のときは
蒸着方向に垂直にその長軸方向を有していた。

この強誘電性液晶パネルを従来例で述べた光学系を用い
てＢ−Ｖ曲線を測定し、メモリー効果を調べた。結果を
第１図ａｂに示す。ここで第１図ａは蒸着角度が８５度
、第１図すは６０度の強誘電性液晶パネルである。第１
図ａを用いて説明する。

第１図ａより、パルス高さ＋ＩＯＶ、幅２．０葛のパル
スが印加されたとき註度は約３２％と大きく明状態が得
られた。次に電圧が無印加（ＯＶ）となったときにも輝
度はそのままで分子がパルス印加時と同じ場所におり、
メモリー効果があることがわかる。また、−１０Ｖのパ
ルスが印加されると輝度は小さくなり約１％と最も暗い
状態となった。また、電圧無印加の状態となっても輝度
はそのままでメモリー効果の強いことがわかる。

これは第１図すでも同じであり、蒸着角度が８５度でも
６０度でも強いメモリー効果が得られた。

実施例２ 次にくさび型にセル厚を徐々に厚くしたセルを用いて色
相の変化を測定した。

くさび型セルの構成を第１６図に示す、第１６図におい
て、１６１はガラス基板、１６２は１７０層とそのうえ
にＡｌ２Ｏ，］斜方蒸着層あるいはラビングを施された
有機高分子膜層を有する層、１６３は強誘電性液晶層、
１６４はセルＩ￥調整のためのスペーサー、１６５は蒸
着方向、あるいはラビング方向の組合せ方を示す。セル
厚の変化は１μｍ〜７μｍとし、８５度蒸着、６０度蒸
着及びラビング法によって配向させた強誘電性液晶パネ
ルをそれぞれ作成した。これらの強誘電性液晶パネルの
セル厚の違いによる電界時の輝度を及び色相を色彩光度
計により測定した。色彩光度計はマクベス社製のものを
用いた。まず、６０度蒸着およびラビングセルについて
セル厚と輝度の関係を第１７図に示す、ここで○印は６
０度蒸着、Ｘ印はラビングセルをそれぞれ示す。

次に８５度蒸着の強誘電性液晶パネルのセル厚と輝度の
関係を第１８図に示す。強誘電性液晶パネルのセル厚と
輝度の関係は従来例で述べたように理論的にｆｌ１式で
与えられる。第６図における理論式より与えられる輝度
曲線は大体、Δｎｄが約０．２８あたりで最も明るい状
態を持つようになっている。これは第１７図から６０度
蒸着セル、ラビングセルにおいてはどちらもセル厚が約
２．０μｍで最も明るい状態になっており、本実施例の
液晶ｔオ料はΔｎが約０．１３であるためΔｎｄとして
０．２８あたりとなり、理論式と対応している。第１８
図における８５度蒸着セルでは最も明るくなるセル厚が
約２．６μｍとなっておりΔｎｄで０．３６あたりと、
理論式よりもセル厚の厚いとごろで明るいことがわかる
。これは斜め蒸着法の説明で述べたように８５度蒸着で
は大きなプレチルト角を有するからと考えられる。

プレチルト角を有するため見掛けの複屈折異方性（Δｎ
）をΔｎａｆｆとし、プレチルト角をθｐとすると屈折
率楕円体の式よりΔｎｅｆ（は次式で与えられる。

Δｎｅｆｆ−Δｎ−ＣＯ３２θｐ・・・・・・（７）こ
こで実際のプレチルト角を測定した０強誘電性液晶状態
のプレチルト角は測定しにくいのでネマチック液晶を用
いた。このプレチルト角の測定法はヌルキャパシタンス
法と呼ばれる方法で行った。

この結果、８５度蒸着セルのプレチルト角は約２５度で
あることがわかった。（７）式にプレチルト角の２５度
とΔｎの０．１３の値をそれぞれ代入するとΔｎｅｆｆ
は０．１０７という値になる。

（１）式による理論計算より最も明るくなるΔｎｄは約
０．２８であるためセル厚はΔｎ、が０．１３のとき２
．１μｍの必要があったがプレチルト角を有するためΔ
れｏｆｆが０．１１５と小さくなった場合、セル厚が約
２．６μｍで最も明るくなることになる。これは８５度
蒸着セルの輝度の測定結果とほぼ一敗している。

次にプレチルト角を０度から大きくしていったときのΔ
ｎｅｆｆ／Δｎの変化をプロットした図を第１９図に示
す。

第１９図よりプレチルト角が約１０度ぐらいま′ででは
Δｎｅｆｆ／Δｎは１からあまり変化せずΔｎａｆｆは
あまり小さくなっていないことがわかる。プレチルト角
が１０度以上ではΔｎ５ｆｆ／Δｎの変化量は大き（な
り、Δｎｅｆｆが小さくなりセル厚が厚くとも明るい状
態が得られることがわかった。また斜め蒸着法は強誘電
性液晶パネルの配向を損なわずにプレチルト角を大きく
する良い方法であることがわかワた。

発明の効果 （１）　　本発明は蒸着物質としてＡｌ２Ｏ３を用いて
斜め蒸着法を行い、強誘電性液晶の配向を行うことでメ
モリー製の強い、表示品位の良好な強誘電性液晶パネル
を得ることができる効果を有する。

（２）　　また大きなプレチルト角を有することで強誘
電性液晶パネルの見掛けのΔｎｅｒｆｄを小さくし、セ
ル厚が厚くても明るい強誘電性液晶パネルを作成するこ
とを可能とし、強誘電性液晶パネルの生産性を向上させ
る効果を持つものである。

（３）　　大きなプレチルト角は斜め蒸着法により良好
な配向とともに得ることができ強いメモリー性を持ち、
かつセル厚の厚い生産性の良い強誘電性液晶パネルを得
ることができる効果も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は斜め蒸着を行った強誘電性液晶パネルのメモリ
ー性を示すための電圧波形と輝度の関係を表わすグラフ
、第２図は強誘電性液晶の構造を表す模式図、第３図は
強誘電性液晶のねじれ構造を表す模式図、第４図は強誘
電性液晶の薄いセル厚のパネルでねじれ構造がほどけた
状態を表す模式図、第５図は薄いセル厚の強誘電性液晶
パネルにおいての動作原理を表す模式図、第６図は強誘
電性液晶パネルのΔｎｄと輝度の関係の理論計算値をプ
ロットしたグラフ、第７図は強誘電性液晶パネルにおい
て各々のΔｎｄに対してセル厚むらとしての色差の理論
計算値をプロットしたグラフ、第８図１ａλ（峠はＳｍ
Ａ相とＳｍＣ＊相の構造とラビングを行ったときの配向
状態を示す模式図、第９図は蒸着装置および蒸着方法を
示す模式図、第１０図は斜め蒸着を行ったときの表面状
態を表す模式図、第１１図１ａ）、ｆｂ）は蒸着方向を
変えたときの液晶分子の配向方向を表す模式図、第１２
図（ａ）、（ｂ）。 （Ｃ）はラビング法による電界印加による強誘電性液晶
の動作とメモリー効果が小さいことを表す模式図、第１
３図は従来例および実施例で用いた強誘電性液晶パネル
の構造図、第１４図は従来例および実施例のＢ−Ｖ曲線
測定に用いた光学系の模式図、第１５図はラビングセル
のメモリー効果を示すための電圧波形と輝度との関係を
表わすグラフ、第１６図は色測定に用いたくさび型セル
の模式図、第１７図はラビングセルおよび６０度匁着セ
ルのセル厚と輝度の実測値をプロットしたグラフ、第１
８図は８０度蒸着セルにおけるセル厚と輝度の実測値を
プロットしたグラフ、第１９図はプレチルト角とΔｎｅ
ｆｆの計算値をプロットしたグラフである。 １０２・・・・・・斜方蒸着法の蒸着角度を示す、１１
１・・・・・・斜方蒸着法による分子の配向方向を示す
。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名筆　１　図 片間（ｍｓｅｃ］ 第　１　図 片間（ｍｊ（ＩＣ〕 第　２　図 第　３　図 第４図 第　５　図 第　８　図 乙Ｅ（Ｌゝ♂ｂ町 （α、Ｕ） 第９図 第１０　ｒＡ 冶　　　　　　　　　　　Ｇ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　−−Ｉ！広　　　　　　　　　　　　ψ・ 第１３図 第１４　図 第１５図 １８７ｉ１’ｌ　Ｃｒｒｌｙｅｃ＞ 第１７図 ちル４　（ＩＪｒｎ　） 第１８　図 Ｚルｔ＜　（Ｈｒｎ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）液晶層と前記液晶層を挟持するように配置した少
   なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記液晶層に
   電圧印加が行えるように前記、基板に付設した電圧印加
   手段とを具備したパネルにおいて基板に対して斜め方向
   から酸化アルミニウムを蒸着することにより、強誘電性
   液晶の配向制御を行うことを特徴とする強誘電性液晶パ
   ネル。
2. （２）液晶層の厚みが５μｍ以下であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第（１）項記載の強誘電性液晶パネル
   。