JPS6366535A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は表示装置に係わり、特に強誘電性液晶パネルに
関わるものであるつ 従来の技術 従来の技術を以下、図面を用いて説明する。まず強誘電
性液晶自体について説明する。

第２図は１ｊＩＪ誘電性液晶分子の模式図である０強誘
電性液晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる、層構造
を有する液晶である０分子は層の垂線方向に対してθだ
け傾いた構造を取っている。また通常、強誘電性液晶は
ラセミ体でない光学活性な液晶分子によって構成されて
いる。

第２図に示すように強誘電性液晶分子は分子の長軸に垂
直な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有し
ており、カイラルスメクチックＣ相においては第２図の
円錐形（以下コーンと呼ぶ）の外側を自由に動（ことが
できる、またコーンの中心点Ｏより液晶分子に対して下
したベクトルをＣダイレクタ−と呼ぶ、カイラルスメク
チックＣ）■ではこのＣダイレクタ−はコーンの外側を
自由に動くことができる。第２図において２１は液晶分
子、２２は永久双極子、２３はＣダイレクタ−５２４は
コーン、２５は層構造、２６は層法線方向、２７は（頃
き角θを示している。

また強誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常
ねじれ構造を有している。このねじれ構造を第３図に示
す。

第３図において３１は液晶分子、３２は永久双極子モー
メント、３３はねじれの周期を表すピッチ（Ｌ）、３４
は層構造、３５は層の法線方向、３６は傾き角θを表す
。強誘電性液晶パネルのセル厚（ｄ）がピンチより厚い
とき（ｄ＞Ｌ）、通常、強誘電性液晶はセル基）反表面
の影響がセル中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持
った状態で存在する。しかしセル厚がピッチより小さい
とき（ｄ＜Ｌ）ねじれ構造は基板表面の力でほどかれ第
４図のような分子が基板表面と平行になった二つの領域
が現れる。この二つの領域は分子の持つ永久双極子モー
メントがそれぞれ反対の方向を向いているものであり、
一方は紙面裏から表方向へもう一方は紙面表から裏方向
へ向いている。これはそれぞれ層法線に対する分子の傾
き角に対応している。

第４図において４１は液晶分子、４２は紙面裏方向から
表方向を向いている永久双極子モーメント、４３は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
４４は層構造、４５は層法線方向、４６は傾き角を表し
ている。

次に強誘電性液晶の動作原理について図面を用いて説明
する。このように強誘電性液晶セルにピンチがセル厚よ
りも大きな強誘電性液晶（ｄ＜Ｌ）を封入すると第４図
のような二つの領域を持つ状態となる。このとき紙面裏
方向から表方向に電界を印加すると永久双極子モーメン
トは全て電界の方向に向き第５図＋ａ＋のように分子が
全て＋θの傾き角を持った状態となる。このような状態
で偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分子の長軸方向
に検光子（Ａ　）の偏光軸方向を分子の短軸方向に平行
にすると（第５図！Ｂ）参照）偏光子（Ｐ）を通過した
直線偏光は複屈折を受けずに３３遇し検光子（Ａ＞によ
り遮られ暗状態が得られる。また電界を逆方向に印加す
ると第６図ｔｂｌのように分子が全て一〇の傾きを持つ
状態となり偏光子を通過した直線偏光は複屈折効果によ
り検光子を通り抜は明状態が得られる。

以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル（ｄ　＜　Ｌ）においては通常ねしれ構造がほ
どけているため電界を取り除いた後も分子はそのままの
状態でいるというメモリー効果が生じるといわれている
。

第５図（ａｌ、　（ｂｌにおいて５１は電界の方向、５
２は分子の永久双極子モーメント、５３は層構造、５４
は傾き角θ、５５は偏光子（Ｐ）、検光子（Ａ）の偏光
軸をそれぞれ表している。

この明状態の透過光強度Ｉは次式によって与えられる。

１＝１）ｓｉｎ２４θＸ５ｉｎ２＜ｒｔ　Δｎ　ｄ　／
λ）・・・・・・（１） ここで−〇は強誘電性液晶の屈折率の異方性、１□は偏
光子を通った後の入射光強度、λは波長、θはｌ良品分
子の傾き角、ｄは液晶層の厚みを表している。この表示
方式は一般に複屈折モードと呼ばれている。

この式を人間の眼によって惑じる明るさの量である輝度
（Ｙ値）で表すと次式のようになる。

Ｙ−１／ＫＯ／　［Ｓ（λ）弓（λ）・ｙ（λ）］ｄλ
・・・・・・（２） 但し、Ｓ（λ）：光源の分光分布（等エネルギー光源） ■　（λ）：強３３　Ｍ性液晶パネルの分光分布ｙ（λ
）：視感度曲線 積分範囲：３８０ｎｍ〜７００ｎｍ このＹ値をΔｎｄ（位相差）に対して計剪弐によりプロ
ットしたものを第６図に示す。このとき傾き角θは最も
明るい状態をとるようにθ＝２２．５度とした。

第６図より、Δｎｄ（位相差）によりＹ値が大きく変化
することがわかる。また、このときセル厚むらによる色
差７ＪＥ＊　（セル厚むらによる色むらを表す）をΔｎ
ｄに対してプロットしたものを第７図に示す。第７図に
おいてセル厚むらは０．２μｍとして計算した。色差の
計算はＣＩ　Ｅ　Ｌ　Ａ　Ｂ均等色差空間を用いて次式
によって行った。

ΔＥ＊−（（、ＪＬ＊）２　＋　（Δａ＊）２＋（Δｂ
＊）２］　　　　　　　・・・・・・（３）但し、 Ｌ＊＝１）６　　＜Ｙ／’Ｉ０）　−１６ａ　＊−５０
０［（Ｘ／ｘ、　）　−（Ｙ／Ｙ０）　３ｂ＊＝２ｏｏ
　　［（Ｙ／Ｙ０）−（Ｚ／Ｚ、）］ここでｘ０．ｙ、
、ｚ、は基準白色面の三刺激値であり、Ｘ、Ｙ、Ｚは測
色物の三刺激値を示している。ΔＬ＊、Δａ本、Δｂ＊
は異なる測色物におけるＬ＊、　　ａ＊、ｋ）＊の差を
示しており、ここではあるセル厚（ｄ）とそれより０．
２μｍ厚いセルｆｆ（ｄ＋０．２μｍ）との差を示して
いる。

第６図、第７図より、最も明るく、色差（色むら）の小
さいΔｎｄ（位相差）は約０．２８μｍであることがわ
かる０強誘電性液晶の複屈折の異方性（Ｊ　ｎ）は通常
、０．１３〜０．１８であるためセル厚は１．５〜２．
２μｍ程度と非常に薄くする必要があることがわかる。

（文献：福田、竹添、近勝、：強誘電性液晶を使った高
速ディスプレイ、オプトロニクス、９号、６４頁、１９
８３年） しかし、以上のような表示方法を用いるためには第５図
（ａｌ、　（ｂｌのように強誘電性液晶層はある一定の
方向付けがなされていなければならない、ある一定の方
向付けがなされたセルはモノドメインセルと呼ばれてい
る。

強誘電性液晶はＮ構造を有するため通常のネマチック液
晶よりも配向させにくいと言われていた。

従来では強誘電性液晶を配向させる手段としてシアリン
グ法、温度勾配法、ラビング法などが用いられていた。

これらの配向法でシアリング法、温度勾配法は生産性が
悪いという欠点があった。ラビング法はネマチック液晶
で広く用いられており強誘電性液晶でもよ（用いられて
いる。このラビング法について図を用いて説明する。

第８図（ａｌ、　（ｂｌは等方性液体（Ｉ　ｓ　ｏ）か
らスメクチックＡ相（ＳｍＡ）　、を経て強誘電性を示
すスメクチックＣカイラル相（ＳｍＣＩ＞となる相転移
系列を有する強誘電性液晶をラビング法によって配向さ
せたときの模式図である。

配向について説明する前にスメクチ７りＡ相およびスメ
クチックＣカイラル相にりいて図を用いて説明する。

第８図＋ａ＋、　（ｂ）はスメクチ７りＡ相とスメクチ
ックＣカイラル相の構造をそれぞれ模式化したものであ
る。この図は強誘電性液晶パネルとしてみると基板に対
して垂直方向から見た図である。スメクチックＡ相、ス
メクチックＣカイラル相のどちらも層構造を有している
がスメクチックＡ相では第８図（ａｌのように分子の長
軸方向が層重線方向に対して平行になっており、第８図
（ｂｌのスメクチックＣカイラル相では分子の長軸方向
は層重線方向に対して十〇だけ傾いていることがわかる
。

第８図＋ａｌ、　（ｂｌにおいて８１は液晶分子、８２
は層構造、８３は分子長軸方向、８４は層重線方向、８
５は１頃き角（θ〉、８６は上下基板のラビング方向を
表している。

次にこのような相転移系列を有する強誘電性液晶の配向
について説明する。

第８図ｉａｌは等方性液体からスメクチックＡ相に転移
したときの分子の配向の模式図で、ここで分子はスメク
チックＡ相であるため層構造に対して垂直にその分子長
軸を有している。そのためラビングを施した場合そのラ
ビング方向（配向容易軸）に対して液晶分子長軸が平行
に配向し結果として第８図（ａｌのように層重線方向と
層は平行となる。

次にスメクチックＡ相から強誘電性を示すスメクチック
Ｃカイラル相に相転移するとき層構造は弾性変形に要す
る工フルギーが大きいため分子が層内で傾き層構造はそ
のまま保たれる。結果として第８図［ｂｌのように層重
線方向はラビング方向に平行のままで分子がラビング方
向よりずれた配向状態となる。

しかしながらこのような配向状態では強誘電性液晶分子
は層内で第２図のようにコーンの外側を自由に動くこと
ができるため配向容易軸であるラビング方向にもどって
しまうことが考えられる。　　−斜方蒸着の従来例 斜方蒸着、去：よネマチック液晶の配向法として従来、
一部で用いられていたが現在はラビング法が玉流を占め
ている。斜め蒸着法について図を用いて説明する。

斜め蒸着法の実際のやり方を第９図に示す。

真空状態となる蒸着釜（ペルジャー）内に蒸着源があり
、抵抗加熱、あるいは電子ビームを照射することにより
加熱することができるようになっている。セルＶＥ板は
基板垂線方向から蒸着方向に対してθだけ傾けてセント
される。９１はペルジャー、９２はセル基板、９３は蒸
着源、９４は傾き角θ、斜め蒸着を行うことによって表
面には第１Ｏ図に示すようなカラム状の小さな突起１０
１が無数に存在する構造ができる。これは通常、セルフ
シャドウィングと呼ばれる効果により生じるものと言わ
れている。この時、１頃き角θ１０２を変化させること
によりネマチック液晶分子の配向に違いが生じる。この
ことについて図を用いて説明する。

■　蒸着角度（θ）７５度〜８５度のときθが７５度〜
８５度のとき第１）図ｆａｔに示すように液晶分子は蒸
着方向にその分子長軸方向（ｎ）１）．１を平行に配向
する。このため液晶分子はプレチルト角を１５度から３
０度程度有するとされている。

■　蒸着角度（θ）〜６０度のとき θが〜６０度のとき第１）図中）に示すように液晶分子
は蒸着方向にその分子長軸方向を垂直に配向する。この
ときプレチルト角は約０度である。

これらの蒸着角度の違いによる配向の違いは表面のカラ
ム構造に対して分子がどの方向に配列したとき最も弾性
変形のエネルギーが小さくてすむかに依存していると言
われている。

スメクチック液晶、あるいは強誘電性液晶において配向
方法に斜め蒸着法が用いられた例は２〜３ある。しかし
、それらはセル厚が厚い状態（〜７μｍ以上）で用いて
おり、完全なメモリー性などについて電圧−輝度的Ｍ（
Ｂ−Ｖ曲線）などは測定しておらず、またプレチルト角
の表示装置としての有用性についても殆ど言及していな
い。

斜め蒸着法の参考文献：■ダブリュ、アルバンク、エム
、ボイクス、イー、ギイヨン；蒸着膜上のネマチック相
とスメクチック相の配向、アブライフド　フィジックス
　レター、２５Ｓ　９号（１）４７９頁　１９７４年（
Ｗ、　Ｕｒｂａｃｈ、　　Ｍ、　Ｂｏｉｘ。

ａｎｄ　　Ｅ、　Ｇｕｙｏｎ　；　　Ａｌｉｇｎｍｅｎ
ｔ　　ｏｆ　　ｎｅｍａｔｉｃｓａｎｄ　ｓｍｅｃｔｉ
ｃｓ　ｏｎ　ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ　ｆｉｌｍｓ、　　
ΔｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ＋　
Ｖｏｌ、　　２５．　Ｎｏ、９．　　Ｉ　Ｐ。

４７９　　ＮｏｖｅｌＲｂｅｒ　１９７４）　、■上本
勉、岩崎泰部、吉野勝己、大石嘉雄；スメクチック１７
１！誘電性液晶の電気光学的性質（２）、第４回　液晶
討論会　予稿集（１９７８年）講演番号　３Ｒ１３発明
が解決しようとする問題点 （１）従来、強誘電性液晶の配向制御には工業的に有利
なラビング法が用いられていたがこの方法では強誘電性
液晶分子に電圧が印加された場合、メモリー効果が小さ
いことが問題であった。以下、図面を用いてこのことを
説明する。

第１２図＋ａ＋、　ｆｂｌ、　ｆｃｌはラビング配向さ
れた強誘電性！夜晶バフルに電圧を印加した状態を模式
的に表したものである。ここで第１２図ｔａ＋は紙面の
裏から表方向に電圧を印加した状態、第１２図（ｂｌは
紙面の表から裏方向に電圧を印加した状態を示している
。この二つの状態で強誘電性液晶層の大部分は電界方向
にそれぞれ向いている。そのため適当に偏光子と検光子
の位置を決めてやれば明暗の状態を電界の橿性によって
得ることができる。ここまでは第５図（δ］、　ｆｂｌ
と同じである０次に電界をゼロ、つまり無印加状態にす
ると配向容易軸であるラビング軸に強誘電性液晶分子は
もどってしまい第１２図（Ｃ１のような状態になってし
まう。これは結局、メモリー性が劣化していることを示
しζいる。

第１２図ｆａｔ、　（ｂｌ、　（ｃｌにおいて１２１は
強誘電性液晶分子、１２２は層構造、１２３はラビング
方向、１２４は電界の方向を表している。

これらのことを実際に示すため第１３図に示すようなラ
ビングによる液晶パネルを作成した。

ここで１３１は上下の偏光板、］３２は上下のガラス基
板、１３３はｊ３明電極層、１３４は配肉処理を施した
有機高分子膜層、１３５は強誘電性液晶層、１３６は対
向基板間の距離（セル厚）を一定にさせるためのスペー
サーを表している。このように対向電極間に強誘電性液
晶を封入し強誘電性液晶パネルを作成した。

実験に用いた強誘電性液晶材料はエステル系の温度範囲
が０℃〜５８℃まで強誘電性を示す液晶材料を用いて行
った。下に用いた強誘電性液晶の相転移温度を示す。

Ｃｒ−一→Ｓ　ｍ　Ｃ＊　−Ｓ　ｍ　Ａ−−−Ｃｈ〜０
℃　　　　５８℃　　　８２℃ −一−−→Ｉｓ。

９５℃ ここで、Ｃｒ　　：結晶相 ＳｍＣ＊：スメクチックＣカイラル相 ＳｍＡ　　：スメクチックＡ相 Ｃｈ　　：コレステリフク相 Ｉｓｏ　　：等方性液体 また、この液晶の複屈折異方性（Δｎ）はセナルモン型
コンペンセイターを用いて測定したところ０，１３であ
った。

配向方法はガラス基板上に設けた有機高分子膜をラビン
グし、液晶注入後、１００℃までパネルを加熱し等方性
液体とした後、ゆっくりと徐冷する（０．６℃／ｗｉｎ
）ことによりスメクチックＣカイラル相のモノドメイン
を得た０次にこのパネルを用いて電圧−透過率曲線（以
下、Ｂ−Ｖ曲線とする）を測定した。

Ｂ−Ｖ曲線の測定に用いた光学実験系を第１４図に示す
、第１４図において光源１４１より発せられた白色光は
偏光子１４２を通り液晶セル１４３に直線偏光として入
射した後、検光子１４４を通って集光レンズ１４５によ
って集光され光電子倍増管１４６で感知され、ストレー
ジオシロ１４７によりｂ−■曲線として測定される。な
お液晶セルにはプログラマブルパルスジェネレーター１
４８により任意の波形を加えることができるようにした
。

このような実験系において前述の構成を有する強誘電性
液晶パネルのＢ−Ｖ曲線を測定した。

また強誘電性液晶パネルのセル厚は２．８μｍのものを
用いた。

得られたＢ−Ｖ曲線を第１５図に示す、第１５図におい
て横軸は時間（１）であり、縦軸は電圧（Ｖ）あるいは
輝度（Ｂ）である、上図は印加した電圧波形であり、下
図は対応する輝度曲線である。第１５図を電圧波形の順
に従って説明するとまずパルス高さ＋ＩＯＶ、幅２、Ｏ
ｍｓの電圧が印加されたときに輝度は約３２％と大きく
明状態が得られた０次に電圧が無印加（Ｏｖ）のときに
輝度は小さくなり□、分子がラビング方向にもどってい
ることがわかる。

また−１０Ｖの電圧が印加されたとき輝度は小さくなり
約１％と最も暗い状態となる。しかし、また電圧無印加
の状態となると輝度は再び大きくなり先程の無印加の状
態と同じ輝度となってしまう、これは電界無印加時に分
子がもどってしまうことに起因することでメモリー効果
の無いことを示している。

（２）　　従来、強誘電性液晶パネルは）Ｍ屈折効果を
利用するため明るさ、色むらの点でセル厚を〜２μｍ程
度と非常に薄（する必要があった。これは生産性から考
えると非常に不利なことであった。

問題点を解決するための手段 前記、問題点を解決するため酸化ジルコニウムを斜め方
向から蒸着することにより生産性のよい、またメモリー
効果の大きい強誘電性液晶パネルを実現できる。

作用 ＋１）　　ラビング法による一軸処理とは異なり無ｍ物
（／１２０３）を斜め方向がら蒸着することにより無機
物（Ａｔ２０．）がある一定方向に微細な突起群を持つ
ような表面構造にする。この表面構造により、液晶分子
は弾性変形の最も少ない構造に配向することになる。

この効果による配向はラビング法による強い一軸処理と
は異なり、メモリー効果の大きい強誘電性液晶パネルを
実現できる。

１２１　　基ＩＮ表面に対して大きなプレチルト角を持
たせることにより見掛けのΔｎを小さくすることでセル
Ｊを厚くしても明るい、色づきの少ない強誘電性液晶パ
ネルを得ることができ、生産性が良い強誘電性液晶パネ
ルを実現できる。

実施例 一実施例について図面を用いて説明する。

実施例１ 一実施例に用いた斜方蒸着法の行い方は従来例で述べた
第９図の構成を用いた。

蒸着物質として二酸化ジルコニウム（Ｚ　ｒ　０２　）
を用い、これに電子ビームを照射することにより加熱し
、蒸着を行った。基板はガラス基板上に導電性インジウ
ム・スズ酸化物を蒸着したもの（ＩＴＯ基板）を用いた
。ｙ着用度は８５度と６０度の両方を用いた。１着速度
は約２０人／ｓｅｃ、膜厚は基板垂直方向からの厚さで
約３０００人とした。

このように斜方蒸着を行ったＩ　Ｔ　ＯｊＪ板を用いて
強ＸＦｈ　Ｎ性液晶パネルを作成した。セル構成は第１
３図に示したセル構成と本質的に同じである。

上下基板の蒸着方向は上下で反平行となるようにした。

実施例に用いた強誘電性液晶材料は従来例で用いたもの
と同じエステル系の混合物である。このようなセルに強
誘電性液晶を真空中で注入し徐冷することにより良好に
配向したモノドメインの強誘電性液晶パネルを得た。セ
ル厚は２．５μｍとした。このときの配向は蒸着角度に
より異なっていた。蒸着角度が８５度のとき液晶分子の
長軸方向は蒸着方向と一致していたが６０度のときは蒸
着方向に垂直にその長軸方向を有していた。

この強誘電性液晶パネルを従来例で述べた光学系を用い
てＢ−Ｖ曲線を測定し、メモリー効果を調べた。結果を
第１図（ａ）、　（ｂｌに示す。ここで第１図ｆａｔは
ｆ着用度が８５度、第１図（ｂ）は６０度の強誘電性液
晶パネルである。第１図ｔａｌを用いて説明する。

第１図＋ａ＋より、パルス高さ＋ＩＯＶ、幅２．０ｍｓ
のパルスが印加されたとき輝度は約３２％と大きく明状
態が得られた。次に電圧が無印加（ＯＶ）となったとき
にも輝度はそのままで分子がパルス印加時と同じ場所に
おり、メモリー効果があることがわかる。また、−１０
Ｖのパルスが印加されると輝度は小さくなり約１％と最
も暗い状態となった。また、電圧無印加の状態となって
も輝度はそのままでメモリー効果の強いことがわかる。

これは第１図（ｂｌでも同じであり、蒸着角度が８５度
でも６０度でも強いメモリー効果が得られた。

実施例２ 次に（さび型にセル厚を徐々に厚くしたセルを用いて色
相の変化を測定した。

くさび型セルの構成を第１６図に示す、第１６図におい
て、１６１はガラス基板、１６２は１７０層とそのうえ
にＺｒＯ□斜方蒸着層あるいはラビングを施された有機
高分子膜層を有する層、１６３は強誘電性液晶層、１６
４はセルｒ￥羽整のだめのスペーサー、１６５は蒸着方
向、あるいはラビング方向の■合一仕方を示す。

セル厚の変化は１μｍ〜７μｍとじ、８５度蒸着、６０
度人着及びラビング法に、十って配向させた強誘電性液
晶パネルをそれぞれ剰Ｙ成した。これらの強誘電性液晶
パネルのセル厚の違いによる電界時の輝度を及び色相を
色彩光度計により測定した０色彩光度計はマクベス社製
のものを用いた。

まず、６０度蒸着およびラビングセルについてセル厚と
輝度の関係を第１７図に示す。ここで○印は６０度蒸着
、×印はラビングセルをそれぞれ示す。

次に８５度蒸着の強誘電性液晶パネルのセル厚とバ度の
関係を第１８図に示す。

強誘電性液晶パネルのセル厚と輝度の関係は従来例で述
べたように理論的に（１）式で与えられる。

第６図における理論式より与えられる輝度曲線は大体、
Δｎｄが約０．２８あたりで最も明るい状態を持つよう
になっている。これは第１７図から６０度蒸着セル、ラ
ビングセルにおいてはどちらもセル厚が約２．０μｍで
最も明るい状態になっており、本実施例の液晶材ｔ４は
Δｎが約０．１３であるためΔｎｄとして０．２８あた
りとなり、理論式と対応している。

第１８図における８５度蒸着セルでは最も明るくなるセ
ル厚が￥１２．６μｍとなっておりΔｎｄで０．３６あ
たりと、理論式よりもセル厚の厚いところで明るいこと
がわかる。これは斜め蒸着法の説明で述べたように８５
度蒸着では大きなプレチルト角を有するからと考えられ
る。プレチルト角を有するため見掛けの複屈折異方性（
−〇）をａｎｅｆｆとし、プレチルト角をθｐとすると
屈折率楕円体の式よりａｎｅｆｆは次式で与えられる。

ａｎｅｆｆ　＝Δｎ　−ｃｏｓ　２θｐ　　　　　・・
・＝−＋７１ここで実際のプレチルト角を測定した。

強誘電性液晶状態のプレチルト角は測定しにくいのでネ
マチック液晶を用いた。このプレチルト角の測定法はヌ
ルキャパシタンス法と呼ばれる方法で行った。

この結果、８５度蒸着セルのプレチルト角は約２５度で
あることがわかった。（７）式にプレチルト角の２５度
と一〇の０．１３の値をそれぞれ代入するとｔｓｎｅＨ
は０．１０７という値になる。（１）式による理論計算
より最も明るくなるΔｎｄは約０．２８であるためセル
厚はΔｎが０．１３のとき２．１μｍの必要があったが
プレチルト角を有するためａｎｅｆｆが０．１）５と小
さくなった場合、セル厚が約２．６μｍで最も明るくな
ることになる。これは８５度蒸着セルの輝度の測定結果
とほぼ一致している。

次にプレチルト角を０度から大きくしていったときのΔ
ｎａＨ／Δｎの変化をプロットした図を第１９図に示す
。

第１９図よりプレチルト角が約１０度ぐらいまでではａ
ｎｅｆｆ　／Δｎは１からあまり変化せずａｎｅｆｆは
あまり小さくなっていないことがわかる。プレチルト角
が１０度以上ではΔｎｅｔ／−〇の変化量は大きくなり
、ａｎｅｆｆが小さくなりセル厚が厚くとも明るい状態
が得られることがわかった。また斜め蒸着法は強誘電性
液晶パネルの配向をｔ員なわずにプレチルト角を大きく
する良い方法であることがわかった。

発明の効果 （１）本発明は蒸着物質としてＺｒＯ□を用いて斜め蒸
着法を行い、強誘電性液晶の配向を行うことでメモリー
製の強い、表示品位の良好な強誘電性液晶パネルを得る
ことができる効果を有する。

イ２）　　また大きなプレチルト角を有することで強誘
電性液晶パネルの見掛けのａｎｅｆｆ　ｄを小さくし、
セル厚が厚（ても明るい強誘電性液晶パネルを作成する
ことを可能とし、強誘電性液晶パネルの生産性を向上さ
せる効果を持つものである。

（３）大きなプレチルト角は斜め蒸着法により良好な配
向とともに得ることができ強いメモリー性を持ち、かつ
セル厚の厚い生産性の良い強誘電性液晶パネルを得るこ
とができる効果も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は斜め蒸着を行った強誘電性液晶パネルのメモリ
ー性を示すための電圧波形と輝度との関係を表わすグラ
フ、第２図は強誘電性液晶のｔｌａを表す模式図、第３
図は強誘電性液晶のねしれ（１ｉ造を表す模式図、第４
図は強誘電ｔｌｌ液晶の薄いセル厚のパネルでねじれ構
造がほどけた状ｆＢを表す模式図、第５図は薄いセル厚
の強誘電性液晶パネルにおいての動作原理を表す模式図
、第６図は強誘電性液晶パネルの２ｎｄと輝度の関係の
理論計算値をプロットシたグラフ、第７図は強誘電性液
晶パネルにおいて各々のΔｎｄに対してセル厚むらとし
ての色差の理論計算値をプロットしたグラフ、第８図ｔ
ａ＋、　（ｂｌはＳｍＡ相とＳｍＣ＊相の構造とラビン
グを行ったとぎの配向状態を示す模式図、第９図は蒸着
装置および蒸着方法を示す模式図、第１θ図は斜め蒸着
を行ったときの表面状態を表す模式図、第１）図（ａｌ
、　（ｂｌは蒸着方向を変えたときの液晶分子の配向方
向を表す模式図、第１２図（ａｌ、　（ｂｌ、　ｆｅ）
はラビング法による電界印加による強誘電性液晶の動作
とメモリー効果が小さいことを表す模式図、第１３回は
従来例および実施例で用いた強誘電性液晶パネルの構造
図、第１４図は従来例および実施例のＢ−Ｖ曲線測定に
用いた光学系の模式図、第１５図はラビングセルのメモ
リー効果を示すだめの電圧波形と輝度との関係を表わす
グラフ、第１６図は色測定に用いたくさび型セルの模式
図、第１７図はラビングセルおよび６０￥蒸着セルのセ
ル厚と輝度の実測値をプロットしたグラフ、第１８図は
８０度蒸着セルにおけるセル厚と輝度の実測値をプロッ
トしたグラフ、第１９図はプレチルト角とΔｎｅｆｆの
計算値をプロットしたグラフである。 １０２・・・・・・斜方蒸着法の蒸着角度を示す、１）
１・・・・・・斜方蒸着法による分子の配向方向を示す
。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名＠　１　聞 ）８聞（ｒｒ＋５ｅｃ） 第　１　図 ｇ）Ｍ　ｔｍｓｔ２ｃ） り５２　図 第　３　図 りＳ　４　図 第５図 第　８　図 １）Ｅ　（ｆ’　ｔ　ｂ’）　　　　　　　　　　−３
’（１，ｌｉ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　囚第　９　図 第１０　図 第１）図 −〜　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
へヘ　　　　　　　　　　　− 已　　　　　　　　　　　　ミ 第１３図 イ３１ 第１４図 第１５　図 ｈ　７’５　（ｍｓｅｃｌ 第１７図 第１８　図 Ｃｒｂｌ′！ｒｐｒｎ＋

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）液晶層と前記液晶層を挟持するように配置した少
   なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記液晶層に
   電圧印加が行えるように前記、基板に付設した電圧印加
   手段とを具備したパネルにおいて基板に対して斜め方向
   から酸化ジルコニウムを蒸着することにより、強誘電性
   液晶の配向制御を行うことを特徴とする強誘電性液晶パ
   ネル。
2. （２）液晶層の厚みが５μｍ以下であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第（１）項記載の強誘電性液晶パネル
   。